射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》一、引言随着现代工业技术的不断发展，材料表面性能的改进和优化成为了众多领域研究的热点。
磁控溅射技术作为一种重要的薄膜制备技术，因其可以在较低温度下实现薄膜的高速率沉积、优异的成分控制和结构性能等特点，在诸多领域如电子、光电子、机械、航空航天等领域都有广泛应用。
本研究将探讨利用磁控溅射技术制备CrAlSiN膜层的方法及其综合性能研究。
二、磁控溅射CrAlSiN膜层制备1. 实验材料与设备实验材料主要包括Cr、Al、Si和N的靶材，基底材料为需要镀膜的基材。
实验设备为磁控溅射镀膜机。
2. 制备工艺（1）基底预处理：对基底进行清洗、抛光等处理，以提高基底与膜层的结合力。
（2）靶材制备：将Cr、Al、Si按照一定比例混合，制成靶材。
（3）磁控溅射：在真空环境下，利用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子或分子溅射出来并沉积在基底上，形成CrAlSiN膜层。
（4）后处理：对制备好的膜层进行热处理等后处理工艺，以提高其性能。
三、CrAlSiN膜层的综合性能研究1. 结构性能分析利用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段对CrAlSiN膜层的结构进行表征，分析其晶格常数、晶粒大小等结构性能。
2. 化学性能分析通过X射线光电子能谱（XPS）分析CrAlSiN膜层的化学成分及化学键合状态，了解其化学稳定性。
3. 力学性能分析利用纳米压痕仪等设备对CrAlSiN膜层的硬度、弹性模量等力学性能进行测试，分析其耐磨、耐刮等性能。
4. 耐腐蚀性能分析通过浸泡实验和电化学测试等方法对CrAlSiN膜层的耐腐蚀性能进行研究，了解其在不同环境下的耐腐蚀性能。
四、结果与讨论1. 结构性能结果及讨论XRD和SEM结果表明，通过磁控溅射技术制备的CrAlSiN 膜层具有较高的结晶度和致密度，晶粒分布均匀。
同时，随着溅射时间和功率的改变，膜层的厚度和结构也会发生变化。
2. 化学性能结果及讨论XPS分析表明，CrAlSiN膜层具有较高的化学稳定性，能够在不同环境下保持其化学成分和化学键合状态的稳定。
热处理温度对铝酸锶长余辉薄膜结构和发光性能的影响
处 理 ，得到铝酸锶长余辉发光薄膜 。薄膜 的物相结构随热处理温度升 高而发 生改变 ，逐渐 由 Ｓ ｒ Ａ １ ： Ｏ 相转变为 Ｓ ｒ ４ Ａ １ ０ 相 ，光致
发 光性 能 随 之 发 生 改 变 。
关键 词 ：稀土掺杂；铝酸锶 ；薄膜；光致发光
中 图分类 号 ：０ ４ ８ ２ ． ３
ｒ ｉ ｎ ｇ ．Ｔ ｈ ｅ ｐ ｒ ｅ ｃ ｕ ｒ ｓ ｏ ｒ ｗａ ｓ ａ ｎ ｎ ｅ ａ ｌ ｉ ｎ ｇ ｔ ｈ ｅ ｉ ｆ ｌ ｍｓ ｉ ｎ ｗｅ ａ ｋ ｒ ｅ ｄ ｕ ｃ ｉ ｎ ｇ ａ ｔ ｍｏ ｓ ｐ ｈ ｅ ｒ ｅ ｕ ｎ ｄ ｅ ｒ ８ ０ ０℃ ， ９ ０ ０ ｏ Ｃ ，１ ０ ０ ０ ｏ Ｃ ａ ｎ ｄ １ １ ０ ０ ｏ Ｃ， ｒ ｅ ｓ ｐ ｅ ｃ ｔ ｉ ｖ ｅ ｌ ｙ ．Ｔ ｈ ｅ ｎ，ｔ ｈ ｅ ｌ ｏ ｎ ｇ ｐ ｅ ｒ ｓ ｉ ｓ ｔ ｅ ｎ ｔ ｉ ｆ ｌ ｍｓ ｗ ｅ ｒ ｅ ｏ ｂ ｔ ａ ｉ ｎ ｅ ｄ ．Ｔ ｈ ｅ ｓ ｔ ｒ ｕ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｉ ｆ ｌ ｍｓ ｖ ａ ｒ ｉ ｅ ｄ ｂ ｙ ｔ ｈ ｅ ａ ｎ ｎ ｅ ａ ｌ ｉ ｎ ｇ ｔ ｅ ｍｐ ｅ ｒ ａ —
Ａｂｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ：Ｒａ ｒ ｅ ｅ ａ ｒ ｔ ｈ ｉ ｏ ｎｓ ｄ ｏ ｐ ｅ ｄ ｌ ｏ ｎ ｇ ｐ ｅ ｒ ｓ ｉ ｓ ｔ ｅ ｎ ｔ ｉｌ ｆ ｍ ｐｒ ｅ ｃ ｕ ｒ ｓ ｏ ｒ ｗａ ｓ ｆ ａ ｂ ｒ ｉ ｃ ａ ｔ ｅ ｄ ｂ ｙ ｒ ａ ｄ ｉ ｏ ｆ ｒ ｅ ｑ ｕ ｅ ｎ ｃ ｙ ｍａ ｇ ｎ ｅ ｔ ｒ ｏ ｎ ｓ ｐ ｕ ｔ ｔ ｅ —
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》
《磁控溅射CrAlSiN膜层制备及综合性能研究》一、引言随着现代工业技术的不断发展，材料表面性能的改进和优化已成为提高产品性能和使用寿命的关键。
磁控溅射技术作为一种先进的薄膜制备技术，在材料科学领域得到了广泛的应用。
本文以CrAlSiN膜层为研究对象，通过磁控溅射技术制备该膜层，并对其综合性能进行深入研究。
二、磁控溅射CrAlSiN膜层制备1. 材料选择与设备准备本实验选用高纯度的Cr、Al、Si和N等靶材作为溅射原料。
设备采用磁控溅射镀膜机，具有高溅射速率、低损伤等特点。
2. 制备工艺流程（1）清洗基底：将基底（如不锈钢、铝合金等）进行清洗，去除表面油污和杂质。
（2）预处理：对清洗后的基底进行预处理，如抛光、蚀刻等，以提高基底与膜层的结合力。
（3）磁控溅射：将靶材放置于镀膜机中，调整好溅射参数（如功率、气压、溅射时间等），进行磁控溅射。
（4）后处理：溅射完成后，对膜层进行适当的后处理，如退火、氧化等，以提高膜层的性能。
三、CrAlSiN膜层综合性能研究1. 结构与形貌分析采用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等手段，对CrAlSiN膜层的结构和形貌进行分析。
结果表明，CrAlSiN膜层具有致密的晶体结构，表面平整度较高。
2. 机械性能研究通过硬度测试、耐磨性测试等方法，对CrAlSiN膜层的机械性能进行研究。
结果表明，该膜层具有较高的硬度和良好的耐磨性，可有效提高基底的表面硬度和使用寿命。
3. 耐腐蚀性能研究在模拟实际使用环境条件下，对CrAlSiN膜层的耐腐蚀性能进行测试。
结果表明，该膜层具有较好的耐腐蚀性能，可在恶劣环境下保持良好的性能。
4. 热稳定性研究通过高温测试等方法，对CrAlSiN膜层的热稳定性进行研究。
结果表明，该膜层具有较高的热稳定性，可在高温环境下保持稳定的性能。
四、结论本文通过磁控溅射技术成功制备了CrAlSiN膜层，并对其综合性能进行了深入研究。
结果表明，该膜层具有致密的晶体结构、较高的硬度和良好的耐磨性、耐腐蚀性能及热稳定性。
射频磁控溅射ZnO：Al薄膜及其特性研究的开题报告
射频磁控溅射ZnO：Al薄膜及其特性研究的开题报
告
标题：射频磁控溅射ZnO：Al薄膜及其特性研究
研究背景：
氧化铝掺杂锌氧(ZnO：Al)薄膜在透明导电材料、光电子器件、太阳能电池等领域具有广泛的应用。
目前，射频磁控溅射是一种制备高质量ZnO：Al薄膜的有效方法。
该方法具有高附着力、高密度、低缺陷度和可重复性好等优点。
