1.碳化硅加工工艺流程
碳化硅微粉生产工艺
碳化硅微粉生产工艺
碳化硅微粉是一种重要的功能材料，具有高硬度、高热稳定性、耐腐蚀性和优异的力学性能等特点，广泛应用于陶瓷、涂料、橡胶、磨料等领域。
下面将简要介绍碳化硅微粉的生产工艺。
碳化硅微粉生产工艺主要包括原料选取、研碎、分类、去杂、干燥和包装等步骤。
首先，选择高纯度的硅和石墨作为主要原料，硅含量通常在98%以上，同时控制其他杂质成分的含量。
原料的高纯度和合
适的成分对最终产品的质量有着重要的影响。
然后，将选取的原料进行研碎。
首先将硅和石墨经过预处理，包括清洗和破碎等步骤，然后利用砂磨机进行研磨。
研磨过程中需注意控制研磨时间和研磨介质的选择，以获得所需的碳化硅微粉尺寸。
接下来是对研碎后的材料进行分类。
通过筛分或气流分级等方法，将研碎后的材料按照粒度分级，筛选出所需尺寸的碳化硅微粉。
随后，进行去杂处理。
这一步骤主要是对粉体材料进行酸洗或碱洗处理，以去除杂质、氧化物等不纯物质，以提高产品的纯度。
然后，对去杂后的碳化硅微粉进行干燥处理。
通常采用烘箱或流化床干燥器进行干燥，以去除水分和其他挥发性物质，确保
产品的稳定性和质量。
最后，进行包装。
将干燥好的碳化硅微粉进行包装，通常采用塑料袋或桶装包装，确保产品在储存和运输过程中不受污染和损坏。
总结起来，碳化硅微粉生产工艺包括原料选取、研碎、分类、去杂、干燥和包装等步骤。
合理控制每一步的参数和工艺条件，可以获得高纯度、均匀粒度的碳化硅微粉产品。
碳化硅烧结工艺技术
碳化硅烧结工艺技术碳化硅烧结工艺技术是一种先进的制备方法，它可以制备出高质量、高性能的碳化硅材料。
碳化硅烧结工艺技术主要包括原材料的选取、混合、成型、烧结和后处理等环节。
下面将对这些环节进行详细介绍。
一、原材料的选取碳化硅烧结工艺技术需要选择高纯度的碳化硅粉末和适当比例的添加剂。
其中，碳化硅粉末应该具有较高的纯度和细度，以保证最终制备出来的碳化硅材料具有优异的物理性能。
添加剂可以起到促进烧结过程中颗粒之间互相结合的作用，同时也可以控制晶粒尺寸和形态。
二、混合将选好的原材料进行混合是制备高质量碳化硅材料不可缺少的步骤。
混合过程中需要注意掌握好添加剂与碳化硅粉末之间比例和均匀性，以保证最终制备出来的样品具有均匀性和稳定性。
三、成型成型是将混合好的原材料进行压缩成所需形状和尺寸的过程。
常用的成型方法包括等静压、注塑、挤压等。
其中，等静压是最常用的成型方法，它可以制备出具有高密度和均匀性的碳化硅材料。
四、烧结烧结是将成型好的样品在高温下进行加热处理，使得颗粒之间相互结合形成致密的材料。
在烧结过程中需要掌握好温度、时间和气氛等参数，以保证最终制备出来的样品具有良好的致密性和机械性能。
五、后处理后处理是对制备好的碳化硅材料进行表面处理和加工加工，以满足实际应用需求。
常用的后处理方法包括抛光、涂层、激光切割等。
其中，抛光可以提高样品表面质量和光学性能；涂层可以提高样品耐腐蚀性能；激光切割可以制备出具有复杂形状和高精度尺寸的碳化硅器件。
总之，碳化硅烧结工艺技术是一种先进的制备方法，它可以制备出高质量、高性能的碳化硅材料。
在具体操作过程中需要注意掌握好原材料的选取、混合、成型、烧结和后处理等环节，以保证最终制备出来的样品具有优异的物理性能和应用性能。
碳化硅mosfet工艺制备过程
碳化硅MOSFET工艺制备过程1. 碳化硅简介碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种半导体材料，具有优异的物理和化学性质，被广泛应用于各种高温、高电压和高频率的电子器件中。
碳化硅MOSFET是一种基于碳化硅材料制备的金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
