模拟电子技术习题及解答

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模拟电子技术基础

第一章

电路如题图所示,已知()5sin i u t V ω=,二极管导通电压降D 0.7V U =。试画出i u 和o u 的波形,并标出幅值。 解:通过分析可知:

(1) 当37V i u .>时,37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时,o i u u = (3) 当37V i u .<-时,37o u .V =- 总结分析,画出部分波形图如下所示:

二极管电路如题图所示。(1)判断图中的二极管是导通还是截止(2)分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。

解:对于(a )来说,二极管是导通的。

采用理想模型来说,6V AO U =- 采用恒压降模型来说,67V AO U .=-

对于(c )来说,二极管1D 是导通的,二极管2D 是截止的。

采用理想模型来说,0AO U =

采用恒压降模型来说,07V AO U .=-

判断题图电路中的二极管D 是导通还是截止用二极管的理想模型计算流过二极管的电流

D ?I =

解:(b )先将二极管断开,由KVL 定律,二极管左右两端电压可求出:

25

101515V 182255U .-?

+?++左== 10

151V 14010U ?+右==

故此二极管截止,流过的电流值为0D I =

(c )先将二极管断开,由KVL 定律,二极管左右两端电压可求出:

151525V 255U .?

+左==,2

252005V 182U ..-?+左== 10

151V 14010U ?+右==

由于05V U U .-=右左,故二极管导通。 运用戴维宁定理,电路可简化为

05

327μA 153

D .I ..=

=

测得放大电路中六只晶体管的电位如题图所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。

解: T1: 硅管,PNP ,对应b, 12V 对应e, 0V 对应c

T2: 硅管,NPN ,对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管,NPN ,对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管,PNP ,12V 对应b, 对应e, 0V 对应c T5: 锗管,PNP ,对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管,NPN ,12V 对应b, 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章

当负载电阻L 1k R =Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路(L R =∞)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻o r 。 解:由题意知:

L L

08OC

OC o U R .U r R ?=+

解得025k Ωo r .=

电路如题图所示,设BJT 的06V BE U .=,CEO I 、CES I 可忽略不计,试分析当开关S 分别

接通A 、B 、C 三位置时,BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极电流C I 。

解:1243mA CS I /==,38000375mA BS I /.==

(1) 开关打在A 上:1206

0285mA 40

B BS .I .I -=

=>,故三极管工作在饱和区。 3mA C CS I I ==

(2) 开关打在B 上:1206

00228mA 500

B BS .I .I -=

=<,故三极管工作在放大区。 18mA C B I I .β==

(3) 开关打在C 上:发射结和集电结均反偏,故三极管工作在截止区。 I C =0

题图画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求: (1)电源电压CC V ,静态电流B I 、C I 和管压降CE V 的值; (2)电阻b R 、c R 的值;

(3)输出电压的最大不失真幅值;

(4)要使该电路不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少

解:(1)由输出特性图中可以读到: 20uA B I =,1mA C I =,3V CE U =, 6V CC V =。 (2) 300k ΩCC b B V R I =

=,3k ΩCC CE

C C

V U R I -== (3) 45330815V '

OM CE CEQ CEQ CES U min(U U ,U U )min(.,.).=--=--= (4)要使电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值取20uA

电路如题图所示。

(1)画出放大电路的微变等效电路;

(2) 写出电压放大倍数i

o u U U A .

.

11=i

o u U U A .

.

22=

的表达式;

(3)求输入电阻i r ;

(4)画出当e c R R =时的输出电压1o u 、2o u 的波形(输入i u 为正弦波,时间关系对齐) 解:(1)

(2) e

be C

e b be b C b i

o u R r R R i r i R i U U A )1()1(.

.

