DOS图详解说明
02简板操作系统与PCDOSPPT课件
SYSTEM
SYS1 U I .PA S
C 盘根目录
USER1
U 2 .PA S
返回
根目录是磁盘格式化时由系统自动建立的 根目录没有名称，系统约定用“\”来表示 (在Windows中看到的就是该盘的盘符) 子目录是包含在根目录、或其他子目录中的 目录(即Windows中的文件夹) 。 子目录由用户使用命令来建立 命名方式与文件相同。
返回
文件名和扩展名中的字符可以是： 52个英文大小写字母 A－Z，a－z。 10个数字 0－9。 特殊符号 $, #, @, !, %, (, ), &,–, {, } 等下下面面的的文4件个名文称件是名不称合都法的是：合法的： 7.9PPGRMICES.A因GE只有扩展名，没有文件名 CAONMDMAFONRD.CO因M中间有空格 PAr,icBe.SYS 因中间有逗号 7486
返回
每个盘上都有一棵目录树, 树中结点分为3类： 根D结OS点的(称文为件根系目统录采)用表树示型盘目(即录W结i构ndows的盘符) 中间结点表示文件夹(子目录)；树叶表示文件
A U TO E X E C .B AT
PCTOOLS.EXE F O R M AT .E X E
SKK..EEXXEE
SYSTEM
SYS1 UI.PAS
C 盘根目录
问题：
USER1 U2.PAS
如何来唯一地确定一个文件(或目录)呢？
返回
(2) 文件的引用名(或全路径名) 文因件此可，放当在用任户何建一立个一盘个的新、文件、或查找一个 文件(包时括，硬必盘须的给不出同文分件区所、在软的盘：、光盘、或U盘) 目录盘树符中、的、任何一个目录中。
返回
1. 冷启动 冷启动是指在计算机尚未通电时的启动。 冷启动的方法是：打开显示器、主机的电源。 注意：若用Ａ驱或光驱启动，必须预先将有引导程
dos硬盘检测图文教程
DOS指令“MHDD”硬盘坏道检测图文教程DOS下的专业硬盘检测和坏道维修软件MHDD图文教程使用MHDD修护硬盘坏道教程MHDD 扫描硬盘坏道准备工具带有MHDD工具的光盘（就是windows XP系统盘选择里面的DOS工具箱）首先光盘启动运行MHDD就会有一个选项你看到你所要扫描的硬盘型号按前面数键进入MHDD 界面输入scan （表示扫描）或按F4 后：出现如下图这里有参数设置 start LBA 表示要扫描的起始扇区 end LBA 表示结束扇区这设置如果你知道范围节省时间只扫描是否有坏道的话就不会改直接按F4 开始扫描了，如下图：下面说修复：当你扫描完后有坏道 MHDD扫描时候右下角会有数字那第一个就是扇区的起始最后一个就是坏道扇区结束修复和扫描一样按F4 进入参数设置界面但是要开启修复功能：如下图start LBA 填入你硬盘坏道的起始扇区 end LBA 填入你硬盘坏道结束扇区Remap 选为 ON 表示开启修复功能Timeout 为时间一盘是默认LOOP/TEST REPAIR 设置为ON 表示开启这里是反复擦写可以修复玩固环道ERASE 为OFF 表示关闭设置完成，按F4 开始修理了。
到这里扫描和修复就完了。
另外2种修复的方法，本人已经尝试过，非常管用！1.先按SHIFT+F3扫描硬盘连接并选择，按F4键，先用一般模式扫一遍，再用高级模式扫一变，具体方法是选择LBA模式，remap项OFF，Loop the test/repair 项OFF，其余项ON，选择完毕CTRL+ENTER执行扫描，扫描完毕，执行上面操作，选CHS模式，Loop the test/repair项OFF，Erase WAITs项OFF，其余项选ON，选择完毕，执行扫描，OK！！！大家切记不要直接用高级模式进行扫描，有些朋友为了急于求成，就直接用高级模式对硬盘进行操作，这种做法是错误的，如果直接用高级模式扫的话，一次好不了的话，那么MHDD对其就无可奈何了，要么认不到硬盘，要么坏道无法修复）修复成功率（1类坏道百分之九十以上，2类坏道百分之七十，3类坏道百分之十）2.下面这个方法，没耐心的朋友就不必看了。
