微电子专业英语

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微电子专业英语

微电子学专业词汇

A

be absorb in 集中精力做某事

access control list 访问控制表

active attack 主动攻击

activeX control ActiveX控件

advanced encryption standard AES,高级加密标准

algorithm 算法

alteration of message 改变消息

application level attack 应用层攻击

argument 变量

asymmetric key cryptography 非对称密钥加密

attribute certificate属性证书

authentication 鉴别

authority 机构

availability 可用性

Abrupt junction 突变结

Accelerated testing 加速实验

Acceptor 受主

Acceptor atom 受主原子

Accumulation 积累、堆积

Accumulating contact 积累接触

Accumulation region 积累区

Accumulation layer 积累层

Active region 有源区

Active component 有源元

Active device 有源器件

Activation 激活

Activation energy 激活能

Active region 有源(放大)区

Admittance 导纳

Allowed band 允带

Alloy-junction device 合金结器件

Aluminum(Aluminium) 铝

Aluminum – oxide 铝氧化物

Aluminum passivation 铝钝化

Ambipolar 双极的

Ambient temperature 环境温度

Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器

Angstrom 埃

Anneal 退火

Anisotropic 各向异性的

Anode 阳极

Arsenic (AS) 砷

Auger 俄歇

Auger process 俄歇过程

Avalanche 雪崩

Avalanche breakdown 雪崩击穿

Avalanche excitation 雪崩激发

B

brute-force attack 强力攻击

Background carrier 本底载流子

Background doping 本底掺杂

Backward 反向

Backward bias 反向偏置

Ballasting resistor 整流电阻

Ball bond 球形键合

Band 能带

Band gap 能带间隙

Barrier 势垒

Barrier layer 势垒层

Barrier width 势垒宽度

Base 基极

Base contact 基区接触

Base stretching 基区扩展效应

Base transit time 基区渡越时间

Base transport efficiency 基区输运系数

Base-width modulation 基区宽度调制 Basis vector 基矢Bias 偏置

Bilateral switch 双向开关

Binary code 二进制代码

Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的

Bipolar Junction Transistor (BJT) 双极晶体管

Bloch 布洛赫

Blocking band 阻挡能带

Blocking contact 阻挡接触

Body - centered 体心立方

Body-centred cubic structure 体立心结构

Boltzmann 波尔兹曼

Bond 键、键合

Bonding electron 价电子

Bonding pad 键合点

Bootstrap circuit 自举电路

Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼

Borosilicate glass 硼硅玻璃

Boundary condition 边界条件

Bound electron 束缚电子

Breadboard 模拟板、实验板

Break down 击穿

Break over 转折

Brillouin 布里渊

Brillouin zone 布里渊区

Built-in 内建的

Build-in electric field 内建电场

Bulk 体 / 体内

Bulk absorption 体吸收

Bulk generation 体产生

Bulk recombination 体复合

Burn - in 老化

Burn out 烧毁

Buried channel 埋沟

Buried diffusion region 隐埋扩散区

C

Caesar cipher 凯撒加密法

capacitance 电容

capture

categorize 分类

chaining mode 链接模式

challenge 质询

cipher feedback 加密反馈

collision 冲突

combine 集成

compatibility n.[计]兼容性

component 原件

confidentiality 保密性

constraint 约束

corresponding to 相应的

Cryptography 密码学

Can 外壳 Capacitance 电容

Capture cross section 俘获截面

Capture carrier 俘获载流子

Carrier 载流子、载波

Carry bit 进位位

Carry-in bit 进位输入

Carry-out bit 进位输出

Cascade 级联

Case 管壳

Cathode 阴极

Center 中心

Ceramic 陶瓷(的)

Channel 沟道

Channel breakdown 沟道击穿

Channel current 沟道电流

Channel doping 沟道掺杂

Channel shortening 沟道缩短

Channel width 沟道宽度

Characteristic impedance 特征阻抗

Charge 电荷、充电

Charge-compensation effects 电荷补偿效应

Charge conservation 电荷守恒

Charge neutrality condition 电中性条件

Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动 / 交换 / 共享/ 转移 / 存储

Chemmical etching 化学腐蚀法

Chemically-Polish 化学抛光

Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光

Chip 芯片

Chip yield 芯片成品率

Clamped 箝位

Clamping diode 箝位二极管

Cleavage plane 解理面

Clock rate 时钟频率

Clock generator 时钟发生器

Clock flip-flop 时钟触发器

Close-packed structure 密堆积结构

Close-loop gain 闭环增益

Collector 集电极

Collision 碰撞

Compensated OP-AMP 补偿运放

Common-base/collector/emitter connection 共基极 / 集电极 / 发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅 / 漏 / 源连接

Common-mode gain 共模增益

Common-mode input 共模输入

Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比

Compatibility 兼容性

Compensation 补偿

Compensated impurities 补偿杂质

Compensated semiconductor 补偿半导体

Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路

Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 互补金属氧化物半导体场效应晶体管

Complementary error function 余误差函数

Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导

Conduction band (edge) 导带 ( 底 ) Conduction level/state 导带态Conductor 导体

Conductivity 电导率

Configuration 组态

Conlomb 库仑

Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数

Constant energy surface 等能面

Constant-source diffusion 恒定源扩散

Contact 接触 Contamination 治污

Continuity equation 连续性方程

Contact hole 接触孔

Contact potential 接触电势

Continuity condition 连续性条件

Contra doping 反掺杂

Controlled 受控的

Converter 转换器

Conveyer 传输器

Copper interconnection system 铜互连系统

Couping 耦合

Covalent 共阶的

Crossover 跨交

Critical 临界的

Crossunder 穿交

Crucible 坩埚

Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷 / 晶面 / 晶向 / 晶格Current density 电流密度

Curvature 曲率

Cut off 截止

Current drift/dirve/sharing 电流漂移 / 驱动 / 共享

Current Sense 电流取样

Curvature 弯曲

Custom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶

Czochralski technique 切克劳斯基技术( Cz 法直拉晶体 J )

