CMOS工作原理及应用ppt课件
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cmos图像器件.ppt

模块组成
第五章CMOS图象器件
• 其中时钟控制单元负责控制行选通译码器 和列选通译码器,并为像素阵列提供复位 信号以及整个芯片的时钟信号
第五章CMOS图象器件
• 该单元一般采用数字锁相环进行稳频。 • 模拟信号处理单元的主要功能是对信号进
行放大处理,并清除噪声等 • 行选通译码器与列选通译码器配合使用可
• 因此,它可以实现真正意义上的即时信号 读取
第五章CMOS图象器件
• 对数响应型CMOS APS的一个致命缺陷就 是对器件参数相当敏感,特别是阈值电压。
• 因此,它的固定模式噪声相当严重,致使 信噪比(SNR)相对线性CMOS APS较低
• 线性CMOS APS与对数响应型APS的光子 转换特性如图9所示
第五章CMOS图象器件
• 图中SNRlin,max和SNRlog,max分别为线 性CMOS APS的最大信噪比;DRlin和 DRlog分别为线性和对数响应型APS动态 范围
第五章CMOS图象器件
• 因此,提高对数响应型APS性能的关键问 题是抑制固定模式噪声,提高信噪比。
• 5.5 数字像素传感器(DPS) • CMOS DPS是1994年才出现的新型CMOS
• 源跟随器还可加快总线电容的充放电,因 而允许总线长度的增加和像素规模的增大
• 下图是APS的剖面图 • 通常APS比PPS 有更多的优点,包括低读
出噪声和高读出速率等
微透镜
源跟随器 列选 硅衬底
彩色 滤镜 复位晶体管
行选
势阱
第五章CMOS图象器件
• 但是由于结构复杂,导致填充率降低,一 般只有20%到30%。
第五章CMOS图象器件
• 由于每个像元产生的电荷非常少,所以信 号极易受到噪声的影响。
第五章CMOS图象器件
• 其中时钟控制单元负责控制行选通译码器 和列选通译码器,并为像素阵列提供复位 信号以及整个芯片的时钟信号
第五章CMOS图象器件
• 该单元一般采用数字锁相环进行稳频。 • 模拟信号处理单元的主要功能是对信号进
行放大处理,并清除噪声等 • 行选通译码器与列选通译码器配合使用可
• 因此,它可以实现真正意义上的即时信号 读取
第五章CMOS图象器件
• 对数响应型CMOS APS的一个致命缺陷就 是对器件参数相当敏感,特别是阈值电压。
• 因此,它的固定模式噪声相当严重,致使 信噪比(SNR)相对线性CMOS APS较低
• 线性CMOS APS与对数响应型APS的光子 转换特性如图9所示
第五章CMOS图象器件
• 图中SNRlin,max和SNRlog,max分别为线 性CMOS APS的最大信噪比;DRlin和 DRlog分别为线性和对数响应型APS动态 范围
第五章CMOS图象器件
• 因此,提高对数响应型APS性能的关键问 题是抑制固定模式噪声,提高信噪比。
• 5.5 数字像素传感器(DPS) • CMOS DPS是1994年才出现的新型CMOS
• 源跟随器还可加快总线电容的充放电,因 而允许总线长度的增加和像素规模的增大
• 下图是APS的剖面图 • 通常APS比PPS 有更多的优点,包括低读
出噪声和高读出速率等
微透镜
源跟随器 列选 硅衬底
彩色 滤镜 复位晶体管
行选
势阱
第五章CMOS图象器件
• 但是由于结构复杂,导致填充率降低,一 般只有20%到30%。
第五章CMOS图象器件
• 由于每个像元产生的电荷非常少,所以信 号极易受到噪声的影响。
CMOS门电路PPT课件

一、MOS管的开关特性
1. MOS管的结构和工作原理
-
S
vGS
vDS +
G
+ iD
D
N+
N+
G
P型衬底(B)
第三节 CMOS门电路
D B
S
当vDS> 0,但 vGS= 0 时,D-S间2不021/3导/9 通, iD= 0 。 当vDS> 0, 且vGS> vGS(th) (MOS管的开启电压)
时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。 这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有 iD流通。
2. 电压传输特性
AB段:
vO
VDD A B
T1的开 启电压
T1导通, T2截止, VO = VOH ≈ VDD。
CD段:
1
2 V D D VGH(th)N
VGH(th)P
T2导通, T1截止, VO = VOL ≈ 0。
CD
T2的开 O 启电压
1 2 V DD
VDD
vI
2021/3/9
CMOS反相器的电压传输特性 BC段:
27
放映结束 感谢各位的批评指导!
谢 谢!