研究目的：
本论文旨在通过射频磁控溅射技术制备高质量的ZnO：Al薄膜，并研究其结构、表面形貌、电学性能及光学性能等特性，为其应用于光电子器件、太阳能电池等领域提供理论参考。
研究内容：
1.射频磁控溅射条件优化：选取合适的目标材料、工艺参数、溅射气氛等条件，制备出质量好的ZnO：Al薄膜。
2.薄膜的结构和表面形貌分析：使用X射线衍射和扫描电子显微镜等技术，分析薄膜的结晶度、晶体结构和表面形貌等。
3.电学性能测试：通过四探针电阻测试、电学常数测试等方法，测量ZnO：Al薄膜的导电性能、载流子浓度等电学性能。
4.光学性能测试：使用紫外-可见光谱仪、荧光光谱仪等设备，研究ZnO：Al薄膜的透过率、反射率、荧光性能等光学性能。
预期成果：
通过研究，将获得高质量的ZnO：Al薄膜，其导电性能和光学性能等特性将得到充分的表征。
预计可以为其应用于透明导电材料、光电子器件和太阳能电池等领域提供理论指导和实验基础。
稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备方法的研究现状
稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备方法的研究现状
曹俊;陈连平;李翠云
【期刊名称】《有色金属材料与工程》
【年(卷),期】2016(037)004
【摘要】稀土掺杂铝酸锶薄膜在长余辉夜视照明、无损实时可视化探测、机械应力传感器、纳米光电子器件、二维温度传感器以及薄膜太阳能电池等领域具有极为广阔、诱人的应用前景.要实现以上应用,首要条件是制备出质量高、性能优良的薄膜.因此制备稀土掺杂铝酸锶薄膜成为当今研究的热点.综述了国内外制备稀土掺杂铝酸锶薄膜的主要方法,包括射频磁控溅射法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法和激光熔蒸法,并重点介绍了射频磁控溅射法;另外对各种方法的优缺点进行了阐述.【总页数】5页(P171-175)
【作者】曹俊;陈连平;李翠云
【作者单位】[1]江西理工大学材料科学与工程学院,江西赣州341000;[2]景德镇陶瓷学院机械电子工程学院,江西景德镇333403
【正文语种】中文
【中图分类】TN104.3
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长余辉光致发光材料铝酸锶铕镝制备技术进展
Ｄｅ ｅ ｏ ｍ ｅ ｔ ｏ ｅ ａ ａ ｉ ｎ Ｔｅ ｈ ｌ ｇ ｆ Ｌｏ ｔ ｒ ｌ ｗ ｍ ｉ ｓ ｅ ｔ ｖ ｌｐ ｎ ｆ Ｐｒ ｐ ｒ ｔｏ ｃ ｎｏ ｏ ｙ ｏ ｎｇ Ａｆ ｅ ｇ ｏ Ｌｕ ｎｅ ｃ ｎ
Ｍｅｅｉｌ ｒ Ｉ ４ ｔｒ Ａ ２ ：Ｅ 抖 材料又叫蓄能 发光材料 ， 是光致 发光材料 的一 种。它能在外界光源照射 的情 况下储存能 量 ， 然后在激 发光停 止辐射后 ． 持续地将这部 分能量 以光的形式 释放 出来 。早 期的 长余辉材料 多为硫化物基质 ， 由掺入铜 等金属 离子形成 发光 中
心 而制 成 。其 易 潮解 、 老 化 性 差 、 辉 时 间 短 等 缺 点 较 大 程 度 抗 余 地 限制 了长 余 辉 材 料 的 应 用 。 １９ ９ ６年 Ｔ Ｍａｓｚｗ ［ 道 了 ｔｕａ ａ 报 ＳＡｌ ： ｕ ， 的 长 余 辉 特性 ， 。 （ Ｅ Ｄ 自此 ， 土 长 余 辉 材 料 的 稀 研 究 进 人 了一 个 新 的 阶 段 ６。 到 目前 为 止 ． ｒ ） Ｅ ， ］ ＳＡ１ ｜： ｕ （ Ｄ： 广 以其 发光 强 度 高 、 辉 时 间 长 、 学 性 质 稳 定 、 色环 保 等 余 化 绿
