二氧化硅各种转化示意图

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集成电路工艺原理 第二章 氧化

集成电路工艺原理 第二章 氧化
Байду номын сангаас
氧化杂质 特定的杂质,特别是氯化氢(HCl)中的氯, 若氧化环境中含有氯,它将影响氧化生长速率, 实践证明在有氯化氢的情况下,生长速率可提 高1%~5%。 多晶硅氧化 与单晶硅相比,多晶硅可以更快、更低或 相似,主要取决于多晶硅的生长方法,若用化 化 学气相淀积法生长多晶硅,则与淀积温度、淀 学气相淀积 积压力、掺杂的类型和浓度有关。
快速热氧化 高压 炉管反应炉 化学氧化 阳极氧化 电解槽
化学的
2.4 水平炉管反应炉 最早使用也一直延续至今。主要用在氧化、扩 散、热处理及各 装载区 源区 中央区 种淀积工艺中。 水平炉管反应炉 消声器 的截面图如下: 氧化 炉管 整个系统包含 反应室、 反应室、温度 控制系统、 控制系统、反 比例 控制器 应炉、 应炉、气体柜 清洗站、 、清洗站、装 平区 片站等 片站 温度
进入或落在硅片表面,在氧化过程中, 污染 物在表面形成新的氧化层,是污染物远离了电 子活性的硅表面。也就是说污 染物被禁锢在二氧化硅 膜中,从而减小了污染 物对器件的影响。 2.1.2 掺杂阻挡层 器件制造过程中的掺杂是定域(有选择的 区域)掺杂,那么不需要 掺杂的区域就必须进行 保护而不被掺杂。如图 所示。
第二章 氧 化
概述 硅表面SiO2的简单实现,是硅材料被广泛 应用的一个重要因素。本章中,将介绍SiO2的 生长工艺及用途、氧化反应的不同方法,其中 包括快速热氧化工艺。另外,还简单介绍本工 艺中最重要的部分---反应炉,因为它是氧化、 扩散、热处理及化学气相淀积反应的基本设备。 2.1 二氧化硅的性质、用途 二氧化硅的性质、 在半导体材料硅的所有优点当中,SiO2 的极 易生成是最大的有点之一。当硅表面暴露在氧 气当中时,就会形成SiO2。(有良好的化学稳定 性和电绝缘性,能对某些杂质起到掩蔽作用)

二氧化硅 PPT

二氧化硅 PPT

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高一化学必修一 二氧化硅和硅酸精品PPT课件

高一化学必修一  二氧化硅和硅酸精品PPT课件

三、硅酸
1物理性质 _____难__溶______于水的白色胶状物质。 2 化学性质 (1)弱酸性: 向Na2SiO3溶液中通入CO2,反应的化学方程式为
. Na2SiO3+CO2+H2O===H2SiO3↓+Na2CO3
结论:H2SiO3酸性比H2CO3酸性 弱.
(2)不稳定性 H2SiO3受热易分解,反应方程式为 H2SiO3==△===SiO2+H2O .
偶尔来给自己一点喘息的余地和放松的空间吧,只为回归纯粹。 于是,我选择了一个周五的傍晚,住进了“花筑”民宿,来到了位于迪士尼周边2km的小镇。
算是给自己放一个小假,只为圆一场童话梦。 穿梭回到童年,就为简单、不知所谓的快乐一番。
我选择了一家名叫“花筑“的客栈,热情友善体贴的老板会在上海地铁11号线的终点站迪士尼和客栈之间,往返接送你的整个行程。
• A.①②③④⑤
B.②③④
• C.②④⑤
D.①②④
3、A、B、C、D、E代表单质或化合物,它们之间的 相互转换关系如图所示.A为地壳中含量仅次于氧 的非金属元素的单质.
• 请填空:
• (1)形成单质A的原子
• 的结构示意图为________, • 它的最高化合价为__+.4 • (2)B的化学式(分子式)为__S_i_O_2___.
从这个意义上讲,距离就等于理解,就是温情,就是关心。 带着对自己思考后肯定的回答,我安稳的睡去。
当心平和了,睡眠也就踏实了,也就能为第二天的童话镇“漫游”提供力量了。
第二天早八点,民宿老板娘准时敲门,在简单收拾过后,就出发前往迪士尼乐园了。
迪士尼乐园,在这片最神奇而真实的土地上,总有一些属于你自己的magic moment,我们虽然知道它不是生活的避难所,但总还是想让这份美好永驻。

