南理工光电子器件习题集
南京理工大学-光电检测技术总结
南京理⼯⼤学-光电检测技术总结习题01⼀、填空题1、通常把对应于真空中波长在（0.38m µ）到（0.78m µ ）范围内的电磁辐射称为光辐射。
2、在光学中，⽤来定量地描述辐射能强度的量有两类，⼀类是（辐射度学量），另⼀类是(光度学量)。
3、光具有波粒⼆象性，既是（电磁波），⼜是（光⼦流）。
光的传播过程中主要表现为（波动性），但当光与物质之间发⽣能量交换时就突出地显⽰出光的（粒⼦性）。
4、光量Q ：?dt φ，s lm ?。
5、光通量φ：光辐射通量对⼈眼所引起的视觉强度值，单位：流明lm 。
6、发光强度I ：光源在给定⽅向上单位⽴体⾓内所发出的光通量，称为光源在该⽅向上的发光强度，ωφd d /，单位：坎德拉)/(sr lm cd 。
7、光出射度M ：光源表⾯单位⾯积向半球⾯空间内发出的光通量，称为光源在该点的光出射度，dA d /φ,单位：2/m lm 。
8、光照度E ：被照明物体单位⾯积上的⼊射光通量，dA d /φ，单位：勒克斯lx 。
9、光亮度L ：光源表⾯⼀点的⾯元dA 在给定⽅向上的发光强度dI 与该⾯元在垂直于给定⽅向的平⾯上的正投影⾯积之⽐，称为光源在该⽅向上的亮度，)cos /(θ?dA dI ，单位：2/m cd。
10、对于理想的散射⾯，有Ee= Me 。
⼆、概念题1、视见函数：国际照明委员会（CIE ）根据对许多⼈的⼤量观察结果，⽤平均值的⽅法，确定了⼈眼对各种波长的光的平均相对灵敏度，称为“标准光度观察者”的光谱光视效率V (λ),或称视见函数。
2、辐射通量e φ：是辐射能的时间变化率，单位为⽡ (1W=1J/s)，是单位时间内发射、传播或接收的辐射能。
3、辐射强度e I ：从⼀个点光源发出的，在单位时间内、给定⽅向上单位⽴体⾓内所辐射出的能量，单位为W ／sr(⽡每球⾯度)。
4、辐射出射度e M ：辐射体在单位⾯积内所辐射的通量，单位为2/m W。
张永林 第二版《光电子技术》课后习题答案.doc
1.1可见光的波长、频率和光子的能量范围分别是多少？波长：380~780nm 400~760nm频率：385T~790THz 400T~750THz能量：1.6~3.2eV1.2辐射度量与光度量的根本区别是什么？为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量？为了定量分析光与物质相互作用所产生的光电效应，分析光电敏感器件的光电特性，以及用光电敏感器件进行光谱、光度的定量计算，常需要对光辐射给出相应的计量参数和量纲。
辐射度量与光度量是光辐射的两种不同的度量方法。
根本区别在于：前者是物理（或客观）的计量方法，称为辐射度量学计量方法或辐射度参数，它适用于整个电磁辐射谱区，对辐射量进行物理的计量；后者是生理（或主观）的计量方法，是以人眼所能看见的光对大脑的刺激程度来对光进行计算，称为光度参数。
因为光度参数只适用于0.38~0.78um 的可见光谱区域，是对光强度的主观评价，超过这个谱区，光度参数没有任何意义。
而量子流是在整个电磁辐射，所以量子流速率的计算公式中不能出现光度量.光源在给定波长λ处，将λ～λ+d λ范围内发射的辐射通量 d Φe ，除以该波长λ的光子能量h ν，就得到光源在λ处每秒发射的光子数，称为光谱量子流速率。
1.3一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m 的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx ，求出该灯的光通量。
Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx1.4一支氦-氖激光器（波长为632.8nm ）发出激光的功率为2mW 。
该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm 。
求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。
若激光束投射在10m 远的白色漫反射屏上，该漫反射屏的发射比为0.85，求该屏上的光亮度。
32251122()()()6830.2652100.362()()22(1cos )()0.362 1.15102(1cos )2(1cos 0.001)1.4610/cos cos cos 0()0.3v m e v v v v v v v v v v v K V lmd I d S Rh R R I cd dI I I L cd m dS S r d M dS λλλλλππθλπθπθθπλ-Φ=Φ=⨯⨯⨯=Φ∆Φ==Ω∆Ω∆∆Ω===-∆Φ===⨯--∆∆====⨯∆Φ==52262 4.610/0.0005lm m π=⨯⨯'2'''222''2'2'100.0005(6)0.850.850.85cos 0.85155/cos 2v v v v v v v v l m r mP d r M E L dS lr L d dM l L cd m d dS d πθπθπ=>>=Φ===⋅⋅Φ====ΩΩ1.6从黑体辐射曲线图可以看书，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长随温度T 的升高而减小。
光电子习题课_last
Spot Size
3.2-2.
