东南大学微电子考研asic10年复试内容
微电子各校初复试考试科目
北京大学信息科学技术学院2009年微电子学与固体电子学招生目录招生年份：2009年本院系招收人数：399（招生总数中含校本部234人，其中拟接收推荐免试生199人；深圳研究生院165人，招生专业和拟本专业招收人数：127专业代码：080903研究方向考试科目备注01ULSI新器件及集成技术02系统集成芯片（SOC）设计及设计方法学03微电子机械系统（MEMS）①101政治②201英③301数学（一）④929半导体物理、930数字与模拟电路考试科目④中两门任选一门。
本专业03方向还可以选考以下专业的任一组考试科目：1、生命科学学院：生物化学与分子生物学、细胞生物学专业；2、工学院：固体力学、流体力学、力学（生物力学与医学工程）、工程力学、生物医学工程专业；3、物理学院：理论物理、凝聚态物理专业。
4、化学与分子工程学院各专业。
本专业招生人数中含深圳研究生院100人，其中拟接收推荐免试生50－80％，在深圳授课。
详细情况见深圳研究生院招生说明。
北京大学信息科学技术学院2007年微电子学与固体电子学招生目录招生年份：2007年本院系招收人数：338人招生总数中含校本部223人，其中拟接收推荐免试生182人；深圳研究生院115人，其中拟接收推本专业招收人数：105专业代码：080903研究方向考试科目备注01.ULSI新器件及集成技术02.系统集成芯片（SOC）设计及设计方法学03.微电子机械系统（MEMS）101政治201英301数学（一）849半导体物理、853数字与模拟电路考试科目④中两门任选一门。
本专业招生人数中含深圳研究生院80人，其中拟接收推荐免试生20-50%，在深圳授课。
要求考生能说纯正的普通话北京大学信息科学技术学院2006年微电子学与固体电子学招生目录招生年份：2006年本院系招收人数：285本专业招收人数：55专业代码：080903 研究方向考试科目备注01.ULSI新器件及集成技术02.系统集成芯片（SOC）设计及设计方法学03.微电子机械系统（MEMS）101政治201英301数学（一）895半导体物理、899数字与模拟电路系所说明:全系所拟推荐免试：200人。
电子类专业面试试题大全
电子信息工程、通信工程、电气类等专业面试将会遇到试题大全模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律,即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等.基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律,即在一个回路中回路电压之和为零.2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。
（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
（未知）10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
（未知）11、画差放的两个输入管。
（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
（仕兰微电子）13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
（未知）14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。
(Infineon笔试试题)15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R 上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。
当RC<< period - setup ? hold16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max，最小为T1min。
微电子面试题目汇总(3篇)
第1篇一、模拟电路设计1. 基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫定律包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。
基尔霍夫电流定律指出，在任何电路中，流入一个节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。
基尔霍夫电压定律指出，在任何闭合回路中，回路内各段电压之和等于零。
2. 平板电容公式(CS/4kd)的含义是什么？平板电容公式描述了两个平行板之间的电容大小。
其中，C表示电容，S表示两板之间的面积，d表示两板之间的距离，k表示介电常数。
