模电--二极管及其基本电路
模拟电子技术-第一章-晶体二极管及其基本电路.PPT课件

多子的扩散电流方向 为从左到右,少子的漂移电 流方向从右到左。两者在动 态平衡时,大小相等,而方 向相反,所以流过PN结的总 电流为零。
.
41
对称PN结:如果P区和N区的掺杂浓度相同, 则耗尽区相对界面对称,称为对称结
不对称PN结:如果一边掺杂浓度大(重掺 杂),一边掺杂浓度小(轻掺杂),此耗 尽区主要伸向轻掺杂区一边,这样的PN 结称为不对称结
模拟电子技术
光电工程学院 电子电路教学中心
黄丽亚
.
1
两种信号
❖ 模拟信号 (Analog signal):指幅度的取值
是连续的(幅值可由无限个数值表示)。声音、温度、 压力转化的电信号。时间上离散的模拟信号是一种抽 样信号。
❖ 数字信号 (Digital signal):指幅度的取值
是离散的,幅值表示被限制在有限个数值之内。如计 算机处理的二进制信号等。
定向飘移运动而形成的电流。
.
32
2. 漂移电流大小取决于 ①载流子浓度 ②外加电场强度 ③迁移速度
二、扩散电流
在半导体工作中,扩散运动是比漂移运动
更为重要的导电机理。金属导体是不具有这种 电流的,正是由于扩散电流特性,才能够将它 做成电子器件。
.
33
平衡载流子浓度:一般的本征半导体在温度不 变、无光照或其他激发下,载流子浓度分布均 匀。
P
耗尽区
动画演示 N
++ +++
++ +++
+ + +++
+
U
内电场 -
UB -U
R
E 图1-9 正向. 偏置的PN结
模电课件 CH03二极管基本电路PPT共69页

35、不要以为自己成功一次就可以了 ,也不 要以为 过去的 光荣可 以被永 远肯定 。
55、 为 中 华 之 崛起而 读书。 ——周 恩来
模电课件 CH03二极管基本 电路
31、别人笑我太疯癫,我笑他人看不 穿。(名 言网) 32、我不想听失意者的哭泣,抱怨者 的辛勤耕 耘,忍 受苦楚 。我一 试再试 ,争取 每天的 成功, 避免以 失败收 常在别 人停滞 不前时 ,我继 续拼搏 。
谢谢!
51、 天 下 之 事 常成 于困约 ,而败 于奢靡 。——陆 游 52、 生 命 不 等 于是呼 吸,生 命是活 动。——卢 梭
53、 伟 大 的 事 业,需 要决心 ,能力 ,组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
电子电工学——模拟电子技术 第三章 二极管及其基本电路

反向击穿
齐纳击穿 雪崩击穿
▪ 齐纳击穿:在较高的反向电压下,PN结耗尽层的强电场 破坏共价键,造成电子-空穴对,形成较大的反向电流。
▪ 雪崩击穿:PN结耗尽层内的少数载流子在强电场加速 作用下获得足够大的能量,与原子发生碰撞,产生电子-空穴对,再碰撞,再产生电子--空穴对,使反向电流急 剧上升。
+ 14
+4
+ 32 +4
(a)
(b)
图1
(a) 硅; (b) 锗
共价键就是两个原子各拿出一个价电子作为共有的价电子 所构成的联系。每个硅原子受邻近 4 个原子的束缚, 组成 4 个 共价键。共价键像纽带一样将排列整齐的原子连结起来。
图2 (a) 硅晶体结构; (b) 共价键结构
3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用
3.2.5 PN结的电容效应
(1) 热敏性: 一些半导体对温度的反应很灵敏, 其电阻率随 着温度的上升而明显地下降, 利用这种特性很容易制成各种热 敏元件, 如热敏电阻、 温度传感器等。
(2) 光敏性: 有些半导体的电阻率随着光照的增强而明显地 下降, 利用这种特性可以做成各种光敏元件, 如光敏电阻和光电 管等。
(3) 掺杂(敏)性: 半导体的电阻率受掺入的“杂质”影响极 大, 在半导体中即使掺入的杂质十分微量, 也能使其电阻率大大 地下降, 利用这种独特的性质可以制成各种各样的晶体管器件。
2.扩散运动形成空间电荷区——耗尽层
不能移动的带电粒子集 中P区和N区交界面附 近,形成一个很薄的空 间电荷区,既PN结。 多数载流子已扩散到对 方并复合掉了,消耗尽 了,故又称耗尽区。
耗尽区
P
空间电荷区
N
3.空间电荷区产生内电场
空间电荷区正负离子之间电位差UD——内电场;
模拟电子技术基础第三章二极管及其基本电路