（1）当z-f>>z0时
f W0 MW0 M rW0 z f
z 0
1/2
比较：该近似在z>4m后与原图像 差别不大。
Spot Size
3 x 10
-5
3.2-2
2.5 2
（2）当z-f<<z0时
1.5
1
0.5
0
0
0.02
题意：一高斯光束的 z0 是50cm、波长是488nm，被放置在距束腰 z处、焦距5cm的 透镜转换成为束腰半径 W0 的光束，如图Fig. 3.2-2。编写程序绘出Wd-z曲线，验 证z-f>>z0和z<<z0 条件下的情况。
z W0 0
f z f
1/2
z0 W0 MW0 2 1/2 z 0 1 z f
氩离子激光器发射束腰半径0.5mm的488nm高斯光束，设计单透镜使之聚焦光斑 直径达100um。如何能够焦距最短？
同学中常见的做法
认为应把透镜放在束腰位置,这样能最快聚焦.
解答：
这样得到f是最短的吗？
同学中常见的做法
因为f很小，所以采取下面的近似：
这样得到的f是最小的吗？
完整解
1 99 2 (10 z 2 z0 z ) 99 100 W0 100 103 f M 0.1 2 2 W0 2 0.5 ( z f ) z0 f z
Photons in a Gaussian Beam
求光子落在某个区域内的概率
Photons in a Gaussian Beam
南理工电光与通信工程三套模拟题及重难点剖析
南京理工大学电光与通信工程专业818信号与系统重点、难点及模拟测试题目录第一部分专业课考试科目剖析 (2)第二部分重难点剖析 (4)一、考试要求 (4)二、考试内容 (4)（一）数字逻辑基础..................................................................................... 错误！未定义书签。
（二）逻辑门电路......................................................................................... 错误！未定义书签。
（三）组合逻辑电路.. (4)（四）时序逻辑电路引论............................................................................. 错误！未定义书签。
（五）时序逻辑电路的分析与设计............................................................. 错误！未定义书签。
（六）存储器和可编程逻辑电路................................................................. 错误！未定义书签。
（七）脉冲信号的产生与整形..................................................................... 错误！未定义书签。
第三部分应试技巧. (6)第四部分模拟测试题及答案 (7)2013年攻读硕士学位研究生入学考试模拟试题（一） (8)2013年攻读硕士学位研究生入学考试模拟试题（二） (13)2013年攻读硕士学位研究生入学考试模拟试题（三） (17)2013年攻读硕士学位研究生入学考试模拟试题（一）答案解析 (21)2013年攻读硕士学位研究生入学考试模拟试题（二）答案解析 (24)2013年攻读硕士学位研究生入学考试模拟试题（三）答案解析 (27)第一部分专业课考试科目剖析内容包含：[1] 徐天成，谷亚林，钱玲. 信号与系统（第二版）. 哈尔滨：哈尔滨工程大学出版社，2005[2] 郑君里，应启珩，杨为理. 信号与系统（第二版）. 北京：高等教育出版社， 2000[3]阎石. 数字电子技术基础(第5 版).北京:高等教育出版社,2006[4] 蒋立平. 数字电路.北京:兵器工业出版社,2001.3[5] Nelson VP 等. Digital Logic Circuit Analysis and Design.北京:清华大学出版社，修订人：蒋立平 2006.2适用南京理工大学，电光学院，大多数专业，个别如生物工程类专业除外！第二部分重难点剖析数字电路是光学工程、通信与信息系统、信号与信息处理、电磁场与微波技术、电路与系统等专业硕士研究生入学考试的科目之一。