3. 三极管曲线特性包括哪些？三极管曲线特性主要包括输入特性、输出特性和转移特性。
输入特性描述了输入电压与输入电流之间的关系；输出特性描述了输出电压与输出电流之间的关系；转移特性描述了输入电压与输出电压之间的关系。
4. 描述反馈电路的概念，列举其应用。
反馈电路是指将放大器的输出信号部分或全部送回到输入端，以调节放大器性能的电路。
反馈电路的应用包括：提高放大器的稳定性、减小失真、扩展带宽、实现滤波、实现振荡等。
5. 负反馈的种类及其优点是什么？负反馈的种类包括电压并联反馈、电流串联反馈、电压串联反馈和电流并联反馈。
负反馈的优点有：降低放大器的增益灵敏度、改变输入电阻和输出电阻、改善放大器的线性和非线性失真、有效地扩展放大器的通频带、自动调节作用等。
6. 放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？放大电路的频率补偿的目的是消除放大器的频率失真，提高放大器的稳定性。
频率补偿的方法有：RC补偿、LC补偿、有源补偿等。
7. 频率响应如何判断稳定性，如何改变频响曲线？判断频率响应稳定性的方法有：伯德图、奈奎斯特图等。
改变频响曲线的方法有：调整放大器的增益、带宽、滤波器设计等。
8. 如何进行查分运放的相位补偿，并画出补偿后的波特图？查分运放的相位补偿方法包括：RC补偿、LC补偿等。
具体补偿方法需要根据实际电路进行分析。
补偿后的波特图可以通过绘制波特图软件进行绘制。
9. 基本放大电路的种类、优缺点及差分结构的原因是什么？基本放大电路包括电压放大器、电流放大器、互导放大器和互阻放大器。
东南大学微波复试复试大纲-复试
天线设计射频微波通信微波方向复试重点微波复试包括笔试和面试微波笔试：笔试题形通常包括简述题和计算题，总分是150分，计算题分值较高，一般是二十分，很易拉开差距。
考试内容以电磁场为主，参考教材是由东南大学出版社出版，孙国安编著的《电磁场与电磁波理论基础》，这本书要熟炼掌握，书中的例题重点看，例如09年就考了P81例3.4.3计算同轴线的单位长度自感的原题。
微波考察的内容要少一些，参考教材是由西安电子科技大学出版社出版，刘学观，郭辉萍编著的《微波技术与天线》，重点在第一章：均匀传输线理论，第二章：规则金属波导，第四章：微波网络基础微波面试：面试安排在笔试之后，地址通常在校本部李文正楼六楼（微波专业所在的楼层）分英语面，基础面，专业面，分别在各自的房间里。
首先是英语面，面对的是一位外籍教师，每个人拿到一个话题，准备大概十五分钟，自我介绍五分钟，然后老师就每个人的自我介绍提问。
基础面的问题相对较宽泛：例如试说明电磁波传播中几种速度的定义及其关系,一个电磁波打在会议室的粗糙面和光滑面上会有什么不同后果。
专业面的问题相对专业一些：例如说出Maxwell对于电磁场基本定律的最重要贡献是什么，为什么矩形波导中不能传播TEM波，矩形波导中截止波长最长的模式是什么波。
微波笔试在复试中占的权重很高，笔试成绩的差距比较大，平时需多做题，熟悉历年的试题和书本例题，习题，就能取得理想的成绩。
面试成绩的差距要小一些，相对影响较小，回答老师问题时诚实回答，不会的就说不会，不要瞎答电磁场与微波：1、电磁场的基本定律；2、静电场和恒定电流电场；3、恒定电流的磁场；4、时变电磁场;5、平面电磁波;6、导行电磁波；7、均匀传输线理论8、微波集成传输线9、微波网络基础10、微波元器件11、天线辐射与接收的基本理论参考书：1、孙国安“电磁场与电磁波理论基础”，东南大学出版社，2003年。
2、刘学观等“微波技术与天线”西安电子科技大学出版社，2001年2011 微波方向 1.关于初试：初试成绩非常重要，直接关系到你能联系到怎样的导师。
东南大学ASIC复试经验
今天下午ASIC中心的总成绩正式出来了，很幸运，我有惊无险的进入了中心。考研论坛给我的帮助挺大的，所以特将自己的心得分享一下，以回馈论坛。 今年可以说是一个大年，竞争相当激烈，从名单上看，390以上的只要服从安排都录取了，380段有好几个都被刷了，370段的就更不用说了，最低分是363，但是360段的只有两三个，貌似还是本校和一个工作的，面试分很高，所以说今年是个大年。我一个认识的392被分到了雷恩班，我393……总之相当惊险，400+的将近20个。
初试半导体物理:比较基础,不再像往年那样大批重复题目,但是还是有些重复的。考个130+比较容易。
复试数模电:这个就得好好说了~ASIC对它的要求特别高~其中数电今年还考了编程(3,8译码器的V变成,VHDL就行),还考了道编码题目,其他的题目也不简单,很看中基础的!笔试最高分好像不超过120.(复试会跟MEMS复试规格化的,所以公布的成绩看起来很高)。举个例子,今年有个380的外校的拿二等奖,就因为复试高!人家有400+的都只拿3奖!没办法复试比例大,复试占百分之五十,面试成绩很大程度还是看你笔试的!所以一定要好好重视它!
