微电子专业英语
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验
Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子
Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触
Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层
Active region 有源区Active component 有源元
Active device 有源器件Activation 激活
Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带
Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminium）铝
Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化
Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度
Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃
Anneal 退火Anisotropic 各向异性的
Anode 阳极Arsenic （AS）砷
Auger 俄歇Auger process 俄歇过程
Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿
Avalanche excitation雪崩激发
Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂
Backward 反向Backward bias 反向偏置
Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合
Band 能带Band gap 能带间隙
Barrier 势垒Barrier layer 势垒层
Barrier width 势垒宽度Base 基极
Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应
Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数
Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢
Bias 偏置Bilateral switch 双向开关
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带
Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方
Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼
Bond 键、键合Bonding electron 价电子
Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼
Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件
Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板
Break down 击穿Break over 转折
Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区
Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场
Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收
Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合
Burn - in 老化Burn out 烧毁
Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区
Can 外壳Capacitance 电容
Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子
Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位
Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出
Cascade 级联Case 管壳
Cathode 阴极Center 中心
Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道
Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流
Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短
Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗
Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应
Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件
Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储
Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光
Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chip 芯片
Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位
Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面
Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器
Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构
Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极
Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放
Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接
Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入
Common-mode rejection ratio （CMRR）共模抑制比
Compatibility 兼容性Compensation 补偿
Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）
互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function 余误差函数
Computer-aided design （CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导
Conduction band （edge）导带（底）Conduction level/state 导带态