2022年南京理工大学光电检测技术复习题
2022《光电检测技术》复习题一、选择题1、关于光度量，正确的选项是〔〕A、ΦC的单位为W B、I 的单位为cd e、Φ 的单位为lm D、E 的单位为lx2、关于辐射度量，错误的选项是〔〕A、E e 是描述扩展辐射源向外放射的辐射特性B、Ie为从一个点光源发出的，给定方向上单位立体角内所辐射出的辐射通量C、对于抱负的散射面，有E e= M eD、Φe是辐射能的时间变化率3、光电检测系统的核心是〔〕A、处理电路B、光电管C、透镜D、光电探测器4、关于PMT，错误的选项是〔〕A、使用时不宜用强光照B、抗震性好C、工作电流不宜过大D、选大负载电阻来扩展频带5、关于良好的光电放射材料，正确的选项是〔〕A、光吸取系数要大B、溢出深度要大C、材料的溢出功要大D、有肯定的电导率6、雪崩光电二极管是利用〔〕效应制作的器件。
A、光电放射B、压电C、热电D、内光电7、外光电效应的光电探测器有〔〕A、光电三极管B、光电池C、PMTD、雪崩光电二极管8、具有光电倍增的器件有〔〕A、PMTB、LEDC、雪崩光电二极管D、PSD9、探测微弱、响应速率较高的光信号，应承受〔〕A、光电二极管B、PMTC、热释电探测器D、光电三极管10、某一材料在297K 下其禁带宽度Eg=0.5(eV )，该材料制作的光电探测器的截止波长为〔〕A、2.48 微米B、248 纳米C、1.24 微米D、124 纳米11、发光强度的单位为〔〕A、流明B、坎德拉C、勒克斯D、瓦12、导带是〔〕A、满带B、禁带C、允许带D、价带13、弱光注入是指〔〕A、非平衡载流子个数多于热平衡载流子个数B、非平衡载流子个数少于热平衡载流子个数C、非平衡载流子个数多于热平衡载流子多子个数D、非平衡载流子个数少于热平衡载流子多子个数14、关于非平衡载流子中的电子和空穴个数，正确的选项是〔〕A、电子和空穴的个数相等B、对N 型半导体，电子的个数多于空穴的个数C、对P 型半导体，电子的个数少于空穴的个数D、以上都正确15、一块半导体样品,有光照时电阻为100 欧姆，无光照时为10 兆欧姆,样品的光电导为〔〕A、0.01ΩB、0.01SC、100mSD、100Ωo o 16、 关于光度量，正确的选项是〔 〕A 、Φ 的单位为cdB 、I 的单位为cd eC 、Φ的单位为lmD 、E 的单位为lx 17、关于 PMT ，正确的选项是〔 〕A 、使用时不宜用强光照B 、抗震性好C 、工作电流不宜过大D 、选大负载电阻来扩展频带18、关于良好的光电放射材料，错误的选项是〔 〕A 、光吸取系数要小B 、溢出深度要小C 、材料的溢出功要小D 、有肯定的电导率19、内光电效应的光电探测器有〔 〕A 、LEDB 、PSD 20、具有光电倍增的器件有〔 〕C 、PMTD 、APDA 、PMTB 、LED 21、关于辐射度量，正确的选项是〔 〕C 、APD D 、PSDA 、 E e是描述扩展辐射源向外放射的辐射特性 B 、 I 为从一个点光源发出的，给定方向上单位立体角内所辐射出的辐射能 e C 、 M e 是描述扩展辐射源向外放射的辐射特性 D 、φ e 是辐射能的时间变化率 二、名词解释及简答题1、简述光电倍增管的构造？答：光电倍增管由光入射窗、光电阴极，电子光学输入系统(光电阴极到第一倍增极 D1 之间的系统)、二次放射倍增系统及阳极等构成。
真空电子技术题库(南京理工大学)
1. 速调管的定义？答：速调管是用电子流做媒质，利用电子渡越时间效应，以对电子注的速度调制并转为密度调制为基本原理，将电子注直流能量转换成高频能量的一种装置。
