模拟电子技术第4章习题答案

4基本放大电路

自我检测题

一．选择和填空

1.在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选

用 A 或 C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。

（ A ．共射组态， B ．共集组态， C．共基组态）

2．射极跟随器在连接组态方面属共集电极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很大，输出电阻很小。

3．H参数等效电路法适用低频小信号情况。

4．图解分析法适用于大信号情况。

5．在线性放大条件下，调整图选择题 5 所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指

标的变化。

（ A ．增大， B．减小， C．基本不变）

（ 1）当 R c增大时，则静态电流 I CQ将 C ，电压放大倍数A v将A，输入电阻R i将C，输出电阻 R o将 A ；

（ 2）当 V CC增大，则静态电流 I CQ将 A ，电压放大倍数A v将A，输入电阻R i将B，输出电阻 R o将 C 。

6．在图选择题5所示电路中，当输入电压为 1kHz 、 5mV 的正弦波时，输出电压波形

出现底部削平失真。回答以下问题。

（1）这种失真是 B 失真。

（A ．截止， B．饱和， C．交越， D．频率）

（2）为了消除失真，应 B 。

（A ．增大R C，B．增大R b，C．减小R b，D ．减小

+V CC

R b Rc

C 1

v o v i V CC，E．换用

大的管子）。R L

图选择题5

7.随着温度升高，晶体管的电流放大系数_A_ ，穿透电流I CEO _A_ ，在 I B不变的情况

下b-e 结电压 V BE_ B_。

（ A ．增大， B．减小， C．不变）

8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。

（ A ．上移，B．下移， C．左移， D ．右移， E．增大， F．减小， G．不变）

9．共源极放大电路的v o与 v i反相位，多作为中间级使用。

10．共漏极放大电路无电压放大作用，v o与 v i同相位。

11．共栅极放大电路v o与 v i反相位。

12. 在相同负载电阻情况下，场效应管放大电路的电压放大倍数比三极管放大电路

低，输入电阻高。

13. 场效应管放大电路常用的栅压偏置电路如图选择题

13 所示，说明下列场效应管可

以采用哪些类型的偏置电路。

（ 1）结型场效应管可以采用图示电路中的

b 、 d ；

（ 2）增强型 MOS 场效应管可以采用图示中的 c 、 d ；

（ 3）耗尽型 MOS 场效应管可以采用图示电路中的

a 、

b 、

c 、

d 。

V DD

R d

C 2

R d

C 2

R d

C 2 R

g2 R d

C 2

C 1

v o

v i

v o

v i R

v i R g

R s C s R

v i R

C s

R s (a )

( b )

( c )

( d )

图选择题 13

14．在共源组态和共漏组态两种放大电路中，

A 的电压放大倍数

A v 比较大，

B 的输

出电阻比较小。

B 的输出电压与输入电压是同相的。

（ A ．共源组态， B ．共漏组态）

15．在多级放大电路中，为了使各级静态工作点互不影响 , 应选用阻容耦合。

16．多级放大电路的电压放大倍数是各级电压放大倍数的乘积。

17．在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是 A v1 25 、 A v 2 100 、 A v3

40 ，

则三级放大电路 A v 10

折合为 100 dB 。

18．在三级放大电路中，已知各级电压增益分别是

20dB 、 25dB 、 35dB ，则三级放大

电路总增益为

80 dB ，折合为 104

倍。

19．在多级放大电路中，后一级的输入电阻可视为前一级的负载电阻，而前一级的输出电阻

可视为后一级的信号源内阻。

20．两个单管放大电路如图选择题

20（ a ）、（ b ）所示。令（ a ）图虚线内为放大电路Ⅰ

（b ）图虚线内为放大电路Ⅱ，由它们组成的阻容耦合多级放大电路如图（

c ）、（

d ）、（

e ）所

示，在典型参数范围内，就下列问题在图（ c ）、图（ d ）、图（ e ）中选择一个（或几个）填

空：

（ 1）输入电阻比较大的多级放大电路是 c 、 e （ 2）输出电阻比较小的多级放大电路是 d 、 e

（ 3）源电压放大倍数

A v s 值最大的多级放大电路是

；

e 。

+V CC+ V CC

b2R c 1 C

2R b3 C 1C

R s C1R s

T T II I

R L v o

v i v s

v s

R e 2v o

e 1C e

(a)(b)(c)