11ββββ++-=

++-=

=

221111.

o b e e

u .

b be b e be e

i

U ()i R ()R A i r ()i R r ()R U ββββ++=

=

=

++++ (3) '//i b i r R r =,其中1'

i be e r r ()R β=++

(4)由于考虑到e c R R =,因而21u u A A -≈其波形图可参考如下:

在题图所示电路中,已知三极管的1k Ωbe r =,80=β,试求: (1)电路的Q 点;

(2) ∞=L R 和30k ΩL R .=时的电压增益u A 、输入电阻i r 及输出电阻o r ;

解:(1)画出电路直流通路如下图所示:

列式:B e B b CC I R I R V β+=-7.0 得到:0

7

325μA CC B b e V .I .R R β

-=

=+,从而可求得:26mA E C B I I I .β≈==

故:1526372V CE CC e e U V I R ..=-=-?= (2)做出电路交流通路如下图所示:

)

//)(1()

//)(1()//()1()//()1(.

.

L e be L e L e b be b L e b i

o u R R r R R R R i r i R R i U U A ββββ+++=

+++=

=

当∞=L R 时,109961e

u be e

()R A .r ()R ββ+=

=++

1110k Ωi b be e r R //(r ()R )β=++= 363k Ω1s b be

o e R //R r r //R .β

+=

=+

当30k ΩL R .=时,109921e L u be e L ()(R //R )

A .r ()(R //R )

ββ+=

=++

176k Ωi b be e L r R //(r ()(R //R )β=++=

363k Ω

1s b be o e (R //R r )

r //R .()

β+=

=+

已知电路参数如题图所示,FET 工作点上的互导1m g mS =,设d d r R ?。 (1)画出电路的小信号模型; (2)求电压增益u A ; (3)求输入电阻i r 。

解:(1)电路的小信号模型如下图示:

(2)m gs d o

m d u

i gs m gs 1m 1g g 10 3.3g 1g 12

&&&&&U R U R U U U R R A --====-=-+++ (3)i g3g1g2g3//=2M R R R R r =+≈Ω。

电路如题图所示,其中三极管的β均为100,且be1 5.3k r =Ω,be26k r =Ω。 (1)求各级的静态值; (2)求i r 和o r ;

(3)分别求出当L R =∞和L 3.6k R =Ω时的us A 。

解:(1)对于第一级来说:()CC BE1B163

b1e1120.7

5μA 11.5101017.510V U I R R β--=

==++?+??

C1E1B10.5mA I I I β≈==

33CE1CC C1e1120.5107.5108.25V U V I R -=-?=-???=;

对于第二级来说:

B212

303V 9130

V =

?=+

E2307

045mA 51

.I ..-≈

≈ C2E2045mA I I .≈= B2C245μA I I .β==

CE2120.45(12 5.1) 4.3V U =-?+=

(2)

22309148k Ωi be r ////r .=≈

'i 12(1)(7.5//)298k Ωbe i r r r β=++≈ 'i i 1.5M Ω//1.5M //298k 248k r r ==ΩΩ≈Ω

o C212k R r ==Ω

(3)u u1u2A A A =?;u11A ≈;

L R =∞时:C2u2be210012

2006

R A r β--?=

==-;u u1u2200A A A =?=-; us 248

20018520248

A =-?

≈-+

L 3.6k R =Ω时:()()

C2L u2be2//10012//3.6466

R R A r β--?=

==-;u u1u246A A A =?=-;

us 248

4642.620248

A =-?

≈-+

某放大电路u A 的对数幅频特性如题图所示。

(1)试求该电路的中频电压增益um A ,上限频率H f ,下限频率L f ;

(2)当输入信号的频率L f f =或H f f =时,该电路实际的电压增益是多少分贝

解:(1)由图中可以看出中频电压增益为60dB ;810H f Hz =;2

10L f Hz =;

(2)实际电压增益为603=57dB -。

模拟电子技术基础 第三章

电路如题图所示,12100e e R R ==Ω,BJT 的100β=,0.6BE U V =,求: (1)静态工作点Q (111B C CE I I U 、、);

(2)当120.01V,0.01V i i u u ==-时,求输出电压12o o o u u u =-的值;