2. 速调管的基本理论基础？答：当速度vo的电子注穿过具有外加调制电压U(t)=sinwt的谐振腔间隙时，由于电子在穿越间隙的过程中，间隙的电压不断变化，电子的动能也随之发生变化，穿出间隙后的电子速度就各不相同了，电子注受到了速度调制。
电子再进入无电场的漂移管中按惯性运动，速度快的电子赶上出发早但速度慢的电子，而速度慢的电子则逐渐落后于保持速度不变的电子，从而形成了电子注的密度调制，建立起疏密不均的电子注。
这便是速调管的最基本的理论基础。
3. 问：行波管工作理论依据：答案：行波管是依靠和电磁波同步的电子把能量交给电磁波而实现放大。
从电子枪中发射出来的电子在进入慢波结构时可能在电场的4个典型相位：如图，A和C两类电子处于零电场处和电磁波没有互作用，即没有能量交换。
B类电子处于加速场中，将从电磁波中吸收能量。
D类电子处于减速场中，将把能量交给电磁波。
电子枪发射的电子是连续的，故B类电子的数量=D类电子的数量，所以D类电子所交出的能量=被B类电子吸取的能量。
这一过程中还伴随着“电子群聚”的过程，即B类电子被加速后将比C类电子快而赶上C 类电子，D类电子被减速后将比C类电子慢而向C类电子靠拢，即大部分电子都将聚集在C 类电子附近。
如果使电子的速度略微高于电磁波的速度，那么群聚在C类电子处的电子将进入减速场区中，交出能量。
A类电子将进入加速场区中，从电磁波处取得能量，但A类电子是极少数，因此总的结果是电子交出能量，电磁波得到放大。
4.问：根据下图说明双管放大比单管放大更有优势的原因（注：PN=kTNF G△F）答案：根据行波管噪声计算公式：P N=kTN F G△F，k为玻尔兹曼常数，T为室温，ΔF为行波管的工作带宽Hz，N F为行波管的噪声系数（倍数），G为行波管的增益（倍数）。
南理工研究生工程光学复试(DOC)
填空1.光电传感器的作用（）2光电效应的光电探测器（）（）（）（）等3具有光电倍增的器件有（）（）等4半导体对光的吸收有（）（）（）（）等半导体对光的吸收主要是（）5 热电探测器是将辐射能转化为（）能，然后再把它转化为（）能的器件6光外差法的物理机理是（）7光电探测器中主要的固有噪声有（）（）（）（）等8 简单光学目标的形位检测方法：几何中心法和（）二概念说明1、积分响应率2、外光电效应3、等效噪声功率4、黑体三简述、计算题1 一种光电材料的逸出功为0.67Ev，试计算该材料的红限波长。
（普朗克常数h＝6.626*10-34(J.s)，光速C＝2.998*108(m/s)，电子电量e＝1.6*10-19库仑）2、光敏电阻R与R L＝20kΩ的负载电阻串联后接于Vb＝12V的直流电源上，无光照时负载上的输出电压为V1＝20mV，有光照时负载上的输出电压为V2＝2V，求①光敏电阻的暗电阻和亮电阻值②若光敏电阻的光电导灵敏度Sg＝6×10－6s/lx,求光敏电阻所受的照度.3、简述发光二极管的发光原理，发光二极管的外量子效率与哪些因素有关。
4、简述光盘存储工作原理。
5、为什么要引入胖零电荷？胖零电荷属于暗电流吗？能通过对CCD器件制冷消除胖零电荷吗？6、利用光电信息技术测量速度有几种方法？为什么说激光多普勒测速技术的精度高，可信度也高？05年试题1.LED的优点（）A寿命短B体积大C功耗大D发光效率高2.光电检测的核心（）A处理电路B发光管C 透镜D 光电传感器3.可作为单色光源的有（）A he-ne激光B发光二级管C日光灯D卤钨灯4.内光电效应的光电探测器（）A热释电探器B光电管C光电倍增管D雪崩二极管5.具有光电倍增的器件有（）A光电管B光电倍增管C光电二极管D光敏电阻6.响应频率较高的探测器（）A雪崩二极管B光敏电阻C硒光电池D热释电器件7.对于微弱的光信号的探测，采用的方法是（）A单电路直读法B双光路比较法C指零法D光外差法8.热释电探器的工作的物理机理是（）A光伏特效应B光电导效应C热电效应D外光电效应9.光外差法的物理机制是（）A光的反射B光的偏振C光的干涉D光的折射10.