MOS特性
MOS开关与传输门特性分析
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NMOS开关
采用N型半导体制成，具有较小 的导通电阻和较小的驱动电流， 常用于高速电路和数字逻辑门电 路。
CMOS开关
采用互补的PMOS和NMOS结构， 具有较低的功耗、较高的速度和 较大的驱动能力，广泛应用于模 拟和数字电路中。
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MOS开关的特性分析
导通电阻
导通电阻定义
导通电阻是指在MOS开关处于导通状态时， 其两端之间的电阻值。
影响因素
开关速度受到电路负载、驱动电压和 温度等因素的影响。
提高开关速度的方法
减小电路负载、增大驱动电压和降低 温度是提高开关速度的有效途径。
开关速度对性能的影响
开关速度直接影响电路的工作频率和 响应速度，是评估开关性能的重要参 数。
功耗与效率
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功耗定义
效率定义
影响因素
降低功耗和提高 功耗与效率对性
传输延迟
总结词
传输门的延迟时间是指输入信号发生变化到输出信号稳定所需的时间。
详细描述
传输门的延迟时间取决于多个因素，包括开关速度、电路参数以及信号的幅度和 频率等。在高速电路中，传输门的延迟时间可能成为影响系统性能的关键因素。
功耗与驱动
总结词
传输门的功耗和驱动能力与其工作电 压、电流以及开关速度有关。
效率的方法
能的影响
功耗是指MOS开关在工作 过程中消耗的能量。
效率是指MOS开关传输信 号的有效功率与总功率之 比。
功耗与效率受到导通电阻 、开关速度和驱动电压等 因素的影响。
减小导通电阻、提高开关 速度和优化驱动电压是降 低功耗和提高效率的有效 方法。
功耗和效率直接影响电路 的能耗和性能，是评估开 关性能的重要参数。
mos管关断阈值电压
mos管关断阈值电压摘要：一、mos管的基本概念和特性二、mos管的关断阈值电压三、关断阈值电压的影响因素和应用四、如何测量和优化mos管的关断阈值电压五、结论正文：一、mos管的基本概念和特性MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于集成电路（IC）中的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低噪声、低失真等优点，因此在电子设备中发挥着重要作用。
MOS管的特性主要取决于其工作电压、阈值电压、沟道长度等因素。
二、mos管的关断阈值电压在MOS管中，关断阈值电压（Vth）是一个关键参数。
它是指在栅源电压（Vgs）达到一定值时，MOS管从关断状态转变为导通状态的电压。
换句话说，当Vgs大于Vth时，MOS管开始导通，允许电流流过；当Vgs小于Vth 时，MOS管处于关断状态，电流不会流过。
三、关断阈值电压的影响因素和应用关断阈值电压Vth受多种因素影响，包括半导体材料的性质、沟道长度、栅氧化层厚度等。
在实际应用中，优化MOS管的Vth具有重要意义。
较低的Vth可以降低功耗、提高开关速度，但同时也可能引入噪声和失真。
较高的Vth则有利于降低噪声和失真，但可能增加功耗和影响开关速度。
四、如何测量和优化mos管的关断阈值电压测量MOS管的关断阈值电压Vth通常采用半导体参数测试仪、脉冲发生器等设备。
在实验室环境中，可以通过改变栅源电压Vgs，观察漏极电流Id的变化，从而确定Vth。
在实际应用中，可以通过以下方法优化MOS管的Vth：1.选择合适的半导体材料：不同材料的半导体具有不同的Vth特性，可根据具体应用选择适合的材料。
