《数字电子技术--刘汉华》第3章 门电路-精简版语文
数字电子技术基础-课后习题答案_第3章_门电路

数字电子技术基础第三章习题答案3-1 如图3-63a~d所示4个TTL门电路,A、B端输入的波形如图e所示,试分别画出F1、F2、F3和F4的波形图。
略3-2 电路如图3-64a所示,输入A、B的电压波形如图3-64b所示,试画出各个门电路输出端的电压波形。
略3-3 在图3-7所示的正逻辑与门和图3-8所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明F和A、B之间是什么逻辑关系。
答:(1)图3-7负逻辑真值表F与A、B之间相当于正逻辑的“或”操作。
(2)图3-8负逻辑真值表F与A、B之间相当于正逻辑的“与”操作。
3-4 试说明能否将与非门、或非门、异或门当做反相器使用?如果可以,各输入端应如何连接?答:三种门经过处理以后均可以实现反相器功能。
(1)与非门: 将多余输入端接至高电平或与另一端并联;(2)或非门:将多余输入端接至低电平或与另一端并联;(3) 异或门:将另一个输入端接高电平。
3-5 为了实现图3-65所示的各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系,请合理地将多余的输入端进行处理。
答:a )多余输入端可以悬空,但建议接高电平或与另两个输入端的一端相连;b)多余输入端接低电平或与另两个输入端的一端相连;c) 未用与门的两个输入端至少一端接低电平,另一端可以悬空、接高电平或接低电平;d )未用或门的两个输入端悬空或都接高电平。
3-6 如要实现图3-66所示各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系,请分析电路输入端的连接是否正确?若不正确,请予以改正。
答:a )不正确。
输入电阻过小,相当于接低电平,因此将Ω50提高到至少2K Ω。
b) 不正确。
第三脚V CC 应该接低电平。
c )不正确。
万用表一般内阻大于2K Ω,从而使输出结果0。
因此多余输入端应接低电平,万用表只能测量A 或B 的输入电压。
3-7 (修改原题,图中横向电阻改为6k Ω,纵向电阻改为3.5 k Ω,β=30改为β=80) 为了提高TTL 与非门的带负载能力,可在其输出端接一个NPN 晶体管,组成如图3-67所示的开关电路。
数字电子技术基础PPT第3章 门电路

V V V V V V V V V V V V V mA mA mA
VIL
输入低电平
4.5 V 6V 2V 4.5 V
VOH
输出高电平
6V 4.5 V 6V 2V 4.5 V
VOL
输出低电平
6V 4.5 V 6V
IIH IIL ICC
输入高电平电流 输入低电平电流 静态电源电流
6V 6V 6V
(1)对于输入端,有两个逻辑电平参数 VIHmin:输入高电平时的最小电压值, VILmax:输入低电平时的最大电压值, (2)对于输出端,也有两个逻辑电平参数 VxOLma:低电平输出时的最大输出电压。 VOHmin:高电平输出时的最小输出电压。 电源电压VCC与地线像两根轨道,通常称为电源轨道。 VIHmin=70%VCC VILmax=30%VCC VOHmin=VCC - 0.1 V VOLmax=地线电平+0.1 V 由于在最坏情况下电源电压VCC降落10%,为4.5 V,所以VOHmin最小为4.4 V。5 V电 源电压时74HC04的输出、输入高低电平如图所示。
具有动作电平表示的MOS管非门电路,
PMOS和NMOS管的符号除了在PMOS管的栅极加一个小圈以外是完全相同的。 如果小圈代表该管在输入电压为低电平L时漏极和源极之间导通,而没有小圈代表在 输入电压为高电平H时漏极和源极导通,则可以知道:在VIN=L时,Q2导通,Q1截 止,VOUT=H;在VIN=H时,Q1导通,Q2截止,VOUT=L。
MOS管的栅极与漏极、源极之间绝缘,所以栅极与漏极、源极之间有很高的阻 抗;在栅极与源极(衬底)之间加电压Vgs产生电场,可以吸引P型半导体衬底内的 电子形成N型导电沟道,一旦形成导电沟道就可以连通源极与漏极相连的N+区域, 使源极与漏级之间形成导电电阻,这时加有电压Vds的漏级与源极之间可形成电流漏 源电流Ids。由于是依靠电场来控制漏极和源极之间的沟道,进而控制导电电阻,因 此称为“场效应”。
数字电子技术第三章逻辑门电路

(2)基本应用
模拟开关作为数据选择器 1)C=0时,TN管截止,TP 导通,A点为1,TG1开通, TG2关断,L=X;
2)C=1时,TN管导通,TP 截止,A点为0,TG2开通, TG1 关断,L=Y。
4051模拟开关芯片内部结构
8个模拟开关
4052模拟开关芯片内部结构
双4路模拟开关
3.1.9、 CMOS电路的优点
1. 集成度高,静态功耗小。 2. 允许电源电压范围宽(118V)。 3. 扇出系数大,抗噪容限大。
3.2 TTL逻辑门电路
1、三极管的开关特性
①当Vi=-V时,发射结反偏截止 Ic≈ 0,Vce≈Vcc。 开关断开
