模拟电子技术题库
一、填空题
1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其
多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩
散电流 漂移电流，耗尽层 。
2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和
输出相位相同的是____________。
3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电
流控制器件，____________的输入电阻高。
4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：
和 。
5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起
失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。
6、直流稳压电源由 、 、
及 组成。
7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。
二、选择题
1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ）
A 、掺杂浓度
B 、工艺
C 、温度
D 、晶体缺陷
2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为
V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ）
A ． A 是基极，
B 是发射极，
C 是集电极，是NPN 管
B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管
C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管
D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管
3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（）
A、UGS＞0，UDS＞0
B、UGS＜0，UDS＜0
C、UGS＞0，UDS＜0
D、UGS＜0，UDS＞0
4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。
A、电流串联负反馈
B、电压并联负反馈
C、电流并联负反馈
D、电压串联负反馈
5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（）
A、提高Ri
B、提高Avd
C、提高K CMR
D、提高Avc
6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不能确定
7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（）
A、100%
B、78.5%
C、50%
D、20%
8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（）
A、增大为原来的2倍
B、降低为原来的一半
C 基本不变
D 、不能确定
9、某双电源互补对称功率放大电路，如果要求电路的最大可以输出10W 的功率，则选用的BJT 应保证其最大允许管耗P CM 不小于（ ）。
A 、10W
B 、5W
C 、2W
D 、1W
10、单相桥式整流、滤波电路如图所示。已知Ω=100L R ，V U 122=，估算o U 为
（ ）
A 、12V
B 、14.4V
C 、17V
D 、无法计算
三、判断题
1、功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功
率放大作用。（ ）
2、三极管从结构上看是由两个PN 结背靠背串联而成的，所以可以用两个二极
管背靠背串联连接构成三极管。 （ ）
3、对于正弦波振荡电路而言，只要不满足相位平衡条件，即使放大电路的放大
倍数很大也不可能产生正弦波振荡。（ ）
4、场效应管的导电机理和双极型三极管相似，均为多数载流子和少数载流子参与导电。（）
5、在深度负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af=1/F，它与反馈系数有关，而与放大电路开环增益A无关，因此基本放大电路的参数没有实际意义。（）
四、简答题
1、在图所示的各电路图中E＝5V，，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压的波形。
2、试求如图所示，电路输出电压与输入电压的运算关系式。
3、由集成运放和复合管组成的反馈放大电路如图所示。试回答下列各问题：
1．要使R 2引入的反馈为负反馈，请用“＋”“－”号分别标出集成运放的同相输入端
和反相输入端；
2．判断R 2所引入的交流负反馈的反馈组态。
4、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路，问
（1）为保证电路正常的工作，节点，K J L M 应该如何连接？
（2）R2应该选多大才能振荡？
（3）振荡的频率是多少？
五、计算题
1、已知如图所示电路中晶体管的
(+)∞+-+(+)(+)R u o u u +-+-u R L +-R o i +-，(+)(+)∞+-+(+)R f i u o u R 1R s s u +-+-f u R L +-，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路
（1）要求电路静态mA I CQ 3.1 ，+-R c
+U CC
R b
R e
u O R W T 2T 1
+-u id
R b -U EE R c ，估算c b R R ，的值
（2）求电压放大倍数u A ，输入电阻i R ，输出电阻o R
2、具有集电极调零电位器R p 的差分式放大电路如图LT_01所示。已知β=50，
V BE1=V BE2=0.7V ，当R p 置中点位置时，（1）求电路的静态工作点。
（2）双端输入、双端输出时的差模电压增益vd A ，共模电压增益vc A 、共模抑制
比CMR K
3、功放电路如图所示，设Ω==8,12L cc R v V ，功率BJT 的极限参数为
w P V V A I CM CEO BR CM 5,30,2)(===，试求：
（1）最大输出功率om P 值，并检验所给功率BJT 是否能安全工作：（2）放大电路在6.0=η时的输出功率o P 值
填空题
1、N型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其多数载流子是__________，少数载流子是__________。P型半导体和N型半导体放在一起时会形成PN结，当PN结外加反向电压时，扩散电流
漂移电流，耗尽层。
2、要使晶体三极管能正常工作在放大状态，应使发射结处于，集电结处于。
3、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q点设置过高，将会引起
失真，其输出电压的波形半周被部分削平。
4、直流稳压电源由、、
及组成。
5、引入负反馈后，放大电路的放大倍数，而放大电路的稳定性
。
6、若两个输入信号电压的大小，极性，就称为差模
输入信号。
7、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是：
和。
选择题
1、杂质半导体的多数载流子浓度取决于（）
A、掺杂浓度
B、工艺
C、温度
D、晶体缺陷
2、测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V，5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）