D

dedicate 专用的,单一的

denial of service(DOS)拒绝服务攻击

diffusion 扩散

digital signature algorithm 数字签名算法

dynamic 动态的

Dangling bonds 悬挂键

Dark current 暗电流

Dead time 空载时间

Debye length 德拜长度

De.broglie 德布洛意

Decderate 减速

Decibel (dB) 分贝

Decode 译码

Deep acceptor level 深受主能级

Deep donor level 深施主能级

Deep impurity level 深度杂质能级

Deep trap 深陷阱

Defeat 缺陷

Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度

Degradation 退化

Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏 / 开氏温度

Delay 延迟

Density 密度

Density of states 态密度

Depletion 耗尽

Depletion approximation 耗尽近似

Depletion contact 耗尽接触

Depletion depth 耗尽深度

Depletion effect 耗尽效应

Depletion layer 耗尽层

Depletion MOS 耗尽 MOS

Depletion region 耗尽区

Deposited film 淀积薄膜

Deposition process 淀积工艺

Design rules 设计规则

Die 芯片(复数 dice )

Diode 二极管

Dielectric 介电的

Dielectric isolation 介质隔离

Difference-mode input 差模输入

Differential amplifier 差分放大器

Differential capacitance 微分电容

Diffused junction 扩散结

Diffusion 扩散

Diffusion coefficient 扩散系数

Diffusion constant 扩散常数

Diffusivity 扩散率

Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容 / 势垒 / 电流

/ 炉

Digital circuit 数字电路

Dipole domain 偶极畴

Dipole layer 偶极层

Direct-coupling 直接耦合

Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体

Direct transition 直接跃迁

Discharge 放电

Discrete component 分立元件

Dissipation 耗散

Distribution 分布

Distributed capacitance 分布电容

istributed model 分布模型

Displacement 位移

Dislocation 位错

Domain 畴

Donor 施主

Donor exhaustion 施主耗尽

Dopant 掺杂剂

Doped semiconductor 掺杂半导体

oping concentration 掺杂浓度

Double-diffusive MOS(DMOS) 双扩散 MOS. Drift 漂移

Drift field 漂移电场

Drift mobility 迁移率

Dry etching 干法腐蚀

Dry/wet oxidation 干 / 湿法氧化

Dose 剂量

Duty cycle 工作周期

Dual-in-line package ( DIP )双列直插式封装

Dynamics 动态

Dynamic characteristics 动态属性

Dynamic impedance 动态阻抗

E

expertise 专长

extractor

Early effect 厄利效应

Early failure 早期失效

Effective mass 有效质量

Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系

Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器

Electrode 电极

Electrominggratim 电迁移

Electron affinity 电子亲和势

Electronic -grade 电子能

Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光

Electron gas 电子气

Electron-grade water 电子级纯水

Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的

Element 元素 / 元件 / 配件

Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆

Ellipsoid 椭球

Emitter 发射极

Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器

Empty band 空带

Emitter crowding effect 发射极集边(拥挤)效应

Endurance test =life test 寿命测试

Energy state 能态

Energy momentum diagram 能量 - 动量

(E-K) 图 Enhancement mode 增强型模式

Enhancement MOS 增强性

MOS Entefic ( 低 ) 共溶的

Environmental test 环境测试

Epitaxial 外延的

Epitaxial layer 外延层

Epitaxial slice 外延片

Expitaxy 外延

Equivalent curcuit 等效电路

Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数 / 少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM) 可搽取(编程)存储器

Error function complement 余误差函数

Etch 刻蚀

Etchant 刻蚀剂

Etching mask 抗蚀剂掩模

Excess carrier 过剩载流子

Excitation energy 激发能

Excited state 激发态

Exciton 激子

Extrapolation 外推法

Extrinsic 非本征的

Extrinsic semiconductor 杂质半导体

F

fabrication 伪造

fleshed out

Face - centered 面心立方

Fall time 下降时间

Fan-in 扇入

Fan-out 扇出

Fast recovery 快恢复

Fast surface states 快界面态

Feedback 反馈

Fermi level 费米能级

Fermi-Dirac Distribution 费米 - 狄拉克布Femi potential 费米势

Fick equation 菲克方程(扩散)

Field effect transistor 场效应晶体管

Field oxide 场氧化层

Filled band 满带

Film 薄膜

Flash memory 闪烁存储器

Flat band 平带

Flat pack 扁平封装

Flicker noise 闪烁(变)噪声

Flip-flop toggle 触发器翻转

Floating gate 浮栅

Fluoride etch 氟化氢刻蚀

Forbidden band 禁带

Forward bias 正向偏置

Forward blocking /conducting 正向阻断 / 导通Frequency deviation noise 频率漂移噪声Frequency response 频率响应

Function 函数

G

grid

Gain 增益

Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾

Gamy ray r 射线

Gate 门、栅、控制极

Gate oxide 栅氧化层

Gauss ( ian )高斯

Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生 - 复合Geometries 几何尺寸

Germanium(Ge) 锗

Graded 缓变的

Graded (gradual) channel 缓变沟道

Graded junction 缓变结

Grain 晶粒

Gradient 梯度

Grown junction 生长结

Guard ring 保护环

Gummel-Poom model 葛谋 - 潘模型

Gunn - effect 狄氏效应

H

handle 处理

hierarchical 层次

Hardened device 辐射加固器件

Heat of formation 形成热

Heat sink 散热器、热沉

Heavy/light hole band 重/轻空穴带

Heavy saturation 重掺杂

Hell - effect 霍尔效应

Heterojunction 异质结

Heterojunction structure 异质结结构

Heterojunction Bipolar Transistor ( HBT )异质结双极型晶体High field property 高场特性

High-performance MOS.( H-MOS) 高性能 MOS.