2. 制备过程概述碳化硅MOSFET的制备过程可以概括为以下几个步骤：1.硅衬底制备：选择高质量的硅衬底（Substrate），通常采用氮化硅或者氮化铝作衬底材料。
2.基底表面处理：对硅衬底进行化学处理，去除表面的氧化物和杂质，使基底表面变得干净平整。
3.硅衬底清洗：采用酸碱处理方法对硅衬底进行清洗，去除表面的有机和无机杂质，并提高衬底的电学性能。
4.硅衬底极柱制备：在硅衬底表面通过光刻和化学腐蚀等工艺步骤制备出硅衬底极柱（epi layer），用于形成MOSFET的源极和漏极。
5.氧化层形成：在硅衬底表面形成一层氧化层（Oxide Layer），通常采用湿法或干法氧化方法。
6.金属栅极制备：在氧化层表面通过物理气相沉积（PECVD）或热蒸发等方法，沉积金属薄膜，形成金属栅极（Gate Electrode）。
7.掩膜形成：通过光刻和蒸发等技术，制备出用于定义源极和漏极等结构的金属掩膜。
8.掺杂处理：采用离子注入或物理气相沉积等方法，向硅衬底中引入杂质，形成源极、漏极和通道区域，从而改变材料的导电性质。
9.金属电极制备：沉积金属薄膜并通过光刻和蒸发等工艺步骤制备源极和漏极等电极结构。
10.金属化层制备：通过蒸发和光刻等工艺，制备出金属化层，用于连接MOSFET的各个电极。
3. 制备过程详解3.1 硅衬底制备碳化硅MOSFET的制备过程通常从硅衬底的选择开始。
硅衬底材料应具有良好的晶体质量和电学性能，以确保器件的稳定性和性能。
目前常用的硅衬底材料有氮化硅和氮化铝。
选择合适的硅衬底材料是确保碳化硅MOSFET制备成功的关键。
3.2 基底表面处理硅衬底经过切割和打磨等工艺后，表面可能存在一些氧化物和杂质。
碳化硅陶瓷工艺流程
碳化硅陶瓷工艺流程概述碳化硅陶瓷是一种高性能材料，具有优异的耐磨、耐高温、耐腐蚀等特性。
它在许多工业领域，如电子、化工、航空等都有广泛应用。
本文将介绍碳化硅陶瓷的工艺流程，包括原材料准备、成型加工、烧结处理等过程。
原材料准备碳化硅陶瓷的主要原材料是碳化硅粉末。
碳化硅粉末一般由石墨和二氧化硅粉末反应得到。
在准备碳化硅粉末之前，需要对石墨和二氧化硅进行粉碎和筛分，以获得较细的颗粒。
碳化硅粉末的质量对最终产品的性能有很大影响，所以在准备过程中需要控制粉末的粒径和纯度。
通常，采用球磨机对石墨和二氧化硅进行混合、研磨，然后用筛网进行分级，得到所需的碳化硅粉末。
成型加工碳化硅陶瓷的成型加工通常包括压制和注塑两种方法。
压制方法压制是最常用的成型方法之一。
首先，将碳化硅粉末和一定比例的有机添加剂混合，在高速混合机中进行均匀的混合。
然后，将混合料放入压制机中，在高压作用下，使其成型。
压制机通常采用冷压或等静压的方式，以确保成型体的均匀和密实。
注塑方法注塑是一种适用于复杂形状制品的成型方法。
注塑机通过将已经混合的碳化硅粉末和有机增塑剂加热熔融，在一定压力下喷射到模具中。
然后冷却，使其固化成型。
烧结处理烧结处理是碳化硅陶瓷工艺的关键步骤，通过热处理使得成型体形成致密的结构。
预烧结首先，将成型体放入预烧炉中。
在预烧炉中，通过逐渐升温，使得有机物燃烧，碳化硅粒子开始结合。
预烧结的目的是去除有机物，并固化碳化硅。
烧结经过预烧结后，将固化的成型体放入烧结炉中。
烧结炉中会提供高温的环境，使得碳化硅粒子之间发生再结合，形成致密的结构。
通常，烧结温度要高达2000℃以上，以确保碳化硅的高密度和高强度。
退火处理烧结后的碳化硅陶瓷可能存在一些内部应力和缺陷。
为了减少这些应力和缺陷，需要进行退火处理。
退火时，将已经烧结的陶瓷制品放入退火炉中，在一定温度下保持一段时间，然后慢慢冷却。
通过退火，可以提高碳化硅陶瓷的机械性能和热性能。
表面处理表面处理是对已经成型和烧结的碳化硅陶瓷进行的最后一道工序。
碳化硅纤维织造工艺流程
