CPHS中强流质子源与低能传输线研制

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强流质子加速器ns级快沿切束电源系统

强流质子加速器ns级快沿切束电源系统李海波;沈莉;翟军;周国仲【期刊名称】《强激光与粒子束》【年(卷),期】2017(029)008【摘要】This paper present the detailed analysis of the principle of chopper power supply of China Spallation Neutron Source (CSNS) linear accelerator.The rising edge and the falling edge of the chopped beam bunch are important indexes of the performance of the chopper power supply.Based on the research, a chopper power supply with pulse amplitude of 6 kV and nanosecond grade edge is developed.The method of pure hardware circuit instead of software is used to realize the synchronization and AND processing of high frequency and low frequency signals, which can make the power supply output stable and reliable high voltage pulse.The power supply has two modes (multi pulse and single pulse) to meet the requirements of single beam or multi beam injection into the Rapid Cycling Synchrotron(RCS) ring.The results of the CSNS linac beam chop experiment show that the power supply meets all the design requirements.%详细分析了中国散裂中子源(CSNS)直线加速器低能端预切束电源工作原理.切束束团上升沿和下降沿的快慢是衡量切束电源性能好坏的重要指标,经过研究,研制了一台脉冲幅值6 kV,前后沿纳秒级的切束腔电源,应用纯硬件电路代替软件的方法实现高频和低频定时信号的同步和与处理,使该电源输出稳定可靠的高压脉冲.该电源基于直流高压加快速高压开关的设计方案来实现高压、高重复频率及纳秒级快沿的脉冲输出,具有多脉冲和单脉冲两种工作模式,满足了直线加速器单束团和多束团注入到快循环质子同步加速器(RCS)的要求.CSNS直线加速器切束实验的结果表明,切束电源满足各项设计指标要求.【总页数】6页(P85-90)【作者】李海波;沈莉;翟军;周国仲【作者单位】中国科学院高能物理研究所, 北京 100049;东莞中子科学中心, 广东东莞 523803;中国科学院高能物理研究所, 北京 100049;东莞中子科学中心, 广东东莞 523803;中国科学院高能物理研究所, 北京 100049;东莞中子科学中心, 广东东莞 523803;中国科学院高能物理研究所, 北京 100049;东莞中子科学中心, 广东东莞 523803【正文语种】中文【中图分类】TL507【相关文献】1.600kV强流毫微秒脉冲加速器中的前切割与后聚束系统 [J], 吕建钦;谢大林2.高流强RFQ质子加速器研制 [J], 傅世年;关遐令3.高流强RFQ质子加速器研制 [J], 傅世年;关遐令4.强流质子加速器束流剖面分布及束晕测量系统设计 [J], 孙纪磊;阮玉芳;肖帅;彭军;王标;李芳;徐韬光5.周期会切磁场聚焦强流相对论带状电子束的理论分析和粒子模拟 [J], 杜广星;钱宝良因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

低能强流氘束脉冲系统研制

中图分类号：Ｌ０．Ｔ５１５文献标志码：Ａ文章编号：００６３（０８ｓ一２２０１０—９１２０）ｏ０６—５
ＰｕｓｎｙｔｍｏｗｌｉｇＳｓｅｆｒＬｏＥｎｅｇｎｄＨｉｈＩｅｉｙＤｅｔｒｕＩｎＢｅｍｒｙａｇｎｔｎｓｔｕｅｉｍｏａ
低能强流脉冲化系统是低能机升级项目中
的子课题，制目标是在靶上形成重复频率为研
附近一定范围内的粒子汇聚在１短脉冲内，个而其它粒子若不加处理则将作为脉冲的本底，
４ＭＨｚ脉冲半高宽为２ｎ、均流强为６Ａ、ｓ平０的低能氘束的脉冲化。低能聚束器通常有以下几种形式口］单漂。：移聚束器、双漂移聚束器和单间隙谐波聚束器，
率低，但其结构简单，因此，系统选取单漂移本
４～６Ｖ的高压平台上。４ｅ的束流从Ｏ０ｋ０ｋＶ
离子源引出，经偏转进入聚束系统，经加速／再减
聚束器作为聚束元件。聚束器只是把中心粒子
速器将能量降低或提升１０ｅ￣１０ｋＶ最终到靶。
Ａｂｔａｔｓｒｃ：ＴｈｅｐｓｎｇｓｔｍｏｈｏｅｒｙａｄｈｇｎｅｉｙｉｎｂａｐｒｖｄｓｕｌｉｙｓｅｆｒｔｅｌｗｎｅｇｎｉｈｉｔｎｓｔｏｅｍｏｉｅｄｅｅｉｍｌｉｂｅｍｗｉｈｈｆｅｕｅｙｏｆＭＨｚ，ｔｅｕｔｒｕｐｕｓｎｇａｔｔｅｒｑｎｃ４ｈＦＷＨＭｏ２ｆｎｓｎｄｔａｈｅａｅａｅｃｒｅｔｏ０Ｌｖｒｇｕｒｎｆ６ｔＡ．Ｔｈｅｅｔｒａｏｕｔａｂｔｅｌｙｔｏｆｈｅｂｅｍｌｎｄｓｇｎｇｈａｉｅｂｙｅｉｎｉｔｅｂｅｍｏｐｉｓｗａｂｔｉｅ．Ｔｏｇｔｔｅｔｒｂｕｈｉｌａｎｄｔｅｓａｉｉｙｏｈｅｐｈａｅｔｃｓｏａｎｄｅｈｅｂｔｅｎｃｎｇｖｏｔｇｅａｈｔｂｌｔｆｔｓａｈｅｍａｎｉｕ，ｔａｉｂｌｓｆｈｅｂｃｅｎｄｃｏｐｒｗｅｅｗｏｋｅｕ．Ｔｈｅｎｄｔｇｔｄｅｈｅｖｒａｅｏｒｔｕｎｈｒａｈｐｅｒｒｄｏｔ