Hormalized 归一化

Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器

Hot carrior 热载流子

Hybrid integration 混合集成

I

implement

inductance 电感

initialization vector IV初始化向量

integrity完整性

interception 截获

interruption中断

Image - force 镜象力

Impact ionization 碰撞电离

Impedance 阻抗

Imperfect structure 不完整结构

Implantation dose 注入剂量

Implanted ion 注入离子

Impurity 杂质

Impurity scattering 杂志散射

Incremental resistance 电阻增量(微分电阻)

In-contact mask 接触式掩模

Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道

Infrared 红外的

Injection 注入

Input offset voltage 输入失调电压

Insulator 绝缘体

Insulated Gate FET(IGFET) 绝缘栅

FET Integrated injection logic 集成注入逻辑

Integration 集成、积分

Interconnection 互连

Interconnection time delay 互连延时

Interdigitated structure 交互式结构

Interface 界面

Interference 干涉

International system of unions 国际单位制

Internally scattering 谷间散射

Interpolation 内插法

Intrinsic 本征的

Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作Inversion 反型

Inverter 倒相器

Ion 离子

Ion beam 离子束

Ion etching 离子刻蚀

Ion implantation 离子注入

Ionization 电离

Ionization energy 电离能

Irradiation 辐照

Isolation land 隔离岛

Isotropic 各向同性

J

java applet Java小程序

Junction FET(JFET) 结型场效应管

Junction isolation 结隔离

Junction spacing 结间距

Junction side-wall 结侧壁

K

key wrapping 密钥包装

L

Latch up 闭锁

Lateral 横向的

Lattice 晶格

Layout 版图

Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力 / 晶胞 / 晶格 / 晶格常熟 / 晶格缺陷 / 晶格畸变

Leakage current (泄)漏电流

Level shifting 电平移动

Life time 寿命

linearity 线性度

Linked bond 共价键

Liquid Nitrogen 液氮

Liquid - phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻

Light Emitting Diode(LED) 发光二极管

Load line or Variable 负载线

Locating and Wiring 布局布线

Longitudinal 纵向的

Logic swing 逻辑摆幅

Lorentz 洛沦兹

Lumped model 集总模型

M

masquerade伪装

message digest 消息摘要

modification 修改

multidrop 多站, 多支路

Majority carrier 多数载流子

Mask 掩膜板,光刻板

Mask level 掩模序号

Mask set 掩模组

Mass - action law 质量守恒定律

Master-slave D flip-flop 主从 D 触发器

Matching 匹配

Maxwell 麦克斯韦

Mean free path 平均自由程

Meandered emitter junction 梳状发射极结

Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间

Megeto - resistance 磁阻

Mesa 台面

MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体 FET

Metallization 金属化

Microelectronic technique 微电子技术

Microelectronics 微电子学

Millen indices 密勒指数

Minority carrier 少数载流子

Misfit 失配

Mismatching 失配

Mobile ions 可动离子

Mobility 迁移率

Module 模块

Modulate 调制

Molecular crystal 分子晶体

Monolithic IC 单片 IC

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管

Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管 Multiplication 倍增

Modulator 调制

Multi-chip IC 多芯片 IC

Multi-chip module(MCM) 多芯片模块 Multiplication coefficient 倍增因子

N

network level attack网络层攻击

non-repudiation 不可抵赖

Naked chip 未封装的芯片(裸片)

Negative feedback 负反馈

Negative resistance 负阻

Nesting 套刻

Negative-temperature-coefficient 负温度系数

Noise margin 噪声容限

Nonequilibrium 非平衡

Nonrolatile 非挥发(易失)性Normally off/on 常闭/ 开Numerical analysis 数值分析

O

optimize 使最优化

Occupied band 满带

Officienay 功率

Offset 偏移、失调

On standby 待命状态

Ohmic contact 欧姆接触

Open circuit 开路

Operating point 工作点

Operating bias 工作偏置

Operational amplifier (OPAMP) 运算放大器

Optical photon =photon 光子

Optical quenching 光猝灭

Optical transition 光跃迁

Optical-coupled isolator 光耦合隔离器

Organic semiconductor 有机半导体

Orientation 晶向、定向

Outline 外形

Out-of-contact mask 非接触式掩模

Output characteristic 输出特性

Output voltage swing 输出电压摆幅

Overcompensation 过补偿

Over-current protection 过流保护

Over shoot 过冲

Over-voltage protection 过压保护

Overlap 交迭

Overload 过载

Oscillator 振荡器

Oxide 氧化物

Oxidation 氧化

Oxide passivation 氧化层钝化

P

parallel

parasitic 寄生的

partition [简明英汉词典]n.分割, 划分, 瓜分, 分开, 隔离物vt.区分, 隔开, 分割

presentation n.介绍, 陈述, 赠送, 表达

primitive

private

probably

proceeding

profound

property

pseudocollision伪冲突

Package 封装

Pad 压焊点

Parameter 参数

Parasitic effect 寄生效应

Parasitic oscillation 寄生振荡

Passination 钝化

Passive component 无源元件

Passive device 无源器件

Passive surface 钝化界面

Parasitic transistor 寄生晶体管

Peak-point voltage 峰点电压

Peak voltage 峰值电压

Permanent-storage circuit 永久存储电路

Period 周期

Periodic table 周期表

Permeable - base 可渗透基区

Phase-lock loop 锁相环

Phase drift 相移

Phonon spectra 声子谱

Photo conduction 光电导

Photo diode 光电二极管

Photoelectric cell 光电池

Photoelectric effect 光电效应

Photoenic devices 光子器件

Photolithographic process 光刻工艺

(photo) resist (光敏)抗腐蚀剂

Pin 管脚

Pinch off 夹断

Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎(效应)Planar process 平面工艺

Planar transistor 平面晶体管

Plasma 等离子体

Plezoelectric effect 压电效应

Poisson equation 泊松方程

Point contact 点接触

Polarity 极性

Polycrystal 多晶

Polymer semiconductor 聚合物半导体

Poly-silicon 多晶硅

Potential ( 电 ) 势 Potential barrier 势垒Potential well 势阱

Power dissipation 功耗

Power transistor 功率晶体管

Preamplifier 前置放大器

Primary flat 主平面

Principal axes 主轴

Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率

Probe 探针

Process 工艺

Propagation delay 传输延时

Pseudopotential method 膺势发

Punch through 穿通

Pulse triggering/modulating 脉冲触发 / 调制Pulse Widen Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通

