实验四 存储器实验
存储器实验
一、实验目的[1]理解计算机存储子系统的工作原理。
[2]掌握静态随机存储器RAM的工作特性和读写方法。
二、实验内容本实验旨在通过搭建静态随机存储器电路，使用M6116芯片，并结合74LS245和74LS373等器件，实现对存储器的读写操作。
具体实验内容包括存储器的基本读写操作和扩展实验要求的IO内存统一和独立编址增加4K的IO地址。
三、实验原理芯片介绍：•74LS245：8位双向缓冲传输门，用于连接数据总线和存储器地址输入。
•74LS373：8位透明锁存器，用于存储地址信息。
•M6116：2K*8位静态随机存储器，具有片选、读使能和写使能等控制线。
操作原理：•写操作：通过设定地址和数据，控制M6116的写使能和数据输入，将数据写入指定存储单元。
•读操作：设置地址并启用读使能，从M6116读取存储单元的数据，并通过数据总线输出。
四、实验步骤及结果（附数据和图表等）1. 基本实验步骤1.电路搭建：o根据图3.4搭建实验电路，连接M6116、74LS245、74LS373等器件。
o设置好数据开关（SW7-SW0）、数码管显示和总线连接。
2.预设置：o将74LS373的OE(——)置0，保证数据锁存器处于工作状态。
o设置M6116的CE(——)=0，使其处于选中状态。
o关闭74LS245（U1），确保数据总线不受影响。
3.电源开启：o打开实验电源，确保电路供电正常。
4.存储器写操作：o依次向01H、02H、03H、04H、05H存储单元写入数据。
o以01H为例：▪设置SW7~SW0为00000001，打开74LS245（U1），将地址送入总线。
▪将74LS373的LE置1，将地址存入AR，并观察地址数码管。
▪将LE置0，锁存地址到M6116的地址输入端。
▪设置数据开关为要写入的数据，打开74LS245（U4），将数据送入总线。
▪将M6116的WE(——)由1转为0，完成数据写入操作。
▪关闭74LS245（U4）。
存储器管理实验实验报告
存储器管理实验实验报告一、实验目的存储器管理是操作系统的重要组成部分，本次实验的目的在于深入理解存储器管理的基本原理和方法，通过实际操作和观察，掌握存储器分配与回收的算法，以及页面置换算法的实现和性能评估。
二、实验环境本次实验使用的操作系统为 Windows 10，编程语言为 C+＋，开发工具为 Visual Studio 2019。
三、实验内容与步骤（一）存储器分配与回收算法实现1、首次适应算法（1）原理：从空闲分区链的首地址开始查找，找到第一个满足需求的空闲分区进行分配。
（2）实现步骤：建立空闲分区链表，每个节点包含分区的起始地址、大小和状态（已分配或空闲）。
当有分配请求时，从链表头部开始遍历，找到第一个大小满足需求的空闲分区。
将该分区进行分割，一部分分配给请求，剩余部分仍作为空闲分区留在链表中。
若找不到满足需求的空闲分区，则返回分配失败。
2、最佳适应算法（1）原理：从空闲分区链中选择与需求大小最接近的空闲分区进行分配。
（2）实现步骤：建立空闲分区链表，每个节点包含分区的起始地址、大小和状态。
当有分配请求时，遍历整个链表，计算每个空闲分区与需求大小的差值。
选择差值最小的空闲分区进行分配，若有多个差值相同且最小的分区，选择其中起始地址最小的分区。
对选中的分区进行分割和处理，与首次适应算法类似。
3、最坏适应算法（1）原理：选择空闲分区链中最大的空闲分区进行分配。
（2）实现步骤：建立空闲分区链表，每个节点包含分区的起始地址、大小和状态。
当有分配请求时，遍历链表，找到最大的空闲分区。
对该分区进行分配和处理。
（二）页面置换算法实现1、先进先出（FIFO）页面置换算法（1）原理：选择在内存中驻留时间最久的页面进行置换。
（2）实现步骤：建立页面访问序列。
为每个页面设置一个进入内存的时间戳。
当发生缺页中断时，选择时间戳最早的页面进行置换。
2、最近最久未使用（LRU）页面置换算法（1）原理：选择最近一段时间内最长时间未被访问的页面进行置换。
实验四：存储器EM实验
成都工业学院实验报告评定成绩：评定教师：课程名称：计算机组成原理实验项目名称：实验四：存储器EM实验学生姓名：专业：网络工程学号：同组学生姓名：指导老师：实验地点：文澄楼2506 实验日期：2019 年5 月3 日一、实验目的和要求1、了解模型机中程序存储器EM的工作原理及控制方法二、实验内容和原理1、PC/MAR输出地址选择2、存储器EM写实验3、存储器EM读实验4、存储器打入IR指令寄存器/uPC实验5、使用实验仪小键盘输入EM三、主要仪器设备1、小米笔记本电脑Air 13 ,64位操作系统。