碳化硅纤维织造工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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碳化硅制作工序
碳化硅的制作工序主要包括以下几个步骤：
1. 原料准备：通常使用硅砂和碳粉作为主要原料。
硅砂经过筛选、清洗等处理，以去除杂质。
碳粉可以是木炭、石墨或其他含碳物质。
2. 配料：将硅砂和碳粉按照一定比例混合，以确保最终产品的化学成分符合要求。
3. 反应：将混合好的原料放入高温反应炉中，在一定的温度和压力条件下进行反应。
在这个过程中，硅砂和碳粉会发生化学反应，生成碳化硅。
4. 提纯：反应生成的碳化硅中可能会含有杂质，需要通过提纯步骤去除。
这可以通过物理方法（如浮选、磁选等）或化学方法（如酸洗等）来实现。
5. 粒度调整：根据最终产品的要求，可以对提纯后的碳化硅进行粒度调整。
这可以通过破碎、研磨等方式来实现。
6. 包装：将调整好粒度的碳化硅进行包装，以方便储存和运输。
以上是碳化硅制作的一般工序，具体的生产过程可能会因厂家和产品要求的不同而有所差异。
碳化硅制作工序
碳化硅制作工序
碳化硅制作工序包括以下几个步骤：
1. 原料准备：选择高纯度的硅和碳粉作为原料。
硅通常以硅粉或硅块的形式存在，而碳粉则可以通过碳化硅的回收利用或碳化剂与硅反应得到。
2. 混合和研磨：将硅和碳粉按照一定比例混合，并进行研磨以达到均匀混合的效果。
这一步骤旨在获得均匀的硅碳混合物。
3. 成型：将混合好的硅碳粉末放入模具中，然后进行压制。
常用的成型方法有压制成型、注射成型和挤压成型等。
4. 烧结：将成型好的硅碳坯体置于高温炉中进行烧结。
烧结温度一般在2000-2500摄氏度之间，并在惰性气氛下进行。
烧结过程中，硅和碳发生反应，生成碳化硅晶体。
5. 加工和整形：经过烧结的碳化硅坯体需要进行加工和整形，以获得所需的最终产品形状。
常见的加工方法包括切割、研磨、车削等。
6. 表面处理：根据具体需要，对碳化硅制品进行表面处理，如抛光、镀膜等。
7. 检验和包装：对制作好的碳化硅制品进行质量检验，确保产品符合要求。
然后进行包装和存储，准备发货或储存。
半导体碳化硅的工艺流程
半导体碳化硅的工艺流程嘿，大家好，我是小张，今天咱们就来聊聊这个半导体碳化硅的工艺流程，这可是个高大上的话题，不过别怕，咱们慢慢来。
那天，我跟着师傅在实验室里，他给我介绍碳化硅的制造过程，我听得津津有味。
首先，碳化硅这东西，它的原料是碳和硅，听起来是不是很简单？但其实，加工它们的过程可复杂了。
“小张，你看，这就是我们的碳化硅原料。
”师傅指着那些黑不溜秋的粉末说，“这些粉末得经过高温烧结，才能变成有用的碳化硅。
”“高温烧结？那得多热啊？”我好奇地问。
“可不是嘛，得达到2000度以上呢。
”师傅笑着说，“不过别怕，我们有专业的设备，保证安全。
”接下来，师傅带我参观了烧结炉，那东西长得像个大锅，里面烧得通红的，碳和硅的粉末一进去，就“嗡嗡嗡”地响，就像是在开音乐会似的。
“这就是碳化硅晶体的诞生过程。
”师傅指着炉子里那些开始融化的粉末说，“等这些粉末变成晶体，我们的工作才算是正式开始。
”然后，就是切割和磨削。
碳化硅晶体硬得很，得用专门的工具来切割。
师傅说，这可是个技术活，一不小心就会裂开。
“你看，这就是切割机。
”师傅指着那个大家伙说，“它得用高速旋转的金刚石刀片来切割。
”切割好之后，就是磨削，把碳化硅表面磨得光滑，这个过程更是讲究耐心和细心。
“小张，来，你试试磨削。
”师傅递给我一个磨刀，我小心翼翼地磨着，一边磨一边跟师傅聊天。
“师傅，这个碳化硅有什么特别的地方吗？”我好奇地问。
“特别的地方多了。
”师傅顿了顿，“它耐高温、抗氧化，是制造半导体器件的好材料。
”我听了，心里一阵激动，看来这个碳化硅还真是挺厉害的。