用于硼中子俘获治疗的加速器超热中子源靶的设计

用于硼中子俘获治疗的加速器超热中子源靶的设计
张静;包尚联
【期刊名称】《中国医学物理学杂志》
【年(卷),期】2002(019)001
【摘要】提出适合硼中子俘获治疗加速器Li(P,n)Be反应中子源的一个金属锂靶的设计,并对中子产额进行了计算.用Monte Carlo的方法研究了中子在水中的慢化和反射层对中子能谱的影响.结果表明,在这种几何结构下Li(p,n)7Be反应产生的中子经过5cm的水层慢化后可作为硼中子俘获治疗的超热中子源.
【总页数】3页(P3-5)
【作者】张静;包尚联
【作者单位】北京大学重粒子研究所,北京,100871;北京大学重粒子研究所,北京,100871
【正文语种】中文
【中图分类】R815.4
【相关文献】
1.用于硼中子俘获治疗的医院中子照射器的反应堆光致缓发中子参数 [J], 沈峰;吕征;孙志勇;赵守智
2.经次临界倍增装置的锎源超热中子束用于硼中子俘获治疗的方案设计 [J], 常冰
3.硼中子俘获治疗脑胶质瘤超热中子束的品质参数研究 [J], 江新标;朱广宁;王道华;陈伟;屠荆;王伟;章翔
4.基于3.5 MeV射频四极质子加速器硼中子俘获治疗装置的束流整形体设计 [J],
田永顺;胡志良;童剑飞;陈俊阳;彭向阳;梁天骄
5.用于硼中子俘获治疗的强流质子回旋加速器中心区结构优化设计 [J], 冀鲁豫;管锋平;安世忠;郑侠;宋国芳;张天爵;关镭镭;王胜龙;李明
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BEPC-Ⅱ超导磁体侧多通道低温传输线的制作及性能测试

ｒｆｉｅａｏａｏｌｄｗｎｔｒｅｓｐｒｏｄｔｎｇｅｓａｈｅｓｍｅｔｍｅａｄｋｅｈｏｅｓｓｅｗｏｋｅｒｇｒｔｒｃｎｃｏｏｈｅｕｅｃｎｕｃｉｇｍａｎｔｔｔａｉｎｅｐｔｅｗｈｌｙｔｍｒ — ｉｇｓｏｈｙＣｏｉｅｈｅｌｃｎｔｏｔｃｏｅｉｓｓｅｎｍｏｔｌ．ｍｂｎｄｔｅｒａｏｄｉｎｓａｒｇｎｃｙｔｍｃｎｔｕｔｏｉｙｏｓｒｃｉｎ，ｔｅｆｂｉａｉｎ，ｉｓａｌｔｏｈａｒｃｔｏｎｔｌａｉｎａｄｔｓｆｍｕｔ— ｉｅｃｏｅｃｔａｓｅ —ｉｅａｕｐｒｏｄｃｉｇｍａｎｔｉｅｗｅｅｄｓｒｂｅｎｄｔｉ．ｎｅｔｏｌｐｐｒｇｎｉｒｎｆｒｌｔｓｅｃｎｕｔｇｅｓｓｄｒｅｃｉｄｉｅａｌｉｙｎｎＡｃ — ｃｒｉｇｔｈｎｌｓｓｏｉｅｅｔｅｐｒｍｅａａａｄｐｒｏｍａｃａａｔｒｏｒｏｅｉａｔ，ｔｅｈａｏｄｎｏｔｅａａｙｉｆｄｆｒｎｘｅｉｎｔｄｔｎｅｒｎｅｐｒｍｅｅｆｃｇｎｃｐｒｓｈｅｔｆｆｙｌａｓｏｏｅａｄｐｒｕｉｅｍｕｔ— ｉｅｃｏｅｃｔａｓｅ —ｉｅｗｅｅｃｌｕａｅｘｃｌ．ｏｄｆｗｈｌｎｅ — ｎｔｌｉｐｐｒｇｎｉｒｎｆｒｌｎｒａｃｌｔｄｅａｔｙｙＫｅｒｓ：ＢＥＰＣ—Ｉｕｅｃｎｕｃｉｇｍａｎｅ；ｃｏｅｉｒｎｆｒｌｎｙｗｏｄＩ；ｓｐｒｏｄｔｎｇｔｒｇｎｃｔａｓｅ —ｉｅ；ｆｂｉａｉｎ；ｐｒｏｍａｃｅｔｙａｒｃｔｏｅｆｒｎｅ

BEPC-Ⅱ超导磁体侧多通道低温传输线的制作及性能测试

BEPC-Ⅱ超导磁体侧多通道低温传输线的制作及性能测试李少鹏;郭连生;何昆;葛锐;刘立强;陆文海;刘晓军;宗占国【期刊名称】《低温工程》【年(卷),期】2007(000)005【摘要】超导磁体侧低温传输线是国家大科学工程北京正负电子对撞机重大改造(BEPC-Ⅱ)中低温系统关键部件之一.低温传输线的效率高低直接关系到单台500 W氦低温制冷机能否对3台超导磁体同时降温并平稳运行.结合低温系统建设当中的实际情况,详细阐述了超导磁体侧多通道低温传输线的制作、安装及测试.通过对多种不同实验数据的分析,结合部分低温部件的性能参数,较为准确地推算出整个低温传输线和单位长度低温传输线的热负荷.【总页数】5页(P1-5)【作者】李少鹏;郭连生;何昆;葛锐;刘立强;陆文海;刘晓军;宗占国【作者单位】中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院理化技术研究所,北京,100080;中国科学院理化技术研究所,北京,100080;中国科学院理化技术研究所,北京,100080;中国科学院理化技术研究所,北京,100080【正文语种】中文【中图分类】TB611;TB658【相关文献】1.BEPC-Ⅱ低温系统的氦气净化技术 [J], 李少鹏;何昆;桑民敬;刘亚萍;边琳;张桌;吕崇伟;葛锐2.传输线长度对静电放电防护器件性能测试的影响 [J], 张希军;张莉婷;王书平;赵敏3.匝间无绝缘的超导磁体线圈研究及性能测试 [J], 白质明;陈传;俎维振;张华荣4.混杂型高速数据传输线缆性能测试 [J], 邓彬伟;杨东旭5.混杂型高速数据传输线缆性能测试 [J], 邓彬伟;杨东旭;因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

基于100MeV质子回旋加速器的白光中子束线设计

基于100MeV质子回旋加速器的白光中子束线设计麻旭;刘应都;鲍杰;陈启明;张凯;任杰;阮锡超;郭刚;欧阳晓平【期刊名称】《现代应用物理》【年(卷),期】2022(13)1【摘要】利用蒙特卡罗方法,基于100 MeV质子回旋加速器,开展了白光中子束线设计和中子束线参数研究。

利用FLUKA程序模拟了100 MeV质子束轰击钨靶产生的中子能谱和注量。

结果表明,散裂反应产生的可用中子能量范围为0.1~100 MeV。

在此基础上开展了中子束线设计,优化设计了0°方向和15°方向2条中子束线,计算得到:0°方向中子束线中0.1~100 MeV中子占比为94.9%,在距靶心16 m 处的注量率为5.09×10^(6) cm^(-2)·s^(-1);15°方向中子束线中0.1~100 MeV 中子占比为94.5%,在距靶心30 m处的注量率为8.19×10^(5) cm^(-2)·s^(-1);2组准直中子束线的束斑不均匀性均小于10%,中子注量比试验厅内本底高5个量级以上。