+V CC

R s C1C C2R s

C C

+V CC

R L

+ V CC

I II II I II

v s

s R L

(d)

(e)

图选择题20

21. 多级放大电路如图选择题21 所示。试选择正确的答案填空：T1构成 A 放大电路

组态； T2构成 C 放大电路组态；T 3构成 B 放大电路组态。

（ A ．共射，B．共集，C．共基）

R3R4

v i

R1R5

+V CC

T 3

C 4

v i 1

图选择题21

22．在多级放大电路常见的三种耦合方式中选择合适的一种或几种填空。

（ A ．阻容耦合， B．直接耦合，C．变压器耦合）

（ 1）要求各级静态工作点互不影响，可选用 A C ；

（ 2）要求能放大变化缓慢的信号，可选用 B ；

（ 3）要求能放大直流信号，可选用B；

（ 4）要求电路输出端的温漂小，可选用 A C ；

（ 5）要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用 C 。

23.试判断图选择题 23 中复合管的接法哪些是合理的，哪些是错误的，在正确的复合

管中进一步判断它们的等效类型。从括号内选择正确答案用 A 、B、C?填空，管①是 B ；管②是 E ；管③是 A ；管④是 C ；管⑤是 E 。

(A ． NPN 管， B ．PNP 管，C． N 沟道场效应管，D． P 沟道场效应管，E．错误的）

2 3 4 5

图选择题 23

24. 图选择题 24 中给出不同连接方式的复合管，为下列不同要求选择合适的复合管，用 a 、 b 、 c 、d 填空（如果存在多种选择，应都选择）。要求等效 PNP 型，应选择

B 、 C

要求等效输入电阻大，应选择

A 、

B 。

；

( a )

( b ) ( c ) ( d )

图选择题 24

二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）

1．组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（√

）。有源器件是指：

为满足晶体管正常工作条件，需加上直流电源（×）。

2．为了保证晶体管工作在线性放大区，双极型管的发射结和集电结都应加上正向偏置电压。

（ × ） 3．直流放大器必须采用直接耦合方式（√），所以它无法放大交流信号。

（ × ）

4. 放大电路的静态是指：

（ 1）输入端开路时的电路状态。

（ × ）（ 2）输入信号幅值等于零时的电路状态。（ √ ）（ 3）输入信号幅值不变化时的电路状态。（ × ）（ 4）输入信号为直流时的电路状态。

（ × ） 5．H 参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点。

（ × ） 6． H 参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。

（ × ） 7．晶体管的输入电阻 r be 是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

（ × ） 8．在共射放大电路中，当负载电阻

R L 减小，电压放大倍数下降，（ √

）输出电阻

也减小。（ × ）

9．共集放大电路电压放大倍数小于 1，所以不能实现功率放大。（ × ） 10．图判断题 10 所示放大电路具备以下特点：

（ 1）电压放大倍数接近于 1，负载 R L 是否接通关系不大；

（ √ ）

（ 2）输出电阻比 2k 小得多，（ √ ）与晶体管的 β

大小无关；（ × ）

（ 3）输入电阻几乎是 r be 的 β

倍。

（× ）

+V CC (+12V)

R b

180k

T C 2

v i R e R L

2k v o2k

R i R o

图判断题 10

11．结型场效应管通常采用两种偏置方式，即自偏压和分压式偏置电路。（√）

12.在共源放大电路中，当负载电阻减小时，电压放大倍数绝对值下降，输出电阻也减

小。（× ）13．MOS场效应管的栅极输入电流几乎等于零，所以MOS 管组成的放大电路的输入

电阻总可以视为无穷大（× ）14．场效应管的跨导随漏极静态电流增大而增大（√ ），输入电阻则随漏极静态电流

增大而减小。（× ）

15．场效应管的栅极电流几乎等于零，所以场效应管放大电路的输入电阻通常很大

（√），输出电阻也很大。（×）

16．共漏放大电路电压放大倍数总是小于1（√），所以不能实现功率放大。（×）17．场效应管的跨导 g m=I DQ/V GSQ（×）还是g m＝I D/V GS。（√）

18．增强型绝缘栅场效应管可以采用自偏压电路。（× ）19．耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自偏压电路。（× ）20．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。（√ ）21．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。（√）22．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。（√）23．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。（√）24．放大直流信号，只能采用直接耦合方式。（√）25．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（×）26．欲提高多级放大电路的输入电阻，试判断以下一些措施的正确性：

