哈尔滨工程大学834核反应堆物理2020考研专业课初试大纲
2020年考试内容范围说明
考试科目名称: 核反应堆物理
考试内容范围:
一、核反应堆的核物理基础
1.掌握截面、中子通量密度和核反应率的概念。
2.掌握截面随中子能量的变化规律。
3.掌握核裂变过程。
4.掌握反应堆内中子的循环过程。
二、中子的扩散与慢化
1.掌握中子的慢化。
2.掌握热中子反应堆内的中子能谱的分布规律。
3.掌握中子扩散方程及边界条件。
4.掌握非增殖介质内中子扩散方程的解法。
5.掌握分群扩散方法。
6.掌握扩散长度、慢化长度、徙动长度。
三、均匀反应堆的临界理论
1.掌握增殖介质内中子扩散方程的解法。
2.掌握热中子反应堆的临界条件。
3.掌握单群修正理论。
4.掌握反射层对反应堆的影响。
四、反应性的变化
1.掌握反应性的概念。
2.掌握中毒效应及对反应堆的影响。
3.掌握燃耗效应对反应堆的影响。
4.掌握核燃料的转换与增殖。
五、温度效应与反应性控制
1.掌握反应性温度系数及其对反应堆的影响。
2.掌握温度效应的机理及影响因素。
3.掌握反应性控制的原理。
4.掌握反应堆中反应性控制的方法及其特点。
六、反应堆中子动力学
1.掌握缓发中子在反应堆动力学中的作用。
2.掌握点堆中子动力学方程及其解，并能够用其分析问题。
3.掌握反应性变化时中子密度的响应，并能够用其分析问题。
七、中子输运理论
1.掌握中子输运方程及其边界条件。
考试总分：150分考试时间：3小时考试方式：笔试
考试题型：简答题（50~60分）计算题及证明题（60~70分）综合题（30分）参考书目
[1]曹欣荣.核反应堆物理基础.原子能出版社，2011
[2]谢仲生.核反应堆物理分析.西安交通大学出版社，原子能出版社，2004
哈工程——核反应堆物理试题
哈尔滨工程大学——《核反应堆物理分析》复习资料 ——邓 立 例1 由材料组份→临界尺寸 有一由235U 和普通水均匀混合的实验用柱形热堆235U 浓度0.0145g/cm 3 。用单群修正理 论计算最小临界体积下的圆柱体积尺寸。已知: 235 U 对热中子的微观吸收截面为590靶，水的微观吸收截面为0.58靶，η=2.065，热中子在水中扩散面积 22 8.1TM L cm =，227M cm τ=。 例1解：由圆柱堆结果可知220 23H B π=，22 02 3(2.405)2R B ?= 由单群修正理论的临界方程：22 11k M B ∞ =+ 可得：2 2 1k B M ∞-= （1）求：k pf εη∞=，由于无238U ，1p ε== 即：k f η∞= 其中： aF aF aM f ∑= ∑+∑， 令aF aM z ∑= ∑，则： 1z f z = + 1.13F A aF aF F aF F M aM M aM A aM M N N A z N N A ρσσρσσ∑= ===∑ 则： 0.531f =， 1.0965k ∞= （2）求：2 2T T T M L τ=+ 11133()3sM T TM T s sF sM D D = =≈=∑∑+∑∑ （,sF sM F M N N σσ） 2223.841TM T aF aM T TM T T a L D D L cm z = =≈=∑∑+∑+ F FM T TM F T F TM D D ττ→→= ==∑∑ 则：2 22 30.84T T T M L cm τ=+= 2 32 21 1.09651 3.1291030.84 k B cm M --∞--= ==? 代入以上结果可得：097.23H cm =，2 2 2 3(2.405)52.662R cm B ==
半导体物理考研总结
1.布喇格定律（相长干涉）：点阵周期性导致布喇格定律。 2.晶体性质的周期性：电子数密度n(r)是r的周期性函数，存在 3.2πp/a被称为晶体的倒易点阵中或傅立叶空间中的一个点，倒易点中垂线做直线可得布里渊区。 3.倒易点阵： 4.衍射条件：当散射波矢等于一个倒易点阵矢量G时，散射振幅 达到最大 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件是： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）简化为： 当电子波矢为±π/a时，描述电子的波函数不 再是行波，而是驻波（反复布喇格反射的结果） 5.布里渊区： 6.布里渊区的体积应等于倒易点阵初基晶胞的体积。 7.简单立方点阵的倒易点阵，仍是一个简立方点阵，点阵常数为2π/a，第一布里渊区是个以原点为体心，边长为2π/a的立方体。 体心立方点阵的倒易点阵是个面心立方点阵，第一布里渊区是正菱形十二面体。面心立方点阵的倒易点阵是个体心立方点阵，第一布里渊区是截角八面体。 8.能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。（边界处布拉格反射形成驻波，造成能量差）