计算结果表明,2条中子束线的参数均满足实验所提出的要求。

模拟计算结果可为白光中子束线的建设和未来的物理实验设计提供数据支持。

【总页数】8页(P48-55)【关键词】质子回旋加速器;白光中子束线;中子束线参数;中子能谱【作者】麻旭;刘应都;鲍杰;陈启明;张凯;任杰;阮锡超;郭刚;欧阳晓平【作者单位】湘潭大学材料科学与工程学院;中国原子能科学研究院核数据重点实验室;中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心;西北核技术研究所【正文语种】中文【中图分类】TL54;O57【相关文献】1.100MeV质子回旋加速器南向剥离靶的引出束流调试2.14 100MeV强流回旋加速器质子束流管道的初步设计3.15 100MeV强流质子回旋加速器束流输运线上旋转扫描磁铁设计4.100MeV质子回旋加速器的白光中子产额与分布的理论模拟5.100MeV回旋加速器上不同能量质子束流品质诊断因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

中国散裂中子源加速器前端运行及改进

收稿日期：2020-04-06作者简介：欧阳华甫（1965—），男，二级研究员，博士生导师，研究方向：加速器物理与技术.基金项目：国家自然科学基金项目“强流脉冲负氢离子源高占空比的性能研究”（11875271）.第35卷第2期2021年4月白城师范学院学报Journal of Baicheng Normal University Apr.Vol.352021No.2中国散裂中子源加速器前端运行及改进欧阳华甫，刘盛进，肖永川，吕永佳，曹秀霞，薛康佳，李辉，朱仁丽，陈卫东（中国科学院高能物理研究所东莞分部，广东东莞523803）摘要：2020年2月，中国散裂中子源打靶束流功率达到100kW ，提前一年半实现一期设计指标.从此，中国散裂中子源开始在该功率下日常运行，对用户开放.截至目前，中国散裂中子源的运行效率在93%左右，高于国际同类散裂中子源的同期水平.直线加速器前端系统作为中国散裂中子源加速器的起点，提供散裂中子源所需要的束流，是中国散裂中子源的重要和关键组成部分，前端系统能否稳定运行决定了散裂中子源的运行效率.文章主要介绍前端系统最近几年的运行，及为解决离子源的稳定性和RFQ 的打火问题所进行的改进.关键词：中国散裂中子源；前端系统；负氢离子源；低能传输线；预切束器；RFQ ；打火中图分类号：O571.53文献标志码：A 文章编号：1673-3118（2021）02-0001-110引言中国散裂中子源（CSNS ）是一个基于高功率加速器的多学科的实验平台，由加速器、靶站和谱仪三部分构成.加速器则主要由一台能量为81MeV 的负氢直线加速器（LINAC ）、一台能量为1.6GeV 的快循环同步加速器（RCS ）和两条束流传输线构成.负氢直线加速器由一台能量为50keV 的潘宁表面等离子体负氢离子源（IS ）、一条长度为1.6m 的低能束流传输线（LEBT ）、一台能量为3.0MeV 的射频四极加速器（RFQ ）、一条长度约为3.0m 的中能束流传输线（MEBT ）、一台能量为81MeV 的漂移管直线加速器（DTL ）及一条长度约为150m 的高能束流传输线（HEBT ）组成.如图1所示，加速器前端系统是指直线加速器的起始部分，包含负氢离子源、低能束流传输线、射频四极加速器及中能传输线.作为直线加速器的起点，前端系统是CSNS 的重要和关键组成部分，为CSNS 提供所需要的负氢束流.前端系统能否提供稳定可靠的束流，直接决定了CSNS 的运行效率.事实上，由于前端系统的复杂性及高难度，其故障率也一直偏高.基于CSNS 一期100kW 打靶束流功率的要求，前端系统需提供重复频率为25Hz ，脉冲宽度为400μs ，束流占空比为1%，能量为3.0MeV ，最大脉冲强度为15mA 的脉冲负氢束流.另外，前端系统还需在低能传输线对脉宽为400μs 的宏脉冲束流进行切束处理，把束流切成重复频率约为1MHz ，脉宽约为500ns （根据需求可进行调整）的微束团，以满足束流从直线加速器到RCS 多圈注入的物理要求.15mA 的脉冲白城师范学院学报第35卷束流需求，已经考虑到了束流50%切束损失、直线加速器传输损失及RCS 环注入及传输损失，因为100kW 的打靶束流功率对应切束前后的负氢束流强度为6.25mA.图1CSNS 前端系统示意图自2015年完成前端系统的安装和初步调试后，前端系统能够满足散裂中子源后续功率提升过程中所需要的各种束流强度及出束模式需求，但其稳定性在调试及运行时并不太令人满意.前端系统的不稳定性主要来自离子源高压打火（包括引出电压及加速电压）及RFQ 腔体高功率下的射频打火.为此，在后续5年的调试和运行中，针对前端系统上述问题进行了诸多软硬件上的改进，使系统的稳定性及运行效率有了极大的提高.同时，由于运行人员对系统了解的加深及运行经验的提高，前端系统的故障率得到进一步改善.1潘宁表面等离子体负氢离子源（IS ）离子源是加速器的起点，用于产生CSNS 所需的负氢离子束.其关键是要能够提供大流强、低发射度的负氢离子束，同时离子源运行稳定可靠、使用寿命适当.离子源能否提供高品质的稳定束流关系到整个加速器及散裂中子源的性能和运行效率.CSNS 采用的是潘宁（Penning ）表面等离子体负氢离子源，该类型离子源在流强、发射度及使用寿命等方面都满足CSNS 一期要求，造价也相对便宜.潘宁表面等离子体负氢离子源是一种弧放电需要注铯的离子源，只有往放电室注入合适的铯蒸汽，才能得到稳定的弧放电及足够大的负氢束流.CSNS 负氢离子源的主要束流参数如表1所示.表1负氢离子源的主要束流参数参数类型能量/keV 脉冲束流强度/mA 归一化均方根发射度/（πmm·mrad ）重复频率/Hz脉冲脉宽/μs束流占空比/%寿命/month 数值50>20<0.20254001.3>1如表1所示，离子源的引出能量选择为50keV ，兼顾了包括离子源的高压难度及稳定性、低能传输线束流发射度增长、RFQ 的注入能量等几个方面的因素.离子源输出脉冲束流强度必须大于20mA ，是因为必须考虑前端系统自身的束流传输效率.通常情况下，前端系统的束流传输效率大于75%.