（ 1）输入级采用共集组态放大电路。（√ ）（ 2）输入级中的放大管采用复合管结构。（√ ）（ 3）输入级中的放大管采用场效应管。（√ ）27．复合管的β值近似等于组成复合管的各晶体管的值乘积。（√ ）28．一个NPN管和一个PNP管可以复合成NPN管也可以复合成PNP 管。（√ ）习题

4.1 定性判断图题 4.1 中哪些电路不具备正常的放大能力，并说明不能放大的原因。

R c C

2R c

R c

C 2

C 1 C 1 C 1V CC

T V

v i

v o R b v o R b v o v i v i

( a )(b )( c )

图题 4.1

解：（ a ）不能放大，输入回路无偏置电压

（ b ）能放大

（ c ）不能放大， V CC 极性不正确。

4.2 放大电路及晶体管输出特性如图题

4.2 所示。按下述不同条件估算静态电流 I BQ （取

V BE 0.7V ）并用图解法确定静态工作点

Q （标出 Q 点位置和确定 I CQ 、 V CEQ 的值）。

（ 1） V CC ＝12V ， R b 150k ， R c 2k ，求 Q 1；（ 2） V CC ＝12V ， R b 110k ， R c 2k

，求 Q 2；（ 3） V CC ＝12V ， R b 150k ， R c 3k

，求 Q 3；（ 4） V CC ＝8V ， R b 150 k

， R c

2k ，求 Q 4。

i c mA

+V CC

125 A

R c

R b C 2

100 A

C 1

75 A

v o

R L

50 A

v i

I B =25 A

CE V

图题 4.2

解： I BQ

V CC V BE

，作出各种情况下直流负载线

V CE V CC

I CQ R c ，得 Q 点见下图

R b

i c mA

125 A 6

Q 2 100 A

Q 1

4 3

Q 4

50 A

I B =25 A

CE V

（ 1） Q 1 ：I BQ ≈ 75μA ， I CQ ≈ 4mA ， V CEQ ≈ 4V （ 2） Q 2 ：I BQ ≈ 100μA ， I CQ ≈ 5.2mA ， V CEQ ≈ 1.7V .

（ 3） Q 3 ：I BQ ≈ 75μA ， I CQ ≈ 3.5mA ， V CEQ ≈ 1.5V

（ 4） Q 4 ：I BQ ≈ 49μA ， I CQ ≈ 2.5mA ， V CEQ ≈ 3V 4.3 某晶体管输出特性和用该晶体管组成的放大电路如图题

4.3 所示，设晶体管的

V BEQ

＝ 0.6V ，电容对交流信号可视为短路。

（ 1）在输出特性曲线上画出该放大电路的直流负载线和交流负载线，标明静态工作点 Q ；

（ 2）确定静态时 I CQ 和 V CEQ 的值；

（ 3）当逐渐增大正弦输入电压幅度时，首先出现饱和失真还是截止失真？

（ 4）为了获得尽量大的不失真输出电压，R b 应增大还是减小？

i C mA

+V CC

60 A

(+6V)

R b R c

50 A 270k

1.5k C 2

4 40 A

v o

R L 3

30 A

C 1

1.5k

20 A

v i

I B =10 A

CE V

1234

图题 4.3

解：（ 1） I BQ

BEQ

6 0.6 A

，直流负载线

V CC I CQ R c 6 1.5I CQ ，

R b

270

作图如下，得 I CQ ≈ 2mA ， V CEQ ≈ 3V 。

交流负载线方城为

i C

v CE

1 I CQ R L )

R L

(V CEQ

R L

即

i C (

1 v CE 4.5 )(

)

0.75 mA

0.75

作出交流负载线如下图

i C mA

60 A

交流负载线

50 A

40 A

直流负载线

3 Q 30 A

20 A

I B =10 A

CE V

（ 2） I CQ ≈2mA ， V CEQ ≈ 3V

（ 3）交流负载线上 Q 点到截止区的距离比 Q 点到饱和区的距离短，所以首先出现截止失真。

（ 4）减小 R b ，使 I BQ 增加。

4.4 已知图题 4.4 所示电路中的晶体管

β ＝50，bb '