(3)当12c c 、间接入负载电阻 5.6k L R =Ω时,求o u 的值; (4)求电路的差模输入电阻id r 、共模输入电阻ic r 和输出电阻o r 。 解:(1)由于发射极为恒流源,所以:

C1E11

1mA 2

I I I ==

=恒;C1B11mA 10μA 100I I β==

=; 静态电路中取120i i u u ==,120.6V E E BE U U U ==-=-;

所以,CE1CC C1C1E15V U V I R U =--=(其中E1U 可以忽略,则CE1 4.4V U =)。 (2)差动放大电路为双端输入双端输出

有()()c1ud be1e1be1100 5.643.321+ 2.8261010.126200+1+100 2.826k 1

R A r R r ββ-??

==-=-?++????=?=Ω

??; 而120.02V id i i u u u =-=

故输出0.8664V o ud id u A u =?=-。 (3)当接入负载电阻L 5.6k R =Ω时:

()L c1ud be1e1//1001.8667214.441+ 2.8261010.1

R R A r R ββ?

?- ?

???==-=-++?;

14.440.020.289V o ud id u A u =?=-?=-。

(4)

()[]1212 2.82610110025.852k id be e r r R β=++=?+?=Ω????; ()1

1210M 2B ic be e r r R β=

++?Ω???

?;1211.2k od c r R ==Ω。 电路参数如题图所示。求:

(1)单端输出且L R =∞时,2o u =?L 5.6k R =Ω时,2o u =? (2)单端输出时,22ud uc A A 、和CMR K 的值;

(3)电路的差模输入电阻id r 、共模输入电阻ic r 和不接L R 时单端输出的输出电阻2o r 。 解:(1)单端输出时()()21

//1121.66221c L ud ud be e R R A A r R ββ=

=?=++;

所以,L R =∞时,o20.0221.66=0.4332V u =?;

L 5.6k R =Ω时,o221.66

0.02=0.2166V 2

u =?

。 (2)由(1)中知:单端输出时221.66ud A =, 不接负载时:()2

220.0281(1)200k c uc be e R A r R βββ=-

≈-++++?Ω

所以2

2

773.57ud CMR uc A K A =

=。 (3)单端输出时, ()22125.852id be e r r R k β=++=Ω????;

()11(1)1210M 2ic be e e r r R R ββ=?++++?≈Ω???

?;2 5.6o c r R k ==Ω。

电路如题图所示,123T ,T ,T 均为硅管,设1250ββ==,380β=,BE U 0.7V =,当0i u =时,0o u V =。

(1)估算各级的静态电流C3C2E I ,I ,I ,管压降CE3CE2U ,U ,及e2R 的值; (2)求总的电压增益u ud u2A A A =?; (3)当5i u mV =时,0?u =;

(4)当电路输出端接一L R 12k =Ω的负载电阻时,求电压增益u A 。 解:(1)由于当0i u =时,0o u V =,此时可以确定C30(12)V

1mA 12k I --==Ω

则CE3C3e3121213=9V U I R =-?=-?; 而此时C2CE30.790.78.3V U U =-=-=, 可求得C2C2128.3 3.7

0.37mA 10k

I R -=

==; 故E C 20.74mA I I ==;

又E1E20.7V U U ==-,故()CE2C2E28.30.79V U U U =-=--=; 由()()E e1e20.71211.3V I R R ?+=---=,得:e2 5.27k R =Ω。 (2)对于单入单出的差动电路:

()be22C226262001=20051 3.8k 0.37r I β=++?

+?≈Ω; ()be33C326262001=20081 2.3k 1

r I β=++?

