刻蚀工艺及设备
介质刻蚀机原理
介质刻蚀机原理介质刻蚀机原理1. 介质刻蚀机概述介质刻蚀机是一种用于微电子制造中的关键设备，主要用于在微细尺寸的电路板上形成精确的图案。
它通过使用化学反应和物理作用力，将固体物质从待加工的表面剥离，从而实现刻蚀的目的。
2. 介质刻蚀机的分类介质刻蚀机可根据刻蚀方式分为湿式刻蚀机和干式刻蚀机两种。
湿式刻蚀机湿式刻蚀机主要利用液体化学试剂对待加工材料进行刻蚀。
液体试剂通过喷洒或浸泡的方式与待加工材料接触，化学反应使材料表面发生变化，从而实现刻蚀。
干式刻蚀机干式刻蚀机则通过高能粒子束照射待加工材料，使其表面发生物理或化学反应，从而实现刻蚀。
常用的干式刻蚀技术包括离子束刻蚀（IBE）和物理气相刻蚀（PECVD）。
3. 湿式刻蚀机原理湿式刻蚀机的原理基于化学反应的影响。
下面列出了湿式刻蚀机实现刻蚀的主要步骤：•表面准备：清洗待加工材料表面，去除表面的污染物和氧化物，以便化学试剂能够更好地与材料接触。
•液体试剂供应：将液体试剂通过喷洒或浸泡的方式供应到待加工材料表面。
•化学反应：试剂与待加工材料表面发生化学反应，导致材料表面的化学物质发生变化。
这些变化可以使材料表面被溶解或产生物理刻蚀。
•产物去除：将产生的刻蚀物或副产物通过对液体试剂的控制和清洗步骤进行去除，以保持刻蚀表面的纯净度。
4. 干式刻蚀机原理干式刻蚀机的原理主要与高能粒子束的作用有关。
下面列出了干式刻蚀机实现刻蚀的主要步骤：•进样和排气：将待加工材料放入真空室内，并进行排气操作，将真空室内的气体抽净，以提供良好的刻蚀环境。
•粒子生成：利用物理或化学方法，产生高能粒子束。
如离子束刻蚀中使用离子源，将气体离子化后产生粒子束。
•粒子束聚焦：使产生的粒子束经过适当的聚焦装置，使其能够准确地集中在待加工材料表面，提高刻蚀精度。
•表面反应：高能粒子束照射待加工材料表面，使其发生物理或化学反应，导致材料发生刻蚀。
•副产物处理：刻蚀过程中产生的副产物通过真空系统或其他方式进行处理和清除，以保证刻蚀的效果。
Dry Etch工艺及设备介绍
2.5 温控系统
Chiller (Heater Exchanger)
Chiller
Pt Sensor (热电偶)：温度测量 精品21课件
Chiller Hose Connector
2.5 温控系统
TC & BC：
Plasma Connection Glass
- +- +- +- -+ -+ -+- +-
PR
SD Active GI
PVX Gate
PR
SD Active GI
精品12课件
2.0 Dry Etch 设备介绍
Process
Cassette Cassette
Process Load Lock Transfer
Process USC
精品13课件
2.1 Dry Etcher设备构成
精品14课件
控制反射，把最 大的Energy传递
给Process Chamber
Matching Controller
Process chamber
RF generator
Matching box
Matching Box 和 Matching Controller相结合把反射波控制到最小，使Process Chamber内产生最大的 Energy。
精品22课件
Thank you！
精品23课件
6. CD Bias(PR Ashing Bias) CD Bias指Photo工艺后的线宽DICD与最终形成的Pattern线宽FICD的差 值。 干刻相关的主要是指PR在Ashing过程中水平方向的刻蚀量。 CD Bias = ∣DICD － FICD∣
9.2-刻蚀技术-湿法刻蚀
9刻蚀技术—湿法刻蚀19.2 湿法刻蚀湿法腐蚀是化学腐蚀，晶片放在腐蚀液中（或喷淋），通过化学反应去除窗口薄膜，得到晶片表面的薄膜图形。
湿法刻蚀大概可分为三个步骤：①反应物质扩散到被刻蚀薄膜的表面②反应物与被刻蚀薄膜反应③反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中，并随溶液排出。
湿法腐蚀特点湿法腐蚀工艺简单，无需复杂设备保真度差，腐蚀为各向同性，A=0，图形分辨率低 选择比高均匀性好清洁性较差湿法刻蚀参数参数说明控制难度浓度溶液浓度，溶液各成份的比例最难控制，因为槽内的溶液的浓度会随着反应的进行而变化时间硅片浸在湿法化学刻蚀槽中的时间相对容易温度湿法化学刻蚀槽的温度相对容易搅动溶液的搅动适当控制有一定难度相对容易批数为了减少颗粒并确保适当的浓度强度，一定批次后必须更换溶液9.2.1 硅的湿法腐蚀各向同性腐蚀Si+HNO3+6HF → H2SiF6+HNO2+H2O+H2硅的各向异性腐蚀技术 各向异性(Anisotropy)腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大（1：400）； 各向异性腐蚀Si+2KOH+H2O →K2SiO3+H2O各向异性腐蚀液腐蚀液：无机腐蚀液：KOH, NaOH, LiOH, NHOH等；4有机腐蚀液：EPW、TMAH和联胺等。