光电探测器的主要作用是（）A光信号的放大B光信号转换成电信号C 电信号转换成光信号D光信号的调制概念说明（30）1.光电导效应2.光谱响应率D转移效率4.等效噪声功率5.相干探测原理说明（60）1.介绍光电检测的5种基本形式2.说明雪崩二极管的工作原理3.说明CCD器件的工作原理4.说明激光器的工作原理5.说明光电倍增管的工作原理6.为什么光外差探测法有利于探测微弱光信号设计题1.设计一套测量材料透过率的光电测试自动装置，要求消除光源的不稳定性的因素的影响，说明工作原理画出原理框图2.设计一台有合作目标的光电测距装置，说明工作原理画出原理框图06年填空1.光电检测的核心（）A处理电路B光电管C透镜D光电传感器2.光的能量（）A与光的频率成反比B与光的波长成反比C与光的频率无关D 与光的波长无关3.可用作干涉光源的有（）Ahe-ne激光B发光二级管C钠灯D卤钨灯4.内光电效应的光电探测器（）A光电池B光电管C光电倍增管DLED5.具有光电倍增的器件（）A光电管B光电二极管C雪崩二极管D光敏电阻6.响应频率较高的探测器（）A雪崩二极管B光敏电阻C硒光电池D热释电器件7.可消除光源的影响，采用的方法有（）A单光路直读法B双光路差动法C指零法D双光路补偿法8.热释电探器的探测是（）A光强度B温度的变化C电压D温度的大小9.光外差法的可检测（）A光的相位B光的强度C光电流D光电压10.光电探测器的主要作用是（）A光信号的放大B光信号转换成电信号C电信号转换为光信号D光信号的调制概念1.光伏效应2.光电导效应3.调制4.光学多普勒效应5.萨那克效应原理说明1.说明光电倍增管的工作原理2.为什么光外差探测法有利于探测微弱光信号3.说明热释电探测器的工作原理4.说明莫尔条纹检测的工作原理5.说明但光路指零法的工作原理6.举例说明为什么光学干涉仪可以看做是光载波的光学调制和解器的结合，从信号调制的角度看，光学信息可做怎样的分类（求画图说明）设计题要求（1）绘出工作原理图（2）绘出原理框图（3）说明工作原理1.设计一套测量材料透过率的光电测试自。
光电子学习题15章-PPT精选
第一章 思考与练习（答案）
1. 求在 T = 1500K 的热平衡空腔中， = 0.5m 的可见光的自发辐射功率与受激辐 射功率之比。要使受激辐射超过自发辐射，辐射场的能量密度必须大于多少？
解：T = 1500K, = 0.5m, 折射率 为 1，
w(,t)8hc 333
①
②————（激光器满足阈值条件）。
对光进行外调制的典型方式有：（机械调制）、（电光调制）、（声 光调制）、（磁光调制）。
第一章 思考与练习
二、名词解释 1. 光电子技术？
光电子技术主要研究光与物质中电子相互作用，及其能量相互转化的相关技术。 2. 受激辐射？
原子受外来能量为hv的光子激励，从高能级向低能级跃迁，原子发射一个与外来 光子一模一样光子的过程。 3. 晶体的各向异性？ 晶体的宏观性质随观察方向不同而不同。 4. 双折射现象？ 一束光入射某些晶体，出射光会分为两束偏振方向不同的光。向两个方向折射， 即晶体的双折射。 5. 声光调制？ 光波通过受到声波作用的介质时，将被光栅衍射。衍射光的强度、频率、方向等 都随声场变化。
A21
1
N
2
A21
2
第一章 思考与练习（答案）
6. 温度为 2856K 的溴钨灯，灯丝面积为 2mm×4mm（视为黑体），
求该辐射源的 Me(T)、Le、e、Ie。在 30cm 处，
一垂直于光传播方向放置的平面上的辐射照度是多少？
辐射出射度： M e ( T ) T 4 5 . 6 1 7 8 2 0 4 8 3 . 7 5 1 6 7 W 6 0 m 2
物理与微电子科学学院
School of Physics and Microelectronics Science
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《光电子器件》（第2版）
习题集
汪贵华编
南京理工大学