+?≈Ω i233e3+(1+)=2.3+813=245.3k be r r R β=?Ω

2C22ud b be2R //1A 522R r i r

β=?≈+;

()3C3

u23e3be3

A 3.91+R R r ββ=-

≈-+;

故()u ud u2A A A 52 3.9203=?=?-=-。 (3)o u i A 2035mV 1V u u =?=-?≈-。 (4)当L 12k R =Ω时,u2 3.9

A 1.952

-=

=- ()u ud u2A A A 52 1.95102=?=?-≈-

某集成运放的一单元电路如题图所示,12T ,T 的特性相同,且β足够大,问: (1)12T T 、和R 组成什么电路在电路中起什么作用

(2)写出REF I 和C2I 的表达式。设BE 0.7V U =,CC V 和R 均为已知。

解:(1)12T T 、和R 组成镜像电流源,给T 3提供直流偏置,同时还是T 3的有源负载。 (2)CC BE

REF V U I R

-=

; C2REF I I ≈。

模拟电子技术基础 第四章

设题图所示电路中的开环增益A 很大。 (1)指出所引反馈的类型; (2)写出输出电流o i 的表达式; (3)说明该电路的功能。 解:

(1)电流并联负反馈。 (2)

根据分流公式得 22o

i i =

又因为i 1=-i 2 1110

i i

u u i R ==

所以 5

i

o u i =-

(3)此电路为电压转换电流电路,即压控电流源。

由集成运放A 及12T T 、组成的放大电路如题图所示,试分别按下列要求将信号源s u 、电阻

f R 正确接入电路。

(1)引入电压串联负反馈;(2)引入电压并联负反馈; (3)引入电流串联负反馈;(4)引入电流并联负反馈。 解:(1) 电压串联负反馈

(2)电压并联负反馈

(3)电流串联负反馈

(4)电流并联负反馈

负反馈放大电路如题图所示。

(1)判断反馈类型;

(2)说明对输入电阻和输出电阻的影响;(3)求深度负反馈下的闭环电压放大倍数。

解:(1)a 为电流串联负反馈

(2)a 图中由于串联,所以会增大输入电阻i r , 由于a 图为电流反馈,所以会增大输出电阻o r 。

(3)11411

1121

&&&&o o

if o

i I

I A I U F

=≈==??++;

342&&&&o

o uf i i

U I A U U -?===-。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

. 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

. 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 + + +++ +------Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V B=50 Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 ++++++ ------D2R Rb1Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Uo Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 图3-1

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向) 导电性。 2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温 度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其 反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集) 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳 定交流输出电流采用(串联)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=(1/ F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(), ()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号, 而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互 补功率放大器。 13、OCL电路是()电源互补功率放大电路; OTL电路是()电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻 ()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于() 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信 号是运载信息的工具,称为()。

模拟电子技术试卷及答案样本

模拟试卷一 一、填空(16分) 1.半导体二极管的主要特性是___________ 。 2.三极管工作在放大区时, 发射结为____ 偏置, 集电结为_____偏置; 工作在饱和区时发射结为___偏置, 集电结为____偏置。3.当输入信号频率为fL和fH时, 放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍, 或者是下降了__dB, 此时与中频时相比, 放大倍数的 附加相移约为_____ 。 4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈; 为降低放大电路输出电阻, 应引入_____反馈。 5.乙类功率放大电路中, 功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下, 可达到_____, 但这种功放有______失真。 6.在串联型稳压电路中, 引入了——负反馈; 为了正常稳压, 调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分) 1.在某放大电路中, 测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V, -10 V, -9.3 V, 则这只三极管是( )。 A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示, 该管为 ( )。

A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 3.在图示2差分放大电路中, 若uI = 20 mV, 则电路的( )。 A.差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为10 mV。 B.差模输入电压为10 mV, 共模输入电压为20 mV。 C.差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为10 mV。 D.差模输入电压为20 mV, 共模输入电压为20 mV。 4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路, 这是因为它的( )。 A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 5.在图示电路中,Ri为其输入电阻, RS为常数, 为使下限频率fL 降低, 应( )。 A.减小C, 减小Ri B.减小C, 增大Ri C.增大C, 减小Ri D.增大C, 增大 Ri 6.如图所示复合管, 已知V1的 b1 = 30, V2的 b2 = 50, 则复

