核辐射探测复习题第三章闪烁体探测器
核辐射探测器与核电子学期末复习题
《核辐射探测器与核电子学》期末考试复习题填空题（20分，每小题2分）a 粒子与物质相互作用的形式主要有以下 两种： 激发、电离Y 射线与物质相互作用的主要形式有以下 三种： 康普顿散射、光电效应、形成电子对B 射线与物质相互作用的主要形式有以下 四种： 激发、电离、形成离子对、形成电子 -空穴对、轫致辐射由Nal （TI ）组成的闪烁计数器，分辨时间约为：几卩s ;G - M 计数管的分辨时间大约为：一百卩s 。
电离室、正比计数管、 G-M 计数管输岀的脉冲信号幅度与 入射射线的能量 成正比。
半导体探测器比气体探测器的能量分辨率高， 是因为：其体积更小、其密度更大、其电离能更低、其在低温下工作使其性能稳定、 气体探测器有放大作用而使其输岀的脉冲幅度离散性增大由ZnS （Ag ）组成的闪烁计数器，一般用来探测 a 射线的强度由NaI （Tl ）组成的闪烁计数器，一般用来探测 丫、X 射线的能量、强度、能量和强度 电离室一般用来探测 a 、B 、Y 、X 、重带电粒子 射线的 能量、强度、能量和强度 。
正比计数管一般用来探测 B 、Y 、X 射线的 能量 G - M 计数管一般用来探测 a 、B 、Y 、 X 射线的 强度金硅面垒型半导体探测器一般用来探测 亠射线的能量、强度、能量和强度Si （Li ）半导体探测器一般用来探测 a 、B 、Y 、 X 射线的 能量、强度、能量和强度 HPGe 半导体探测器一般用来探测a 、B 、Y 、 X 、带电粒子、重带电粒子 射线的 能量对高能Y 射线的探测效率则主要取决于 探测器的有效体积 对低能Y 射线的探测效率则主要取决于 “窗”的吸收 G - M 计数管的输出信号幅度与工作电压无关。
前置放大器的类型主要分为以下 三种：电压型、电流型、电荷灵敏型 前置放大器的 两个主要作用是：提高信-噪比、阻抗匹配 。
谱仪放大器的 两个主要作用是：信号放大、脉冲成形滤波成效电路主要作用是：抑制噪声、改造脉冲波形以满足后续测量电路的要求微分电路主要作用是： 使输入信号的宽度变窄和隔离低频信号积分电路主要作用是：使输入信号的上升沿变缓和过滤高频噪声单道脉冲幅度分析器作用是：选择幅度在上下甄别阈之间的信号多道脉冲幅度分析器的道数（M ）指的是：多道道脉冲幅度分析器的分辨率谱仪放大器的线性指标包括： 积分非线性INL 、微分非线性DNL名词解释及计算题（10分，每小题5分）能量分辨率：表征Y 射线谱仪对能量相近的Y 射线分辨本领的参数，可用全能峰的半高宽度 FWHM 或相对半高宽度表示探测效率：定义为探测器输岀信号数量 （脉冲数）与入射到探测器（表面）的粒子数之比 仪器谱：由仪器（探测器）探测（响应）入射射线而输出的脉冲幅度分布图，是一连续谱 能谱：脉冲幅度经能量刻度后就可以得到计数率1.2.3. 4. 5. 6.7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 19. 20. 21.22.23.24.25.26.、1. 2. 3. 4. 5. 6.全能峰：入射粒子以各种作用方式（一次或多次）将全部能量消耗在探测器内而形成的仪器谱峰逃逸峰：若光电效应在靠近晶体表面处发生，则X射线可能逸岀晶体，相应的脉冲幅度所对应的能量将比入射光子能量小，这种脉冲所形成的峰称为全能峰7. 特征峰：许多放射源本身具有特征X射线它们在能谱上形成的峰为特征X射线峰8. 分辨时间：第一个脉冲开始到第二个脉冲幅度恢复到Vd的时间，该时间内探测器无法记录下进入计数管的粒子9. 死时间：入射粒子进入计数管引起放电后，形成了正离子鞘，使阳极周围的电场削弱，终止了放电。
核辐射探测复习资料B.
核技术 核探测复习材料 一、简答题：1．γ射线与物质发生相互作用有哪几种方式？（ 5分）答：γ射线与物质发生相互作用（1）光电效应 （2）康普顿效应（得2分）（3）电子对效应（得2分） 2．典型的气体探测器有哪几种？各自输出的最大脉冲幅度有何特点，试用公式表示。
（5分） 答：典型的气体探测器有（1）电离室（得1分）（2）正比计数管（得1分）（3）G-M 计数管（得1分）脉冲幅度：（1）电离室：C e w E v =（得1分）（2）正比计数管：Cew E M v ∙= （得0.5分）（3）G-M 计数管 最大脉冲幅度一样（得0.5分）3．简述闪烁体探测器探测γ射线的基本原理。
（5分）答：γ射线的基本原理通过光电效应 、 康普顿效应和电子对效应产生次级电子（得1分），次级电子是使闪烁体激发（得1分），闪烁体退激发出荧光（得1分），荧光光子达到光电倍增管光阴极通过光电效应产生光电子（得1分），光电子通过光电倍增管各倍增极倍增最后全部被阳极收集到（得1分），这就是烁体探测器探测γ射线的基本原理。
注：按步骤给分。
4．常用半导体探测器分为哪几类？半导体探测器典型优点是什么？（5分）答：常用半导体探测器分为(1) P-N 结型半导体探测器（1分）(2) 锂漂移型半导体探测器；（1分）(3) 高纯锗半导体探测器；（1分）半导体探测器典型优点是(1) 能量分辨率最佳；（1分）(2)射线探测效率较高，可与闪烁探测器相比。
（1分）5．屏蔽β射线时为什么不宜选用重材料？（5分）答：β射线与物质相互作用损失能量除了要考虑电离损失，还要考虑辐射损失（1分），辐射能量损失率222NZm E z dx dE S radrad∝⎪⎭⎫ ⎝⎛-= 与物质的原子Z 2成正比（2分），选用重材料后，辐射能量损失率必然变大，产生更加难以防护的x 射线（2分）。
故不宜选用重材料。
注：按步骤给分。
6．中子按能量可分为哪几类？中子与物质发生相互作用有哪几种方式。
核辐射测量原理复习