②当Vi=+V时,通常调节Rb使得Ib>Ics/β
T饱和,此时Ic=Ics,Vce≈0.3V, 三极管饱和导通。 开关闭合
第三章 逻辑门电路
3.1、 MOS门电路 3.1.1 NMOS 开关 负载线
ID
vi=“1”
0 vo=“0”
vi=“0”
UDS
vo=“1”
3.1.2 NMOS 开关特性:
(1) Vi=0(Vi<VT ) ,MOS管截止,类似开关断开,Vo =1(高电平);
(2) Vi=1(Vi>VT ) ,MOS管饱和导通,开关接通呈现一个 小的接通电阻,若Ron<<RL , Vo =0(低电平); (3) MOS管开关具有延迟
=1
=0
C
C
Ron<<RL
3.1.3 NMOS 非门
(1)电阻RL实际用MOS管替代;
(2)T1为工作管(增强型),T2为负载管(耗尽型)始终 导通,但导通电阻Ron2>>Ron1。 (3) Vi=0(Vi<VT ) ,T1截止, T2导通,Vo =1(高电平);
《数字电子技术基础》第3章.组合逻辑电路PPT课件

3.4 典型组合逻辑电路及其应用
3.4.3 数据选择器
示意图数据选择器 (multiplexer,MUX)又 称多路选择器或多路开关, 是应用比较广泛的中规模 组合逻辑电路,尤其是电 子设计自动化技术发展成 熟的今天。
图3.4.19 数据选择器
3.4 典型组合逻辑电路及其应用
1.典型数据选择器
1)双4选1数据选择器74153
3.2.2 冒险现象的判断
1.代数法
2.卡诺图法
3.2 组合逻辑电路中的竞争冒险与消除方法
3.2.3 冒险现象的消除方法
1.增加冗余项
2.输出接滤波电容
3.增加选通信号
3.3 VHDL的顺序行为
3.3.1 进程语句
进程本身是并行行为,且存在于结构体中。进程内 部的语句要进入进程之后才能顺序执行。进入进程是靠敏 感信号发生变化的时候,称此时为“激活”进程。若敏感 信号同时激活多个进程,进程是按并行行为执行的。进程 语句的一般形式如下:
(1)第2号不能与第7号同时配用。 (2)第3号和第6号必须同时配用。 (3)同时用第4、9号时,必须配用11号。
请设计一个逻辑电路,在违反上述任何一个规定时,发出 报警指示信号。
解:(1)设置11种化学试剂为输入信号,2对应A,7对应B, 3对应C,6对应D,4对应E,9对应F和11对应G。设置F1、F2和F3 分别为违反3种规定的输出。
<进程标号> :PROCESS<敏感信号表> <进程说明区> BEGIN <语句部分> WAIT ON<敏感信号表> ; UNTIL<条件表达式> ; WAIT FOR<时间表达式> ; END PROCESS;
数字电子技术基础第三章 门电路

• 只用于IC内部电路
3.3 CMOS门电路
3.3.1MOS管的开关特性
金属层
一、MOS管的结构
氧化物层 半导体层
PN结
S (Source):源极 G (Gate):栅极 D (Drain):漏极 B (Substrate):衬底
以N沟道增强型为例:
i f (u)
u
击穿
iIS(eU T1) (常温 U T下 2m 6 V)电压
温度的 电压当量
材料 硅Si 锗Ge
开启电压 0.5V 0.1V
导通电压 0.5~0.8V 0.1~0.3V
反向饱 开启 和电流 电压
反向饱和电流 1µA以下 几十µA
三、二极管的等效电路
理想 二极管
导通时i与u成 线性关系
浓度差 多子的扩散运动
扩散和漂移 这一对相反的 运动最终达到 动态平衡,空 间电荷区的厚 度不再改变。
(动画1-3)
6 PN结的导电性
(1) PN结加正向电压时的导电情况
PN结加正向电压时的导电情况如图01.07所示。
外加的正向电压, 方向与PN结内电场方向 相反,削弱了内电场。 扩散电流加大。扩散电 流远大于漂移电流,可 忽略漂移电流的影响, PN结呈现低阻性。
图01.02 本征激发和复合的过程(动画1-1、动画1-2 )
因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出 现的,称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能 回到空穴中去,称为复合,如图01.02所示。
本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。
3 杂质半导体
(1) N(Negative)型半导体 (2) P(Positive)型半导体
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
数字电子技术第3章 门电路

《数字电子技术》多媒体课件
山东轻工业学院
二、电压、电流传输特性曲线 1、电压传输特性曲线
BC段:VTN<vi< VDD-∣VTP∣ T1、T2同时导通 设T1导通内阻为RON1 , T2导通内阻RON2 :
B'
在BB'段, RON2 > RON1 在B'C段, RON1 > RON2
VDD> VTN+∣VTP∣
高电平:VIH=VCC 低电平:VIL=0