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。 图P1.2 解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA 电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ~I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。 (1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么? 图P1.4 解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上) 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,只有当三极管工作在 区时,关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时, 视为短路, 视为短路,但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈,通常令输出电压为零,看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比,而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题(共10题,每题 2 分,共 20分;将正确选项的标号填在答题纸上) 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时,稳压二极管 。 A :稳压效果变差 B :仍能较好稳压,但稳定电压变大 C :反向截止 D :仍能较好稳压,但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置,集电结反向偏置,则此管的工作状态为 。 A :饱和状态 B :截止状态 C :放大状态 D :不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管,正确的说法是 。

模拟电子技术试卷(含答案)

一、填空(30分,每空1分) 1、半导体中存在两种载流子,分别为 电子和 空穴 。杂质半导体分为两种,分别为 N 型半导体 和 P 型半导体 。 2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度 高;基区做得 很薄 ,且掺杂浓度 低 。实现放大作用的外部条件是外加电源的极性应保证了射结正偏 ;而集电结 反偏 。 3、组成放大电路的基本原则是外加电源的极性应使三极管的 发射结 正向偏置,三极管的 集电结 反向偏置,以保证三极管工作在放大区。针对放大电路的基本分析方法有两种,分别为 微变等效法 和 图解法 。 4、基本放大电路有三种组态,即 共发射极 、 共基极 和 共集电极 。多级放大电路常用的耦合方式有三种,分别为 直接耦合、阻容耦合 和变压器耦合。多级放大电路的电压放大倍数为各级电压放大倍数的 代数乘积 。 13、电压负反馈使输出电压 稳定 ,因而降低了放大电路的 输出电阻;电流负反馈使输出电流 稳定 ,因而提高了电路的 输出电阻 。串联负反馈增大 放大电路的输入电阻,并联负反馈则减小输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的组态,分别为 电压串联负反馈、电压并联负反馈 、电流串联负反馈、电流并联负反馈。 二、按要求选其中正确的一项填入括号(20分,每小题4分) 1、在某种纯净的半导体中掺入以下杂质可以形成N 型半导体。(D) A 、含四价元素的杂质 B 、含空穴的杂质 C 、三价元素镓 D 、五价元素磷 2、在三极管的基本组态电路中(B) A 、共集组态的电压增益最大 B 、共集组态的电压增益最小 C 、共发组态的电压增益最小 D 、共基组态的电压增益最小 3、差分放大器是一种直接耦合放大器,它(D) A 、只能放大直流信号 B 、只能放大交流信号 C 、不能放大交流信号 D 、可以抑制共模信号 4、在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变(C) A 、发射极电阻 B 、集电极电阻 C 、基极电阻 D 、三极管的值 5、判断负反馈电路可能发生自激振荡的根据有(C ) A 、负反馈深度较大的两级放大电路; B 、环路增益的幅值 1 AF ; 得分 评卷人

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1.1 填空题 1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2.本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成 N 型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成 P 型半导体,其多数载流子是空穴。 3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。 4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将增大,正向压降将减小。 5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7.光电二极管能将光信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。 8.测得某二极管的正向电流为1 mA,正向压降为 V,该二极管的直流电阻等于 650 Ω,交流电阻等于 26 Ω。 1.2 单选题 1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶格缺陷

2.PN结形成后,空间电荷区由( D )构成。 A.价电子 B.自由电子 C.空穴 D.杂质离子 3.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而( B )。 A.减小 B.基本不变 C.增大 4.流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将( C )。 A.增大 B.基本不变 C.减小 5.变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A.整流 B.稳压 C.发光 D.可变电容器 1.3 是非题 1.在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( √ ) 2.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) 3.二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1.4 分析计算题 =,试写出各电路的输出电压Uo值。1.电路如图T1.1所示,设二极管的导通电压U D(on) =(6—V= V。 解:(a)二极管正向导通,所以输出电压U

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中,多数载流子是 ;在P 型半导体中,多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类,它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入 (共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 , , 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的( )组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术期末试题及答案