复试笔试数电依然没考触发、计数器之类的，而是考CMOS相关的曲线和设计。模电还好，就是多级放大，设计还有就是555发生器。主要是面试，很让我郁闷了一段时间。面试分三个小组，估计是大家分都很高吧，问题都相当难，覆盖各个领域，想逮到一模一样的问题很难。当然400分以上或是本校的面试会好一些。不同老师也不一样，我们那个组的老师说话特尖酸刺耳，搞得我出来以后抑郁了一天。 今年录取方式有些变化，两个专业57个人参加面试，共录取了35个，但是最后9名是要进雷恩班的，就是两年8000元。再加上大年，所以分数线很高。但是东南还是相对很公平的，还是那句话初试成绩很重要，非常重要。复试除非你能耐很大，否则分数相差不大，当然面试时越到后面也越松。
微电子学面试试题
模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。
（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
（未知）10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
（未知）11、画差放的两个输入管。
（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
（仕兰微电子）13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
（未知）14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。
(Infineon笔试试题)15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R 上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。
当RC<<T时，给出输入电压波形图，绘制两种电路的输出波形图。
（未知）16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?（新太硬件）17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。
（未知）18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题）19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P 管还是N管，为什么？（仕兰微电子）20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。
东南大学研究生考试集成电路学院16年微机复试回忆版及面试经验
2016微机原理与接口技术复试PS：今年的微机复试题目均为往年重复，1-10为简答题，每题10分（其中有8题均为往年复试简答题原题），11-13为汇编程序的功能描述，每题10分，14是模拟输入输出通道的功能，为20分。
总之，一句话就是得简答题者得天下。
1.请简述rs-232-c标准下的电平逻辑2.简述IO接口电路的相关内容3.简述8086/8088的寻址方式？4.解释8088系统的低8位地址线A7-A0为何要用外部锁存器进行锁存？5.两种使8255的c口输出连续方波的方法6.8237的空闲周期和有效周期是什么意思，AEN信号的作用？7.CF,ZF,PF,DF,IF等标志位的定义及意义？8.时钟周期，指令周期和机器周期之间的关系？9.简述8086可屏蔽中断的响应及执行过程？10.可编程计数器8253的控制字可以设定一种“数值锁存操作”，这种操作有何必要？（注意以上题目顺序可能回忆有误）11.简述以下程序的基本功能LEA SI,STRING1LEA DI,STRING2MOV CX,20CLDREPE CMPSBJCXZ ALLMATCHDEC SIDEC DIJMP DONEALLMATCH: MOV SI,0MOV DI,0DONE: ...............12.简述以下程序的基本功能DATA1 DB 300 DUP(?)DATA2 DB 100 DUP(?)LEA BX,DATA1LEA DX,DATA2MOV SI,0MOV DI,0MOV CL,100LOOPER: MOV AL,200[BX]SIMOV[DX]DI,ALINC SIINC DIDEC CLJNZ LOOPER13.简述以下程序的基本功能LEA BX,BUFFERMOV DX,PORT2IN AL,DXMOV CX,20CHECK: MOV DX,PORT1IN AL,DXAND AL,01HJNZ CHECKMOV DX,PORT2IN AL,DXMOV [BX],ALINC BXLOOP CHECK14.简述模拟输入输出通道的组成部分以及各部分的作用？关于面试：首先我是第六个进去，今年的IC学硕是放在一组进行面试。
西电微电子复试题