9.第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 绝缘体：至一个全满，其余全满或空（初基晶胞内的价电子数目为偶数,能带不 交叠）2N. 金属：半空半满 半导体或半金属：一个或两个能带是几乎空着或几乎充满以外，其余全满 （半金属能带交叠） 10.自由电子： 11.半导体的E-k关系： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 2020年考试内容范围说明 考试科目名称: 核反应堆物理 考试内容范围: 一、核反应堆的核物理基础 1.掌握截面、中子通量密度和核反应率的概念。 2.掌握截面随中子能量的变化规律。 3.掌握核裂变过程。 4.掌握反应堆内中子的循环过程。 二、中子的扩散与慢化 1.掌握中子的慢化。 2.掌握热中子反应堆内的中子能谱的分布规律。 3.掌握中子扩散方程及边界条件。 4.掌握非增殖介质内中子扩散方程的解法。 5.掌握分群扩散方法。 6.掌握扩散长度、慢化长度、徙动长度。 三、均匀反应堆的临界理论 1.掌握增殖介质内中子扩散方程的解法。 2.掌握热中子反应堆的临界条件。 3.掌握单群修正理论。 4.掌握反射层对反应堆的影响。 四、反应性的变化 1.掌握反应性的概念。 2.掌握中毒效应及对反应堆的影响。 3.掌握燃耗效应对反应堆的影响。 4.掌握核燃料的转换与增殖。 五、温度效应与反应性控制 1.掌握反应性温度系数及其对反应堆的影响。 2.掌握温度效应的机理及影响因素。 3.掌握反应性控制的原理。 4.掌握反应堆中反应性控制的方法及其特点。 六、反应堆中子动力学 1.掌握缓发中子在反应堆动力学中的作用。 2.掌握点堆中子动力学方程及其解，并能够用其分析问题。 3.掌握反应性变化时中子密度的响应，并能够用其分析问题。 七、中子输运理论 1.掌握中子输运方程及其边界条件。 考试总分：150分考试时间：3小时考试方式：笔试 考试题型：简答题（50~60分）计算题及证明题（60~70分）综合题（30分）参考书目 [1]曹欣荣.核反应堆物理基础.原子能出版社，2011 [2]谢仲生.核反应堆物理分析.西安交通大学出版社，原子能出版社，2004 半导体物理刘恩科考研 复习总结 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成 闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布拉格反射形成驻波，电子集聚不同区域，造成能量差） 自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 波矢为k的电子波的布喇格衍射条件： 一维情况（布里渊区边界满足布拉格）： 第一布里渊区内允许的波矢总数=晶体中的初基晶胞数N －每个初基晶胞恰好给每个能带贡献一个独立的k值； －直接推广到三维情况考虑到同一能量下电子可以有两个相反的自旋取 向，于是每个能带中存在2N个独立轨道。 －若每个初基晶胞中含有一个一价原子，那么能带可被电子填满一半； －若每个原子能贡献两个价电子，那么能带刚好填满；初基晶胞中若含有两个一价原子，能带也刚好填满。 杂质电离：电子脱离杂质原子的的束缚成为导电电子的过程。脱离束缚所需要的能力成为杂质电离能。 杂质能级：1）替位式杂质（3、5族元素，5族元素释放电子，正电中心，称施 主杂质；3族元素接收电子，负电中心，受主杂 质。） 2）间隙式杂质（杂质原子小） 杂质能带是虚线，分离的。 浅能级杂质电离能： 施主杂质电离能 普通生物学科目研究生考试大纲 本门课程总分150分，考试时间180分钟 一、考试内容-中国在职研究生招生网官网 本课程包括三部分内容：普通生物学、植物生物学、动物生物学，第一部分为主体，分值在90分左右（主要考查对生物学一般概念、原理的掌握程度，生态学部分不在本课程考查范围之内），后两部分分值各占30分左右（主要考查考生对动植物结构、功能和主要分类群典型特征的掌握程度）。 第一部分普通生物学 （一）绪论：生物界与生物学 1. 生物的特征 2. 生物界是一个多层次的组构系统 3. 把生物界划分为5个界 4. 生物和它的环境形成相互联结的网络 5. 在生物界巨大的多样性中存在着高度的统一性 6. 研究生物学的方法 7. 生物学与现代社会生活的关系 （二）细胞 1.生命的化学基础 1）原子和分子 2）组成细胞的生物大分子 3）糖类 4）脂质 5）蛋白质 6）核酸 2. 细胞结构与细胞通讯 1）细胞的结构 2）真核细胞的结构 3）生物膜——流动镶嵌模型 4）细胞通讯 3. 细胞代谢 1）能与细胞 2）酶 3）物质的跨膜转运 4）细胞呼吸 5）光合作用 5. 细胞的分裂和分化 1）细胞周期与有丝分裂 2）减数分裂将染色体数由2n减为n 3）个体发育中的细胞 （三）动物的形态与功能（重点参阅动物生物学部分） 1. 高等动物的结构与功能 1）动物是由多层次的结构所组成的 2）动物的结构与功能对生存环境的适应 3）动物的外部环境与内部环境 2. 营养与消化 1）营养 2）动物处理食物的过程 3）人的消化系统及其功能 4）脊椎动物消化系统的结构与功能对食物的适应 3. 血液与循环 1）人和动物体内含有大量的水 2）血液的结构与功能 3）哺乳动物的心脏血管系统 4. 