2014年3月
1．什么是光谱响应特性曲线？什么是光谱匹配系数？其有何意义？ 2．什么是器件的最小可探测辐射功率和比探测率？它有何意义？ 3．一正方形半导体样品，边长1mm ，厚度为0.1mm ，用能量为3eV ，光强为0.96mW/cm 2的光照射在该正方形表面，其量子效率为1，设光生空穴全部被陷而不能运动，电子寿命τ
n =10
-3
s ，电子迁移率μ
n
=100cm 2
/V.S ，光照全部被半导体均匀吸收，求:
（1） 样品中电子空穴对的产生率（/cm 3.S ）及每秒产生电子空穴对数（/s ）；
（2） 定态时样品中的光电子数及浓度（个/整个样品，个/cm 3）； （3） 样品光电导率及光电导（
Ω
∙Ω1
1cm ）；
（4） 若样品加30V 的电压在正方形侧面，求光生电流； （5） 光电导的增益。
4．填充下列表格：
5．光敏电阻的暗电阻为600
K，在200lx的光照下亮暗电阻之比为1：100，求该电阻的光电导灵敏度。
6．某光电导器件的特征曲线如图1，用该器件控制一继电器，使用30V 的直流电源，器件在400lx的照度下有10mA的电流即可使继电器吸合，无光照时释放，试画出控制电路，计算暗电流和所需串联电阻。
Array
图1 光敏电阻随光照度的变化关系
7．试述光生伏特效应。
要求画出能带图并推导有关公式。
8．用波长为0.83μm，强度为3mW的光照射在硅光电池，设其反射系数为15%，有效量子效率为0.8，并设这些光生载流子能到达电极。
（1）求光生电流；
（2）当反向饱和电流为10-8A时，求T=300K时的开路电压。
（3）太阳能光电池效率低的原因是什么？论述提高太阳能光电池的效率的方法。
9．已知2CR太阳能光电池的参数为UOC=0.54，ISC=50mA，要用若干个这样的光电池合起来对0.5A，6V的蓄电池充电，应组成怎样的电路，
需要多少个这样的电池（充电电源电压应比充电电池电压高1V左右）。
10．为什么结型光电器件只有反偏或零偏置电压时才有明显的光电流？
11．某光电二极管的结电容为5pF，要求带宽为10MHz，求允许的最大负载电阻是多少？
12．说明PIN管的工作原理（包括能带图）。
PIN管的频率特性为什么比普通光电二极管好？
13．说明雪崩型光电二极管结构、工作原理和特性。
14．画出光电三极管的能带图，并说明光电三极管的工作原理和特性。
15.简要填写下表：
16.用波长为589.3nm光照某光电材料，其发射电流的灵敏度为100μA/lm，该材料的逸出功为1.4eV，求该材料的光谱量子效率，波长阈值，光电子最大初速？（在589.3nm处相对光谱视效率为0.82）。
17. 试述半导体光电发射的三步物理过程，并比较金属和半导体光电发射的差别。
18. 简要填表
19． 说明光电倍增管的结构组成和工作原理。
20．
某光电倍增管有10个倍增级，每个倍增级的二次电子发射系数
δ=4，阴极灵敏度为R K =200μA/lm ，阳极电流不得超过10mA ，试估计入射阴极的光通量的上限。
如阳极噪声电流为4nA ，求该管的噪声等效功率。
如该管阴极暗电流为A 11103-⨯，负载电阻很大，求该管的可探测最小光通量。
取1+B=2.5，Δf=1HZ 。
影响光电倍增管有效测量光功率的上限和下限的原因有哪些？ 21．
画出光电倍增管电阻电容简明连接图，并说明电阻链的电阻值
如何选取？最后几级的旁路电容的作用是什么？ 22． 说明像管的结构和工作原理。
23． 说明近贴型电子光学系统所加电压和极间距离与像质的影响。
24．
说明等径双圆筒结构使电子成像的原理。
25．某三级级联像增强管，三个光电阴极均为S-25，它对标准光源的积分灵敏度R=400μA/lm，三个荧光屏均为P-20，它的发光效率为50 lm/W，各级电压均为12KV，各级电子光学系统通过系数为1，各级放大率为1，不考虑极间耦合损失的情况下：
a)计算它对星光下绿色草木反射光的亮度增益G L。
b)亮度增益的来源是什么？
