关于氮化铝的调研报告
2023年氮化铝行业市场分析现状
2023年氮化铝行业市场分析现状氮化铝是一种高性能功能陶瓷材料，具有优异的热导性、耐磨性、化学稳定性和电绝缘性能。
由于其独特的物理和化学性质，氮化铝被广泛应用于电力、电子、光电、军工等领域。
在当前市场环境下，氮化铝行业面临着一些挑战和机遇。
市场规模：目前，氮化铝市场的规模较小，但具有较高的增长潜力。
根据市场研究机构的数据显示，全球氮化铝市场规模约为10亿美元，预计到2025年将达到20亿美元。
随着科技的不断进步和应用领域的扩大，氮化铝市场规模有望进一步扩大。
市场需求：氮化铝的应用领域广泛，包括电子元器件、石油化工、光电子、热管理等。
随着电子产品的普及和产业升级，对高性能氮化铝的需求将不断增加。
此外，氮化铝在电动汽车、新能源等领域的应用也有着巨大的市场需求。
市场竞争：氮化铝行业面临着激烈的市场竞争。
目前，行业内主要的竞争者有美国CREE、日本NGK、德国HEG等公司，这些公司在氮化铝领域具有较强的技术实力和市场份额。
另外，一些中国企业也开始进入氮化铝市场，如珠海铂尔曼、君耀科技等。
这些企业在技术研发、产品质量、市场推广等方面需要不断努力，提高竞争力。
市场趋势：未来氮化铝市场的发展趋势有以下几个方面。
首先，随着电子消费品和新能源产业的快速发展，对高性能氮化铝的需求将进一步增加。
其次，氮化铝在光电、军工等领域的应用也有望发展壮大。
此外，随着技术的进步，氮化铝产品的性能将不断提高，市场空间将进一步扩大。
市场风险：尽管氮化铝市场发展潜力巨大，但也存在一些风险因素。
首先，氮化铝的生产成本相对较高，这可能限制了其市场规模的扩大。
其次，氮化铝的应用领域相对集中，对经济环境和政策变化较为敏感。
此外，市场竞争激烈，企业需要不断创新和提高竞争力。
综上所述，氮化铝行业面临着市场规模较小、竞争激烈等挑战。
然而，随着电子消费品和新能源产业的快速发展，氮化铝市场有望迎来更广阔的发展空间。
同时，企业需要加大技术创新和市场推广的力度，提高产品质量和竞争力，才能在激烈的市场竞争中取得优势地位。
氮化铝项目可研报告
氮化铝项目可研报告规划设计/投资分析/产业运营报告说明—该氮化铝项目计划总投资14962.66万元，其中：固定资产投资10500.68万元，占项目总投资的70.18%；流动资金4461.98万元，占项目总投资的29.82%。
达产年营业收入31981.00万元，总成本费用24363.10万元，税金及附加299.67万元，利润总额7617.90万元，利税总额8968.31万元，税后净利润5713.42万元，达产年纳税总额3254.88万元；达产年投资利润率50.91%，投资利税率59.94%，投资回报率38.18%，全部投资回收期4.12年，提供就业职位553个。
随着电子整机和电子元器件朝着微型、轻量、高速、高效、高集成度、高可靠性和大功率输出等方向快速发展，器件单位体积内所产生的热量急剧增加，这对基片和封装材料的散热提出了更高要求。
如果热量不能由基板及时散发出去，器件将难以正常工作，严重情况下，甚至会烧毁。
与其它材料比较而言，氮化铝综合性能优异，是新一代高集成度和功率器件理想的基板和封装材料。
第一章项目基本情况一、项目概况（一）项目名称及背景氮化铝项目（二）项目选址某某临港经济技术开发区场址选择应提供足够的场地用以满足项目产品生产工艺流程及辅助生产设施的建设需要；场址应具备良好的生产基础条件而且生产要素供应充裕，确保能源供应有可靠的保障。
项目建设方案力求在满足项目产品生产工艺、消防安全、环境保护卫生等要求的前提下尽量合并建筑；充分利用自然空间，坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策，因地制宜合理布置。
（三）项目用地规模项目总用地面积43395.02平方米（折合约65.06亩）。
（四）项目用地控制指标该工程规划建筑系数50.50%，建筑容积率1.65，建设区域绿化覆盖率7.62%，固定资产投资强度161.40万元/亩。