气体交换与呼吸 1）人的呼吸系统的结构与功能 2）人体对高山的适应 3）危害身体健康的呼吸系统疾病 5. 内环境的控制 1）体温调节 2）渗透调节与排泄 6. 免疫系统与免疫功能 1）人体对抗感染的非特异性防卫 2）特异性反应（免疫应答） 3）免疫系统的功能异常 7. 内分泌系统与体液调节 1）体液调节的性质 哈尔滨工程大学核反应堆物理2012回忆版（简答题第8题后半个小问题记得不是很清楚了，其它七个小问基本全部全面，其中序号可能有部分出入。解答题语序可能不能完全对上号，但题意表达齐全，第四题滴字不漏，数据分毫不漏，此题是曹欣荣赵强版课后习题第21题和第23题的改版，数据都没换；第五题的两个小问的问题有点乱，实在是记不清楚了，只写了个大概，部分字母表示不是很 准确） 一、简答题：（每道10分，共80分） 1.热中子反应堆中为什么要使用慢化计？慢化计的选择原则？ 2.缓发中子是如何产生的？缓发中子在反应堆中的作用？ 3.什么是多普勒效应？为什么燃料的温度系数是负值？ 4.简述热中子反应堆的中子循环过程，并写出四因子公式。 5.简述新堆启动、功率平衡、升功率、降功率、停堆和在重新启动过程中钐数目的变化？ 6.什么是反应堆堆芯寿期？比较在平衡氙堆芯寿期情况和最大氙堆芯寿期情况对反应堆运行有什么影响？ 7.什么是微分价值和积分价值？造成控制棒间的相互干涉效应的原因？ 8.简述热中子反应堆内热中子能谱分布，分析共振吸收的变化对反应堆微观截面的影响？ 二、（10分）一无限大平板，k00=1，(两边加反射层，将所有的中子都放射会堆芯所有中子都反射回堆芯，没有泄露)，问中子通量密度能否在一稳定功率下运行？不可以，说明理由；可以，请推导出。 三、（20分）一无限高宽a长b的方形热中子反应堆，单位高度上所产生的功率为P，每次核裂变释放的能量为Er,宏观裂变截面为(佘格马f)，求出其中子通量密度分布。 四、（20分）有一个由和石墨均匀混合而成的半径为100cm的临界的球形裸堆，利用修正的一群理论计算：临界质量。已知的热裂变因数n=2.065，热吸收截面590靶，石墨的热扩散面积3500cm2，中子年龄368，热吸收截成0.003靶，密度1.6g/cm3。 五、（20分）考虑缓发中子和外在中子源存在，运用点堆模型 （1）分析有效增殖因子小于1时，能否使中子通量密度在一稳定水平运行，若不能说明原因，若能请求出？ （2）若反应堆周期小于80秒，紧急停堆需要多长时间中子通量密度与原中子通量密度之为，以及后续中子通量变化情况？ 西安电子科技大学2018考研大纲：半导体 物理与器件物 出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新! 西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础 “半导体物理与器件物理”(801) 一、 总体要求 “半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。 “半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。 “器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理 论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。 “半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。 二、 各部分复习要点 ●“半导体物理”部分各章复习要点 (一)半导体中的电子状态 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动和有效质量 本征半导体的导电机构 核反应堆物理课程报告 罗晓 2014151214 有关反应堆反应性的研究报告 作者：罗晓 摘要：本学期我们进行了《反应堆物理》课程的学习，在学习之尾，为了检验学习成果，特在此做有关反应堆反应性的研究报告。在反应堆研究的各个方面，反应性的研究不可忽视，在反应堆运行期间,为了能在给定的功率条件下稳定地运行,且能满足紧急停堆、功率调节、补偿控制等要求,必须引入各种形式的反应性。而确定需要引入反应性的数量和采用何种方式进行高效与安全的控制,以及各种控制类型之间反应性的分配,是核反应堆堆芯设计的一个十分重要的方面。为了对立面的有关机理进行更加详细的了解,下面对各种反应性进行了综合分析,且对其稳定性进行了分析,得出了全面的控制机制和详细的动态特性。这对反应堆的堆芯设计、有效控制和安全运行具有重要的参考意义。 关键词：反应堆、反应性、控制 首先，我们在此解释反应性的概念。宏观上来说，反应性即为反映核反应堆状态的一种物理量。数学定义如下： 其中：k 为反应堆的有效增值系数 从上式来看，反应性表征了反应堆偏离临界状态的程度。在反应堆内引入反应性有很多种办法，而经常用到的有如下几种:(1)向堆内插入可移动的且具有较强中子吸收能力的控制棒，常采用由银 － 铟 － 镉合金组成的控制棒组件，他们通过控制棒驱动机构有效控制，我们将这部分反应性记为1ρ ;(2)向堆芯内装入对中子吸收截面较大的固体物质———可燃毒物，在堆芯运行期间，随着核燃料一起逐渐被消耗掉，我们将其记为2ρ ;(3)在轻水堆中，将对中子吸收截面较大的物质溶解在冷却剂中，将其称为可溶毒物，用 3ρ 表示。