c)说明提高阴极长波响应对增加对比度和G L的意义。
26．试说明背景亮度产生的原因及影响，以及减少的方法。
对比恶化系数与入射光有何关系？
27．何为光学传递函数、调制传递函数、对比传递函数、相位传递函数？
28．正弦物函数输入像管，说明其输出像的特征。
29．何为微通道板？微通道板的噪声有哪些？解释微通道板的电流饱和特性。
30．画出二代像增强器的两种结构，说明各自的特点。
31．与二代微光管比较，说明三代微光管的优缺点。
32．说明四代微光像增强器的结构特点，与三代管比较，它有哪些特点？
33．为什么摄像管要进行光电积累？光电积累的时间是多少？34．说明电视系统光电转换、电光转换的特性。
35．说明PbO靶视像管的结构和工作原理。
36．从MOS结构基本过程和能带出发，解释MOS结构如何成为CCD的。
表面势与其他参量的关系怎样？
37．试用三相CCD的结构说明电荷耦合转移的工作原理。
38．说明二相CCD的结构和通道横向限制的方法。
39．说明BCCD的结构工作原理和特性。
40．说明电位平衡法输入结构、工作原理和特性。
41．画出浮置扩散层输出的结构图，并说明其工作原理。
42．以TCD102C为例，说明线阵CCD的工作原理。
43．说明帧/场转移面阵CCD的工作原理。
44．说明行间转移结构CCD的工作原理。
45．简述PN结光电二极管CMOS图像器件的结构和基本原理。
46．以MOS光电门方式的CMOS成像器件为例，说明CMOS固体成像器件的结构与工作原理。
47．试述掩埋型光电二极管方式的CMOS固体成像器件的结构与工作原理。
48．比较CMOS成像器件与CCD成像器件的特性。
49．说明SPRITE探测器的工作原理及完全读出的条件。
50．IRFPA与CCD、SPRITE的比较。
致冷型红外探测器的基本原理是什么（四种）？
51．致冷型红外焦平面阵列的结构形式有哪几种？
52．画出PtSi肖特基势垒的能带，及其红外探测器的基本结构。
该结构有何特点？
53．试述热探测器与光子探测器的区别。
54．说明热传导方程的物理意义，如何有效地提高温升和温度响应率？
55．微测辐射热计焦平面阵列的探测原理是什么？
56．微测辐射热计红外焦平面阵列的微桥结构有何特点？是如何制作的？
57．解释热释电效应、电滞回线和热释电系数。
为什么热释电探测
器只能测量调制的或变化的热辐射？ 58．
设TGS 热释电器件的数据为：灵敏度面积A=1mm 2，热释电系
数为128102--⋅∙⨯K cm C ，吸收系数1=α，辐射调制频率f=10Hz ，热传导系数16106--⋅⨯=K W H ，热容151064.1--⋅⨯K J ，电路负载电阻R=7M Ω，热释电器件的等效电容C D =22PF ，求电流响应率R 1，和电压响应率R u 。
59． 热释电成像器件有哪两种基本结构形式？简单画出其结构图。
60．
说明图2热释电阵列器件的工作原理。
VDD
VDD
VDD
A11A10
A6
V 0
图2 热释电阵列器件的基本结构
61．说明紫外光波长范围划分。
太阳的紫外光通过大气时有何特征？
62．简述中紫外光的衰减特性。
63．同红外探测系统相比，用中紫外进行导弹发射探测有何优点64．说明紫外光电阴极的光电发射特性。
65．说明GaN基的PIN结构的探测器的基本结构。
66．说明MEM结构的紫外探测器的能带图。
铟封技术是怎样的？67．什么是连续X射线？什么是特征X射线谱。
68．说明X射线透视成像的基础。
69．说明X射线成像器件的分类。
70．画出CsI/MCP反射式X射线光电阴极结构。
71．X射线发射电子的过程是什么？
72．画出透射式X光阴极的结构。
73．画出X射线像增强器（大头管）的基本结构。
说明其基本工作原理。
74．直接数字X射线成像器件的探测器的基本结构是怎样的，简要画图。
并说明其工作原理。
75．通过比较，说明直接数字X射线成像器件的探测器的分辨率高的原因。
76．简述直接数字X射线成像器件的基本原理。