（五）土建工程指标项目净用地面积43395.02平方米，建筑物基底占地面积21914.49平方米，总建筑面积71601.78平方米，其中：规划建设主体工程56720.25平方米，项目规划绿化面积5453.97平方米。
2023年氮化铝行业市场环境分析
2023年氮化铝行业市场环境分析一、市场规模氮化铝是一种新兴的材料，由于其优异的性能，已经广泛应用于LED制造、太阳能电池、硅片加工和硅基集成电路等领域。
全球氮化铝市场规模不断扩大，预计到2025年，市场规模将达到70亿美元。
二、市场分析1. 行业特点氮化铝是一种非常硬的、非晶质的材料，抗侵蚀性强，抗磨损性好，并具有热稳定性和热导率高等特点。
氮化铝的应用范围广泛，其中最具代表性的就是LED封装、太阳能电池和硅片加工。
2. 主要应用领域（1）LED封装随着新能源技术的不断发展，LED照明产业迅猛发展。
氮化铝是制造LED封装的主要原材料之一，LED照明市场的快速增长将推动氮化铝市场的增长。
（2）太阳能电池氮化铝被广泛应用于太阳能电池的制造中，作为表面反射镜或电池隔离层。
氮化铝具有优异的光反射性和导电性，可以大大提高光电转换效率。
（3）硅片加工氮化铝在硅片加工中也具有很大的优势，主要应用于金属化和电子泥剂印刷。
氮化铝可以提高金属的附着性和抗磨损性，同时防止硅片表面污染。
3. 市场前景随着新能源的快速发展和新材料的不断涌现，氮化铝未来的应用前景广阔。
尤其是在光电、硅片和微电子等领域，氮化铝的应用前景非常广阔。
预计到2025年，全球氮化铝市场规模将达到70亿美元。
三、市场竞争目前氮化铝市场竞争十分激烈，主要厂商有Sumitomo Electric、Toshiba、Cree、Osram、Seoul Semiconductor、Nichia、Philips Lumileds等。
这些公司在技术和市场上均有一定优势，对市场的占有率都比较高。
四、市场风险氮化铝市场存在一定的风险，在市场竞争加剧和技术变革面前，生产企业不得不不断加大研发投入，不断创新和完善技术，以保证产品的技术领先性和市场占有率。
此外，由于氮化铝生产过程中存在一定的环境污染和能源消耗，企业还需要大力推行环保和节能措施，以降低生产成本和环境污染。
2023年高纯氮化铝粉体行业分析报告及未来五至十年行业发展报告
高纯氮化铝粉体行业分析报告及未来五至十年行业发展报告目录前言 (4)一、高纯氮化铝粉体行业（2023-2028）发展趋势预测 (4)(一)、高纯氮化铝粉体行业当下面临的机会和挑战 (4)(二)、高纯氮化铝粉体行业经营理念快速转变的意义 (5)(三)、整合高纯氮化铝粉体行业的技术服务 (6)(四)、迅速转变高纯氮化铝粉体企业的增长动力 (6)二、高纯氮化铝粉体产业未来发展前景 (7)(一)、我国高纯氮化铝粉体行业市场规模前景预测 (7)(二)、高纯氮化铝粉体进入大规模推广应用阶 (7)(三)、中国高纯氮化铝粉体行业的市场增长点 (8)(四)、细分高纯氮化铝粉体产品将具有最大优势 (8)(五)、高纯氮化铝粉体行业与互联网等行业融合发展机遇 (9)(六)、高纯氮化铝粉体人才培养市场广阔，国际合作前景广阔 (10)(七)、高纯氮化铝粉体行业发展需要突破创新瓶颈 (11)三、高纯氮化铝粉体企业战略选择 (11)(一)、高纯氮化铝粉体行业SWOT分析 (11)(二)、高纯氮化铝粉体企业战略确定 (12)(三)、高纯氮化铝粉体行业PEST分析 (13)1、政策因素 (13)2、经济因素 (13)3、社会因素 (14)4、技术因素 (14)四、高纯氮化铝粉体业发展模式分析 (15)(一)、高纯氮化铝粉体地域有明显差异 (15)五、2023-2028年宏观政策背景下高纯氮化铝粉体业发展现状 (16)(一)、2022年高纯氮化铝粉体业发展环境分析 (16)(二)、国际形势对高纯氮化铝粉体业发展的影响分析 (17)(三)、高纯氮化铝粉体业经济结构分析 (18)六、宏观经济对高纯氮化铝粉体行业的影响 (19)(一)、高纯氮化铝粉体行业线性决策机制分析 (20)(二)、高纯氮化铝粉体行业竞争与行业壁垒分析 (21)(三)、高纯氮化铝粉体行业库存管理波动分析 (21)七、高纯氮化铝粉体行业竞争分析 (22)(一)、高纯氮化铝粉体行业国内外对比分析 (22)(二)、中国高纯氮化铝粉体行业品牌竞争格局分析 (23)(三)、中国高纯氮化铝粉体行业竞争强度分析 (24)1、中国高纯氮化铝粉体行业现有企业竞争情况 (24)2、中国高纯氮化铝粉体行业上游议价能力分析 (24)3、中国高纯氮化铝粉体行业下游议价能力分析 (24)4、中国高纯氮化铝粉体行业新进入者威胁分析 (24)5、中国高纯氮化铝粉体行业替代品威胁分析 (25)(四)、初创公司大独角兽领衔 (25)(五)、上市公司双雄深耕多年 (26)(六)、高纯氮化铝粉体巨头综合优势明显 (26)八、高纯氮化铝粉体行业企业差异化突破战略 (27)(一)、高纯氮化铝粉体行业产品差异化获取“商机” (27)(二)、高纯氮化铝粉体行业市场分化赢得“商机” (28)(三)、以高纯氮化铝粉体行业服务差异化“抓住”商机 (28)(四)、用高纯氮化铝粉体行业客户差异化“抓住”商机 (28)(五)、以高纯氮化铝粉体行业渠道差异化“争取”商机 (29)九、高纯氮化铝粉体产业投资分析 (29)(一)、中国高纯氮化铝粉体技术投资趋势分析 (29)(二)、大项目招商时代已过,精准招商愈发时兴 (30)(三)、中国高纯氮化铝粉体行业投资风险 (30)(四)、中国高纯氮化铝粉体行业投资收益 (31)十、高纯氮化铝粉体行业多元化趋势 (32)(一)、宏观机制升级 (32)(二)、服务模式多元化 (32)(三)、新的价格战将不可避免 (32)(四)、社会化特征增强 (33)(五)、信息化实施力度加大 (33)(六)、生态化建设进一步开放 (33)1、内生发展闭环,对外输出价值 (33)2、开放平台,共建生态 (34)(七)、呈现集群化分布 (34)(八)、各信息化厂商推动高纯氮化铝粉体发展 (35)(九)、政府采购政策加码 (35)(十)、个性化定制受宠 (36)(十一)、品牌不断强化 (36)(十二)、互联网已经成为标配“风生水起“ (36)(十三)、一体式服务为发展趋势 (37)(十四)、政策手段的奖惩力度加大 (37)十一、高纯氮化铝粉体成功突围策略 (38)(一)、寻找高纯氮化铝粉体行业准差异化消费者兴趣诉求点 (38)(二)、高纯氮化铝粉体行业精准定位与无声消费教育 (38)(三)、从高纯氮化铝粉体行业硬文广告传播到深度合作 (39)(四)、公益营销竞争激烈 (39)(五)、电子商务提升高纯氮化铝粉体行业广告效果 (39)(六)、高纯氮化铝粉体行业渠道以多种形式传播 (40)(七)、强调市场细分，深耕高纯氮化铝粉体产业 (40)前言中国的高纯氮化铝粉体业在当前复杂的商业环境下逐步发展，呈现出一个积极整合资源以提高粘连性的耐寒时代。
用于声表面波器件的氮化铝薄膜制备研究的开题报告
用于声表面波器件的氮化铝薄膜制备研究的开题报告开题报告：用于声表面波器件的氮化铝薄膜制备研究一、研究背景随着通讯、雷达、无线电和锅炉控制等行业的不断发展，声表面波器件（SAW）成为了重要的无线电通讯器件，广泛应用于电子设备和通讯系统中。
氮化铝薄膜是制造SAW器件所必需的关键材料之一，其物理特性和化学稳定性也是制备SAW器件的关键因素。
目前，氮化铝薄膜的制备方法有晶体生长法、物理蒸镀法和化学气相沉积法等多种方法，然而这些方法都存在缺点。
晶体生长法具有很高的制备成本，且需要大型设备进行生长。
物理蒸镀法虽然结构简单，但由于氮化铝具有高熔点和高挥发性，因此很难制备均匀的氮化铝薄膜。
化学气相沉积法具有较高的制备效率和均匀度，但在制造过程中需要使用高温和高压的条件，而且存在污染和废气处理等问题。
因此，本研究将针对氮化铝薄膜的制备，探索一种新的方法来解决制备中的以上问题。