Push-pull stage 推挽级

Q

Quality factor 品质因子

Quantization 量子化

Quantum 量子

Quantum efficiency 量子效应

Quantum mechanics 量子力学

Quasi – Fermi - level 准费米能级Quartz 石英

R

release of message contents发布消息内容register 寄存器

registration 注册, 报到, 登记

resistance 电阻

routing

running key cipher 运动密钥加密法Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤

Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固

Radiation protection 辐射保护

Radiative - recombination 辐照复合Radioactive 放射性

Reach through 穿通

Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管

Recombination 复合

Recovery diode 恢复二极管

Reciprocal lattice 倒核子

Recovery time 恢复时间

Rectifier 整流器(管)

Rectifying contact 整流接触

Reference 基准点基准参考点

Refractive index 折射率

Register 寄存器

Registration 对准

Regulate 控制调整

Relaxation lifetime 驰豫时间

Reliability 可*性

Resonance 谐振

Resistance 电阻

Resistor 电阻器

Resistivity 电阻率

Regulator 稳压管(器)

Relaxation 驰豫

Resonant frequency 共射频率

Response time 响应时间

Reverse 反向的

Reverse bias 反向偏置

S

scratch

scratchpad 缓存

secret 密钥

substrate 衬底

synchronize

synthesize

symmetric key cryptography 对称密钥加密sophisticate 复杂的

suspend 悬挂,延缓

Sampling circuit 取样电路

Sapphire 蓝宝石( Al2O3 )

Satellite valley 卫星谷

Saturated current range 电流饱和区Saturation region 饱和区

Saturation 饱和的

Scaled down 按比例缩小

Scattering 散射

Schockley diode 肖克莱二极管

Schottky 肖特基

Schottky barrier 肖特基势垒

Schottky contact 肖特基接触

Schrodingen 薛定厄

Scribing grid 划片格

Secondary flat 次平面

Seed crystal 籽晶

Segregation 分凝

Selectivity 选择性

Self aligned 自对准的

Self diffusion 自扩散

Semiconductor 半导体

Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度

Serial 串行 / 串联

Series inductance 串联电感

Settle time 建立时间

Sheet resistance 薄层电阻

Shield 屏蔽

Short circuit 短路

Shot noise 散粒噪声

Shunt 分流

Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号

Silica glass 石英玻璃

Silicon 硅

Silicon carbide 碳化硅

Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须

Simple cubic 简立方

Single crystal 单晶

Sink 沉

Skin effect 趋肤效应

Snap time 急变时间

Sneak path 潜行通路

Sulethreshold 亚阈的

Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路

Solid Solubility 固溶度

Sonband 子带

Source 源极

Source follower 源随器

Space charge 空间电荷

Specific heat(PT) 热

Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的

Spin 自旋

Split 分裂

Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射

Stacking fault 层错

Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间

Stress 应力

Straggle 偏差

Sublimation 升华

Substrate 衬底

Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格

Supply 电源

Surface 表面

Surge capacity 浪涌能力

Subscript 下标

Switching time 开关时间

Switch 开关

T

token 令牌

trace 追溯

traffic analysis 分析通信量

Trojan horse 特洛伊木马

Tailing 扩展

Terminal 终端

Tensor 张量

Tensorial 张量的

Thermal activation 热激发

Thermal conductivity 热导率

Thermal equilibrium 热平衡

Thermal Oxidation 热氧化

Thermal resistance 热阻

Thermal sink 热沉

Thermal velocity 热运动

Thermoelectricpovoer 温差电动势率

Thick-film technique 厚膜技术

Thin-film hybrid IC 薄膜混合集成电路

Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体 Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管

Transconductance 跨导

Transfer characteristic 转移特性

Transfer electron 转移电子

Transfer function 传输函数

Transient 瞬态的

Transistor aging(stress) 晶体管老化

Transit time 渡越时间

Transition 跃迁

Transition-metal silica 过度金属硅化物

Transition probability 跃迁几率

Transition region 过渡区

Transport 输运

Transverse 横向的

Trap 陷阱

Trapping 俘获

Trapped charge 陷阱电荷

Triangle generator 三角波发生器

Triboelectricity 摩擦电

Trigger 触发

Trim 调配调整

Triple diffusion 三重扩散

Truth table 真值表

Tolerahce 容差

Tunnel(ing) 隧道(穿)