名词解释：1. 光电效应：光子被原子吸收后发射轨道电子的现象;2. 康普顿效应：γ光子与轨道电子相互作用使得γ光子只改变方向而不损失能量;3. 电子对产生效应：当r 光子能量大于时,r 光子经过与之相互作用的原子核附件时,与原子核发生电磁相互作用,r 光子消失而产生一个电子和一个正电子;4. 电子吸附效应：电子在运动过程中与气体分子碰撞时可能被分子俘获,形成负离子,这种现象称为电子吸附效应;5. 复合：电子和正离子相遇或者负离子和正离子相遇能复合成中性原子或中性分子;6. 漂移：电子和正离子在电场的作用下分别向正、负电极方向运动,这种定向运动叫做漂移运动;7. 平均电离能：带电离子在气体中产生一对离子所需的平均能量称为平均电离能;8. 轫致辐射：快速电子通过物质时,原子核电磁场使电子动量改变并发射出电磁辐射而损失能量,这种电磁辐射就是轫致辐射;9. 截面：单位面积单位时间粒子与靶核发生相互作用的概率;10. 活化：原子核吸收中子后,变成同一种元素的另一种核素,这种现象叫做活化;11. 真符合计数：时间上有关的事件产生的脉冲引起的符合计数称为真符合计数;12. 偶然符合计数：在时间上没有必然联系的事件产生的脉冲引起的符合计数称为偶然符合计数;13. 衰变常数：表示某种放射性核素的一个核在单位时间内进行衰变的概率;14. 碘逃逸峰：当r 射线在NaITl 晶体表面发生光电效应时,碘的KaX 射线很容易逃逸出晶体,形成一个碘逃逸峰;15. 本征效率：探测器记录到的射线数与入射到探测器灵敏体积内的γ光子数的比;16. 辐射损失率：电子在物质中通过单位长度路径,由于轫致辐射而损失的能量为辐射损失率;17. 电离损失率：入射粒子因原子的激发和电离在单位路径上引起的能量损失;18. 能量分辨率：探测器微分脉冲幅度分布谱中的特征峰半高宽与峰值所对应的脉冲幅度之比：0355.2E Fw V V =∆=η 探测效率：光子数源发射的记录到的脉冲数源γε= 光子数积内的入射到探测器灵敏区体记录到的脉冲数本征γε=19. 仪器谱：20. 能谱：记录粒子能量和单位能量间隔内计数的谱;21. 全能峰：入射γ射线能量全部损失在探测器灵敏体积内时,探测器输出的脉冲形成的谱峰;22. 逃逸峰：若高能γ射线与探测器物质发生电子对效应时,湮没辐射光子中的一个或者两个逃离探测器;23. 特征峰：若光电效应发生在表面,光电子被打出后,探测介质原子发射的特征X 射线可能逃出探测器,形成E=能量的峰,称为特征峰;24. 总效率：全谱内的计数与源发射的γ光子数之比;25. 峰总比：全能峰内的计数与全谱内的计数之比;26. 峰康比：全能峰中心道最大计数与康普顿连续谱平坦部分内平均计数之比;27. 源效率：记录到的脉冲数与源发射的γ光子数之比;28. 源峰效率：光子放射源放出的全能峰的计数γε=sp 29. 湮灭辐射峰：对较高能量的γ射线,当探测器周围的物质发生电子对产生效应时,湮没辐射产生的两个γ光子中,若其中一个进入探测器中就会产生一个能量为511KeV 的光电峰和康普顿连续谱,这个光电峰就是湮没辐射峰;30. 玻尔兹曼常数：×=×J/K31. 电离：带电粒子进入物质时和物质原子的轨道电子发生库伦相互作用,使入射带电粒子的能量转移给电子;若电子获得的能量较少,不足以克服原子的束缚,只是从较低能量状态上升到较高能量状态,则原子被激发;32. 激发：带电粒子进入物质时和物质原子的轨道电子发生库伦相互作用,使入射带电粒子的能量转移给电子;若电子获得了足够能量,将完全脱离原子的束缚而成为自由电子,则原子失去电子成为正离子,即原子被电离;33. 死时间：从脉冲的开始形成到计数管内电场恢复到能再维持放电的电场,这一段时间称为计数管的死时间;34. 恢复时间：从失效时间至电场恢复到能产生正常脉冲幅度所需的时间称为恢复时间;35. 分辨时间：计数管一次计数后恢复到再次计数的时间间隔;36. 渡越时间：光子到达光阴级的瞬间至阳极输出脉冲达到某一指定值之间的时间间隔;37. 时间分辨：探测器对两组相继发生的事件可以分辨开来的最小时间间隔,用时间谱的半高宽表示;填空题：1.α粒子与物质相互作用的形式主要有以下两种：弹性散射、电离和激发;2.γ射线与物质相互作用的主要形式有以下三种：康普顿散射、光电效应、电子对效应;3.β射线与物质相互作用的主要形式有以下四种：激发与电离、轫致辐射、弹性散射、正电子淹灭 ;4.由NaITl组成的闪烁计数器,分辨时间约为：零点几、几、十几、几十、几百μs；Ｇ-Ｍ计数管的分辨时间大约为：几百μs;5.电离室、正比计数管、G-M计数管输出的脉冲信号幅度与初始电离产生的离子对数成正比;与真别阈有关6.半导体探测器比气体探测器的能量分辨率高,是因为：其体积更小、其密度更大、其电离能更低、其在低温下工作使其性能稳定、气体探测器有放大作用而使其输出的脉冲幅度离散性增大 ;7.由ZnSAg组成的闪烁计数器,一般用来探测α射线的能量和强度;8.由NaITl组成的闪烁计数器,一般用来探测γ射线的能量和强度;9.电离室一般用来探测带电粒子射线的能量和强度 ;10.正比计数管一般用来探测α、β、γ、X、带电粒子、重带电粒子射线的能量、强度、能量和强度 ;11.Ｇ-Ｍ计数管一般用来探测α、β、带电粒子射线的强度;12.Ｇ-Ｍ计数管的输出脉冲幅度与入射粒子的种类无关;13.金硅面垒型半导体探测器一般用来探测γ射线的能量和强度 ;14.SiLi半导体探测器一般用来探测γ射线的能量和强度;15.HPGe半导体探测器一般用来探测γ射线的能量和强度;16.对高能γ射线的探测效率则主要取决于探测器的有效体积;17.对低能γ射线的探测效率则主要取决于探测器材料的有效原子系数;18.Ｇ-Ｍ计数管的输出信号幅度与入射射线的能量无关;19.带电粒子的能量损失率又叫物质的阻止本领 ;20.γ射线与物质的主要作用方式有光电效应、康普顿散射、电子对效应;21.死时间是指计数管一次计数后恢复到再次计数的时间间隔;22. 电离室按工作方式可分为 脉冲电离室 和累积电离室;23. 典型的气体探测器有 电离室 、 正比计数管 、 G —M 计数管 ;24. 测量α射线一般选用 ZnSAg 闪烁体 ;NaITl 闪烁体、ZnSAg 闪烁体、塑料闪烁体25. 放射性活度的测量方法一般有 绝对测量法 和 相对测量法 ;26. 在NaIT1中2MeV γ射线相互作用的光电效应、康普顿效应和电子对效应的截面比为1：20：2,入射到NaIT1中的2MeV γ射线的脉冲幅度谱给出的峰总比是 大于 1/23;大于、小于、等于27. 6MeV 的α粒子穿过其厚度为其射程1/3的物质后, 能量 减小,强度不变;28. 进行放射性测量中,样品计数率的大小为100cps,若要求计数率的相对统计误差不大于1%,则最短测量时间应为 100s ;29. 重带电粒子的能量损失率与物质的 原子序数 和 材料 有关;30. 光电子的能量等于入射γ射线能量减去 散射γ射线的能量 ;31. 