电子束测试试验
物理实验电子荷质比
即可求出荷质比。
06
04
四、数 据 处 理
由U----I2 的数据作出坐标图，根据图形得出斜率代入公式 4 得：
求出荷质比，并将实验值与标准值 1.761011 C/Kg 比较，求出误差。
电子荷质比的测试
电磁学系列 8
¿
19世纪90年代，英国物理学家 J·J 汤姆孙经过一系列的实验及研究，发现了一种粒子，并断定这种粒子必定是所有物质的共同组成成份。汤姆孙命名它为“电子”，并测定了它的荷质比。这在物理学史上是有划时代意义的。
电子荷质比 e/m 是一常用的物理常数，它的定义是电子的电荷量与其质量的比值，经现代科学技术的测定，电子荷质比的标准值是： 1.759*1011C/Kg
五、注 意 事 项
03
04
7、用测试装置测出圆环直径（8cm），并固定之，测量示意图如下 Biblioteka eye镜电子束
象
在整个实验过程中，必须保持电子圆的大
01
小不变，这可以配合调节加速电压与
02
Helmholtz 线圈中的电流共同达到。由公式
03
可见 u 和 I2 成线性关系。实验中只要测出
04
u----I2 的对应值，作出直线求其斜率 ，
02
二 、实 验 装 置
1、荷质比测试仪
2、电子束发射管（威尔尼氏管）
r
电子枪
3仪器连接示意图
﹣ ﹢
﹣ ﹢
0.00A
加速聚焦电源
直流稳压稳流电源
磁场线圈
玻璃球炮
电子发光圈
电子发射枪
u:电子管加速电压 r:电子圈半径 K：磁场线圈的磁转换系数 I：线圈中的通电电流 N：线圈匝数 R：线圈半径
XRDSEMTEMVSMXPSICP等测试方式介绍
XRDSEMTEMVSMXPSICP等测试方式介绍XRD（X射线衍射）X射线衍射（XRD）是一种常见的测试方法，用于分析晶体结构和晶体衍射图样。
它利用物质对入射X射线的衍射产生的衍射信号来确定晶体的结构和晶格参数。
这种方法广泛应用于材料科学、地球科学和生物科学等领域。
XRD测试通常使用粉末或单晶样品，通过测量样品对入射X射线的衍射角度和强度来分析晶体结构。
SEM（扫描电子显微镜）扫描电子显微镜（SEM）是一种高分辨率显微镜，可以生成高质量的表面形貌图像。
SEM利用电子束与样品表面相互作用产生的不同信号来生成图像。
这些信号可以包括二次电子图像（SEI）和反射电子图像（BEI）。
SEM广泛应用于材料科学、生命科学、制造业等领域。
它可以用于检测材料的表面形貌、微观结构和成分分析。
TEM（透射电子显微镜）透射电子显微镜（TEM）是一种高分辨率显微镜，可以观察样品的内部结构和原子排列。
TEM的工作原理是将电子束通过样品，然后使用投影透射电子显微镜来生成图像。
TEM广泛应用于材料科学、生命科学、纳米科学等领域。
它可以用于观察材料的微观结构、晶体缺陷和原子位置。
VSM（振动样品磁强计）振动样品磁强计（VSM）是一种用于测量样品磁性的仪器。
它通过在样品上施加磁场并测量样品的磁化曲线来确定样品的磁性。
VSM广泛应用于材料科学、物理学和化学等领域。
它可以用于测量材料的磁化行为、磁相变和磁性参数。
XPS（X射线光电子能谱）X射线光电子能谱（XPS）是一种用于表面元素分析的技术。
它利用入射X射线激发样品表面的光电子，并测量光电子的能量分布来确定样品的表面元素组成和化学状态。
XPS广泛应用于材料科学、表面科学和化学等领域。
它可以用于检测材料的表面成分、氧化态和化学状态。
ICP（电感耦合等离子体发射光谱法）电感耦合等离子体发射光谱法（ICP）是一种用于测量样品中金属和非金属元素含量的方法。
它利用电感耦合等离子体激发样品中的元素，并通过测量元素发射的光谱来确定元素的含量。
聚焦离子束实验报告
聚焦离子束系统虚拟仿真实验报告姓名杨旺学号2220190690 专业班级航海技术四班一、实验目的1.理解聚焦离子束系统的基本结构和工作原理。
2.理解电子束与固体样品作用产生的信号在测试分析中的作用。
3.熟悉扫描电镜的参数设置和操作流程。
4.熟悉离子束刻蚀和沉积的技术特性。
二、实验原理聚焦离子束系统是介于透射电镜和光学显微镜之间的一种微观形貌观测手段，包括扫描电子显微镜成像和离子束刻蚀沉积。
聚焦离子束系统的优点是:①有较高的放大倍数，20-30万倍之间连续可调；②有很大的景深，视野大，成像富有立体感，可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构；③试样制备简单；④离子束刻蚀沉积。
1.聚焦离子束系统的构造聚焦离子束系统的构造主要是扫描电子显微镜。
扫描电子显微镜是由电子光学系统，信号收集处理、图象显示和记录系统，真空系统三个部分组成。
其中电子光学系统包括电子枪、电磁透镜、扫描线圈和样品室。
扫描电子显微镜中的各个电磁透镜不做成像透镜用，而是起到将电子束逐级缩小的聚光作用。
扫描电子显微镜一般有三个聚光镜，前两个是强磁透镜，可把电子束缩小；第三个透镜是弱磁透镜，具有较长的焦距以便使样品和透镜之间留有一定的空间，装入各种信号接收器。
扫描电子显微镜中射到样品上的电子束直径越小，就相当于成像单元的尺寸越小，相应的放大倍数就越高。
2.聚焦离子束系统的工作原理（1）扫描线圈扫描线圈的作用是使电子束偏转，并在样品表面做有规则的扫动。
电子束在样品上的扫描动作和显像管上的扫描动作保持严格同步，因为它们是由同一个扫描发生器控制的。
电子束在样品表面有两种扫描方式，进行形貌分析时都采用光栅扫描方式。
当电子束进入上偏转线圈时，方向发生转折，随后又有下偏转线圈使它的方向发生第二次转折。
发生二次偏转的电子束通过末级透镜的光心射到样品表面。
在电子束偏转的同时还带有逐行扫描的动作，电子束在上下偏转线圈的作用下，在样品表面扫描出方形区域，相应地在样品上也画出一帧比例图像。
eds测试原理
eds测试原理EDS测试原理EDS（Energy-dispersive X-ray spectroscopy）是一种常用于材料分析的测试技术，它能够通过分析材料中的X射线谱图来获取元素成分和分布信息。
本文将介绍EDS测试原理及其应用。
一、EDS测试原理概述EDS测试是基于X射线荧光原理实现的，其原理可以简述为：当材料受到高能电子束或X射线束照射时，材料中的原子会受到激发，电子从内层跃迁到外层，产生空位。
这些空位会被外层电子占据，释放出能量，形成特定能量的X射线。
EDS测试仪器通过探测和分析这些X射线，可以得到材料的元素成分和分布信息。
二、EDS测试仪器EDS测试需要使用扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪两个主要仪器。
SEM用于照射样品并收集反射电子、透射电子和二次电子等信息，从而获取样品表面形貌。
能谱仪则用于分析样品中的X射线能谱，根据不同能量的X射线得到元素成分和分布信息。
三、EDS测试过程1. 样品准备：将待测试的样品制备成合适的形状和尺寸，通常需要进行抛光和镀膜等处理，以提高测试结果的准确性。
2. SEM成像：将样品放入SEM中，调整SEM的参数，如加速电压、聚焦、扫描速度等，获得样品的表面形貌图像。
3. EDS测试：在SEM成像的同时，进行EDS测试。
能谱仪会收集样品上的X射线能谱，并将其转化为能量-计数谱图。
4. 数据分析：利用专业的软件对能量-计数谱图进行处理和分析。
通过比对标准样品的能谱，可以得到样品中各元素的峰能量和峰强度信息。
5. 元素定性和定量分析：根据能谱中的峰能量和峰强度，可以确定样品中存在的元素，并通过峰强度的比例关系进行元素定量分析。
四、EDS测试应用领域EDS测试广泛应用于材料科学、地质学、生物学、化学等领域，可用于分析各种材料的元素成分和分布。
以下是一些常见的应用领域：1. 材料分析：EDS测试可用于金属材料、陶瓷材料、聚合物材料等的成分分析和缺陷检测。
2. 地质学：EDS测试可用于岩石、矿石等地质样品的成分分析，帮助地质学家了解地壳构造和矿产资源。
γ射线和电子束辐照装置防护检测规范GBZ141-2002
(2)铺放纱布拭样，使其面积小于表面污染测量仪的探测面积，在其上铺放 无色的塑料薄膜，以表面污染测量仪直接测量。或者，使用实验室的低本底β射 线测量仪测量。
(3)按下式估算拭子的放射性活度和容器的表面污染比活度 ……………………………………(1)
Q=1.1×10-4(N-N0)/η……………………………(2) 式中:A为拭样的放射性活度，Bq; Q为容器的表面污染比活度，Bq/cm2;N为 拭样的计数率(计数/min); N0为在同一测量位置的仪器本底计数率(计数/min); 为仪器的探测器对 2π方向入射的钴-60β粒子的探测效率(计数/2π粒子)。 对于计数测量的仪表，计数率为累积计数除以计数测量时间(min)所得的商。 (4)评价:容器的表面污染比活度应小于 4Bq/cm2。 (5)对于非贫化铀材料的运输容器，卸下放射源后的空容器的表面污染检测， 可使用表面污染仪在容器表面直接测量。表面污染比活度Q按下式计算。
沿整个辐照装置表面测量距表面 5cm 处的空气比释动能率，应特别注意装源 口、样品入口等可能的薄弱部位的测量。
测量结果一般应不大于 2.5μGy/h。 5.1.4 Ⅱ、Ⅳ类γ射线辐照装置和Ⅱ类电子束辐照装置辐照室外的辐射水平检测 5.1.4.1 空气比释动能率的测量位置如下:
(1)γ射线辐照装置贮源状态下，贮源水井表面。 (2)距辐照室各屏蔽墙和出入口外 30cm 处。 (3)对于单层建筑的辐照装置，过辐射源中心垂直于辐照室屏蔽墙的任一垂 线上，自屏蔽墙外表面至距其 20m 范围内人员可以到达的区域。 (4)对于单层建筑的辐照装置，当距其 50m 内建有高层楼房且高层位于辐射 源照射位置至辐照装置室顶所张的立体角区域内时，在辐照装置室顶和(或)相应 的建筑物高层测量。 5.1.4.2 运行中的定期测量应选定固定的检测点，它们必须包括:贮源水井表面、 辐照室各入口、出口，穿过辐照室的通风、管线外口，各面屏蔽墙和屏蔽顶外， 操作室及与辐照室直接相邻的各房间等。 5.1.4.3 测量结果应符合 GB17279 第 5 条。 5.1.4.4 除外辐射源项变化因素，定期定点测量结果明显高于前一次测量的结果 时，应进行更全面的测量，查明原因。 5.1.5 γ射线辐照装置放射源的安装和退役操作过程中的辐射水平检测 5.1.5.1 在下列情况或位置应进行γ射线空气比释动能率测量: (1)源容器运输货包及源容器外层拆卸。 (2)源运输容器与工作容器联接和放射源在容器间转移时。 (3)从移入贮源井底的源运输容器中取出铅塞、移出放射源时，在水井表面 检测。 (4)从贮源井移出源运输容器及倒装源的工具时，在水井表面检测。 5.1.5.2 评价 (1)按可能的涉源操作时间和操作位置的剂量率，估计人员在整个涉源操作 中受照射的剂量当量，其值应不大于 5mSv。 (2)对于已经移出放射源的空容器和放射源倒装工具，在移出贮源水井时， 水井表面处应保持于原有的辐射水平。 5.2 γ射线辐照装置的表面放射性污染检测 5.2.1 放射源运输容器的表面污染检测 (1)在运输容器外层表面画出 15cm×20cm 的区域，以酒精微微浸湿的纱布在 该区域内擦拭。 在卸下运输容器外层(当设有时)后，在容器的顶盖和侧表面用同样方法以另 外的纱布分别擦拭。
γ射线和电子束辐照装置防护检测规范
γ射线和电子束辐照装置防护检测规范前言本标准第4～7章为强制性的，其余为推荐性的。
根据《中华人民共和国职业病防治法》制定本标准。
本标准是GB10252-1996《钴-60辐照装置的辐射防护标准》、GB17279-1998《水池贮源型γ辐照装置设计安全准则》、GB17568-1998《γ辐照装置设计建造和使用规范》配套的放射防护检测规范。
本标准适用于各种类型的γ源辐照装置和能量小于或等于10MeV 的电子加速器辐照装置。
本标准规定了辐照装置的分类，各类辐照装置外照射泄漏辐射剂量水平、放射性物质表面污染、贮源井水放射污染相放射源泄漏等项放射防护检测的仪器、方法及评价，也规定了辐射安全设施的检测方法。
本标准的附录A和附录B是资料性附录。
本标准由中华人民共和国卫生部提出并归口。
本标准起草单位:北京市放射卫生防护所。
本标准主要起草人: 王时进娄云。
本标准由中华人民共和国卫生部负责解释。
γ射线和电子束辐照装置防护检测规范Specifications for radialogical protection test of γ-rays and electron irradiation facilitiesGBZ141-20021 范围本标准推荐了用于γ射线和电子束辐照装置的放射防护检测项目、频率、方法及评价的技术规范。
本标准适用于γ射线和能量小于或等于10MeV的电子加速器辐照装置。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可适用这些文件的最新版本。
凡不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB5750 生活饮用水标准检验万法GB16140 水中放射性核素的γ能谱分析方法GB/T10252 钴-60辐照装置的辐射防护与安全标准GB17279 水池贮源型γ辐照装置设计安全准则GB17568 γ辐照装置设计建造和使用规范3 辐照装置分类3.1 γ射线辐照装置按γ放射源的贮源和照射方式分为:Ⅰ类自屏蔽(整装)式干法贮源辐照装置(见附录A图A.1)。
SEM和EDS的现代分析测试方法
SEM和EDS的现代分析测试方法SEM（扫描电子显微镜）和EDS（能量散射X射线分析）是一对常用于材料科学和地质学等领域的现代分析测试方法。
SEM利用电子束扫描样品表面，通过获取样品表面的电子信号来生成高分辨率的图像；EDS则通过分析样品表面散射的X射线能谱来确定样品元素的组成。
这两种技术的结合能够提供精确的显微结构和化学成分信息，为材料研究和质量控制提供了有力的分析手段。
SEM主要通过扫描电子束在样品表面的不同位置进行扫描，利用激发的次级电子、反射电子和主束电子回散射的电子等不同信号来获得样品表面的形貌信息。
相对于光学显微镜，SEM具有更高的分辨率和放大倍数，能够观察到更小尺寸的细节结构。
此外，SEM还可以通过选择不同的操作模式（如反射电子显微镜模式和透射电子显微镜模式）来观察不同类型的样品，如金属、陶瓷、生物样品等。
在材料科学领域，SEM常用于观察样品中的晶体结构、颗粒形貌、纤维组织等微观结构。
EDS是SEM的一个重要附属技术，它通过分析样品表面散射的X射线能谱来确定样品元素的组成。
当电子束轰击样品表面时，样品中的原子会激发出一系列特征X射线。
这些X射线的能量和强度与样品中元素的种类和含量有关。
EDS系统可以通过收集散射的X射线并对其进行能量谱分析，从而确定样品中存在的元素及其相对含量。
EDS不仅能够提供定性分析结果，还可以通过比对与标准参考谱库进行定量分析，得到精确的元素含量。
SEM-EDS组合技术具有广泛的应用范围。
在材料科学中，它可以用于研究材料的显微结构、相变、晶粒生长等问题。
例如，可以通过SEM观察金属材料中的晶粒尺寸和分布，进而对材料的力学性能和导电性能进行评估。
同时，通过使用EDS技术，还可以分析材料中微量元素的含量，进一步揭示材料的化学成分和微观特征。
总之，SEM和EDS是一对功能强大的现代分析测试方法。
它们可以提供高分辨率的显微结构和准确的化学组分信息，而且应用范围广泛，适用于材料科学、地质学、生物学和环境科学等领域的研究和应用。
电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力测量
图 ,; 不同沉积速率下二氧化钛薄膜的应力分布 <9=" ,; 8AC@77 B97AC9HIA9D4 DE A9A349I5 DV9B@ A?94 E9F57 =CDX4 3A B9EE@C@4A B@KD79A9 $ ・ : （$ 1 !7 ） & E )$， （ "） , !， 式中 & 7 与 & E 分别表示硅基片和二氧化钛薄膜的厚 度， % 7 和 万方数据 ! 7 分 别 为 硅 基 底 的 弹 性 模 量 和 泊 松 比。 U
, 7 (
图 +; 沉积速率对二氧化钛薄膜内应力的影响 <9=" +; Y?@ @EE@>A DE B@KD79A9D4 C3A@ D4 3J@C3=@ 7AC@77 DE A?@ A9A349I5 DV9B@ A?94 E9F57
10#
真! 空! 科! 学! 与! 技! 术! 学! 报
第 %0 卷
大， 最后结合并达到最大化的过程中， 非晶相基底上 生长的多晶薄膜的生长应力表现为张应力。在小岛 结合之后， 随着膜层厚度增加时， 生长应力转化为压 应力。用射频磁控溅射法制备的二氧化钛薄膜的内 应力表现为压应力， 内应力的大小是射频源功率的
［ #］ 函数， 基底温度的影响则比较小 。大功率射频源
， 在整个可见区和近红外光谱区都是
PQO
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真! 空! 科! 学! 与! 技! 术! 学! 报 第 =Q 卷! 第 = 期 ! ! ! ! ! ! %XMYL8L 5<Z[YI, <J \I%ZZK 8%MLY%L IY2 )L%XY<,<U6 =$$" 年 # 、 N月
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３．测量偏转量Ｄ随Ud变化：调节 阳极电压旋钮，给定阳极电压U2。 将电偏转电压表并在电偏转输出的
两插孔上测Ud（垂直电压），改变 Ud测一组Ｄ值。改变U2后再测Ｄ－ Ud变化。（U２：600-1000V）
二、磁偏转
（一）实验原理
电子通过Ａ２后，若在垂直于ｚ轴的Ｘ方向放置一个均匀磁场，电子
荷质比”选择开关打向电子束位
置，辉度适当调节，使屏上光点
聚成一细点。
2. 光点调零，将ｘ偏转输出的两插 孔和电偏转电压表的两输入插孔相 连接，调节“Ｘ调节”旋钮，使电 压表的指针在零位，再调节ｘ调零 旋钮，使光点位于示波管垂直中线 上，同ｘ调零一样，将ｙ调节后， 光点位于示波管的中心原点。
４．求ｙ轴电偏转灵敏度Ｄ/Ud。并说明为 什么U２不同，Ｄ/Ud不同。
通过Ａ２后，若在垂直于ｚ轴的Ｘ方向放置一个均匀磁场，电子在Ｙ方
向上也将发生偏转。由于电子受洛伦兹力Ｆ=eBν ，大小不变，方向与
速度方向垂直，因此电子在Ｆ的作用下作匀速圆周运动， 其轨道半径为
R mv eB
电子离开磁场将沿切线方向飞出，直射荧光屏。
• （二）实验步骤
依照图3完成以下步骤：
①开启电源开关，将“电子束－荷质比”选择开关打向电子束位置， 辉度适当调节，并调节聚焦，使屏上光点聚成一细点，应注意：光点不能 太亮，以免烧坏荧光屏。
原理图如下：
实验原理
电聚焦原理的简单介绍
在电场的前半区（左半边），电子受到与电力线相 切方向的作用力F，F可分解为垂直指向轴线的分力 Fr与平行于轴线的分力Fz。Fr的作用使电子运动向 轴线靠拢，起聚焦作用；
电子到达电场的后半区（右半边）时，受到的作用力F可 分解为相应的Fr和Fz两个分量。Fr使电子离开轴线，起散 焦作用。
②光点调零，通过调节“Ｘ位移”和“Ｙ位移”旋钮，使光点位于Ｙ 轴的中心原点。
③测量偏转量Ｄ随磁偏电流Ｉ的变化，给定U２，将磁偏转电流表串 入磁偏转电源输出与磁偏线圈中，调节磁偏电流调节旋钮（改变磁偏电流 的大小）测量一组Ｄ值。改变磁偏电流方向，再测一组Ｄ－Ｉ值。改变U ２，再测两组Ｄ－Ｉ数据。（U２：600-1000V）。
（二）实验步骤
• 依照图3完成以下步骤：
①开启电子束测试仪电源开关，“电子束——荷质比”开关置于荷质比方向， 此时荧光屏上出现一条直线，阳极电压调到600V。 ②将磁聚焦电流部分的调节旋钮反时针方向调节到头，并将磁聚焦电流 表串在输出和螺线管之间。
③调节输出调节旋钮，逐渐加大电流使荧光屏上的直线一边旋转一边缩短， 直到变成一个小光点。读取电流值，然后将电流调为零。再将电流换向（对 调螺线管前方两插孔中的连线），重新从零开始增加电流使屏上的直线反方 向旋转并缩短，直到再得到一个小光点，读取电流值。
④改变阳极电压为700V,重复步骤3,直到阳极电压调到1000V为止。
⑤将实验数据填入下表
电压（V） 电流I反（A） 电流I正(A)
e m
600
700
800
900
1000
一、实验目的
• 1.了解电子束电偏转、磁偏转、电聚焦、磁聚焦 的基本原理。
• 2.了解示波管的基本结构。
• 3.测定示波管的电偏转、磁偏转的灵敏度。
• 4.用磁聚焦法测定电子荷质比。
二、电偏转
• （一）电偏转原理 • 示波管原理图如下： •
K.阴极 G.栅极 A1. 聚焦阳极 A2.第二阳 极 Y.垂直偏转板 X. 水平偏转板 S.荧光屏。
• 阳极Ａ1、A2…组成电子枪。阴极被灯丝加 热而发射电子，电子受阳极的作用而加速。
• 电子从阴极发射出来时，可以认为它的初 速度为零。电子枪内阳极Ａ２相对阴极Ｋ 具有几百甚至几千伏的加速正电位U2，由能 量关系有：
•
1 2
mv2
eU 2
故有
v 2eU 2 m
（1）
• 当电子射出平行板时，在ｙ方向电子偏离 轴的距离
五、电子荷质比测量
• （一）实验原理 • 电子的螺距为
h
V//T
2 B
2mU 2 e
（1）
由上式可得
e / m 8 2U2 / h2B2
其中
B 0NI L2 D02
（3）
代入可得
（2）
依据（4）式即可用 磁聚焦法测定电子 荷质比
e / m 8 2U2 (L2 D02 ) /(0NIh)2 （4）
④求磁偏转灵敏度Ｄ/I，并解释为什么U2不同，Ｄ/I不同。
三、电聚焦
• （一）实验原理
聚焦阳极和第二阳极是由同轴的金属圆筒组成。由于各电极上的电位 不同，在它们之间形成了弯曲的等位面、电力线。这样就使电子束的路径 发生弯曲，类似光线通过透镜那样产生了会聚和发散，这种子组合称为 电子透镜。改变电极间的电位分布，可以改变等位面的弯曲程度，从而达 到了电子透镜的聚焦。
• •
y1
1 2
a
yt
2
1 2
eE m
t
2
将
t l
（2） 带入得
v
y1
1 2
eE m
l2 v2
再将 v 2eU 2 m
带入得
y1
1 Ud 4 U2
l2 d
（3）
图二 由图二可以看出，电子在荧光屏上偏转距离Ｄ为
• （二）实验步骤：
•
实验装置仪器面板如下图三所示。1. 开启电源开头，将“电子束－
②光点调零，通过调节“Ｘ位移”和“Ｙ位移”旋钮，使光点位于Ｙ轴的 中心原点。
③调节阳极电压U２分别为600-1000V，对应的调节聚焦旋钮（改变聚焦 电压）使光点达到最佳的聚焦效果，测量出各对应的聚焦电压U1。
④求出U2/U1。
四、磁聚焦
• （一）实验原理简介
改变加速电场强度 和磁场强度，使电 子在示波管中所经 过的路程为螺距的 整数倍，这时电子 束将在荧光屏上会 聚。这就是电子射 线的磁聚焦原理。
但因为在整个电场区域里电子都受到同方向的沿Z轴的作用力， 电子在后半区的轴向速度比在前半区的大得多。因此，在后半 区，电子受Fr的作用时间短得多，获得的离轴速度比在前半区 获得的向轴速度小。
总的效果是，电子向轴线靠拢，整个电场起聚焦作用。
(二）实验步骤
• 依照图3完成以下步骤：
①开启电源开关，将“电子束－荷质比”选择开关打向电子束位置，辉度适 当调节，并调节聚焦，使屏上光点聚成一细点，应注意：光点不能太亮，以 免烧坏荧光屏。