2、Proteus虚拟仿真软件四、操作方法与实验步骤1、PC/MAR输出地址选择2、存储器EM写实验（1）将地址0写入MAR（2）将数据11H写入EM[0]（3）将地址1写入MAR（4）将数据22H写入EM[1]3、存储器EM读实验（1）将地址0写入MAR（2）读EM[0]（3）将地址1写入MAR（4）读EM[1]4、存储器打入IR指令寄存器/uPC实验（1）将地址0写入MAR（2）读EM[0]，写入IR及uPC（3）将地址1写入MAR（4）读EM[1] ，写入IR及uPC5、使用实验仪小键盘输入EM五、实验数据记录和处理1、2、六、实验结果与分析1、存储器EM由一片6116RAM构成，是用户存放程序和数据的地方。
2、存储器EM通过一片74HC245与数据总线相连，其地址可选择由PC或MAR提供。
3、存储器EM的数据输出直接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245，当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8.。
存储器和总线实验报告
存储器和总线实验报告一、实验目的：1.了解存储器和总线的基本概念和原理；2.学习存储器和总线的组成和工作方式；3.掌握存储器和总线在计算机系统中的应用。
二、实验仪器及材料：1.计算机实验箱；2.存储器芯片；3.总线驱动芯片；4.示波器；5.万用表等。
三、实验原理及过程：存储器是计算机系统中的重要组成部分，用于存储数据和指令。
总线是计算机系统中的信息传输通道，用于连接各个硬件设备。
本实验通过实际操作和观察，深入理解存储器和总线的原理与应用。
1.存储器实验：将存储器芯片插入计算机实验箱的指定插槽，并连接好电源和控制线。
打开计算机实验箱的电源，通过示波器和万用表，观察存储器的读写操作。
2.总线实验：将总线驱动芯片插入计算机实验箱的指定插槽，并连接好电源和控制线。
打开计算机实验箱的电源，并连接外部硬件设备，如打印机、显示器等，通过控制总线，进行数据传输和设备控制。
四、实验结果及分析：在存储器实验中，通过示波器和万用表观察到了存储器的读写操作，可以看到存储器的读取速度相对较快，写入速度较慢。
这是因为存储器的读取是通过直接寻址方式，直接获取指定地址上的数据，速度较快；而写入需要进行写入操作，写入数据需要经过一系列的控制和验证步骤，速度较慢。
在总线实验中，通过控制总线进行数据传输和设备控制，可以实现设备间的数据共享和信息传递。
例如，将计算机连接到打印机，通过总线进行数据传输，可以将计算机上的文件直接打印出来。
通过总线还可以连接各种外部设备，如键盘、鼠标、显示器等，实现设备的控制和数据输入输出。
通过本次实验，加深了对存储器和总线的理解和认识。
存储器是计算机系统中重要的存储单元，用于存储数据和指令；总线是计算机系统中的信息传输通道，用于连接各个硬件设备。
存储器和总线的性能对计算机的运行速度和稳定性有重要影响，因此，合理使用和优化存储器和总线是提高计算机系统性能的关键。
五、实验总结：本次实验通过实际操作和观察，加深了对存储器和总线的理解和认识。
实验4：双端口存储器实验 ----独立方式
河北环境工程学院
《计算机组成原理》实验报告
作者：
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成绩：__________________
评阅教师：__________________
年月日
一、实验目的
1、了解双端口静态存储器IDT7132的工作特性及其使用方法；
2、了解半导体存储器怎样存储和读取数据；
3、了解双端口存储器怎样并行读写；
4、熟悉LK-TEC-9模型计算机存储器部分的数据通路；
二、预习内容
1.掌握双端口存储器的使用方法
2. 掌握TEC-8模型计算机存储器的部分的数据通路
三、实验环境及主要器件
1．TEC-8实验系统 1台
2. 逻辑测试笔 1支
3. 双踪示波器 1台
4. 逻辑测试笔 1支
四、实验内容
1、从存储器地址10H开始，通过左端口连续向双端口RAM中写入3个数：85H，60H，38H。
在写的过程中，在右端口检测写的数据是否正确。
2、从存储器地址10H开始，连续从双端口RAM的左端口和右端口同时读出存储器的内容。
五、实验步骤
六、实验结果分析与讨论。
储存器实验报告
储存器实验报告储存器实验报告一、引言储存器是计算机中重要的组成部分，它用于存储和读取数据。
在计算机科学领域，储存器的设计和性能对计算机的运行速度和效率有着重要的影响。
本实验旨在通过设计和实现一个简单的储存器，来深入了解储存器的工作原理和性能指标。
二、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类；2. 掌握储存器的存储原理和读写操作；3. 分析和评估储存器的性能指标。
三、实验过程1. 储存器的分类储存器按照存储介质的不同可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM是一种易失性存储器，它可以随机读写数据。
ROM则是一种非易失性存储器，主要用于存储固定的程序和数据。