西电微电⼦复试题微电⼦概论⾯试1.什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？答：①依靠导带电⼦导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如P、Sb等施主杂质获得；②依靠价带空⽳导电的半导体叫P 型半导体，主要通过掺诸如B、In等受主杂质获得；③掺杂⽅式主要有扩散和离⼦注⼊两种；经杂质补偿半导体的导电类型取决于其掺杂浓度⾼者。
2.简述晶体管的直流⼯作原理。
答：根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可⼯作在正向放⼤、饱和、截⽌和反向放⼤模式。
实际运⽤中主要是正向放⼤模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN晶体管为例说明载流⼦运动过程；①射区向基区注⼊电⼦；正偏的发射结上以多⼦扩散为主，发射区向基区注⼊电⼦，基区向发射区注⼊空⽳，电⼦流远⼤于空⽳流；②基区中⾃由电⼦边扩散边复合。
电⼦注⼊基区后成为⾮平衡少⼦，故存在载流⼦复合，但因基区很薄且不是重掺杂，所以⼤部分电⼦能到达集电结边缘；③集电区收集⾃由电⼦：由于集电结反偏，从⽽将基区扩散来的电⼦扫⼊集电区形成电⼦电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空⽳组成，但很⼩，可以忽略。
3.简述MOS场效应管的⼯作特性。
答：以N沟增强型MOS为例，把 MOS管的源漏和衬底接地，在栅极上加⼀⾜够⾼的正电压，从静电学的观点来看，这⼀正的栅极电压将要排斥栅下的P 型衬底中的可动的空⽳电荷⽽吸引电⼦。
电⼦在表⾯聚集到⼀定浓度时，栅下的P 型层将变成N 型层，即呈现反型。
N 反型层与源漏两端的 N 型扩散层连通，就形成以电⼦为载流⼦的导电沟道。
如果漏源之间有电位差，将有电流流过。
⽽且外加在栅极上的正电压越⾼，沟道区的电⼦浓度也越⾼，导电情况也越好。
如果加在栅极上的正电压⽐较⼩，不⾜以引起沟道区反型，则器件仍处在不导通状态。
引起沟道区产⽣强表⾯反型的最⼩栅电压，称为阀值电压。
①截⽌区：V GS⼩于等于零，此时源漏之间的电流近似为零。
②线性区：V GS取⼀定的正电压，形成导电沟道。
(完整版)东南大学2010-2014年考研复试c++笔试题汇总
【C】2010年东南大学计算机研究生复试笔试题----（卢孝勋）版1、简答题（60分）1、简述你对“面向对象”和“面向过程”编程思想的认识与思考2、ADT是什么？简述你对“数据抽象”和“信息隐藏”的认识3、const和static有什么作用？4、友元关系的利与弊5、C++多态的实现6、STL是什么？组成部分和核心作用2、程序设计题（90分）1、输入n个十进制数转换成二进制写到文件，n是随机得到2、写两个模板函数：插入排序法的迭代实现与递归实现3、文件中有类似的一行行字符串“(010)(150****5678)|123|(430070)”，按以下格式输出：“区号| 电话号码| 城市编号| 邮编”（具体的字符串格式记不清了，但就是考字符串的解析）4、设计一个多项式类Polynomial（包括构造函数、复制构造函数、析构函数、赋值函数、实现两个多项式相加）5、几个类（Vehicle类Car类Streetwheel类Brake类）有着必然的联系，设计类与实现6、一个基类Shape，在基类的基础上继承写一个二维图形类，再继承写一个三维图形类，设计与实现2011年一、简答题(共5 题，每题10 分)1、简述对C++中的数据类型和抽象数据类型(ADTs)的理解。
2、请举例并写出相关代码，阐述C++在什么情况下必须进行运算符重载。
3、为什么说“继承是C++面向对象的一个主要特征之一”，请做一下简要说明。
4、如何声明和使用虚函数，说明它在多态性中的作用和意义。
5、请说明函数模板(Function Template) 和函数模板实例化(function-template specification)的区别和联系。
二、编程题(共6 题，100 分)3、编写一个递归函数模板，从一个数组中找出最小值，并返回该值的数组元素下标。
(15’)4、编写两个函数SortOne 和SortTwo，分别对字符串数组实现插入排序和选择排序。
微电子各校初复试考试科目
集成电路工艺与器件④817 电子线路与集成电路设计02方向①101 政治理论②201英语③ 3 01数学④818 半导体器件原理计、CAD复试方式：口试路计算机模拟09VLS I 技术与可靠性、新型材料与器件10VLS I 与高密度集成技术12 新型半导体器件与集成电路技术14 新型半导体器件和VLSI 可靠性17VLS I 设计方法学18VLS I 系统设计和半导体集成电路工艺技术19SOC 设计方法学20VLS I 设计与可制造性研究21 微波功率半导体器件22 宽禁带半导体材料和器件23VLS I 器件模型及仿真24 混合信号集成电路设计25 新型半导体材料、器件与集成教授刘红侠教授马佩军副教授刘毅副教授王俊平教授赵天绪教授刘英坤教授张进成教授吕红亮副教授朱樟明教授贾护军副教授杨林安教授胡辉勇副教授冯倩副教授蔡觉平副教授包军林副教授高海霞副教授汤晓燕副教授董刚副教授娄利飞副教授吴振宇副教授张金风副教授集成电路毅副教授技术1913方向：王电子电路俊平副教模块设计授与仿真2014方向：赵新型半导天绪教授体器件和21VLSI 