离子源2欧阳华甫，等：中国散裂中子源加速器前端运行及改进第2期束流占空比为1.3%，也远远超出了CSNS 对前端束流占空比1%的要求.离子源的主要构成、放电室组件及安装情况如图2所示.束流（包括电子和负氢）垂直向下引出后，通过90°偏转磁铁的偏转，实现引出负氢束流与引出电子的分离，电子损失在偏转磁铁中，负氢束流偏转90°后继续沿水平方向传输进入低能传输线.该离子源的寿命约为30～50天，基本满足散裂中子源用户需求.离子源的寿命主要受限于离子源核心部件——放电室的溅射损伤.放电室主要包括缝板、阳极、阴极、陶瓷绝缘环和放电室壳体.新放电室的安装和调试准备工作可以事先在实验室进行.目前，将寿命到期的旧放电室（包括放电室相关部件）更换成新放电室并让离子源重新正常工作所需要的时间约为4～6个小时，因放电室的更换必须在大气压下进行，时间主要用在系统的真空恢复上.（a ）离子源的主要构成（b ）放电室组件（包括缝板、阳极、（c ）放电室在法兰上的安装阴极、陶瓷绝缘环和放电室壳体）图2离子源的主要构成、放电室组件及安装情况图中国散裂中子源的调试和运行至今已超过5年时间，总共使用了约40套放电室，使用时间最长的一套放电室为55天.一般而言，对每一套放电室，在重复频率为25Hz ，脉冲宽度为400μs ，束流占空比为1%的运行状态下，离子源最大能引出约50mA 的负氢束流，束流的归一化均方根发射度约为0.8πmm·mrad ，大于RFQ 所需要的0.2πmm·mrad 接收度，但仍有超过20mA 的束流小于RFQ 的接收度，满足CSNS 一期对离子源束流强度的要求.为了确保RFQ 的传输效率，我们将多余的、不满足RFQ 接收度的束流通过安装在RFQ 入口、LEBT 末端第三真空腔内的束流准直器进行刮除.事实上，在CSNS 日常运行中，离子源引出的负氢束流只要大于30mA 就能实现100kW 打靶束流功率.离子源从2014年10月安装到隧道至今，针对离子源的稳定性问题我们已经进行了诸多改进.首先，把等离子体放电所需的潘宁电磁铁更换成永磁铁.永磁铁因无供电需求，安装位置更加灵活，方便永磁铁和离子源放电室安装在相同法兰上.这样，放电室与永磁铁所处电位相同，避免了永磁铁与放电室间的打火，提高了离子源稳定性.其次，将离子源引出电源从电源厅移至隧道离子源旁边，引出电源输出电缆长度变短，减少了线缆的寄生电感及电缆的感应电压，引出负载电压更加稳定.再次，更换了新的加速高压绝缘陶瓷件，与旧的高压绝缘件相比，新的高压绝缘件增加了一个高为45mm 的陶瓷衣领，在保证加速间隙不变的情况下增大了绝缘件的爬电距离（增大了90mm ），使50kV 加速高压打火问题得到了彻底解决.最后，用功率更大的直流高压加速电源（65kV/80mA ）代替原高压加速电源（55kV/10mA ），省去了高压电源的外接电容，打火能量得到了很好的控制，设备更加安全.经过这些改进，彻底解决了加速高压的打火问题、放电室与潘宁磁铁之间的打火问题以及引出输出线缆寄生电感带来的问题，控制了高压打火的能量.离子源的稳定性及可靠性得到极大的提高［1］.但是引出高压打火的问题并未得到彻底解决，可能还会存在一段时间.只有当铯注入量的问题得到3白城师范学院学报第35卷解决后，引出高压打火的问题才能避免.正如前面所述，潘宁表面等离子体负氢离子源是一种弧放电需要注铯的离子源，只有往放电室注入合适的铯蒸气，才能得到稳定的弧放电及足够大的负氢束流.铯的熔点为28.4o C ，沸点为678.4o C ，离子源铯的工作温度远远小于铯的沸点温度.引出高压的打火原因是铯蒸气在包括引出电极、引出电极陶瓷绝缘柱等上的沉积及积累降低了引出高压的绝缘耐压.为了提高等离子体放电的负氢产额，一般都会往负氢离子源放电室注入铯蒸气.注入放电室内的铯蒸气量必须严格控制，当铯原子铺满放电室阴极（金属钼）表面晶格原子的60%，负氢产额最佳.目前，我们是通过控制铯锅及铯传输管道的温度来控制铯的蒸气压，从而控制铯注入放电室的流量.我们知道，蒸气压只与温度有关，是温度的指数函数.只有严格控制好铯的注入量，才能保证离子源的最佳出束状态，同时避免引出高压的打火，保证离子源运行的稳定性.虽然铯的注入量物理上可以通过铯的蒸气压及放电室的压力差计算出来，也可以通过光谱仪测量放电室里铯蒸气的浓度得到，但要在线同步控制铯的注入量并非易事.实际运行中，我们是通过铯注入量对等离子体放电的外在表现来实现铯注入量的间接控制.铯注入量主要对等离子体放电以下参数或波形有影响：（1）弧放电电压的大小（稳流工作模式）；（2）引出电流的大小（包括负氢束流和电子）；（3）负氢束流流强的大小；（4）负氢束流脉冲波形的形状和光滑度.原则上，除了最后一点以外，其他三个都可以用来作为铯注入量的反馈参数，实现铯的注入量闭环控制.图3显示的是离子源输出的三种负氢束流脉冲波形，分别代表铯注入量不足、适量和过多的情况.如图3所示，当铯注入量不足时，负氢束流脉冲波形平顶会很不光滑，而当铯注入量过多时，脉冲内的负氢束流的大小会出现前高后低的现象.图3离子源输出的三种负氢束流脉冲波形（曲线1），从左至右分别代表铯注入量的不足、适量和过多三种情况另外，针对加速器低占空比或单发模式下的调试、运行等特殊情况下，引出高压容易打火的问题，研制了一台新型的、具有双脉冲输出的引出电源.在进行物理调试及机器研究时束流损失通常会比较大，为了避免束流损失造成的设备损伤，加速器调试和机器研究需在低占空比（如1Hz/100μs ）或单发模式下（降低束流的平均功率）进行.这时也是离子源引出电压最易出现打火或引出过流问题，原因是这时打在引出电极的束流（电子和负氢打在引出电极上的束流具有很好的清铯功能）平均量很小，引出电极此时很容易积铯，降低引出电极的耐压.为解决物理调试和机器研究时加速器低占空比或单发模式运行下的引出电压打火问题，我们研制了一种新型的双脉冲输出引出电源，该引出电源能够先后输出两个电压脉冲.如图4所示，利用该电源的25Hz 、低电压（电压<8kV ）、宽脉冲引出的束流，可以清除引出电极上的积铯.该脉冲束流因能量低，全部损失在LEBT 而不会进入RFQ ，对下游加速器没有任何影响.而另一个正常的1Hz 、正常电压（14～17kV ）、窄脉冲引出的束流可以通过LEBT 进入到RFQ.