2.调整沟道长度：较短的沟道长度可以降低Vth，但同时可能引入短沟道效应，影响器件稳定性。
3.优化栅氧化层厚度：较薄的栅氧化层可以降低Vth，但可能增加漏极电流和噪声。
4.采用先进的制造工艺：先进的制造工艺有助于降低Vth，同时提高器件性能。
mos管内的二极管
mos管内的二极管mos管，即金属氧化物半导体场效应管，是一种常见的二极管。
它由金属氧化物半导体材料制成，具有结构简单、制造工艺成熟、功耗低、尺寸小等特点。
本文将从mos管的工作原理、特性以及应用领域等方面进行介绍。
一、mos管的工作原理mos管是一种三端器件，由栅极、漏极和源极组成。
其中栅极与漏极之间通过金属氧化物半导体层隔离，形成了一个电容。
当栅极施加电压时，电场作用于氧化层，改变了氧化层内的电荷分布，从而改变了导电层的导电性能。
mos管的导电性能主要由栅极电压控制，因此也被称为场效应管。
二、mos管的特性1. 高输入阻抗：由于mos管的栅极与漏极之间的电容，使得mos管的输入阻抗非常高，可以减少外部电路对其的影响。
2. 低输出阻抗：mos管具有较低的输出阻抗，能够输出较大的电流。
3. 低功耗：mos管的工作电流非常低，因此功耗较小。
4. 快速开关速度：由于mos管没有PN结，开关速度很快，可以实现高频率的开关操作。
5. 可控性强：mos管的导通与截止可以通过栅极电压来控制，具有很好的可控性。
三、mos管的应用领域1. 电子器件：mos管广泛应用于各种电子器件中，如放大电路、开关电路、振荡电路等。
2. 通信领域：mos管被用于射频功率放大器、调制解调器等通信设备中，能够提高信号传输的质量和距离。
3. 电源管理：mos管在电源管理领域中起到关键作用，如用于电池充电管理、功率转换等。
4. 汽车电子：mos管在汽车电子中应用广泛，如发动机控制、车载电子设备等。
5. 太阳能电池：mos管被用于太阳能电池中，能够提高电池的效率和稳定性。
总结：mos管作为一种常见的二极管，具有结构简单、制造工艺成熟、功耗低、尺寸小等特点。
它的工作原理是通过栅极电压控制导电性能，具有高输入阻抗、低输出阻抗、低功耗、快速开关速度和可控性强等特性。
mos管在电子器件、通信领域、电源管理、汽车电子和太阳能电池等领域都有广泛的应用。
MOS器件物理转移特性曲线
沟道调制效应
在分析器件的工作原理时已提到：在饱和时沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏之间的电压差的增加而往源极移动，即有效沟道长度L’实际上是VDS的函数。这种由于栅源电压变化引起沟道有效长度改变的效应称为“沟道调制效应”。记 ， ，λ称为沟道调制系数，当远小于L时有：
饱和区MOS管的跨导与导纳
讨论2：双极型三极管的跨导为： ，两种跨导相比可得到如下结论：对于双极型，当IC确定后，gm就与几何形状无关，而MOS管除了可通过IDS调节跨导外，gm还与几何尺寸有关；双极型三极管的跨导与电流成正比，而MOS管的跨导与成正比，所以在同样工作电流情况下，MOS管的跨导要比应在现代模拟集成电路的设计中是不能忽略的，主要的二阶效应有：MOS管的衬底效应沟道调制效应亚阈值导通温度效应
衬底偏置效应（体效应）
在前面的分析中：没有考虑衬底电位对MOS管性能的影响假设了所有器件的衬底都与器件的源端相连，即VBS＝0但在实际的模拟集成电路中，由于MOS器件制作在同一衬底上，就不可能把所有的MOS管的源极与公共衬底相接，即VBS≠0例如：在实际电路设计中NMOS管的源极电位有时就会高于衬底电位（仍能保证源极与漏极与衬底间保持为反偏，使器件正常工作）