“而且，它还能提高电子器件的性能。
”师傅继续说，“现在很多高端设备都用得上它。
”“哇，那得多贵啊！”我不禁感叹。
“贵是贵，但是市场需求大。
”师傅说，“现在这东西越来越受欢迎了。
”聊着聊着，磨削也结束了。
师傅带我去看那些磨好的碳化硅，一个个光滑亮堂，像镜子一样。
“怎么样，小张？”师傅问。
“不错，师傅。
”我说，“碳化硅的制造过程可真不简单。
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碳化硅加工工艺流程一、碳化硅的发展史：1893年艾奇逊发表了第一个制碳化硅的专利，该专利提出了制取碳化硅的工业方法，其主要特点是，在以碳制材料为炉芯的电阻炉中通过加热二氧化硅和碳的混合物，使之相互反应，从而生成碳化硅，到1925年卡普伦登公司，又宣布研制成功绿碳化硅。
我国的碳化硅于1949年6月由赵广和研制成功，1951年6月，第一台制造碳化硅的工业炉在第一砂轮厂建成，从此结束了中国不能生产碳化硅的历史，到1952年8月，第一砂轮厂又试制成功了绿碳化硅。
随着国民经济的发展，我国又相继发展了避雷器用碳化硅、立方碳化硅、铈碳化硅及非磨料碳化硅。
到1969年第一砂轮厂、第二砂轮厂建成4000KW、3000KW的活动式电阻炉，显著提高了机械化程度，大大改善了作业环境。
1980年第一砂轮厂建造了我国第一台特大型电阻炉—8000KW；就我们一车间7750KW 的冶炼炉在当时也算特大型电阻炉，到现在30000KW的电阻炉已不算稀奇，所以说碳化硅的发展速度是相当快的。
二、碳化硅的分类：（黑碳化硅、绿碳化硅）通常按碳化硅的含量进行分类，含量越高、纯度越高、它的物理性能越好。
一般来讲：含量在95%——98%为一级品，含量在98%以上的为特级品、含量在80%——94%为二级品、含量在70%左右为三级品，碳化硅的含量及纯度越高其价值也就越大。
[化学成份：主要杂质有：游离硅（），它一部分溶解在碳化硅晶体中，一部分与其它金属杂质（铁、铝、钙）呈金属状态存在。
游离二氧化硅（）通常存在于晶体表面，大都是由于冶炼碳化硅电阻炉冷却过程中，碳化硅氧化而形成。
正常的情况下，绿碳化硅结晶块表面的游离硅，二氧化硅的含量为%左右，当配料中二氧化硅过量时，二氧化硅会蒸发凝聚在碳化硅晶体表面上，呈白色绒毛状。
碳：（C），当配比碳过量时，看到明显的游离状态的碳粒。
铁、铝、钙、镁由于炉内产品高温及还原性气氛，结晶块中的这些杂质大都呈合金状态或碳化物状态。
碳化硅磨料的化学成分；随着磨料粒度的变化略有波动，粒度越细，纯度越低。
（为什么呢杂质出来了）化学性质：耐高温，抗氧化性能好。
物理性能：介于刚玉和金刚石之间，硬度高、耐磨，粒度越细，机械强度越高，抗碎，韧性强。
导电性能：工业碳化硅是一种半导体，但其随着各种杂质的含量不同，导电性也随之发生变化，含铝较多时导电性显著增大，虽电场强度的增大而迅速提高，而且有非线性变化的特点。
碳化硅的这一特性被用于制作避雷器阀片。
碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性是相反的，随温度升高到一定时值时、出现峰值，继续升高温度时，导电率又会下降。
三、碳化硅的用途：\1、磨料--主要是因为碳化硅具有很高的硬度，化学稳定性和一定的韧性，所以碳化硅能用于制造固结磨具、涂附磨具和自由研磨，从而来加工玻璃、陶瓷、石材、铸铁及某些非铁金属、硬质合金、钛合金、高速钢刀具和砂轮等。
绿碳化硅具较高的硬度和一定的韧性；多用于磨加工光学玻璃、硬质合金、钛合金以及轴承钢的研磨抛光、高速钢刀具的刃磨等。
黑碳化硅多用于切割和研磨抗强度低的材料，如；有色金属、灰铸铁工件、玻璃、陶瓷、石材和耐火制品；微粉磨料专用于轴承的超精磨、其特点是磨削效率和精度高。