20MeV 电子入射到CuZ=29靶上,其辐射能量损失率和电离能量损失率之比为 ; 电子的电离损失率和辐射损失率之比：800.1600)()()(22Z E c m z c m E dx dE dx dE ee C ion rad =+≈-- 当电子电离损失率与辐射损失率一样时Z c E 800=32. 在G-M 计数管的工作气体中添加的少量抑制放电的气体,称为 猝灭气体 ;33. 测量α射线一般选用ZnSAg 闪烁体;NaITl 闪烁体、ZnSAg 闪烁体、塑料闪烁体34. 探测器对一个入射粒子的相应是一个 电流 脉冲;35. G-M 计数管的输出脉冲幅度与入射粒子的 能量 无关;36. 电子脉冲电离室输出回路的时间常数为 <<RC<<;37. 用涂铀电离室探测中子是通过 核裂变 方法间接探测中子;38. 带电粒子的能量损失率又叫物质的 阻止本领 ;39. 光电效应中光电子的能量等于入射γ射线能量减去 散射γ射线的能量 ;40. 正电子 与电子相遇会发生湮没而放出湮没光子;41. 电离室按工作方式可分为 脉冲电离室 和累积电离室;42. 正比计数器雪崩通常发生在 阳极丝附近 ;43. 测量γ射线一般选用NaITl 闪烁体;NaITl 闪烁体、ZnSAg 闪烁体、塑料闪烁体44. 光电倍增管一般由 光阴级 、倍增极和阳极组成;45. 6MeV 的α粒子穿过其厚度为其射程1/3的物质后, 能量减小,强度不变;46. 进行放射性测量中,测得的总计数N 为4000,则计数率的相对统计误差为 ％;σ=47. 重带电粒子的能量损失率与物质的 原子序数 和 材料 有关;48. 反冲电子的能量等于入射γ射线能量减去 散射γ射线的能量 ;49. 自猝灭GM 计数管加的自猝灭气体一般是 有机分子气体酒精等和卤素气体;50. 测量α射线一般选用ZnSAg 闪烁体;NaITl 闪烁体、ZnSAg 闪烁体、塑料闪烁体51. 闪烁体探测器的高压是通过分压器加在 光电倍增管 ;闪烁体、光导、光电倍增管;52. 放射性活度的测量方法一般有 相对测量法 和 绝对测量法 ;53. 进行放射性测量中,要求计数率的相对统计误差不大于±1%时,要求总的计数N 应不小于 100 ;σ=54. 离子脉冲电离室输出回路的时间常数为+>>T C R 00;55. 用涂铀电离室探测中子是通过 核裂变 方法间接探测中子;56. 重带电粒子的能量损失率与物质的电子密度和电荷数有关;57. 原子外层电子填充内层电子留下的空位是会发生俄歇效应和轫致辐射;58. 正电子与负电子相遇会发生湮没而放出湮没γ光子;59. 重带电粒子与物质相互作用的主要能量损失方式是电离损失;60. 坪特性是衡量计数管质量好坏的主要参量;61. 电离室按工作方式分为脉冲电离室和累积电离室;62. 重带电粒子与物质相互作用主要三种方式：电离与激发、非弹性碰撞和弹性碰撞;63. 最广泛、最常用的三种气体探测器是电离室、正比计数管探测器、G —M 计数管探测器;64. 中子探测的主要两种方法是：次级带电粒子、中子与初级带电粒子;65. 2MeV 的γ射线穿过3mm 厚的物质后,其能量为2MeV;66. 在测量β放射源的活度时,为了降低轫致辐射的影响,源的托盘最好采用有机玻璃合金、铜、不锈钢、有机玻璃材料;67. 气体探测器两端收集到的离子对数和两端外加电压存在一定的关系;具体如下图所示;填空: Ⅰ复合区1分Ⅱ饱和区电离室区1分Ⅲ正比计数区1分Ⅳ有限正比区 1分ⅤG-M区 1分注：1有限区的分简答题：1.电子对产生效应必须满足的两个条件答：1电子对产生效应必须有第三者—原子核参加,才能满足能量守恒和动量守恒定律;2入射光子的能量要大于;2.X射线和γ射线有何异同答：γ辐射和X射线都是电磁辐射;γ辐射是核跃迁或粒子湮没过程中发出的电磁辐射;它们具有明显的粒子性,因此通常也称为光子;γ辐射大都是母核进行α或β衰变后,子核处于较高激发态,退激发出的;X射线是核外电子跃迁过程中产生的电磁辐射,原子内特定的轨道电子从高能级跃迁到低能级时发射的辐射称为特征X射线;3.中子与原子核相互作用的方式有哪几种答：1中子与核反应放出带电粒子；2中子弹性散射引起的核反冲；3中子引起的核裂变；4中子被核俘获引起核激活;4.离子脉冲电离室和电子脉冲电离室的主要差别是什么答：离子脉冲电离室的工作条件其输出回路的时间常数为RC>>,离子脉冲电离室可用于测量入射粒子的能量,因为其输出脉冲幅度饱和值与初电离N成正比;离子脉冲电离室主要缺点是脉冲较宽,大大限制了技术速度;电子脉冲电离室的工作条件其输出回路的时间常数为<<RC<<,可获得较高的计数率,但不能精确的测量粒子的能量;5.正比计数管的气体放大机制答：当射线通过正比计数管电极间的气体时,电离产生的电子和正离子在电场的作用下,分别向阳极和阴极漂移;正离子的质量大,且沿漂移方向的电场又是由强到弱,因此电场的加速不足以使它与气体发生电离碰撞;而电子则不然,漂移越接近阳极,电场强度越大;到达某一距离后,电子在平均自由程内获得的能量足以加速再次与气体发生电离碰撞,产生新的离子对,新的电子又被加速再次与气体发生电离碰撞,产生更多的新离子对;漂移电子越是接近阳极,电离碰撞的概率越大;于是不断地增殖,增殖的结果将产生大量的电子和正离子,这就是气体放大的过程;有时也称气体放大为电子雪崩;6.试定性分析,分别配以塑料闪烁体及NaIT1闪烁晶体的两套闪烁谱仪所测得射线谱的形状有何不同答：由于塑料闪烁体有效原子序数Z、密度 及发光效率均低于NaIT1闪烁晶体,测得的射线谱的形状,其总谱面积相应的计数、峰总比、全能峰的能量分辨率均比NaIT1闪烁晶体差,甚至可能没有明显的全能峰;6.试说明G-M管阳极上感应电荷的变化过程答：G-M管阳极上感应电荷的变化对有机管和卤素管略有不同,以有机管为例,可分为几个阶段：1在入射带电粒子径迹产生正负离子对的瞬间阳极呈电中性,电子很快漂移向阳极过程中,阳极上的正感应电荷增加,但数量很小；2电子雪崩过程开始,直到正离子鞘形成的过程中,电子很快向阳极运动,此时,阳极上正感应电荷增加,同时,此电荷流经负载电阻,快前沿的负脉冲,约占总输出脉冲幅度的10%;到达阳极的电子与阳极上的正感应电荷中和;阳极上留下与正离子鞘等量的负感应电荷; 3正离子鞘向阴极漂移,负感应电荷流向阴极,同时;在外回路形成输出信号;7.