二氧化硅的性质

二氧化硅的性质

经常采用方法。因为温度越高时间越长越会引起其
它负面影响,比如,晶园表面层中“错位”和温
度及高温下的时间密
不锈钢套
石英 反应 管
切相关,而这种错位
对器件特性是很不利 高压惰性气体 的。高温氧化系统如 高压氧化气体
图所示。
和普通水平反应炉相似,不同的是炉管 是密封的,氧化剂被用10~25倍大气压的压力 泵入炉管。在这种压力下,氧化温度可降到 300~700℃而又能保证正常的氧化速率。在这 种温度下晶园的错位生长可降到最小。
不均匀的氧化率及氧化步骤
经过一些制作工艺后,晶园表面的条件会 有所不同,有的是场氧化区,有些是掺杂区, 有些是多晶硅区等等。每个区上面氧化层厚度 不同,氧化层厚度的不同被称为不均匀氧化。
不同的氧化率导致了在晶
园表面形成台阶(见图) 。
硅晶片
图中显示的是与比较厚的
再氧化之前
场氧化区相邻的氧化区形
(a)
7.2.1 影响氧化速率的 因素
晶格方向
因为不同晶向其
原子密度不同,所以
在相同的温度、氧化
气压等条件下,原子
密度大的晶面,氧化
生长速率要大,而且 在低温时的线性阶段
1000 û C
更为明显。如图所示。10
<111> 硅 <100> 硅
11120000
û û
C C
900 û C 800 û C 700 û C
成了一个台阶,在暴露区
台阶
的氧化反应较快。
硅晶片
再氧化之后 (b)
7.3 热氧化方法
从氧化反应方程式可以看出,氧和硅的反应 似乎很简单,但是要达到硅技术中的氧化必须 附加条件,那就是加热,给反应过程足够的能 量是其满足要求,所以常称之为热氧化。

二氧化硅课件28页

二氧化硅课件28页

二氧化硅
透过图片思考: 二氧化硅具有哪些物理性质? 化学稳定性如何? 你的根据是什么? SiO2的这些性质是由什么决定的? 物理性质:
二氧化硅
透过图片思考: 二氧化硅具有哪些物理性质? 化学稳定性如何? 你的根据是什么? SiO2的这些性质是由什么决定的? 物理性质: 难溶于水, 熔点高, 硬度大。
——利用氢氟酸和SiO2 反应的原理
SiO2 + 4HF == SiF4 + 2H2O
作为酸性氧化物的SiO2,氢氟酸( HF)是 唯一可以与之反应的酸。
(五)二氧化硅的用途
由于SiO2具有优良的物理化学性能,加上 SiO2在自然界的广泛O2是由Si原子和O原子以1 2的比例结合形成 的立体网状结构,并不以分子的形式存在。
因为玻璃中含有SiO2,而SiO2可 以跟HF酸发生反应,所以HF酸可 以腐蚀玻璃,从而不可用玻璃来盛 氢氟酸;而用塑料瓶。
(四)化学性质—性质稳定, 不活泼
① 是酸性氧化物
SiO2 + 2NaOH == Na2SiO3 + H2O 高温
SiO2 + CaO === CaSiO3
② 难溶于水,不与水反应
二氧化硅 (SiO2)
硅石
硅矿山
二氧化硅广泛存在 于自然界中, 与其他 矿物共同构成了岩 石。天然二氧化硅 也叫硅石, 是一种坚 硬难熔的固体。
(一)二氧化硅存在形态:
水晶
硅石(12%)
结晶形:石英 无定形:硅藻土
玛瑙 ……
沙子
沙子
玛瑙
沙子 石英
玛瑙
二氧化硅
透过图片思考: 二氧化硅具有哪些物理性质? 化学稳定性如何? 你的根据是什么? SiO2的这些性质是由什么决定的?