当然，在100kW 4欧阳华甫，等：中国散裂中子源加速器前端运行及改进第2期束流功率运行（25Hz/400μs ）时，如有需要，我们也会启用引出电源的除铯功能.图4利用新的引出电源，离子源可引出两个脉冲束流（曲线1），左边的是正常的束流脉冲，右边的是除铯脉冲，曲线2显示的是离子源的弧流脉冲波形为了提高前端系统的稳定性，除了上述硬件上的改进，我们在软件方面也做了诸多改进和提高.第一，规范化离子源放电室的安装及更换步骤和流程，提高了离子源放电室的可靠性和一致性；第二，在控制上，我们设计了三个闭环控制程序分别用来控制铯蒸气的注入量、离子源的引出束流轨道及打靶束流功率.图5显示的是这三个闭环控制程序的操作界面.第一个闭环控制程序是离子源引出电压自动调节程序，该程序的功能是根据引出电流的大小自动调节引出电压的设定值，来确保负载电压的稳定和束流轨道稳定在中心位置.因为引出电源输出线路上串联电阻的存在（保证电源引出打火时的安全），引出电流的波动会改变串联电阻上的电压降从而导致负载电压的变化，为了保持负载电压和束流轨道稳定，这时就必须调节引出电压的设置值.图5前端系统的三个闭环控制程序操作界面如图5所示，引出电压的设定值的调节步长可以精确到0.05kV.第二个闭环控制程序是LEBT SOLPS01（低能传输线1号聚焦螺线管）电流自动调节程序.正如前面所述，目前离子源具有提供大于100kW 束流功率的能力，多余的束流可以通过低能传输线安装的束流准直器刮除.调节低能传输线第一个螺线管励磁电流的大小，即可调节螺线管的聚焦，改变束流在束流准直器处包络的大小，从而改变5白城师范学院学报第35卷束流准直器刮除束流的量，也即进入RFQ 束流大小，实现螺线管励磁电流和打靶束流功率的闭环控制和功率的锁定.操作界面中，打靶束流功率控制在100～101kW 之间，螺线管励磁电流改变的步长为0.5A.图6显示的是2021年4月2日—3日24小时的打靶束流功率曲线.从图6可以看出，打靶束流功率的稳定性非常好，这一天的运行效率也达到了98.97%.图6CSNS 24小时打靶束流功率图第三个闭环控制程序是铯锅（或管道2）温度自动调节程序，利用引出负氢束流和引出电流的大小与铯蒸气的注入量即色温的相关性，根据CSNS 100kW 束流功率运行对引出负氢束流的实际需要（一般需要大于30mA ）以及引出电流上限（引出电流太大，容易导致引出电源的过流保护），自动调节铯锅（或管道2）的温度.CSNS 离子源的供铯系统如图7所示，主要包括铯锅、铯传输管道1和管道2.铯锅和管道1位于真空外，外缠电加热丝及绝热玻璃带，并装有热偶测温.管道2位于真空内，也是外缠电热丝并装有热偶测温.三者可以独立加热和测温.通常情况下，铯锅的温度为140～170o C ，管道1和管道2的温度为260～280o C.在铯注入量适量的情况下，引出负氢束流的大小与铯的注入量（或温度）正相关，而引出电流则与铯的注入量（或温度）反相关（在不考虑漏电流的情况下）.但是，由于铯蒸汽在包括引出电极、引出电极陶瓷绝缘柱等上的沉积及积累，在放电室使用一段时间后，引出电流中的漏电流会占主导地位，这时引出电流与铯温正相关.如果前期铯的注入量没有严格控制好，引出高压打火及引出过流此时就很容易发生.在离子源的实际运行中，我们可根据离子源的运行状态选择铯锅的温度或管道2的温度作为调节参数.图5控制界面显示的是选择管道2作为调节参数.管道2因为紧靠放电室，引出负氢束流的流强（表征为LEBTCT01）对管道2的响应更加快速.LEBTCT01是通过安装在离子源的出口、LEBT 入口的束流变压器（CT01）测量得到的.这里最小LEBTCT01设置值为33mA ，最大LEBTCT01设置值为36mA.当LEBTCT01的值大于36mA 时，程序会自动按照设定的温度调节步长（这里为0.5o C ），在设定的降温调节时间间隔内（这里为600s ）降温；当LEBTCT01的值小于33mA 时，程序也会自动按照设定的温度调节步长（这里为0.5o C ），在设定的升温调节时间间隔（这里为6×600s ）升温；因为铯的注入量有累积效应，所以选择的升温时间间隔更长.而当LEBTCT01的值在33～36mA 之间，保持色温不变.另外，为确保离子源运行的稳定性，程序还设置了最大引出电流（550mA ）和最小引出电流（300mA ）的安全范围，只有在设定的引出电流范围内，铯温才进行调节.自从启用铯温自动调节程序后，前端系统实现了电话（on-call ）值班，既节省了人力，同时离子源的运行也更加稳定.尽管如此，对于不同放电室，铯温自动6欧阳华甫，等：中国散裂中子源加速器前端运行及改进第2期调节程序中的参数设定值也会不同，需要根据离子源的具体放电状态进行调整.图7CSNS 离子源的供铯系统，包括铯锅、铯传输管道1及铯传输管道22低能束流传输线（LEBT ）如图1所示，LEBT 主要包括三个聚焦螺线管、两个双向导向铁、一套双缝扫描发射度测量仪、一个偏转板型静电预切束器及一个束流准直器.发射度测量仪安装在第一个螺线管下游LEBT 中间的位置.图8显示的是束流强度为53mA 时，由LEBT 发射度测量仪测得的束流发射度结果.测量结果表明，x 方向和y 方向的归一化均方根发射度分别为0.892πmm∙mrad 和0.742πmm∙mrad.在发射度0.2πmm∙mrad内，x 方向和y 方向的束流强度分别为15mA 和25mA ，基本满足CSNS 一期对离子源束流强度的要求.显然，束流在两个方向的发射度并不是旋转对称的，这也正是LEBT 采用3个螺旋管而非传统的2个螺旋管的原因.理论和实验表明，采用3个螺旋管可以将非旋转对称的束流转化为旋转对称束流，实现离子源束流与RFQ 接收度的匹配.图8LEBT 束流发射度测量结果：左侧上下两图分别显示的是流强为53mA 时x 方向和y 方向的发射度；右侧上下两图分别显示的是x 方向和y 方向不同发射度（相空间中面积）内所包含的流强大小因为从离子源引出的负氢束流归一化均方根发射度约为0.8πmm∙mrad ，大于RFQ 接收度0.2πmm∙mrad 的要求，在LEBT 未安装束流准直器的初始调试阶段，如图9左所示，RFQ 的束流传输效率通常只有75%～88.5%（这里为86.5%），但RFQ 出口的束流强度（MEBTCT01）可以高达30多毫安（这里为34.81mA ），远远大于CSNS 100kW 打靶束流功率要求的12.5mA 束流强度.