《半导体集成电路》试题库
一、填空题（30分=1分*30）10题/章
晶圆制备
1．用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。2．单晶硅生长常用（CZ法）和（区熔法）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（硅锭）。
3．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
4．晶圆制备的九个工艺步骤分别是（单晶生长）、整型、（切片）、磨片倒角、刻蚀、（抛光）、清洗、检查和包装。
5．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
6．CZ直拉法生长单晶硅是把（融化了的半导体级硅液体）变为（有正确晶向的）并且（被掺杂成p型或n型）的固体硅锭。
7．CZ直拉法的目的是（实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（拉伸速率）和（晶体旋转速率）。
8．晶圆制备中的整型处理包括（去掉两端）、（径向研磨）和（硅片定位边和定位槽）。
9．制备半导体级硅的过程：1（制备工业硅）；2（生长硅单晶）；3（提纯）。
氧化
10．二氧化硅按结构可分为（结晶型）和（非结晶型）或（不定型）。
11．热氧化工艺的基本设备有三种：（卧式炉）、（立式炉）和（快速热处理炉）。
12．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
13．用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（工艺腔）、（硅片传输系统）、气体分配系统、尾气系统和（温控系统）。
14．选择性氧化常见的有（局部氧化）和（浅槽隔离），其英语缩略语分别为LOCOS和（STI ）。15．列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（掺杂阻挡）、（表面钝化）、场氧化层和（金属层间介质）。16．可在高温设备中进行的五种工艺分别是（氧化）、（扩散）、（）、退火和合金。
17．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
18．热氧化的目标是按照（）要求生长（）、（）的二氧化硅薄膜。19．立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（石英工艺腔）、（加热器）和（石英舟）组成。
淀积
20．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。
21．淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（晶核形成），第二步是（聚焦成束），第三步是（汇聚成膜）。
22．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。
23．在外延工艺中，如果膜和衬底材料（相同），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（同质外延）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（异质外延）。
24．如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（膜应力）、（电短路）或者在器件中产生不希望的（诱生电荷）。
25．深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（）和（）。
26．化学气相淀积是通过（气体混合）的化学反应在硅片表面淀积一层（固体膜）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（加热）来向反应系统提供附加的能量。
27．化学气相淀积的基本方面包括：（）；（）；（）。
28．在半导体产业界第一种类型的CVD是（APCVD ），其发生在（质量运输控制）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（不可能有足够）的气体分子供发生反应。
29．HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（离子诱导淀积）、（溅射刻蚀）、（再次淀积）、热中性CVD和反射。
金属化
30．金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（）、（）和（）。
31．气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（）和（），则溅射区域选择在（）。
32．溅射现象是在（）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（），还可以用来（）。
33．对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（导电率）、高黏附性、（淀积）、（平坦化）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。
34．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。
35．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。
36．阻挡层金属是一类具有（高熔点）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（W ）。37．多层金属化是指用来（）硅片上高密度堆积器件的那些（）和（）。
38．被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统是：（）、（）、（）和铜电镀。
39．溅射主要是一个（）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（），最后淀积在硅片上。
平坦化
40．缩略语PSG、BPSG、FSG的中文名称分别是（磷硅玻璃）、（硼磷硅玻璃）和（）。
41．列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（）、LI氧化硅抛光、（）、（）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。
42．终点检测是指（CMP设备）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（电机电流终点检测）和（光学终点检测）。
43．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。44．20世纪80年代后期，（）开发了化学机械平坦化的（），简称（），并将其用于制造工艺中对半导体硅片的平坦化。
45．传统的平坦化技术有（）、（）和（）。
46．CMP是一种表面（全局平坦化）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（磨料），并同时施加（压力）。
47．磨料是精细研磨颗粒和化学品的混合物，在（）中用来磨掉硅片表面的特殊材料。常用的有（）、金属钨磨料、（）和特殊应用磨料。
48．有两种CPM机理可以解释是如何进行硅片表面平坦化的：一种是表面材料与磨料发生化学反应生成一层容易去除的表面层，属于（）；另一种是（），属于（）。
49．反刻属于（）的一种，表面起伏可以用一层厚的介质或其他材料作为平坦化的牺牲层，这一层牺牲材料填充（），然后用（）技术来刻蚀这一牺牲层，通过用比低处快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面的平坦化。
光刻
50．现代光刻设备以光学光刻为基础，基本包括：（紫外光源）、光学系统、（投影掩膜版）、对准系统和（覆盖光敏光刻胶的硅片）。
51．光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。
52．写出下列光学光刻中光源波长的名称：436nmG线、405nm（）、365nmI线、248nm （）、193nm深紫外、157nm（）。
53．光学光刻中，把与掩膜版上图形（）的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻；把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面的光刻是（）性光刻。
54．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为（）、（）和（）。
55．I线光刻胶的4种成分分别是（）、（）、（）和添加剂。
56．对准标记主要有四种：一是（），二是（），三是精对准，四是（）。57．光刻使用（）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形，光刻过程的其它说法是（）、光刻、掩膜和（）。
58．对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转涂胶，其有4个步骤：（）、旋转铺开、旋转甩掉和（）。
59．光学光刻的关键设备是光刻机，其有三个基本目标：（使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦，包括图形）；（通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。
刻蚀
60．在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：（）和（）。前者是（）尺寸下刻蚀器件的