100 ，调整 b 使静态电流 I CQ =0.5mA ，

R C 1、 C 2 对交流信号可视为短路。

（ 1）求该电路的电压放大倍数 A v ；

（ 2）若晶体管改换成 β

＝ 100 的管子，其它元件（包括

R b ）都不变， A v 将发生什么变

化？（基本不变，约减小到原来的

1 2 ，约增大一倍）

（ 3）若晶体管改换成 β

＝ 200 的管子，情况又如何？

+V CC(+12V)

R b

R c

8.2k

C2R

v i v o8.2k

图题 4.4

解：（ 1）r

be r(1) 26(mV )100 51

2.75k

b b I

EQ (mA)0.5

A v

R L50 4.1

r be 75

2.75

（ 2）R b不变， I BQ基本不变，所以r be基本不变，因此A v约增大一倍。

（3） R b不变， I BQ基本不变，β

增加 4 倍， I CQ增加 4 倍， V CEQ进入饱和区，晶体管

饱和，失去正常放大能力。

4.5 已知图题 4.5 所示电路中晶体管＝50，r bb '100 ，V BEQ＝0.7V。判断在下列两种情况下晶体管工作在什么状态。

(1) R b＝ 10 k， R c＝ 1k

(2) R b＝510 k， R c＝5.1k

如果工作在线性放大状态，则进一步计算静态工作点I BQ、I CQ、V CEQ以及电压放大倍数A v、输入电阻 R i、输出电阻 R o（设电容C1、C2对交流信号可视为短路）。

+ V CC (+12V)

R c

C 2

R b

v o

v i

图题 4.5

解：（1）I BQ V

BEQ120.7

mA R b

1.13

I CQ I

BQ56.5mA

V CE V CC I CQ R c1256.5144.5V 饱和

(2) I BQ V CC V BEQ 12 0.7

A R b510

CQβI BQ 1.1mA

V CE V CC I CQ R c12 1.1 5.1 6.4V

线性放大

r be r

1 β

1.27k

I EQ

A v

R c

50 5.1 200

1.27

R i = R b // r be ≈1.27k R o = R c = 5.1k

4.6 已知图题 4.6 所示电路中晶体管的＝ 50， r bb

200 ，V BEQ ＝ 0.7V ，电容的容量足够

大，对交流信号可视为短路。

（ 1）估算电路静态时的 I BQ 、 I CQ 、 V CEQ ；

（ 2）求电源电压放大倍数 A vs v o /v s 、输入电阻 i o

；

R 、输出电阻 R （ 3）当负载电阻 R L 开路时，求电源电压放大倍数

A v s 。

+V CC (+12V) R b R c C 2

270k 3k

C 1

R s

R L

v o

5.1k

v i

v s

R i

R o

图题 4.6

解：（ 1） I BQ

BEQ

12 0.7 A

R b

270

I CQ βI BQ

2.1mA

I CQ

12 2.1 3

5.7V

（ 2） r be r b b (1

) 26(mV )

200

0.831k

2.1

R i ＝ R b // r be ≈ 0.82k R o ＝R c ＝3k

A vs

R L

R i

r be R s R i

（ 3） A vs

R c

R i 82

R s R i

4.7 已知图题 4.7 所示电路中晶体管 =100， r bb'

所有电容对交流信号可视为短路。求该电路的电压放大倍数

200 ，调整

A v 。

R b2

使静态电流

I CQ =2mA ，

+V CC (+12V)

R c 3k

T C

R L

o3k

v i R

b1R e

C e

10k1k

图题 4.7

解： r r

bb (1) 26(mV )200101

1.5k

be I

EQ (mA)2

A v

R L100 1.5

100 r be 1.5

4.8 已知图题 4.8所示电路中晶体管的=160，r bb100BEQ＝ 0.7V ，电容的容量足够，V

大，对交流信号可视为短路。

（ 1）估算电路在静态时的I

、I

、V

CEQ

；

（ 2）求电压放大倍数v

、输入电阻i o

。

A R 、输出电阻R

+V CC(+15V)

b2R c

C 2

56k2k

C 1

v i R b1R e

v o

C e

43k3k

图题 4.8

解：

（ 1）

V B

R b1V

CC R R 6.5

b1 b 2

I CQ I

V B V BEQ

R e 1.94mA

I BQ

12A 1

V CE V CC I CQ (R c R e ) 5.3V

（ 2）r r

bb (1) 26(mV ) 2.26k

be I

EQ ( mA)