Tunnel current 隧道电流

Turn over 转折

Turn - off time 关断时间

U

Ultraviolet 紫外的

Unijunction 单结的

Unipolar 单极的

Unit cell 原(元)胞

Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch 单向开关

V

variety

vector

verify 检验

victory

vertical

via 通孔

virus 病毒

Vacancy 空位

Vacuum 真空

Valence(value) band 价带

Value band edge 价带顶

Valence bond 价键

Vapour phase 汽相

Varactor 变容管

Varistor 变阻器

Vibration 振动

Voltage 电压

W

Worm 蠕虫

Wafer 晶片

Wave equation 波动方程

Wave guide 波导

Wave number 波数

Wave-particle duality 波粒二相性

微电子技术在医学中的应用

微电子技术在医学中的应用 随着科技的迅速发展,和医疗水平息息相关的电子技术应用也越来越广泛。微电子技术的发展大大方便了人们的生活,随着微电子技术的发展,生物医学也在快速的发展,微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路,在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。微电子技术与生物医学之间有着非常紧密的联系。 生物医学电子学是由微电子学、生物和医学等多学科交叉的边缘科学,为使得生物医学领域的研究方式更加精确和科学,所以将电子学用于生物医学领域。在生物医学与电子学交叉作用部分中最活跃、最前沿、作用力最大的一项关键技术就是微电子技术。特别是随着集成电路集成度的提高和超大规模集成电路的发展,元件尺寸达到分子级,进入了分子电子学时代,用有机化合物低分子、高分子和生物分子作芯片,它们具有识别、采集、记忆、放大、开关、传导等功能,更大大促进了医学电子学的发展。 以下将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 一、生物医学传感器 生物医学传感器是连接生物医学和电子学的桥梁。它的作用是把人体中和生物体包含的生命现象、性质、状态、成分和变量等生理信息转化为与之有确定函数关系的电子信息。生物医学传感器技术是生物医学电子学中一项关键的技术,是发展生物技术必不可少的一种先进的检测方法与监控方法,也是物质分子水平的快速、微量分析方法。因为生物传感器专一、灵敏、响应快等特点,为基础医学研究及临床诊断提供了一种快速简便的新型方法,在临床医学中发挥着越来越大的作用,意义极为重大。 常见的生物医学传感器主要可分为以下几种:电阻式传感器,电感式传感器,电容式传感器,压电式传感器,热电式传感器,光电传感器以及生物传感器等。 医学领域的生物传感器发挥着越来越大的作用。在临床医学中,酶电极是最早研制且应用最多的一种传感器。利用具有不同生物特性的微生物代替酶,可制成微生物传感器,广泛应用于:药物分析、肿瘤监测、血糖分析等。 生物医学传感器相较于传统医疗方式具有以下特点: 1、生物传感器采用固定化生物活性物质作催化剂,价值昂贵的试剂可以重复多次使用,克服了过去酶法分析试剂费用高和化学分析繁琐复杂的缺点。因此,这一技成本低,在连续使用时,每例测定仅需要几分钱人民币,术在很大程度上减轻病患医疗费用上的负担。

微电子专业英语

微电子学专业词汇 A be absorb in 集中精力做某事 access control list 访问控制表 active attack 主动攻击 activeX control ActiveX控件 advanced encryption standard AES,高级加密标准 algorithm 算法 alteration of message 改变消息 application level attack 应用层攻击 argument 变量 asymmetric key cryptography 非对称密钥加密 attribute certificate属性证书 authentication 鉴别 authority 机构 availability 可用性 Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火

微电子技术及其应用

微电子技术及其应用 041050107陈立 一、微电子技术简介 如今,世界已经进入信息时代,飞速发展的信息产业是这个时代的特征。而微电子技术制造的芯片则是大量信息的载体,它不仅可以储存信息,还能处理和加工信息。因此,微电子技术在如今已是不可或缺的生活和生产要素。 微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。 作为电子学的分支学科,它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用,并利用它实现信号处理功能的科学,以实现电路的系统和集成为目的,实用性强。微电子学又是信息领域的重要基础学科,在这一领域上,微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学,是研究信息获取的科学,构成了信息科学的基石,其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。 微电子学是一门综合性很强的边缘学科,其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容;涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。 微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体(智能化)、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标,是微电子技术迅速发展的动力。 微电子学渗透性强,其他学科结合产生出了一系列新的交叉学科。微机电系统、生物芯片就是这方面的代表,是近年来发展起来的具有广阔应用前景的新技术。 二、微电子技术核心—-集成电路技术 集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”。 集成电路的分类 1.按功能结构分类 集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等),其输入信号和输出信号成

微电子专业英语词汇

A Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源(放大)区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的,非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation 雪崩激发B brute-force attack 强力攻击Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency 基区输 运系数 Base-width modulation 基区宽度 调制Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT) 双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体 立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自 举射极跟随器 Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿 Break over 转折 Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/ 体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散 区 C Caesar cipher 凯撒加密法 capacitance 电容 capture categorize 分类 chaining mode 链接模式 challenge 质询 cipher feedback 加密反馈 collision 冲突 combine 集成 compatibility n.[计]兼容性 component 原件 confidentiality 保密性 constraint 约束 corresponding to 相应的 Cryptography 密码学 Can 外壳Capacitance 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case 管壳 Cathode 阴极 Center 中心 Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻 抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电 荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中 性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/st 1

微电子中英文专业词汇

Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium)铝 Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS)砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管