以上引入的这些反应性，无论是因操作需要而人为引入的，还是由于意外事故的发生而造成的(如控制棒被抛出或冷却剂泵损坏)，他们都是通过改变外加中子吸收物质来实现的。 同时，反应堆内反应性的变化应该考虑一下三种情况： （1）温度效应 因反应堆温度效应变化而引起的ρ发生变化的效应，称为反应性的温度效应。温度效应可以用反应性温度系数来衡量。负的温度系数对于反应堆安全运行有重要意义。 1=K K ρ- 历年华东师范大学906半导体物理考研真题答案资料一、考试解读： part 1 学院专业考试概况： ①学院专业分析：含学院基本概况、考研专业课科目:906半导体物理的考试情况； ②科目对应专业历年录取统计表：含华东师范大学信息科学技术学院电子工程系相关专业的历年录取人数与分数线情况； ③历年考研真题特点：含华东师范大学考研专业课906半导体物理各部分的命题规律及出题风格。 part 2 历年题型分析及对应解题技巧： 根据华东师范大学906半导体物理考试科目的考试题型（名词解释题、简答题、论述题等），分析对应各类型题目的具体解题技巧，帮助考生提高针对性，提升答题效率，充分把握关键得分点。 part 3 2018真题分析： 最新真题是华东师范大学考研中最为珍贵的参考资料，针对最新一年的华东师大考研真题试卷展开深入剖析，帮助考生有的放矢，把握真题所考察的最新动向与考试侧重点，以便做好更具针对性的复习准备工作。 part 4 2019考试展望： 根据上述相关知识点及真题试卷的针对性分析，提高2019考生的备考与应试前瞻性，令考生心中有数，直抵华东师范大学考研的核心要旨。 part 5 华东师范大学考试大纲： ①复习教材罗列（官方指定或重点推荐+拓展书目）：不放过任何一个课内、课外知识点。 ②官方指定或重点教材的大纲解读：官方没有考试大纲，高分学长学姐为你详细梳理。 ③拓展书目说明及复习策略：专业课高分，需要的不仅是参透指定教材的基本功，还应加强课外延展与提升。 part 6 专业课高分备考策略： ①考研前期的准备； ②复习备考期间的准备与注意事项； ③考场注意事项。 part 7 章节考点分布表： 罗列华东师范大学906半导体物理的专业课试卷中，近年试卷考点分布的具体情况，方便考生知晓华东师大考研专业课试卷的侧重点与知识点分布，有助于考生更具针对性地复习、强化，快准狠地把握高分阵地。 二、华东师范大学历年考研真题与答案： 汇编华东师大考研专业课考试科目的2010-2016、2018年考研真题试卷，并配备2010-2016、2018年考研真题答案详解。本部分包括了（解题思路、答案详解）两方面内容。首先对每一道真题的解答思路进行引导，分析真题的结构、考察方向、考察目的，向考生传授解答过程中宏观的思维方式；其次对真题的答案进行详细解答，方便考生检查自身的掌握情况及不足之处，并借此巩固记忆加深理解，培养应试技巧与解题能力。 2018年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2016年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2015年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 2014年华东师范大学906半导体物理考研真题答案详解 南京信息工程大学2020考研大纲：820普通物理 学(光学) 考研大纲频道为大家提供南京信息工程大学2019考研大纲：820普通物理学(光学)，一起来看看吧！更多考研资讯请关注我们网站的更新! 南京信息工程大学2019考研大纲：820普通物理学(光学) 科目代码：820 科目名称：普通物理学(光学) 第一部分：大纲内容 《普通物理学(光学)》大纲主要包括《普通物理学》中的光学部分，主要内容涉及到《普通物理学》或《大学物理》教材中的“光学”部分，主要包括几何光学、波动光学、信息与偏振光学和波与粒子四个方面的内容。 一、几何光学 1、几何光学中的基本定律和原理 主要包括光的反射定律、折射定律、全反射和光的可逆性原理。 2、光在球面上的折射 主要包括球面折射公式、高斯公式、球面折射成像的作图法和球面折射的横向放大率。 3、薄透镜 主要包括薄透镜的基本概念，薄透镜成像公式和放大镜及其放大倍率的计算。 二、波动光学 1、光波及其相干条件 主要包括光波和光程的概念，光的相干条件和获得相干光的方法。 2、分波前干涉 主要包括杨氏双缝干涉的基本原理及其应用。 3、分振幅干涉 主要包括薄膜干涉的基本原理及其应用，迈克尔逊干涉的基本原理及其应用。 4、惠更斯-菲涅尔原理 主要包括惠更斯-菲涅尔原理和衍射现象的分类及其条件。 5、夫琅禾费衍射 主要包括单缝的夫琅禾费衍射衍射条件及其特征，圆孔的的夫琅禾费衍射衍射条件及其特征。 6、衍射光栅 主要包括光栅常数、谱线缺级和衍射光栅的应用。 7、衍射规律的应用 主要包括光学系统分辨本领的分析，X射线在晶体中的衍射。 