让我们共同进步
2021/3/9
28
C
C
V DD
T2
vI / vO T 1
v O / v I v I / v O TG
C
C
2021/3/9
C1,C0 时,传输门导通。
C0,C1 时,传输门截止。
vO / vI
20
第三节 CMOS门电路
利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种 复杂的逻辑电路, 如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。
1. MOS管的结构和工作原理
-
S
vGS
vDS +
G
+ iD
D
N+
N+
G
P型衬底(B)
第三节 CMOS门电路
D B
S
当vDS> 0,但 vGS= 0 时,D-S间2不021/3导/9 通, iD= 0 。 当vDS> 0, 且vGS> vGS(th) (MOS管的开启电压)
时,栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。 这个反型层构成了D-S间的导电沟道,有 iD流通。
2. 电压传输特性
AB段:
vO
VDD A B
T1的开 启电压
T1导通, T2截止, VO = VOH ≈ VDD。
CD段:
1
2 V D D VGH(th)N
VGH(th)P
T2导通, T1截止, VO = VOL ≈ 0。
CD
T2的开 O 启电压
1 2 V DD
VDD
vI
2021/3/9
CMOS反相器的电压传输特性 BC段:
27
放映结束 感谢各位的批评指导!
谢 谢!
让我们共同进步
2021/3/9
28
C
C
V DD
T2
vI / vO T 1
v O / v I v I / v O TG
C
C
2021/3/9
C1,C0 时,传输门导通。
C0,C1 时,传输门截止。
vO / vI
20
第三节 CMOS门电路
利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种 复杂的逻辑电路, 如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。
CMOS漏极开路门和三态门电路PPT课件

0A 0B
0C 0D
0E 0F
VDD
&
I0Z
&
I0Z
&
RP 1
IIH
& 3IIH I0Z
IOZ(total) —全部驱动门输出高电平时的漏电流总和;
IIH(total) —全部负载门输入端为高电平时的输入电流
总和; 实际上,若要求速度快,RP的值就取近RP(min)的标
准值,若要求功耗小,RP的值就取近RP(max)的标准值。•5
VDD
A
&
RP
1.5KΩ
1
B
&
&
VDD
RP 1.5KΩ
RP
VO
100pF
RNon
100Ω
CL >1RMNΩoff
VDD
1.5KΩ
VO
100pF
CL
OD门输出高电平→低电平:放电时间常数10ns
OD门输出由低电平→高电平:充电时间常数为 150ns,上升时间很长,工作速度快时,应避免用以 驱动大电容负载。
CMOS漏极开路门和三态门电路 1、CMOS漏极开路门电路
(1)漏极开路门电路的结构和符号 ①线与:将两个门的输出端并联以实现与逻辑的 功能。观察如下的实现电路:
导通
vI1L
截止
VDD
vO1H
vO2L
截止
vI2H
导通
由图可见:电流很大,器件会损坏;且无法确 定输出是高还是低电平。解决此问题可采用漏极 开路(OD)门代之。
•3
(3)上拉电阻计算
①RP(min)的确定: 只有一个OD门导通情况
RP≥ RP(min)=
集成电路原理课件-cmos

集成电路原理与设计
1
微电子学
• 微电子技术是电子计算机和通信的核心技术 • 微电子技术的核心是集成电路(Integrated Circuit, IC) 技术 • 微电子学是电子学的一门分支,主要研究电子或离 子在固体材料中的运动规律及其应用 • 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的,研究 如何利用半导体的微观特性以及一些特殊工艺,在 一块半导体芯片上制作大量的器件,从而在一个微 小面积中制造出复杂的电子系统。
I
D
dx
V 0
WC
ox
n [VGS V ( x) VTH ]dV
I/V特性的推导(3)
W 1 2 I D = nCox [(VGS - VTH )VDS - VDS ] (2.8) L 2 W VGS - VTH 称为过驱动电压; 称为宽长比 L 三极管区(线性区)
每条曲线在VDS=VGS-VTH时取最 大值,且大小为:
CGD CGS
WLCOX WCOv 2
CGB可以忽略不计
CSB = CDB =
WE源极Cj (1 VSB /B ) WE漏极Cj (1 VDB /B )
mj mj
源极周长 C jsw (1 VSB /B )
m jsw
漏极周长 C jsw (1 VDB/B )
MOS器件电容
栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系
1) VGS < VTH截止区
CGD CGS WCOv