最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。
61．干法刻蚀按材料分类，主要有三种：（）、（）和（）。
62．在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（化学作用）、（物理作用）和（化学作用与物理作用混合）。
63．随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（介质）以形成一个凹槽，然后淀积（金属）来覆盖其上的图形，再利用（CMP ）把铜平坦化至ILD的高度。
64．刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。
65．刻蚀剖面指的是（被刻蚀图形的侧壁形状），有两种基本的刻蚀剖面：（各向同性）刻蚀剖面和（各向异性）刻蚀剖面。
66．一个等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：（）、（）、气体流量控制系统和（）。67．在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀（）；用氯和氟刻蚀（）；用氯、氟和溴刻蚀硅；用氧去除（）。
68．刻蚀有9个重要参数：（）、（）、刻蚀偏差、（）、均匀性、残留物、聚合物形成、等离子体诱导损伤和颗粒污染。
69．钨的反刻是制作（）工艺中的步骤，具有两步：第一步是（）；第二步是（）。
扩散
70．本征硅的晶体结构由硅的（）形成，导电性能很差，只有当硅中加入少量的杂质，使其结构和（）发生改变时，硅才成为一种有用的半导体，这一过程称为（）。
71．集成电路制造中掺杂类工艺有（扩散）和（离子注入）两种，其中（离子注入）是最重要的掺杂方法。
72．掺杂被广泛应用于硅片制作的全过程，硅芯片需要掺杂（）和VA族的杂质，其中硅片中掺入磷原子形成（）硅片，掺入硼原子形成（）硅片。
73．扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态：（气相）扩散、（液相）扩散和（固相）扩散。74．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（激活杂质后），才有助于形成半导体硅。
75．扩散是物质的一个基本性质，描述了（一种物质在另一种物质中的运动）的情况。其发生有两个必要条件：（一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度）和（系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料）。
76．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散）和（离子注入）两种。在目前生产中，扩散方式主要有两种：恒定表面源扩散和（）。
77．硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：（预淀积）、（推进）和（激活）。
78．热扩散利用（高温）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（时间）和（温度）的影响。79．硅掺杂是制备半导体器件中（）的基础。其中pn结就是富含（IIIA族杂质）的N型区域和富含（VA族杂质）的P型区域的分界处。
离子注入
80．注入离子的能量可以分为三个区域：一是（），二是（），三是（）。81．控制沟道效应的方法：（）；（）；（）和使用质量较大的原子。
82．离子注入机的扫描系统有四种类型，分别为（）、（）、（）和平行扫描。
83．离子注入机的目标是形成在（）都纯净的离子束。聚束离子束通常很小，必须通过扫描覆盖整个硅片。扫描方式有两种，分别是（）和（）。
84．离子束轰击硅片的能量转化为热，导致硅片温度升高。如果温度超过100摄氏度，（）就会起泡脱落，在去胶时就难清洗干净。常采用两种技术（）和（）来冷却硅片。
85．离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求。其两个重要参数是（），即（）和（），即离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离。
86．最常用的杂质源物质有（）、（）、（）和AsH3等气体。
87．离子注入设备包含6个部分：（）、引出电极、离子分析器、（）、扫描系统和（）。88．离子注入工艺在（）内进行，亚0.25微米工艺的注入过程有两个主要的目标：（）；（）。
89．离子注入是一种向硅衬底中引入（可控数量）的杂质，以改变其（电学性能）的方法，它是一个物理过程，即不发生（化学反应）。
工艺集成
90．芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（光刻区）、刻蚀区、（注入区）、（薄膜区）和抛光区。
91．集成电路的发展时代分为：（小规模集成电路SSI ）、中规模集成电路MSI、（大规模集成电路LSI ）、超大规模集成电路VLSI、（甚大规模集成电路ULSI ）。
92．集成电路的制造分为五个阶段，分别为（硅片制造备）、（硅片制造）、硅片测试和拣选、（装配和封装）、终测。
93．制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（硅衬底）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（微芯片）或（芯片）。
94．原氧化生长的三种作用是：1、（）；2、（）；3、（）。
95．浅槽隔离工艺的主要工艺步骤是：1、（）；2、氮化物淀积；3（）；4（）。
96．扩散区一般是认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。主要设备是高温扩散炉，其能完成（氧化）、扩散、（淀积）、（退火）以及合金等多种工艺流程。
97．光刻区位于硅片厂的中心，经过光刻处理的硅片只流入两个区，因此只有三个区会处理涂胶的硅片，它们是（）、（）和（）。
98．制作通孔1的主要工艺步骤是：1、（第一层层间介质氧化物淀积）；2、（氧化物磨抛）；3、（第十层掩模、第一层层间介质刻蚀）。
99．制作钨塞1的主要工艺步骤是：1、（钛淀积阻挡层）；2、（氮化钛淀积）；3、（钨淀积）；4、磨抛钨。
二、判断题（10分=1分*10）10题/章
晶圆制备
1．半导体级硅的纯度为99.9999999%。（√）
2．冶金级硅的纯度为98%。（√）
3．西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子。（√）
4．对半导体制造来讲，硅片中用得最广的晶体平面是（100）、（110）和（111）。（√）
5．CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。（√）
6．用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。（√）
7．（111）面的原子密度更大，所以更易生长，成本最低，所以经常用于双极器件。（√）
8．区熔法是20世纪50年代发展起来的，能生产到目前为止最纯的硅单晶，含氧量非常少。（√）9．85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。（√）
10．成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比。（√）
氧化
11．当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。（√）
12．暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。（√）
13．二氧化硅是一种介质材料，不导电。（√）
14．硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。（√）
15．栅氧一般通过热生长获得。（√）
16．虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。（√）
17．氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。（√）
18．传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。（√）
19．用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。（√）
20．快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。（√）
淀积
21．CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。（×）
22．高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。（×）
23．LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的。（√）
24．外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。（√）
25．在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。（√）
26．外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。（√）
27．CVD反应器的冷壁反应器只加热硅片和硅片支持物。（√）冷壁反应器通常只对衬底加热，
28．APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。（√）
29．与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。（√）30．LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。（×）
金属化
31．接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。（√）
32．大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。（√）
33．蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。（×）很难调整淀积合金的组分
34．大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。（√）
35．接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。（×）
36．多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。（×）
37．阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。（×）
38．关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。（√）
39．传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。（×）
40．溅射是个化学过程，而非物理过程。（×）
平坦化
41．表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。（×）
42．化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。（√）
43．平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。（√）
44．反刻是一种传统的平坦化技术，它能够实现全局平坦化。（×）
45．电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。（√）
46．在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。（√）
47．CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。（√）
48．20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的。（√）
49．旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。（√）50．没有CMP，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。（×）
光刻
51．最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。（×）
52．步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。（×）
53．光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。（√）
54．曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。（√）
55．对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。（√）
56．芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即CD。（√）
57．光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。（√）
58．有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。（√）
59．投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。（×）铬
60．光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。（√）
刻蚀
61．各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。（×）
62．干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。（√）
63．不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。（√）
64．对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。（×）
65．刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。（√）
66．刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。（√）
67．在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。（×）
68．在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。（√）
69．与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。（√）
70．高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。（√）
扩散
71．在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。（√）
72．晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。（√）
73．在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。（√）
74．纯净的半导体是一种有用的半导体。（×）
75．CD越小，源漏结的掺杂区越深。（√）
76．掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。（×）
77．扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。（√）
78．扩散运动是各向同性的。（×）水分子扩散的各向异性
79．硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。（√）
80．热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。（√）
离子注入
81．离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。（√）
82．离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。（√）
83．P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。（√）
84．硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。（×）
85．离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。（√）
86．离子注入是一个物理过程，不发生化学反应。（√）
87．离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。（√）
88．离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。（√）
89．离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。（×）
90．离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。（√）
工艺集成
91．CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。（√）
92．CD是指硅片上的最小特征尺寸。（√）
93．集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。（√）
94．人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。（√）
95．硅片制造厂可分为六个独立的区域，各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。（×）
96．世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。（×）
97．集成电路是由Kilby和Noyce两人于1959年分别发明，并共享集成电路的专利。（√）
98．侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。（√）
99．多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。（√）
100．大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术。（√）
三、简答题（30分=6分*5）5题/章
晶圆制备
1．常用的半导体材料为何选择硅？（6分）
（1）硅的丰裕度。硅是地球上第二丰富的元素，占地壳成分的25%；经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本；
（2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。硅1412℃>锗937℃
（3）更宽的工作温度。用硅制造的半导体件可以用于比锗更宽的温度范围，增加了半导体的应用范围和可靠性；（4）氧化硅的自然生成。氧化硅是一种高质量、稳定的电绝缘材料，而且能充当优质的化学阻挡层以保护硅不受外部沾污；氧化硅具有与硅类似的机械特性，允许高温工艺而不会产生过度的硅片翘曲；
2．写出用硅石制备半导体级硅的过程。（6分）
西门子法。
3．晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。（6分）
Wafer。
（1）单晶硅生长:晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。
4．写出下列晶圆的晶向和导电类型。（6分）
5．硅锭直径从20世纪50年代初期的不到25mm增加到现在的300mm甚至更大，其原因是什么？（6分）（1）更大直径硅片有更大的表面积做芯片，能够减少硅片的浪费。
（2）每个硅片上有更多的芯片，每块芯片的加工和处理时间减少，导致设备生产效率变高。
（3）在硅片边缘的芯片减少了，转化为更高的生产成品率。
（4）在同一工艺过程中有更多芯片，所以在一块芯片一块芯片的处理过程中，设备的重复利用率提高了。
氧化
6．以二氧化硅为例来解释选择扩散的概念。（6分）
7．描述生长氧化层和淀积氧化层以及两者的区别？（6分）
8．列举集成电路工艺里氧化物的六种应用。（6分）
9．列出干氧氧化和湿氧氧化的化学反应式及其各自的特点。（6分）
10．立式炉出现的主要原因，其主要控制系统分为哪五个部分？（6分）
(1)立式炉更易于自动化、可改善操作者的安全以及减少颗粒污染。与卧式炉相比可更好地控制温度和均匀性。
(2)工艺腔，硅片传输系统，气体分配系统，尾气系统，温控系统。
淀积
11．名词解释CVD（6分）
12．列举淀积的6种主要技术。（6分）
13．化学气相淀积的英文简称？其过程有哪5种基本的反应？并简要描述5种反应。（6分）14．在硅片加工中可以接受的膜必须具备需要的膜特性，试列出其中6种特性。（6分）15．在MOS器件中，为什么用掺杂的多晶硅作为栅电极？（6分）
金属化
16．阐述蒸发法淀积合金薄膜的过程，并说明这种方法的局限性？（6分）
17．简述真空蒸发法制备薄膜的过程。（6分）
18．解释铝/硅接触中的尖楔现象，并写出改进方法？（6分）
19．解释铝已被选择作为微芯片互连金属的原因。（6分）
20．解释下列名词：多层金属化、互连和接触。（6分）
平坦化
21．名词解释：CMP。（6分）
22．什么是终点检测？现在最常用的原位终点检测有哪些？（6分）
23．名词解释：反刻。（6分）
24．名词解释：玻璃回流（6分）
25．名词解释：旋涂膜层。（6分）
光刻
26．半导体制造行业的光刻设备分为几代？写出它们的名称。（6分）
27．试写出光刻工艺的基本步骤。（6分）
（1）气相成底膜；（2）旋转涂胶；（3）软烘；（4）对准和曝光；
（5）曝光后烘焙(PEB)；（6）显影；（7）坚膜烘焙；（8）显影检查。
28．已知曝光的波长 为365nm，光学系统的数值孔径NA为0.60，则该光学系统的焦深DOF为多少？（6分）
29．分别描述投影掩膜版和掩膜版。（6分）
30．什么是数值孔径？陈述它的公式，包括近似公式。（6分）
刻蚀
31．什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？（6分）
32．什么是等离子体去胶？去胶机的目的是什么（6分）
33．解释有图形和无图形刻蚀的区别。（6分）
34．什么是干法刻蚀？干法刻蚀相比于湿法腐蚀的优点有哪些？（6分）
35．干法等离子体反应器有哪些主要类型？（6分）
扩散
36．简述扩散工艺的概念。（6分）
扩散是物质的一个基本属性，描述了一种物质在另一种物质中运动的情况。扩散的发生需要两个必要的条件：（1）一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度；（2）系统内必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料。
气相扩散：空气清新剂喷雾罐
液相扩散：一滴墨水滴入一杯清水
固相扩散：晶圆暴露接触一定浓度的杂质原子（半导体掺杂工艺的一种）
37．什么是掺杂工艺，在晶片制造中，主要有几种方法进行掺杂？（6分）
38．热扩散工艺采用何种设备，其对先进电路的生成主要有几个限制？（6分）
39．简述扩散工艺第一步预淀积的详细步骤。（6分）
40．扩散工艺第二步推进的主要目的是什么？（6分）
离子注入
41．解释离子注入时的能量淀积过程。（6分）
42．离子注入工艺采用何种设备？列举离子注入设备的5个主要子系统。（6分）
43．名词解释：离子注入。（6分）
离子注入是一种向硅衬底中引入可控制数量的杂质，以改变其电学性能的方法。它是一个物理过程，即不发生化学反应。离子注入在现代硅片制造过程中有广泛应用，其中最主要的用途是掺杂半导体材料。
44．简述离子注入机中的静电扫描系统。（6分）
45．简述离子注入机中质量分析器磁铁的作用。（6分）
工艺集成
46．集成电路的英文是？写出集成电路的五个制造步骤。（6分）
47．名词解释：集成电路。（6分）
48．什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？（6分）
49．什么是接触形成工艺？其主要步骤有哪些？（6分）
50．什么是集成电路工艺中的阱，简述在一个p型硅片上形成n阱的主要步骤。（6分）
51．555电路经常用做延时电路，那请设计利用555芯片，47K电阻，100uF电容组成的延迟电路。要求一上电3脚输出为低电平，经过5.27S之后输出为高电平，并持续输出高电平。
四、综合题：（30分=15分*2，20题）2题/章
晶圆制备
1．画出CZ拉单晶炉的示意图，并简述其工艺过程。（15分）
2．画出区熔法生长单晶硅锭的示意图，并简述其工艺过程。（15分）
氧化
3．对下图所示的工艺进行描述，并写出工艺的主要步骤。（15分）
描述：图示工艺：选择性氧化的浅槽隔离（STI）技术。（用于亚0.25微米工艺）
STI技术中的主要绝缘材料是淀积氧化物。选择性氧化利用掩膜来完成，通常是氮化硅，只要氮化硅膜足够厚，覆盖了氮化硅的硅表面就不会氧化。掩膜经过淀积、图形化、刻蚀后形成槽。
在掩膜图形曝露的区域，热氧化150~200埃厚的氧化物后，才能进行沟槽填充。这种热生长的氧化物使硅表面钝化，并且可以使浅槽填充的淀积氧化物和硅相互隔离，它还能作为有效的阻挡层，避免器件中的侧墙漏电流产生。
步骤：1氮化硅淀积
2氮化硅掩蔽与刻蚀
3侧墙氧化与沟槽填充
4氧化硅的平坦化(CMP)
5氮化硅去除。浅槽隔离(STI)的剖面
4．识别下图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述，对其特有现象进行描述。（15分）
答：一）此为选择性氧化的局部氧化LOCOS （0.25微米以上的工艺）
二）步骤名称及描述：
通信电子线路复习题及答案
《通信电子线路》复习题 一、填空题 1、通信系统由输入变换器、发送设备、信道、接收设备以及输出变换器组成。 2、无线通信中，信号的调制方式有调幅、调频、调相三种，相应的解 调方式分别为检波、鉴频、鉴相。 3、在集成中频放大器中，常用的集中滤波器主要有：LC带通滤波器、陶瓷、石英 晶体、声表面波滤波器等四种。 4、谐振功率放大器为提高效率而工作于丙类状态，其导通角小于 90度，导 通角越小，其效率越高。 5、谐振功率放大器根据集电极电流波形的不同，可分为三种工作状态，分别为 欠压状 态、临界状态、过压状态；欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放 大器工作在临界状态。
6、已知谐振功率放大器工作在欠压状态，为了提高输出功率可将负载电阻Re 增大，或将电源电压Vcc 减小，或将输入电压Uim 增大。 7、丙类功放最佳工作状态是临界状态，最不安全工作状态是强欠压状态。最佳工 作状态的特点是输出功率最大、效率较高 8、为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在欠压状态， 为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在过压状态。 9、要产生较高频率信号应采用LC振荡器，要产生较低频率信号应采用RC振荡 器，要产生频率稳定度高的信号应采用石英晶体振荡器。 10、反馈式正弦波振荡器由放大部分、选频网络、反馈网络三部分组成。 11、反馈式正弦波振荡器的幅度起振条件为1 ，相位起振条件 A F （n=0,1,2…）。 12、三点式振荡器主要分为电容三点式和电感三点式电路。 13、石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电和反压电效应工作的，其频率稳 定度很高，通常可分为串联型晶体振荡器和并联型晶体振荡器两种。 14、并联型石英晶振中，石英谐振器相当于电感，串联型石英晶振中，石英谐振器 相当于短路线。
信号与系统试题附答案99484
信科0801《信号与系统》复习参考练习题一、单项选择题：
14、已知连续时间信号,) 2(100)2(50sin )(--=t t t f 则信号t t f 410cos ·)(所占有的频带宽度为（） A ．400rad ／s B 。200 rad ／s C 。100 rad ／s D 。50 rad ／s