R c

A v 1 4 2

R i＝r be// R b1// R b2≈ 2.1k

R o＝ R c＝ 2 k

4.9 已知图题4.9所示电路中晶体管的＝80，V BEQ＝0.7V，r b b200，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。

（ 1）估算电路在静态时的V CEQ；

（ 2 ）计算电路在R L开路的电压放大倍数A

vo v o / v i和 R L接入后的电压放大倍数

A v v o /v i；

（ 3）信号源内阻R s等于多大时， A v s v o / v s是 A v的一半？

+ V CC (+12V)

R b2R c

C 2

20k 3.3k

R s R L

v i R b1R e

o3.3k

v s10k2k C e

图题 4.9

解：（1）V B

4V V CC R

b1 b 2

I CQ I

V B

BEQ

1.65mA

R e

V CE V CC I CQ (R c R e) 3.26V

（ 2）r be r bb(1) 26(mV ) 1.46k

I EQ ( mA)

A vo R c180

r be

A v ( R c R L )

r be90

（ 3）当 R s＝ R i＝ r be // R b1 // R b2≈ 1.2k时， A v s v o / v s是 A v的一半。

4.10 已知图题 4.10所示电路中晶体管的＝ 80，r bb300BEQ＝ 0.7V ，电容的容量

，V

足够大，对交流信号可视为短路。

（ 1）要求静态电流I CQ=1mA ，估算 R e1的值；

（ 2）求电压放大倍数v i

和输出电阻o

。

A 、输入电阻R R

+V CC (+12V) R

b2R c

C 2

62k3k

C 1

R b151 v

i20k

R e2

v o

R L

10k e1

C e

R i R o

图题 4.10

解：

（ 1） R b1

V V B

V CC

R b 2

2.93

R b1 R

V B

BEQ

e2 2.1k

I CQ

（ 2） r

) 26(mV )

2.38k

I EQ ( mA)

A v

(R c R L )

) R e2

R i ＝ R b1 // R b2 // [r be +(1+ )R e2]≈ 4.6k R o ＝ R c ＝ 3 k

4.11 已知图题 4.11 所示放大电路中晶体管的

＝ 80， V BEQ ＝ 0.7V 。估算电路在静态时的

I BQ 、 I CQ 、 V CEQ 。

+V CC

R c (+10V)

2k R b C 2

150k

C 1

v o

v i

R e C e

图题 4.11

解：列方程 V

I CQ

c I BQ

R b V BEQ I EQ

得

V CC

BEQ

24 A

R b R c

)R e

I CQ (1 )I BQ 1.9mA

I CQ (R c R e ) 4.2V

4.12 已知图题 4.12 所示电路中晶体管的

＝ 50，

r bb 300

，静态时的 V

， V BEQ

CEQ ＝ 4V ＝ 0.7V ，各电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。

（ 1）设 R 1＝ R 2，估算 R 1、 R 2 的值；

（ 2）画出简化 H 参数交流等效电路图；

（ 3）求电压放大倍数v

v s 、输入电阻

、输出电阻

；

v / v 、 A s

R R

（ 4）若 C 3 开路，定性分析静态工作点、

A vs 、 R i 、 R o 有何变化。

+V CC (+15V)

R c

8.2k

R 1R 2

C1C2

R s T

R L

C 3v o8.2k

v i

v s

R i R o

图题 4.12

解：

（ 1） V CC I CQ R c I BQ (R1R2 ) V BEQ

CEQ V

BEQ I BQ(R1R2 ) 代入上式，得

I CQ V CC V CEQ

R c 1.34mA

I BQ

26A 1

所以 R1 R21

CEQ

BEQ

63k 2

（ 2） H 参数交流等效电路图为

i b

R s

v i R 1r

b e R 2R

c v o R L

i b

v s

(3) r be r

bb(1)26(mV ) 1.29 k

I EQ (mA)

A v ( R2R c R L )

r be149

R i = R1//r be =1.3k

vs A v

R i

83 R R

s i

R o＝ R2 // R c≈ 7.3 k

（4）若 C开路，对 Q 点无影响，A i、R o都会减小，因为引入了电压并联负反馈。

3v s

、R

4.13 已知图题4.13所示电路中晶体管的＝50，V BEQ＝0.7V，r bb＝100，各电容足够大，对交流信号可视为短路。

（1）求静态工作点 I BQ、 I CQ、 V CEQ；

（2）求电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o

+V CC(+12V)