为了提高RFQ 的束流传输效率，减少损失束流对RFQ 腔体损害的风险，我们在RFQ 入口、LEBT 末端的第三真空腔内安装了一个束流准直器，将发射度大于RFQ 接收度的束流刮除.有了束流准直器后，如图9（b ）所示，RFQ 的束流传输效率提高到92%～97%之间.RFQ 出口束流强度越小，RFQ 束流传输线效率越高（这里束流强度为7白城师范学院学报第35卷16.726mA ，传输效率为92.1%）.（a ）没有束流准直器时，传输效率为86.5%（b ）有束流准直器时，传输效率为92.1%图9RFQ 在有无束流准直器时的束流传输效率如前所述，为了提高束流从直线加速器到RCS 的注入及加速效率，前端系统还需在低能传输线对脉宽为400μs 的宏脉冲束流进行切束处理，把束流切成重复频率约为1MHz ，脉宽约为500ns （根据需求可进行调整）的微束团.为此，我们在RFQ 入口、LEBT 的末端的第三真空腔内安装了一个偏转板型静电预切束器.之所以称之为预切束器，是因为切束后的束流，如果其上升沿/下降沿不满足要求，还需在MEBT 安装另一个切束器对束流上升沿/下降沿再切束，直至切束束流的上升沿/下降沿满足RCS 要求.预切束器安装在RFQ 的入口、LEBT 的末端，一方面，可以避免破坏束流在LEBT 的空间电荷中和效应，而空间电荷中和效应对减少束流在LEBT 传输的发射度增长非常重要［2-3］；另一方面，因为束流在RFQ 入口为汇聚束，束流包络小，这样静电预切束器尺寸就小，其负载电容也小，切束束流的上升沿/下降沿也就小.为进一步减小偏转板型静电预切束器的负载电容，两块偏转板之间并非平行，而是让偏转板之间的间隙随汇聚束流包络的减小而减小，同时，偏转板的宽度也随包络变小而变小.这样就可以进一步减小切束器的负载电容及工作偏转电压，减小切束束流的上升沿/下降沿.但是，因为预切束器紧靠RFQ 的入口，切除的部分束流会损失在RFQ 加速器中，对RFQ 的运行稳定性产生影响.图10显示的是重复频率为1Hz 、脉宽为100μs 宏脉冲束流经过切束后的测量结果.实验中，切束器将脉宽为100μs 的宏脉冲切成脉宽为500ns 、重复频率为1MHz 的微脉冲，切束率为50%.切束率可以根据实际运行需求进行优化调整.目前，在CSNS 100kW 打靶束流功率运行中，切束率经过优化后选择为43%，即切除的束流比例为43%.图10RFQ 出口束流的BPM 信号.上：切束后脉宽为500ns 的微脉冲；中：微脉冲束流上升沿约10～12ns；下：微脉冲束流下降沿约10～12ns8欧阳华甫，等：中国散裂中子源加速器前端运行及改进第2期图10显示的信号为RFQ出口，由束流位置监视器（BPM）给出的束流信号.加载的切束电压为4.5kV.理论上，只要加载的切束电压大于3.9kV即可彻底切除不需要的束流.但是加载的电压越大，切束束流的上升沿/下降沿就越小.从图10可以看出，切束束流的上升沿/下降沿约为3～4个射频（RF）脉冲周期.CSNS直线加速器的射频工作频率为324MHz，一个RF周期的时间为3.086ns.因此，切束束流的上升沿/下降沿约为10ns，达到了此类切束器的世界最好水平.由于CSNS LEBT预切束器完美的切束结果，MEBT不再需要另外安装切束器，为MEBT结构设计和束流物理的优化创造了有利条件.利用LEBT 的静电切束器，前端系统可以提供丰富的出束模式，更好地服务于加速器的调试和研究，如单发模式、单束团模式、双束团模式以及各种脉宽和重复频率的束流模式.3射频四极加速器（RFQ）CSNS RFQ是一个集横向聚焦、纵向聚束及纵向加速于一身的四翼型射频加速结构，也是CSNS加速器的第一个加速结构.RFQ将离子源产生的能量为50keV的负氢束流加速至能量3.0MeV.尽管CSNS 一期100kW打靶束流功率只要求前端系统提供束流强度为15mA、脉宽为400μs、重复频率为25Hz的脉冲束流，但考虑到CSNS二期升级的需要，RFQ设计的脉冲束流强度选择为40mA［4］，同时RFQ腔体的冷却设计也是按CSNS二期的RF占空比进行的，RFQ设计的参数值如表2所示.表2CSNS RFQ的主要设计参数参数类型工作频率/MHz注入能量/keV输出能量/MeV脉冲束流强度/mA脉冲束流宽度/μs束流重复频率/Hz注入归一化均方根发射度/（πmm·mrad）极间电压/kVRFQ长度/mm数值324503.040400250.2803620.074参数类型束流传输效率/%最大表面场强/（MV·m-1）平均束流孔径/mm电极头半径/mm腔体功率损耗/kW电极长度/mm入口间隙/mm出口间隙/mm数值97.631.683.5653.1733903603.0998.0058.970正如前面所述，为了尽量减小预切束器的负载电容、切束电压及切束束流上升沿/下降沿，预切束器安装在RFQ的入口、LEBT末端的第三真空腔里.这就导致切除的束流部分损失在RFQ加速腔内，造成RFQ加速腔的慢损害及RFQ的射频打火，影响RFQ运行的稳定性.在CSNS初期的10kW打靶束流功率调试和运行期间，切除束流对RFQ的稳定运行几乎毫无影响.但在2018年5月，随着CSNS打靶束流功率提高到20kW，切除束流对RFQ的稳定影响越来越大，甚至到了RFQ不能运行的程度，必须停束并进行RFQ射频高功率老练，老练后运行方能继续下去.经过理论和实验分析，RFQ打火原因聚焦在切除束流上.根据注入RFQ的束流参数，理论热分析表明损失在RFQ腔上的束流功率不可能融化RFQ的金属铜电极，只能是束流打在电极上产生的溅射，损害了电极表面的光洁度，导致高功率下电极间的耐压不够而引起射频打火.为此，我们将预切束器绕束流方向旋转45°角重新安装，使切除的束流从RFQ两个电极之间的间隙中进入RFQ腔体，打在RFQ的腔壁上.RFQ腔壁处为RF电磁场的磁场区，RF电场几乎为零.这样即使RFQ腔壁表面的光洁度变差，也不会引起RF打火.同时，物理上通过调整LEBT第三个螺旋管的聚焦，确保进入RFQ束流的包络小于RFQ电极之间的间隙；机械上通过调整RFQ入口端板束流孔径的尺寸，限制进入RFQ束流的包络，使包络小于RFQ电极间的间隙.尽管如此，在加速器的实际9。