SiO2系统晶相图

SiO2系统晶相图

SiO2系统晶相图o SiO2系统晶相图SiO是硅酸盐系统中最基本的系统,它是一个具有多晶转变的典型2氧化物。

二氧化硅是自然界分布极广,其最普遍的状态是β,石英,以石英砂、硅石以及各种水晶的形式广泛的分布在岩石中。

二氧化硅用途很广泛。

β,石英可做压电晶体用在各种换能器上,石英玻璃可做光学仪器,由于其耐高温、化学稳定性良好也可做石英坩埚。

以鳞石英为主晶相的硅砖是一种重要的耐高温材料,用于冶金和玻璃工业。

SiO的单元相图对上述各种材料2的制备和使用有着重要的指导作用。

(1)SiO相图的基本内容(见图) 2SiO2在常压下的相图是由芬奈研究后于1913年发表的。

这个相图所标温度实际都是在101(325kPa下的各转变温度。

也就是说实验工作是在常压下进行的。

各变体的蒸气压极小,压力轴(纵轴)并不表示真正的压力数值,画出来的曲线仅仅表示温度变化时压力变化的趋势。

从图中可知SiO2在常压下当温度变化时可以有七种晶相,一种液相,一种气相。

实线表示稳定状态,虚线表示亚稳状态。

通过基本类型的学习我们可以看出实线代表的变体之间的转变是可逆的,同温度下,虚线代表的变体向实线代表的变体的转变是不可逆的。

相图中表示出α,石英的稳定范围在575,870?之间,故在自然界中是没有α,石英的。

在870?时,在有强的助熔矿化剂存在下,并粉碎成足够的细度,α,石英才转变成α,磷石英。

据实验证明,α,石英的转变并不按相图上的理想状态进行,而是过热到1300,1450?(也认为是1600?)缓慢进行的,而且经过中间相棗偏方石英转变成为α,方石英,虽然在这个温度范围内稳定态是α-鳞石英。

在急速加热石英到稍高于1420?(又说是1600?)时,就可以不转变为其他变体而熔化成粘度很大的液体(在自然界中同样也不存在有α-鳞石英,因为它的稳定范围在870,1470?,在1470?时缓慢转变为α,方石英,而在冷却时,它转变成β,鳞石英,接着迅速地转变为γ,鳞石英。

二氧化硅简介演示

二氧化硅简介演示

化学性质
酸性氧化物:二氧化硅是一种酸性氧化物,在一 定条件下可以与碱反应生成盐和水。这个性质在 化学实验和工业生产中都有广泛应用。
水解反应:二氧化硅在潮湿环境中可发生水解反 应,生成硅酸(H4SiO4)和氢气(H2)。这个 性质使得二氧化硅在某些地质环境中具有重要意 义,如硅藻土的形成。
稳定性:二氧化硅在常温下化学性质相对稳定, 不易与其他物质发生反应。但在高温条件下,它 可能与某些氧化物、酸等物质发生反应。
通过以上针对二氧化硅的安 全与环保问题的详细介绍和 相应措施,我们可以更全面 地了解和应对与二氧化硅相 关的问题,确保人类和环境 的安全。
06 结论与展望
二氧化硅的重要性总结
工业原料
二氧化硅是许多重要工业产品的 关键原料,如玻璃、陶瓷、水泥 等,对于推动工业发展具有重要
作用。
电子产品
在电子产品中,二氧化硅作为半 导体材料广泛应用于集成电路、 晶体管、太阳能电池等领域,是
高纯度的二氧化硅可用于制造半导体 材料,如集成电路、晶体管等,其优 异的绝缘性能和稳定性是电子工业的 重要基础材料。
光导纤维
二氧化硅光导纤维是通信领域的重要 基础材料,具有传输损耗小、带宽大 、抗干扰能力强等优点,广泛应用于 现代通信网络中。
在陶瓷和玻璃工业的应用
陶瓷原料
二氧化硅作为陶瓷原料,可以降低陶瓷的烧结温度、提高陶瓷的硬度、耐磨性和耐腐蚀性。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
通过以上物理和化学性质的介绍,我们可以看出 二氧化硅是一种非常重要和多功能的化合物,在 各个领域都有广泛应用。
03 二氧化硅的生产和制备方 法
天然提取法
石英砂提取
二氧化硅可以从天然石英砂中提取。通过破碎、研磨、洗涤 等步骤,可以得到不同纯度的二氧化硅产品。这种方法原料 丰富,成本较低,但纯度可能受到原料中杂质的影响。