Conductor 导体Conductivity 电导率
Configuration 组态Conlomb 库仑
Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数
Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散
Contact 接触Contamination 治污
Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔
Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件
Contra doping 反掺杂Controlled 受控的
Converter 转换器Conveyer 传输器
Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合
Covalent 共阶的Crossover 跨交
Critical 临界的Crossunder 穿交
Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格
Current density 电流密度Curvature 曲率
Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲
Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的
Czochralshicrystal 直立单晶
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）
Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流
Dead time 空载时间Debye length 德拜长度
De.broglie 德布洛意Decderate 减速
Decibel （dB）分贝Decode 译码
Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级
Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱
Defeat 缺陷
Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度
Degradation 退化Degree Celsius（centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度
Density of states 态密度Depletion 耗尽
Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触
Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应
Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS
Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜
Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则
Die 芯片（复数dice）Diode 二极管
Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离
Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器
Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结
Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数
Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉
Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴
Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁
Discharge 放电Discrete component 分立元件
Dissipation 耗散Distribution 分布
Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型
Displacement 位移Dislocation 位错
Domain 畴Donor 施主
Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂
Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度
Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS.
Drift 漂移Drift field 漂移电场
Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量
Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性
Dynamic impedance 动态阻抗
Early effect 厄利效应Early failure 早期失效
Effective mass 有效质量Einstein relation（ship）爱因斯坦关系
Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移
Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能
Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光
Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水
Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt （eV）电子伏
Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件
Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆
Ellipsoid 椭球Emitter 发射极
Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对
Emitter follower 射随器Empty band 空带
Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应
Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态
Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的
Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片
Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路
Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子
Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器
