launcher相关流程
fluent经典
通过CFD-Post计算得到 – 这些量不包括在结 果文件中 X, Y, Z, Normals , mesh quality data 来自结果文件 创建新的变量 为透平机械算例自动创建的变量
Geometric variables
2.
3.
4.
创建位置
在 Insert 菜单或工具栏中创建位置 创建好的位置显示在Outline 树中
控制显示的按钮
双击位置对象可以编辑
右键点击对象可以复制或删除
创建位置
域，子域，边界和网格区 域都是位置
边界和网格区域可以编辑、 用变量着色 网格区域从网格中提供所有 内部或外部的二维/三维区 域
VelRatio 0.7
这里
VelRatio
Vellocal Vel
3.
通过变量的方式创建Isosurface ，定义VelRatio =0.7
表达式按钮
Expressions按钮显示全部存在的表达式，也可以 创建新的表达式
在表达式上点击右键> New 右击，将显示Functions, Variables 等等，可用于 构建表达式 必须限定一个表达式的范围，而另外一个表达式 为定值
3. Select Chart Type
4. Create Data Series (Lines)
5. Select X and Y Axis variables
图表: 类型
Charts的三个类型:
XY
基于 line
XY – Transient or Sequence
诺基亚N1救砖教程
诺基亚N1救砖教程背景：昨晚误将ARM版的SU刷到了N1里，导致开机卡死在开机圆圈，重启不能进BOOTLOADER也不能进REC。
唯一可以的是在卡死的圆圈界面，已授权的电脑能够通过ADB 命令读取，但不能在SU/ROOT权限下改SYSTEM分区文件。
需要的工具：1、诺基亚N1 ROOT工具：链接：/s/1c0i1KU8 密码：c7i32、诺基亚ROM包：链接：/s/1c06OrhI 密码：zfg3因百度文库不能提及敏感信息，此处省去提供上述工具的原始提供方。
请谅解。
步骤：前提：有一台已经在N1的USB调试模式下授权的电脑；N1开机卡死后，在该电脑的设备管理器里还能看到Android Composite ADB Interface设备。
1、将N1开机，接上电脑。
2、网盘中下载IntelAndroid-FBRL-05-16-2015-PTR.rar，目录解压到某盘的根目录下，比如e:\n1下面。
右键点击launcher.bat，选以管理员身份运行。
按屏幕提示输入大写的ACCEPT确定。
（必须是大写，因为LINUX区分大小写）观察屏幕，如果设备已连接，是蓝绿色的字，如果是红色的字，则为未连接，仔细检查上述流程是否正确。
3、设备连接正常后，按下图界面上的T1，回车。
N1将重启，并出现N1官方BOOTLOADER 界面，并且在执行写入操作。
直到出现错误提示。
停止。
4、按N1的音量键，选择recovery，按电源键确认。
重启进入官方REC。
然后选择选apply update from adb 然后连电脑。
5、把之前下载的包重命名为update.zip拉到解压缩后的platform-tools文件夹内。
打开命令指示符cd到这个文件夹。
6、在命令提示符内输入adb sideload update.zip 回车。
然后平板会显示：7、提示完成后重启N1。
搞定。
HSPICE-使用流程
HSPICE 使用流程HPICE软件主要用于模拟电路的仿真。
模拟电路仿真工具是以电路理论、数值计算方法和计算机技术为基础实现的，由于模拟电路在性能上的复杂性和电路结构上的多样性，对仿真工具的精度、可靠性、收敛性以及速度等都有相当高的要求。
HSPICE程序由于收敛性好，适于做系统及电路仿真，又有工作站版和微机版本，在国内外的用户十分广泛。
一、HSPICE可模拟的内容1.直流分析：包括非线性电路的直流分析①电路的直流工作点：分析时电路中的电感全部短路，电容全部开路，得到电路的每一节点的电流和电压（相对参考点）值。
②直流小信号传输值：传输函数的直流小信号值为直流小信号工作下的输出变量和输入变量之比值，包括电路的输入电阻和输出电阻。
③直流转移曲线：HSPICE可在用户指定的范围内，逐步改变指定的独立电压或电流源，对每一个电源值的变化，都得到储存的输出变量。
④灵敏度分析：求出指定输出变量对于电路参数（包括电路中所有的元件，器件参数，直流电源的输入电平）的直流小信号灵敏度。
2.交流小信号分析：将交流输出变量作为频率的函数计算出来。
先计算电路的直流工作点，决定电路中所有非线性器件的线性化小信号模型参数，然后在用户所指定的频率范围内对该线性化电路进行分析。
①频域分析：在用户规定的频率范围内完成电路的交流分析。
②噪声分析：HSPICE可计算每个频率点上总的输出噪声电平及其等效输入噪声电平。
③失真分析：计算电路交流小信号工作下电路的失真特性，分析时是在输入端加有一个或两个频率的信号，在用户给定的输出负载电阻时，求出在该负载上的输出失真功率。
3.瞬态分析①瞬态响应：是从时间为零开始，到用户规定的时间范围内进行电路的瞬态特性分析。
②傅立叶分析：可以对输出波形进行傅立叶分析，得到在用户指定的基频及时间间隔范围的傅立叶系数。
4.电路的温度特性分析：HSPICE在用户未说明时，是在27℃的标称温度下进行各种模拟的。