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3.1半导体的基本知识3.2 P N结的形成及特性P N结的形成及特性3.3 半导体二极管3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1半导体的基本知识3.1.1半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体3.1.4杂质半导体3.1.1半导体材料根据物体导电能力(电阻率的不同根据物体导电能力电阻率)的不同,来划分电阻率的不同,导体、绝缘体和半导体。
导体、绝缘体和半导体。
1.导体:容易导电的物体。
如:铁、铜等导体:容易导电的物体。
2. 绝缘体:几乎不导电的物体。
绝缘体:几乎不导电的物体。
如:橡胶等半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。
半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。
在一定条件下可导电。
一定条件下可导电。
以及砷化镓典型的半导体有硅和以及砷化镓GaAs等。
等典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓半导体特点:半导体特点: 1)在外界能源的作用下,导电性能显著变在外界能源的作用下,光敏元件、热敏元件属于此类。
化。
光敏元件、热敏元件属于此类。
2)在纯净半导体内掺入杂质,导电性能显在纯净半导体内掺入杂质,著增加。
二极管、三极管属于此类。
著增加。
二极管、三极管属于此类。
3.1.3本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。
制造半导体器件化学成分纯净的半导体。
1.本征半导体化学成分纯净的半导体的半导体材料的纯度要达到99.9999999% 常称为―九个9‖ 99.9999999%,的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为―九个9‖ 。
模电课件第二章二极管

注: 对于杂质半导体,多子的浓度愈高,少子的浓度就越低。
可以认为,多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度,因而它受 温度的影响很小;而少子是本征半导体激发形成的,所以尽管 其浓度很低,却对温度非常敏感,这将影响半导体器件的性能。
2.2 PN结的形成及特性 一、PN结的形成 ( P.32—33)
10 10
3、折线模型
考虑到正向特性的斜率 ,即考虑二极管导通后的等效电阻 rD :如图,
当vD = Vth时,iD = 0;而当vD = 0.7V时,iD约为1mA。
个特电性二阻 为极:rD串管联正,向电偏阻置上时的,电其压管为压:降IVD×D不rD是,恒rD定=的(,0.7可—视0.为5)它/1由m门A 坎≈20电0Ω压。V其th和V—一
2)T增加 至T=300K时,有少量的电子空穴 对(空位).
3.两种载流子(仅两种)
1)电子:共价键中的价电子挣脱原子核的束缚成为自由电子,T增 加,自由电子增加.
2)空穴:价电子成为自由电子后,共价键中就留下一个空位,称空穴. 因为原子中性破坏,显示出 a).带正电
b).可以“移动”:(空穴移动并非本身移动,而是对于电子补充而相对 移动)既有空穴的原子吸引相邻原子中的价电子补充这个空穴,于是出 现另一个空穴.再由相邻价电子补充,继续下去,好象空穴在运动.)电子 与空穴运动方向相反,空穴运相当于正电荷运动.
P
N
符号:
分类: 按材料可分为硅二极管(3CP系列)和锗二极管(2AP系列) 按结构工艺分为点接触型、面接触型 和平面型三种。
(1) 点接触型二极管
PN结面积小,结电容小, 用于检波和变频等高频电路。
正 极引 线
金 属触 丝
模拟电子线路第一章半导体二极管及其基本电路