2. 储存器的存储原理储存器的存储原理是通过电子元件的状态来表示数据的存储状态。
在RAM中，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
当电容充电时表示存储单元存储的是1，当电容放电时表示存储单元存储的是0。
在ROM中，存储单元由一组可编程的开关组成，每个开关的状态决定了存储单元存储的数据。
3. 储存器的读写操作储存器的读操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要读取的存储单元，然后将存储单元的数据输出。
储存器的写操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要写入的存储单元，然后将要写入的数据输入。
四、实验结果在实验中，我们设计并实现了一个8位的RAM储存器。
通过对储存器进行读写操作，我们成功地将数据存储到储存器中，并成功地从储存器中读取数据。
实验结果表明，储存器的读写操作是可靠和有效的。
五、实验分析1. 储存器的性能指标储存器的性能指标包括存储容量、存取时间和存储器的可靠性。
存储容量是指储存器可以存储的数据量，通常以位或字节为单位。
存取时间是指从发出读写指令到数据可以被读取或写入的时间间隔。
存储器的可靠性是指储存器的故障率和故障恢复能力。
2. 储存器的应用储存器广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中。
在计算机中，储存器用于存储程序和数据，是计算机的核心组件之一。
计组存储器实验实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解存储器的基本组成和工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 熟悉存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 了解存储器与CPU的交互过程。
二、实验环境1. 实验设备：TD-CMA计算机组成原理实验箱、计算机；2. 实验软件：无。
三、实验原理1. 存储器由地址线、数据线、控制线、存储单元等组成；2. 地址线用于指定存储单元的位置，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作；3. 存储器芯片的引脚功能：地址线、数据线、片选线、读线、写线等；4. 存储器与CPU的交互过程：CPU通过地址线访问存储器，通过控制线控制读写操作，通过数据线进行数据传输。
四、实验内容1. 连线：按照实验原理图连接实验箱中的存储器芯片、地址线、数据线、控制线等；2. 写入操作：将数据从输入单元IN输入到地址寄存器AR中，然后通过控制线将数据写入存储器的指定单元；3. 读取操作：通过地址线指定存储单元，通过控制线读取数据，然后通过数据线将数据输出到输出单元OUT；4. 实验步骤：a. 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线；b. 按实验逻辑原理图连接两根信号低电平有效信号线；c. 连接A7-A0 8根地址线；d. 连接13-AR正脉冲有效信号线；e. 在输入数据开关上拨一个地址数据（如00000001，即16进制数01H），拨下开关，把地址数据送总线；f. 拨动一下B-AR开关，实现0-1-0”，产生一个正脉冲，把地址数据送地址寄存器AR保存；g. 在输入数据开关上拨一个实验数据（如10000000，即16进制数80H），拨下控制开关，把实验数据送到总线；h. 拨动控制开关，即实现1-0-1”，产生一个负脉冲，把实验数据存入存储器的01H号单元；i. 按表2-11所示的地址数据和实验数据，重复上述步骤。
五、实验结果与分析1. 通过实验，成功实现了存储器的读写操作；2. 观察到地址线、数据线、控制线在读写操作中的协同作用；3. 理解了存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 掌握了存储器与CPU的交互过程。
实验四、存储器实验
实验四、存储器实验实验目的：1.深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；2.深入学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；3.思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的异同之处。