聚酰亚胺在微电子领域的应用及研究进展 王正芳

聚酰亚胺在微电子领域的应用及研究进展王正芳 发表时间:2019-10-23T14:56:28.063Z 来源:《电力设备》2019年第10期作者:王正芳张馨予 [导读] 摘要:随着科技的深入发展,半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。 (天津环鑫科技发展有限公司天津市 30000) 摘要:随着科技的深入发展,半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。微电子工业的发展,除了设计、加工等本身技术的不断更新外,各种与之配套的材料的发展也有着十分重要的支撑作用。电子产品的轻量化、高性能化和多功能化使得其对高分子材料的要求也越来越高。聚酰亚胺(PI)可以说是目前电子化学品中最有发展前途的有机高分子材料之一。其优异的综合性能可满足微电子工业对材料的苛刻要求,因此得到了广泛的重视。 关键词:聚酰亚胺;PI薄膜;应用 信息产业的迅速发展除了技术的不断更新外,各种配套材料的发展同样占据着十分重要的地位。为微电子工业配套的专用化学材料通常称为“电子化学品”,其主要包括集成电路和分立器件用化学品、印刷电路板配套化学品、表面组装用化学品和显示器件用化学品等。电子化学品具有质量要求高、用量少、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更新换代快等特点。同时PI具有比无机介电材料二氧化硅、氮化硅更好的成膜性能和力学性能,对常用的硅片、金属和介电材料有很好的粘结性能,聚酰亚胺(PI)薄膜具有良好的耐高低温性能、环境稳定性、力学性能以及优良的介电性能,在众多基础工业与高技术领域中均得到广泛应用。 一、PI发展及在微电子领域的应用 截至目前,PI已经成为耐热芳杂环高分子中应用最为广泛的材料之一,其大类品种就有20多种,较为著名的生产厂家包括通用电气公司GE、美国石油公司等,由于具有很好的热力学稳定性、机械性能及电性能,PI被广泛应用于半导体及微电子行业。可以说,微电子产业的发展水平,离不开PI材料的贡献。PI主要的应用包括下面方面。 1、α粒子的屏蔽层航空航天、军用集成电路在辐射环境中,遭受射线辐射后会发生性能劣化或失效,进而导致仪器设备的失控,因此其抗辐射的性能非常重要。高纯度(低杂质)的PI涂层是一种重要的耐辐射遮挡材料。在元器件外壳涂覆PI遮挡层,可有效防止由微量放射性物质释放的射线而造成的存储器错误。 2、元器件的金属层间介质以及先进封装的再布线技术材料。PI在微电子领域的很多应用,都是出于其优良的综合性能而不是单一特性,某些类似的应用可以发生在不同的领域中,一些应用情况也可以有多重的目的以及名称,因此在介绍文章的描述中,容易产生混乱。由于PI较低的介电常数减少电路时延和串扰,与其他材料的较好的粘附性防止脱离,常用金属材料在其中较低的扩散可靠性,挥发放气极低,以及良好的成膜和填平性,因此可作为多层金属互联结构的层间介质材料(ILD),缓和应力,提高集成电路的速度、集成度和可靠性。类似的考虑也导致其作为先进封装的再布线RDL技术的首选介质材料,用于一般晶圆级的封装WLP中的扇入(Fan-in)和扇出(Fan-out)技术,以及多芯片组件(MCM)等技术中的再布线工艺。 3、微电子器件的钝化层\缓冲\填充\保护层。PI涂层作为钝化层,可有效地改善界面状况,阻滞电子迁移、降低漏电流,防止后序工艺和使用过程中的机械刮擦和表面污染,也可有效地增加元器件的抗潮湿能力。作为缓冲层(Stress Buffer)可有效地降低由于热应力和机械应力引起的电路崩裂断路。单层PI膜,往往同时起到化学钝化、机械保护、空间填充/平坦化的多重功能。此外,PI在微电子产业中的重要潜在应用还有:生物微电极(良好的生物相容性),以及光电材料(波导、开关器件),微电机(MEMS)工艺材料等。这些都是目前发展十分迅速的新兴技术领域,预示着这种介质材料的光明市场前景。尽管PI材料在微电子领域的市场前景十分广阔,且该领域与其他传统材料领域的也有很大不同,体现在初期体量小成本高,对材料的性能质量要求苛刻,而且呈现多样性特点,比如希望进一步降低介电常数,提高/降低玻璃化转变温度,降低吸水率等。在技术方面,它还面临着其他类似材料比如苯并环丁烯(BCB)聚合物,聚苯并唑(PBO)等的激烈竞争。 4、含氟PI在光波导材料中的应用。近年来,关于聚合物光波导材料的开发研究日益受到人们的重视。与传统的无机光波导材料相比,有机聚合物光波导材料具有如下特点:(1)较高的电光耦合系数;较低的介电常数;较短的响应时间和较小的热损耗;(2)加工工艺简单经济,无须高温加热处理,只要通过匀胶、光刻等工艺即可制得复杂的光电集成器件,而且器件具有轻巧、机械性能好的特点,适用于制作大型光学器件和挠性器件。目前研究较多的聚合物光波导材料包括氟代、氘代的聚甲基丙烯酸甲酯、含氟聚酰亚胺、含氟聚芳醚以及聚硅氧烷等[1]。含氟聚酰亚胺不仅具有传统聚酰亚胺材料所具有的耐高温、耐腐蚀、机械性能优良等性质,而且还具有溶解性能优异、低介电常数、低吸水率、低热膨胀系数等特性,因此非常适于制造光波导材料。 5、含氟PI在非线性光学材料中的应用。常用的非线性光学材料包括无机材料,如铌酸锂(LiNbO3)和有机聚合物材料,如聚酰亚胺等。聚合物作为非线性光学材料具有比无机材料更为明显的非线性光学效应、更快的响应速度以及低得多的介电常数。同时聚合物材料还具有结构多样、加工性能优越、与微电子技术和光纤技术具有良好适应性等特点,因此应用越来越广泛。与无机材料相比,PI材料具有非线性系数大、响应时间短、介电常数低、频带宽、易合成等特性,同时还具有优良的热性能、电性能、机械性能以及环境稳定性能等,而且可以与现有的微电子工艺良好地兼容,可在各种基材上制备器件,特别是可以制作多层材料,达到垂直集成,这是现有的铌酸锂等无机材料做不到的。含氟PI在保持PI固有的优良特性的同时,极大地改善了PI的溶解性,这就避免了聚酰胺酸在热亚胺化过程中,由于脱除小分子水留下“空穴”而引起光散射。 二、PI超薄膜未来发展趋势 PI超薄膜是近年才发展起来的一类高性能高分子薄膜材料,优异的综合性能很快确立了其在有机薄膜材料家族中的顶端地位。目前,PI超薄膜的发展方向主要体现在两个方面:一是标准型Kapton薄膜的超薄化;另一个是功能性PI超薄膜的研制与开发。对于前者而言,Kapton薄膜本身优良的热学与力学性能保证了其在超薄化过程中性能的稳定,其主要技术瓶颈更多地在于制备设备与制膜工艺参数的优化与调整。而对于功能性PI超薄膜而言,其性能不仅与设备和工艺有着密切的关系,而且树脂结构的分子设计以及新合成方法的研究也起着至关重要的作用。如何在保证特种功能的前提下,尽可能地保持PI薄膜固有的力学性能、热性能等是一项极具挑战性的研究课题,也是未来一项主要研究课题。 超薄型PI薄膜在现代工业领域中具有广泛的应用前景。国外十分重视这类材料的研制与开发,已经有批量化产品问世。由于PI超薄膜的应用领域较为特殊,国外对该材料的出口限制十分严格,某些品种甚至是对我国禁售的,这就需要国内尽早开展相关研究与产业化工