三、偏振光学 1、偏振光学 主要包括自然光、线偏振光、部分偏振光、椭圆偏振光和圆偏振光的概念，偏振光的获得和检测，旋光现象，磁致旋光效应、原理 及其应用，电光效应、原理及其应用，光的吸收及其应用，光的色 散及其应用和光的散射及其应用。 四、波与粒子 1、黑体辐射 半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <10- 9 3 10~10- 9 10> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从 30C 变为C 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里（6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距）存在结构有 序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 ● 价电子向负电性大的原子转移 ⅠA 到ⅦA ，负电性增大，非金属性增强 中国科学院大学考研《普通物理(甲)》 考试大纲 一、考试科目基本要求及适用范围概述 本《普通物理(甲)》考试大纲适用于中国科学院大学理科类的硕士研究生入学考试。普通物理是大部分专业设定的一门重要基础理论课，要求考生对其中的基本概念有深入的理解，系统掌握物理学的基本定理和分析方法，具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 二、考试形式 考试采用闭卷笔试形式，考试时间为180分钟，试卷满分150分。 试卷结构：单项选择题、简答题、计算题，其分值约为1：1：3 三、考试内容： 大学理科的《大学物理》或《普通物理》课程的基本内容，包含力学、电学、光学、原子物理、热学等。 四、考试要求： (一) 力学 1. 质点运动学: 熟练掌握和灵活运用：矢径;参考系;运动方程;瞬时速度;瞬时加速度;切向加速度;法向加速度;圆周运动;运动的相对性。 2.质点动力学: 熟练掌握和灵活运用：惯性参照系;牛顿运动定律;功;功率;质点的动能;弹性势能;重力势能;保守力;功能原理;机械能守恒与转化定律;动量、冲量、动量定理;动量守恒定律。 3.刚体的转动: 熟练掌握和灵活运用：角速度矢量;质心;转动惯量;转动动能;转动定律;力矩;力矩的功;定轴转动中的转动动能定律;角动量和冲量矩;角动量定理;角动量守恒定律。 4.简谐振动和波: 熟练掌握和灵活运用：运动学特征(位移、速度、加速度，简谐振动过程中的振幅、角频率、频率、位相、初位相、相位差、同相和反相);动力学分析;振动方程;旋转矢量表示法;谐振动的能量;谐振动的合成;波的产生与传播;面简谐波波动方程;波的能量、能流密度;波的叠加与干涉;驻波;多普勒效应。 5.狭义相对论基础: 理解并掌握：伽利略变换;经典力学的时空观;狭义相对论的相对性原理;光速不变原理;洛仑兹变换;同时性的相对性;狭义相对论的时空观;狭义相对论的动力学基础;相对论的质能守恒定律。 (二) 电磁学 1. 静电场： 熟练掌握和灵活运用：库仑定律，静电场的电场强度及电势，场强与电势的叠加原理。理解并掌握：高斯定理，环路定理，静电场中导体及电介质问题，电容、静电场能量。 2. 稳恒电流的磁场： 硕士研究生招生考试业务课考试大纲 考试科目： 普通物理 科目代码： 823 一、 参考书目： 《普通物理学教程：力学》（第二版），漆安慎，高等教育出版社，2005年 《电磁学》（上、下册）（第二版），赵凯华，高等教育出版社，1985年 或包含以下“考试内容范围”所列内容的任意一套“普通物理”或“大学物理”教科书。 二、考试内容范围： 力学部分： （一）、质点运动学 1、直角坐标系中质点的位置矢量、速度、加速度、运动学方程 2、质点运动的角量描述（即角位置、角速度、角加速度等），自然坐标系中质点的切向和法向加速度 3、掌握已知运动方程()r r t 求)(t v 和)(t a ，已知加速度)(t a 求)(t v ,)(t r 的方法 （二）、质点动力学 1、动量、动量守恒定律、动量定理的应用 2、牛顿运动定律及其应用 3、功的计算，质点和质点系的动能定理 4、保守力和非保守力，重力、弹簧弹力、万有引力的功及其相关的势能 5、势能与保守力的关系，机械能守恒定律及应用 6、关于质点对于某固定点的角动量定理及角动量守恒 （三）、刚体力学 1、刚体定轴转动的运动学方程、角速度、角加速度 2、刚体定轴转动转动惯量的计算。 3、刚体定轴转动时的动能表示式、转动定理、角动量守恒定律及其应用 4、刚体定轴转动与质点平动的组合求解 （四）、振动和波动 1.简谐振动的运动学方程及动力学方程 2.同方向、同频率和同方向不同频率简谐振动的合成 3.波的干涉 （五）、狭义相对论 1、狭义相对论的基本假设及本质含义 电磁学部分 （一）、静电场 1、库仑定律，电场和电场强度 2、高斯定理及应用 3、电势，电场强度与电势的相互关系 4、掌握各种对称性带电体周围的电势与场强的分布规律和计算 5、掌握电容器与电容计算方法及其电能储存，静电场能量的计算。 