• vI=VIH D截止,vO=VOH=VCC • vI=VIL D导通,vO=VOL=0.7V
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二、 二极管门电路
1、二极管与门
设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V
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一、CMOS与非门和或非门 工作原理: A B T1 T2 T3 T4 Y
0 0 1 1
与非门
0 1 0 1
Y
1 1 1 0
A B
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工作原理:
T3 T1 T2
A B T1 T2 T3 T4 Y
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2、高电平输出
高电平输出特性为:
IOH (1)∵VOH=VDD-∣IOH∣RON ∴随着∣IOH∣↑→VOH略有降低 (2)在同一IOH下, VDD↑→RON↓→VOH↑
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3.3.5 其它类型的CMOS门电路
一、CMOS与非门和或非门 二、带缓冲级的CMOS与非门和或非门 三、CMOS OD门 四、CMOS传输门 五、CMOS三态门 重点:(1)CMOS门电路的连接规律; (2)根据电路结构分析电路逻辑功能。
第3章 逻辑门电路
输出级由T3、T4、RC4 和 D3组成。与非门工作在稳 态时,T3和T4总是一个截 止另一个导通,这种情况
能降低输出级的静态功耗,
提高与非门的负载驱动能
力。这种电路也称为推拉
图3-14 TTL与非门电路
式或图腾柱输出电路。
17
3.2 TTL逻辑门电路
2. 工作原理
设输入信号A、B的高电平为VIH = 3.0V,低电平为VIL =
3.1 分立元件门电路
二极管输入和输出电压之间的关系如表3-1所示。若 0~0.8V为低电平,2~5V为高电平,低电平和高电平分别用 逻辑0和逻辑1表示,则表3-1对应的真值表为3-2所示。可 知,输出和输入之间是一种与逻辑关系。
3.1 分立元件门电路
3. 二极管或门 一个简单的二极管或门电路如图3-5所示。由图3-5可知, 输入电压信号A、B和输出电信号压Y之间的关系如下:
15
3.2.1 TTL与非门
1. 电路结构 图3-14是一个74标准系列TTL与非门电路结构,它由输入
级、倒相级和输出级三部分组成。
输入级由T1、RB1、D1和D2组成。多发射极三极管T1可以 视为两个发射极独立,基极与基极、集电极与集电极分别并联
在一起的一个三极管,如图3-15所示。D1和D2是两个钳位二极 管,导通压降均为
干扰能力,噪声容限越大,其抗干扰能力也越强。
实际电路中,通常有多个门电路连接在一起。这样,
前一级门的输出就成了后一级门的输入。因此,噪声容限
就是前一级门电路输出电平值为最坏的情况下,为保证后
一级门电路正常工作所允许的最大噪声幅度。噪声容限 有
输入高电平噪声容限和输入低电平噪声容限,如图3-17所
在DE段,即使输入电压 υI 继 续增加,输出电压 υo 不再改变, 该段称为饱和区。
数字电子技术 第三章
极管伏安特性。
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第三章 门电路
《数字电子技术基础》第五版
二极管的动态电流波形:
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南昌大学
设VIH =VCC 高电平, VIL= 0 低电平。
当vI =VIH 时 D截止,vO=VOH=VCC
当vI =VIL 时 D导通,vO=VOL= 0.7V
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第三章 门电路
《数字电子技术基础》第五版
因此,可以用VI 的高、低电平控制二极管的开关状 态,并在输出端得到相应的高、低电平输出信号。
第三章 门电路
《数字电子技术基础》第五版
获得高、低电平的基本原理
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高/低电平都 允许有一定 的变化范围
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ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
第三章 门电路
《数字电子技术基础》第五版
正逻辑:高电平表示1,低电平表示0 负逻辑:高电平表示0,低电平表示1
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第三章 门电路
四、等效电路
《数字电子技术基础》第五版