第一章半导体二极管及其基本电路第一节学习要求(1)了解半导体器件中扩散与漂移的概念、PN结形成的原理。
(2)掌握半导体二极管的单向导电特性和伏安特性。
(3 )掌握二极管基本电路及其分析方法。
(4)熟悉硅稳压管的稳压原理和主要参数。
第二节半导体的基本知识多数现代电子器件是由性能介于导体与绝缘体之间的半导体材料制成的。
为了从电路的观点理解这些器件的性能,首先必须从物理的角度了解它们是如何工作的。
一、半导体材料从导电性能上看,物质材料可分为三大类:导体:电阻率p < 10 -4 cm绝缘体:电阻率p > 109 cm半导体:电阻率p介于前两者之间。
目前制造半导体器件的材料用得最多的有:硅和错两种、本征半导体及本征激发1、本征半导体没有杂质和缺陷的半导体单晶,叫做本征半导体2、本征激发当温度升高时,电子吸收能量摆脱共价键而形成一对电子和空穴的过程, 称为本征激发。
三、杂质半导体在本征半导体中掺入微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著的变化。
因掺入杂质不同,杂质半导体可分为空穴(P)型半导体和电子(N)型半导体两大类。
1、P型半导体在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成P型半导体,P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子。
2、N型半导体在本征半导体中掺入少量的五价元素杂质就形成N型半导体。
N型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。
图22返回第三节PN结的形成及特性一、PN结及其形成过程在杂质半导体中,正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性。
1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动在P型半导体和N型半导体结合后,在它们的交界处就岀现了电子和空穴的浓度差,N 型区内的电子很多而空穴很少,P型区内的空穴很多而电子很少,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散,因此,有些电子要从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。
2、电子和空穴的复合形成了空间电荷区电子和空穴带有相反的电荷,它们在扩散过程中要产生复合(中和),结果使P区和N区中原来的电中性被破坏。
模拟电子技术基础复习课件(高等教育出版社)第二章 二极管及基本电路

第二章第二章二极管及基本电路模拟电子技术基础第二章二极管及基本电路一、半导体的基本知识二、PN结的形成及特性三、二极管及伏安特性三、二极管的等效模型五、二极管基本电路及分析方法六、特殊二极管一、本征半导体1、半导体、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。
绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。
半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
无杂质稳定的结构2、本征半导体的结构共价键:两个原子外层电子的共有轨道由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留下一个空位置,称为空穴2、本征半导体的结构自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。
温度一定时,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴的浓度加大。
本征半导体中自由电子与空穴的浓度相同。
3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。
外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。
由于载流子数目很少,导电性很差。
温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。
热力学温度0K时不导电。
载流子二、杂质半导体5 +杂质半导体主要靠多数载流子导电。
掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。
多数载流子1、N型半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。
掺入的杂质主要是三价或五价元素。
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。
磷(P)N型半导体主要靠自由电子导电,掺入杂质越多,自由电子浓度越高,导电性越强,3 +多数载流子2、P型半导体硼(B)P型半导体中主要由空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强,杂质半导体中,温度变化时载流子的数目同时变化;少子与多子变化的数目相同,少子与多子浓度的变化不相同。
中北大学模电半导体二极管及其基本电路综述