BISOL相邻两电荷态相同质量重离子束相位能量调节的物理设计

第40卷第11期核技术 V ol.40, No.11 2017年11月 NUCLEAR TECHNIQUES November 2017——————————————第一作者：朱飞，男，1988年出生，2014年毕业于南华大学，现为博士研究生，研究领域为超导直线加速器技术收稿日期：2017-07-03，修回日期：2017-08-25First author: ZHU Fei, male, born in 1988, graduated from University of South China in 2014, doctoral student, focusing on the superconducting linear accelerator technologyReceived date: 2017-07-03, accepted date: 2017-08-25BISOL 相邻两电荷态相同质量重离子束相位能量调节的物理设计朱飞彭朝华郑健李爱玲周立鹏胡跃明（中国原子能科学研究院核物理研究所北京 102413）摘要放射性核束物理是国际核物理研究的前沿，滴线区新物理、铁以上重元素的天体合成过程、超重稳定岛核素合成等关键科学问题的突破将对整个自然科学产生重大影响，这些研究都需要高强度的极端丰中子核束。

将中国先进研究堆及强流氘离子加速器打靶产生的放射性核束传输至物理终端，采用两电荷态束流同时加速可以有效提高束流强度；通过分析离子束分离注入同步加速原理，采用静电高压调节离子束相位差，速率调节器同步离子束能量，分别计算得到不同种类核束引出电压参数和速率同步参数；同时分析计算了电压调节与离子束相位差变化关系，得到电压调节参数。

计算结果表明，当调节电压幅值取±8 kV 时，可满足不同种类离子相位调节需求。

关键词相位调节，能量调节，放射性核束，高压中图分类号 TL53DOI: 10.11889/j.0253-3219.2017.hjs.40.110201Physics design of phase and energy adjustment for heavy ion beam of the same masswith two-charge state on BISOLZHU Fei PENG Zhaohua ZHENG Jian LI Ailing ZHOU Lipeng HU Yaoming(Department of Nuclear Physics , China Institute of Atomic Energy , Beijing 102413, China )Abstract Background: The breakthroughs in researches on drip line of new physics and the process of celestial synthesis of heavy elements above iron and nuclide synthesis of super heavy island would have a significant impact on natural science, and in which high-intensity neutron rich beam plays an indispensable part. Purpose: The radioactive beam produced by China advanced research reactor (CARR) and the high intensity deuteron accelerator is transmitted to the physical terminal, and the beam intensity can be effectively enhanced by the simultaneous acceleration of the two-charge state beam. Methods: Based on the principles of scatter injection and synchronous acceleration for ion beam, the high voltage was used to adjust the phase difference of the ion beam, and the speed regulator to synchronize the ion beam energy, the extraction-voltage and rate-synchronization parameters of different kinds of ion beam are calculated, respectively. V oltage regulation parameters are obtained by analyzing the relationship between voltage regulation and phase difference of ion beam. Results: The results show that with regulate voltage at ±8 kV , phase adjustment for different types of ion beam can be satisfied. Conclusion: Physics design parameters can meet the requirement of engineering construction.Key words Phase adjustment, Energy regulation, Radioactive beam, High voltage核技术 2017, 40: 110201北京在线同位素分离丰中子放射性束流装置(Beijing Isotope-Separation-On-Line Neutron-Rich Beam Facility, BISOL)是依托利用中国原子能科学研究院现有的中国先进研究堆(China Advanced Research Reactor, CARR)在反应堆南侧地块建造一台在线同位素分离型丰中子束流装置，其主要研究领域为针对重大科学前沿的不稳定区原子核物理与针对国家重大需求的核能材料科学。

中国散裂中子源快循环同步加速器注入系统水平涂抹凸轨磁铁样机的设计

中国散裂中子源快循环同步加速器注入系统水平涂抹凸轨磁铁
样机的设计
霍丽华;康文;郝耀斗;宋金星
【期刊名称】《原子能科学技术》
【年(卷),期】2009(043)006
【摘要】阐述了中国散裂中子源(CSNS)快循环同步加速器(RCS)注入系统水平涂抹凸轨磁铁样机的设计.为满足设计要求和空间位置关系的需要,提出一种不对称窗框型铁芯结构,同时针对样机研制中存在的技术难题提出相应的解决方案.磁场模拟计算和试验的结果表明,该结构设计合理.
【总页数】4页(P570-573)
【作者】霍丽华;康文;郝耀斗;宋金星
【作者单位】中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049;中国科学院高能物理研究所,北京,100049
【正文语种】中文
【中图分类】TL503.3
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2013年华南理工大学自然科学国家基金