沟道调制效应
在饱和区时，其漏极电流为调制系数为：而ΔL为：λ的大小与沟道长度及衬底浓度有关，ND上升则λ下降。考虑沟道调制效应的I/V曲线如下图所示。
沟道调制效应
由上图可以看出：实际的I/V曲线在饱和时并非是一平行的直线，而是具有一定斜率的斜线。所有斜线反方向延长与水平轴VDS间有同一交叉点，该点的电压称为厄莱电压VA。因此在源漏之间是一个非理想的电流源。参数λ反映了沟道调制的深度，且沟道越短，λ越大，表明沟道调制越明显。λ与VA的关系为：λ＝1/VA 。
MOS器件物理--转移特性曲线
MOS器件物理--转移特性曲线随着科技的发展和进步，微米制造技术的不断成熟，半导体器件已经成为现代电子技术的重要组成部分。
其中，金属—氧化物—半导体（MOS）器件是应用最广泛的一类。
MOS器件是一种基于场效应原理的晶体管，它具有高度可控性、低功耗、高密度集成等优点，广泛应用于数字电路、模拟电路、放大电路、电源管理等各个领域。
MOS器件的物理特性主要通过转移特性曲线来描述。
转移特性曲线反映了器件输入端电流与输出端电压之间的关系，是评估器件性能的重要指标之一。
转移特性曲线通常是通过改变器件输入端电压或电流来测量输出端电压或电流的变化。
在MOS器件的转移特性曲线中，可以观察到几个重要的特点。
首先，当输入电压较小或输入电流较小时，输出电压基本保持不变。
这称为MOS器件的截止区域。
其次，当输入电压或输入电流达到一定阈值时，输出电压会发生明显的变化。
这称为MOS器件的放大区域。
在放大区域内，输出电压与输入电压或电流呈线性关系，可以实现信号放大功能。
最后，当输入电压或输入电流超过一定范围时，输出电压会变得饱和，无法继续放大。
这称为MOS器件的饱和区域。
MOS器件的转移特性曲线还可能受到温度、工作电压和结构参数等因素的影响。
例如，当温度升高时，器件的导电性会增加，转移特性曲线会发生偏移。
此外，当工作电压增加时，器件的放大区域会变窄，输出电压的变化范围也会减小。
结构参数的改变，如栅极长度、源漏电压等，也会对转移特性曲线产生影响。
总之，MOS器件的转移特性曲线是评估器件性能和工作状态的重要指标，可以帮助工程师预测器件的工作特性和优化设计。
通过深入研究器件的物理特性，可以进一步提高器件的性能并满足各种应用需求。
MOS器件的转移特性曲线是分析和优化器件性能的重要工具。
在实际应用中，工程师会根据转移特性曲线来选择合适的器件工作区域，优化器件的放大倍数、线性度和功耗等参数。
在MOS器件的转移特性曲线中，截止区域是器件的开关状态，也是器件处于低功耗状态的区域。
第五章 MOS场效应管的特性
1 1 C C C Si ox
1
+
N+ N+ N+
G N+ N+
以SiO2为介质的电容器—Cox 以耗尽层为介质的电容器—CSi
MOS管的电容
MOS电容—束缚电荷层厚度
耗尽层电容的计算方法同 PN 结的耗尽层电容的计算 方法相同，利用泊松方程
2
1
Si
Q qNAWL X p WL 2 Si qNA
CD = Cdb + 0 + Cdb
1 W 2 I ds Vgs VT 2 tox L L
MOS管的电容
深亚微米CMOS IC工艺的寄生电容
21 40 86 9 15 48 36 14
Metal3 Metal2 Metal1
29 38 39 62 46
在耗尽层中束缚电荷的总量为
2 Si Q qNA X pWL qN AWL WL 2 Si qNA q NA
是耗尽层两侧电位差的函数，耗尽层电容为
dQ 1 CSi WL 2 Si qNA dv 2
1 2
Si qNA WL 2
是一个非线性电容，随电位差的增大而减小。
这时，栅极电压所感应的电荷Q为，