6.2.3 SiO2系统相图

6.2.3  SiO2系统相图
常压和有矿化剂或杂质存在时sio石英石英870鳞石英鳞石英1470方石英方石英1723石英石英160鳞石英鳞石英268方石英方石英加热石英玻璃石英玻璃117鳞石英鳞石英变体之间的转变重建型转变位移型转变转变类型高温型石英鳞石英方石英和熔体间高低温型同系列中间结构变化表面逐渐向内部进行介稳态在常温下存在全部晶体内发生对生产影响不大多晶转变时的多晶转变时的体积效应体积效应在材料制备和使用中需特别注意
160℃
268℃
加热 急冷

β-石英
β­鳞石英
β­方石英
石英玻璃
移 型
117℃


γ­鳞石英
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变体之间的转变
转变类型 结构变化 体积变化
转变速度
对生产影响
重建型转变 高温型
石英、鳞石英、方石英和熔体间
大 大 慢
表面逐渐向内部进行 介稳态在常温下存在
使用时
烤窑过程
120℃、163℃、230℃、573℃ 注意缓慢进行。 573℃以后可加快升温速度。
温度范围
870~1430℃ 范围内较适宜

位移型转变 高低温型
同系列中α、β、γ间
小 小

全部晶体内发生
不大
多晶转变时的体积效应在材料制备和使用中需特别注意。
SiO2系统相图
平衡状态下
6个单相区 9个二相平衡状态
3条晶型转变线 4个三相点
一级变体间的转变(石英、方石英、鳞石英) 二级变体间的转变(α、β、γ)
பைடு நூலகம்
介稳状态下
<573℃,β­石英 573℃,β­石英→α­石英
材料科学基础
第6 章
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结石的检验方法
肉眼鉴定
肉眼鉴定是指用肉眼手标本直接观察或利用10~20倍放大镜观察.
肉眼分析的内容:观察结石的外貌特点,颜色,周围环境及存在部位.
一般粉料结石在玻璃中以未熔颗粒形成疙瘩,常为乳白色,结石边缘由 于不断熔蚀而变圆.且由于未熔石英聚集成团继之缓慢溶解,使周围玻璃相 的粘度大大超过了其他部位,在此即会形成以结石未中心的圈形条纹或玻 筋.有时在白疙瘩周围会聚集有较大的气泡.乳白色的椭圆形的结石在放大 镜下有时可以看到水花样的条纹,则是未熔的芒硝颗粒聚集而成的芒硝结 石.析晶结石也常呈乳白色,但多处于制品的表面.耐火材料结石因组分不同 结石的形态.颜色各不相同.粘土结石一般呈浅灰白色.莫来石常具有青灰色 或暗棕色,且常伴有一些气泡,在粘土质耐火材料表面侵蚀带的玻璃釉质层 中,肉眼可见针状结晶矿物即为莫来石晶体.碹滴多为硅质耐火材料结石,其 表面的针状结晶物质则为鳞石英.且因硅质耐火材料中含有铁,结石常呈黄 绿色,伴有条纹和结瘤,常为滴状.特征的结石肉眼分析是准确的,但一般情况 下它只能作为进一步分析的参考
Ng’
B

Np’
C
D

E Hα

ALeabharlann G K1 OK2 FA

Np’

Ng’