Error function complement （erfc）余误差函数
Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂
Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子
Excitation energy 激发能Excited state 激发态
Exciton 激子Extrapolation 外推法
Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体
Face - centered 面心立方Fall time 下降时间
Fan-in 扇入Fan-out 扇出
Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态
Feedback 反馈Fermi level 费米能级
Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势
Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管
Field oxide 场氧化层Filled band 满带
Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器
Flat band 平带Flat pack 扁平封装
Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转
Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通
Frequency deviation noise频率漂移噪声
Frequency response 频率响应Function 函数
Gain 增益Gallium-Arsenide（GaAs）砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯
Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium（Ge）锗
Graded 缓变的Graded （gradual）channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒
Gradient 梯度Grown junction 生长结
Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应
Hardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热
Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体
High field property 高场特性
High-performance MOS.（H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成
Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子
Impurity 杂质Impurity scattering 杂质散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入
Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的
Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器
Ion 离子Ion beam 离子束
Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛
Isotropic 各向同性
Junction FET（JFET）结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁
Latch up 闭锁Lateral 横向的
Lattice 晶格Layout 版图
Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变
Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动
Life time 寿命linearity 线性度
Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮
Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术
Lithography 光刻Light Emitting Diode（LED）发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅
Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组
Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦
Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure （MTBF）平均工作时间
Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面
MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET
Metallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数
Minority carrier 少数载流子Misfit 失配
Mismatching 失配Mobile ions 可动离子
Mobility 迁移率Module 模块
Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶体管Multiplication 倍增
Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片IC
Multi-chip module（MCM）多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子Naked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈
Negative resistance 负阻Nesting 套刻
Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Officienay 功率
Offset 偏移、失调On standby 待命状态
Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路
Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器
Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭
Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向
Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载
Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化
Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管
Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期
Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移
Phonon spectra 声子谱
Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池
Photoelectric effect 光电效应
Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺（photo）resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚
Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应
Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触
Polarity 极性Polycrystal 多晶
Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅
Potential （电）势Potential barrier 势垒
Potential well 势阱Power dissipation 功耗
Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴
Print-circuit board（PCB）印制电路板Probability 几率
Probe 探针Process 工艺
Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator（PWM）脉冲宽度调制
punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级
Quality factor 品质因子Quantization 量子化
Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi - Fermi－level准费米能级Quartz 石英
Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可*性Resonance 谐振
Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置
Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的
Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面
Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的
Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度
Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路
Shot noise 散粒噪声Shunt 分流
Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号
Silica glass 石英玻璃Silicon 硅
Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4）氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方
Single crystal 单晶Sink 沉
Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的
Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带
Source 源极Source follower 源随器
Space charge 空间电荷Specific heat（PT）热
Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的
Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错
Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格
Supply 电源Surface 表面
Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标
Switching time 开关时间Switch 开关
Tailing 扩展Terminal 终端
Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT）薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress）晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的
Trap 陷阱Trapping 俘获
Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发
Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差
Tunnel（ing）隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Unijunction 单结的
Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空
Valence（value）band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压
Wafer 晶片Wave equation 波动方程
Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件
Yield 成品率
Zener breakdown 齐纳击穿
微电子技术在医学中的应用
微电子技术在医学中的应用 随着科技的迅速发展，和医疗水平息息相关的电子技术应用也越来越广泛。微电子技术的发展大大方便了人们的生活，随着微电子技术的发展，生物医学也在快速的发展，微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。微电子技术与生物医学之间有着非常紧密的联系。 生物医学电子学是由微电子学、生物和医学等多学科交叉的边缘科学，为使得生物医学领域的研究方式更加精确和科学，所以将电子学用于生物医学领域。在生物医学与电子学交叉作用部分中最活跃、最前沿、作用力最大的一项关键技术就是微电子技术。特别是随着集成电路集成度的提高和超大规模集成电路的发展，元件尺寸达到分子级，进入了分子电子学时代，用有机化合物低分子、高分子和生物分子作芯片，它们具有识别、采集、记忆、放大、开关、传导等功能，更大大促进了医学电子学的发展。 以下将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 一、生物医学传感器 生物医学传感器是连接生物医学和电子学的桥梁。它的作用是把人体中和生物体包含的生命现象、性质、状态、成分和变量等生理信息转化为与之有确定函数关系的电子信息。生物医学传感器技术是生物医学电子学中一项关键的技术，是发展生物技术必不可少的一种先进的检测方法与监控方法，也是物质分子水平的快速、微量分析方法。因为生物传感器专一、灵敏、响应快等特点，为基础医学研究及临床诊断提供了一种快速简便的新型方法，在临床医学中发挥着越来越大的作用，意义极为重大。 常见的生物医学传感器主要可分为以下几种：电阻式传感器，电感式传感器，电容式传感器，压电式传感器，热电式传感器，光电传感器以及生物传感器等。 医学领域的生物传感器发挥着越来越大的作用。在临床医学中，酶电极是最早研制且应用最多的一种传感器。利用具有不同生物特性的微生物代替酶，可制成微生物传感器，广泛应用于：药物分析、肿瘤监测、血糖分析等。 生物医学传感器相较于传统医疗方式具有以下特点： 1、生物传感器采用固定化生物活性物质作催化剂，价值昂贵的试剂可以重复多次使用，克服了过去酶法分析试剂费用高和化学分析繁琐复杂的缺点。因此，这一技成本低，在连续使用时，每例测定仅需要几分钱人民币，术在很大程度上减轻病患医疗费用上的负担。