Q=CVge 式中Vge是栅极有效控制电压。
MOS管特性
电荷在沟道中的渡越时间
非饱和时（沟道未夹断），在漏源电压Vds作用 下，这些电荷Q将在时间内通过沟道，因此有
L L2 Eds Vds L
为载流子速度，Eds= Vds/L为漏到源方向电场强度，Vds为漏 到源电压。 为载流子迁移率： n n µ n = 650 cm2/(V.s) 电子迁移率(NMOS) µ p = 240 cm2/(V.s) 空穴迁移率(PMOS)
mos管特性曲线
mos管特性曲线MOS管特性曲线是以晶体管（MOS）为研究对象的一类特性曲线，是电子设计工程师在进行电子产品设计时必须熟悉的基本概念。
MOS管特性曲线是基于MOS管的特性进行曲线拟合，其中包括输入端与输出端特性曲线、电源抑制特性曲线、信号耗散特性曲线，噪声特性曲线等。
MOS管是一种特殊的晶体管，它比其他晶体管具有更佳的电气特性，它的特点是在双极性输入情况下，被控制的输出电流的流量大小取决于输入电压。
因此，MOS管又可以称为“电压控制电流”管型。
MOS管特性曲线是用来反映MOS管特性变化规律，它以曲线形式表示MOS管电路中各参数之间的关系。
它可以帮助工程师更好地了解MOS管的特性，从而能够更好地发挥MOS管的性能。
MOS管特性曲线主要分为输入端特性曲线、输出端特性曲线和信号耗散特性曲线三种。
输入端特性曲线是指MOS管的输入端特性变化的曲线图。
通常情况下，MOS管的输入端电压处于正偏移和负偏移之间，V1和V2分别代表正偏移电压和负偏移电压。
输入端特性曲线的特点是：在正偏移电压V1下，随着输入电压Vin的增大，输出电流Iout减小；当输入电压Vin=V1时，输出电流Iout达到最大值；在负偏移电压V2下，随着输入电压Vin的增大，输出电流Iout增大。
输出端特性曲线表示MOS管的输出端特性变化的曲线图。
在输出端特性曲线中，输出电压Vout变化范围由VddVss决定。
在介于Vdd 和Vss之间，输出电压Vout是随着输入电压Vin的变化而变化的。
如果输入电压Vin越低，输出电压Vout越高；反之，输入电压Vin越高，输出电压Vout越低。
信号耗散特性曲线是MOS管输出电压Vout随电源电压Vdd变化的曲线图。
这里，输出电压Vout会随电源电压Vdd而变化，其特点为Vout减小而Vdd增大。
信号耗散特性曲线中，电源电压Vdd通常取值范围从正偏移电压V1到负偏移电压V2，输出电压Vout的变化范围则随Vdd的变化而变化。
MoS二维材料光电调控特性深入剖析
MoS二维材料光电调控特性深入剖析摘要：二维材料作为一种新兴的材料体系，具有独特的光电性质。
其中，钼二硫化物(MoS)作为最具代表性的二维材料之一，引起了广泛的关注。
本文将深入剖析MoS二维材料的光电调控特性，探讨其在光电器件等领域中的应用前景。
1. 引言钼二硫化物(MoS)是一种层状的二维材料，由钼离子与硫离子交替排列而成。
由于其特殊的结构和性质，使得MoS在光电领域具有潜在的应用前景。
本节将介绍MoS的基本特性和研究背景。
2. MoS的结构与性质MoS由层状的MoS2单层组成，每一层包含一个Mo原子和两个S原子，通过范德华力堆叠在一起。
这种特殊的结构决定了MoS的许多独特性质，例如它的带隙、能带结构和光学性质等。
本节将详细介绍MoS的结构和性质。
3. MoS的光电调控机制MoS具有优异的光电调控特性，可以通过外界电场、光照等方式来改变其光学和电学性质。
本节将分析MoS光电调控的机制，并探讨其中的物理原理。
4. MoS在光电器件中的应用由于其独特的光电调控特性，MoS在光电器件中具有广泛的应用前景。
本节将重点介绍MoS在光电场效应晶体管、光电探测器和光催化器等方面的应用研究，并展望其未来的发展方向。