二、研究目的和意义本研究的主要目的是开发一种新的氮化铝薄膜制备方法，优化制备工艺，获得高质量、均匀的氮化铝膜，提高制备效率，从而为SAW器件的制造提供更好的材料基础。
此外，新的制备方法也将有助于解决传统方法中存在的问题，如制备成本高、制备效率低、污染严重和废气处理等问题。
同时，优化工艺能够减少制备过程中的材料损耗，提高氮化铝的生产效率和经济效益。
三、研究内容和方法研究内容：本研究将对基于化学气相沉积法的氮化铝薄膜制备方法进行改进，探索新的条件和材料，利用先进的光学显微镜、扫描电子显微镜等技术，对得到的氮化铝薄膜进行表征测试，确定其物理特性和化学稳定性，最终得到一种可用于SAW器件制造的高质量、均匀的氮化铝薄膜制备方法。
研究方法：1. 根据文献资料和实验的需要，确定制备氮化铝膜所需的条件和材料，包括气源、反应物、反应温度和压力等参数，并进行相应的优化。
2. 利用化学气相沉积技术制备氮化铝膜，控制制备过程中的参数，使用光学显微镜、扫描电子显微镜等对制备得到的薄膜进行表征测试。
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关于氮化铝的调研报告摘要：本篇介绍了氮化铝的理化性质，功能作用、实际生活运用，制备方法，发展历史进程等一些知识。
近年来电子设备向高速,小型、高效率、高可靠性，半导体器件向高集成、大规模、多片状、高效率，电路配线向微细、短线、低电阻方向发展。
例如为了使计算机运行速度更快需要在集成电路基片上排布更多的线路。
集成电路技术朝高集成度、高运算速度、大功率方向发展，因此集成块单位体积内产生的热量大幅度的增加，每块的基片所需传送的功率也将大幅度的增加，假如这些热量不能通过集成块的基片迅速散发出去，集成块难以正常工作，情况严重时，可以导致集成块被烧坏。
常用的基片主要有树脂基片、金属基片、陶瓷基片三大类。
目前已用于实际和开发应用高导热基片有氧化铝、碳化硅、氧化铍、氮化铝、CVD-BN.碳化硅的热导率虽然高，但是电容大，电阻率低，绝缘性差。
氧化铍毒性大，不利于实际运用。
BN难以烧结致密，低密度的BN热导率、机械强度急剧恶化，无法做成绝缘材料。
而氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。
氮化铝基板具有极高的热导率，无毒、耐腐蚀、耐高温,热化学稳定性好等特点。
所以作为当今学材料化学的大学生，我们有必要了解AIN的知识。
1862年氮化铝首次被合成以来，对其研究可以分为三个阶段：在20世纪初，仅用作固氮中间体，并有若干相关专利：50年代后期开始，随着非氧化物陶瓷受到重视，开始讲AIN作为一种新型材料来进行研究，侧重于将其作为结构材料运用：近10年来，AIN陶瓷的研究的热点是提高特传导性能，应用对象是电路基片封装材料，取得了显著地进展和成就. 然而由于AIN的制备工艺复杂，费财费力，所以氮化铝陶瓷基片到目前为止仍然不能进行大规模的生产和应用。
但是氮化铝陶瓷的优越的性能，吸引了各国的很多科学工作者对其的研究，开发和应用。
其中，日本从1984年开始推广应用，1985年几家主要著名的电子产品公司已经比较广泛，如东芝、日本电气。
日立等公司。
美国、英国、印度，德国、法国等国家也正加紧研究和开发它。
1 AIN为共价键性状,晶格常数a=3.110A,空间点群是P63mc：氮化铝属六方晶系，纤维锌矿型结构。
纯品为蓝白色，通常为灰色或灰白色。
AIN的主要性能性能指标备注热学性能热导率理论值320W/(m.k)为AI2O3值的2～3倍实际产品200W/(m.k)热膨胀系数 3.5*E-6/k(20℃)与Si（3.4*E-6）相近电学性能绝缘性能能隙宽度6.2饿(20℃)良好绝缘体电容率8与Si（3.4*E-6）相近力学性能室温力学性能Hv=12Ga,E=314GPa, 与AI2O3相当ɑ=400～500MPa高温力学性能1300℃下降约20℅热压Si3N4,AI2O3下降约50℅其他对熔融金属和盐类有优异抗侵蚀性，AIN薄膜可显著改善磁学性能根据社会的一些有权威的报纸、杂志可以知道氮化铝主要运用于大规模集成电路，半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。