微电子专业英语
微电子学专业词汇 A be absorb in 集中精力做某事 access control list 访问控制表 active attack 主动攻击 activeX control ActiveX控件 advanced encryption standard AES,高级加密标准 algorithm 算法 alteration of message 改变消息 application level attack 应用层攻击 argument 变量 asymmetric key cryptography 非对称密钥加密 attribute certificate属性证书 authentication 鉴别 authority 机构 availability 可用性 Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 Aluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火
微电子技术及其应用
微电子技术及其应用 041050107陈立 一、微电子技术简介 如今，世界已经进入信息时代，飞速发展的信息产业是这个时代的特征。而微电子技术制造的芯片则是大量信息的载体，它不仅可以储存信息，还能处理和加工信息。因此，微电子技术在如今已是不可或缺的生活和生产要素。 微电子学是研究在固体（主要是半导体）材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。 作为电子学的分支学科，它主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它实现信号处理功能的科学，以实现电路的系统和集成为目的，实用性强。微电子学又是信息领域的重要基础学科，在这一领域上，微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学，是研究信息获取的科学，构成了信息科学的基石，其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。 微电子学是一门综合性很强的边缘学科，其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标，是微电子技术迅速发展的动力。 微电子学渗透性强，其他学科结合产生出了一系列新的交叉学科。微机电系统、生物芯片就是这方面的代表，是近年来发展起来的具有广阔应用前景的新技术。 二、微电子技术核心—-集成电路技术 集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”。 集成电路的分类 1．按功能结构分类 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成
微电子专业英语词汇
A Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device 合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation 雪崩激发B brute-force attack 强力攻击Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency 基区输 运系数 Base-width modulation 基区宽度 调制Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT) 双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体 立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自 举射极跟随器 Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿 Break over 转折 Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/ 体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散 区 C Caesar cipher 凯撒加密法 capacitance 电容 capture categorize 分类 chaining mode 链接模式 challenge 质询 cipher feedback 加密反馈 collision 冲突 combine 集成 compatibility n.[计]兼容性 component 原件 confidentiality 保密性 constraint 约束 corresponding to 相应的 Cryptography 密码学 Can 外壳Capacitance 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case 管壳 Cathode 阴极 Center 中心 Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻 抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电 荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中 性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/st 1
微电子中英文专业词汇
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管
聚酰亚胺在微电子领域的应用及研究进展 王正芳