OFF ,截止状态
ON,导通状态
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第三章 门电路
五、MOS管的四种类型 • 增强型
《数字电子技术基础》第五版
• 耗尽型
大量正离子 导电沟道
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第三章 门电路
数字电子技术基础 第3章 组合逻辑电路1PPT课件
2. 列真值表
3. 写输出表达式并化简
ABCY
YA B C A B CAC B ABC0 0 0 0 001 0
BC AB CAC B
010 0
B C A C AB 最简与或式 最简与非-与非式
011 1 100 0 101 1
YBC AC AB
110 1 111 1
BC AC AB
4. 画逻辑图 — 用与门和或门实现 YB C A C AB — 用与非门实现 YBC AC AB
统分析。
二、分析举例 [例] 分析图中所示电路的逻辑功能
A B
&
C
[解] 表达式
真值表
& ≥1 Y A B C Y A B C Y
000 1 100 0 001 0 101 0 010 0 110 0
011 0 111 1
YAB A C AB B C AB C C AB A C BC
ABC ABC
3. 列真值表
ABCD Y 0000 0 0001 1 0010 1 0011 0 0100 1 0101 0 0110 0 0111 1
ABCD Y 1000 1 1001 0 1010 0 1011 1 1100 0 1101 1 1110 1 1111 0
4. 功能说明: 当输入四位代码中 1 的个数为奇数时输出
第三章 组合逻辑电路
电子技术 数字电路部分
第三章
组合逻辑电路
第三章 组合逻辑电路
整体概况
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数字电子技术第3章门电路
23
青岛科技大学电工电子教研室
R1
4k
vB1
A
(vI )
T1
D1
R2
1.6k
vC 2
T2
vE 2
R3
1k
VCC R4
130
T4
D2 Y
T5
(vO )
输入级 倒相级
输出级
TTL反相器的典型电路
vI = VIH = 3.4V时
vB1 = VIH + VON = 4.1V
T2、T5导通, vB1被钳位在2.1V,
正逻辑与负逻辑
高低电电平平用用逻逻辑辑0高低表1 电表电示平示平用,用逻逻辑辑1表0 表示示 ,
• 非特别说明用正逻辑。
•本书中一律采用正逻辑。 高←→1;低←→0。
• 高低电平的允许范围
图3.1.2 正逻辑与负逻辑
5
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3.2 半导体二极管和三机关的开关特性 3.2.1 半导体二极管的开关特性
* 3.6其他类型的双极性数字集成电路
* 3.7 Bi-MOS电路 * 3.8 TTL电路与MOS电路的接口
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退出2
§3-1 概述
门电路 用于实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的
单元电路。 常用:与门、或门、非门、或非门、与非门的
电路等。
3
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单开关电路
17
五、动态开关特性
从二极管已知,PN 结存在电容效应。
在饱和与截止两个 状态之间转换时, iC的变化将滞后于VI, 则VO的变化也滞后 于VI。
18
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六 、三极管反相器
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如图3.3.35所示将推拉式TTL与非门 的输出端并联,则当某一门的输出端为低 电平,如Y2=0,则当Y1=1时,会有G1门的 电流通过G2门的T5管,这个电流远远超过 正常工作电路,有可能使T5管损坏
图3.3.35
5. OC门的结构特点
如图3.3.36所 示为OC门的 电路和结构和 符号,输出管 的集电极开路
四、门电路的静态特性
1. 电压传输特性 P80-81
门电路的电压传 输特性是指输出电压 vo和输入vI之间的关系 曲线,如图3.3.11所示。 并设
vI
1
vo
图3.3.11 CMOS反相器的电压传输特性
四、门电路的静态特性(续)
2. 输入特性 P83
输入特性是从门电路输入端看其输入 电压与电流的关系, CMOS电路为例:
图3.3.36
主要记住OC门的逻辑符号
6. OC门“线与”的实现
若利用 OC门实现线 与功能,则 将几个OC门 的输出并联 起来用一个 上拉电阻即 可,如图 3.3.38所示, 即
图3.5.38
Y Y1 Y2 AB CD AB CD