15、已知信号)(t f 如下图（a ）所示，其反转右移的信号f 1(t) 是（ ） 16、已知信号)(1t f 如下图所示，其表达式是（ ） A 、ε（t ）＋2ε(t －2)－ε(t －3) B 、ε(t －1)＋ε(t －2)－2ε(t －3) C 、ε(t)＋ε(t －2)－ε(t －3) D 、ε(t －1)＋ε(t －2)－ε(t －3) 17、如图所示：f （t ）为原始信号，f 1(t)为变换信号，则f 1(t)的表达式是（ ） A 、f(－t+1) B 、f(t+1) C 、f(－2t+1) D 、f(－t/2+1)
18、若系统的冲激响应为h(t),输入信号为f(t),系统的零状态响应是（ ） 19。信号)2(4sin 3)2(4cos 2)(++-=t t t f π π 与冲激函数)2(-t δ之积为（ ） A 、2 B 、2)2(-t δ C 、3)2(-t δ D 、5)2(-t δ ，则该系统是（）＞－系统的系统函数．已知2]Re[,6 51)(LTI 202s s s s s H +++= A 、因果不稳定系统 B 、非因果稳定系统 C 、因果稳定系统 D 、非因果不稳定系统 21、线性时不变系统的冲激响应曲线如图所示，该系统微分方程的特征根是（ ） A 、常数 B 、 实数 C 、复数 D 、实数+复数 22、线性时不变系统零状态响应曲线如图所示，则系统的输入应当是（ ） A 、阶跃信号 B 、正弦信号 C 、冲激信号 D 、斜升信号
信号与系统期末考试试题(有答案的)
信号与系统期末考试试题 一、选择题（共10题，每题3分 ，共30分，每题给出四个答案，其中只有一个正确的） 1、 卷积f 1(k+5)*f 2(k-3) 等于 。 （A ）f 1(k)*f 2(k) （B ）f 1(k)*f 2(k-8)（C ）f 1(k)*f 2(k+8)（D ）f 1(k+3)*f 2(k-3) 2、 积分 dt t t ? ∞ ∞ --+)21()2(δ等于 。 （A ）1.25（B ）2.5（C ）3（D ）5 3、 序列f(k)=-u(-k)的z 变换等于 。 （A ） 1-z z （B ）-1-z z （C ）11-z （D ）1 1--z 4、 若y(t)=f(t)*h(t),则f(2t)*h(2t)等于 。 （A ） )2(41t y （B ）)2(21t y （C ）)4(41t y （D ）)4(2 1 t y 5、 已知一个线性时不变系统的阶跃相应g(t)=2e -2t u(t)+)(t δ,当输入f(t)=3e —t u(t)时，系 统的零状态响应y f (t)等于 （A ）(-9e -t +12e -2t )u(t) （B ）(3-9e -t +12e -2t )u(t) （C ）)(t δ+(-6e -t +8e -2t )u(t) （D ）3)(t δ +(-9e -t +12e -2t )u(t) 6、 连续周期信号的频谱具有 （A ） 连续性、周期性 （B ）连续性、收敛性 （C ）离散性、周期性 （D ）离散性、收敛性 7、 周期序列2)455.1(0 +k COS π的 周期N 等于 （A ） 1（B ）2（C ）3（D ）4 8、序列和 ()∑∞ -∞ =-k k 1δ等于 （A ）1 (B) ∞ (C) ()1-k u (D) ()1-k ku 9、单边拉普拉斯变换()s e s s s F 22 12-+= 的愿函数等于 ()()t tu A ()()2-t tu B ()()()t u t C 2- ()()()22--t u t D 10、信号()()23-=-t u te t f t 的单边拉氏变换()s F 等于 ()A ()()()232372+++-s e s s ()() 2 23+-s e B s
传染病学试题及答案(二)
《传染病学》考试题及答案 一、A1 型选择题（最佳选择题）：题干为一短句,每题有A，B，C，D，E五个备选答案，请从中选择一个最佳答案。（共50题，每题1分） 1．艾滋病最常见的机会性感染是：B A. 口腔念珠菌病 B. 卡氏肺孢子虫肺炎 C. 外阴部疱疹病毒感染 D. 疱疹性直肠炎 E. 巨细胞病毒性视网膜炎 2．下列哪项是脑膜炎球菌的正确特性D A.属奈瑟菌属，革兰染色阳性 B. 能产生毒力较强的 外毒素 C. 在脑脊液及瘀点涂片中，该菌多在中性粒细胞外，少数在细胞内 D. 抵抗力弱，在体外能产生自溶酶而易于自溶 E. 在含胆汁的培养基上生长良好 3．我国预防血吸虫病的重点措施是：C A. 灭螺 B. 普治 C. 灭螺和普治 D. 粪便和水源管理 E. 保护易感人群 4．自疟疾非流行区到海南旅游，预防措施可采取：A A. 乙胺嘧啶25mg，每周1次 B. 氯喹0.3g，每周1次 C. 哌喹0.6g，2~4周1次 D. 甲氟喹0.25g，每周1次 E. 周效磺胺0.5g，每周1次 5．痢疾杆菌致病作用的决定因素是A A. 内毒素 B. 肠毒素 C. 神经毒素 D. 细胞毒素 E. 侵袭作用 6．非特异性的全身反应症状始见于传染病的B A. 潜伏期 B. 前驱期 C. 症状明显期 D. 恢复期 E. 以上都不是 7．菌痢的病原体属于：A A. 志贺菌属 B. 沙门菌属 C. 类志贺毗邻单胞菌属 D. 弧菌属 E. 弯曲菌属 8．下列哪项不为传染源C A. 显性感染 B. 隐性感染 C. 潜伏性感染 D. 病原携带状态 E. 受感染的动物 9．阿米巴病组织损伤主要是由什么引起的：D A. 溶组织内阿米巴的机械性损伤 B. 溶组织内阿米巴释放的毒素 C. 迟发型
通信电子电路试题及答案==
课程名称：通信电子电路适用专业年级： 考生学号：考生姓名：……………………………………………………………………………………………………… 一、（20分）填空 1、小信号谐振放大器单向化的方法有中和法和( )两种。 2、某广播接收机，其f I= 465KHZ。当接收550KHZ电台节目时，还能收听1480K HZ电台节目，这是( )干扰的缘故，本振f L=( ). 3、高频功率放大器一般采用（）作负载，集电极电流为（）状，负载输出电压为（）状。 4、振荡器振幅起振条件为（），相位起振条件为（）。 5、并联型晶体振荡器的晶体等效为（），其振荡频率一定要在晶体的（）与（）之间。 6、调频广播中F max=15KHz,m f =5,则频偏?f=( )，频谱宽度BW=（）。 7、已调波u(t)=a1U cm cosωc t+2a2UΩm U cm cosΩtcosωc t，（ωc>>Ω），这不是（）波信号，其调制指数=（）。 8、调频时，要获得线性调频，变容二极管在小频偏时，n=（），在大频偏时，n=（）。 9、我国中波广播电台允许占用频率带宽为9KHZ，则最高调制频率≤( )。 10、调幅、变频均为( )频率变换，调角为( )频率变换 二、（15分）说明相位鉴频器和比例鉴频器的相同点和不同点， 并从物理意义上分析比例鉴频器有自动抑制寄生调幅的作用。 三、（15分）调角波u(t)=10cos(2π×106t+10cos2π×103t)。 求：(请写简单解题步骤) 1、最大频移。 2、最大相移。 3、信号带宽。 4、能否确定是FM波还是PM波，为什么？ 5、此信号在单位电阻上的功率为多少？ 四、（15分）振荡器电路如图1所示，其中C1=100PF，C2=0.0132μF，L1=100μH，L2=300μH。 (请写简单解题步骤) 1、画出交流等效电路。 2、求振荡器的振荡频率f o。
信号与系统试题附答案
信号与系统》复习参考练习题一、单项选择题：
14、已知连续时间信号,) 2(100) 2(50sin )(--= t t t f 则信号t t f 410cos ·)(所占有的频带宽度为（） A ．400rad ／s B 。200 rad ／s C 。100 rad ／s D 。50 rad ／s
f如下图（a）所示，其反转右移的信号f1(t) 是（） 15、已知信号)(t f如下图所示，其表达式是（） 16、已知信号)(1t A、ε（t）＋2ε(t－2)－ε(t－3) B、ε(t－1)＋ε(t－2)－2ε(t－3) C、ε(t)＋ε(t－2)－ε(t－3) D、ε(t－1)＋ε(t－2)－ε(t－3) 17、如图所示：f（t）为原始信号，f1(t)为变换信号，则f1(t)的表达式是（） A、f(－t+1) B、f(t+1) C、f(－2t+1) D、f(－t/2+1) 18、若系统的冲激响应为h(t),输入信号为f(t),系统的零状态响应是（）
19。信号)2(4 sin 3)2(4 cos 2)(++-=t t t f π π 与冲激函数)2(-t δ之积为（ ） A 、2 B 、2)2(-t δ C 、3)2(-t δ D 、5)2(-t δ ，则该系统是（）＞－系统的系统函数．已知2]Re[,6 51 )(LTI 202s s s s s H +++= A 、因果不稳定系统 B 、非因果稳定系统 C 、因果稳定系统 D 、非因果不稳定系统 21、线性时不变系统的冲激响应曲线如图所示，该系统微分方程的特征根是（ ） A 、常数 B 、 实数 C 、复数 D 、实数+复数 22、线性时不变系统零状态响应曲线如图所示，则系统的输入应当是（ ） A 、阶跃信号 B 、正弦信号 C 、冲激信号 D 、斜升信号 23. 积分 ?∞ ∞ -dt t t f )()(δ的结果为( ) A )0(f B )(t f C.)()(t t f δ D.)()0(t f δ 24. 卷积)()()(t t f t δδ**的结果为( ) A.)(t δ B.)2(t δ C. )(t f D.)2(t f
信号与系统试题附答案精选范文
信科0801《信号与系统》复习参考练习题 一、单项选择题 (2分1题，只有一个正确选项，共20题，40分) 1、已知连续时间信号,)2(100)2(50sin )(--= t t t f 则信号t t f 410cos ·)(所占有的频带宽度为（C ） A ．400rad ／s B 。200 rad ／s C 。100 rad ／s D 。50 rad ／s 2、已知信号)(t f 如下图（a ）所示，其反转右移的信号f 1(t) 是（ D ） 3、已知信号)(1t f 如下图所示，其表达式是（ B ） A 、ε（t ）＋2ε(t －2)－ε(t －3) B 、ε(t －1)＋ε(t －2)－2ε(t －3) C 、ε(t)＋ε(t －2)－ε(t －3) D 、ε(t －1)＋ε(t －2)－ε(t －3) 4、如图所示：f （t ）为原始信号，f 1(t)为变换信号，则f 1(t)的表达式是（ D ） A 、f(－t+1) B 、f(t+1) C 、f(－2t+1) D 、f(－t/2+1) 5、若系统的冲激响应为h(t),输入信号为f(t),系统的零状态响应是（ C ）
6。信号)2(4sin 3)2(4cos 2)(++-=t t t f π π与冲激函数)2(-t δ之积为（ B ） A 、2 B 、2)2(-t δ C 、3)2(-t δ D 、5)2(-t δ 7线性时不变系统的冲激响应曲线如图所示，该系统微分方程的特征根是（ B ） A 、常数 B 、 实数 C 、复数 ? D 、实数+复数 8、线性时不变系统零状态响应曲线如图所示，则系统的输入应当是（ A ） A 、阶跃信号 B 、正弦信号? C 、冲激信号 ? D 、斜升信号
传染病学试题及答案
第一章：总论部分： 1、关于传染病感染过程的各种表现，下列哪项说法是正确的？D A.隐性感染极为少见 B.病原体感染必引起发病 C.每个传染病都存在潜伏性感染 D.显性感染的传染病不过是各种不同的表现之一，而不是全部 E.病原体必引起炎症过程和各种病理改变 2、关于病原携带者的论述，正确的是？D A.所有的传染病均有病原携带者 B. 病原携带者不是重要的传染源 C.发生于临床症状之前者称为健康携带者 D.病原携带者不显出临床症状而能排出病原体 E.处于潜伏性感染状者就是病原携带者 3、隐性感染增加时：E A.病原携带者增加 B. 慢性感染病人增加 C.潜伏性感染增加 D.显性感染增加 E.免疫人群扩大 4、根据我国传染病防治法及其细则规定，属于强制管理的传染病是：B A.爱滋病 B. 鼠疫 C. 乙型肝炎 D. 疟疾 E. 麻风病 5、斑疹伤寒患者血清中可测出对变形杆菌“OX19”，的抗体，是属于：D A.间接凝集反应 B. 直接凝集反应 C. 反向凝集试验 D.交叉凝集反应 E.反向间接凝集反应 6、根据我国传染病防治法及其细则规定，下列疾病不属于乙类传染病是：E A.病毒性肝炎 B. 登革热 C. 炭疽 D. 爱滋病 E. 血吸虫病
7、某些传染病常出现周期性流行，其主要原因是？C A.传播途径的改变 B.传染源的积累 C.易感人群的积累 D.病原体抗原性的改变 E.自然因素周期性的改变 8、传染过程中，下列哪种感染类型增多对防止传染病的流行有积极意义？B A.病原体被清除 B.隐性感染者 C. 病原携带者 D.潜伏性感染 E.显性感染 9、表现为“显性感染”占优势的疾病是：B A.流行性乙型脑炎 B.天花 C.流行性脑脊髓膜炎 D.百日咳 E.脊髓灰质炎 10、隐性感染的发现主要是通过：C A.咽拭子或血清培养等获得病原体 B.生化检查 C.特异性免疫检查 D.病理检查 E.体征的发现 11、人体能对抗再感染的主要原因是：B A.非特异性免疫能力 B.特异性免疫能力 C.预防用药 D.增强体质 E.注射疫苗 12、有关IgG，下列哪项是错误的？D A.是人体最重要的抗体 B.是人血清中含量最高的 C.是唯一能穿过胎盘的抗体 D.是凝集试验中的主要反应抗体 E.是胎盘球蛋白、丙种球蛋白中的主要抗体 13、抗原抗体复合物属于下列哪一型超敏反应？C A.Ⅰ型 B.Ⅱ型 C.Ⅲ型 D.Ⅳ型 E.Ⅴ型 14、感染性疾病和传染性疾病的主要区别是：B A.是否有病原体 B.是否有传染性 C.是否有感染后免疫 D.是否有发热 E.是否有毒血症症状 15、人体被病原体侵袭后不出现临床症状，但可产生特异性免疫，称：C A.病原体被消灭 B.潜伏性感染 C.隐性感染 D.显性感染 E.带菌者
武汉科技大学通信电子电路期末试卷+答案教学总结
试题纸A -1 - 课程名称：通信电子线路专业班级：电子信息工程07级 考生学号：考生姓名： 闭卷考试，考试时间120分钟，无需使用计算器 一、单项选择（2' *12=24分） 1、根据高频功率放大器的负载特性，由于RL减小，当高频功率放大器从临界状态向欠压区 变化时。 （A）输出功率和集电极效率均减小（B）输出功率减小，集电极效率增大 （C）输出功率增大，集电极效率减小（D）输出功率和集电极效率均增大 2、作为集电极调幅用的高频功率放大器，其工作状态应选用。 （A）甲类状态（B）临界状态（0 过压状态（D）欠压状态 3、对于三端式振荡器，三极管各电极间接电抗元件X（电容或电感），C、E电极间接电抗 元件X1，B、E电极间接X2，C B电极间接X3,满足振荡的原则是。 （A）X1与X2性质相同，X1、X2与X3性质相反 （B）X1与X3性质相同，X1、X3与X2性质相反 （C）X2与X3性质相同，X2、X3与X1性质相反 （D）X1与X2、X3性质均相同 4、在常用的反馈型LC振荡器中，振荡波形好且最稳定的电路是。 （A）变压器耦合反馈型振荡电路（B）电容三点式振荡电路 （C）电感三点式振荡电路（D）西勒振荡电路 5、为使振荡器输出稳幅正弦信号，环路增益KF（j oo）应为。 （A）KF（j o ）= 1 （B）KF（j o ）> 1 （C）KF（j o）v 1 （D）KF（j o ）= 0 6、单音正弦调制的AM?幅波有个边频，其调制指数ma的取值范围是 (A) 1、(0,1) (B) 1、(-1,1) (C) 2、(0,1) (D) 2、(-1,1) 7、某已调波的数学表达式为u（ t） = 2（1 + Sin（2 nX 103t））Sin2 nX 106t，这是一个（A）AM 波（B）FM 波（C）DSB 波（D）SSB 波 8、在各种调制电路中，最节省频带和功率的是。 （A）AM电路（B）DSB电路（C）SSB电路（D）FM电路
信号与系统考试试题库
精品文档 为 O 信号与系统试题库 一、填空题： 1? 计算 e (t 2) u(t) (t 3) 。 2. 已知X(s) — 士的收敛域为Re{s} 3, X(s) s 3 s 1 的逆变换为 。 3. 信号x(t) (t) u(t) u(t to)的拉普拉斯变换 为 。 4. 单位阶跃响应 g(t )是指系统对输入为 的零状态响应。 5. 系统函数为H (S ) ( 2) ； 3)的LTI 系统是稳 (s 2)(s 3) 定的，贝g H(s)的收敛域 为 。 6. 理想滤波器的频率响应为 H (j ) 2' 100 , 如果输入信号为 0, 100 7 x(t) 10cos(80 t) 5cos(120 t) , 则输出响应y(t) 则描述系统的输入输出关系的微分方程7. 因果LTI 系统的系统函数为 H(s) s 2 s 2 4s 3
精品文档8. 一因果LTI连续时间系统满足： 弟5畔6y(t) d^ 3畔2x(t)，则系统的单dt d t dt dt 7 位冲激响应h(t) 为 。 9.对连续时间信号X a(t) 2sin(400 t) 5cos(600 t)进行抽 样，则其奈奎斯特频率为。 10.给定两个连续时间信号X(t)和h(t), 而x(t)与h(t)的卷积表示为y(t)，则x(t 1) 与h(t 1)的卷积为 。 11.卷积积分X(t t1)* (t t2) 。 12.单位冲激响应h(t)是指系统对输入为的零状态响应。 13. e 2t u(t)的拉普拉斯变换 为。 14.已知X(s)七七的收敛域为 3 Re{s} 2 , s 2 s 3 X (S)的逆变换为 _____________________ 15.连续LTI系统的单位冲激响应h(t)满足____________________ ，贝g系统稳定。为。 17.设调制信号X(t)的傅立叶变换X(j )已知， 16.已知信号X(t) cos( 0t),则其傅里叶变换
传染病学试题及答案
传染病学试题 一、名词解释（每个2分，共10分） 1.传染源：体内有病原体生长繁殖，排出体外的人和动物。 2.感染：人和病原体相互作用、相互斗争的过程，也是病原体对人体的寄生过程。 3.病原携带者：体内有病原体生长繁殖，排出体外，而无临床表现的人。 4.暴发：某种传染病在短时间、小范围内发病人数急剧增多。 5.流行过程：传染病的病原体从传染源的体内排出，经过一定的传播途径侵入易感者而形成新的传染，在人群中发生、发展和转归的过程。 二、填空题（每空1分，共30分） 1. 构成感染的必备条件是病原体人体环境。 2. 流行过程的三个基本环节包括 .传染源传播途径易感人群 3. 传染源包括传染病患者病原携带者隐性感染者受感染的动物 4. 常见的水平传播途径有 4.呼吸道传播消化道传播接触传播虫媒传播血液-体液传播土壤传播 5. 影响流行过程的因素有 .自然因素社会因素 6. 传染病的基本特征是 .特异病原体有传染性有流行病学特征有免疫性 7. 典型急性传染病的病程经过可分为 .潜伏期前驱期症状明显期恢复期4个阶段。 8. 传染病的诊断需要综合分析 .流行病学资料临床资料实验室检查资料三方面资料。 9. 传染病的治疗方法中最根本、最有效的方法是。 三、判断题（每题1分，共10分，对的打√，错的打×） 1．传染过程必然导致传染病。F 2．所有传染病都有传染性。T 3．构成传染必须具备三个基本条件：即传染源、病原体、传染途径。F 4．隐性感染是指病原体侵入人体后，病理损害轻，不出现或出现不明显的临床表现，通过免疫学检测可测得抗体。T 5．传染病只是传染过程的一种表现形式。T 6．有传染性是传染病与其它感染性疾病的主要区别点。T 7．所有的病原携带者都是传染源。T 8．抗生素对病毒性疾病有效。F 9．人群对某些传染病易感性的高低明显影响传染病的发生。T 10．切断传播途径的目的在于消灭被污染环境中的病原体和传播病原体的生物媒介。T 四、简答题（10分） 简述感染过程的五种表现及它们之间的关系。 感染过程有病原体被消灭或排出体外、病原携带状态、隐性感染、显性感染、潜伏性感染五种表现。以上五种表现不一定一成不变，在一定条件下可以相互转变，如潜伏性感染在人体抵抗力下降时，可转变为显性感染。一般认为隐性感染最常见,其次为病原携带状态,显性感染所占比例最低,但易于识别。 五、选择题（共40分） （一）A1型题（每题1分） （ B ）1．病原体侵入人体后，可在一定部位生长繁殖，并不断排除体外，而人体不出现任何症状，这称为 A．隐性感染B．病原携带状态C．显性感染D．潜伏性感染E．轻型感染