试解释NaIT1闪烁探测器的能量分辨率优于BGO闪烁探测器的原因,为何后者的探测效率要更高一些答：NaIT1闪烁探测器的能量分辨率优于BGO闪烁探测器是由于前者的发光效率明显优于后者,BGO探测器仅为NaIT1闪烁探测器的8%;而后者的密度和有效原子序数则优于前者;8.衡量脉冲型核辐射探测器性能有两个很重要的指标,这两个指标是指什么探测效率能量分辨率9.简述闪烁体探测器的测量γ射线的工作原理及谱形产生复杂的原因;答：γ射线的基本原理通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生次级电子得1分,次级电子是使闪烁体激发得1分,闪烁体退激发出荧光得1分,荧光光子达到光电倍增管光阴极通过光电效应产生光电子得1分,光电子通过光电倍增管各倍增极倍增最后全部被阳极收集到得1分,在阳极输出电流脉冲信号;这就是烁体探测器探测γ射线的基本原理;10.带电粒子与物质发生相互作用有哪几种方式答：与原子核弹性碰撞；核阻止与原子核的非弹性碰撞；轫致辐射 与核外电子弹性碰撞；与核外电子的非弹性碰撞；电离和激发正电子湮灭；11.通用闪烁体探头的组成部件有那些为什么要进行避光处理5分答：1闪烁体1分、光学收集系统1分硅油和反射层、光电倍增管1分2光电倍增管的光阴极1分具有可见光光敏性1分,保护光电倍增管;12.衡量脉冲型核辐射探测器性能有两个很重要的指标,这两个指标是指什么为什么半导体探测器其中一个指标要比脉冲型气体电离室探测器好,用公式解释5分第1问： 能量分辨率分和探测效率分注：1答成计数率得1分第2问： EFw 0362.=η 1分 气体电离室半导体00w w < 1分13.中子按能量可分为哪几类常用的中子探测方法有哪些5分第1问：快中子、热中子、超热中子、慢中子 第2问：核反冲法、核反应法、活化法、核裂变法14.典型的气体探测器有哪几种各自输出的最大脉冲幅度有何特点,试用公式表示;5分 答：1电离室2正比计数管3G-M 计数管脉冲幅度：1电离室：C e w E v =得1分2正比计数管：C e w E M v •= 得分3G-M 计数管 最大脉冲幅度一样15.常用半导体探测器分为哪几类半导体探测器典型优点是什么5分答：常用半导体探测器分为1 P-N 结型半导体探测器1分2 锂漂移型半导体探测器；1分3 高纯锗半导体探测器；1分半导体探测器典型优点是1 能量分辨率最佳；1分2射线探测效率较高,可与闪烁探测器相比;1分16.屏蔽β射线时为什么不宜选用重材料5分答：β射线与物质相互作用损失能量除了要考虑电离损失,还要考虑辐射损失1分,辐射与物质的原子Z 2成正比2分,选用重材料后,辐射能量损失率必然变大,产生更加难以防护的x 射线2分;故不宜选用重材料;注：按步骤给分;17.中子按能量可分为哪几类中子与物质发生相互作用有哪几种方式;5分答案要点：第1问：快中子、热中子、超热中子、慢中子答对3个以上得1分;第2问：中子的弹性和非弹性散射、中子的辐射俘获、中子核反应、中子裂变反应1分。
核辐射探测1234章习题答案
1000 2 cm 2 atn V E 2 u 1.37 4.57 10 cm s P 1. 5 s V cm atm
漂移时间 t d u 2 4.57 10 2 4.37 ms 3.计算出如图所示电离室中在(a)、(b)、(c)三处产生的一对离子因漂移而产生的 I (t ) 、
ph 1.33 10 32 82 5 4.93 10 23 cm 2
E e 661.661 88.001 573.660 KeV
1
对 Fe ， Z 26 ， K 7.111KeV
ph 1.33 10 32 265 1.58 10 25 cm 2
2
对（a）： I (t )
eu 0 ； Q t 0 ； Q 0 。 d eu 1.6 10 19 10 3 I (t ) 0.8 10 16 A d 2 I (t ) 0
（ 0 t 2ms ）； （ t 2ms ）。 （ t 2 ms ）； （ t 2ms ）。
2.36
F 0.68 N0
式中 N 0 为入射粒子在灵敏体积内产生的离子对数
E 200 10 3 7.60 10 3 W 26.3 取法诺因子 F 0.3 F 0.68 0.3 0.68 2.36 2.36 2.68 10 2 2.68% N0 7.60 10 3 N 0
A
z2 p
R0 3.2 10 4 2 3.88 24.8m
z2 p mp Ep
2. 已知 1MeV 质子在某介质中的电离损失率为 A ，求相同能量的 粒子的电离损失率。 答： 所以 3. 试计算 答： 4. 计算 答：
核辐射探测复习资料(卢秉祯版)
核辐射探测第一章 核辐射及其探测原理1.1核辐射基本特性辐射和X 辐射都是电磁辐射。
辐射是核跃迁或粒子湮灭过程中发出的电磁辐射。
X 辐射是核外电子从高能级跃迁过程中产生的电磁辐射。
1.2探测带电粒子的物理性质探测原理：利用带电粒子在物质中对物质原子产生的电离或激发效应或快速轻带电粒子穿过物质时的电磁辐射效应。
带电粒子与物质的作用方式：带电粒子与核外电子的非弹性碰撞——电离与激发；带电粒子与原子核的非弹性碰撞——轫致辐射（带电粒子的速度和运动方向改变产生的电磁辐射）或切连科夫辐射(特定条件下物质产生定向极化而随之发出的电磁辐射)；带电粒子与原子核的弹性碰撞——弹性散射。
带电粒子的能量损失方式：电离损失和辐射损失。
EZ dx dE ion 2)(∝- 辐射长度om x 是电子在物质中由于辐射损失而使其能量减少到原来能量的1/e 时的物质度。
电子的电离损失率和辐射损失率之比：800.1600)()()(22Z E c m z c m E dx dE dx dE ee C ion rad =+≈-- 当电子电离损失率与辐射损失率一样时Z c E 800= 带电粒子与物质作用后不再作为自由粒子而存在的现象叫吸收，其中带电粒子从进入物质到被吸收，沿入射方向所穿过的最大距离叫射程。
对正电子的探测一般是通过探测湮没γ光子间接进行的。
1.3 X 和γ射线的探测原理：利用他们在物质中的光电效应，康普顿散射，电子对产生等产生的次级电子引起物质的电离和激发探测。
光电效应：光子被原子吸收后发射轨道电子的现象。
内层电子（K ）容易些，低能高Z康普顿散射：γ光子与轨道电子相互作用使得γ光子只改变方向而不损失能量。
2c m h e≈ν 外层电子发生概率大。