R b

270k

T C 2

v s v i R e

v o R L

4.7k3k

R i R o

图题 4.13

解：

（1）I BQ

V CC V BEQ

A R b(1

) R e

I CQ I BQ 1.1mA

V CEQ＝ V CC－I EQ R e≈ 6.7V

（ 2）r

be r(1) 26(mV ) 1.27k

b b I

EQ (mA)

A v

(1)( R e R L )

0.987 r be(1)( R e R L )

R i＝ [ r be + (1+) (R e// R L )] // R b≈ 70k

R o＝ R e//r be25

4.14 已知图题 4.14所示电路中晶体管的＝ 150，be＝ 3k，各电容的容抗可忽略不计。

（ 1）画出简化 H 参数交流等效电路；

（ 2）求电压放大倍数v

o i v o

v s ；

A v/ v、 A s v

（3）当V s＝ 100mV 时，V o等于多少？在保持V s不变的条件下，断开负载电阻R L，V o又等于多少？

+V CC (+12V)

R b

600k

R s

C 2

100k

v i R e

v o R L

v s4k4k

图题 4.14

解：

（ 1） H 参数交流等效电路为

i b r

b e

R s

v i R b R e v o R L v s i b

（ 2）

(1)( R e R L )

0.99

A v

(1)( R e R L )

R i＝ [ r be + (1+) ( R e / / R L )] // R b≈ 202 k

R i

A vs A v R s R i0.66

（ 3） V o A vs V s66mV

R L断开后R i＝ [ r be + (1+ ) R e] // R b≈ 302 k

(1)R e R i

0.75

A vs

)R e R s R i

r be (1

V o A vs V s75mV

4.15 已知图题4.15所示电路中晶体管的＝120，V BEQ0.7V，r bb＝300，电容的容抗可忽略不计。

（1）估算静态电流 I CQ和发射极对地静态电位 V EQ；

（2）画出简化 H 参数等效电路图；

（ 3）求该电路电压放大倍数A v、输入电阻 R i和输出电阻 R o。

+ V EE (+9V)

R e

C 1 C 2

R L

v s v i

R b v o2k 200k

i C

R i R o

图题 4.15

解：

（1）I CQ

BEQ

2.3mA I

R b (1

R e)

EQ V

e 4.5V

（ 2）简化 H 参数等效电路图为：

i b r b e

v i R

b R e v o R L

i b

（ 3）r r

bb (1) 26(mV ) 1.68k

be I

EQ ( mA)

A v

(1)( R e R L )

r be (10.986

)( R e R L )

R i＝ R b //[ r be + (1+ ) (R e// R L )] ≈ 76k

R o＝ R e//

4.16 已知图题 4.16所示电路中晶体管的＝ 100， V BEQ＝ 0.6V ，r bb＝ 300，各电容的容抗可忽略不计。

（ 1）估算电路的静态工作点I BQ、 I CQ、V CEQ；

（ 2）求电压放大倍数v 1o1i v2o2i

；

A v/v、 A v/v

（ 3）求输入电阻R i和输出电阻R o1、 R o2。

+V CC (+15V)

R b2R c

C 2

20k 3.3k

T v o1

R b1

C3R o1

v i10k R e

v o2

3.3k

R i R o2

图题 4.16

解：

（ 1）

V B V

b1V R R5

b1 b 2

I CQ I EQ V B

BEQ

R e

1.33mA

I BQ=I CQ/13A

V CE V CC I CQ ( R c R e) 6.24V

（ 2）r be r bb(1

26(mV )

2.27k )

I EQ ( mA)

A v1

R c

0.98 r

be(1) R e

A v2(1)R c0.99

r be(1)R e

（ 3） R i＝ R b1// R b2 //[ r be + (1+) R e] ≈6.5k R o1＝R c＝ 3.3 k

R o2＝ R e// r

4.17 已知图题4.17所示电路中晶体管的＝80，V BEQ＝0.7V，r bb＝200，电容的容抗可忽略不计。

（1）估算静态工作点 I BQ、 I CQ、 V CEQ；

（2）画出简化 H 参数交流等效电路图；

（ 3）求电压放大倍数v

、输入电阻i o

。

A R 、输出电阻R

+ V CC (+12V)

b2R c

C 2

20k 3.3k

C1T

R L

v o

C b R b1R e

3.3k v i10k2k

R i R o

图题 4.17

解：（ 1）

b1V V B

R b1R b 24

I CQ I EQ V B

BEQ

R e

1.65mA

I BQ=I CQ/20A

V CE V CC I CQ ( R c R e ) 3.3V

（ 2）简化 H 参数交流等效电路图为

i b

i R e r

b e i b R c

v o R

（ 3）r be r bb(1) 26(mV ) 1.48k

I EQ ( mA)