CGB W 2 L2 COX q si N sub / 4 F WLCOX Cd = 其中Cd=WL q si N sub / 4 F WLCOX Cd WLCOX WL q si N sub / 4 F
1
微电子学
• 微电子技术是电子计算机和通信的核心技术 • 微电子技术的核心是集成电路(Integrated Circuit, IC) 技术 • 微电子学是电子学的一门分支,主要研究电子或离 子在固体材料中的运动规律及其应用 • 微电子学是以实现电路和系统的集成为目的,研究 如何利用半导体的微观特性以及一些特殊工艺,在 一块半导体芯片上制作大量的器件,从而在一个微 小面积中制造出复杂的电子系统。
I
D
dx
V 0
WC
ox
n [VGS V ( x) VTH ]dV
I/V特性的推导(3)
W 1 2 I D = nCox [(VGS - VTH )VDS - VDS ] (2.8) L 2 W VGS - VTH 称为过驱动电压; 称为宽长比 L 三极管区(线性区)
每条曲线在VDS=VGS-VTH时取最 大值,且大小为:
CGD CGS
WLCOX WCOv 2
CGB可以忽略不计
CSB = CDB =
WE源极Cj (1 VSB /B ) WE漏极Cj (1 VDB /B )
mj mj
源极周长 C jsw (1 VSB /B )
m jsw
漏极周长 C jsw (1 VDB/B )
MOS器件电容
栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系
1) VGS < VTH截止区
CGD CGS WCOv
CGB W 2 L2 COX q si N sub / 4 F WLCOX Cd = 其中Cd=WL q si N sub / 4 F WLCOX Cd WLCOX WL q si N sub / 4 F
CMOS摄像器件和红外焦平面器件课件

有源像素结构APS(Active Pixel Structure )
光电二极管型有源像素(PP-APS)1994,哥伦比亚大学
在像元内引入缓冲器或放大器, 可改善像元性能,称为有源像素传 感器。功耗小,量子效率高。每个 像元有3个晶体管。大多数中低性 能的应用 。
光栅型有源像素结构(GP-APS)
辐射对比度——背景温度变化1K所引起光子通量变 化与整个光子通量的比值,它随波长增长而减小。
IRFPA工作条件:高背景、低对比度
2 、IRFPA的分类
按照结构可分为单片式和混合式 按照光学系统扫描方式可分为扫描型和凝视型 按照读出电路可分为CCD、MOSFET和CID等类型 按照制冷方式可分为制冷型和非制冷型 按照响应波段与材料可分为
1. 1~3μm波段 代表材料HgCdTe—碲镉汞 2. 3~5μm波段 代表材料HgCdTe、InSb—锑化铟、
PtSi—硅化铂
3. 8~12μm 波段 代表材料HgCdTe
表:一些典型的各波段探测器。
波段(波长) 近红外(0.7~1.1μm)
工作在该波段的典型红外光 子探测器
硅光电二极管 (Si)
主要有三种类型
非本征硅(P型)单片式IRFPA, 缺点:需制冷、响应度均匀性差。
本征单片式IRFPA , 缺点:转移效率低、响应均匀性差,存储容量 较小。
肖特基势垒单片式IRFPA, 响应均匀性好,但量子效率较低。
混合式IRFPA
探测器阵列采用窄禁带本征半导体材料制成, 电荷转移部分用硅材料。如何建立联系?
1、CMOS像素结构
无源像素型(PPS)和有源像素型(APS)
无源像素结构,1967,Weckler
由一反向偏置光 敏二极管和一个开关 管构成,开关管开启, 二极管与垂直列线连 通,信号电荷 读出。
《图像传感器》PPT课件_OK

7
CCD的优点
• 5. 大面积感光 (Large Field of View):利用半导体技术已可制造大面积的CCD晶片,目前与传
统底片尺寸相当的35mm的CCD已经开始应用在数码相机中,成为取代专业有 利光学相机的关键元件; 光谱响应广(Broad Spectral Response):能检测很宽波长范围的光,增加系统使 用弹性,扩大系统应用领域;
6
CCD的优点
• 3. 动态范围广 (High Dynamic Range):同时侦测及分办强光和弱
光,提高系统环境的使用范围,不因亮度差异大 而造成信号反差现象。
• 4. 良好的线性特性曲线 (Linearity):入射光源强度和输出讯号大小成良好
的正比关系,物体资讯不致损失,降低信号补偿 处理成本; 高光子转换效率(High Quantum Efficiency ):很微弱的入射光照射都能被记录下 来,若配合影像增强管及投光器,即使在暗夜远 处的景物仍然还可以侦测得到;
• 与CCD产品相比,CMOS是标准工艺制程,可利用现有的半导体设备, 不需额外的投资设备,且品质可随著半导体技术的提升而进步。同时, 全球晶圆厂的CMOS生产线较多,日后量产时也有利于成本的降低。 另外,CMOS传感器的最大优势,是它具有高度系统整合的条件。理 论上,所有图像传感器所需的功能,例如垂直位移、水平位移暂存器、 时序控制、CDS、ADC…等,都可放在集成在一颗晶片上,甚至于所有 的晶片包括后端晶片(Back-end Chip)、快闪记忆体(Flash RAM)等 也可整合成单晶片(SYSTEM-ON-CHIP),以达到降低整机生产成本 的目的。