5. MoS的制备和改性技术为了实现更好的光电调控特性，研究人员不断探索MoS的制备和改性技术。
本节将综述目前常用的MoS制备方法，如机械剥离法、化学气相沉积法等，并介绍一些改性技术，如掺杂、引入缺陷等。
6. 结论本文深入剖析了MoS的光电调控特性，并探讨了其在光电器件等领域中的应用前景。
通过深入研究MoS的结构、性质和光电调控机制，我们可以更好地理解和利用MoS在光电领域的潜力，为其进一步的应用和发展提供指导。
结语：钼二硫化物(MoS)作为一种重要的二维材料，具有优异的光电调控特性，其在光电器件等领域中的应用前景广阔。
通过深入剖析MoS的结构、性质和光电调控机制，我们可以更好地开发利用这些特性，推动MoS在光电领域的应用和研究。
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（1）为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。
对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等于体内的多数载流子浓度（～掺杂浓度）；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。
阈值电压VT包含有三个部分的电压（不考虑衬偏电压时）：栅氧化层上的电压降Vox；半导体表面附近的电压降2ΨB：抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降——平带电压VF。
在阈值电压的表示式中，与掺杂浓度和温度有关的因素主要是半导体Fermi势ψB。
当p型半导体衬底的掺杂浓度NA提高时，半导体Fermi能级趋向于价带顶变化，则半导体Fermi势ψB增大，从而就使得更加难以达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电压增大。
当温度T升高时，半导体Fermi能级将趋向于禁带中央变化，则半导体Fermi势ψB减小，从而导致更加容易达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电压降低。
（2）为什么E-MOSFET的源-漏电流在沟道夹断之后变得更大、并且是饱和的（即与源-漏电压无关）？【答】E-MOSFET的沟道夹断是指栅极电压大于阈值电压、出现了沟道之后，源-漏电压使得沟道在漏极端夹断的一种状态。
实际上，沟道在一端夹断并不等于完全没有沟道。
当栅电压小于阈值电压时，则完全没有沟道，这是不导电的状态——截止状态。
而沟道的夹断区由于是耗尽区，增加的源-漏电压也主要是降落在夹断区，则夹断区中存在很强的电场，只要有载流子到达夹断区的边缘，即可被电场拉过、从漏极输出，因此夹断区不但不阻止载流子通过，而相反地却能够很好地导电，所以有沟道、并且沟道在一端夹断的状态，是一种很好的导电状态，则沟道夹断之后的输出源-漏电流最大。
E-MOSFET的沟道在漏极端夹断以后，由于夹断区基本上是耗尽区，则再进一步增加的源-漏电压，即将主要是降落在夹断区，这就使得未被夹断的沟道——剩余沟道的长度基本上保持不变；而在沟道夹断之后的源-漏电流主要是决定于剩余沟道的长度，所以这时的源-漏电流也就基本上不随源-漏电压而变化——输出电流饱和。
（3）为什么短沟道E-MOSFET的饱和源-漏电流并不完全饱和？对于短沟道MOSFET，引起输出源-漏电流饱和的原因基本上有两种：一种是沟道夹断所导致的电流饱和；另一种是速度饱和所导致的电流饱和。
