数字电路与逻辑设计习题7第七章半导

第七章半导体存储器

一、选择题

1．一个容量为1K ×8的存储器有个存储单元。

A.8

B.8K

C.8000

D.8192

2．要构成容量为4K ×8的R AM ，需要片容量为256×4的R AM 。

A.2

B.4

C.8

D. 32

3．寻址容量为16K ×8的RAM 需要根地址线。

A.4

B. 8

C.14

D. 16

E.16K

4．若R AM 的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的

输出线（即字线加位线）共有条。

A.8

B.16

C.32

D.256

5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。

A.8×3

B.8K ×8

C. 256×8

D. 256×256

6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。

A.10行10列

B.5行5列

C.32行32列

D. 1024行1024列

7．随机存取存储器具有功能。

A.读/写

B.无读/写

C.只读

D.只写

8．欲将容量为128×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。

A.1

B.2

C.3

D. 8

9．欲将容量为256×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。

A.4

B.2

C.3

D. 8

10．只读存储器ROM 在运行时具有功能。

A.读/无写

B.无读/写

C.读/写

D.无读/无写

11．只读存储器R OM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。

A.全部改变

B.全部为0

C.不可预料

D.保持不变

12．随机存取存储器RAM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。

A.全部改变

B.全部为1

C.不确定

D.保持不变

13．一个容量为512×1的静态RAM 具有。

A.地址线9根，数据线1根

B.地址线1根，数据线9根

C.地址线512根，数据线9根

D.地址线9根，数据线512根

14．用若干R AM 实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。

A.地址线

B.数据线

C.片选信号线

D.读/写线

15．PROM 的与陈列（地址译码器）是。

A.全译码可编程阵列

B.全译码不可编程阵列

C.非全译码可编程阵列

D.非全译码不可编程阵列

二、判断题（正确打√，错误的打×）

１．实际中，常以字数和位数的乘积表示存储容量。（）

２．RAM 由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。

（）

３．动态随机存取存储器需要不断地刷新，以防止电容上存储的信息丢失。

（）

４．用2片容量为16K ×8的R AM 构成容量为32K ×8的R AM 是位扩展。

（）５．所有的半导体存储器在运行时都具有读和写的功能。（）６．ROM 和R AM 中存入的信息在电源断掉后都不会丢失。（）

７．RAM 中的信息，当电源断掉后又接通，则原存的信息不会改变。（）８．存储器字数的扩展可以利用外加译码器控制数个芯片的片选输入端来实现。（）

９．PROM 的或阵列（存储矩阵）是可编程阵列。（）

１０．

ROM 的每个与项（地址译码器的输出）都一定是最小项。（）

三、填空题

1．存储器的和是反映系统性能的两个重要指标。

2. ROM用于存储固定数据信息，一般由、和三部分组成。

3.随机读写存储器不同于RO M ，它不但能读出所存信息，而且能够写入信息。根据存储单元的工作原理，可分为和两种

4. PROM和ROM 的区别在于它的或阵列是的。

第七章答案

一、选择题

1．BD

2．D

3．C

4．C

5．C

6．C

7．A

8．D

9．B

10．A

11．D

12．C

13．A

14．ACD

15．B

二、判断题

1. √

2. √

3. √

4. ×

5. ×

6. ×

7. ×

8. √

9. √ 10. √

三、填空题

1．存储容量存取时间2.地址译码器存储矩阵

输出电路3.静态RA M 动态RAM 4.可编程