1
CCD
• CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件, CMOS则应用于较低影像品质的产品中。
CCD的优点
• 5. 大面积感光 (Large Field of View):利用半导体技术已可制造大面积的CCD晶片,目前与传
统底片尺寸相当的35mm的CCD已经开始应用在数码相机中,成为取代专业有 利光学相机的关键元件; 光谱响应广(Broad Spectral Response):能检测很宽波长范围的光,增加系统使 用弹性,扩大系统应用领域;
6
CCD的优点
• 3. 动态范围广 (High Dynamic Range):同时侦测及分办强光和弱
光,提高系统环境的使用范围,不因亮度差异大 而造成信号反差现象。
• 4. 良好的线性特性曲线 (Linearity):入射光源强度和输出讯号大小成良好
的正比关系,物体资讯不致损失,降低信号补偿 处理成本; 高光子转换效率(High Quantum Efficiency ):很微弱的入射光照射都能被记录下 来,若配合影像增强管及投光器,即使在暗夜远 处的景物仍然还可以侦测得到;
• 与CCD产品相比,CMOS是标准工艺制程,可利用现有的半导体设备, 不需额外的投资设备,且品质可随著半导体技术的提升而进步。同时, 全球晶圆厂的CMOS生产线较多,日后量产时也有利于成本的降低。 另外,CMOS传感器的最大优势,是它具有高度系统整合的条件。理 论上,所有图像传感器所需的功能,例如垂直位移、水平位移暂存器、 时序控制、CDS、ADC…等,都可放在集成在一颗晶片上,甚至于所有 的晶片包括后端晶片(Back-end Chip)、快闪记忆体(Flash RAM)等 也可整合成单晶片(SYSTEM-ON-CHIP),以达到降低整机生产成本 的目的。
1
CCD
• CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件, CMOS则应用于较低影像品质的产品中。
CMOS图像传感器原理及应用

放大器:放大光电二极管输出的电信号
模数转换器:将放大后的电信号转换为数字信号
像素阵列:由许多像素组成,每个像素包含光电二极管和放大器
光电二极管:将光信号转换为电信号
光子进入CMOS图像传感器,被光电二极管吸收
光电二极管将光子转换为电子,形成电荷
电荷被存储在像素内的电容器中
电荷通过读取电路读取,转换为数字信号
材料替代:采用新型材料替代传统材料,降低生产成本
工艺优化:不断优化生产工艺,降低生产成本
技术进步:CMOS图像传感器技术不断进步,成本逐渐降低
规模效应:随着市场需求的扩大,生产规模逐渐扩大,成本降低
竞争加剧:市场竞争加剧,厂商为了抢占市场份额,降低成本
汇报人:XX
感谢您的观看
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够捕捉到高质量的图像
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够实现自动对焦、自动曝光等功能
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够实现高速连拍、高感光度等功能
添加标题
添加标题
添加标题
添加标题
特点:具有高灵敏度、高动态范围、低功耗等优点
应用领域:广泛应用于安防监控、交通监控、工业监控等领域
工作原理:通过CMOS图像传感器捕捉图像信号,经过处理后输出视频信号
发展趋势:随着技术的发展,CMOS图像传感器在监控摄像头中的应用将更加广泛和深入。
应用领域:医疗影像设备是CMOS图像传感器的重要应用领域之一
应用设备:包括X射线机、CT扫描仪、MRI扫描仪等
CMOS图像传感器在像素读取过程中,每个像素单独进行光电转换,不需要扫描整个阵列,从而降低功耗。
CMOS图像传感器内部逻辑电路采用亚阈值电平工作,功耗较低。
模数转换器:将放大后的电信号转换为数字信号
像素阵列:由许多像素组成,每个像素包含光电二极管和放大器
光电二极管:将光信号转换为电信号
光子进入CMOS图像传感器,被光电二极管吸收
光电二极管将光子转换为电子,形成电荷
电荷被存储在像素内的电容器中
电荷通过读取电路读取,转换为数字信号
材料替代:采用新型材料替代传统材料,降低生产成本
工艺优化:不断优化生产工艺,降低生产成本
技术进步:CMOS图像传感器技术不断进步,成本逐渐降低
规模效应:随着市场需求的扩大,生产规模逐渐扩大,成本降低
竞争加剧:市场竞争加剧,厂商为了抢占市场份额,降低成本
汇报人:XX
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CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够捕捉到高质量的图像
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够实现自动对焦、自动曝光等功能
CMOS图像传感器在数码相机中的应用,使得相机能够实现高速连拍、高感光度等功能
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特点:具有高灵敏度、高动态范围、低功耗等优点