常用体硅腐蚀液：氢氧化钾(KOH)系列溶液；EPW(E：乙二胺，P：邻苯二酚，W：水)系列溶液。
硅以及硅化合物的典型腐蚀速率9.2.2 二氧化硅的湿法腐蚀262262SiO HF SiF H O H +→++HFNH F NH +↔34影响刻蚀质量的因素主要有：①黏附性光刻胶与SiO 2表面黏附良好，是保证刻蚀质量的重要条件②二氧化硅的性质③二氧化硅中的杂质④刻蚀温度⑤刻蚀时间9.2.3 氮化硅的湿法腐蚀•加热180℃的H 3PO 4溶液或沸腾HF 刻蚀Si 3N 4•刻蚀速率与Si 3N 4的生长方式有关9.2.4 铝的湿法腐蚀3 23222Al 6HNO Al O 3H O 6NO +→++233442Al O 2H PO 2AlPO 3H O+→+9.2.5 铬的湿法腐蚀1、酸性硫酸高铈刻蚀4224324326()3()()Cr Ce SO Ce SO Cr SO +→+2、碱性高锰酸钾刻蚀42424226283324KMnO Cr NaOH K MnO Na MnO NaCrO H O++→+++3、酸性锌接触刻蚀()2424232Cr 3H SO Cr SO 3H +→+↑42242442424()CeOSO +H SO CeOSO 3Ce()SO Ce SO H O H O OH H +→+→↓+硫酸高铈易水解9.2.6 湿法刻蚀设备湿法刻蚀工艺的设备主要由刻蚀槽、水洗糟和干燥槽构成。
蚀刻工艺流程
蚀刻工艺的重要性及发展趋势
蚀刻工艺的重要性
• 广泛应用于各种行业 • 对产品的质量和性能起着关键作用
蚀刻工艺的发展趋势
• 蚀刻工艺不断精细化和环保化 • 未来蚀刻工艺的研究将更加注重绿色生产和可持续发展
02
蚀刻工艺的种类与特点
化学蚀刻与电解蚀刻的区别与特点
化学蚀刻
• 通过化学反应使材料溶解 • 蚀刻速度较快，成本低 • 对设备的腐蚀性较大
影响蚀刻效果的因素
• 蚀刻液或蚀刻气的浓度 • 蚀刻温度和时间 • 材料的种类和性质
蚀刻后的处理与质量控制
蚀刻后的处理
• 清洁表面，去除杂质 • 检查蚀刻效果
质量控制
• 对蚀刻后的产品进行检测 • 确保产品符合要求
04
蚀刻设备与材料的选择
蚀刻设备的选择与维护
蚀刻设备的选择
• 根据蚀刻工艺和材料选择合适的设备 • 考虑设备的性能、精度和成本
蚀刻工艺过程中的问题
• 蚀刻不均匀 • 蚀刻速度慢 • 设备腐蚀严重
解决策略
• 优化蚀刻工艺和参数 • 使用高性能的设备 • 采用环保的蚀刻方法和材料
蚀刻工艺的未来发展方向
• 未来发展方向 • 绿色生产 • 精细化蚀刻 • 高精度蚀刻
06
蚀刻工艺的安全与环保问题
蚀刻过程中的安全与 防护措施
• 安全与防护措施 • 佩戴防护装备 • 遵守安全操作规程 • 妥善处理蚀刻废液和废气
蚀刻设备的维护
• 定期检查设备的运行状态 • 及时处理设备故障
蚀刻液与蚀刻气的选择与应用
蚀刻液的选择
• 根据蚀刻材料和工艺选择合适的蚀刻液 • 考虑蚀刻液的浓度、温度和腐蚀性
蚀刻气的选择
• 根据蚀刻材料和工艺选择合适的蚀刻气 • 考虑蚀刻气的浓度、温度和腐蚀性
综述报告——刻蚀简介
微加工技术——刻蚀简介自从半导体诞生以来，很大程度上改变了人类的生产和生活。
半导体除了在计算机领域应用之外，还广泛地应用于通信、网络、自动遥控及国防科技领域。
本文主要介绍半导体制造工艺中的刻蚀工艺。
随着半导体制造大规模集成电路技术的发展，图形加工线条越来越细，硅片尺寸越来越大，对刻蚀工艺的要求也越来高。
因此，学习了解刻蚀工艺十分必要。
本文将主要从刻蚀简介、刻蚀参数及现象、干法刻蚀和湿法刻蚀四个方面进行论述。
1、刻蚀简介1.1 刻蚀定义及目的刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。
刻蚀的基本目的，是在涂光刻胶(或有掩膜)的硅片上正确的复制出掩膜图形[1]。
刻蚀，通常是在光刻工艺之后进行。
通过刻蚀，在光刻工艺之后，将想要的图形留在硅片上。
从这一角度而言，刻蚀可以被称之为最终的和最主要的图形转移工艺步骤。
在通常的刻蚀过程中，有图形的光刻胶层〔或掩膜层)将不受到腐蚀源显著的侵蚀或刻蚀，可作为掩蔽膜，保护硅片上的部分特殊区域，而未被光刻胶保护的区域，则被选择性的刻蚀掉。
其工艺流程示意图如下。
1.2 刻蚀的分类从工艺上分类的话，在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。
干法刻蚀，是利用气态中产生的等离子体，通过经光刻而开出的掩蔽层窗口，与暴露于等离子体中的硅片行物理和化学反应，刻蚀掉硅片上暴露的表面材料的一种工艺技术法[1]。
该工艺技术的突出优点在于，是各向异性刻蚀（侧向腐蚀速度远远小于纵向腐蚀速度，侧向几乎不被腐蚀），因此可以获得极其精确的特征图形。