中能中Z 电子对效应：γ光子与原子核发生电磁相互作用，γ光子消失而产生一个电子和一个正电子（电子对）的现象。
22c m hv e≥且要原子核参加。
高能高Z 1.4中子探测方法两步：1.中子和核的某种相互作用产生带电粒子或γ光子；2.利用这些带电粒子或γ光子的次级带电粒子引起的电离或激发进行探测。
核辐射测量技术在核设施安检中的应用考核试卷
2.闪烁探测器对各种类型的辐射都有较高的探测效率。（）
3.在核设施安检中，核辐射测量设备的校准可以确保测量结果的准确性。（）
4.放射性物质的活度与它的化学形态有关。（）
5.核辐射防护的主要目的是减少放射性物质对人体的内照射。（）
6.中子射线在物质中的相互作用主要表现为电离作用。（）
A. γ谱仪
B. αβ计数器
C.中子探测器
D.个人剂量计
5.核辐射测量中，用于测量环境辐射水平的仪器是？（）
A. γ谱仪
B. αβ计数器
C.环境辐射监测仪
D.个人剂量计
6.在核设施安检中，对β射线的测量通常采用哪种探测器？（）
A.闪烁探测器
B.电离室探测器
C.硼锂探测器
D. β计数器
7.下列哪种因素不会影响核辐射测量结果？（）
7.核辐射测量中，用于测量放射性物质总活度的单位是______。
8.在核设施安检中，用于识别放射性核素的主要参数是______。
9.核辐射测量中，对低水平放射性样品进行分析时，常用的测量仪器是______。
10.核辐射防护中，常用的屏蔽材料不包括______。
四、判断题（本题共10小题，每题1分，共10分，正确的请在答题括号中画√，错误的画×）
A.核事故应急响应
B.放射性废物处理
C.核设施退役
D.辐射防护研究
20.核辐射测量中，哪些信息需要记录在测量报告中？（）
A.测量时间
B.测量位置
C.测量结果
D.使用的仪器型号
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在核辐射测量中，用于表示放射性物质衰变速度的单位是______。
核医学考试模拟题(附答案)
核医学考试模拟题（附答案）一、单选题（共72题，每题1分，共72分）1.临床核医学最广泛应用的显像仪器是A、γ照相机B、SPECTC、PETD、井型计数器E、放射性活度计正确答案：B2.γ照相机的哪部分用于选择显像γ光子的能量?( )A、准直器B、光电倍增管C、晶体D、脉冲幅度分析器E、显示器正确答案：D3.闪烁探测器中采用的闪烁体密度越高,则探测器的( )。
A、体积越大B、运算速度越快C、密封性越好D、价格越高E、探测效率越高正确答案：E4.处于激发态的原子核把跃迁能量传递给本原子的一个电子,使其脱离原子轨道,由此产生的自由电子的名称是A、α粒子B、内转换电子C、光电子D、β+粒子E、β-粒子正确答案：B5.医学中常用的加速器生产的放射性核素不包括A、11CB、99mTcC、15OD、18FE、111In正确答案：B6.113In和113mIn互为A、同分异构体B、同量异位素C、同质异能素D、同位素E、同中子素正确答案：C7.原子核发生衰变后质子数增加1,质量数不变的过程可能发生在A、电子俘获B、γ衰变C、β+ 衰变D、β-衰变E、α衰变正确答案：D8.为了获得高质量的断层图像,作SPECT采集时要采用( )。
A、尽可能短的采集时间,以减少核素在体内代谢的影响B、尽可能大的旋转半径,以包括显像器官的全部C、尽可能多的投影数,以提高图像的分辨率D、尽可能小的采集矩阵,以加快图像重建速度E、尽可能少的投影数,以提高图像的分辨率正确答案：C9.实验室内QC内容不包括A、测定零标准管结合率B、测定非特异性结合率C、测定标准曲线回归参数D、作批间质控图E、各实验室之间按同一评价方案和方法进行比较分析正确答案：E10.PET显像使用的射线及其能量为A、511keV 的β射线B、511keV 的X射线C、511keV 的一对γ光子D、511keV 的单光子E、1.02MeV 的一对γ光子正确答案：C11.少量放射性固体洒落后做法不正确的是。
核辐射探测复习知识点
第一章辐射与物质的相互作用与物质相互作用:1.带电粒子与靶原子核的核外电子非弹性碰撞(电离,激发)2.带电粒子与靶原子核的非弹性碰撞(辐射损失)3.带电粒子与靶原子核弹性碰撞(核阻止)4.带电粒子与核外电子弹性碰撞电离损失能量:入射带电粒子与核外电子发生非弹性碰撞使靶物质原子电离或激发而损失的能量(电离:核外层电子客服束缚成为自由电子,原子成为正离子激发:使核外电子由低能级跃迁到高能级而使原子处于激发状态)辐射损失能量:入射带电粒子与原子核发生非弹性碰撞以辐射光子损失能量轫致辐射:入射带电粒子与原子核之间的库仑力作用使带电粒子的速度和方向改变,并伴随发射电磁辐射阻止本领:单位路径上的能量损失S=-dE/dx=S ion+S rad重:S=S ion=(1/4πε0)2(4πz2e4/m0v)2NBBethe公式结论:1.电离能了损失率和入射带电粒子速度有关,质量无关2.和电荷数平方z2正比3.S ion随粒子E/n变化曲线:a段:入射粒子能量E较低时, S ion与z2成正比,曲线上升b段(0.03MeV-3000MeV):相对论项作用不显著, S ion与E成反比,曲线下降c段:能量较高时,相对论修正项起作用, S ion与B成正比,曲线上升4.高Z 和ρ物质阻止本领高布拉格曲线:随穿透距离增大而上升,接近径迹末端,由于拾取电荷而下降。
同样能量的入射带电粒子经过一定距离后,各个粒子损失的能量不会完全相同,是随机性的,发生了能量离散,即能量歧离. 射程歧离:单能离子的射程也是涨落的为何峰值上升?因为部分粒子已经停止运动,相当于通道变窄,剩余粒子能量集中,导致峰值上升.沿x方向,能量降低,离散程度变大,峰值降低.射程R带电粒子沿入射方向所行径的最大距离路程:实际轨迹长度解释各种粒子的轨迹:重带电粒子质量大,其与物质原子的轨道电子相互作用基本不会导致运动方向有偏差,径迹几乎是直线:由于次级电离,曲线会有分叉:质子和α粒子粗细差别:能量提高,径迹变细.电子的径迹不是直线,散射大. 