应用领域:广泛应用于安防监控、交通监控、工业监控等领域
工作原理:通过CMOS图像传感器捕捉图像信号,经过处理后输出视频信号
发展趋势:随着技术的发展,CMOS图像传感器在监控摄像头中的应用将更加广泛和深入。
应用领域:医疗影像设备是CMOS图像传感器的重要应用领域之一
应用设备:包括X射线机、CT扫描仪、MRI扫描仪等
CMOS图像传感器在像素读取过程中,每个像素单独进行光电转换,不需要扫描整个阵列,从而降低功耗。
CMOS图像传感器内部逻辑电路采用亚阈值电平工作,功耗较低。
第五章(4) 静态CMOS逻辑电路.ppt

CMOS传输门导通电流的变化
传输高电平和传输低电平过程中,NMOS传输管、PMOS传输管以及 CMOS传输门导通电流的变化。
NMOS管和PMOS管的电流都是非线性变化,而CMOS传输门的总电流近 似线性变化。
CMOS传输门直流电压传输特性
CMOS传输门导通电阻的变化
传输门总结
★ NMOS传输管传输低电平性能好,传输高电平有阈值 损失; ★ PMOS传输管传输高电平性能好,传输低电平有阈值 损失; ★ CMOS传输门利用NMOS和PMOS管的互补性能获得 了比单个传输管更优越的性能,性能更接近理想开关。
)
,
Kr
KN KP
8
结论
输出低电平的值不为0,取决于比例因子 Kr;
增大 Kr可使VOL 尽可能小,且电路功耗也会减小;
但K
太小将使电路的上升时间增加;
P
比例因子Kr过大会导致上升时间的增加;
输出低电平时存在静态功耗;
PDC KP (VDD VTP )2 VDD
9
类NMOS电路优缺点
五、MOS传输门逻辑电路
四、类NMOS电路
静态CMOS逻辑门利用NMOS管和PMOS管的 互补特性,使上拉通路和下拉通路轮流导通,从而 获得很好的电路性能。
缺点:每个输入都包含NMOS和PMOS管,不 利于减小芯片面积和提高集成度。
因此,对某些性能要求不太高,但希望面积尽可 能小的电路,可以采用类NMOS电路形式。
有比逻辑 (Ratioed Logic)
Vout VTP : PMOS管工作在线性区;
IDD KP[(VG VS VTP )2 (VG VD VTP )2 ] = KP[(VDD VTP )2 (Vout VTP )2 ] 0
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1.发生光电效应。 2.行选择逻辑单元选通相应的行 像素单元。 3.信号通过各自所在列的信号总 线传输到对应的模拟信号处理单 元以及A/D转换器。
CMOS图像传感器的关键 参数
衡量CMOS图像传感器性能的参数有很多,下面 对这些参数做简单的介绍: 感光度 分辨率 暗电流 噪声特性 动态范围 快门方式
差异总结及前景展望:
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。
CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道 设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保 持数据的完整性;CMOS图像传感器的制程比较简单,没有专属通道 的设计,因此必须先行放大再整合各个画素的数据。新一代的CCD朝 向耗电量减少作为改进目标,以期进入手机摄像头的移动通讯市场; CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速图像处理芯片整合,借由 后续的图像处理修正噪声以及画质表现,CMOS未来跨足高阶的影像 市场产品,前景可期。
ISO感光度
ISO值是用来表示传统相机所 使用底片的感光度。当ISO数值 愈大时,感光度就愈大。
先来说一下像素: 像素,即是影像最基本的单位。也就是说将 影像放大到不能再将它分割的影像单位。 而分辨率,是在一个 特定的区域内共有多少个像素单位,该词最早是用来说明工程 中单位长度所撷取到『点』的数目,对应在单位上就成了dpi (dot per inch)。常见单位有:
EPI:每一平方英寸共有多少单位数(element per inch)。 DPI:每一平方英寸共有多少点数(dot per inch)。 PPI:每一平方英寸共有多少像素数(pixel per inch)。 LPI:每一平方英寸共有多少条线(line per inch)。
胶片式照相机一般使用35毫米的胶卷。解像度在数百万到一千 万点。但是,胶片经镜头所拍下的成像。有时还比不上100万像 素档次的数码相机。100万像素档次的数码相机,拍摄1024x768 点阵的画像,经高解像度的打印机打印,解像度为每毫米3到4 点(解像度可用点数来表示)。另一方面,胶片经镜头所拍下 的成像每毫米3-14点。受我们用肉眼所能鉴别的限制,这种程 度的解像度没有太大的区别。
Surrey大学的SNAP-1 纳型卫星 与“清华 1号”微小卫星同时发 射。SNAP-1纳型卫星上装有 3 个广角( 90度视角)的相机,
以及一个小视角相机。图是这些
相机在星箭分离时拍摄的照片。
太阳敏感器:
卫星的微小化要求其组成模块的 微型化,要求对现有卫星组成模 块进行重新设计,大幅度减小其 重量、体积和功耗,使其满足新 的要求。