微电子科学与工程专业

微电子科学与工程专业 一、培养目标 本专业培养德、智、体等方面全面发展,具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力,能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。 二、专业特色 微电子科学与工程是在物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。微电子技术是近半个世纪以来得到迅猛发展的一门高科技应用性学科,是21世纪电子科学技术与信息科学技术的先导和基础,是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础,被誉为现代信息产业的心脏和高科技的原动力。本专业主要学习半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件,集成电路设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等方面的基础知识和实践技能,培养出来的学生在微电子技术领域初步具有研究和开发的能力。 三、培养标准 本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论,掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术,接受相关实验技术的良好训练,掌握文献资料检索基本方法,具有较强的实验技能与工程实践能力,在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力: 1. 具有较好的人文科学素养、创新精神和开阔的科学视野; 2. 树立终身学习理念,具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力; 3. 具有较扎实的自然科学基本理论基础; 4. 具备微电子材料、微电子器件、集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能; 5. 了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况,熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规; 6.掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法; 7.具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。 77

微电子技术在生物医学中的应用

微电子技术在生物医学中的应用 摘要:微电子技术与生物学之间有着非常紧密的联系。一方面微电子技术的发展,将大大地推动生物医学的发展,另一方面生物医学的研究成果同样也将对微电子技术的发展起着巨大的促进作用。在这里我将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 关键字:微电子技术生物医学 一、引言 生物医学电子学是由微电子学、生物和医学等多学科交叉的边缘科学,为使得生物医学领域的研究方式更加精确和科学,所以将电子学用于生物医学领域。在生物医学与电子学交叉作用部分中最活跃、最前沿、作用力最大的一项关键技术就是微电子技术。特别是随着集成电路集成度的提高和超大规模集成电路的发展,元件尺寸达到分子级,进入了分子电子学时代,用有机化合物低分子、高分子和生物分子作芯片,它们具有识别、采集、记忆、放大、开关、传导等功能,更大大促进了医学电子学的发展。下面将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 二、生物医学传感器 生物医学传感器的作用是把生物体和人体中包含的生命现象、状态、性质、变量和成分等生理信息(包括物理量、化学量、生物量等)转化为与之有确定函数关系的电信息。生物医学传感器是生物医学电子学中最关键的技术,它是连接生物医学和电子学的桥梁。主要可分为如下几类:电阻式传感器,电容式传感器,电感式传感器,压电式传感器,光电传感器,热电式传感器,光线传感器,电化学传感器以及生物传感器等。它通过各种化学、物理信号转换器捕捉目标物与敏感膜之间的反应,然后将反应程度用连续的电信号表达出来,从而得出被检测样品的浓度。生物医学传感器的微型化和集成化是其中最重要的发展方向之一,其主要原因:1)它是实现生物医学设备微型化、集成化的基础;2)将使得生物医学测量和控制更加精确——达到分子和原子水平。是生物体成分(酶、抗原、抗体、激素、DNA) 或生物体本身(细胞、细胞器、组织),它们能特异地识别各种被测物质并与之反应;后者主要有电化学电极、离子敏场效应晶体管( ISFET ) 、热敏电阻器、光电管、光纤、压电晶体(PZ) 等,其功能为将敏感元件感知的生物化学信号转变为可测量的电信号。因而它具有快速大量处理信息的能力,和诊断精确的特点。 常见的生物医学传感器主要可分为以下几种:电阻式传感器,电感式传感器,电容式传感器,压电式传感器,热电式传感器,光电传感器以及生物传感器等。 医学领域的生物传感器发挥着越来越大的作用。在临床医学中,酶电极是最

微电子技术的发展与应用研究

微电子技术的发展与应用研究 微电子技术的发展与应用研究,电子科学, 于功成约2612字 [摘要]微电子技术的迅速发展极大地推动了社会的进步,其应用领域也越来越广泛,现在已经成为衡量一个国家科学技术和综合国力的重要标志。论述微电子技术的发展现状及应用情况,并指明其未来的发展方向。 [关键词]微电子技术硅基CMOS 芯片 中图分类号:TN4文献标识码:A文章编号:1671,7597(2008)0420018,01 1946年2月美国莫尔学院研制成功的第一台电子数值积分器和计算器,是一个由18000个电子管组成,占地150平方米,重30吨的庞然大物。而现代社会由于微电子技术的发展,已进人系统集成芯片的时代,可将整个系统或子系统集成在一个硅芯片上。与传统电子技术相比,微电子技术的主要特征是器件和电路的微小型化。在21世纪,微电子技术已经成为改变生产和生活面貌的先导技术。 一、微电子技术的发展现状 在1948年贝尔实验室的科学家们发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑,1958年硅平面工艺的发展和集成电路的发明是第二个理程碑,1971年微机的问世是微电子技术第三个里程碑,之后出现了今天这样的以集成电路技术为基础的电子信息技术和产业。 微电子技术的核心是集成电路( IC),它将继续沿着集成电路特征尺寸,不断缩小,集成电路( IC) 向着系统集成(SOC) 发展的道路走下去。以存储技术为代表的半导体集成电路遵守著名的Moore定律,即:在过去的30多年里,大约每三年集成度增加四倍,特征尺寸缩小为原尺寸的倍,而且在可以预知的未来,这种趋势仍将继续保持下去。(见表1 微电子技术的进步)。

微电子技术在医学中的应用

微电子技术在医学中的应用 管思旭 096314 自动化 摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。微电子技术的发展大大方便了人们的生活。它主要应用于生活中的各类电子产品,微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路,在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。 一、微电子技术 1.定义 微电子技术,顾名思义就是微型的电子电路。它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。 微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片(如硅和砷化镓) 上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。它的特点是体积小、重量轻、