B020101 面上项目 B0202 面上项目
80 85 80 80 85 83 80 80 83 80 80 80 80 80 80 85 90 85 80 80 85 82 80 80 80
B020203 面上项目 B020203 面上项目 B0210 面上项目
B030606 面上项目 B040101 面上项目 B040401 面上项目 B040701 面上项目 B060102 面上项目 B060104 面上项目 B060304 面上项目 B060502 面上项目 B060702 面上项目 B060702 面上项目 B0608 B0608 面上项目面上项目
18
2.1E+07 张山青
19 20 21 22
2.1E+07 马於光 2.1E+07 李雪辉 2.1E+07 刘海洋 2.1E+07 曾和平
申请代码项目类别批准金额 1 青年科学平均曲率流中非紧Self-shrinkers的结构 A010303 22 基金项目新型反铁磁/稀释反铁磁型异质结构的交换青年科学 A040208 25 偏置效应研究基金项目基于微纳光纤的新型波长转换技术及其物青年科学 A040407 26 理机制研究基金项目正交双波长双脉冲LA-LIBS技术及其在原青年科学 A040411 27 位元素显微分析中的应用基金项目青年科学圈量子引力的推广及其应用 A050106 22 基金项目非正规不可微泛函临界点和拟线性 A010601 面上项目 60 Schrodinger方程的研究高维自由边界问题及其在肿瘤模型中的应 A010802 面上项目 55 用测度的重分形分析及相关问题 A011405 面上项目 62 基于刚度扩散模型的多组件结构协同布局 A020312 面上项目 76 优化设计方法研究控制导管螺旋桨、机器人本体与脐带缆耦 A020402 面上项目 76 合作用下带缆遥控水下机器人水动力问题研究高速列车夹层风挡的强冲击动力特性及温 A020602 面上项目 86 度效应研究噪声和混响对儿童课堂言语识别和记忆行 A040504 面上项目 80 为的影响新型高选择性光催化吸附耦合技术及其燃青年科学 B060304 25 油吸附脱硫机理基金项目体外重构细菌肽聚糖单体合成途径的基础青年科学 B060408 25 研究基金项目煤和焦炉气联供联产烯烃和电力过程创新青年科学 B060502 25 和集成优化基金项目三维多孔结构钒氧化物复合材料的设计合青年科学 B0609 25 成及电化学性能研究基金项目优秀青年新型金属有机骨架吸附和催化材料 B060304 科学基金 100 项目海外及港新一代光电催化传感器的光催化材料设计澳学者合 B030304 20 、制备与催化特性研究作研究基金电化学聚合薄膜的结构与功能调控及光电 B04 重点项目 280 器件应用研究基于离子液体的生物质转化关键科学问题 B06 重点项目 310 金属咔咯配合物的催化反应 B010303 面上项目 83 光催化还原CO2功能化MOFs的设计合成 B010303 面上项目 84 项目名称

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Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ２．４５ＧＨｚｉｎｔｅｎｓｅｐｕｌｓｅｄＥＣＲｐｒｏｔｏｎｓｏｕｒｃｅａｎｄ１ＯＷｅｎｅｒｇｙｂｅａｍｔｒａｎｓ —
武启，张文慧，杨尧，马鸿义，曹云，钱程，马保华，
王辉，李锡霞，孙良亭，张雪珍，张子民，赵红卫
（中国科学院近代物理研究所，甘肃兰州７３００００）
摘要：清华大学为微型脉冲强子源加速器注入研制了一套２．４５ＧＨｚＥＣＲ强流脉冲质子源和低能传输
ＺＨＡＮＧＸｕｅ～ｚｈｅｎ，ＺＨＡＮＧＺｉ－ｍｉｎ，ＺＨＡＯＨｏｎｇ — ｗｅｉ
（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｏｄｅｒｎＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｌａｎｚｈｏｕ７３００００，Ｃｈｉｎａ）
线（ＬＥＢＴ）系统。质子源采用四电极系统引出能量达５０ｋｅＶ／７５ｍＡ的混合束，经低能传输段实现匹配
注入ＲＦＱ加速器。在ＬＥＢＴ出口处获得了高达５０ｋｅＹ／６０ｍＡ的质子束，使用Ａｌｌｉｓｏｎ发射度探测器在第２诊断室测得均方根归一化发射度小于０．２ｒｔ－ｍｍ・ｍｒａｄ。本文介绍强流质子源与低能传输段的调试
ｄｏｉ：１０．７５３８／ｙｚｋ．２０１５．４９．Ｓ１．０５１８
ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＩｎｔｅｎｓｅＰｒｏｔｏｎＳｏｕｒｃｅａｎｄＬＥＢＴＳｙｓｔｅｍ
ｐｏｒｔ（ＬＥＢＴ）ｓｙｓｔｅｍｗａｓｄｅｖｅｌｏｐｅｄｂｙＴｓｉｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｆｏｒｔｈｅｃｏｍｐａｃｔｐｕｌｓｅｄｈａｄ —
ｒｏｎｓｏｕｒｃｅ（ＣＰＨＳ）．Ｔｈｅｐｒｏｔｏｎｉｎｊｅｃｔｏｒｐｒｏｖｉｄｅｓｐｒｏｔｏｎｂｅａｍｉｎｔｏａ３．２ＭｅＶＲＦＱ
ｍｅａｎ — ｓｑｕａｒｅ（ＲＭＳ）ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄｅｍｉｔｔａｎｃｅｉＳ１ｅｓｓｔｈａｎ０．２７ｃｍｍ・ｍｒａｄ．Ｔｈｅｃｏｍｍｉｓｓｉｏ－
ｎｉｎｇｒｅｓｕｌｔｓｏｆｔｈｅｉｎｔｅｎｓｅｐｒｏｔｏｎｓｏｕｒｃｅａｎｄ１ＯＷｅｎｅｒｇｙｂｅａｍｔｒａｎｓｐｏｒｔｓｙｓｔｅｍｗｅｒｅ
ｉｎＣｏｍｐａｃｔＰｕｌｓｅｄＨａｄｒｏｎＳｏｕｒｃｅ
ＷＵＱｉ，ＺＨＡＮＧＷｅｎ－ｈｕｉ，ＹＡＮＧＹａｏ，ＭＡＨｏｎｇ — ｙｉ，ＣＡＯＹｕｎ，
Ｈｕｉ，ＬＩＸｉ — ｘｉａ，ＳＵＮＬｉａｎｇ — ｔｉｎｇ，
第４９卷增刊
２０１５年１０月
原
子
能
科
学
技
术
Ｖｏ１．４９，Ｓｕｐｐ１．Ｏｃｔ．２０１５
ＡｔｏｍｉｃＥｎｅｒｇｙＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ＣＰＨＳ中强流质子源与低能传输线研制
ａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ．Ｔｈｅ５０ｋｅＶ／７５ｍＡｈｙｂｒｉｄｂｅａｍｅｘｔｒａｃｔｅｄｂｙａ４－ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｅｘｔｒａｃｔｉｏｎｓｙｓ —
结果，并对束流品质进行了研究。
关键词：微型脉冲强子源；质子源；低能传输线；强流脉冲束；归一化发射度
中图分类号：ＴＬ５０１．５文献标志码：Ａ文章编号：１０００ — ６９３１（２０１５）Ｓ１ — ０５１８ — ０５
ｔｅｎｒｆｒｏｍｔｈｅｉｏｎｓｏｕｒｃｅｐａｓｓｅｓｔｈｒｏｕｇｈｔｈｅＬＥＢＴｔｏｔｈｅＲＦＱｅｎｔｒａｎｃｅａｎｄｔｈｅｒｏｏｔ —