也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料，氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品，用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。
氮化铝是电绝缘体，介电性能良好。
砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。
用作高导热陶瓷生产原料、ＡｌＮ陶瓷基片原料、树脂填料等。
1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。
2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。
氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。
5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。
AIN 新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。
利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。
AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化敏瓷在电子工业中广泛应用。
ALN陶瓷的制备工艺和性能均受到粉末特性的直接的影响。
要获得高性能的氮化铝陶瓷必须有纯度高、烧结性能好的粉体作原料。
氮化铝粉体中的氧化质会严重降低热导率，而粉末粒度、颗粒形态则对成形和烧结有重大的影响，因此粉体合成是氮化铝陶瓷生产的一个关键环节。
经过100多年的科学家的刻苦、努力的研究，当今用的较多的氮化铝粉末制备的方法有铝粉直接氮化法、氧化铝碳热还原法、气溶胶法、自蔓燃法、等离子合成法、含ALN键聚合物分解法、化学气相沉积法、水引发固相发应法、溶胶-凝胶法等一些方法。
1)铝粉直接氮化法ALN+N2→2ALN 将铝粉放入通有氮气与氨气的反应的反应炉中加热到600℃开始反应。
这是一种思路简单而直接易行的方法，能合成大量纯度较高的ALN粉，没什么副反应，目前已经大规模的生产。
但是这种方法一般难以得到颗粒微细、粒度均匀的氮化铝粉末，通常需要后处理。
还有AL 颗粒表面氮化后形成ALN层会阻碍氮气向颗粒的中心的扩散，因此采用这种方法转化率也是一个重要的问题。
2）氧化铝的碳热还原法Al203+3C+N2→2AlN+3CO这种方法目前运用在工业生产中运用最为广泛，对其研究进行的比较深入.在该法中制备氮化铝粉体中常加入氧化钙、氟化钙、氧化钇等作为催化剂，其中加氟化钙更有效的降低活化能，提高反应速率。
这种制备的氮化铝粉末纯度高，成形和烧结性能好，但合成温度高反应时间长，粉末粒度较大。
3）等离子化学合成ＡＩＮ粉末采用等离子化学合成法来制备Ａ１Ｎ粉末，能有效地缩短反应时间，合成超细的粉末产品。
从２０世纪７０年代后期起，人们纷纷关心使用等离子化学合成法来合成Ａ１Ｎ粉末，而且在这方面做了大量的研究工作Ⅲ＇圳。
等离子化学合成的ＡＩＮ由于粒度细、比表面积大而具有很高的活性和良好的工艺性能。
这种粉末用烧结法制取制品时，烧结温度可降低３００％左右，并可制得几乎完全致密的氮化铝陶瓷。
４）化学气相沉积法化学气相沉积法或热解法是基于铝的挥发性化合物与氨的化学反应从气相中沉积氮化铝的方法。
根据所使用的原料不同，可分为铝的氨合物热解法和六氟铝酸氨分解法。
１９８８年槌田桔等人”“用烷基铝和氨反应，利用化学气相沉积法合成了粒度小于０．０４“ｍ且单分数性良好的Ａ１Ｎ粉末。