可靠性高、工作速度快,微电子技术对信息时代具有巨大的影响。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。 2.发展历史 微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。它的发展史其实就是集成电路的发展史。1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管,不就美国科学家发明了三极管。电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。它被广泛应用于各个领域。1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。之后,美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路,于1958 年制成了第一个集成电路的模型,1959 年德州仪器公司宣布发明集成电路。至此集成电路便诞生了。集成电路发明后,其发展非常迅速,其制作工艺不断进步,规模不断扩大。至今集成电路的集成度已提高了500 万倍,特征尺寸缩小200 倍,单个器件成本下降100 万倍。 3.微电子技术的应用 微电子技术广泛应用于民用、军方、航空等多个方面。现在人类生产的电子产品几乎都应用到了微电子技术。可以这么说微电子技术改变了我们的生活方式。 微电子技术对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。价廉、可靠、

微电子专业英语词汇

微电子专业英语词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminum) 铝 Aluminum oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒

微电子专业英语词汇

Abrupt junction 突变结['brpt] 突然的;Accelerated testing 加速实验[k'selreitid] Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子['tm] n. 原子 Accumulation [,kju:mju'lein]积累,堆积Accumulating contact(n. 接触,联系)积累接触 Accumulation region['ri:dn]地区积累区 Accumulation layer['lei] 层积累层 Active region 有源区['ktiv]积极的,有源的 Active component [km'punnt]元件有源元Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区Admittance [d'mitns]导纳 Allowed band [bnd]带允带 Alloy-junction device ['l]合金结器件 Aluminum(Aluminium) ['lju:minm]铝Aluminum – oxide ['ksaid]铝氧化物 Aluminum passivation [psi'vein]钝化铝钝化 Ambipolar [,mbi'pul]双极的 Ambient temperature ['mbint]环境温度Amorphous ['m:fs]无定形的,非晶体的 Amplifier ['mplifai]功放扩音器放大器Analogue(Analog) ['nlɡ] comparator ['kmpreit]模拟比较器 Angstrom ['strm]埃Anneal ['ni:l]退火 Anisotropic [n,aisu'trpik]各向异性的Anode ['nud]阳极 Arsenic ['ɑ:snik (AS) 砷 Auger [':ɡ]俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche ['vlɑ:nt]雪崩 Avalanche breakdown(击穿) 雪崩击穿Avalanche excitation [,eksi'tein](激发)雪崩激发 Background(背景,本底,基底) carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward ['bkwd]反向 Backward bias ['bais](偏置,)偏爱反向偏置Ballasting ['blst] resistor 整流电阻 Ball bond [bnd](结合)球形键合Band 能带 Band gap [ɡp](间隙)能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier ['bri] width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应Base transit(运输)time基区渡越时间 Base transport efficiency [i'finsi](效率)基区输运系数 Base-width modulation [,mdju'lein(调制)基区宽度调制 Basis vector ['vekt]矢量基矢 Bias 偏置 Bilateral [,bai'ltrl]switch 双向开关Binary ['bainri]code(代码)二进制代码Binary compound semiconductor二元化合物半导体 Bipolar [bai'pul]双极性的 Bipolar Junction Transistor (晶体管)(BJT)双极晶

微电子技术的发展和应用微电子技术的发展和应用

微电子技术的发展和应用微电子技术的发展和应用 摘要微电子在人们的日常生产生活中扮演着重要的角色,直接影响到人们正常的生产生活。本文分析了微电子技术的发展历史,同时对微电子技术的应用做出了探讨。希望通过本文,让同学们对微电子技术的发展和应用有更深入的了解。 关键词微电子技术;发展历史;应用;发展趋势 1 微电子技术概述 从本质上来看,微电子技术的核心在于集成电路,它是在各类半导体器件不断发展过程中所形成的。在信息化时代下,微电子技术对人类生产、生活都带来了极大的影响。与传统电子技术相比,微电子技术具备一定特征,具体表现为以下几个方面:①微电子技术主要是通过在固体内的微观电子运动来实现信息处理或信息加工。②微电子信号传递能够在极小的尺度下进行。③微电子技术可将某个子系统或电子功能部件集成于芯片当中,具有较高的集成性,也具有较为全面的功能性。④微电子技术可在晶格级微区进行工作[1]。 2 微电子技术的发展历史 微电子技术是一门以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术,其具有工作速度快、重量轻、体积小、可靠性高等诸多优点。微电子技术是一项起源于19世纪末20世纪初的新兴技术,微电子技术的发展史从某种意义上说是集成电路的发展史。 现阶段大规模集成电力的集成度代表着微电子技术的发展水平。从集成电路在1958年被发明以来,集成电路的发展规律依然遵循着“摩尔定律”,即DRAM 的储存量每隔3年就变为原来的4倍,集成电路芯片上的元件数量每18个月增加1倍。微电子技术的发展历程如下,美国贝尔实验室于1947年制造出第一个晶体管,这为制造体积更小的集成电路奠定了相关的技术基础。1958年美国德克萨斯仪器公司的基比尔于研究员制造出第一个集成电路模型,并于次年该公司宣布发明了第一个集成电路。1959年美国仙童公司将微型晶体管的制造工艺—“平面工艺”经过一定的技术改进后用于集成电路的制造过程中,实现了集成电路由实验阶段向工业生产阶段的过渡。1964年相关的技术人员又研制出PMOS 集成电路,大大减小了集成电路的体积,其与分立元件相比较PMOS集成电路具有可靠性高、功耗低、制造工艺简单和适于大量生产等诸多优点。到目前为止,与第一块集成电路相比集成电路的集成度的尺寸缩小了200多倍,集成度提高了550多万倍,元件成本降低了100多万倍[2]。 3 微电子技术的应用 3.1 生活应用方面

微电子专业英语

Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区Active component 有源元 Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源(放大)区Admittance 导纳Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminium)铝 Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的,非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog)comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极Arsenic (AS)砷 Auger 俄歇Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂 Backward 反向Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合 Band 能带Band gap 能带间隙 Barrier 势垒Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度Base 基极 Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢 Bias 偏置Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿Break over 转折 Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化Burn out 烧毁

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