A v

( R c R L )

18 R i＝ R e//

R o＝ R c＝3.3 k

4.18 已知图题4.18所示电路晶体管＝50，V BEQ＝0.7V，r bb＝300，电容的容抗可忽略不计。

（1）估算静态电流 I CQ和静态电压 V CQ（对地）；（2）画出简化 H 参数交流等效电路图；

（ 3）求电压放大倍数A v。

+ V CC (+9V)

R c

6.2kC 2

R e v o R L

v i 4.3k

5.1k

(6V)

图题 4.18

解：

（1）I EQ I CQ V

BEQ

1.04mA

R e

CQ V

CC I CQ R c 2.56V

（ 2）r r

bb (1) 26(mV ) 1.58k

be I

EQ ( mA)

A v (R c R L )

82 r

4.19 场效应管电路和该管的漏极特性曲线如图题 4.19 所示。试问当V GS为 3V 、5V 、7V 时，管子分别工作在什么区（恒流区、截止区、可变电阻区）？I D和 V DS各为多少？

+10V

i D mA

GS V

R d i D4

DS1

v GS

03V

46810 v DS V

图题 4.19

解：作出直流负载线如图示：V DS=10- I D R d=10-3 I D

当 V GS＝ 3V ，工作在截止区，I D＝ 0mA ， V DS＝ 10V

当 V GS＝ 5V ，工作在恒流区，I D＝ 1.3mA ， V DS=6.1V

当 V GS＝ 7V ，工作在可变电阻区，I D≈ 2.6mA ，V DS≈ 2V

4.20 定性判断图题 4.20 中哪些电路不具备正常的放大能力，说明不能放大的原因。

R d C2R d C2R d C2

C 1

DD C 1

DD v o v o v o

v i R g R s v i R

Ss v i R g R s

( a )( b )( c )

图题 4.20

解：

（a）不能放大，栅、源间缺少必要的正向静态电压

（b）能放大

（c）不能放大，V DD极性不正确

4.21 放大电路和场效应管恒流区内的转移特性如图题

开路。电容的容抗对交流信号可视为短路。

（1）图解确定静态工作点 I DQ、 V GSQ；

（2）图解确定工作点处的跨导g m；

（3）求电压放大倍数A v。

+V DD(+30V)

R d

8.2k C2

v o R L

v i R g R s

10k

C s

1M330

4.21 所示，场效应管的r dS可视为

i D mA

5 4 3

2 1

43210

v GS V

图题 4.21

解：i D mA （ 1）作负载线v GS i D R s330i D得1

I DQ3mA ， V GSQ=-1V R S

Q3（ 2）过 Q 点作切线， g m 4.7/2.7 1.7mS

（ 3） A v g m R d R L7.8

10 v

GS V

4.22 已知图题 4.22所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导g m＝1mS，r ds可视为无穷大，电容的容抗可忽略不计。

（ 1）画出微变等效电路图；

（ 2）计算电压放大倍数v

、输入电阻i

、输出电阻

。

A R R

+V DD (+12V)

R d

6.8k

C 2

C 1

v o

R L R g

R s 15k

C s

R i

R o

图题 4.22

解：

（ 1）微变等效电路图如下图所示

+ v i R

v gs

g m v gs

v o

（ 2） A v g m R d 4.7

R i =R g =1M R o =R d =6.8k

4.23 已知图题 4.23 所示放大电路的静态工作点正常，场效应管跨导

g m ＝2mS ， r ds 可视

为无穷大，电容的容抗可忽略不计。

（ 1）画出微变等效电路图；

（ 2）计算电压放大倍数

A v 、输入电阻 R i 、输出电阻 R o 。

R d + V DD (+12V)

200k R g 6.8k

C 2

C 1

10M

R L

v i

R s v

o 10k

100k

C s

R i

R o

图题 4.23

解：

（ 1）微变等效电路图如下图所示

R g

v i

v gs g m v gs

R d

v o

R L

《模拟电子技术》复习题10套及答案

. 《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

. 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题 + + +++ +------Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V B=50 Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 ++++++ ------D2R Rb1Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Uo Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 图3-1