超大规模集成电路的发展，要求微细化加工工艺能够严格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成极其精确的图形转移。
任何偏离工艺要求的图形或尺寸，都可能直接影响产品性能或品质，给生产带来无法弥补的损害。
由于干法刻蚀技术在图形转移上的突出表现，己成为亚微米尺寸下器件刻蚀的最主要工艺方法。
背硅刻蚀工艺
背硅刻蚀工艺
背硅刻蚀工艺是一种常用于集成电路制造中的工艺，它可以实现高精度的芯片结构制备。
下面将详细介绍背硅刻蚀工艺的原理及应用。
一、工艺原理
背硅刻蚀工艺是通过将硅片的背面进行刻蚀，以实现对芯片结构的精确控制。
刻蚀过程通常使用氢氟酸等化学物质进行，在特定温度和浓度条件下进行。
刻蚀液中的氢氟酸能够与硅片表面的硅氧化物反应，生成可溶解的氟化物，从而实现对硅片背面的刻蚀。
二、工艺步骤
1. 清洗：将硅片放入去离子水中进行清洗，去除表面的杂质和有机物。
2. 涂层：在硅片背面涂覆一层保护膜，以防止刻蚀液对芯片正面的影响。
3. 曝光：使用光刻技术将芯片正面的结构进行曝光，形成所需的图案。
4. 刻蚀：将硅片放入刻蚀设备中，浸泡在刻蚀液中进行刻蚀。
刻蚀液中的氢氟酸能够与硅片背面的硅氧化物反应，实现刻蚀。
5. 清洗：将刻蚀后的硅片进行清洗，去除刻蚀液残留物。
6. 去除保护膜：将硅片背面的保护膜去除，露出刻蚀后的芯片结构。
三、应用领域
背硅刻蚀工艺在集成电路制造中有着广泛的应用。
它可以实现对芯
片背面的结构制备，例如背面电极、背面通孔等。
同时，背硅刻蚀工艺还可用于形成背面反射层，提高光电器件的效率。
此外，背硅刻蚀工艺还可以用于刻蚀硅片背面的缺陷，提高硅片的质量。
背硅刻蚀工艺是一种重要的集成电路制造工艺，它可以实现对芯片背面结构的精确制备。
在当前的半导体技术发展中，背硅刻蚀工艺的应用将会越来越广泛。
通过不断优化工艺参数和设备性能，背硅刻蚀工艺将能够实现更高精度的芯片制备，推动集成电路技术的发展。
刻蚀选择比研究
查强
王瑗
Email：qzha2007@
Email：ywang2007@
TEL：62872627，62872517
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谢 谢
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附件
• IBE操作流程 装片 1 关闭真空计“POWER”开关。 2关闭工作台上的“主阀”按钮。 3 打开 “放气阀”按钮。 4 等待1分钟左右，待N2充满整个真空室后，打开真空室门板，关闭 “放 气阀”按钮。 5 粘片：将样品台中间区域均匀的涂上为样片大小薄薄一层“7501”硅脂， 用镊子夹住样片，将样片一边贴在硅脂上，慢慢地放下另一边，用镊 子按住样片一端，在硅脂上稍稍移动样片，以便赶走样片与硅脂之间 的气泡，使得样片与硅脂紧密粘在一起。（注意：如果用力过大，片 子可能会碎裂） 6 完成粘片操作后，关闭真空室门板。 7 关闭 “下道阀”按钮，打开 “上道阀”按钮，此时机械泵对真空室抽取真 空。等两分钟后，打开真空计“POWER”开关。 8待真空计上显示“9E-1”时,打开 “下道阀”按钮关闭第一组合单元上的“上 道阀”按钮。 9开启“主阀”，等待第三单元右边的真空计到达“5E-4”以下时，便可进行 下面的刻蚀操作了
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ICP刻蚀原理及设备
Oxford Plasma lab System 100 ICP 180
温控
真空
能量产生
气路
Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反 应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响. 将有毒气体及危险气体与超净室隔离开 24
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ICP刻蚀原理及设备
•ICP功率: 0-3000W •RF功率：0-1000W •压力范围: 1-100mT •加工范围：6寸 •工艺气体： Cl2,BCl3,HBr,CH4,He,O2, H2,N2
图形化衬底(PSS)
图形化衬底(PSS)刻蚀设备工艺研究进展时间：2012-02-28【字体：大中小】蓝宝石晶片目前广泛用作III-V族LED器件氮化物外延薄膜的衬底，然而由于氮化物和蓝宝石大的晶格失配和热膨胀系数的差别，使得在衬底上生长的氮化物材料位错和缺陷密度较大，影响了器件的发光效率和寿命。
图形化衬底(PSS)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。