当用户指定电路在什么温度下工作时，HSPICE也能进行不同温度下的电路特性分析，在温度低于-273℃时不予模拟。
第80期使用CMG-GEM模拟二氧化碳驱操作流程
第80期：使用CMG-GEM模拟二氧化碳驱操作流程Builder/GEM/Results 2017.10编写人：吴晓云很多人了解并开始使用CMG，是从STARS开始的，说到IMEX和GEM便无从下手了，GEM 模型要如何创建？CO2混相驱机理要如何设置？需要输出哪些结果？这些是初次接触GEM常常遇到的，我们先来聊一聊这些问题。
大家都有这样的共识—不同的数值模拟软件具有普遍的相似性，事实上，这种普遍的相似性在不同的模拟器之间也存在，其中80~90%的设置是相似的，区别主要集中于流体模型即Components部分。
CO2混相驱过程中，可能发生溶解、膨胀、混相或非混相、沥青质沉积、相渗滞后、润湿反转、扩散和弥散、水溶气、液态CO2冷伤害、离子交换、矿物质盐析和溶解等现象。
面对这么多的机理表征，大家显得无所适从，所以，把握主次才最为关键！首先，从最基础的模拟出发，溶解、膨胀，混相或非混相模拟是最重要的了，而这些机理的表征EoS已经为我们全权代劳了，做CO2驱的小伙伴们可以轻松上阵了。
其次，如果通过室内实验或者现场以及流体分析，还存在沥青质沉积、相渗滞后、润湿反转等现象，我们可以在基础模型上通过一系列的关键字定义即可表征。
做CO2驱或天然气驱过程中，最小混相压力是大家关注的首要参数，也是比较纠结的一个参数，巴不得直接把它丢给模型，达到“超过该压力，驱油百分百”的效果。
但是，在实际的驱替过程中可不是如此简单，模拟器也不是根据这个最小混相压力去触发100%驱油效率，而是以一种更加聪明的方式来模拟的。
混相是什么？简单来说，消除界面，那就是界面张力降为0。
GEM中计算界面张力的参数是等张比容（PCHOR）。
而关联界面张力和驱油效率，可以借助IFT（界面张力）效应来实现。
那么，MMP就不用关注了吗？也不是，MMP有各种经验公式和测定方法，业内比较认可和比较常用的细管实验法，虽然测定的方法也会受到细管长度、孔、渗等各种因素的影响，但是如果我们认可最小混相压力，在2017版WinProp 新增了对其的拟合功能，可以微调ΩA和ΩB以及注入气与重组分的二元交互作用系数，同时需监测其他实验数据的拟合精度。
AB SCIEX Triple TOF5600+操作流程
AB SC IEX Tr iple TOF 5600+质谱仪操作流程1.. 打开 A naly st® TF 软件双击桌面【 A B S C IEX A pplication Launcher】，选择【 A naly st】进入软件，或直接点击桌面【 A naly st TF1 .7 S oftw a re】进入软件。
2.. 激活硬件配置（ Hardw are config uration）在左侧导航栏中双击C onfig ure 菜单下的【 Hardw a re config uration】按钮，弹出Hardw are config uration Editor，选中【 L C +5600 】，点击右侧【 A ctivate Profile】按钮，激活仪器。
3.. 手动校正仪器（ M anual tuning ）3 .1 TOF M S 正离子校正在左侧导航栏中点击【 Tune and C a l ibrate】菜单下的【 M anual tuning 】，出现一个校正采集方法的模板 , 点击源 /气（ S ource /Ga s）标签，更改离子源参数（参数可设置为GS 1 ： 50 ；GS 2 ： 50 ； C U R ： 30 ； TEM ： 550 ； IS V F 默认值不变），方法选择“ M S M ethod”，扫描类型（ S can ty pe）改为“ TOF M S ”，极性 polarity 选择“ Positive ”。
设置完成后在校准传输系统（ C DS ）控制按钮中点击【 C DS Purg e】（消除残存的溶液或气泡），然后点击【 C DS R efill】（充满校正液），完成后点击【 C DS Inject】，同时点击左侧【 S ta rt】开始采集数据（数据采集开始后下面两个窗口同时被打开，左侧是TIC总离子流图，右侧是TOF M S 质谱图），持续采集2 min，以获得稳定的TIC 图，然后点击【 S top】停止采集，同时点击【 C DS S top】，选择总离子流图TIC 后部分的图谱0 .5 ~1 m in ，双击 TIC 图的高亮区，显示出 TOF M S 选择区域的平均图，点击右键选择【 R e-C a l ibrate TOF】，弹出 TOF C a libration 窗口，在参照表（ R eference Table）下拉菜单选择“ A PC I Positive C a l ibration S olution”，依次点击【 C a lculate new calibrations】→【 C a l ibrate spectrum】→【 Entire File 】，然后点击【 S ave 】，弹出 Ex plore Dir 窗口，点击【 OK】，弹出TOF recalibration 窗口后再点击【 OK】，再点击【 C lose 】，完成 TOF M S 正离子校正。
气道流动分析流程
April 17, 2013
划分网格
双击mesh打开meshing 在IC Engine工具条中选择 选择 生成网格 更新mesh 退出meshing 保存