聚酰亚胺在微电子领域的应用及研究进展王正芳 发表时间：2019-10-23T14:56:28.063Z 来源：《电力设备》2019年第10期作者：王正芳张馨予 [导读] 摘要：随着科技的深入发展，半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。 （天津环鑫科技发展有限公司天津市 30000） 摘要：随着科技的深入发展，半导体和微电子工业已经成为国民经济的支柱性产业。微电子工业的发展，除了设计、加工等本身技术的不断更新外，各种与之配套的材料的发展也有着十分重要的支撑作用。电子产品的轻量化、高性能化和多功能化使得其对高分子材料的要求也越来越高。聚酰亚胺(PI)可以说是目前电子化学品中最有发展前途的有机高分子材料之一。其优异的综合性能可满足微电子工业对材料的苛刻要求，因此得到了广泛的重视。 关键词：聚酰亚胺；PI薄膜；应用 信息产业的迅速发展除了技术的不断更新外，各种配套材料的发展同样占据着十分重要的地位。为微电子工业配套的专用化学材料通常称为“电子化学品”，其主要包括集成电路和分立器件用化学品、印刷电路板配套化学品、表面组装用化学品和显示器件用化学品等。电子化学品具有质量要求高、用量少、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更新换代快等特点。同时PI具有比无机介电材料二氧化硅、氮化硅更好的成膜性能和力学性能，对常用的硅片、金属和介电材料有很好的粘结性能，聚酰亚胺（PI）薄膜具有良好的耐高低温性能、环境稳定性、力学性能以及优良的介电性能，在众多基础工业与高技术领域中均得到广泛应用。 一、PI发展及在微电子领域的应用 截至目前，PI已经成为耐热芳杂环高分子中应用最为广泛的材料之一，其大类品种就有20多种，较为著名的生产厂家包括通用电气公司GE、美国石油公司等，由于具有很好的热力学稳定性、机械性能及电性能，PI被广泛应用于半导体及微电子行业。可以说，微电子产业的发展水平，离不开PI材料的贡献。PI主要的应用包括下面方面。 1、α粒子的屏蔽层航空航天、军用集成电路在辐射环境中，遭受射线辐射后会发生性能劣化或失效，进而导致仪器设备的失控，因此其抗辐射的性能非常重要。高纯度（低杂质）的PI涂层是一种重要的耐辐射遮挡材料。在元器件外壳涂覆PI遮挡层，可有效防止由微量放射性物质释放的射线而造成的存储器错误。 2、元器件的金属层间介质以及先进封装的再布线技术材料。PI在微电子领域的很多应用，都是出于其优良的综合性能而不是单一特性，某些类似的应用可以发生在不同的领域中，一些应用情况也可以有多重的目的以及名称，因此在介绍文章的描述中，容易产生混乱。由于PI较低的介电常数减少电路时延和串扰，与其他材料的较好的粘附性防止脱离，常用金属材料在其中较低的扩散可靠性，挥发放气极低，以及良好的成膜和填平性，因此可作为多层金属互联结构的层间介质材料（ILD)，缓和应力，提高集成电路的速度、集成度和可靠性。类似的考虑也导致其作为先进封装的再布线RDL技术的首选介质材料，用于一般晶圆级的封装WLP中的扇入（Fan-in)和扇出（Fan-out)技术，以及多芯片组件（MCM）等技术中的再布线工艺。 3、微电子器件的钝化层\缓冲\填充\保护层。PI涂层作为钝化层，可有效地改善界面状况，阻滞电子迁移、降低漏电流，防止后序工艺和使用过程中的机械刮擦和表面污染，也可有效地增加元器件的抗潮湿能力。作为缓冲层（Stress Buffer）可有效地降低由于热应力和机械应力引起的电路崩裂断路。单层PI膜，往往同时起到化学钝化、机械保护、空间填充/平坦化的多重功能。此外，PI在微电子产业中的重要潜在应用还有：生物微电极（良好的生物相容性），以及光电材料（波导、开关器件），微电机（MEMS）工艺材料等。这些都是目前发展十分迅速的新兴技术领域，预示着这种介质材料的光明市场前景。尽管PI材料在微电子领域的市场前景十分广阔，且该领域与其他传统材料领域的也有很大不同，体现在初期体量小成本高，对材料的性能质量要求苛刻，而且呈现多样性特点，比如希望进一步降低介电常数，提高/降低玻璃化转变温度，降低吸水率等。在技术方面，它还面临着其他类似材料比如苯并环丁烯（BCB）聚合物，聚苯并唑（PBO）等的激烈竞争。 4、含氟PI在光波导材料中的应用。近年来，关于聚合物光波导材料的开发研究日益受到人们的重视。与传统的无机光波导材料相比，有机聚合物光波导材料具有如下特点:(1)较高的电光耦合系数;较低的介电常数;较短的响应时间和较小的热损耗;(2)加工工艺简单经济，无须高温加热处理，只要通过匀胶、光刻等工艺即可制得复杂的光电集成器件，而且器件具有轻巧、机械性能好的特点，适用于制作大型光学器件和挠性器件。目前研究较多的聚合物光波导材料包括氟代、氘代的聚甲基丙烯酸甲酯、含氟聚酰亚胺、含氟聚芳醚以及聚硅氧烷等[1]。含氟聚酰亚胺不仅具有传统聚酰亚胺材料所具有的耐高温、耐腐蚀、机械性能优良等性质，而且还具有溶解性能优异、低介电常数、低吸水率、低热膨胀系数等特性，因此非常适于制造光波导材料。 5、含氟PI在非线性光学材料中的应用。常用的非线性光学材料包括无机材料，如铌酸锂(LiNbO3)和有机聚合物材料，如聚酰亚胺等。聚合物作为非线性光学材料具有比无机材料更为明显的非线性光学效应、更快的响应速度以及低得多的介电常数。同时聚合物材料还具有结构多样、加工性能优越、与微电子技术和光纤技术具有良好适应性等特点，因此应用越来越广泛。与无机材料相比，PI材料具有非线性系数大、响应时间短、介电常数低、频带宽、易合成等特性，同时还具有优良的热性能、电性能、机械性能以及环境稳定性能等，而且可以与现有的微电子工艺良好地兼容，可在各种基材上制备器件，特别是可以制作多层材料，达到垂直集成，这是现有的铌酸锂等无机材料做不到的。含氟PI在保持PI固有的优良特性的同时，极大地改善了PI的溶解性，这就避免了聚酰胺酸在热亚胺化过程中，由于脱除小分子水留下“空穴”而引起光散射。 二、PI超薄膜未来发展趋势 PI超薄膜是近年才发展起来的一类高性能高分子薄膜材料，优异的综合性能很快确立了其在有机薄膜材料家族中的顶端地位。目前，PI超薄膜的发展方向主要体现在两个方面：一是标准型Kapton薄膜的超薄化；另一个是功能性PI超薄膜的研制与开发。对于前者而言，Kapton薄膜本身优良的热学与力学性能保证了其在超薄化过程中性能的稳定，其主要技术瓶颈更多地在于制备设备与制膜工艺参数的优化与调整。而对于功能性PI超薄膜而言，其性能不仅与设备和工艺有着密切的关系，而且树脂结构的分子设计以及新合成方法的研究也起着至关重要的作用。如何在保证特种功能的前提下，尽可能地保持PI薄膜固有的力学性能、热性能等是一项极具挑战性的研究课题，也是未来一项主要研究课题。 超薄型PI薄膜在现代工业领域中具有广泛的应用前景。国外十分重视这类材料的研制与开发，已经有批量化产品问世。由于PI超薄膜的应用领域较为特殊，国外对该材料的出口限制十分严格，某些品种甚至是对我国禁售的，这就需要国内尽早开展相关研究与产业化工
微电子科学与工程专业
微电子科学与工程专业 一、培养目标 本专业培养德、智、体等方面全面发展，具备微电子科学与工程专业扎实的自然科学基础、系统的专业知识和较强的实验技能与工程实践能力，能在微电子科学技术领域从事研究、开发、制造和管理等方面工作的专门人才。 二、专业特色 微电子科学与工程是在物理学、电子学、材料科学、计算机科学、集成电路设计制造学等多个学科和超净、超纯、超精细加工技术基础上发展起来的一门新兴学科。微电子技术是近半个世纪以来得到迅猛发展的一门高科技应用性学科，是21世纪电子科学技术与信息科学技术的先导和基础，是发展现代高新技术和国民经济现代化的重要基础，被誉为现代信息产业的心脏和高科技的原动力。本专业主要学习半导体器件物理、功能电子材料、固体电子器件，集成电路设计与制造技术、微机械电子系统以及计算机辅助设计制造技术等方面的基础知识和实践技能，培养出来的学生在微电子技术领域初步具有研究和开发的能力。 三、培养标准 本专业学生要求在物理学、电子技术、计算机技术和微电子学等方面掌握扎实的基础理论，掌握微电子器件及集成电路的原理、设计、制造、封装与应用技术，接受相关实验技术的良好训练，掌握文献资料检索基本方法，具有较强的实验技能与工程实践能力，在微电子科学与工程领域初步具有研究和开发的能力。 毕业生应获得以下几方面的知识和能力： 1. 具有较好的人文科学素养、创新精神和开阔的科学视野； 2. 树立终身学习理念，具有较强的在未来生活和工作中继续学习的能力； 3. 具有较扎实的自然科学基本理论基础； 4. 具备微电子材料、微电子器件、集成电路、集成系统、计算机辅助设计、封装技术和测试技术等方面的理论基础和实验技能； 5. 了解本专业领域的科技发展动态及产业发展状况，熟悉国家电子信息产业政策及国内外有关知识产权的法律法规； 6.掌握文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法； 7.具有归纳、整理和分析实验结果以及撰写论文、报告和参与学术交流的能力。 77