通信电子线路期末考试复习
1、调频电路的两种方式是什么。 2、小信号谐振放大器的主要特点是什么？具有哪些功能。。 3、为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在什么状态，为了有效地实现集电极调幅， 调制器必须工作在什么状态。 4、调幅的原理和过程是什么？ 5、高频小信号谐振放大器的常用的稳定方法有什么？引起其工作不稳定的主要原因是什 么？该放大器级数的增加，其增益和通频带将如何变化。 6、接收机分为两种各是什么。 7、扩展放大器通频带的方法有哪些。 8、在集成中频放大器中，常用的集中滤波器主要有什么？ 9、丙类谐振功放有哪些状态，其性能可用哪些特性来描述。 10、调频电路有什么方式？ 11、调制有哪些方式？ 12、小信号谐振放大器的技术指标是什么？ 13、某调幅广播电台的音频调制信号频率100Hz～8KHz ，则已调波的带宽会在8KHz之下 吗？为什么？ 14、调幅电路、调频电路、检波电路和变频电路中哪个电路不属于频谱搬移电路？ 15、串联型石英晶振中，石英谐振器相当于什么元件？ 16、在大信号峰值包络检波器中，由于检波电容放电时间过长而引起的失真是哪种？ 17、在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R的结果是？ 18、在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的，为什么？ LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波；石英晶体振荡器不能产生正弦波；电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大；电容三点式振荡器的振荡频率做不高 19、如图为某收音机的变频级，这是一个什么振荡电路？ 20、功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等，其分类的标准是 什么？ 21、若载波u(t)=Ucosωt,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为？ 22、多级耦合的调谐放大器的通频带比组成它的单级单调谐放大器的通频带宽吗？ 23．功率放大器是大信号放大器，在不失真的条件下能够得到足够大的输出功率。
信号与系统题库(完整版)
信号与系统 题目部分，(卷面共有200题,0.0分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(7小题,共0.0分) [1]题图中，若h '（0）=1，且该系统为稳定的因果系统，则该系统的冲激响应()h t 为。 A 、231()(3)()5t t h t e e t ε-= +- B 、32()()()t t h t e e t ε--=+ C 、3232()()55t t e t e t εε--+ D 、3232()()5 5 t t e t e t εε-- + - [2]已知信号x[n]如下图所示，则x[n]的偶分量[]e x n 是。
[3]波形如图示，通过一截止角频率为50rad s π，通带内传输值为1，相移为零的理想低通 滤波器，则输出的频率分量为（） A 、012cos 20cos 40C C t C t ππ++ B 、012sin 20sin 40C C t C t ππ++ C 、01cos 20C C t π+ D 、01sin 20C C t π+
[4]已知周期性冲激序列()()T k t t kT δδ+∞ =-∞ = -∑ 的傅里叶变换为()δωΩΩ，其中2T πΩ= ；又 知111()2(),()()2T T f t t f t f t f t δ? ? ==++ ?? ? ；则()f t 的傅里叶变换为________。 A 、2()δωΩΩ B 、24()δωΩΩ C 、2()δωΩΩ D 、22()δωΩΩ [5]某线性时不变离散时间系统的单位函数响应为()3(1)2()k k h k k k εε-=--+，则该系统是________系统。 A 、因果稳定 B 、因果不稳定 C 、非因果稳定 D 、非因果不稳定 [6]一线性系统的零输入响应为（2 3 k k --+）u(k), 零状态响应为(1)2()k k u k -+,则该系统 的阶数 A 、肯定是二阶 B 、肯定是三阶 C 、至少是二阶 D 、至少是三阶 [7]已知某系统的冲激响应如图所示则当系统的阶跃响应为。 A 、(1 2.72)()t e t ε-- B 、(1 2.72)()t e t ε-+ C 、(1)()t e t ε-- D 、(1)()t e t ε-- 二、填空题(6小题,共0.0分) [1]书籍离散系统的差分方程为1()(1)(2)(1)2 y k y k y k f k --+-=-，则系统的单位序列 响应()h k =__________。
流行病学试题(1)及答案
全科医生培训流行病学试题 1、关于“流行病学”，下列说法错误的是： A、流行病学是从群体角度研究疾病与健康； B、流行病学研究的病种仅限于传染病 C、流行病学从疾病分布入手探讨疾病的流行因素； D、流行病学属于预防医学的范畴。 E、流行病学已深入临床医学的研究中 2、队列研究属于哪一种流行病学研究方法： A、描述流行病学 B、分析流行病学 C、实验流行病学 D、理论流行病学 E、以上均不对 3、下列哪一种指标常用来说明疾病的严重程度： A、发病率 B、死亡率 C、患病率 D、罹患率 E、病死率 4、表示急性传染病的流行强度宜用下列哪种指标： A、发病率 B、死亡率 C、患病率 D、罹患率 E、病死率 5、某县历年流脑发病率均在12/10万~20/10万之间,去年该县流脑发病率为16/10万,试判 断其流行强度： A、散发 B、暴发 C、流行 D、大流行 E、以上均不对 6、下列哪一种传染病一般呈严格的季节性： A、虫媒传染病 B、寄生虫病 C、呼吸道传染病 D、肠道传染病 E、血液传染病 7、下列哪种因素可使人群易感性降低： A、新生儿增加 B、获得性免疫力自然减退 C、易感人口迁入 D、隐性感染后免疫人口增加 E、以上均不对 8、疾病的三间分布是指 A、年龄、性别、季节分布 B、年龄、季节、职业分布 C、年龄、季节、地区分布 D、地区、季节、职业分布 E、时间、地区、人群分布 9、计算麻疹疫苗接种后血清检查的阳转率，分子应为： A. 麻疹易感儿数 B. 麻疹患儿数 C. 麻疹疫苗接种人数 D. 麻疹疫苗接种后的阳转人数E、麻疹疫苗接种后的阴性人数 （10~12题请参照下列资料） 某社区年均人口为9万，年内共死亡150人，其中60岁以上死亡100人；在全部死亡者中，因肿瘤死亡人数为50人，该社区年内共出生100人。 A、0.560/00 B、1.660/00 C、0.330/00 D、1.110/00 E、33.33% 10、该社区年度总死亡率为： 11、该社区人口出生率为： 12、该社区肿瘤死亡率为： 13、不属于预防性消毒的方法是： A、饮水加氯消毒 B、食具煮沸消毒 C、痢疾患者每次所排粪便消毒 D、生活用水消毒 E、常规空气消毒 14、我国卫生部规定儿童应接种的四种生物制品是： A、卡介苗、甲肝疫苗、百白破、脊髓灰质炎疫苗 B、卡介苗、麻疹疫苗、百白破、脊髓灰质炎疫苗 C、卡介苗、百白破、乙脑疫苗、脊髓灰质炎疫苗 D、卡介苗、乙肝疫苗、麻疹疫苗、脊髓灰质炎疫苗
现代通信技术期末试卷
北京邮电大学2007——2008学年第二学期《现代通信技术》期末考试试题（A） 试题一：（共35分） 1．（6分，每题1.5分）选择题：请在括号内填入你的选择。 （1）无论怎么设置子网掩码，IP地址为（）的两台主机肯定不在同一个子网内。 a）46.15.6.1和46.100.6.150 b）128.255.150.1和128.255.5.253 c）129.46.200.5和129.46.200.95 （2）在Internet中，由主机名字到物理地址的转换过程不涉及（）。 a）ARP b）DNS c）RARP （3）如图所示，已知交换网络A由B、C两级交换网络构成，B交换网络的出线等于C 交换网络的入线。如果A的连接函数为δ(x2 x1 x0)= x0 x1 x2，C的连接函数为δ(x2 x1 x0)= x1 x0 x2，那么B的连接函数应当是（）。 a）δ(x2 x1 x0)= x0 x1 x2 b）δ(x2 x1 x0)= x1 x2 x0 c）δ(x2 x1 x0)= x2 x0 x1 （4）已知A和B是两个TST型电话交换网络。A方案满足T接线器的容量为1024，S 接线器为16?16矩阵；B方案满足T接线器的容量为512，S接线器为32?32矩阵。在上述两种情况下，S接线器电子交叉矩阵的所有控制存储器需要的存储单元总数和每个存储单元至少需要的比特数的乘积M符合（）。 a）M A>M B b）M A=M B