DOS下硬盘分区图详解
DOS 下硬盘分区图详解硬盘分区并不复杂，只要你按照下面的图示步步为营，很快就能学会的！硬盘分区并不复杂，只要你按照下面的图示步步为营，很快就能学会的！ 首先启动你的计算机，在BIOS 设置中，拨动启动顺序改为由光盘启动，然后把光盘放入光驱中接着就会出现三个选项：光盘放入光驱中接着就会出现三个选项：1。
START COMPUTER WITH CDROM SURPORT （不加载光驱）；（不加载光驱）； 2。
START COMPUTER WITHOUT CDROM SURPORT （加载光驱）；（加载光驱）； 3。
VIEW HELP FILES （显示帮助文件）（显示帮助文件）然后选2再回车出现A:\>A:\>敲入命令敲入命令fdisk 就回看见下图就回看见下图画面大意是说磁盘容量已经超过了512M 512M，为了充分发挥磁盘的性能，建议选用，为了充分发挥磁盘的性能，建议选用FAT32文件系统，输入“Y”键后按回车键。
文件系统，输入“Y”键后按回车键。
现在已经进入了Fdisk 的主画面，里面的选项虽然不多，但选项下面还有选项，操作时注意别搞混了。
操作时注意别搞混了。
图中选项解释：图中选项解释：1、创建DOS 分区或逻辑驱动器分区或逻辑驱动器2、设置活动分区、设置活动分区3、删除分区或逻辑驱动器、删除分区或逻辑驱动器4、显示分区信息、显示分区信息接下来将讲解如何创建新分区，接下来将讲解如何创建新分区，选择“1”后按回车键，画面显示如下：选择“1”后按回车键，画面显示如下：图中释义：图中释义： 1、创建主分区、创建主分区 2、创建扩展分区、创建扩展分区 3、创建逻辑分区、创建逻辑分区一般说来，硬盘分区遵循着“主分区→扩展分区→逻辑分区”的次序原则，硬盘分区遵循着“主分区→扩展分区→逻辑分区”的次序原则，而删而删除分区则与之相反。
除分区则与之相反。
一个硬盘可以划分多个主分区，一个硬盘可以划分多个主分区，一个硬盘可以划分多个主分区，但没必要划分那么多，但没必要划分那么多，但没必要划分那么多，一个一个足矣。
DOS概述及入门
DOS 概述及入门——DOS 的特点在DOS 环境下，开机后，我们面对的不是桌面和图标，而是这样的电脑屏幕：这个C:\> 叫做提示符，这个闪动的横线叫做光标。
这样就表示电脑已经准备好，在等待我们给它下命令了。
我们现在所需要做的，就是对电脑发出命令，给电脑什么命令，电脑就会做什么。
那我们又怎么向电脑发布命令呢很简单。
比如，我们想看看现在几点钟了，就可以输入时间命令，敲入time 四个字母，它在英文中是“时间”的意思，再敲回车键加以确认，这时屏幕上就显示出当前时间。
再敲回车键，瞧！又出现提示符了，就可以输入下一条命令了。
如果想看日期，输入date，然后敲回车键确认。
这时屏幕上显示出当前日期。
再敲回车键就回到提示符下。
这就是DOS的命令输入方法，和Windows 95中用鼠标寻找图标来运行程序不同，DOS中是通过输入英文命令加回车键这种方式来执行程序的。
怎么样，和Windows 95 完全不一样吧在字符界面下，我们只能通过键盘输入字符来指挥电脑工作，电脑完成一个命令后，出现下一个提示符，我们就又可以给电脑下命令了。
注意，在DOS 下电脑一次只能做一件事，做完以后才能开始下一件事；而在95 下，我们可能让电脑同时干几件事，比如，我们可以一边拷贝文件，一边写文章，一边浏览In ternet。
所以人们把DOS称为单任务的操作系统，而把Windows 95 称为多任务的操作系统。
在DOS中，文件与目录是最重要的概念，这和95 一样，不同的是，目录”在95中叫做文件夹”。
如果我们想查看电脑中的文件，可以输入dir 命令，然后回车。
下面是我电脑屏幕上显示的结果。
如图所示，后面带有v dir>的是目录，没有的则是文件，这些目录里都分门别类地存放着许多不同用途的文件。
你看，第一排是DOS目录，它里面有许多DOS命令文件和一些辅助信息文件。