它由光敏二极管、M1复位管、源跟随器M2和 行选通管M3组成。
首先进入“复位状态”,M1打开,对
光敏二极管复位然后进入“取样状
态”,M1关闭,光照射到光敏二极管 M2上产生光生载流子,并通过源踉 随器放大输出,纂启进入。读击状 态”,这时行选通管M3打开,信号通 过列总线输出。
CMOS图像传感器的基本 工作流程
CMOS图像传感器的组成
组成:
CMOS图像传感器的原理 如图所示,通常由像敏单 元阵列、行驱动器、列时 序控制逻辑、A/D转换器、 数据总线输出接口、控制 接口等几部分组成,这几 部分通常都被集成在同一 块硅片上。
CMOS图像传感器的像素阵列
CMOS图像传感器的像素阵 列由大量相同的像素单元组 成,这些相同的像素单元是 传感器的关键部分。
暗电流
所谓暗电流,就是在没有入射光时光电二极管所释放的电流量, 一个被隔离的反向偏置的光电二极管即使在没有任何光照的条件 下,也会产生放电现象。
快门模式
快门对于CMOS图像传感器而言
是很重要的,通过电子快门的方
式可以控制CMOS图像传感器的 积分时间。对于CMOS图像传感
器而言,通常有两种快门的机制:
扫描读取
随机读取
动态范围
图像传感器的动态范围通常可定 义为:传感器最大的非饱和信号 与暗条件下噪声均方差之比。
一般来说,具有较宽动态范围的 传感器可以探测更宽的场景照度 范围,从而可以得到具有更多细 节的图像。
CMOS图像传感器与CCD图 像传感器的比较
感光组件的区别: 放大器位置和数量:比较CCD图
随着CMOS图像传感器的发 展,可以细分为很多类,这 里我们依照像素不同类型来 分,就可分为两大类:一类 是无源像素传感器 (CMOS-PPS),另一类是 有源像素传感器(CMOSAPS)。
无源率高,
在无源像素传感器的像素单元中包括一个光二 极管(PhotoDiode)和一个MOS管,MOS管作为 行选(RowSeleet)开关。 当选通时,光敏二极管中由于光照产生的相应电
由于数字编码式太阳敏感器的几 何分辨率主要由传感器像素尺寸 决定,而CMOS的像素尺寸可以 做到远小于 CCD,使得基于的 太阳敏感器分辨率能得到提高。
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对地观察卫星的主要遥感成像技术:
在目前,对于重量小于10kg的纳型卫星来说,光 成像技术(以可见光为主)将是纳型卫星完成对 地观察任务的主要手段。而在可见光统中,其电 子光学系统中广泛使用固体成像器件(如CCD )进行遥感成像。CMOS成像器件由于其本身优 点,在微纳卫星上具有广泛应用前景。 一种典型的模块化遥感微纳卫星如图,其中采 用了大量新技术,如CMOS相机、星传感器,基 于MEMS的微型陀螺、微加速度计,使用了 250MIPS的微处理器与8GB的动态存储器等。
CMOS图像传感器的原理与 应用
CMOS的发展历史
主要内容: CMOS图像传感器的组成
CMOS图像传感器的像素阵列 CMOS图像传感器的基本工作流程 CMOS图像传感器的关键参数 CMOS图像传感器与CCD图像传感器的比较 CMOS图像传感器件的应用
CMOS图像传感器的发展史
固体图像传感器主要分为电荷祸合器件(CCD,Charge Coupled Device型和COMS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)型两大类。早期由于受集成电路设计和工艺 水平的限制,型摄像器件无法克服其灵敏度低和抗干扰能力差 的缺点。到了八十年代末,英国爱丁堡大学成功地试制出世界 上第一块单片图像传感芯片,从而为型图像传感器实用化开通 了道路。图像传感器由于具有高集成、低功耗、低成本等许多 优点,得到了人们越来越多的童视,并逐步成为研究和开发的热 点。
荷就传送到了列线。下端的积分放大器将该信 号转化为电压输出。为减少噪声,列总线下端的 放大器在不读信号时,保持列总线为一常数电平 。
量子效率高。但它
的读出噪声大,一般 为250rms,而商用 的CCD读出噪声可 低于20rms。不利 于向大型阵列发展,
不利于提高读出速
有源像素传感器
这种有源像素传感器的像素单元通常称为3T(3-Trnasistor)结构,在像素单元中,除一个 光二极管外,还包括一个重置(Reset)MOS管 、一个源极跟随器(Source Follower) MOS管和一个行选MOS管。
分辨率
噪声特性
由于数码相机本身采用大量的电 子器材,所拍摄的影像质量很容 易受到电子原件的电磁溢波干扰, CMOS图像传感器上残存的能量 以及运作环境温度升高(机体运 作时间过久)所产生的自然噪声。 这些噪声会被纪录在你所拍摄的 影像画面中,你可以透过单一色 调的拍摄(黑色)做为观察 Noise的指标。
CMOS图像传感器件的应用
数码相机:
CMOS在数码相机中的应用: 彩色 CMOS 摄像头在电子快门 的控制下 ,摄取一幅照片存在 DRAM 中 , 然后再转至快ROM 中存放起来。 CMOS 还可以完成其他许多功 能 , 如模数转换、负载信号处 理、处理白平衡及进行相机控 制等。目前几乎所有的初级数 码相机都是基于 CMOS 图 像传感器的。