6、有介质时的高斯定理 （二）、恒磁场 1、磁场，磁感应强度，毕奥--萨伐尔定律 2、掌握磁通量的定义及计算方法，磁场的高斯定理 3、安培环路定理，磁场对载流导线及线圈的作用 4、带电粒子在电场和磁场中的运动 （三）、电磁感应 1、电磁感应的基本定律，动生与感生电动势的计算 第一章半导体中电子的状态 名词解释： 直接带隙半导体 间接带隙半导体 格波 有效质量 空穴 布里渊区 重空穴、轻空穴 k空间等能面 解答题： 用能带理论定性地说明导体、半导体和绝缘体的导电性。 分别画出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 名词解释： 施主杂质 受主杂质 深能级杂质 杂质电离能 解答题： 简述杂质在半导体中的作用。 分别论述深能级和浅能级杂质对半导体的影响。 第三章半导体中载流子的统计分布 名词解释： 非简并半导体 简并半导体 本征半导体 状态密度 解答题： 有一n型半导体施主和受主杂质掺杂浓度分别为n6和w4，在温度高于数十k时，已知本征费米能级为Ei，玻尔兹曼常数为h，本征载流子浓度为n，试确定：1. 半导体的费米能级EF；2. 热平衡载流子浓度n0和p0. 第四章半导体的导电性 名词解释： 载流子散射 解答题： 简述半导体中载流子的主要散射机构。 画出本征半导体和杂质半导体电阻率随温度变化的曲线，并解释其变化规律。 耿氏振荡的机理。 第五章非平衡载流子 名词解释： 准费米能级 少子寿命 小注入条件 高度补偿半导体 直接复合与间接复合 复合中心 陷阱中心 解答题： 在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出（空穴的）爱因斯坦关系式。 连续性方程。 第六章p-n结 名词解释： p-n结 解答题： 画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程。 画出理想p-n结合硅p-n结的电流电压曲线，并根据曲线的差异简述p-n结电流电压曲线偏离理想p-n结主要因素。 第七章金属和半导体的接触 名词解释： 半导体功函数 欧姆接触 表面势 解答题： 什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基 天津大学2018年《717普通物理》考研大纲 1.考试的总体要求 考核学生对普通物理课程的基本概念、基本知识掌握的程度、物理知识面的宽度以及对问题分析、处理的能力和灵活性。 2.考试的内容及比例：(重点部分) （一）力学：30％(45分) （1）．质点与刚体运动学：运动学方程，轨道及轨道方程，速度，加速度及其分量表示。角速度，角加速度，角量与线量的关系。 （2）．质点、质点组与刚体动力学：牛顿运动定律，动量定理及动量守恒定律，动能定理与机械能守恒定律，角动量定理及角动量守恒定律。刚体的平动和定轴转动。 （3）．机械振动与机械波：简谐振动运动学及动力学特征，简谐振动的合成。平面简谐波方程，惠更斯原理，波的叠加与干涉，驻波。 （二）电磁学：30％(45分) （1）．真空与介质中的静电场：静电场的电场强度，电场力的功，电势。场强与电势的叠加原理，电场强度与电势的关系。高斯定理，环路定理。导体的静电平衡问题，电介质的极化现象，各向同性介质中的D与E的关系与区别。电容，静电场能量。 （2）．稳恒电流的磁场：磁感应强度矢量，磁场的叠加原理，毕奥-萨伐尔定律及应用。磁场的高斯定理，安培环路定理及应用。磁场对载流导体的作用，安培定律，载流线圈的磁场及在外磁场中所受的力矩。运动电荷的磁场，洛仑兹力。 （3）．电磁感应：法拉第电磁感应定律，楞次定律，感应电动势，自感，互感。自感储能，磁场能量。 （4）．麦克斯韦电磁场理论与电磁波：位移电流，麦氏方程组，电磁波的产生与传播，电磁波的基本性质，电磁波的能量、能流和能流密度。 （三）原子物理20％(30分) （l）．氢原子光谱，玻尔理论，能级与能级跃迁，量子化通则，原子能级量子化。 （2）．电子自旋。原子磁矩，外磁场对原子的作用。 （3）．原子的壳层结构，元素周期律，电子态的四个量子数，原子基态的电子组态。 半导体物理刘恩科考研复 习总结 Prepared on 24 November 2020 1.半导体中的电子状态 金刚石与共价键（硅锗IV族）：两套面心立方点阵沿对角线平移1/4套构而成闪锌矿与混合键（砷化镓III-V族）：具有离子性，面心立方+两个不同原子 纤锌矿结构：六方对称结构（AB堆积） 晶体结构：原子周期性排列（点阵+基元） 共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，电子可以 在整个晶体中运动。 能带的形成：组成晶体的大量原子的相同轨道的电子被共有化后，受势场力作用，把同一个能级分裂为相互之间具有微小差异的极其细致的能 级，这些能级数目巨大，而且堆积在一个一定宽度的能量范围 内，可以认为是连续的。 能隙（禁带）的起因：晶体中电子波的布喇格反射－周期性势场的作用。 （边界处布 拉格 反射 形成 驻 波，电子集聚不同区域，造成能量差）自由电子与 半导体的 E-K图： 自由电子模型： 半导体模型： 导带底：E(k)>E(0)，电子有效质量为正值； 价带顶：E(k) 哈尔滨工程大学优势专业排名,2019年哈尔滨工程大学最好的专业排名 哈尔滨工程大学优势专业排名,哈尔滨工程大学最好的专业排名 哈尔滨工程大学优势专业由哈尔滨工程大学历届学长学姐实名推荐：1、船舶与海洋工程推荐指数: 4.7(629人推荐) 2、核工程与核技术推荐指数: 4.7(602人推荐) 3、自动化推荐指数: 4.8(537人推荐) 4、热能与动力工程推荐指数: 4.6(432人推荐) 5、机械设计制造及其自动化推荐指数: 4.4(384人推荐) 6、电气工程及其自动化推荐指数: 4.8(191人推荐) 7、核反应堆工程推荐指数: 4.9(172人推荐) 8、通信工程推荐指数: 4.7(158人推荐) 9、电子信息工程推荐指数: 4.6(127人推荐) 10、水声工程推荐指数: 4.9(123人推荐) 11、轮机工程推荐指数: 4.7(113人推荐) 12、港口航道与海岸工程推荐指数: 4.8(107人推荐) 13、探测制导与控制技术推荐指数: 4.6(99人推荐) 14、计算机科学与技术推荐指数: 4.4(83人推荐) 15、飞行器动力工程推荐指数: 4.8(67人推荐) 16、测控技术与仪器推荐指数: 4.6(59人推荐) 17、材料科学与工程推荐指数: 4.4(59人推荐) 18、核化工与核燃料工程推荐指数: 4.8(58人推荐) 哈尔滨工程大学专业排名及分数线【理科】 专业名称年份平均分最低分考生类别录取批次水声工程2016617611理科一批船舶与海洋工程2016609606理科一批电子信息工程2016608--理科一批航空航天类2016605601理科一批自动化类2016605600理科一批信息安全2016605--理科一批核工程与核技术2016604596理科一批港口航道与海岸工程2016604602理科一批核化工与核燃料工程2016601596理科一批能源与动力工程2016599596理科一批电子信息类2016599596理科一批经济学类2016599--理科一批材料科学与工程2016597--理科一批计算机科学与技术2016596596理科一批数学与应用数学2016596593理科一批物联网工程2016596595理科一批软件工程2016596593理科一批机械设计制造及其自动化2016595595理科一批工程力学2016594593理科一批土木类2016594592理科一批光电信息科学与工程2016594--理科一批轮机工程2016593--理科一批工业设计2016592--理科一批工商管理类2016591--理科一批化学工程与工艺2016591--理科一批金融学2016583--理科一批材料物理2016569--理科一批哈尔滨工程大学专业排名及分数线【文科】专业名称年份平均分最低分考生类别录取批次英语2016545540文科一批法学2016544540文科一批思想政治教育2016538537文科一批社会学2016538--文科一批 2019年宁波大学硕士研究生招生考试复试科目 考 试 大 纲 科目代码、名称:普通物理（力学、热学） 1、考试形式与试卷结构 （1）试卷满分值及考试时间 本试卷满分为100分，考试时间为120分钟。 （二）答题方式 答题方式为闭卷、笔试。试卷由试题和答题纸组成；答案必须写在答题纸（由考点提供）相应的位置上。 （三）题型结构 计算题 二、考试科目简介 普通物理学是物理学中最基础的一门学科。它不仅是物理学各个领域的共同基础理论，而且是理、工、医学、生命科学、材料科学和信息科学等的重要的理论基础。作为物理学各专业的硕士研究生，要求对于普通物理学（力学、热学）的概念及原理有比较深入的了解。入学考试的重点放在熟练掌握质点运动学、质点动力学、动量定理、动能定理、刚体力学。熟练掌握平衡状态、理想气体状态方程、能量均分定理、热力学第一定律、热力学第二定律。掌握简单的现象和问题的处理方法，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。 二、考试内容及具体要求 （一）熟练掌握质点运动学的基本规律，其中包括： 运动学方程，位移、速度、加速度，抛体运动，自然坐标-切向和法向，极坐标-径向和横向，相对运动。 （二）熟练掌握动量定理和动量守恒定律，其中包括： 能应用牛顿定律解题，冲量和动量定理，动量守恒定律。 （三）熟练掌握动能和势能的基本规律，其中包括： 功，动能定理，保守力，势能，功能原理，机械能守恒定律，碰撞问题。 （四）掌握角动量的基本规律，其中包括： 质点与质点系的角动量，角动量守恒定律，对称性。 （五）熟练掌握刚体力学的基本规律，其中包括：， 刚体定轴转动定律，转动惯量计算，转动中的功和能，刚体的角动量和角动量守恒定律。 （六）熟练掌握气体分子运动论的基本规律，其中包括： 平衡状态，温度，理想气体状态方程，理想气体的压强，温度的微观解释，能量均分定理，麦克斯韦速率分布律，气体分子的平均自由程。 