但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
本文采用由北方微电子公司开发的EL EDE™330高密度等离子体ICP刻蚀机对PSS刻蚀工艺进行了研究，通过对刻蚀速率、选择比以及不同图形的刻蚀分析，取得了比较满意的工艺结果。
一、简介PSS(Patterned Sapphire Substrate)，也就是在蓝宝石衬底上生长干法刻蚀用掩膜，用标准的光刻工艺将掩膜刻出图形，利用ICP刻蚀技术刻蚀蓝宝石，并去掉掩膜，再在其上生长GaN材料，使GaN材料的纵向外延变为横向外延。
一方面可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小有源区的非辐射复合，减小反向漏电流，提高LED的寿命;另一方面有源区发出的光，经GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。
综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED大大提高，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。
随着LED领域工艺技术的发展，以及整个LED行业的迅速壮大，对GaN基LED器件PSS衬底的研究也逐渐增多。
如今各厂家纷纷采用PSS技术，以提高LED器件的光提取效率。
PSS的图形种类也较多，目前使用比较普遍的一种形貌类似圆锥形的图形，图形周期约为3μm，高度约为1.5μm。
本文主要针对这种图形做了一些刻蚀工艺研究，并根据刻蚀研究结果进行趋势性分析，同时也得到了一些其他图形的刻蚀结果。
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刻蚀工艺与设备培训
王瑗 纳米加工平台
2009.5
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刻蚀的基本原理
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IBE刻蚀原理及设备
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RIE刻蚀原理及设备
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ICP刻蚀原理及设备
5 工艺过程、检测及仪器
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刻蚀的基本原理
刻蚀
用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方 法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分 材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形
¾ 若工作腔室处于真空，须先放气然后再放入刻蚀样品。 进入真空室系统的样品或零件，绝对要求外部干净，尤其防止将水 和易挥发性的固体或液体带入系统，放好样品后，即可开始抽真空 刻蚀过程中密切关注监控系统，程序运行中不稳定情况，记录所有 参数（功率，气体流量等）
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5
工艺过程、检测及仪器
¾ 刻蚀后的检查 (1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle
• ICP Service模式权限很大，为避免误操作，仅限关闭真空装置时 操作
• 在手动模式下进行托盘定位时，一定要注射频源功率不宜设置过高,ICP小于2000W,RF小于500W
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ICP刻蚀原理及设备
加工过程中参数调节
温度 刻蚀速率，化学反应
扩散
反应
表面扩散
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RIE刻蚀原理及设备
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RIE刻蚀原理及设备
TEGAL PLASMA ETCHER, MODEL 903e
适用于150mm单片晶片上的SiO2和Si3N4的刻蚀； 刻蚀温度能控制在20－35度之间
主机
射频源
显示器
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RIE刻蚀原理及设备
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SiO2刻蚀 光刻胶掩膜 Profirle 85-90° 刻蚀均匀性 <+/-5%