CMOS图像传感器的制程比较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整 合各个像素的数据。
整体来说,CCD图像传感器与CMOS图像传感器两种设计的应用,反应在成像效 果上,形成包括ISO感光度、制造成本、分辨率、噪声与耗电量等,不同类型的差 异:
1、ISO感光度差异: 2、成本差异 3、分辨率差异 4、噪声差异 5、耗电量差异 6、随机读取
卷帘式快门(Rolling Shutter) 和全局式快门(Global Shutter)。
卷帘式快门
全局式快门优点在于拍摄运 动物体不会失真。 卷帘式快门的优点在于没有 采样保持单元,结构简单噪 音低。
全局式快门
卷帘式快门
读取方式: 根据快门方式有所不同,CMOS图
像传感器的像素信号读取有两种方 式,即扫描读取方式和随机读取方 式,如图所示。
像传感器和CMOS图像传感器的 结构,放大器的位置和数量是最 大的不同之处 。
性能差异:
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现的不同点。
CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透 过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持数据的完整性。
CMOS图像传感器的关键 参数
衡量CMOS图像传感器性能的参数有很多,下面 对这些参数做简单的介绍: 感光度 分辨率 暗电流 噪声特性 动态范围 快门方式
差异总结及前景展望:
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现之不同。
CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道 设计),透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保 持数据的完整性;CMOS图像传感器的制程比较简单,没有专属通道 的设计,因此必须先行放大再整合各个画素的数据。新一代的CCD朝 向耗电量减少作为改进目标,以期进入手机摄像头的移动通讯市场; CMOS系列,则开始朝向大尺寸面积与高速图像处理芯片整合,借由 后续的图像处理修正噪声以及画质表现,CMOS未来跨足高阶的影像 市场产品,前景可期。
ISO感光度
ISO值是用来表示传统相机所 使用底片的感光度。当ISO数值 愈大时,感光度就愈大。
先来说一下像素: 像素,即是影像最基本的单位。也就是说将 影像放大到不能再将它分割的影像单位。 而分辨率,是在一个 特定的区域内共有多少个像素单位,该词最早是用来说明工程 中单位长度所撷取到『点』的数目,对应在单位上就成了dpi (dot per inch)。常见单位有:
EPI:每一平方英寸共有多少单位数(element per inch)。 DPI:每一平方英寸共有多少点数(dot per inch)。 PPI:每一平方英寸共有多少像素数(pixel per inch)。 LPI:每一平方英寸共有多少条线(line per inch)。
胶片式照相机一般使用35毫米的胶卷。解像度在数百万到一千 万点。但是,胶片经镜头所拍下的成像。有时还比不上100万像 素档次的数码相机。100万像素档次的数码相机,拍摄1024x768 点阵的画像,经高解像度的打印机打印,解像度为每毫米3到4 点(解像度可用点数来表示)。另一方面,胶片经镜头所拍下 的成像每毫米3-14点。受我们用肉眼所能鉴别的限制,这种程 度的解像度没有太大的区别。
Surrey大学的SNAP-1 纳型卫星 与“清华 1号”微小卫星同时发 射。SNAP-1纳型卫星上装有 3 个广角( 90度视角)的相机,
以及一个小视角相机。图是这些
相机在星箭分离时拍摄的照片。
太阳敏感器:
卫星的微小化要求其组成模块的 微型化,要求对现有卫星组成模 块进行重新设计,大幅度减小其 重量、体积和功耗,使其满足新 的要求。
它由光敏二极管、M1复位管、源跟随器M2和 行选通管M3组成。
首先进入“复位状态”,M1打开,对
光敏二极管复位然后进入“取样状
态”,M1关闭,光照射到光敏二极管 M2上产生光生载流子,并通过源踉 随器放大输出,纂启进入。读击状 态”,这时行选通管M3打开,信号通 过列总线输出。
CMOS图像传感器的基本 工作流程
CMOS图像传感器的组成
组成:
CMOS图像传感器的原理 如图所示,通常由像敏单 元阵列、行驱动器、列时 序控制逻辑、A/D转换器、 数据总线输出接口、控制 接口等几部分组成,这几 部分通常都被集成在同一 块硅片上。
CMOS图像传感器的像素阵列
CMOS图像传感器的像素阵 列由大量相同的像素单元组 成,这些相同的像素单元是 传感器的关键部分。
暗电流
所谓暗电流,就是在没有入射光时光电二极管所释放的电流量, 一个被隔离的反向偏置的光电二极管即使在没有任何光照的条件 下,也会产生放电现象。
快门模式
快门对于CMOS图像传感器而言
是很重要的,通过电子快门的方
式可以控制CMOS图像传感器的 积分时间。对于CMOS图像传感
器而言,通常有两种快门的机制:
扫描读取
随机读取
动态范围