长余辉 光致发 光材料 铝酸锶铕 镝制 备技 术进展 ／ 袁
莉等
长 余 辉 光 致 发 光 材 料 铝 酸 锶 铕 镝 制 备 技 术 进 展
袁 莉 ，周 洪 庆 施 建 珍 方靖 淮 王 宇光 ， ， ，
（ 南 通 大 学 理学 院 ， 通 ２ ６０ ； 南 京 工 业 大 学 材 料 科 学 与 工 程学 院 ， 京 ２ ００ ） １ 南 ２０７２ 南 １０ ９ 摘 要 综 述 了稀 土 长余 辉 发 光 材 料 铝 酸 锶铕 镝 制 备技 术 的研 究现 状 ，着 重介 绍 了 高温 固相 反 应 法 、 胶 一 胶 溶 凝
离子源辅助中频磁控溅射制备aln薄膜
离子源辅助中频磁控溅射制备aln薄膜最近，离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜发展迅速，其具有良好的物理和化学性质为其应用提供了可能性。
因此，了解离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜的性质和机制对这一技术的发展至关重要。
一、磁控溅射制备AlN薄膜的原理磁控溅射技术一般由以下三个部分组成：一种活性材料的气体化、活性材料的磁场监督和活性材料的基体表面蒸发溅射。
受磁场（永磁体形成的外部磁场）的控制，运动中的原子和分子电离带被磁化并提供能量，从而溅射目标表面。
用于化学制备AlN薄膜的材料一般是氨和AlCl。
二、AlN膜的应用AlN膜是一种半导体功能材料，在激光器件、显示器、电路的制备上有重要作用。
由于其高绝缘性、高可塑性、热稳定性、光学性质优异以及相对介质表面带荷能力强等特点，使得AlN膜在微波电子、气体传感器和微细加工等领域的应用也越来越广泛。
三、离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜的基本要素（1）气相材料：使用一种或多种气体作为靶表面覆盖膜材料的组成材料，可以使用氯气、氨气、氢气、氩气、氧气或空气，也可以将多种气体混合在一起使用。
（2）电源：使用变频或中频电源，使外部磁场的频率与提供的动能态C峰的频率一致，可保证更准确的溅射控制能力。
（3）永磁体：有助于形成宽的磁化圧的外部磁场，可以调节离子溅射体芯群的大小和形状，为精确制备AlN薄膜提供条件。
（4）计算机控制系统：该系统用于校准磁控溅射设备和控制蒸发层厚度和组成，这是AlN薄膜性质精确控制的关键步骤。
四、影响AlN薄膜制备质量的因素（1）原料选择：原材料的纯度越高，就越容易形成纯净的AlN膜，对制备高质量的AlN膜至关重要。
（2）外部磁场的强度越大，得到的样品表面粗糙度就越低，加工出的AlN薄膜电阻率也越高。
（3）某些参数的改变，如靶表面距离源体距离、电离体及基体温度等也会影响AlN膜的制备质量。
五、结论在这里，我们讨论了离子源辅助中频磁控溅射制备AlN薄膜的原理和要素以及其应用及影响AlN膜制备质量的因素。
铝酸锶稀土长余辉发光材料的制备与性能表征的开题报告
铝酸锶稀土长余辉发光材料的制备与性能表征的开
题报告
1. 研究背景
长余辉发光材料是一种将能量转化为可见光的材料，具有广泛的应