射程R正比于m/z21.v同两种粒子同物质R1/R2=m1/m2*（z2/z1）22.v同一种粒子两物质R a/R b=√A a/√A b *(ρb/ρa)α粒子空气射程R0=0.318Eα1.5R=3.2*10-4√A/ρ*R air比电离:带电粒子在穿透单位距离介质时产生的离子对的平均数δ射线:带电粒子在穿透介质时产生的电子-离子对中的具有足够能量可以进一步电离的电子电子S rad/S ion=EZ/800快电子S rad正比于z2E/m2*NZ2屏蔽电子材料:当要吸收、屏蔽β射线时,不宜选用重材料:当要获得强的X射线时,选用重材料做靶.电子反散射及效应:电子由原入射方向的反方向反射回来,从入射表面射出.对于放射源,反散射可以提高产额:对于探测器,会产生测量偏差. When反散射严重:对于同种材料,入射电子能量越低反散射越严重:对同样能量的入射电子,原子序数越高的材料,反散射越严重光电效应:光子把全部能量转移给某个束缚电子,使其发射出去而光子本身消失的过程.是光子和整个原子的作用结果,主要集中在内层电子,还会有俄歇电子或特征X射线.(为何不与自由电子-因为入射光子有部分能量传递给原子,使其发生反冲,否则能量不守恒)采用高Z材料可提高探测效率,有效阻挡γ射线:γ光子能量越高,光电效应截面σph 越小. 入射光子能量低时,光电子趋于垂直方向发射:入射光子能量高时,光电子趋于向前发射.康普顿效应:γ射线和核外电子非弹性碰撞,入射光子一部分能量传递给电子,使之脱离原子成为反冲电子,光子受到散射,运动方向和速度改变,成为散射光子. 散射角θ=180时即入射光子和电子对心碰撞,散射光子沿入射光子反方向射出,反冲电子沿入射方向射出-反散射.能量高的入射光子有强烈的向前散射趋势,低的向前向后散射概率相当.康普顿坪:单能入射光子所产生反冲电子的能量为连续分布,在能量较低处反冲电子数随能量变化小,呈平台状:康普顿边缘:在最大能量处,电子数目最多,呈尖锐的边界.峰值Ee=hν-200keV电子对效应:当入射光子能量较高,从原子核旁边经过时,在库伦场作用下转换成一个正电子和一个负电子.电子对效应出现条件:hν>2m0c2=1.022MeV 电子和正电子沿入射光子方向的前向角度发射,能力越高,角度越前倾. 湮没辐射:正电子湮没放出光子的过程.实验上观测到511kev的湮没辐射为正电子的产生标志单双逃逸峰:发生电子对效应后,正电子湮没放出的两个511keV的γ光子可能会射出探测器,使得γ射线在探测器中沉积的能量减小.低能高Z光电,中能低Z康普顿,高能高Z电子对.线形衰减系数μ=σγN 质量衰减系数μm=μ/ρ质量厚度x m=ρx平均自由程: 表示光子每经过一次相互作用之前,在物质中所穿行的平均厚度λ=1/μ 宽束N=N0Be-μd窄束I(x)=I0e-μx半减弱厚度:射线在物质中强度减弱一半时的厚度D1/2= λ ln2第二章气体探测器信息载流子:气体(电子离子对w=30eV,F=0.2-0.5)闪烁体(第一打拿极收集到的光电子w=300ev,F=1)半导体(电子空穴对w=3ev,F=0.1 )平均电离能:带电粒子在气体中产生一对离子对所平均消耗的能量电子和离子相对运动速度:电子漂移速度为离子1000倍,约106cm/s雪崩:电子在气体中碰撞电离的过程. 条件:足够强的电场和电离产生的自由电子非自持放电:雪崩只发生一次自持放电:通过光子作用和二次电子发射,雪崩持续发展R0C0<<1/n脉冲(电子T-<<R0C0n<<T+、离子R0C0n>>T+)、R0C0>>1/n累计(电流、脉冲束)1.仅当正离子漂移时外回路才有离子电流i+(t)2.正离子从初始位置漂移到负极过程,流过外回路电荷量不是离子自身的电荷量e,而是在正极感应电荷量q1 电子电流i-(t)同理本征电流i(t)=i+(t)+i-(t) q1+q2=e电离室构成:高压极,收集极,保护极和负载电阻工作气体:充满电离室内部的工作介质,应选用电子吸附系数小的气体.圆柱型电子脉冲原理:利用圆柱形电场的特点来减少Q-对入射粒子位置的依赖关系,达到利用”电子脉冲”来测量能量的目的.能量分辨率η=ΔE/E*100%=Δh/h*100%=2.36ΔE能谱半高宽FWHM=ηE=2.36=2.36σ探测效率:入射到脉冲探测器灵敏体积内辐射粒子被记录下的百分比总输出电荷量Q=N*e=E/W*e脉冲电离室饱和特性曲线:饱和区斜率成因:灵敏体积增加,对复合的抑制,对扩散的抑制饱和电压V1-对应90%饱和区的脉冲幅度放电电压V2工作电压V=V1+(V2-V1)/3 坪特性曲线:描绘电离室计数率和工作电压关系成因:甄别阈不同电压小于V1时在符合区,但不是每个粒子都能形成一个电子离子对.仅少数可达到计数阈值h,V0上升至饱和电压后电子离子对N基本不变分辨时间(死时间):能分辨开两个相继入射粒子间的最小时间间隔时滞:入射粒子的入射时刻和输出脉冲产生的时间差累计电离室工作状态要求输出信号的相对均方涨落V I2≈1/nT<<1 V V2≈1/2R0C0n<<1 饱和特性曲线斜率:灵敏体积增大,复合的抑制,漏电流灵敏度η=输出电流或电压值/射粒子流强度(采用多级平行电极系统可提高) why曲线后部分离:部分电子离子对复合,未达到饱和电压,引起输出电流信号偏小正比计数器是一种非自持放电的气体探测器,利用碰撞电荷讲入射粒子直接产生的电离效应进行放大,使得正比计数器的输出信号幅度比脉冲电离室显著增大输出电荷信号主要由正离子漂移贡献r处场强E(r)=V0/rlnb/a V T=ET*alnb/a 只有V0>V T才工作于正比工作区,否则电离室区气体放大倍数A=n(a)/n(r0)A仅于V0V T有关,与入射粒子位置无关气体放大过程(电子雪崩)当电子到打距极丝一定距离r0后,通过碰撞电离过程电子数目不断增加电子与气体分子碰撞过程中碰撞电离,碰撞激发(气体退激发射子外光子,阴极打出次级电子,次级电子碰撞电离) 光子反馈:次级电子在电场加速下发生碰撞电离A t=A/1-γA 光子反馈很快;加入少量多原子分子气体M可以强烈吸收气体分子退激发出的紫外光子变成M*,后来又分解为小分子(超前离解) 气体放大过程中正离子作用:1.停止电子倍增2.再次触发电子倍增(离子反馈)输出信号:1.电流脉冲形状一定,与入射粒子位置无关,电压脉冲为定前沿脉冲2.响应时间快3.R0C0>>T+时,获得最大输出脉冲幅度ANe/C0分辨时间/死时间τD与脉冲宽度正比,τD内产生的脉冲不会被记录造成计数损失,死时间可扩展. m=n/1-nτD m真实n测量时滞:初始电子由产生处漂移到阳极时间时间分辨本领:正比计数器对时间测量的精度正比计数器坪特性曲线斜率:由于负电性气体、末端与管壁效应等,有部分幅度较小的脉冲随工作电压升高而越来越多地被记录下来GM放电过程:1.