可方向：刘靠性英坤教授1722 VLSI 设方向：张计方法学进城副教18授VLSI 系23统设计和方向：吕半导体集红亮副教成电路工授艺技术2419方向：朱SOC 设樟明副教计方法学授2025 VLSI 设方向：贾计与可制护军副教造性研究授2126微波功率方向：杨半导体器林安教授件2822方向：胡宽禁带半辉勇副教导体材料授和器件2923方向：冯VLSI 器倩副教授件模型及30仿真方向：蔡24觉平副教混合信号授集成电路31设计方向：冯25晖研究员新型半导32体材料、方向：包器件与集军林副教成授2633宽禁带半方向：高导体物理海霞副教与器件授2834高速半导方向：汤体器件与晓燕副教集成电路授技术3529方向：董宽禁带半刚副教授导体材料和器件30 大规模集成电路设计31 RF、微波功率器件和电路32 微电路可靠性33F PGA 设计、集成电路低功耗设计、宽禁带半导体器件仿真34 宽禁带半导体材料和器件的研究35 系统集成技术及集成都电子科技大学2007 年微电子学与固体电子学招生目录招生年份：2007 年本专业招收人数：110 专业代码：080903研究方向导师考试科目试复同等学历备注0陈①电A★▲1新型星弼院101 政路分析03 大功率半士治基础学物理导体器△ r01 、②或电路件与集02 、05201 英分析基成电路( 030语础和系统1) ③B0杨301 数03 数2大规谟华学一字电路模集成△ r02 、④或固体电路与03 、04401 半物理系统( 030导体物02) 理或3专用李419 数集成电平字电路路与系△ r02 、与模拟统03 、04电路0( 0304系统3)芯片集张成技术波0△ r01 、5微电03 、04子学理( 030论与技4)术夏0建新6微波、*r01 、超高速05 、07器件与( 031电路5)0张7新型庆中固体器r01 、件与应05 、08用( 03208)8固体王信息、鲁豫件与应用0 8固体信息、传感和存储技术及微组装技术*r02 、03 、04（0318 ）罗佳慧*r03 、07 、08（0319 ）刘强*r07（0328 ）张庆中r01 、05 、08（0329 ）王鲁豫r03 、04 、06（0330 ）赵建明r01 、03 、06（0331 ）叶星宁r01 、03 、04（0332 ）陈勇r02 、04 、05（0333 ）罗萍r01 、03 、04（0334 ）刘诺06 微机原理与应用6 07 电磁场与电磁波6 08 信号与系统6 09 数字电路6 10 计算机组成原理6 11 固体物理612 生物化学6 13 随机信号分析（信息获取与探测技术学科必选）任选一科（不得与初试、复试科目相同）感谢阅读。
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今年复试数模电题真的很难，把大家都考懵了，主要是数电部分，和大家的复习重点不一样，我们认为数电比较重要的地方比如触发器，编码器，译码器，数据选择器，设计时序逻辑电路，555电路运用等等••••可是今年狂考CMOS的参数计算，汗••••据说这些内容在VLSIC 上面有介绍，大家可以去看看，不知道明年会考什么••••还有，大家要记住譬如非门，与非门，与门等等的国际符号，今年考的都是用的国际符号，我差点没分清••••还有延迟时间这一部分要好好看看，今年重点考察，大家都一塌糊涂•••••数电今年的编程题是用VHDL或者VERILOG语言编一个十进制计数器，这个还是比较简单的，去年考的编3-8译码器貌似•••••模电题比较简单，叫你设计一个振荡频率为f=1/2π*1Khz的正弦波振荡电路，后来叫你将其变为三角波（这个我设计的是先通过施密特触发器变成方波，再通过积分电路变成三角波），后面一题是给你电感三点式和电容三点式振荡电路，叫你判断哪个输出波形稳定，这个书上有，回去好好看看••••还有一题是差分放大电路，叫你判断线怎么接是电压串联负反馈，很简单，后面的放大倍数计算记得考虑深度负反馈••••还有一个题，问你什么叫频率补偿，负反馈变成自激电路的实质是什么，条件是什么等等•••••最后一题是一个模电证明题，很简单，只要能把小信号等效电路画出来，就问题不大了•••
最后说说面试，面试时候先是5分钟自我介绍（一般两分钟到三分钟搞定），然后老师会问你哪门学的好，如果你选择数模电，老师今年问的主要是：数字电路和模拟电路的区别，从深度去理解；怎么改变（提高）MOS管的跨导；锁相环（参考刘京南那本书）；四种反馈类型；MOS管和BJT的区别；MOS管的静电效应怎么回事；怎么提高BJT的响应速度（加钳位电压，用肖特基二极管构成）；微机原理喜欢问中断，单片机问你有几个模块组成•••就记得这么多了••
时序电路与组合电路的区别；采样定律原理并且怎样判断最高信号频率；MOS管的工作原理；怎样把非周期信号变成周期信号；面向C语言的3个特征；C语言中const的含义及其特点；你毕业设计所做课题；你在大学期间专业排名。
还有，最好本专业的专业课知识知道一点，不能一问三不知。