第二排是WINDOWS 目录，它里面包含着许多有关WINDOWS 程序的文件。
DOS系统介绍及DOS常用命令ppt课件
如何进入DOS、命令提示符
2.1 进入DOS
• DOS的启动过程：
在引导程序（BOOT）的引导下，从DOS系统盘上依次读出IO.SYS、 MSDOS.SYS、程序，并把它们装入内存的过程
• DOS系统的启动方式有三种：
–冷启动：在未加电的情况下，开机 –热启动：硬件已加电的情况下，Ctrl+Alt+Del三键同时按下。热启动过
1.5 DOS的结构 DOS的基本结构包括以下几部分：
• 固化在只读存储 ROM中的基本输入/输出系统（BIOS） • 存储磁盘上的BOOT引导程序（BOOT） • 输入/输出管理程序（IO.SYS） • 磁盘文件管理程序（MSDOS.SYS） • 命令处理程序（）
8
DOS的发展历程
10
DOS的发展历程
1.5 DOS的结构 • 输入/输出管理程序（IO.SYS）
该程序主要负责初始化设备状态，填写中断向量表以及装入 命令处理程序、输入/输出通道分配、调度外部设，保 证系统在运行时能正常工作
• 文件管理程序（MSDOS.SYS）
该程序是DOS的核心部分，主要负责磁盘文件管理，包括如何在磁盘上 建立、删除、读写和检索各类文件；管理磁盘存储器和其它系统资源； 启动并控制输入/输出设备；负责与用户命令处理程序及各种应用程序间 的通信等
• DOS可分为MS-DOS和PC-DOS两类，它们只是版权归属不同，内
容基本一致；前者属于微软公司，后者是IBM公司推出的
• 本章探讨的主要是指MS-DOS
4
DOS的发展历程
1.2 DOS的发展史
• 1981年，MS-DOS 1.0发行，作为IBM PC的操作系统进行捆绑发
售，支持16k内存及160k的5寸软盘
dos处理及能带做图说明分析
DOS处理：在dos计算文件夹中直接使用命令split_dos 处理得到DOS0 DOS1 DOS2 DOS3……分别对应总态密度，各个原子的态密度（一一对应POSCAR原子顺序）。
处理后的DOS0，DOS1….等文件的能量值是以费米能级作为能量参考点，DOS0的第一列数据是能量值，单位为eV,第二列数据是总态密度的值，单位为electrons. DOS1是第一个原子的分波态密度值，其中第一列数据是能量值，单位为eV。
第二三四列分别对应s, p, d, 态的分波态密度值，单位为State/eV.atom,其他文件类似DOS1.Sum_dos(sum_dos_np)使用说明：Sum_dos使用于自旋计算，sum_dos_np对应非自旋计算。
他们是把同一类原子的dos对应态密度值加起来！以GaN计算为例，若计算结果里有4个N 4个Ga（对应POSCAR里原子顺序为4个N在前，4个Ga在后），那么在dos计算出来split_dos处理后会出现DOS0 DOS1——DOS8，其中DOS1——DOS4对应的是4个N原子态密度，DOS5——DOS8对应是4个Ga态密度。
若为自旋计算，利用命令sum_dos 0 1 4处理得到DOS.SUM.1.to.4; DOS.SUM.5.to.8两个文件，分别为4个N（Ga）的s p d 态各自相加后的总值（里面每一列对应4个s态的和，4个p态的和，4个d态的和及s+p+d总和）。
非自旋计算利用sum_dos_np同样方式可得。
BAND画图处理：（以GaN为例）布里渊区路径选择为G-K-M-G如图所示：计算过程中两高对称点间插入30个点，首先测出G-K-M-G各段距离：在MS中选定一个线段左侧就能给出此线段距离如图所示：选择G-K段后此线段变为黄色，左侧显示出长度0.206490.同理可得到K-M M-G各段长度分为0.103245，0.179004。
然后新建EXCLE文件（此过程相当于把三段长度分别扩大30倍）：如图所示：，然后左键点击0不放松下拉到0.20649 选定1，2行，变为，然后鼠标放到此黑框右下角位置（鼠标变为细黑体十字）点击下拉30行如图：第31行与30行同一个数如图：。