2、耐火材料和耐腐蚀材料---主要是因为碳化硅具有高熔点（分解温度）、化学惰性和抗热振性，所以碳化硅能用于磨具、陶瓷制品烧成窑炉中用的棚板和匣钵、炼锌工业竖缸蒸馏炉用的碳化硅砖、铝电解槽衬、坩锅、小件炉材等多种碳化硅陶瓷制品。
碳化硅具有很好的抗热震性能，因此是一种优质耐火材料，按制品的生产工艺不同可分为再结晶碳化硅、制品、高温热压制品、以氮化硅或粘土为结合剂的制品等，主要产品及用途有；高温炉窑构件、支撑件、如匣体衬板等，在电炉中作加热式炉底、换热器、热电偶套管等；炼铁高炉用于出铁槽，铁水包内衬或碳化硅耐火砖等，焦化厂使用碳化硅材料衬砌炽热焦炭用流槽，砌筑碳化室炉底等。
3、冶金行业和化工行业：在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。
因为碳化硅可在溶融钢水中分解并和钢水中的游离氧、金属氧化物反应生成一氧化碳和含硅炉渣。
所以它可作为冶炼钢铁的净化剂，即用作炼钢的脱氧剂和铸铁组织改良剂；多用于各种冶炼的耐火内衬，炼钢脱氧剂，铸铁组织改良等；比焦炭、硅粉等传统炼钢脱氧剂效果好，可使钢材质量提高；电工行业：多用于电热原件高温半导体材料、远红外线板，避雷器阀片材料等。
化工行业利用碳化硅的稳定性制作各种化工管道、阀门等。
用于电镀法将碳化硅微粉涂敷于汽（水）轮机叶轮上，可以大大提高叶轮的耐磨性能，由于碳化硅具有优良的高温强度和抗氧化性能，它以成为高温非氧化物陶瓷的主要原材料。
一般使用低纯度的碳化硅，以降低成本。
同时还可以作为制造四氯化硅的原料。
四、碳化硅产品加工工艺流程1、制砂生产线设备组成制砂生产线由颚式破碎机、对辊破碎机、球磨机、清吹机、磁选机、振动筛和皮带机等设备组合而成。
根据不同的工艺要求，各种型号的设备进行组合，满足客户的不同工艺要求。
2、制砂生产线基本流程首先，原料由粗碎机进行初步破碎，然后，产成的粗料由皮带输送机输送至细碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工，再经过清吹机除游离碳，磁选机除磁性物，最后经过振动筛筛分出最终产品。
—3、制砂生产线性能介绍该制砂生产线自动化程度较高，工序紧凑，操作简便，配套合理，运行成本低，生产率高，节能，产量大，污染较少，维修简便,生产出的成品砂符合国家标准，粒度均匀,粒形较好，各粒度段分布较为合理。
4、制砂生产线特点和优势1，投资仅为同等处理能力常规生产线的1/3—1/5。
2，每吨砂生产成本仅为常规生产线的1/3—1/4。
3，生产自动化程度较高，每班生产人员为湿法制砂一半以下。
4，投资回收期短，一般3个月可收回投资。
五、碳化硅破碎工艺方案选择1、破碎工艺流程的选择，首先是确定破碎段数，这取决于最初给料粒度和对最终破碎产品的粒度要求。
一般情况下，只经过初级破碎是不能生产最终产品的。
（三级品破碎除外）、最初给料粒度与冶炼分级方法及分级产品的入库保存方式有关；最终破碎产品粒度主要取决于破碎之后的产品工艺要求及现场的设备工艺水平有关。
2、破碎段一般分为：一段法、二段法、三段法和四段法；一段法主要是初级破碎：即采用颚破、锤破进行破碎；而且锤破只能破碎硬度较小的三级品。
产品粒度一般在0-30mm至0-50mm。
锤破产品不经过筛分粒度一般在0-10mm左右。
二段法主要是初级破碎加上中级破碎：即采用颚破进行初级破碎后，使用对辊破、锤破、反击破等大中型破碎机进行中级破碎，然后得到最终产品，对辊破产品粒度一般在0-30mm左右。
锤破、反击破产品不经过筛分粒度一般在0-10mm左右。
三段法主要是初级破碎加上中级破碎，之后在进行精细破碎：即采用颚破进行初级破碎后，使用对辊破、锤破、反击破等大中型破碎机进行中级破碎，然后使用球磨机、巴马克破碎机、轮碾加工后等得到最终产品，不经过筛分粒度一般在0-5mm左右。