初始电离和碰撞电离:电子加速发生碰撞电离形成电子潮-雪崩 2.放电传播(光子反馈):Ar*放出紫外光子打到阴极上打出次级电子 3.正离子鞘向阴极漂移,形成离子电流4.离子反馈:正离子在阴极表面电荷中和缺点GM死时间长,仅计数A t=A/1-γA自持放电:阴极新产生电子向阳极漂移引起新的雪崩,从而在外回路形成第二个脉冲,周而复始.-实现自熄:改变工作高压,增加猝熄气体-有机(阻断光子,离子反馈;工作机制:1.电子加速发生碰撞电离形成电子潮-雪崩过程 2.Ar*放出紫外光子被有机气体分子吸收3. 正离子鞘向阴极漂移实现电荷交换4.有机气体离子在阴极电荷中和),卤素(工作机制:1.电离过程靠Ne的亚稳态原子的中介作用形成电子潮2.Ne*退激发出光子在阴极打出电子,或被Br2吸收打出新点子3.正离子鞘Br+向阴极漂移4.Br+在阴极表面与电子中和超前解离)GM管和正比计数器区别:GM输出信号幅度和能量无关,只能计数,死时间非扩展型死时间校正:m=n(mτD+1)GM坪特性曲线坪斜成因:随工作电压增高,正离子鞘电荷量增加,负电性气体电子释放增加,灵敏体积增大,尖端放电增加死时间t d:电子再次在阳极附近雪崩的时间复原时间t e:从死时间到正离子被阴极收集,输出脉冲恢复正常的时间分辨时间t f:从0到第二个脉冲超过甄别阈的时间GM计数管离子对收集数N与工作电压关系图:1.复合区(电压上升,复合减少,曲线上升)2.饱和区(电荷全被收集)3.正比区N=N0M(碰撞电离产生气体放大,总电荷量正比于原电荷量)4.有限正比区N>>N0(M过大,过渡区)5.盖格区(随电压升高形成自持放电,总电离电荷与原电离无关,几条曲线重合)第三章闪烁体探测器优点:1.探测效率高,可测量不带电粒子,对于中子和γ光子可测得能谱2.时间特性好,可实现ns的时间分辨工作过程：射线沉积能量,电离产生荧光,荧光转换为光电子,光电子倍增,信号流经外回路闪烁体探测器组成:闪烁体,光电倍增管,高压电源,低压电源,分压器和前置放大器分类:无机闪烁体(无机盐晶体,玻璃体,纯晶体),有机闪烁体(有机晶体,有机液体闪烁体,塑料闪烁体)气体闪烁体(氩、氙)无机闪烁体发光机制:入射带电粒子可以产生电子空穴对,也可以产生激子(相互转化) 有机闪烁体发光机制:由分子自身激发和跃迁产生激发和发光气体闪烁体发光机制:入射粒子径迹周围部分气体被激发,返回基态时发射出光子产生电子空穴对需要三倍禁带宽度能量光能产额Y ph=n ph/E=4.3*104/MeV 闪烁效率C ph=E ph/E=13%闪烁光子传输和收集通道:反射层,光学耦合剂,光导反射层:把光子反射到窗:镜面反射和漫反射耦合剂(折射系数较大的透明介质,周围介质折射系数n1,闪烁体n0,全反射的临界角θc=sin-1n1/n0):排除空气,减少由全反射造成的闪烁光子损失光导:具有一定形状的光学透明固体材料,连接闪烁体和光电倍增管,有效地把光传输到光电转换器件上:具有较高折射系数,与闪烁体和光电转换器光学接触好. 光电倍增管PMT:把光信号转换为电信号并放大;由入射窗,光阴极,聚焦电极,电子倍增极(打拿极,次级电子产额δ=发射的次级电子数/入射的初级电子数),阳极和密封玻璃外壳组成.光谱效应:光阴极受到光照射后发射光电子的几率为波长的函数量子效率Q k(λ)=发射电子数/入射光子数光阴极的光照灵敏度S k=i k/F S a=i a/F S a=g c*M*S k第一打拿极的电子收集系数g c=第一打拿极收集到的光电子数/光阴极发出的光电子数PMT的电流放大倍数M=阳极收集到的电子数/第一打拿极收集到的电子数飞行时间(渡越时间)te:一个光电子从光阴极到达阳极的平均时间渡越时间离散Δte为te的分布函数的半宽度闪光照射到光阴极时,阳极输出信号可能不同-原因:1.光阴极的灵敏度在不同位置不同2.光阴极不同位置产生的光电子被第一打拿极收集的效率不同解决:1.改进光阴极均匀性 2.改进光电子收集均匀性 3.利用光导把光电子分散在整个光阴极输出信号:闪烁体发出闪烁光子数n ph=Y ph E 第一打拿极收集到光电子数n e=n ph T 阳极收集到电子数n A=n e M 输出电荷量Q=n A e=Y ph TMe电压脉冲型工作状态R0C0>>τ优:脉冲幅度大缺:脉冲前沿后沿慢电流脉冲型工作状态R0C0<<τ优: 脉冲前沿后沿快缺:脉冲幅度小小尺寸闪烁体:仅吸收次级电子的能量,大尺寸闪烁体:吸收全部次级电子、次级电磁辐射能量中尺寸闪烁体:吸收次级电子能量,可能吸收次级电磁辐射能量;康普顿边沿与全能峰之间连续部分-多次康普顿散射造成-康普顿效应产生的散射光子又发生康普顿效应;单逃逸峰-正电子湮没辐射时产生的两个511keV的湮没光子一个逃逸而另一个被吸收,双逃逸峰-两个光子都逃逸;全能峰-对应γ射线能量的单一能峰第四章半导体探测器本征半导体:理想的纯净半导体,价带填满电子,导带无电子禁带宽度硅300K-1.115ev 0K-1.165ev锗300K-0.665ev 0K-0.746ev 电子空穴密度硅n=p=2*1010/cm3锗n=p=2.4*1013/cm3半导体探测器分类:均匀型,PN结型,PIN结型,高纯锗HPG,化合物半导体,雪崩半导体,位置灵敏半导体半导体探测器的优点:1.非常好的位置分辨率 2.很高的能量分辨率3.很宽的线形范围4.非常快的响应时间Si:适合带电粒子测量,射程短Ge:纯度高,可以做成较大的探测器:可用于γ能谱测量掺有施主杂质的半导体中多数载流子是电子,叫做N型半导体:掺有受主杂质的半导体中多数载流子是空穴,叫P型半导体补偿效应:当p>n,N型转换为P型半导体p=n时完全补偿平均电离能特点:1.近似与入射粒子种类和能量无关,根据电子空穴对可推入射粒子能量 2.入射粒子电离产生的电子与空穴数目相等 3.半导体平均电离能约3eV,远小于气体平均电离能30eV 陷落和复合使载流子减少半导体探测器材料特性:长载流子寿命(保证载流子可被收集),高电阻率(漏电流小,结电容小)PN型半导体:适合测量α粒子这类短射程粒子,不适合测量穿透力强的射线势垒高度V0=eN d W2/2ε宽度W=(2εV0/eN d)1/2=(2εV0ρnμn)1/2PIN半导体:温度升高,Li+漂移变快;Li+形成PN结,Li+与受主杂质中和,实现自动补偿形成I区(完全补偿区,耗尽层,灵敏体积),形成PIN结why半导体PN结可作为灵敏区？