80°±2°
90°±2°
75°90°±3 °
Controllabl e
90°±2°
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ICP刻蚀原理及设备
GaAs 刻蚀
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ICP刻蚀原理及设备
GaAs 穿孔刻蚀
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ICP刻蚀原理及设备
GaN刻蚀
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ICP刻蚀原理及设备
InP刻蚀
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ICP刻蚀原理及设备
ICP操作注意事项
• 小片刻蚀时需要在片子背面涂真空油脂，放片、取片过程中应尽 量避免油脂玷污片子图形表面，可用异丙醇擦除
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ICP刻蚀原理及设备
Oxford Plasma lab System 100 ICP 180
温控
真空
能量产生
气路
Wafers经由loadlock后再进出反应腔,确保反 应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响. 将有毒气体及危险气体与超净室隔离开
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ICP刻蚀原理及设备
•ICP功率: 0-3000W
刻蚀参数
选择比 同一刻蚀条件下，被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻 蚀速率的比。
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均匀性 衡量刻蚀工艺在整个晶片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力 的参数
NU(%) = (Emax - Emin)/ 2Eave
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刻蚀 1开启 “气体流量显示及控制”这一栏下方的截止阀，并将截止阀上方的开关拨向“阀控”，旋 其右方的旋钮根据需要设定Ar气的气体流量。（一般稳定在4.7Sccm） 2开启 “刻蚀时间显示及控制”在这一栏下方“旋转”与“冷却”按钮，并设定所需要的刻蚀时间。 3开启离子源开关，设定参数如下： 3.1调节“阴极”旋钮，使其上方的阴极电流量程表指示为5.5A-6A。 3.2调节“阳极”旋钮，直至起弧为止。（即阳极电流量程表有指数） 3.3调节“加速”旋钮，使其上方的加速电压量程表指数为180V。
3
1
刻蚀的基本原理
干法刻蚀过程示意
离子轰击
掩膜
衬底
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1
刻蚀的基本原理
刻蚀种类:
① 干法刻蚀 利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）
② 湿法刻蚀 利用腐蚀性液体将不要的材料去除
干法刻蚀工艺特点：
①好的侧壁剖面控制，即各向异性 ②良好的刻蚀选择性; 合适的刻蚀速率；好的片内均匀性 ③工艺稳定性好，适用于工业生产
典型刻蚀速率： PSG 6000Å/min 热氧化SiO2 4000 Å/min
选择比： SiO2: PR >5:1 SiO2: silicon/polysilicon >=10:1
2
Si3N4刻蚀
光刻胶掩膜
Profile 85-90°
刻蚀均匀性 <+/-5%
典型刻蚀速率： Si3N4 4000 Å/min PSG 6000 Å/min
功率 离子密度，离子能量
压力
离子密度，离子方向性，化学刻蚀
其他
气体流量，反应物材料，反应物洁净度，掩膜材料
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工艺过程、检测及仪器
¾ 刻蚀前的准备要点 操作者必须仔细认真阅读操作说明，并明确每个部件在刻蚀系统中 的作用 检查水、电、气是否接好，并打开电源，冷却循环水，N2及压缩空 气
¾ 检查所刻蚀的样品情况，掩膜厚度 光学显微镜-表面洁净度，粗糙度 SEM-掩膜形貌，表面粗糙度 膜厚仪/台阶仪/光学轮廓仪-掩膜/薄膜厚度
• 取片后用异丙醇擦去工件台上硅脂
• 抽真空次序不能错，开主阀前要确认真空度达到-1级