7. OC门的应用
a.实现与或非逻辑-线与 如图3.5.38的线与电路,其输出为
将输出电压变化滞后于输入电压变化的时间称为传输延 迟时间。
五、 门电 路的 动态 特性 (续)
tPHL-输出由高电平跳变为低电平时的传输延迟时间 测量上:输入电压前沿上升到幅值的50%与输 出后沿下降到幅值的50%之间的差值
tPLH-输出由低电平跳变为高电平时的传输延迟时间 测量上:输入电压后沿下降到幅值的50%与输 出前沿上升到幅值的50%之间的差值
IIL “灌电流”
• 7)
IOH
• 8)
IOL
七、门电路的扇出系数N (补充)
门电路常工作在驱动同类门的情况下,如TTL与非门 驱动TTL与非门。通常以同一类型的逻辑门作为负载 时,一个逻辑门能够驱动同类门的最大数目,称为扇 出系数N。
• 当输出低电平时
NL
IOL max I IL max
• 当输出高电平时
VDD
+5V
CMOS
RL
TTL
A
B
Y
图2.3.30 OD门在电平转换的应用
③实现数据采集
如图3.3.31所示,可实现母线(总线ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ的数据的接
收和传送
可利用选通信号 SA~ SC来实现对不同 通道数据的采集,并 输送到母线上。接收 时,利用选通信号 SD~ SG来实现数据从 不同通道输出。
总
SA~SG为选 通信号
第三章 门电路
一、门电路概念:P66 二、 逻辑约定:正负逻辑系统 P67
(1) 正逻辑: (2) 负逻辑:
本书采用正逻辑系统图3.1.1 正负逻辑示意图
三、门电路内部电路,(了解) P79-80 P123 P128
+vDD T1
v1
vo
vI
1
vo
图3.3.10 CMOS反相器电 路
T2 +vSS
Y Y1 Y2 ( AB) (CD) ( AB CD)
②电平转换
由于OD门的高电平可以通过外加电源改变,故它 可作为电平转换电路。一般CMOS与非门的电平0 ~12V,而TTL门为0 ~ 3.6V。若需要将逻辑电平为的 逻辑电平,只要将负载电阻接到5V电源即可,其电路 如图3.3.30所示
Y Y1 Y2 (AB) (CD) (AB CD)
实现电路比较简单 b.电平转换
图3.5.38
与OD门一样,由于OC门
的高电平可以通过外加电源改
VCC
变,故它可作为电平转换电路。
一般TTL与非门的电平为0 ~
NH
IOH max I IH max
N min( NL , NH )
八、OD门(P94)和OC门(P131)
1. OD门: 将CMOS门电路的输出级做成漏极开路的形 式,称为漏极开路输出的门电路,简称OD(Open- Drain Output)门
OD门
图3.3.25 OD门的逻辑符号
VDD1
是指在保证输出高、低电平基本不变(不超过规定范 围)时,允许输入信号高、低电平的波动范围
vI 1
vo
vI
t
vo
t
输入噪声容限为
VNH VOH(min) VIH (min) VNL VIL(max) VOL(max)
图3.3.13 CMOS反相器输入噪声 容限示意图
五、门电路的动态特性 1、传输延迟时间tPHL和tPLH P87
vI
1
图3.3v.o16 CMOS反相器的输入特性
四、门电路的静态特性(续)
3. 输出特性
输出特性为从门电路输出端看输出电压 和输出电流的关系,包括输出为低电平
P85
输出特性和输出为高电平输出特性,
CMOS电路为例:
a.低电平输出特性
b.高电平输出特性
四、门电路的静态特性(续)
4. 噪声容限 P82
tpd-平均传输延迟时间,tpd=( tPHL+ tPLH)/ 2
六、门电路的主要性能参数 (分散在各处)
• 1)
VOH
• 2) 输出低电平 VOL
• 3) 输入高电平 VIH
• 4) 输入低电平 VIL
• 5)
开门电平 VIH min
关门电平 VILmax IIH “拉电流”
VON
VOFF
• 6)
当Y1、 Y2有一个为低电平时,则为低电平;只有 Y1、 Y2同时为高电平,两个输出管同时截止,输出为 高电平,Y和Y1、 Y2为与的关系
输出端逻辑式为
Y Y1 Y2 (AB)(CD ) (AB CD)
故OD门的线与实现了与或 非的逻辑功能。
3. OD门的应用 ①实现与或非逻辑
线
A&
SD
&
D
SA B&
&
SE
E
SB C& SC
&
SF
F
&
SG
G
图2.3.31 OD门在数据采集的应用
八、OD门(P94)和OC门(P131) (续) 4 集电极开路与非门(OC门- Open Collector Gate) P131
与OD门一样,为了实现线与构, TTL与非门也可以采用集电极开路的形式
RL
A
B
Y
图3.3.26 OD门工作电路
2. OD门实现“线与” 普通的CMOS逻辑门输出端不能并联使用,为什么?
A
B
F
C D
2. OD门实现“线与” OD门可以将输出端直接相接,即实现线与逻辑,其电 路如图3.3.27所示
图3.3.27 线与逻辑电路的接法
图3.3.27 线与逻辑电路的接法 其工作原理为: