模拟电子电路期末复习提要
模拟电子技术考试复习提纲xin
模拟电子技术考试复习提纲1．本课程的基本任务介绍常用半导体器件的基本原理和特性，电子电路的基本概念、基本原理和基本分析方法，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术的某些领域及电子技术的应用打下基础。
2．本课程的基本要求绪论第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1．两种载流子，扩散和漂移，PN结的形成，半导体二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用；2．半导体二极管的外特性，主要参数的定义；正确理解3．使用注意事项；第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1．晶体管的外特性和放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．微变等效电路；5．CE、CC的工作原理及各种计算（单级、多级）；6．合理的近似。
7．复合管正确理解10．用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压；11．CB的工作原理及计算；12．三种组态的比较和选择；第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1．耗尽层，沟道，场效应管的外特性及放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．场效应管的微变等效电路；5．CS的工作原理及各种计算（单级、多级）；正确理解6．CD的工作原理及计算；7．阻容耦合、变压器耦合；第四章功率放大电路熟练掌握1．功放的基本原理，输出功率、效率和非线性失真；2．OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算；正确理解3．交越失真、攻放管的选用原则；4．甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算；第五章集成电路运算放大器熟练掌握1．零点漂移、差模、共模、恒流源等概念；2．差模放大倍数的有关计算；正确理解3．共模抑制比及其计算；4．镜象电流源的工作原理；5．集成运算放大器的工作原理；6．运算放大器的主要参数。
第六章放大电路的频率响应熟练掌握1．频率特性等概念及影响频率特性的因素；2．会画Bode图（只含一个时间常数）；正确理解3．多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。
模电期末复习提纲
期末复习提纲一、复习大纲：第一章绪论1.基本要求1．了解信号、频谱、模拟电路与数字电路等一些基本概念。
2．理解电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的基本概念，理解放大电路的模型。
3．掌握放大电路的输入电阻、输出电阻、增益、通频带等主要性能指标。
2.重点：电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路和互导放大电路的输入电阻、输出电阻、增益及每种电路的应用场合第二章运算放大器1.基本要求1）了解集成运放电路的组成及成为线性电路的条件。
2）熟练掌握运用虚短和虚断的概念来分析基本运放电路。
3）熟练掌握比例、加减、积分运算电路。
2.重点：虚短和虚断的概念，理想运放所组成的电路的分析方法，并结合比例、加减、积分运算电路理解如何分析。
（大题出题点）。
第三章二极管及其基本电路1.基本要求1．了解本征半导体、空穴及其导电作用，2．理解P型半导体和N型半导体中的多子与少子及其决定因素以及与本征半导体导电的区别3．了解PN结的形成，掌握PN的单向导电性和V-I特性，理解PN结的反向击穿现象4．了解半导体二极管的结构，掌握它的V-I特性曲线。
5．掌握二极管的正向V-I特性建模，并会分析和计算由二极管组成的不同电路。
（P78-P81这4点应用）6．掌握稳压管工作特性，并分析常用的稳压电路，了解其它的特殊二极管。
2.重点：二极管V-I特性，二极管电路的分析与计算（出中大题点）。
第四章双极结型三极管及其放大电路基础1.基本要求1．了解BJT结构，理解电流分配与放大作用，各极电流间的关系，掌握BJT的输入、输出特性曲线和主要参数。
注意αβ的定义式及其应用2．理解共射极放大电路的工作原理。
3．理解用图解法来分析放大电路的静态工作点和动态工作情况。
（注意静态工作点设置与失真问题）4．掌握用小信号模型法分析共射电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
5．理解温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路能稳定Q点的工作原理。
6．理解用小信号模型来分析共集电极电路和共基极电路的分析，并能对三种基本组态电路进行比较。
模拟电子技术期末复习资料共41页文档
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
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29、在一切能够接受法律支配的人类 的状态 中，哪 里没有 法律， 那里就 没有自 由。— —洛克
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30、风俗可以造就法律，也可以是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
模拟电子技术期末复习资料
•
26、我们像鹰一样，生来就是自由的 ，但是 为了生 存，我 们不得 不为自 己编织 一个笼 子，然 后把自 己关在 里面。 ——博 莱索
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27、法律如果不讲道理，即使延续时 间再长 ，也还 是没有 制约力 的。— —爱·科 克
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28、好法律是由坏风俗创造出来的。 ——马 克罗维 乌斯
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子电路(期末复习)
IC
UO = UC1 UC2 0
2.电路的动态分析
(1)加入差模信号
负载RL对差模信号相当中点接地。
ui1=-ui2 =uid/2， uic=0
若ui1 ,ui2 ib1 ,ib2
ie1 ,ie2
IRe不变 UE不变
模拟电子电路
所以，Re对差模信 号相当于短路。
③输出电阻
Ro Rc1 Rc2 2Rc
模拟电子电路
(2)加入共模信号
ui1=ui2 =uic， uid=0。
设ui1 ，ui2 uo1 ， uo2 。 因ui1 = ui2， uo1 = uo2 uo= 0 (理想化)。 共模电压放大倍数
模拟电子电路
Auc 0
Rid 2rbe
(4)差模输出电阻 单端输出时: 双端输出时:
Ro Rc
Ro 2Rc
模拟电子电路
(5)共模抑制比
共模抑制比KCMR是差分放大器的一个重要指标。
K CMR
Aud Auc
或
K CMR
Aud 20lg Auc
dB
双端输出时KCMR可认为等于无穷大，单端输出时共模抑制比：
VGG
s
uDS
设：UT= -3V
模拟电子电路
双极型和场效应型三极管的比较
BJT
双极型三极管
FET
单极型场效应管
载流子
输入量 控制 输入电阻 噪声
多子+少子（两种）
电流输入 电流控制电流源 几十到几千欧 较大
多子（一种）
电压输入 电压控制电流源 几兆欧以上 较小
静电影响
制造工艺
不受静电影响
最新模电复习提纲(已整理)
模拟电子线路课程内容概要（复习提纲）1.半导体器件基础：（1）了解半导体的结构，弄清什么是本征半导体，什么是N型半导体，什么是P型半导体，以及它们的多数载流子是什么？少数载流子是什么？答：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。
在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等，这种杂质半导体主要依靠电子导电的半导体称电子型半导体或N型半导体。
其多数载流子为电子，少数载流子为空穴；在4价的硅（或锗）晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼，镓，铟等，这种杂质半导体主要依靠空穴导电的半导体称空穴半导体或P型半导体。
其多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
（2）PN结具有哪些特性，主要特性是什么？二极管的导通条件是什么？二极管的管压降为多少？什么是门坎电压？必须了解二极管的伏安曲线。
答：PN结有单向导电性、感光特性、感温特性、变容特性、变阻特性，其主要特性是单向导电性。
二极管的导通条件是PN结正向偏置。
硅二极管的管压降为0.6~0.8V，锗二极管的管压降为0.2~0.3V。
门坎电压即死区电压，是指二极管刚好导通时两端的电压差，硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
（3）三极管的导电机理是什么？三极管起正常放大作用的外部条件是什么？能否通过三极管各电极电位来判断它的工作状态。
三极管的输出特性曲线分为哪几个区域？起正常放大作用的三极管必须工作在哪些区域上？答：三极管导电机理是当基极电压Ub有一个微小的变化时，基极电流也会随之有一小的变化，受基极电流Ib的控制，集电极电流Ic会有一个很大的变化，基极电流Ib越大，集电极电流Ic也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。
三极管起正常放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。
发射极反偏，集电极反偏为截止状态；发射极正偏，集电极反偏为放大状态；发射极正偏，集电极正偏为饱和状态，由此来判断它的工作状态。
模拟电子技术b复习提纲精品文档
UCEQ=VCC-ICRC
=15-51.76≈6.2V
A
R c 308
u
r
be
R R // r r 1 . 3 k
i
b
be
be
A
r be
A 93
us
R r
u
s
be
R R 5k
o
c
第17页
模拟电子技术B复习提纲
RL＝3kΩ时，静态管压降、电压放大倍数等分别为
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少 千欧？
第19页
模拟电子技术B复习提纲
【解】：（1）求解Rb
I CQ V CC
I BQ
I CQ
U CEQ Rc
20μA
2 mA
R b V CC
集电结 反偏 反偏 正偏
【解】： 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区
（2）截止区
（3）饱和区
第5页
模拟电子技术B复习提纲
【例】 某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。
IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。
O
c
c
L
bc
L
Au
U Uoi
RL'
rbe
Ri Rb1 ∥ Rb2 ∥ rbe
Ro Rc
模拟电子技术B复习提纲
2.7 电路如图P2.7所示，晶体管的＝80，=100Ω。分别计算
模拟电子技术复习提纲
第3章 二极管及其基本电路知识重点：1、杂质半导体的导电机理；2、PN 结的形成及其单向导电性；3、半导体二极管的伏安特性；4、稳压管的应用基本知识：1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。
2、半导体二极管只有一个PN 结，它的基本特性是具有单向导电特性。
3、稳压二极管接入电路时，一定要串入一个电阻，其原因是利用电阻调节作用。
4、下面电路中电阻R 1=6kΩ，R 2=1kΩ，试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ，。
（）第4章 三极管及其放大电路知识重点：1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用；2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数；3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线，尤其是输出特性曲线的四个区域的理解；基本知识：1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大，其中共集放大 放大电路也叫做射极输出器。
2．三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻，但是与静态工作点是有关联的。
3、双极性晶体管对温度变化较敏感，硅管与锗管相比，硅管受温度影响较小。
aba b4．电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载能力越强。
5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。
6．在基本共射电路中，若晶体管的β增大一倍，电压放大倍数也相应增大，但达不到一倍。
7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V，则这个三极管的管型是PNP型硅管。
8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。
9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。
10、一个NPN管在电路中正常工作，现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0，则此管的工作区为饱和区。
11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ，R e=300Ω，R L=2 KΩ，试：①估算Q点(取V BE =0.7V)；②画出小信号模型图；③r be=1KΩ时，计算Av、r i与r o。
模拟电路期末复习要求
模拟电路期末复习要求《模拟电路》期末考试复习要求（2021）:说明：1. 本要求以中科院硕研考纲为蓝本，综合其他院校考研要求并结合我院教学实际而编订； 2. 复习参考材料：教材；课件；作业。
也可据自己的实际情况选择合适的参考书。
3. 考试题型：选择题，填空题，判断题，计算题，设计题，如有新的题型出现，将另行通知。
4. 仅供参考，如有看了本参考还发生考试杯具的事情发生（事实上是有的），请自行查找原因。
一、常用半导体器件1．半导体基础：本征半导体及其导电性，掺杂的概念，漂移与扩散的概念，PN结单向导电性； 2．二极管：掌握：伏安特性方程，输出特性，二极管等效模型分析法（含微变等效模型）及应用；稳压二极管电路。
3．掌握三极管的电流放大特性，伏安特性，主要参数，温度特性及在三个工作区的条件。
4. 场效应管的结构和符号表示，与三极管的异同。
二、基本放大电路1．掌握放大的概念及放大电路主要性能指标：放大倍数，输入电阻，输出电阻，最大不失真输出电压，上下限截止频率。
2．掌握放大电路的分析方法：能准确画出交、直流通路及微变等效电路；会用图解法分析失真情况；公式法求解静态工作点；微变等效电路求放大倍数、入阻、出阻。
3．掌握静态工作点稳定电路，理解其稳定Q的原理。
4．掌握晶体管三种基本放大电路及其放大特性之异同 5．了解场效应管放大电路及其微变等效模型。
6.理解频率响应的概念，会由波特图或幅频特性求上下限截止频率（4.7.1；4.7.2）三、多级放大电路1．掌握多级（暂定两级）放大电路的耦合方式及计算分析方法。
2．掌握直接耦合差分放大电路各项性能指标的计算。
3．掌握共模抑制比的概念及其在具体电路中的计算。
四、集成运算放大电路1．了解集成运放的基本概念，结构特点，性能指标。
2．掌握镜像电流源，比例电流源，微电流源的工作原理。
（暂不要求）五、放大电路中的反馈1．掌握反馈的概念及判断方法（有无、正负、直交）及各种交流负反馈电路组态的判断方法。
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模拟电子电路期末复习提要
“模拟电子电路”是中央电大工业自动化、电子仪器与测量、应用电子技术、通信工程等专业必修的技术基础课。
电视学时45，面授学时20，必做实验6个。
为了帮助大家做好期末复习，现按章分重点掌握、一般掌握和一般了解三个层次介绍复习要求。
最后给出复习练习题供大家在复习时参考。
一、复习要求
第一章放大电路的基本原理和分析方法（一）重点掌握的内容
1．放大、静态与动态、直流通路和交流通路、静态工作点、负载线、放大倍数、输入电阻和输出电阻的概念。
2．用近似计算法估算单管共射放大电路、分压式工作点稳定电路的静态工作点。
3．用微变等效电路法分析计算单管共射放大电路、分压式工作点稳定电路的电压放大倍数A u、(A us)、输入电阻和输出电阻。
（二）一般掌握的内容
1．图解法确定单管共射放大电路的静态工作点，定性分析波形失真，观察电路参数对静态工作点的影响，估算最大不失真输出的动态范围。
2．三种不同组态(共射、共集、共基)放大电路的特点。
3．放大电路频率响应的一般概念。
4．多级放大电路三种耦合方式的特点、放大倍数的计算规律。
(三)一般了解的内容
1．单管共射放大电路f L、f H与电路参数间的关系，波特图的一般知识。
2．估算法估算场效应管放大电路(基本共源)的静态工作点。
第二章集成放大电路基础
(一)重点掌握的内容
1．差动放大电路(包括基本形式、长尾式和恒流源式) 双端输入时Q点、A d、R id和R o的计算方法。
(二)一般掌握的内容
1．差动放大电路四种不同接法的特点。
2．集成运算放大器主要参数的意义、使用方法和使用注意事项。
3．差动放大电路单端输入时Q、A d、R id和R o的计算方法。
4．复合管、互补电路的正确接法及输入输出间的关系。
(三)一般了解的内容
1．一种常用的集成运放组件的组成和工作原理。
2．镜像电流源的工作原理和一般应用。
3．差动放大电路的共模抑制比。
4．直接耦合放大电路的零点漂移现象、产生的原因及抑制方法。
第三章负反馈放大电路
(一)重点掌握的内容
1．反馈的概念和种类，反馈极性、类型的判断方法。
2．电压串联负反馈电路在满足深度负反馈条件下，电压放大倍数的估算方法。
(二)一般掌握的内容
1．电压并联负反馈电路在满足深度负反馈条件下，电压放大倍数的估算方法。
2．引入负反馈对放大电路性能的影响，负反馈放大电路放大倍数一般表达式A f＝A/(1+AF)的物理意义。
3．负反馈放大电路产生自激振荡的条件。
(三)一般了解的内容
1．根据要求在放大电路中引入适当的反馈。
2．反馈放大电路自激振荡和消振措施。
第四章模拟信号运算电路
(一)重点掌握的内容
1．理想运放工作在线性区和非线性区时的特点。
2．比例电路的工作原理及输入输出间的关系。
3．反相输入求和电路及积分电路的工作原理及输入输出间的关系。
(二)一般掌握的内容
1．同相输入求和电路的工作原理及输入输出间的定性关系。
2．微分电路的工作原理及输入输出间的定性关系。
(三)一般了解的内容
1．模拟乘法器的工作原理及典型应用。
2．对数与指数电路的工作原理。
第五章信号处理电路
(一)重点掌握的内容
1．低通、高通、带通和带阻滤波电路的功能及根据要求选择合适的滤波电路。
2．理想运放工作在非线性区时的特点。
3．过零比较器、滞回比较器的工作原理及它们输入输出间的关系。
(二) 一般掌握的内容
1．二阶低通滤波电路的工作原理，A up、f o的估算方法。
2．单限比较器、双限比较器的工作原理及它们输入输出间的关系。
(三) 一般了解的内容
1．高通、带通和带阻滤波电路的工作原理，A up、f o的估算方法。
2．集成电压比较器的工作原理及特点；
第六章波形发生电路
(一)重点掌握的内容
1．产生正弦波振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件。
2．RC文氏桥振荡电路的起振条件和振荡频率f o的估算方法(R1=R2，C l＝C2时)。
3．判断变压器反馈式、电感三点式和电容三点式振荡电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件。
(二)一般掌握的内容
1．RC串并联网络的选频特性。
2．LC正弦波振荡电路(变压器反馈式、电感三点式和电容三点式)振荡频率f o的估算方法。
3．各种正弦波振荡电路的特点、根据要求选择合适的振荡电路。
(三)一般了解的内容
1．石英晶体振荡电路的工作原理及特点。
2．非正弦波振荡电路的工作原理。
第七章功率放大电路
(一)重点掌握的内容
1．功率放大电路的功能和特点。
2．OTL、OCL直接耦合功率放大电路的工作原理。
3．直接耦合功率放大电路输出功率P om的估算方法。
(二)一般掌握的内容
1．集成功率放大器的特点和使用方法。
2．功率放大电路提高输出功率和工作效率的主要途径。
(三)一般了解的内容
实用的OTL、OCL功率放大电路的一般组成和工作原理。
第八章数一模和模一数转换电路
(一)重点掌握的内容
1．数一模和模一数转换的概念，数一模转换器和模一数转换器的用途。
2．数一模转换器和模一数转换器输入信号和输出信号间的关系。
(二)一般掌握的内容
1．倒T型电阻网络D/A转换器的基本组成和工作原理。
2．逐次渐近型A/D转换器的基本组成和工作原理。
(三)一般了解的内容
1．D／A转换器和A／D转换器的主要性能指标，转换精度和转换速度的关系。
2．采样—保持电路的用途，基本电路的组成和工作原理。
3．并联比较型和双积分型A/D转换器的工作原理、性能特点和主要用途。
第九章直流电源
（一）重点掌握的内容
1．单相桥式整流电路的工作原理、直流输出电压U o(A V)与变压器次边电压U2的关系。
2．串联型直流稳压电路的工作原理，输出电压U o调整范围的估算方法；
(二)一般掌握的内容
1．电容滤波的特点，电容C的选择原则及滤波电路输出电压与变压器次边电压U2的关系。
2．硅稳压管稳压电路的工作原理，限流电阻R的估算方法。
3．集成三端稳压器的型号与输出电压的关系。
(三)一般了解的内容
1．纹波的概念，各种整流滤波电路性能的比较以及它们应用的场合。
2．倍压整流电路的特点和工作原理。
3．稳压电路中的保护措施，集成稳压器的组成和特点。
二、有关说明
本课程期末考试采用闭卷笔试的方式，属达标性考试。
主要考核本课程的基本概念、基本（典型）电路主要参数的计算和分析方法。
试题类型有：填空题、选择题、简答题、分析计算题。