P
干涉色色谱图
偏光的原理
偏光显微镜 产生干涉的原理
反光显微镜
为什么要用反光显微镜来研究岩相?
1.要测不透明的晶体(其厚度在0.03mm时也不透明)的光学性质. 2.有些透明晶体也用这种方法检测,因为这种方法制片简单,光片受侵蚀后
钠钙质结石
主要结石如下:
(以下均为析晶结石,硅灰石有时也出现在耐火材料结石中但常与鳞石英共生)
结石名称 失透石 α -硅灰石 β -硅灰石
透辉石
结石来源
钠钙玻璃析晶
1180℃以上稳定的玻 璃析晶产物
在显微镜可观察到的 现象
鉴别主要依据
扇羽状,放射状,针状 或柱状,突起中等,正 延性
晶形常呈扇状,集束纤 维状,柱状,突起
该组分的析晶物质条件如:
CaO→硅灰石(CaO.SiO2) MgO →透辉石(CaO.MgO.2SiO2) NaO →失透石(Na2O.3CaO.6SiO2) SiO2→鳞石英方石英析晶 此外,在冷却阶段,由于设计的冷却温度.成型温度不适当, 恰好造成某种物相的析晶温度条件,则会出现该组分的大量析 晶.所以要避免析晶结石除严格控制配合料组分外,还应采取 相应的工艺措施,如熔化池尽量避免死角;提高成形速度,使制 品迅速的越过各组分的析晶区等.
以C轴为旋转轴的长形旋
转椭球体。(Ng代表最
大的折射率值:Np代
表最小的折射率值)
双折射:当光入射非均质体时,就要产生两条折
射光线,这种现象叫双折射
常光:当光波射入一轴晶矿物,除光轴外,每一
个方向的入射线均发生双折射分解成两种偏光,均 有两个折射率。其中一个偏光的光波振动方向永远 垂直光轴其传播速度及折射率值不变称为常光,以符 号“o”表示。常光折射率不随入射光波振动方向改 变而改变,其折射率用No表示。
偏光显微镜分析
以岩相学的分析方法是对玻璃结石的分析鉴定是最有效 的方法.
分析的步骤如下:
1.在肉眼分析的基础上大致确定结石的来源进而根据玻璃的 组分.结石的来源, 初步判断可能有的结石矿物
2.将结石部位切割下来,制成0.03mm薄片,以备观察.
3.在单偏光镜下浏览全薄片,观察结石及玻璃相的颜色.多色 性.各种不同晶体的形态的完善程度,晶体的分布情况及晶 体的解理,突起等级.折射率值范围等.这对玻璃的来源分析 很有意义的. 4.正交镜观察结石矿物的干涉色.消光类型.消 光角.延性.双晶等.
六方片状,柱状或针状, 由延性符号与β 型区
突起与干涉色均较高, 别,由折射率与鳞石英,
负延性
失透石区
1180℃以下稳定的玻 璃析晶产物,常与失透 石在一起
α石英2.53
700~900 ℃开始
1200~1400
1300~1400 ℃显著
℃显著 亚稳方石英
α鳞石英2.27
1470 ℃强烈
α方石英2.229 >1713
快冷
熔体
石英玻璃2.2
1200~1470 ℃显著
1400~1470
-16.0% ℃强烈
1000开始,1200~1300℃强烈
-15.4% 亚稳方石英
OD=OB.Sinα OE=OB.Sinα OG=OB.Sinα.Cosα OF=OB.Cosα.Sinα
OG和OF两者大小相同但符号相反

而产生干涉的条件是:1.频率相同2.有固定的光程差3.在同一个平面内振动
(光程差)R=d(Ng’-Np’)
(振幅)A+2
p
=OB2
Sin2
2αSin[---d--(-N--g--’--N---p-’-)-.π] λ
产生结石的几方面原因: (1)配合料混合不均匀
(2)原料质量不高
(3)操作不当
极不充分的未熔粉料结石
不充分的未熔粉料结石
二氧化硅各种转化示意图
γ鳞石英2.27
-0.14 %
117 ℃快
β石英2.65
β鳞石英2.24
β方石英2.32
2.80 %
+0.2 %
180~290快
163 ℃快
0.82
573℃ (快)
晶体轮廓清晰,便于镜下定量测定,适宜生产控制.
明视场:使用它时视域中矿物表面整个是明亮的.因矿物反光能力不同
而造成明暗差.
暗视场:使用它时矿物表面基本上是黑暗的,只有不同矿物交界线,
半透明及透明矿物裂纹,交接面等反射的光线,因为方向适合而有一部 分射入物镜,而成明亮。
反射色:专指矿物表面选择反射色光而产生的颜色,有称表色.有许多矿
物有很显著的特征反射色,所以它是鉴定不透明矿物的重要特征.
岩相分析在玻璃生产上的应用
一.对原料的分析研究
二.对玻璃缺陷的检验
玻璃缺陷包括有:气泡.条纹.结瘤和结石
三.对应力分布的检查
四.对玻璃显微结构的研究
结石的来源
1.来源于粉料的结石
由于配合料没有充分溶化而残留在玻璃液中,冷却后进入 成型部而形成的结石。
片 的椭圆半径是同名轴平行,则总光程差为R=R1+R2 若两进体切片重叠时,Ng1//Np2.Np1//Ng2,即两切片
的椭圆半径是异名轴平行,则总光程差为R=R1-R2
附件补色器:就以知光率体椭圆半径轴名的晶体切片,
利用他们与未知椭圆半径轴名的晶体切片重叠,根据 干涉色的升降,就可测定未知晶体切片上光率体椭圆 半径的名称.
非常光:另一种偏光的光波振动方向是在光波的
传播方向与光轴所构成的平面上,其传播速度与折 射率值随着光波振动方向不同而改变,称为非常光。 以符号“e”表示。非常光折射率是随着入射光波振 动方向的改变而变化,其折射率用Ne表示。
正光性:当Ne>No·称为一轴晶正光性光率