《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是()电流,它由()载流子形成,其大小与()有关,而与外加电压()。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大),发射结压降(变小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共)、()、()放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用()负反馈,为了稳定交流输出电流采用()负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=()。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称 为()信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙类)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数(1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具称(载波信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KU X U Y ),电路符号是()。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C),它的稳压值Uz才有 导通电流,否则处于(F )状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是(D)型。 A、( B、 C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B) D、(NPN) E、(PNP) 3、对功率放大器的要求主要是(B)、(D)、(E)。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(b ),此时应该( e )偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了(C)而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ(B )倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。A、电压B、电流C、串联

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t

1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β=100、I CBO =10μA 的管子,其温度稳定性好。 1.14

《模拟电子技术》模拟试题一及答案

14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题:(每空 1、PN 结正偏时( 2、 漂移电流是( 3、 所谓理想二极管, 等效成断开; 1 分 共 40 分) ),反偏时( )电流,它由( 就是当其正偏时, ),所以 PN 结具有( )载流子形成,其大小与( 结电阻为 ),等效成一条直线; )导电性。 )有关,而与外加电压( 当其反偏时, 结电阻为 ( )。 ), 4、 三极管是( ) 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( 6、 当温度升高时,晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是( 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用 反馈。 控制元件,场效应管是( 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= ( 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=( )、 控制元件。 ),集电结( ),发射结压降( )、( ) ) 。 )。 放大电路。 )负反馈,为了稳定交流输出电流采用( ), 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 )BW 其中 BW=( ),( AF= ( )称为反馈深度。 )。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为( 极性相反的两个信号,称为( )信号。 )信号,而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的( 13、 OCL 电路是( )电源互补功率放大电路; 、共集电极放大电路具有电压放大倍数( 用在输入级,输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制( )漂移,也称( 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为( 称为( )失真,而采用 OTL 电路是( ),输入电阻( ), )。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题(每空 2 分 共 30 分) )类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻( )等特点,所以常 )漂移,所以它广泛应用于( )电路中。 ),未被调制的高频信号是运载信息的工具, ), 电路符号是( )。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管, 值Uz 才有导通电流,否则处于( A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是( )型。 稳压时工作在 )状态。 )状态,但其两端电压必须( )它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ,则三个电极分别是( ), A 、( B 、 C 、E ) B 、( C 、B 、E ) C 、(E 、 、对功率放大器的要求主要是( )、( )、( A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 )。 E 、波形不失真 ),此时应该( E 、(PNP ) )偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了( )而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是( )。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ ()倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2

模拟电子技术习题答案1

模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2

第一章 绪论 一、填空题: 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量,即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布,称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布,称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下,将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示,其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是,在输入正弦信号情况下,输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时,输出为500mV ,它的增益是多少?属于哪一类放大电路? 解: Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ,输出电压为1V (有效值),如果直接将它与10Ω扬声器连接,扬声器上 的电压为多少?如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路,它的输入电阻R i =1MΩ,输出电阻R o =10Ω,电压增益为1,试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便? 解:直接将它与10Ω扬声器连接, 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后,使用电压放大电路模型,则等效电路如下图所示

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题:(要求) 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。 半导体中中存在两种载流子:和。纯净的半导体称为,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是; 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出 保持稳定,因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分,同时,尽量保留其中的成分。

模拟电子技术基础试卷及其参考答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷一专升本试卷及其参考答案 试卷一(总分150分) (成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一) 一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。) 1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R ×1k 档,测量同一二极管,则其正向电阻值( ) a. 增加 b. 不变 c. 减小 d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管( ) a. 处于放大区域 b. 处于饱和区域 c. 处于截止区域 d. 已损坏 图2 3. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这表明该放大电路的输出电阻为( ) a. 10k Ω b. 2k Ω c. 1k Ω d. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于( ) a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定 图4 5. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为( )