黑龙江大学硕士研究生入学考试大纲 考试科目名称：半导体物理考试科目代码：[071] 一、考试要求 全面地掌握半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂志和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律；p-n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；以及半导体的光、热、磁、压阻等物理现象。 二、考试内容 第一章半导体中的电子状态 §1、半导体的晶格结构和结合性质 半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 半导体的闪锌矿型结构及其特点 §2、半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动； 晶体中的电子运动服从布洛赫定理； 布洛赫波函数的意义； 半导体（硅、锗）能带的特点； 用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性。 §3、半导体中电子的运动有效质量 导带中E（k）与k的关系； 价带顶附近电子的运动； 有效质量的意义 §4、本征半导体的导电机构空穴 导电条件：有外加电压，有载流子； 载流子产生的途径； 导电机构（电子导电、空穴导电）。 §5、回旋共振 利用回旋共振实验测量有效质量； k空间等能面； 回旋共振原理及条件。 §6、硅和锗的能带结构 硅和锗的导带结构； 硅和锗的价带结构； 在硅、锗的能带图中指出导带底和价带顶的位置及禁带宽度。 §7、III-V族化合物半导体的能带结构 化合物半导体的种类； 化合物半导体的共同特性； 化合物半导体能带结构的一般特征； 掌握砷化镓的能带结构。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 §1、硅、锗晶体中的杂质能级 晶体中杂质基本情况； 硅、锗晶体中的施主杂质和受主杂质及其电离能； 浅能级杂质电离能计算——类氢模型； 杂质补偿作用； 深能级杂质。 §2、III-V族化合物中的杂质能级 杂质在砷化镓中的存在形式； 各类杂质在砷化镓、磷化镓中的杂质能级。 §3、缺陷、位错能级 掌握点缺陷和位错缺陷对半导体性能的影响。 第三章半导体中载流子的统计分布 §1状态密度 k空间的状态密度； 导带和价带能量状态密度。 §2、费米能级和载流子的统计分布 掌握费米分布函数和玻耳兹曼分布函数及费米能级的意义； 费米能级的数值与温度、半导体材料的导电类型、杂质浓度及零点的选取有关，电子浓度、空穴浓度表达式的意义； 导带电子浓度和价带空穴浓度公式。 北京科技大学2018年《612-普通物理》考研大纲 一、考试性质 《普通物理》是物理学专业研究生入学统一考试的科目之一。《普通物理》考试要力求反映物理学硕士学位的特点，科学、公平、准确、规范地测评考生的基本素质和综合能力，选拔具有发展潜力的优秀人才入学，为国家的经济建设培养具有良好职业道德、具有较强理论分析与解决实际问题能力的高层次、应用型、复合型的物理学专业人才。 二、考试要求 测试考生对于普通物理的基本概念、基础理论的掌握和运用能力。 三、考试内容 Ⅰ.力学 1.质点运动学 1）位矢、位移 2）速度、加速度 3）直线运动 4）曲线运动 2.牛顿定律 1）常见的几种力 2）用牛顿定律解题 3.动量与角动量 1）冲量与动量定理 2）动量守恒定律 3）质点的角动量和角动量定理 4）角动量守恒定律 4.功与能 1）功 2）动能定理 3）势能 4）功能原理、机械能守恒定律 5.刚体定轴转动 1）刚体定轴转动的运动学描述 2）转动定律 3）转动惯量 4）刚体的角动量和角动量守恒 5）转动中的功与能 Ⅱ.电磁学 1.静电场 1）电场与电场强度 2）库仑定律与静电场的计算 3）用高斯定理求静电场的分布 4）导体的静电平衡 5）电场对电荷的作用力 2.电势 1）静电场的保守性 2）电势和电势差 3）电势叠加原理 4）点电荷在外电场中的静电势能 5）静电场的能量 3.电容器和电介质 1）电容器及其电容 2）电介质对电场的影响 3）电位移矢量及其高斯定理 4）电介质中电场的能量 4.恒稳电流的磁场 1）磁场与磁感应强度 2）比奥—萨伐尔定律 3）安培环路定理 4）利用安培环路定理求磁场的分布 5.磁力 1）带电粒子在磁场中的运动 2）霍尔效应 3）载流导线在磁场中受的磁力 4）载流线圈在磁场中受的磁力矩 6.磁介质 1）物质的磁化 2）磁场强度及其环路定理 7.电磁感应 1）法拉第电磁感应定律 2）动生电动势 3）感生电动势与感生电场 4）自感与互感 5）磁场的能量 8.麦克斯韦方程组与电磁波 1）与变化电场联系的磁场 2）麦克斯韦方程组 3）电磁波 四、考试方式与分值 1.试卷满分及考试时间 试卷满分为150分，考试时间180分钟。 2.答题方式 答题方式为闭卷、笔试。允许使用计算器（仅仅具备四则运算、乘方与开方、三角函数运算功能的计算器）。 文章来源：文彦考研哈尔滨工程大学834核反应堆物理2020考研专业课初试大纲
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