MATERIAO STUDIO中,PDOS_DOS的分析
用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论：1、电荷密度图（charge density）；2、能带结构（Energy Band Structure）；3、态密度（Density of States，简称DOS）。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（def-ormation charge density）和二次差分图difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓"差分"是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，"二次"是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。
DOS图详解说明
D O S图详解说明-CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论：1、电荷密度图（charge density）；2、能带结构（Energy Band Structure）；3、态密度（Density of States，简称DOS）。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（def-ormation charge density）和二次差分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓“差分”是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
用第一原理计算软件开展的工作，分析结果主要是从以下三个方面进行定性/定量的讨论：
1、电荷密度图（charge density）；
2、能带结构（Energy Band Structure）；
3、态密度（Density of States，简称DOS）。
电荷密度图是以图的形式出现在文章中，非常直观，因此对于一般的入门级研究人员来讲不会有任何的疑问。
唯一需要注意的就是这种分析的种种衍生形式，比如差分电荷密图（def-ormation charge density）和二次差分图（difference charge density）等等，加自旋极化的工作还可能有自旋极化电荷密度图（spin-polarized charge density）。
所谓“差分”是指原子组成体系（团簇）之后电荷的重新分布，“二次”是指同一个体系化学成分或者几何构型改变之后电荷的重新分布，因此通过这种差分图可以很直观地看出体系中个原子的成键情况。
通过电荷聚集（accumulation）/损失（depletion）的具体空间分布，看成键的极性强弱；通过某格点附近的电荷分布形状判断成键的轨道（这个主要是对d轨道的分析，对于s或者p轨道的形状分析我还没有见过）。
分析总电荷密度图的方法类似，不过相对而言，这种图所携带的信息量较小。
能带结构分析现在在各个领域的第一原理计算工作中用得非常普遍了。
但是因为能带这个概念本身的抽象性，对于能带的分析是让初学者最感头痛的地方。
关于能带理论本身，我在这篇文章中不想涉及，这里只考虑已得到的能带，如何能从里面看出有用的信息。
首先当然可以看出这个体系是金属、半导体还是绝缘体。
判断的标准是看费米能级和导带（也即在高对称点附近近似成开口向上的抛物线形状的能带）是否相交，若相交，则为金属，否则为半导体或者绝缘体。
对于本征半导体，还可以看出是直接能隙还是间接能隙：如果导带的最低点和价带的最高点在同一个k点处，则为直接能隙，否则为间接能隙。
在具体工作中，情况要复杂得多，而且各种领域中感兴趣的方面彼此相差很大，分析不可能像上述分析一样直观和普适。