微电子技术在生物医学中的应用
微电子技术在生物医学中的应用 摘要：微电子技术与生物学之间有着非常紧密的联系。一方面微电子技术的发展，将大大地推动生物医学的发展，另一方面生物医学的研究成果同样也将对微电子技术的发展起着巨大的促进作用。在这里我将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 关键字：微电子技术生物医学 一、引言 生物医学电子学是由微电子学、生物和医学等多学科交叉的边缘科学，为使得生物医学领域的研究方式更加精确和科学，所以将电子学用于生物医学领域。在生物医学与电子学交叉作用部分中最活跃、最前沿、作用力最大的一项关键技术就是微电子技术。特别是随着集成电路集成度的提高和超大规模集成电路的发展，元件尺寸达到分子级，进入了分子电子学时代，用有机化合物低分子、高分子和生物分子作芯片，它们具有识别、采集、记忆、放大、开关、传导等功能，更大大促进了医学电子学的发展。下面将主要从生物医学传感器、植入式电子系统、生物芯片这三个方面结合当前国际上最新进展来介绍两者之间的关系与发展。 二、生物医学传感器 生物医学传感器的作用是把生物体和人体中包含的生命现象、状态、性质、变量和成分等生理信息（包括物理量、化学量、生物量等）转化为与之有确定函数关系的电信息。生物医学传感器是生物医学电子学中最关键的技术，它是连接生物医学和电子学的桥梁。主要可分为如下几类：电阻式传感器，电容式传感器，电感式传感器，压电式传感器，光电传感器，热电式传感器，光线传感器，电化学传感器以及生物传感器等。它通过各种化学、物理信号转换器捕捉目标物与敏感膜之间的反应，然后将反应程度用连续的电信号表达出来，从而得出被检测样品的浓度。生物医学传感器的微型化和集成化是其中最重要的发展方向之一，其主要原因：1）它是实现生物医学设备微型化、集成化的基础；2）将使得生物医学测量和控制更加精确——达到分子和原子水平。是生物体成分(酶、抗原、抗体、激素、DNA) 或生物体本身(细胞、细胞器、组织)，它们能特异地识别各种被测物质并与之反应；后者主要有电化学电极、离子敏场效应晶体管( ISFET ) 、热敏电阻器、光电管、光纤、压电晶体(PZ) 等，其功能为将敏感元件感知的生物化学信号转变为可测量的电信号。因而它具有快速大量处理信息的能力，和诊断精确的特点。 常见的生物医学传感器主要可分为以下几种：电阻式传感器，电感式传感器，电容式传感器，压电式传感器，热电式传感器，光电传感器以及生物传感器等。 医学领域的生物传感器发挥着越来越大的作用。在临床医学中，酶电极是最
微电子技术的发展与应用研究
微电子技术的发展与应用研究 微电子技术的发展与应用研究,电子科学, 于功成约2612字 [摘要]微电子技术的迅速发展极大地推动了社会的进步，其应用领域也越来越广泛，现在已经成为衡量一个国家科学技术和综合国力的重要标志。论述微电子技术的发展现状及应用情况，并指明其未来的发展方向。 [关键词]微电子技术硅基CMOS 芯片 中图分类号:TN4文献标识码:A文章编号:1671,7597(2008)0420018,01 1946年2月美国莫尔学院研制成功的第一台电子数值积分器和计算器，是一个由18000个电子管组成，占地150平方米，重30吨的庞然大物。而现代社会由于微电子技术的发展，已进人系统集成芯片的时代，可将整个系统或子系统集成在一个硅芯片上。与传统电子技术相比，微电子技术的主要特征是器件和电路的微小型化。在21世纪，微电子技术已经成为改变生产和生活面貌的先导技术。 一、微电子技术的发展现状 在1948年贝尔实验室的科学家们发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑，1958年硅平面工艺的发展和集成电路的发明是第二个理程碑，1971年微机的问世是微电子技术第三个里程碑，之后出现了今天这样的以集成电路技术为基础的电子信息技术和产业。 微电子技术的核心是集成电路( IC)，它将继续沿着集成电路特征尺寸，不断缩小，集成电路( IC) 向着系统集成(SOC) 发展的道路走下去。以存储技术为代表的半导体集成电路遵守著名的Moore定律，即:在过去的30多年里，大约每三年集成度增加四倍，特征尺寸缩小为原尺寸的倍，而且在可以预知的未来，这种趋势仍将继续保持下去。(见表1 微电子技术的进步)。
微电子技术在医学中的应用
微电子技术在医学中的应用 管思旭 096314 自动化 摘要: 微电子技术是现代电子信息技术的直接基础。现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。微电子技术的发展大大方便了人们的生活。它主要应用于生活中的各类电子产品，微电子技术的发展对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。微电子技术过去在医学中的主要是应用于各类医疗器械的集成电路，在未来主要是生物芯片。生物芯片技术在医学、生命科学、药业、农业、环境科学等凡与生命活动有关的领域中均具有重大的应用前景。 一、微电子技术 1.定义 微电子技术，顾名思义就是微型的电子电路。它是随着集成电路,尤其是超大规模集成电路而发展起来的一门新的技术。 微电子技术是在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的,其核心是集成电路,即通过一定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互联,采用微细加工工艺,集成在一块半导体单晶片(如硅和砷化镓) 上,并封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能。与传统电子技术相比,其主要特征是器件和电路的微小型化。它把电路系统设计和制造工艺精密结合起来,适合进行大规模的批量生产,因而成本低,可靠性高。它的特点是体积小、重量轻、
可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。它包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,是微电子学中的各项工艺技术的总和。 2.发展历史 微电子技术是十九世纪末,二十世纪初开始发展起来的新兴技术,它在二十世纪迅速发展,成为近代科技的一门重要学科。它的发展史其实就是集成电路的发展史。1904 年,英国科学家弗莱明发明了第一个电子管——二极管，不就美国科学家发明了三极管。电子管的发明,使得电子技术高速发展起来。它被广泛应用于各个领域。1947 年贝尔实验室制成了世界上第一个晶体管。体积微小的晶体管使集成电路的出现有了可能。之后,美国得克萨斯仪器公司的基比尔按其思路,于1958 年制成了第一个集成电路的模型,1959 年德州仪器公司宣布发明集成电路。至此集成电路便诞生了。集成电路发明后,其发展非常迅速,其制作工艺不断进步,规模不断扩大。至今集成电路的集成度已提高了500 万倍,特征尺寸缩小200 倍,单个器件成本下降100 万倍。 3.微电子技术的应用 微电子技术广泛应用于民用、军方、航空等多个方面。现在人类生产的电子产品几乎都应用到了微电子技术。可以这么说微电子技术改变了我们的生活方式。 微电子技术对电子产品的消费市场也产生了深远的影响。价廉、可靠、
微电子专业英语词汇
微电子专业英语词汇Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminum) 铝 Aluminum oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒
微电子专业英语词汇
Abrupt junction 突变结['brpt] 突然的；Accelerated testing 加速实验[k'selreitid] Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子['tm] n. 原子 Accumulation [,kju:mju'lein]积累,堆积Accumulating contact(n. 接触，联系)积累接触 Accumulation region['ri:dn]地区积累区 Accumulation layer['lei] 层积累层 Active region 有源区['ktiv]积极的,有源的 Active component [km'punnt]元件有源元Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance [d'mitns]导纳 Allowed band [bnd]带允带 Alloy-junction device ['l]合金结器件 Aluminum(Aluminium) ['lju:minm]铝Aluminum – oxide ['ksaid]铝氧化物 Aluminum passivation [psi'vein]钝化铝钝化 Ambipolar [,mbi'pul]双极的 Ambient temperature ['mbint]环境温度Amorphous ['m:fs]无定形的，非晶体的 Amplifier ['mplifai]功放扩音器放大器Analogue(Analog) ['nlɡ] comparator ['kmpreit]模拟比较器 Angstrom ['strm]埃Anneal ['ni:l]退火 Anisotropic [n,aisu'trpik]各向异性的Anode ['nud]阳极 Arsenic ['ɑ:snik (AS) 砷 Auger [':ɡ]俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche ['vlɑ:nt]雪崩 Avalanche breakdown(击穿) 雪崩击穿Avalanche excitation [,eksi'tein](激发)雪崩激发 Background(背景,本底,基底) carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward ['bkwd]反向 Backward bias ['bais](偏置,)偏爱反向偏置Ballasting ['blst] resistor 整流电阻 Ball bond [bnd](结合)球形键合Band 能带 Band gap [ɡp](间隙)能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier ['bri] width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应Base transit(运输)time基区渡越时间 Base transport efficiency [i'finsi](效率)基区输运系数 Base-width modulation [,mdju'lein(调制)基区宽度调制 Basis vector ['vekt]矢量基矢 Bias 偏置 Bilateral [,bai'ltrl]switch 双向开关Binary ['bainri]code(代码)二进制代码Binary compound semiconductor二元化合物半导体 Bipolar [bai'pul]双极性的 Bipolar Junction Transistor (晶体管)(BJT)双极晶
微电子技术的发展和应用微电子技术的发展和应用
微电子技术的发展和应用微电子技术的发展和应用 摘要微电子在人们的日常生产生活中扮演着重要的角色，直接影响到人们正常的生产生活。本文分析了微电子技术的发展历史，同时对微电子技术的应用做出了探讨。希望通过本文，让同学们对微电子技术的发展和应用有更深入的了解。 关键词微电子技术；发展历史；应用；发展趋势 1 微电子技术概述 从本质上来看，微电子技术的核心在于集成电路，它是在各类半导体器件不断发展过程中所形成的。在信息化时代下，微电子技术对人类生产、生活都带来了极大的影响。与传统电子技术相比，微电子技术具备一定特征，具体表现为以下几个方面：①微电子技术主要是通过在固体内的微观电子运动来实现信息处理或信息加工。②微电子信号传递能够在极小的尺度下进行。③微电子技术可将某个子系统或电子功能部件集成于芯片当中，具有较高的集成性，也具有较为全面的功能性。④微电子技术可在晶格级微区进行工作[1]。 2 微电子技术的发展历史 微电子技术是一门以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，其具有工作速度快、重量轻、体积小、可靠性高等诸多优点。微电子技术是一项起源于19世纪末20世纪初的新兴技术，微电子技术的发展史从某种意义上说是集成电路的发展史。 现阶段大规模集成电力的集成度代表着微电子技术的发展水平。从集成电路在1958年被发明以来，集成电路的发展规律依然遵循着“摩尔定律”，即DRAM 的储存量每隔3年就变为原来的4倍，集成电路芯片上的元件数量每18个月增加1倍。微电子技术的发展历程如下，美国贝尔实验室于1947年制造出第一个晶体管，这为制造体积更小的集成电路奠定了相关的技术基础。1958年美国德克萨斯仪器公司的基比尔于研究员制造出第一个集成电路模型，并于次年该公司宣布发明了第一个集成电路。1959年美国仙童公司将微型晶体管的制造工艺—“平面工艺”经过一定的技术改进后用于集成电路的制造过程中，实现了集成电路由实验阶段向工业生产阶段的过渡。1964年相关的技术人员又研制出PMOS 集成电路，大大减小了集成电路的体积，其与分立元件相比较PMOS集成电路具有可靠性高、功耗低、制造工艺简单和适于大量生产等诸多优点。到目前为止，与第一块集成电路相比集成电路的集成度的尺寸缩小了200多倍，集成度提高了550多万倍，元件成本降低了100多万倍[2]。 3 微电子技术的应用 3.1 生活应用方面
微电子专业英语
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层 Active region 有源区Active component 有源元 Active device 有源器件Activation 激活 Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃 Anneal 退火Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂 Backward 反向Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合 Band 能带Band gap 能带间隙 Barrier 势垒Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度Base 基极 Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢 Bias 偏置Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿Break over 转折 Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化Burn out 烧毁