a.L m R g ' b.s m L m 1R g R g +'- C.L m R g '- d.m L /g R '- 图5 6. 图5中电路的输入电阻R i 为( ) a. R g +(R g1//R g2) b. R g //(R g1+R g2) c. R g //R g1//R g2 d. [R g +(R g1//R g2)]//(1+g m )R S 7. 直流负反馈是指( ) a. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 b. 放大直流信号时才有的负反馈 c. 直流通路中的负反馈 d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) a. 输入信号所包含的干扰和噪声 b. 反馈环内的干扰和噪声 c. 反馈环外的干扰和噪声 d. 输出信号中的干扰和噪声 9. 在图9所示电路中,A 为理想运放,则电路的输出电压约为( ) a. -2.5V b. -5V c. -6.5V d. -7.5V 图9 10. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( ) a. 10mV b. 20mV c. 70mV d. 140mV 图10

《模拟电子技术》复习题10套及答案

可编辑 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。 4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由,,和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的()组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。 A空穴 B三价元素硼 C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

可编辑 + + +++ +------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。 A 1:e、2:b、3:c B 1:c、2:e 、3:b C 1:c、2:b、3:e D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管,判断它们是导通还是截止?( ) A D1导通,D2导通 B D1导通,D2截止 C D1截止,D2导通 D D1截止,D2截止 三、判断题 ( )1、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同。 ( )2、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即(源极)自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 ( )3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 ( )4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 ( )5、集成运放内部第一级是差分放大电路,因此它有两个输入端。 ( )6、只有两个晶体管的类型相同(都为NPN 管或都为PNP 管时)才能组成复合管。 ( )7、RC 桥式振荡电路只要R f≤2R 1就能产生自激振荡。 ( )8、一个理想的差分放大电路,只能放大差模信号,不能放大共模信号。 ( )9、电压负反馈可以稳定输出电压。 ( )10、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示: (1)写出输入级、中间级、输出级的电路名称。

本科期末《模拟电子技术》试题与答案

图2 《模拟电子技术》试题 开卷( ) 闭卷(√) 考试时长:100分钟 一、单项选择题(10*2=20分) 每小题备选答案中,只有一个符合题意的正确答案。请将选定的答案,按答题卡的要求进 行填涂。多选、错选、不选均不得分。 1、半导体二极管加正向电压时,有( ) A 、电流大电阻小 B 、电流大电阻大 C 、电流小电阻小 D 、电流小电阻大 2、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( ) A 、反向偏置击穿状态 B 、反向偏置未击穿状态 C 、正向偏置导通状态 D 、正向偏置未导通状态 3、三极管工作于放大状态的条件是( ) A 、发射结正偏,集电结反偏 B 、发射结正偏,集电结正偏 C 、发射结反偏,集电结正偏 D 、发射结反偏,集电结反偏 4、三极管电流源电路的特点是( ) A 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻小 B 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻大 C 、输出电流恒定,直流等效电阻小,交流等效电阻小 D 、输出电流恒定,直流等效电阻大,交流等效电阻大 5、画三极管放大电路的小信号等效电路时,直流电压源VCC 应当( ) A 、短路 B 、开路 C 、保留不变 D 、电流源 6、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入( ) A 、共射电路 B 、共基电路 C 、共集电路 D 、共集-共基串联电路 7、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ,(见图2所示)则此三极 管为( ) A 、PNP 型锗三极管 B 、NPN 型锗三极管 C 、PNP 型硅三极管 D 、NPN 型硅三极管 8、当放大电路的电压增益为-20dB 时,说明它的电压放大倍数为( ) A 、20倍 B 、-20倍 C 、-10倍 D 、0.1倍 9、电流源的特点是直流等效电阻( ) A 、大 B 、小 C 、恒定 D 、不定 10、在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值约为( ) A 、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2 二、填空题(25*1=25分) 1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为 V ,导通后在较大电流下的正向压降约为 V ;锗二极管的门槛电压约为 _ _V ,导通后在较大电流下的正向压降约为_ _V 。 2、二极管的正向电阻 ;反向电阻 。

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