c）M A 一、单项选择题（共50道试题，共50分。） 1. 钩体病的临床表现及病情轻重主要取决于：E A.菌量 B.毒力 C.菌型 D.受损脏器不同 E.机体免疫状态 2. 下列哪一种物质是霍乱弧菌最主要的致病因素：A A.霍乱肠毒素 B.内毒素 C. M蛋白 D.透明质酸酶 E.蛋白水解酶 3. 流行于我国的血吸虫病为：A A.日本血吸虫病 B.埃及血吸虫病 C.曼氏血吸虫病 D.湄公血吸虫病 E.间插血吸虫病 4. 甲型肝炎病程中哪个阶段传染性最强：A A.潜伏期 B.黄疸前期 C.黄疸期 D.恢复期 E.慢性期 5. 猩红热的三大特征性表现是：D A.发热、咽峡炎、草莓舌 B.发热、草莓舌、脱皮 C.发热、草莓舌、皮疹 D.发热、咽峡炎、皮疹 E.发热、咽峡炎、杨梅舌 6. 流行性出血热的传染源主要是：A A.啮齿类 B.猪 C.病毒携带者 D.犬 E.急性期病人 7. HBsAg（+）、HBeAg（+），说明该病人：E A.无传染性 B.具有免疫力 C.病情比较稳定 D.乙型肝炎恢复期 E.具有传染性 8. 流行性脑脊髓膜炎最主要的临床表现是：C A.高热、昏迷、抽搐、呼吸衰竭 B.持续性发热、相对缓脉、玫瑰疹 C.发热、头痛、呕吐、 皮肤瘀点、脑膜刺激征 D.发热、头痛、呕吐、昏迷 E.高热、惊厥 9. 下列哪种是被动免疫制剂：E A.伤寒菌苗 B.卡介苗 C.麻疹疫苗 D.白喉类毒素 E.破伤风抗毒素 10. 华支睾吸虫主要寄生在：B A.肝细胞内 B.肝内胆管 C.十二指肠 D.肝内淋巴管 E.肝内血管 11. 女，15岁，寒战、间歇高热六天，第一天寒战、高热、剧烈头痛、出汗，热退后活动 自如，隔日又同样发作，巩膜轻度黄染，脾肋下2cm，曾服氯喹、伯氨喹啉，三天后出现酱油样尿，量少，血RBC2.0 X 109/L,Hb58g/L，哪种诊断可能性大：B A.伤寒溶血尿毒综合征 B.恶性疟引起的黑尿热 C.钩体病（黄疸出血型） D.间日疟服用伯氨喹啉引起的黑尿热 E.病毒性肝炎合并急性溶血性贫血 13. 10岁患儿，9月16日因发烧、嗜睡、头痛3天入院，查体：体温40C,意识呈浅昏迷, 电子信息科学与技术专业（本）2007级 《高频电子电路》试卷（A） 一、填空题（每空分，共30分） 1.无线电通信中信号是以形式发射出去的。它的调制方式有、、。 2.二极管峰值包络检波器的工作原理是利用和RC网络特性工作的。 3.已知LC回路并联回路的电感L在谐振频率f0=30MHz时测得L=1H μ，Q0=100，则谐振时的电容C= pF和并联谐振电阻R P= Ω k。 4.谐振回路的品质因数Q愈大，通频带愈；选择性愈。 5.载波功率为100W，当m a =1时，调幅波总功率和边频功率分别为和。 6.某调谐功率放大器，已知V CC =24V，P0=5W，则当% 60 = c η，= C P ,I CO= ，若 P 0保持不变，将 c η提高到80%，P c减小。 7.功率放大器的分类，当θ2= 时为甲类，当θ2= 时为乙类；当θ< 为丙 类。 8.某调频信号，调制信号频率为400Hz，振幅为2V，调制指数为30，频偏Δf= 。当调制信号频率减小为200Hz，同时振幅上升为3V时，调制指数变为。 二、选择题（每题2分，共20分） 1.下列哪种信号携带有调制信号的信息（） A.载波信号 B.本振信号 C.已调波信号 D.高频振荡信号 2.设AM广播电台允许占有的频带为15kHz，则调制信号的最高频率不得超过（） D.不能确定 3.设计一个频率稳定度高且可调的振荡器，通常采用（） A.晶体振荡器 B.变压器耦合振荡器相移振荡器 D.席勒振荡器 4.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（） A.提高回路的Q值 B.提高谐振频率 C.加宽通频带 D.减小通频带 5.二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（） A.单边带调幅波 B.抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D.残留边带调幅波 信科0８01《信号与系统》复习参考练习题 一、单项选择题（2分1题,只有一个正确选项,共20题,４０分) １、已知连续时间信号则信号所占有得频带宽度为(C) A.400rａd／ｓB。200 raｄ/ｓC。1０0 ｒad／s D。50 rad/s 2、已知信号如下图(a）所示,其反转右移得信号f1(t) 就是( Ｄ) ３、已知信号如下图所示,其表达式就是(B) Ａ、ε(t)＋２ε（t－2)-ε(t-３）B、ε(t－1)＋ε(ｔ－2）-2ε(t-3) Ｃ、ε（t)＋ε(ｔ－２)-ε(ｔ-３) D、ε（t-1)+ε(t-２)－ε(t-3） 4、如图所示:ｆ(t)为原始信号,f1（t)为变换信号，则f1(t)得表达式就是( D ) A、f（－t+１) B、ｆ(t＋1）?Ｃ、f（-２t＋1）Ｄ、 f(－t/2+1) ５、若系统得冲激响应为h(t),输入信号为f(t）,系统得零状态响应就是( Ｃ) ?6。信号与冲激函数之积为( B ) A、2 B、２ C、３ D、５ 7线性时不变系统得冲激响应曲线如图所示,该系统微分方程得特征根就是（ B ） A、常数Ｂ、实数Ｃ、复数 D、实数+复数 8、线性时不变系统零状态响应曲线如图所示,则系统得输入应当就是( A ) A、阶跃信号Ｂ、正弦信号Ｃ、冲激信号 D、斜升信号 9、积分得结果为( A)?A B C、D、 10卷积得结果为( Ｃ）?Ａ、B、Ｃ、D、 １１零输入响应就是( B )?Ａ、全部自由响应B、部分自由响应?Ｃ、部分零状态响应Ｄ、全响应与强迫响应之差? 1２号〔ε(ｔ)－ε(ｔ-２)〕得拉氏变换得收敛域为( C ) A、Re［s］>０ B、Ｒe[ｓ]>２ C、全S平面 D、不存在 13知连续系统二阶微分方程得零输入响应得形式为，则其2个特征根为( A ）?Ａ。-1,－２B。－1，2 C。１,-2 D。1,2 14数就是( Ａ) A.奇函数B。偶函数C。非奇非偶函数Ｄ。奇谐函数 １5期矩形脉冲序列得频谱得谱线包络线为(Ｂ) 传染病学模拟试题（及答案） 1、构成传染必须具备的条件是： A 传染源、传播途径 B 传染源、易感人群 C 病原的毒力、数量 D 病原体、人体 E 自然因素、社会因素 2、传染病流行过程必须具备的三个环节 是： A 病原体、人体及其所处的环境 B 病原体、自然因素、社会因素 C 病原体毒力、数量及适当的侵入门户 D 病原体、传播途径、易感人群 E 传染源、传播途径、人群易感性 3、感染性疾病和传染病的主要区别是 A 是否有病原体 B 是否有传染性 C 是否有感染后免疫 D 是否有发热 E 是否有毒血症症状 4、影响传染病流行过程的二个重要因素 是： A 地理因素、气候因素 B 社会制度、经济状况 C 气温、雨量 D 生活习惯、文化传统 E 社会因素、自然因素 5、伤寒患者经环丙沙星治疗体温正常，1 周后又发热，血培养阳性，属于： A 复发 B 再燃 C 重复感染 D 混合感染 E 再感染 6、伤寒患者经治疗后体温渐降，但未降至 正常，体温再次升高，血培养阳性，属于： A 复发 B 再燃 C 重复感染 D 混合感染 E 再感染 7、女因急性黄疸性肝炎住院，抗-HA V-IgM 阳性，对其丈夫的处理，下列哪项是最恰当的？ A 立即化验肝功能，抗-HA V B 接受医学观察45天 C 注射人免疫球蛋白 D 甲肝疫苗预防接种 E 人免疫球蛋白+甲肝疫苗 8、我国最常见的HbsAg亚群是： A adr,adw B adr,ayr C adr,ayw D adw,ayr E adw,ayw 9、急性乙型肝炎最迟出现的血清学指标 是： A HbsAg B抗-HBs C HbeAg D 抗-HBe E 抗-HBc 10、急性重症肝炎最突出、最有诊断价 值的临床表现是： A 黄疸迅速加深 B 肝脏进行性缩小 C 显著的消化道症状 D 明显的出血倾向 E 中枢神经系统症状如烦躁、谵妄、嗜睡以至昏迷、抽搐等 11、重症肝炎服用乳果糖，主要目的 是： A 补充能量，防止肝昏迷 B 杀灭肠道细菌，防止继发感染 C 杀死肠道细菌，减少氨的吸收 D 降低肠道PH，减少氨的吸收 E 增加肠蠕动，加速肠内有害物质的排泄 12、对乙脑病毒普遍易感，感染后主要 表现为 A 病毒被排除 B 隐性感染 C 显性感染 D 病毒携带状态 E 潜在性感染 13、乙脑惊厥或抽搐最常见的原因是 A 高热 一、 填空题（每题3分，共36分）。 1. 信道指传输信息的通道，或传输信号的通道，可分为 有线信道 和 无线信道 两 大种。 2. 无线电波在空间传播的速度是 3×108m/s 。 3. 无线电波的频段划分中，300KHz ～3MHz 的频段称为 中频 ，用于AM 广播和业 余无线电。 4. 按照导通角θ来分类，θ=180o的高频放大器称为 甲（A ） 类放大器，90o＜θ＜ 180o的高频放大器称为 甲乙（AB ） 类放大器，θ<90o的高频放大器有 丙、丁、戊（C 、D 、E ） 类。 5. 欠压工作状态是指晶体管在输入信号的全周期内都是工作在特性曲线的 放大区 区。过压工作状态是在信号周期内部分时间晶体管工作在 饱和 区。 6. 并联谐振回路中，用品质因素Q 来反映电路的谐振特性，例如回路的通频带和选择 性与Q 的大小有很大的关系，一般而言，Q 值越大回路的选择性越 好 ，但通频带越 窄 。 7. 已知LC 并联谐振回路的电感L 在f=30MHz 时测得L=1uH ， Q 0=100，求谐振频率f 0=30MHz 时的电容C= 28.17 pF 和并联谐振电阻R 0= 18.84K Ω 8. 如右图所示的电容部分接入电路，等效电阻R ’= 1600Ω 。 9. 高频功率放大器原来工作在临界状态，当谐振阻抗（相当于负 载R C ）增大时，放大器转入 过压 状态，I C0、I C1M 下降 ，i C 波形出现 中心下凹 。 10. 振荡器是一个能自动地将 直流电源 能量转换为一定波形 振荡交变 能量的转换电路。 11. 正弦波振荡电路中，起振条件为： 1,2,0,1,2,....K F K F n n ??π>+== ；平衡条件为： 1,2,0,1,2,.K F K F n n ??π=+== 。 12. 下列电路中，根据“射同基反”的原则，肯定不能产生震荡的是 A 。 二、 绘图题。（每题10分，共10分）。 如下图所示振荡器的交流通路，绘出电路配上直流供电后的电路。传染病学试题及答案
高频电子电路期末考试试题
信号与系统试题附答案
2014年传染病学模拟试题及答案
通信电子电路试卷-答案