7
© 2011 ANSYS, Inc.
April 17, 2013
求解设置
双击setup，打开Fluent Launcher，选择是否并行 点OK，FLUENT读取网格并自动进行求解设置： −设置所需的模型 −设置边界条件和材料属性 −设置求解监控 −进行FMG初始化 检查设置并做适当修改
3
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April 17, 2013
几何准备
双击Geometry，打开DM，设置单位为mm，导入几何文件 点击Generate，完成特征导入 点击Input Manager，输入相关几何 Intake Valve
Exhaust Valve
Cylinder Face
April 17, 2013
添加输出参数
添加输出参数 −Define→parameters −Create→fluxes→save output parameter
12
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April 17, 2013
创建不同的设计点
退出FLUENT，返回workbench界面 双击parameter set，进入Design Points workspace，并复制设计点，修改设 计点的valvelift值 选择 或在设计点上右键选择update selected design points
13
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April 17, 2013
查看计算结果
cfx中文教程
Version 1.33/23/2007©2007 ANSYS, Inc. All rights reserved.CFX 11.0ANSYS, Inc. ProprietaryInventory #002445TOC-1CFX前处理计算域讲座3Version 1.32007 ANSYS, Inc. All rights reserved.Inventory #002445TOC-2ANSYS, Inc. Proprietary计算域只包含有此次计算中使用的的网格流体计算域固体计算域旋转计算域静态计算域Version 1.3 Inventory #002445TOC-3Version 1.3Version 1.3•在ANSYS CFX 中, 用户在开始一个模拟前,必须为这个模拟指定一个参考压力. 它代表绝对压力数据,所有的相关压力都是基于此而衡量的•参考压力是用于避免四舍五入时产生的错误,也就是说当在一个流体区域内动压的差异与绝对压力的水平可以比较的时候. (实例见下页)relativereference absolute P P P +=在定义计算域时指定在定义边界条件时指定参考压力:边界条件•在结果文件中的压力值不包含静水压的贡献, 所以静水压的数值要在结果加上参考压力的值才是实际压力的值•如果流动是考虑浮力的并且参考压力设置为0Pa,静水压的贡献就会被考虑到结构之中•对于不考虑浮力的流体来说，静水压就不存在•当边界条件和初始条件被指定时，他们的值是相对于参考压力的值，除了当系统变量P 按照绝对压力的形势在CFX表达式中被使用(CEL)多孔区域•利用这个模型可以模拟这样的流动现象，即由于几何形状过于复杂，而无法进行网格划分的情况Images Courtesy of Babcock and Wilcox, USA多孔区域•各向同性损失模型–各向同性动量损失可以用线性或是二次阻力系数来指定，或是通过使用渗透性和损失系数来指定. 这个模型适用于各向同性多孔区域。
施耐德TwidoSuite V2.3 快速入门 说明书
013225.06Twido Suite V2.3快速入门06/2011本文档中提供的信息包含有关此处所涉及产品之性能的一般说明和/或技术特性。
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保留所有权利。
目录安全信息. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5关于本书. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7章 1安装和程序启动. . . . . . . . . . . . . . . . . . .9系统要求. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10安装与卸载软件. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11注册 TwidoSuite. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12章 2启动 TwidoSuite . . . . . . . . . . . . . . . . . .13程序开始. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13章 3更新 Twido 固件 . . . . . . . . . . . . . . . . . .15 Twido PLC 固件更新. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15章 4TwidoSuite 界面 . . . . . . . . . . . . . . . . . .17主窗口. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18设置首选项. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22章 5创建与编辑程序. . . . . . . . . . . . . . . . . . .25步骤 1：创建新项目 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .27步骤 2：描述应用程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29步骤 3：定义应用程序 I/O 布线规格 . . . . . . . . . . . . . . . .32步骤 4：配置硬件和软件资源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .34步骤 5：编写程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40步骤 6：测试应用程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49步骤 7：传输和运行程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55步骤 8：调试程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .58步骤 9：管理程序报告 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .63章 6监控应用程序. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .65监控应用程序. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .65索引. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .67安全信息重要信息声明在尝试安装、操作或维护设备之前，请仔细阅读下述说明并通过查看来熟悉设备。
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launcher相关流程
Launcher（启动器）是Android操作系统中的一个重要组件，它是用户与手机系统之间的桥梁，负责展示和管理应用程序。
本文将以Launcher相关流程为主题，介绍Launcher的作用、启动流程和优化方法。
一、Launcher的作用
Launcher是用户进入手机系统后看到的桌面界面，它可以展示已安装的应用程序图标、小部件等，同时也提供了搜索、应用管理等功能。
用户可以通过Launcher方便地启动应用程序，并对桌面进行个性化设置。
二、Launcher的启动流程
1. 用户按下手机的Home键或通过其他方式返回桌面。
2. 系统检测到Home键按下事件后，会启动Launcher应用程序。
3. Launcher应用程序初始化，加载桌面布局和配置信息。
4. Launcher应用程序根据配置信息，加载应用程序的图标和小部件，并进行布局。
5. 用户可以通过滑动、点击等手势操作，在桌面上浏览和启动应用程序。
6. 如果用户需要搜索应用程序，可以通过在桌面上的搜索栏输入关键字进行搜索。
7. 如果用户需要管理应用程序，可以长按应用程序图标，弹出菜单
并选择相应操作。
三、Launcher的优化方法
为了提升用户体验和系统性能，可以对Launcher进行优化，以下是几种常见的优化方法：
1. 布局优化：优化桌面布局的加载速度和内存占用，可以采用延迟加载的方式，先加载可见区域的图标，待用户滑动到其他区域时再加载。
2. 图标优化：对应用程序图标进行缓存，减少图标加载时间。
同时，可以对图标进行预处理，将图标的分辨率和颜色进行优化，以减少内存占用。
3. 搜索优化：对搜索功能进行优化，提供更快速、准确的搜索结果。
可以通过建立索引、优化搜索算法等方式提升搜索效率。
4. 内存优化：减少Launcher的内存占用，可以通过优化代码、减少不必要的内存分配等方式实现。
另外，可以利用内存缓存技术，将常用的应用程序图标和布局信息缓存到内存中，提高响应速度。
5. 启动速度优化：减少Launcher的启动时间，可以采用冷启动和热启动相结合的方式。
冷启动时，只加载必要的资源和布局信息，热启动时，利用缓存的资源和布局信息进行快速加载。
6. 功能优化：根据用户的使用习惯和反馈，对Launcher的功能进行优化和扩展。
可以添加更多的个性化设置选项，提供更多的小部件和插件等。
总结：
Launcher作为Android系统的重要组件之一，起到了连接用户和应用程序的桥梁作用。
本文介绍了Launcher的作用、启动流程和优化方法。
通过对Launcher进行布局优化、图标优化、搜索优化、内存优化、启动速度优化和功能优化，可以提升用户体验和系统性能，使得用户可以更方便地使用和管理应用程序。