1.在PN结区可移动的载流子基本被耗尽,只留下电离了的正负电中心,具有高电阻率 2.PN结上加一定负偏压,耗尽区扩展,可达全耗尽,死层极薄,外加电压几乎全部加到PN结上,形成高电场 3.漏电流小,具有高信噪比高纯锗:一面通过蒸发扩散或加速器离子注入施主杂质形成N区,并形成PN结,另一面蒸金属形成P+作为入射窗,两端引出电极第五章辐射探测中的统计学f(t)=me-mt t=1/m σt2=1/m2第六章核辐射测量方法符合事件:两个或以上在时间上相关的事件真符合:用符合电路选择同时事件反符合:用反符合电路来消除同时事件,当一个测量道没有输入信号时,另一道的信号才能从符合装置输出符合道计数率nc=Aεβεγ偶然符合:在偶然情况下同时达到符合电路的非关联事件引起的符合(偶然计数n rc=2τs n1n2) 电子学分辨时间τe=FWHM/2符合计数n c=n co+n rc 真偶符合比R=n co/n rc=1/2τs A电压工作状态脉冲幅度⎺h=Ne/C0 E=Κ1⎺h+K2=Gx+E0 G0增益E0零截α能量分辨率FWHMs=2.36√FEαW0探测器选择α:金硅面垒半导体探测器、屏栅电离室、带窗正比计数器β:半导体探测器、磁谱仪γ:单晶γ谱仪全能峰E f=Eγ单Es= Eγ-511keV双E d= Eγ-1022keVy(i)=y(I p)exp[-(i-I p)2/2σ2] η=FWHM/I p FWHM=2.36σ峰康比p=全能峰的峰值/康普顿平台的峰值半导体峰总比f p/T=特征峰面积/谱总面积第七章中子探测反应堆周期T:反应堆内中子密度变化e倍所需时间平均每代时间τ:上一代中子的产生到被吸收后又产生新一代中子的平均时间K=堆内一代裂变中子总数/堆内上一代裂变中子总数T=τ/K-1反应堆功率测量系统功能:为反应堆提供工况控制信息(控制方面),为反应堆的安全保护系统提供安全保护信号(安全方面)中子测量方法:核反冲法,核反应法,核裂变法,活化法中子能谱测量方法：核反应法,核反冲法,飞行时间法中子探测器原理:通过中子与核相互作用产生可被探测的次级粒子并记录这些刺激粒子探测过程:1.中子和辐射体发生相互作用产生带电粒子或感生放射性2.在某种探测仪表记录这些带电粒子或放射性中子探测器种类:1.气体探测器(BF3正比计数管,涂硼正比计数管,长计数管,平行板电离室,圆柱形电离室,γ补偿电离室,长中子电离室)2.固体探测器(硫化锌快中子屏,硫化锌慢中子屏,含锂闪烁体,有机闪烁体)堆芯外仪表:核仪表系统(2个源量程测量通道2个中间量程测量通道4个功率量程测量通道),提供信号,提供控制信号,监测功能堆芯内仪表:堆芯裂变电离室,涂硼室,γ温度计.自给能探测器堆芯中子注量率测量系统:驱动装置,组选择器,路选择器,中子探头。
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1.闪烁探测器是利用________________在核辐射的作用下会发光的特性探测辐射的，光电
器件将微弱的闪烁光转变为______，经过多次倍增放大后，输出一个______。
2.无机闪烁体的特点是：对带电粒子的阻止本领__（大或小），时间相应__（快或慢），发
光效率__(高或低)，能量线性相应__（好或差）。
3.发光效率C发光与光输出S成______(正比或反比)关系。
4.对于有机闪烁体而言，发光衰减时间有快、慢两种成分，其衰减规律表达式为：_________.
5.同一种有机闪烁体下发光曲线中慢成分的强度主要与入射核辐射的粒子______(能量或
种类)相关。
6.__________是用来描述光在闪烁体中的传输情况，标志着闪烁体所能使用的最大尺度的
一个量。
7.能量响应是表示____________与____________之间的关系，其理想的曲线是______(正态
分布、泊松分布或线性的)。
8.核辐射测量中经常用到NaI(Tl)探测γ射线，其中测量β辐射和中子选用____________，
也可以选用____________，测量α辐射一般选用____________，测量低能X射线和高能γ射线选用____________。
（BGO闪烁体，塑料闪烁体，有机液体闪烁体，ZnS(Ag)闪烁体）
9.光学收集系统主要包括______，______和______。
其中______可以减少光在交界面的全
反射，使光有效的传输到光电倍增管的阴极；______能够把闪烁体中各个方向发射的光有效的发射到光电倍增管的阴极上。
10.
上图是闪烁探测器的输出信号的过程示意图，请依照正确组成填写空白处。
（闪烁体；
光电倍增管；前置放大器；阳极；放大器；直流偏压；光阴极；打拿级；）
11.NaI闪烁体探测器对于β和γ射线的平均电离能为______；半导体探测器Si和Ge的平
均电离能为______；气体探测器中气体的平均电离能为_______。
(2eV，3eV，20eV，30eV，200eV，300eV)。
12.闪烁探测器从核辐射进入闪烁体到输出电压脉冲经历了一系列过程，其中间过程按照正
确的时间顺序为：__________________________，其中时间分辨是探测器对两组相继发生的事件的最小时间间隔，造成时间分辨的因素是时间的离散，那么时间离散的主要因素是______过程。
A：闪烁光子从发光地点到达光阴极的时间；
B：辐射粒子或引起的次级电子在闪烁体中耗尽能量的时间；
C：阳极收集电荷在输出回路上输出脉冲电压；
D：光电子的渡越时间；、
13. γ射线能谱中，单逃逸峰比双逃逸峰显著的是________；双逃逸峰比单逃逸峰显著的是________；(康普顿仪；HPGe探测器；NaI闪烁体)
14. 反散射峰是由放射源γ射线与探测器中的________发生康普顿散射时，反散射的光子进入探测器发生________形成的。
其能量总是在__________KeV范围内出现。
15. 碘逃逸峰是γ射线在NaI中发生光电效应是产生的，该峰对应的能量总是比入射能量小_______KeV.
16. 单逃逸峰和双逃逸峰是由于发生__________作用产生的，其能量相对于入射γ射线能量分别为______eV和_______eV。
17. 理想的闪烁体具有什么特点?。