负光性:当Ne<No称为一轴晶负光性光率
5.对于某些个别矿物可作轴性.光性测定.
6.依据分析结果定出结石矿物名称,结合生产情况提出结石 来源分析意见,进而制定调整措施.
结石的分类及显微镜鉴定
一.硅质结石
主要矿物有:未熔石英,鳞石英 方石英
结石来源
在显微镜可观察到的现象
鉴别是的主要依 据
未熔石英
料粉未熔透,硅 质耐火材料交代 作用而产生
粒状,正突起低, 不规则粒状,有裂纹,正突起低, 正光性,常与
>1470
无矿化剂存在时
矿物名称下的数字为其相对密度,百分率数字表示变化 的体积改变:快表示快速转变;(.鳞石英的熔点较高 (1670℃),在液相中溶解度低,是高温下硅砖最稳定的晶 相)
二氧化硅变体转化时的膨胀率
转化温度(℃) 结晶形态转化
线膨胀(%) 体积膨胀
117~163 γ 鳞石英→α 鳞石英
粒状,短柱状,正突起低,负延性, 接近玻璃相处,常呈梯状,羽 状生长
含锆玻璃析晶或耐火 直角相交树枝状,突起双折射率都
材料熔蚀变产物
很高
粉料中的夹杂物,含 锆耐火材料蚀变 产物
细小粒状或针状,突起双折射率都 很高
鉴别主要依据
晶形呈六方片状, 折射率很高, 常与莫来石霞 石伴生
六方片状晶形,常 与霞石伴生
无解理,边缘可能呈负突起 鳞石英,方石 英伴生
鳞石英
由石英转化而来的鳞石英在碹
粉料碹滴,析晶 硅质浮渣,硅砖 受侵蚀
滴和硅砖中常呈矛头状双 晶;经由玻璃相析晶而成的, 呈六方骨架(主干和分支成 60度角)状或羽毛状,有时
晶形特点,负突起, 矛头双晶,负 延性
呈六方片状或管柱状
方石英
析晶,硅质浮渣, 石英转化产物, 碹滴,硅质耐火 材料
溶化部高温区碹顶使用的优质硅砖的内部结构
用于下游胸墙,后脸墙,卡脖碹顶澄清区胸墙碹顶的 96Ⅰ级硅砖
1#小炉碹砖
4#南侧碹砖
方石英向鳞石英转化的景象
硅质碹顶“钟乳石”状悬垂物落入玻璃后形成由鳞石 英,方石英和玻璃相组成的结构
三.来源于析晶的结石
它是一种反玻璃化现象,使玻璃失去澄清的本性,它大多数 聚集成脉状斑点出现在玻璃表面部位,它的形成往往是由于配 合料中某种组分过量或混合不均,使局部某种组分过量,造成
0.86~1.30 14.4 17.4
——
—— 0.1
二.来源于耐火材料的结石
(1)温度条件 (2)化学侵蚀 (3)物理侵蚀 耐火材料的侵蚀无外乎以下三种情况:
1.耐火材料的本身的的晶化或气孔 2.耐火材料的物相与玻璃反应后生成的变质 矿物 3.耐火材料被熔化后重新析晶的矿物.
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