配合振筛可以得到0-1mm的产品，筛上物一般在10%-30%左右；巴马克破碎机的筛上物可以达到在30%-50%左右。
从产品的粒型来评价;轮碾最好，球磨机最差。
另外制粉加工也属于三段法：即初级破碎加上中级破碎，之后在进行雷蒙磨制粉加工。
四段法一种是在前面安排进行预先破碎，然后进行初级破碎、中级破碎，再进行精细破碎；另一种是初级破碎加上中级破碎，在进行精细破碎后再重新进行整形破碎：主要是球磨机加工后进行整形加工等得到最终产品，经过多次整形加工后得到最佳的产品粒型。
我厂的产品加工主要是二段法和三段法：即初级破碎采用颚破，中级破碎采用对辊破、锤破，精细破碎使用球磨机、巴马克、雷蒙磨加工后等得到最终产品。
六、我厂碳化硅加工部分产品加工工艺流程比较分析[1、典型0-1mm产品：首先，原料由颚式破碎机进行初步破碎，然后，产成的粗料由皮带输送机输送至对辊破碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入球磨机或锤式破碎机进行精细加工，最后经过振动筛筛分出最终产品。
有磁性物要求的产品，还要使用磁选机除磁性物。
最终，加工出来的产品经过产品化验符合技术指标后，正式封袋入库。
方案中不同主要是在使用球磨机或锤式破碎机进行精细加工；使用球磨机产品的粒型较好，产品加工过程中，粉尘可以很好的控制，但弊端在于：球磨机的使用费用较大，投入的设备较多，电费大。
使用锤破时产品的粒型较差，产品加工过程中，粉尘无法控制，更换锤头次数比较频繁，筛分过程中筛上物较多；但好处在于：锤破的使用费用较小，投入的设备较少，电费花费小。
2、80目以细或100目以细产品：首先，原料由颚式破碎机进行初步破碎，然后对辊破碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入球磨机或雷蒙磨进行精细加工，最后经过振动筛筛分出最终产品。
有磁性物要求的产品，还要使用磁选机除磁性物。
最终，加工出来的产品经过产品化验符合技术指标后，正式封袋入库。
方案中不同主要是在使用球磨机或雷蒙磨进行精细加工；使用球磨机产品的粒型较好，产品加工过程中，粉尘可以很好的控制，但弊端在于：球磨机的生产率较低，筛上物较多，筛分时损失较小。
使用雷蒙磨时产品的粒度较细，产品在筛分加工过程中，粉尘无法控制，筛上物较少，但筛分时损失较大。
3、典型3-5mm产品：首先原料由颚式破碎机进行初步破碎，然后对辊破碎机进行进一步破碎，细碎后的原料进入巴马克或锤式破碎机进行精细加工，最后经过振动筛筛分出最终产品。
有磁性物要求的产品，还要使用磁选机除磁性物。
最终，加工出来的产品经过产品化验符合技术指标后，正式封袋入库。
方案中不同主要是在使用巴马克或锤式破碎机进行精细加工；使用巴马克加工产品的粒型较好，产品加工过程中，粉尘可以很好的控制，但弊端在于：巴马克的使用费用较大，投入的设备较多，换巴马克锤头次数特别频繁，筛分时筛上物十分大，原料制备量大。
使用锤破时产品的粒型较差，产品加工过程中，粉尘无法控制，更换锤头次数比较频繁，筛分过程中筛上物较多；但好处在于：锤破的使用费用较小，投入的设备较少，原料制备量较大。
七、筛分技术简介机械筛分是目前筛分作业使用的主要筛分技术，振动筛设备的主要工作构件是筛面，目前广泛应用的是钢板冲孔筛和编织筛，这里我们将介绍下筛分的应用方面及一般的计算方法。
制砂加工中筛分技术的应用集中在以下两个方面，一是对原料中的杂质进行清理，二是将原料或产品按粒径进行分级，包括原料杂质清理、粉碎物料分级、制粒前的粉料杂质清理、制粒产品的分级。
加工过程中筛分效果的好坏对碳化硅加工产品的质量和产量具有相当重要的影响。
筛分效率及其影响因素1. 筛分效率筛分效率包括二个方面：应该留存筛面物料(预期筛上物)的筛上留存比例和应该通过筛面物料(预期筛下物)的筛上留存比例。