实验内容：1．要完成存储器容量扩展的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和OE控制信号的正确状态；2．用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）EEPROM（28系列芯片）EPROM（27系列芯片）在读写上的异同；3．用监控程序的Ａ命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确；4．用监控程序的A命令编写一段程序，对扩展存储器EEPROM（28系列芯片）进行读写，用D命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行。
实验步骤：1．RAM（6116）读写实验（1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
截屏如下：图1. E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果图2.断电后的查询结果分析结果：从输入输出结果可以看出，RAM芯片在断电重启后原先写入的程序都会丢失，需要每次重新执行输入写入程序的过程。
（2）用A命令输入一段程序，执行并观察结果。
从图中可以看出RAM芯片可直接用A指令键入程序，但断电后会丢失，要再次调试主程序必须重新输入，对那些较长的程序或经常用到的程序可通过交叉汇编，在上位机生成代码文件，每次加电启动后不用重新输入，只需通过PCEC16将代码文件传送给下位机即可。
截屏如下：图3.A命令执行结果图4.A命令执行结果续2.EPROM芯片实验。
将芯片0000~001F的内存单元的值置为01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F。
截屏如下：图5.擦除芯片内容断电重启后的实验结果如下：图6.断电重启后的实验结果3.58C65芯片扩展EEPROM实验。
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实验四存储器实验
一、实验目的：掌握静态随机存储器的工作特性及数据的读写方法。
二、实验设备：CCT-IV计算机组成原理教学实验系统一台，排线若干。
三、实验内容
1、实验原理
实验所用的半导体静态存储器电路原理图如图4所示。
本实验所用的静态存储器由一片6116（2K × 8）构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS373）给出。
地址灯AD0-AD7与地址线相连，显示地址线内容。
数据开关经过一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。
因地址寄存器为8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10接地，所以其实际容量为256字节。
6116有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE （写线）。
当片选CE=0，读信号OE=0时，进行读操作，当片选CE=0，写信号WE=1时，进行写操作。
由于本实验中将OE常接地，这样，当CE=0、WE=0时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，写时间与T3脉冲宽度一致。
2、接线图
3、实验步骤
（1）形成时钟脉冲信号T3，集体接线方法和操作步骤如下：
①接通电源，用示波器接入方波信号源的输出插孔H24，调节电位器W1,
使H24端输出实验所期望的频率的方波。
②将时序电路模块中的ø和H23相连，CLR置“1”。
③在时序电路模块中由两个二进制开关“STOP”和“STEP”。
将“STOP”开关置为“RUN”状态、将“STEP”开关置为“EXEC”状态时，按动微动开关START,则T3输出连续的方波信号，此时调节电位器W1，用示波器观察，使T3输出实验要求的脉冲信号。
当“STOP”开关置为“RUN”状态、“STEP”开关置为“STEP”状态时，每按动一次微动开关START,则T3输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。
④关闭电源。
图四存储器实验原理图
（2）按照原理图，参考连线图连接电路，仔细查线无误后，接通电源。
由于存储器模块内部连线已经接好，因此只需完成实验电路的形成、控制信号模拟开关、时钟脉冲信号T3与存储模块的外部连线。
（3）给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤入下所示：（以向0号单元写入数据11为例）
SW-B=0 CE=0 WE=1 LDAR=0 T3=上升沿
SW-B=0 LDAR=0
SW-B=1
依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。
具体操作步骤如下：（以向0号单元读出数据11为例）：。