模
拟
电
子
技
术 玻尔兹曼 常数
2)定量估算
I IS (eu /UT 1)
反向饱 和电流 温度的 电压当量
当 T = 300(27C): UT = 26 mV 当加正向电压(u>>UT)时,
kT UT q
电子电量
当加反向电压(u<<UT)时, i≈–IS
模
拟
电
子
技
术
课堂扩展
1)请将PN结伏安特性(公式1-1)用泰勒级数展开。 2)当u=Acos(ωt)时,将其带入展开式,会有什 么变化?
模
拟
电
子
技
术
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结及其特性
模
拟
电
子
技
术
几个概念
• 电阻率: 电阻率是用来表示各种物质电阻特性的物理 量。 单位:Ω·m或ohmm(欧姆· 米)。 定义:某种材料制成的长1米、横截面积是 1mm2,在常温下(20℃时)导线的电阻, 叫做这种材料的电阻率。
复
合:
自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成 对消失的过程。
漂
移:
自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。
载流子 : 自由运动的带电粒子
模
拟
电
子
技
术
两种载流子 空穴
两种载流子的运动 空穴(在共价键以内)的运动
电子(自由电子) 自由电子(在共价键以外)的运动
结论: 1. 本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少; 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电;
载流子数 空穴数
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3.1 半导体基本知识
3.1.2 半导体的共价键结构
+4表示 除去价电 子后的原
子
+4
+4
+4
+4
共价键共 用电子对
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3.1 半导体基本知识
3.1.2 半导体的共价键结构
形成共价键后,每个原子的 最外层电子是八个,构成稳定 结构。
共价键有很强的结合力,使 原子规则排列,形成晶体。
P 型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也 称为“空穴半导体”。
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3.1 半导体基本知识
3.1.4 杂质半导体
1. N 型半导体 在硅或锗晶体中,掺入少量五价元素磷或锑,晶
体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的 最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原 子形成共价键,必多出一个电子,该电子几乎不受 束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出 一个电子,称为施主原子。
+4
+4
+4
+4
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束 缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电 子,因此本征半导体中的自由电子很少,故本征半导 体的导电能力很弱。
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3.1 半导体基本知识
3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用
1. 载流子、自由电子和空穴 在绝对0 度(T = 0K)和没有外界激发时,价电子
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3.1 半导体基本知识
3.1.4 杂质半导体
3. 杂质半导体的示意表示法
P 型半导体
N 型半导体
杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由 于数量的关系,起导电作用的主要是多子。近似认为 多子与杂质浓度相等。
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3.1 半导体基本知识
3.1.4 杂质半导体
2. P 型半导体 A.由受主原子提供空穴,
浓度与受主原子相同 B.本征半导体中成对产
生的电子和空穴。
硼原子
空穴
+4
+4
+3
+4
掺杂浓度>>本征半导体中载流子浓度,故空穴浓 度>>自由电子浓度。空穴称多数载流子(多子), 自由电子称少数载流子(少子)。
温度越高,载流子浓度越高,本征半导体的导 电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重 要外部因素,这是半导体的一大特点。
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3.1 半导体基本知识
3.1.4 杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量杂质,就会使半导 体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体 的某种载流子浓度大大增加。
N 型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体, 也称为“电子半导体”。
1. 载流子、自由电子和空穴
空穴
+4
+4
+4
+4
自由电子
束缚电子
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3.1 半导体基本知识
3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用
2. 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即
自由电子和空穴。
在其它力的作用下,
空穴吸引附近的电子来 填补,这样的结果相当
+4
+4
于空穴的迁移,而空穴
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3.1 半导体基本知识
3.1.4 杂质半导体
1. N 型半导体
A.由施主原子提供电子,
+4
浓度与施主原子相同
B.本征半导体中成对产
生的电子和空穴。
+5
磷原子
多余电子
+4 +4
掺杂浓度>>本征半导体中载流子浓度,故自由电 子浓度>>空穴浓度。自由电子称多数载流子(多 子),空穴称少数载流子(少子)。
3.1 半导体基本知识
3.1.1 半导体材料
半导体的导电机理不同于其它物质,所以它具有 不同于其它物质的特点。例如:
• 当受外界热和光的作用时,它的导电能 力明显变化。
• 往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使 它的导电能力明显改变。
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3.1 半导体基本知识
3.1.2 半导体的共价键结构
Guilin University of Electronic Technology
电子技术基础 A(模拟部分)
3:二极管电路
3.1 半导体基本知识 3.2 PN结形成及特性 3.3 半导体二极管特性 3.4 二极管电路分析方法 3.5 特殊二极管
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3.1 半导体基本知识
3.1.1. 半导体材料 3.1.2. 半导体的共价键结构 3.1.3. 本征半导体、空穴及其导电作用 3.1.4. 杂质半导体
现代电子学中,用得最多的半导体是硅和锗,它 们的最外层电子(价电子)都是四个。
Ge
Si
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。 本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
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3.1 半导体基本知识
3.1.2 半导体的共价键结构
硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵, 每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位 于四面体的顶点,每个原子与其相临的原子之间形成 共价键,共用一对价电子。
完全被共价键束缚着,本征半导体中没有可以运动 的带电粒子(即载流子),它的导电能力为 0,相 当于绝缘体。
常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的 能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共 价键上留下一个空位,称为空穴。
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3.1 半导体基本知识
3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用
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3.1 半导体基本知识
3.1.1 半导体材料
导体:自然界中很容易导电的物质称为导体,金属 一般都是导体。
绝缘体:有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
半导体:另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
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的迁移相当于正电荷的 移动,因此可以认为空
+4
+4
穴是载流子。
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3.1 半导体基本知识
3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用
2. 本征半导体的导电机理 本征半导体中电流由两部分组成:
1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
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3.1 半导体基本知识
3.1.4 杂质半导体
2. P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量三价元素,如硼或铟,
晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,硼原子 的最外层有三个价电子,与相邻的半导体原子形成 共价键时,产生一个空穴。该空穴可能吸引束缚电 子来填补,使得硼原子成为不能移动的带负电的离 子。由于硼原子接受电子,故称受主原子。