用前景，如夜光表、荧光屏幕等。
铝酸锶稀土长余辉发光材料具有发光
强度高、发光效率高等优点，因此成为近年来研究的热点之一。
2. 研究内容
本研究的主要内容为铝酸锶稀土长余辉发光材料的制备与性能表征。
具体研究步骤如下：
（1）制备铝酸锶稀土长余辉发光材料。
采用固相反应法，以氯化铝、氯化锶、氯化稀土等化合物为原料，经过一系列的干燥、煅烧、退火等
步骤，制备出铝酸锶稀土长余辉发光材料。
（2）对样品进行性能测试。
通过荧光光度计、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等方法，对铝酸锶稀土长余辉发光材料的发光强度、结晶形态、微观形貌等性能进行测试和表征。
（3）分析材料的发光机理。
通过对样品的结构、组成等进行分析，探究铝酸锶稀土长余辉发光材料的发光机理。
3. 研究意义
本研究可以为铝酸锶稀土长余辉发光材料的实际应用提供基础研究
数据，为探索新型发光材料提供借鉴和参考。
同时，铝酸锶稀土长余辉
发光材料具有广泛的应用前景，例如应用于夜光表等领域，可以提高产
品的品质和附加值。
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射 频 磁 控 溅射 制 备 铝 酸锶 长余 辉 发 光 薄 膜 ＊
谢 伟， 梁 枫， 邹 长伟 ， 唐 美蝶 ， 邵 乐喜
５ ２ ４ ０ ４ ８
湛 江 师 范学 院物 理科 学 与 技 术 学 院 ， 广东 湛江
摘
要： 采用射 频磁 控溅 射法在 Ｓ ｉ （ １ ０ ０ ） 衬底上制 备稀土掺 杂铝酸锶薄膜 ， 在 ９ ０ ０℃ 和 １ １ ０ ０℃下 、 弱 还
滞后 ， 目前 有 报 道ｌ ＿ ｌ ， 将 长 余 辉 薄 膜 应 用 于二 维 温 度传感 器 中 ， 利 用 不 同温 度 下 余 辉性 能 的差 异 来 监
测温度 的变 化． 长远来 看 ， 可 以将 长余 辉薄 膜应 用 于
微纳 光 电子器 件 、 薄 膜 太 阳 电池 、 显 示 材 料 及 器件 、
收 稿 日期 ： ２ ０ １ ３ — ０ ２ — ０ ６
＊基 金 项 目 ： 湛 江 师范 学 院青 年 项 目 （ ＱＩ １ ０ ２ ０ ） ； 广 东 省 大学 生创 新 创 业 训 练 计 划 （ １ ０ ５ ７ ９ １ ２ ０ １ ４ ）
作者简介 ： 谢伟 （ １ ９ ８ ４ 一 ） ， 男， 安徽合肥人 ， 实验 师， 硕士．
。生物 工程 等领域 中．
本文采 用 射频磁 控溅 射 ， 在Ｓ ｉ （ １ Ｏ Ｏ ） 衬底 上制 备 稀土 掺杂 铝酸 锶 长余 辉 发 光 薄 膜 ， 研 究 了不 同退 火 温度 下薄膜 物相 的变 化 ， 观察 了薄膜 的表 面形 貌 ， 并
统， 在Ｓ ｉ （ １ ０ ０ ） 衬 底上制 备 长余辉 薄 膜 ， 本底 真 空 度
然后 将上 述原 料放 人 球磨 机 中球 磨 ２ ４ ｈ ， 使各 原料 均匀 混合 后装 入 刚玉坩 埚 内， 在 １ ２ ０ ０℃ 下 预烧 ４ ｈ 后 随炉冷 却 ， 取出、 粉碎 ， 再次 球磨 ２ ４ ｈ ， 之后压 成 直
径为 ６ ０ ｃ ｍ、 厚度 为 ３ ｍｍ 的 圆片 ， 在 １ ４ ０ ０℃ 高温 下
为 ６× １ Ｏ Ｐ ａ ， 溅 射 气 体 为 高 纯 Ａｒ气 （ 纯 度 为
对不 同物相结构的薄膜进行了光致发光和余辉性能
的研 究．