不过仍然可以总结出一些经验性的规律来。
主要有以下几点：1）因为目前的计算大多采用超单胞（supercell）的形式，在一个单胞里有几十个原子以及上百个电子，所以得到的能带图往往在远低于费米能级处非常平坦，也非常密集。
原则上讲，这个区域的能带并不具备多大的解说/阅读价值。
因此，不要被这种现象吓住，一般的工作中，我们主要关心的还是费米能级附近的能带形状。
2）能带的宽窄在能带的分析中占据很重要的位置。
能带越宽，也即在能带图中的起伏越大，说明处于这个带中的电子有效质量越小、非局域（non-local）的程度越大、组成这条能带的原子轨道扩展性越强。
如果形状近似于抛物线形状，一般而言会被冠以类sp带（sp-like band）之名。
反之，一条比较窄的能带表明对应于这条能带的本征态主要是由局域于某个格点的原子轨道组成，这条带上的电子局域性非常强，有效质量相对较大。
3）如果体系为掺杂的非本征半导体，注意与本征半导体的能带结构图进行对比，一般而言在能隙处会出现一条新的、比较窄的能带。
这就是通常所谓的杂质态(doping state)，或者按照掺杂半导体的类型称为受主态或者施主态。
4）关于自旋极化的能带，一般是画出两幅图：majority spin和minority spin。
经典的说，分别代表自旋向上和自旋向下的轨道所组成的能带结构。
注意它们在费米能级处的差异。
如果费米能级与majority spin的能带图相交而处于minority spin的能隙中，则此体系具有明显的自旋极化现象，而该体系也可称之为半金属
（half metal）。
因为majority spin与费米能级相交的能带主要由杂质原子轨道组成，所以也可以此为出发点讨论杂质的磁性特征。
5）做界面问题时，衬底材料的能带图显得非常重要，各高对称点之间有可能出现不同的情况。
具体地说，在某两点之间，费米能级与能带相交；而在另外的k 的区间上，费米能级正好处在导带和价带之间。
这样，衬底材料就呈现出各项异性：对于前者，呈现金属性，而对于后者，呈现绝缘性。
因此，有的工作是通过某种材料的能带图而选择不同的面作为生长面。
具体的分析应该结合试验结果给出。
（如果我没记错的话，物理所薛其坤研究员曾经分析过$\beta$-Fe的(100)和(111)面对应的能带。
有兴趣的读者可进一步查阅资料。
）
原则上讲，态密度可以作为能带结构的一个可视化结果。
很多分析和能带的分析结果可以一一对应，很多术语也和能带分析相通。
但是因为它更直观，因此在结果讨论中用得比能带分析更广泛一些。
简要总结分析要点如下：
1）在整个能量区间之内分布较为平均、没有局域尖峰的DOS，对应的是类sp 带，表明电子的非局域化性质很强。
相反，对于一般的过渡金属而言，d轨道的DOS一般是一个很大的尖峰，说明d电子相对比较局域，相应的能带也比较窄。
2）从DOS图也可分析能隙特性：若费米能级处于DOS值为零的区间中，说明该体系是半导体或绝缘体；若有分波DOS跨过费米能级，则该体系是金属。
此外，可以画出分波（PDOS）和局域（LDOS）两种态密度，更加细致的研究在各点处的分波成键情况。
3）从DOS图中还可引入“赝能隙”（pseudogap）的概念。
也即在费米能级两侧分别有两个尖峰。
而两个尖峰之间的DOS并不为零。
赝能隙直接反映了该体系成键的共价性的强弱：越宽，说明共价性越强。
如果分析的是局域态密度（LDOS），那么赝能隙反映的则是相邻两个原子成键的强弱：赝能隙越宽，说明两个原子成键越强。
上述分析的理论基础可从紧束缚理论出发得到解释：实际上，可以认为赝能隙的宽度直接和Hamiltonian矩阵的非对角元相关，彼此间成单调递增的函数关系。
4）对于自旋极化的体系，与能带分析类似，也应该将majority spin和minority spin 分别画出，若费米能级与majority的DOS相交而处于minority的DOS的能隙之中，可以说明该体系的自旋极化。