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RIE刻蚀原理及设备
反应离子刻蚀（RIE）刻蚀原理
一种采用化学反应和物理 离子轰击去除晶片表面材 料的技术
•刻蚀速率高、可控 •各向异性，形貌可控 •选择比高
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3
RIE刻蚀原理及设备
排放
分离
解吸
等离子体工艺
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4
ICP刻蚀原理及设备
RIE与ICP比较
RIE
离子密度低( ~109 ~1010/cm3)
离子密度与离子能量不能分别控制（ 离子密度大，离子能量也大） 离子能量低，刻蚀速率低
低压下刻蚀速率低
DC Bias高损伤大
选择比： Si3N4: PR >3:1 Si3N4: aluminum >100:1
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3
RIE刻蚀原理及设备
RIE 操作注意事项
• 初始设置为6寸片刻蚀，必须放在两侧片架里，左侧进 片，右侧出片
• 每次程序运行前要将两边片架重新手动定位
• 射频源功率不宜设置过高，小于500W
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ICP刻蚀原理及设备
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2
IBE刻蚀原理及设备
IBE-A150设备
离子源
真空室
分子泵
冷却水
电控柜
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2
IBE刻蚀原理及设备
IBE相关刻蚀数据
离子能量：350eV
材料 刻蚀速率 nm/min
Ni 17-18 SiO2 17-18 Ge 33-34 Si 17-18
材料
Ti Al TiN GaAs
刻蚀速率 nm/min 7-8 15-16 5-6 35-40
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刻蚀的基本原理
刻蚀剖面 被刻蚀图形的侧壁形状
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各向异性：刻蚀只在垂直于晶 片表面的方向进行
各向同性：在所有方 向上以相同的刻蚀速 率进行刻蚀
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IBE刻蚀原理及设备
离子束刻蚀（IBE)原理
• 离子束刻蚀是利用具有一定能量 的离子轰击材料表面，使材料原 子发生溅射，从而达到刻蚀目的
用镊子夹住样片，将样片一边贴在硅脂上，慢慢地放下另一边，用镊 子按住样片一端，在硅脂上稍稍移动样片，以便赶走样片与硅脂之间 的气泡，使得样片与硅脂紧密粘在一起。（注意：如果用力过大，片 子可能会碎裂） 6 完成粘片操作后，关闭真空室门板。 7 关闭 “下道阀”按钮，打开 “上道阀”按钮，此时机械泵对真空室抽取真 空。等两分钟后，打开真空计“POWER”开关。 8待真空计上显示“9E-1”时,打开 “下道阀”按钮关闭第一组合单元上的“上 道阀”按钮。 9开启“主阀”，等待第三单元右边的真空计到达“5E-4”以下时，便可进行 下面的刻蚀操作了
ICP
离子密度高 (>1011/cm3)（刻蚀速率 高） 离子密度由ICP功率控制，离子能 量由RF功率控制
在低离子能量下可控离子流量达到 高刻蚀速率（形貌控制）
低压下由于高离子流量从而维持高 刻蚀速率 低DC bias损伤小
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3.4调节“屏栅”旋钮，使“离子能量”显示为所需要的数值。（此时加速电压可能会有 波动，再次适当调节“加速”旋钮和“屏栅”旋钮，使其加速电压和离子能量达到所需要 的数值）。 3.5调节“阴极”和“阳极”旋钮，使得 “离子束流”显示为所需要的数值，同时要保证阳 极电压量程表指示数为45V左右。（因为各电源之间有关联，调节过程需要配合进 行） 3.6调节“中和”旋钮，使得 “中和电流”显示为所需要的数值。（中和电流一般为离子 束流的1.3---1.5倍之间） 4参数设定完毕后，开启 “时控”按钮，此时，载片台上方的挡板移开，刻蚀开始， 如果需要一定的入射角进行刻蚀，可以旋转门板上的手柄，使其载片台旋转至所需 要的角度。 5按所规定的时间刻蚀完毕后，关闭 “时控”按钮，此时，载片台上方的挡板又重新 回到片子的上方了。（注意：如果刻蚀过程中，载片台有一定的角度，则在挡板重 新回到片子上方前一定要将载片台扳到原来的0度，以免挡板与载片台相撞）