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分）第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的约为（）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3．当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5．乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6．在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。二、选择正确答案填空(24分) 1．在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示, 该管为 ( )。

A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管 3．在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B．差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D．差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大 5．在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A．减小C, 减小Ri B．减小C, 增大Ri C．增大C, 减小Ri D．增大C, 增大 Ri 6．如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t u u O O i o /V /V 1010

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。（2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：

模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空（30分，每空1分） 1、半导体中存在两种载流子，分别为电子和空穴。杂质半导体分为两种，分别为 N 型半导体和 P 型半导体。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度高；基区做得很薄，且掺杂浓度低。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏；而集电结反偏。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的发射结正向偏置，三极管的集电结反向偏置，以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种，分别为微变等效法和图解法。 4、基本放大电路有三种组态，即共发射极、共基极和共集电极。多级放大电路常用的耦合方式有三种，分别为直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的代数乘积。 13、电压负反馈使输出电压稳定，因而降低了放大电路的输出电阻；电流负反馈使输出电流稳定，因而提高了电路的输出电阻。串联负反馈增大放大电路的输入电阻，并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的组态，分别为电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串联负反馈、电流并联负反馈。二、按要求选其中正确的一项填入括号（20分，每小题4分） 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器，它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有（C ） A 、负反馈深度较大的两级放大电路； B 、环路增益的幅值 1 AF ；得分评卷人

模拟电子技术课后习题及答案

第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“V”和“X”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P型半导体。() (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rs大的特点。() (6)若耗尽型N沟道MOS管的U Gs大于零，则其输入电阻会明显变小。() 解：(1) V (2) X (3) V (4) X (5) V (6) X 二、选择正确答案填入空内。 (1) ____________________________________ PN结加正向电压时，空间电荷区将______________________________ 。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2) _______________________________________________ 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是______________________ 。 A. I s e U B. Is^^ C. I s(e UU T-1) (3)稳压管的稳压区是其工作在________ 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)_____________________________________________________ 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_______________ 。

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术习题答案电工电子教学部 2012.2

第一章绪论一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过传感器将非电量转换为电量，即电信号。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的频谱。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从时域到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的振幅随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号称为数字信号。 9. 放大电路分为电压放大电路、电流放大电路、互阻放大电路以及互导放大电路四类。 10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益、dB lg 20i A =电流增益。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的稳态响应。 14. 幅频响应是指电压增益的模与角频率之间的关系。 15. 相频响应是指放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率之间的关系。二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？解：直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示

模拟电子技术基础期末考试试题及答案 2

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一（总分150分）（成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一）一、选择题（本大题10个小题，每小题4分，共40分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，把所选项前的字母填在题后的括号内。） 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R ×1k 档，测量同一二极管，则其正向电阻值（） a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示，由此可判断该三极管（） a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ，当接入2k Ω负载后，其输出电压降为4V ，这表明该放大电路的输出电阻为（） a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0，则在静态时该三极管处于（） a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态，设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为（）

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为（） a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指（） a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（） a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为（） a. －2.5V b. －5V c. －6.5V d. －7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为（） a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×）（3）线性电路一定是模拟电路。（√）（4）模拟电路一定是线性电路。（×）（5）放大器一定是线性电路。（√）（6）线性电路一定是放大器。（×）（7）放大器是有源的线性网络。（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。第2章习题答案

《模拟电子技术》复习题10套及答案

可编辑《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

可编辑 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：（1）写出输入级、中间级、输出级的电路名称。

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题开卷（）闭卷（√）考试时长：100分钟一、单项选择题（10*2=20分）每小题备选答案中，只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案，按答题卡的要求进行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时，有（） A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（） A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是（） A 、发射结正偏，集电结反偏 B 、发射结正偏，集电结正偏 C 、发射结反偏，集电结正偏 D 、发射结反偏，集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是（） A 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻小 B 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻大 C 、输出电流恒定，直流等效电阻小，交流等效电阻小 D 、输出电流恒定，直流等效电阻大，交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时，直流电压源VCC 应当（） A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（） A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，（见图2所示）则此三极管为（） A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时，说明它的电压放大倍数为（） A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为（） A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题（25*1=25分） 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 V ；锗二极管的门槛电压约为 _ _V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻；反向电阻。