９ ９ ． ９ ９ ９ ９ ／ ６ ） ， 工作气 压 为 １ ． ０ Ｐ ａ ， 功 率为 ２ ０ ０ Ｗ， 溅 射
时间为 ３ ０ ｍｉ ｎ ， 衬底 温 度 为 ２ ０ ０℃． 溅射完毕后， 冷 却 至 室温 ， 取 出薄 膜样 品 ， 再 放 人 管式３ 期
材
料
研
究
与
应
用
Ｖ ｏ１ ．７， Ｎｏ ．３ Ｓｅ ｐ ｔ．２ ０１ ３
２ ０ １ ３年 ９ 月
Ｍ ＡＴＥ ＲＩ ＡＩ Ｓ ＲＥＳ ＥＡＲＣＨ ＡＮＤ ＡＰＰ Ｉ Ｉ ＣＡＴ１ ０Ｎ
文章 编 号 ： １ ６ ７ ３ — ９ ９ ８ １ （ ２ ０ １ ３ ） ０ ３ — ０ １ ８ ８ — ０ ５
中 图分 类 号 ： ０４ ８ ２ ． ３ 文献 标 识 码 ： Ａ
长余 辉 发光材 料是 一种 可 以吸收太 阳光 并 对外
发 光 的新 能 源材料 ， 由于其有 吸光 蓄光 的特 点 ， 一 直
１ 实 验 部 分
１ ． １ 靶材 和 薄膜制 备 采用高温 固相法 制备靶 材． 首先根据 Ｓ ｒ ４ Ａ １ （ ） ２ ： Ｅ ｕ ， Ｄ ｙ 化学 计 量 比例 ， 准确称取 Ｓ ｒ Ｃ Ｏ。 （ 分 析 纯） 、 Ａｌ ２ Ｏ３ （ 分 析纯 ） 、 Ｅ ｕ ２ Ｏ ３ （ 纯度为 ９ ９ ． ９ ９ ／ ６ ） 及
原气氛 中退火 ， 分别 得到 Ｓ ｒ ＡＩ 。 Ｏ ： Ｅ ｕ ， Ｄ 和Ｓ ｒ ４ Ａ１ Ｏｚ ｓ： Ｅ ｕ ， Ｄ ｆ。 。 长余辉发 光薄膜． 结果 表 明： Ｓ ｒ Ａ１ ｚ ０ ４ 结构是形成 ｓ ｒ Ａ １ （ ） ２ 相结构 的中间相 ； 在 ３ ６ ０ ｌ １ ｍ激发光 激发下 ， Ｓ ｒ Ａ１ ０ ： Ｅ ｕ ， Ｄ ｆ。 。 薄 膜 发光峰位于 ５ １ ７ ｎ ｍ处左右 ， 发光强度相对略高于 ｓ ｒ Ａ ｌ ０２ ｓ： Ｅ ｕ ， Ｄ ｆ’ 。 薄膜 ， 且后 者发光峰位 于 ４ ９ ０ ｎ ｍ处左右 ； Ｓ ｒ ４ Ａ１ ｌ ４ Ｏ２ ５： Ｅ ｕ ， Ｄ ｆ’ 。 薄膜的余辉 性能优于 Ｓ ｒ Ａ１ ２ Ｏ４： Ｅ ｕ ， Ｄ ｆ 薄膜． 关键词 ： 磁 控溅 射 ； 铝酸锶 ； 长余辉 ； 薄膜
置 于弱 还原 气 氛 中 （ Ｈ。和 Ｎ。 气 体 的体 积分 数 分 别 为 １ Ｏ 和 ９ ０ ） 保温 ４ ｈ后 随 炉 冷却 ， 取 出 即 可 得 到 稀土掺 杂铝 酸锶 长余 辉靶 材． 用 国产 Ｆ Ｊ Ｌ ５ ６ ０ Ｉ Ｉ 型 超 高 真 空 多 靶 磁 控 溅 射 系
究 ． 由于铝 酸盐体 系 的 发光 材 料具 有 亮 度较 高 、
余 辉 时间较 长等特 点 ， 因此 广泛地 应用 于 暗处 照 明 、 工 艺 品及外 墙涂 料 等 中． 一 般 是将 铝 酸盐 长 余 辉 发 光粉体 经球 磨 后 与有 机 物 浆 料混 合 并 涂 抹 成厚 膜 ， 以实 现 自发 光 功能 ． 但 长 余 辉 薄 膜 的应 用 相 对 较 为
Ｄ ｙ Ｏ 。 （ 纯度 为 ９ ９ ． ９ ） 原料 和 少许 助 溶剂 Ｈ Ｂ Ｏ 。 ．
以来受 到广 泛关 注＿ １ ＿ ３ ＿ ． 早期 的长余辉 发 光材 料 主要 为硫化 物体 系 ， 由于其 化学稳 定性 较差 ， 且对 环 境 造
成 污染 ， 因此 应 用 受 到 限制． 近 年来 ， 稀土 掺 杂 铝 酸 盐 和 硅 酸 盐 长 余 辉 发 光 材 料 得 到 了 广 泛 地 研