对于沟道夹断的饱和，因为夹断区的长度会随着其上电压的增大而有所增大，则使得剩余沟道的长度也将随着源-漏电压而减短，从而就会引起源-漏电流相应地随着源-漏电压而有所增大——输出电流不完全饱和。
不过，这种电流不饱的程度与沟道长度有关：对于长沟道MOSFET，这种夹断区长度随源-漏电压的变化量，相对于整个沟道长度而言，可以忽略，所以这时沟道夹断之后的源-漏电流近似为“饱和”的；但是对于短沟道MOSFET，这种夹断区长度随源-漏电压的变化量，相对于整个沟道长度而言，不能忽略，所以沟道夹断之后的源-漏电流将会明显地随着源-漏电压的增大而增加——不饱和。
对于速度饱和所引起的电流饱和情况，一般说来，当电场很强、载流子速度饱和之后，再进一步增大源-漏电压，也不会使电流增大。
因此，这时的饱和电流原则上是与源-漏电压无关的。
对于短沟道MOSFET，还有一个导致电流不饱和的重要原因，即所谓DIBL（漏极感应源端势垒降低）效应。
因为源区与沟道之间总是存在一个高低结所造成的势垒，当源-漏电压越高，就将使得该势垒越低，则通过沟道的源-漏电流越大，因此输出电流不会饱和。
总之，导致短沟道MOSFET电流不饱和的因素主要有沟道长度调制效应和DIBL效应。
（4）为什么E-MOSFET的饱和源-漏电流与饱和电压之间具有平方的关系？【答】增强型MOSFET（E-MOSFET）的饱和源-漏电流表示式为饱和电压(VGS-VT)就是沟道夹断时的源-漏电压。
在MOSFET的转移特性（IDsat～VGS）曲线上，E-MOSFET的饱和源-漏电流IDsat与饱和电压(VGS-VT)的关系即呈现为抛物线。
导致出现这种平方关系的原因有二：①沟道宽度越大，饱和源-漏电流越大，饱和电压也就越高；②电流饱和就对应于沟道夹断，而夹断区即为耗尽层，其宽度与电压之间存在着平方根的关系，这就导致以上的平方结果。
正因为MOSFET具有如此平方的电流-电压关系，所以常称其为平方率器件。
（5）为什么一般MOSFET的饱和源-漏电流具有负的温度系数？【答】MOSFET的饱和源-漏电流可表示为在此关系中，因为材料参数和器件结构参数均与温度的关系不大，则与温度有关的因素主要有二：阈值电压VT和载流子迁移率μn。
由于MOSFET的阈值电压VT具有负的温度系数，所以，随着温度的升高，就使得MOSFET的输出饱和源-漏电流随之增大，即导致电流具有正的温度系数。
而载流子迁移率μn，在室温附近一般将随着温度的升高而下降（主要是晶格振动散射起作用）：式中To=300K，m=1.5～2.0。
迁移率的这种温度特性即导致MOSFET的增益因子也具有负的温度系数。
从而，随着温度的升高，迁移率的下降就会导致MOSFET的输出源-漏电流减小，即电流具有负的温度系数。
综合以上阈值电压和载流子迁移率这两种因素的不同影响，则根据MOSFET饱和电流的表示式即可得知：①当饱和电压(VGS-VT)较大（即VGS>>VT）时，阈值电压温度关系的影响可以忽略，则输出源-漏电流的温度特性将主要决定于载流子迁移率的温度关系，即具有负的温度系数（温度升高，IDS下降）；②当饱和电压(VGS-VT)较小（即VGS～VT）时，则输出源-漏电流的温度特性将主要决定于阈值电压的温度关系，从而具有正的温度系数（温度升高，IDS也增大）。
而对于一般的MOSFET，为了获得较大的跨导，往往把饱和电压(VGS-VT)选取得较大，因此可以不考虑阈值电压的影响，于是饱和源-漏电流通常都具有负的温度系数。
也因此，一般的MOSFET都具有一定的自我保护的功能，则可以把多个管芯直接并联起来，也不会出现因电流分配不均匀而引起的失效；利用这种并联管芯的办法即可方便地达到增大器件输出电流的目的（实际上，功率MOSFET就是采用这种措施来实现大电流的）。