图像传感器的动态范围通常可定 义为:传感器最大的非饱和信号 与暗条件下噪声均方差之比。
一般来说,具有较宽动态范围的 传感器可以探测更宽的场景照度 范围,从而可以得到具有更多细 节的图像。
CMOS图像传感器与CCD图 像传感器的比较
感光组件的区别: 放大器位置和数量:比较CCD图
随着CMOS图像传感器的发 展,可以细分为很多类,这 里我们依照像素不同类型来 分,就可分为两大类:一类 是无源像素传感器 (CMOS-PPS),另一类是 有源像素传感器(CMOSAPS)。
无源率高,
在无源像素传感器的像素单元中包括一个光二 极管(PhotoDiode)和一个MOS管,MOS管作为 行选(RowSeleet)开关。 当选通时,光敏二极管中由于光照产生的相应电
由于数字编码式太阳敏感器的几 何分辨率主要由传感器像素尺寸 决定,而CMOS的像素尺寸可以 做到远小于 CCD,使得基于的 太阳敏感器分辨率能得到提高。
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对地观察卫星的主要遥感成像技术:
在目前,对于重量小于10kg的纳型卫星来说,光 成像技术(以可见光为主)将是纳型卫星完成对 地观察任务的主要手段。而在可见光统中,其电 子光学系统中广泛使用固体成像器件(如CCD )进行遥感成像。CMOS成像器件由于其本身优 点,在微纳卫星上具有广泛应用前景。 一种典型的模块化遥感微纳卫星如图,其中采 用了大量新技术,如CMOS相机、星传感器,基 于MEMS的微型陀螺、微加速度计,使用了 250MIPS的微处理器与8GB的动态存储器等。
CMOS图像传感器的原理与 应用
CMOS的发展历史
主要内容: CMOS图像传感器的组成
CMOS图像传感器的像素阵列 CMOS图像传感器的基本工作流程 CMOS图像传感器的关键参数 CMOS图像传感器与CCD图像传感器的比较 CMOS图像传感器件的应用
CMOS图像传感器的发展史
固体图像传感器主要分为电荷祸合器件(CCD,Charge Coupled Device型和COMS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)型两大类。早期由于受集成电路设计和工艺 水平的限制,型摄像器件无法克服其灵敏度低和抗干扰能力差 的缺点。到了八十年代末,英国爱丁堡大学成功地试制出世界 上第一块单片图像传感芯片,从而为型图像传感器实用化开通 了道路。图像传感器由于具有高集成、低功耗、低成本等许多 优点,得到了人们越来越多的童视,并逐步成为研究和开发的热 点。
荷就传送到了列线。下端的积分放大器将该信 号转化为电压输出。为减少噪声,列总线下端的 放大器在不读信号时,保持列总线为一常数电平 。
量子效率高。但它
的读出噪声大,一般 为250rms,而商用 的CCD读出噪声可 低于20rms。不利 于向大型阵列发展,
不利于提高读出速
有源像素传感器
这种有源像素传感器的像素单元通常称为3T(3-Trnasistor)结构,在像素单元中,除一个 光二极管外,还包括一个重置(Reset)MOS管 、一个源极跟随器(Source Follower) MOS管和一个行选MOS管。
分辨率
噪声特性
由于数码相机本身采用大量的电 子器材,所拍摄的影像质量很容 易受到电子原件的电磁溢波干扰, CMOS图像传感器上残存的能量 以及运作环境温度升高(机体运 作时间过久)所产生的自然噪声。 这些噪声会被纪录在你所拍摄的 影像画面中,你可以透过单一色 调的拍摄(黑色)做为观察 Noise的指标。
CMOS图像传感器件的应用
数码相机:
CMOS在数码相机中的应用: 彩色 CMOS 摄像头在电子快门 的控制下 ,摄取一幅照片存在 DRAM 中 , 然后再转至快ROM 中存放起来。 CMOS 还可以完成其他许多功 能 , 如模数转换、负载信号处 理、处理白平衡及进行相机控 制等。目前几乎所有的初级数 码相机都是基于 CMOS 图 像传感器的。
CMOS图像传感器的制程比较简单,没有专属通道的设计,因此必须先行放大再整 合各个像素的数据。
整体来说,CCD图像传感器与CMOS图像传感器两种设计的应用,反应在成像效 果上,形成包括ISO感光度、制造成本、分辨率、噪声与耗电量等,不同类型的差 异:
1、ISO感光度差异: 2、成本差异 3、分辨率差异 4、噪声差异 5、耗电量差异 6、随机读取
卷帘式快门(Rolling Shutter) 和全局式快门(Global Shutter)。
卷帘式快门
全局式快门优点在于拍摄运 动物体不会失真。 卷帘式快门的优点在于没有 采样保持单元,结构简单噪 音低。
全局式快门
卷帘式快门
读取方式: 根据快门方式有所不同,CMOS图
像传感器的像素信号读取有两种方 式,即扫描读取方式和随机读取方 式,如图所示。
像传感器和CMOS图像传感器的 结构,放大器的位置和数量是最 大的不同之处 。
性能差异:
由于构造上的基本差异,我们可以表列出两者在性能上的表现的不同点。
CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计),透 过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理,可以保持数据的完整性。