１９８９年渡孝泽等人…‘利用Ａ１Ｃ１，－ＮＨ，和ＮＨ，的化学气相沉积反应合成了Ａ１Ｎ超细粉末，并研究了不同条件下粉末的表面形态。
李春忠““在Ａ１ＣＩ，・ＮＨ，阳ＮＨ，体系中也用ＣＶＤ方法合成了Ａ１Ｎ超细粒子，并探讨了反应机理５）溶胶－凝胶法.１９８６年美国的ＩｎｔｅｒｒｅｎｔｅＬＶ等”“提出了以铝的有机盐为原料用溶胶－凝胶的方法合成高纯Ａ１Ｎ粉体，液态的三烷基铝盐和氨在有机溶剂中反应生成烷基铝酰胺中间体，再将固体分离出来，最后在４００。
Ｃ下加热，使其转变为化学计量的Ａ１Ｎ。
Ｒ３Ａ１＋ＮＨ３—＿＋Ｒ３ＡＩ：ＮＨ３—＿ＡｌＮ＋３ＲＨ式中（３）Ｒ——ｃＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ４Ｈ９。
目前，氮化铝粉末生产方法主要有金属铝直接氮化法、氧化铝高温碳热还原法。
其中，碳热还原法由于原料来源广泛，设备简单，能制备质量高的氮化铝粉末，成为主要的工业化生产方法。
6）铝的氨合物热解法。
氯化铝氨合物热解法最初使用氯化铝六氨合物（AICI3・6NH3），但为提高氮化铝产率，最好用氯化铝-氨合物（AICI3・NH3），因为它在热解时可产生较纯的氮化铝。
AICI3在氨气流中加热到150C便转化成一氨化合物。
制得的一氨化合物在800~1800C下进行分解生成氮化铝。
AICI3・6NH3!AIN+3HCI该过程由几个连续的阶段组成：一氨化合物在AICI3・NH3蒸气压的温度下蒸发；生成的蒸气被气体载体迁移到反应区；AICI3・NH3蒸气被分解并沉积下来。
7）六氟铝酸氨分解法。
六氟铝酸氨（NH4）3AIF6在氨介质中热解合成氮化铝的过程可用下列反应来描述。
（NH4）3AIF6!NH4AIF4+2NH4（F300C）（22）NH4AIF4!AIF3+NH4（F400~600C）（23）AIF3+NH3!AIN+3HF（1000C）（24）由于在反应过程中气相反应起着明显的作用，所以，NH4AIF4在400~600C下分解生成的AIF3与氨化反应生成氟化铝的氨化合物。
AIF3+NH3!AIF3・NH3。
8）溶剂热合成法。
考虑到氮化铝粉体生成需要一定的温度和压力条件，尤其在刚生成时其反应活性较高易水解，近年来出现了氮化铝粉体的溶剂热合成法。
该方法是在密闭的体系中，以有机溶剂为介质，加热至一定的温度，在溶剂自身产生的压强下，体系中的物质进行化学反应，产生新的物相或新的物质，已经成为一种新的氮化铝的制备方法。
如以舭Ｃ１，和ＮａＮ，为反应物，在２００ｃＣ的条件下，以二甲苯为溶剂，在不锈钢反应釜中合成出了氮化铝微粒，经７００℃退火处理后，得到粒度分布较窄且纯度较高的氮化铝纳米晶【ｌ６｜。
反应式：ＡｌＣｌ３＋３ＮａＮ３＝ＡｌＮ＋３ＮａＣｌ＋４Ｎ２（４）该方法所有操作过程均在Ｎ：保护的手套箱中进行，以尽可能降低水、氧对实验结果的影响。
使在常压加热条件下难以发生的反应，在溶剂热条件下得以进行，且生成的氮化铝纯度随着反应温度升高而增加，同时添加一定的表面活性剂可以提高氮化铝的结晶度Ⅲ］。
该方法制备过程简单，反应在常压下进行，并且反应温度较低，避免了高温制备操作带来的不便，降低了氮化铝制备过程中的能耗。
由于氮化铝陶瓷粉体材料具有一系列优良理化性能，因此有着广阔的发展前景。
虽然氮化铝陶瓷粉体制备方法众多，但仍存在着一定的局限性，因此完善制备工艺、降低生产成本，成为氮化铝粉体制备技术研究和其产业化发展的方向。
氮化铝粉体在制备过程中容易氧化和水解，从而影响制品的纯度和品质，因此采取适当措施来抑制和防止其氧化和水解，成为氮化铝粉体制备技术当中的重要环节和今后研究的重点。
针对氮化铝在高温下容易氧化，研究氮化铝粉体的低温合成工艺就显得尤为重要，并且低温、低压的合成路线，能有效降低产品能耗，技术实用可行，已经成为当前氮化铝粉体制备技术的研究热点和工业化推广的关键。
我们相信随着人们对它的深入的研究，在将来一定更能够的服务于人类。
陈波，刘耀成，鄢腊梅，蒋文燕。
2013年10月11日。