（6）为什么MOSFET的饱和区跨导大于线性区的跨导？【答】饱和区与线性区都是出现了沟道的状态，但是它们的根本差别就在于沟道是否被夹断。
电压对沟道宽度的影响是：栅极电压将使沟道宽度均匀地发生变化，源-漏电压将使沟道宽度不均匀地发生变化（则会导致沟道首先在漏极端夹断）。
在线性区时，由于源-漏电压较低，则整个沟道的宽度从头到尾变化不大，这时栅极电压控制沟道导电的能力相对地较差一些，于是跨导较小。
同时，随着源-漏电压的增大，沟道宽度的变化增大，使得漏端处的沟道宽度变小，则栅极电压控制沟道导电的能力增强，跨导增大。
而在饱和区时，源-漏电压较高，沟道夹断，即在漏极端处的沟道宽度为0，于是栅极电压控制沟道导电的能力很强（微小的栅极电压即可控制沟道的导通与截止），所以这时的跨导很大。
因此，饱和区跨导大于线性区跨导。
可见，沟道越是接近夹断，栅极的控制能力就越强，则跨导也就越大；沟道完全夹断后，电流饱和，则跨导达到最大——饱和跨导。
（7）为什么MOSFET的饱和跨导一般与饱和电压成正比？但为什么有时又与饱和电压成反比？【答】①在源-漏电压VDS一定时：由E-MOSFET的饱和电流IDsat对栅电压的微分，即可得到饱和跨导gmsat与饱和电压(VGS-VT)成正比：这种正比关系的得来，是由于饱和电压越高，就意味着沟道越不容易夹断，则导电沟道厚度必然较大，因此在同样栅极电压下的输出源-漏电流就越大，从而跨导也就越大。
②在饱和电流IDsat一定时：饱和跨导gmsat却与饱和电压(VGS-VT)成反比：这是由于饱和电压越高，就意味着沟道越难以夹断，则栅极的控制能力就越小，即跨导越小。
总之，在源-漏电压一定时，饱和跨导与饱和电压成正比，而在源-漏电流一定时，饱和跨导与饱和电压成反比。
这种相反的比例关系，在其他场合也存在着，例如功耗P与电阻R的关系：当电流一定时，功耗与电阻成正比（P=IV=I2R）；当电压一定时，功耗与电阻成反比（P=IV=V2/R）。
（8）为什么MOSFET的线性区源-漏电导等于饱和区的跨导（栅极跨导）？【答】MOSFET的线性区源-漏电导gdlin和饱和区的栅极跨导gmsat，都是表征电压对沟道导电、即对源-漏电流控制能力大小的性能参数。
在线性区时，沟道未夹断，但源-漏电压将使沟道宽度不均匀；这时源-漏电压的变化，源-漏电导gdlin 即表征着在沟道未夹断情况下、源-漏电压对源-漏电流的控制能力，这种控制就是通过沟道宽度发生不均匀变化而起作用的。
而饱和区的栅极跨导——饱和跨导gmsat是表征着在沟道夹断情况下、栅-源电压对源-漏电流的控制能力，这时剩余沟道的宽度已经是不均匀的，则这种控制也相当于是通过沟道宽度发生不均匀变化而起作用的，因此这时的栅极跨导就等效于线性区源-漏电导：（9）为什么在E-MOSFET的栅-漏转移特性上，随着栅-源电压的增大，首先出现的是饱和区电流、然后才是线性区电流？【答】E-MOSFET的栅-漏转移特性如图1所示。
在栅-源电压VGS小于阈值电压VT时，器件截止（没有沟道），源-漏电流电流很小（称为亚阈电流）。
在VGS>VT时，出现沟道，但如果源-漏电压VDS=0，则不会产生电流；只有在VGS>VT和VDS>0时，才会产生电流，这时必然有VDS >(VGS-VT)，因此MOSFET处于沟道夹断的饱和状态，于是源-漏电流随栅-源电压而平方地上升。
相应地，饱和跨导随栅-源电压而线性地增大，这是由于饱和跨导与饱和电压(VGS-VT)成正比的缘故。
而当栅-源电压进一步增大，使得VDS<(VGS-VT)时，则MOSFET又将转变为沟道未夹断的线性工作状态，于是源-漏电流随栅-源电压而线性地增大。
这时，跨导不再变化（与栅电压无关）。