A、硅PNP型
B、硅NPN型
C、锗PNP型
D、锗NPN型
3、P沟道增强型场效应管处于恒流状态时要求（）
A、UGS＞0，UDS＞0
B、UGS＜0，UDS＜0
C、UGS＞0，UDS＜0
D、UGS＜0，UDS＞0
4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电压稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。
A、电流串联负反馈；
B、电压并联负反馈；
C、电流并联负反馈；
D、电压串联负反馈
5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re 的作用是：（ ）
A 、提高Ri ；
B 、提高Avd ；
C 、提高K CMR ；
D 、提高Avc
6、差分放大电路的输出由单端输出改为由双端输出时，其K CMR 将会 （ ）。
A 、增大 ；
B 、减小 ；
C 、不变 ；
D 、不能确定
7、甲类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（ ）
A 、100% ；
B 、78.5% ；
C 、50% ；
D 、20%
8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来21倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（ ）
A 、增大为原来的2倍；
B 、降低为原来的一半；
C 基本不变；
D 、不能确定
9、某双电源互补对称功率放大电路，如果要求电路的最大可以输出10W 的功率，则选用的BJT 应保证其最大允许管耗P CM 不小于（ ）。
A 、10W ；
B 、5W ；
C 、2W ；
D 、1W
10、单相桥式整流、滤波电路如图所示。已知Ω=100L R ，V U 122=，估算o U 为
（ ）
A 、12V
B 、14.4V
C 、17V
D 、无法计算
判断题
1、场效应管属于电压型控制器件，其g、s间阻抗要远大于三极管b、e间的阻抗（）
2、只有正反馈电路才能产生自激振荡，负反馈电路不能产生自激振荡。（）
3、在OTL功放电路中，输出耦合电容的作用是“隔直”，防止直流经负载短路（）
4、要求得到一个由电流控制的电压源，应引入电压并联负反馈（）
5、在深度负反馈放大电路中，闭环放大倍数Af=1/F，它与反馈系数有关，而与放大电路开环增益A无关，因此基本放大电路的参数没有实际意义。（）简答题
1、在图所示的各电路图中E＝5V，，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压的波形。
2、试求如图所示，电路输出电压与输入电压的运算关系式。
3、分别判断如图电路的反馈类型
（ ） （ ）
4、如图所示电路或者一个正弦波振荡电路，问
（1）为保证电路正常的工作，节点，K J L M 应该如何连接？
（2）R2应该选多大才能振荡？
（3）振荡的频率是多少？
(+)(+)∞+-+(+)R f i u o u R 1R s s u +-+-f u R L +-(+)∞+-+(+)(+)R f i u o s u +-+-f u R L +-
R s o i +-
计算题
1、求电路的静态参数（IB、IC、VCE)，及动态参数（AV、Ri、Ro)
2、差动放大电路如图所示，RW起到调电路两边对称程度的作用。已知：UCC ＝UEE＝12V，Rb＝Rc＝Re＝10千欧，Rw＝200欧，滑动头位于中点，UBE＝0.7V，放大倍数为50，rbe＝2.5千欧。试估算电路的静态工作点
+-
R c
+U CC
R b
u O
R W T2
T1
+
-
u id
R c
3、功放电路如图所示，设Ω==8,12L cc R v V ，功率BJT 的极限参数为
w P V V A I CM CEO BR CM 5,30,2)(===，试求：
（1）最大输出功率om P 值，并检验所给功率BJT 是否能安全工作：（2）放大电路在6.0=η时的输出功率o P 值
\
图1 图2
一、填空题
1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路
一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空：
（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为
A 将，R i将，R o将。（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，
u
A.增大
B.不变
C.减小
当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和
B.截止
3、如图1所示电路中，
（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大
A&= ；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，倍数
u
则放大电路的输入电阻R i= 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro≈。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、
和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和
三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）
1、半导体中的空穴带正电。（）
2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）
3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）
4、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（）
5、稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U z。（）
6、若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。（）
7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。（）
8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。（）
9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）
10、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E均可视为短路。（）
11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。（）
12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。（））
13、功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。（）
14、零点漂移就是静态工作点的漂移。（）
15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。（）
16、只有直接耦合放大电路才有温漂。（）
17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差；（）共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。（）
18、不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用；（√）R E越大，抑制温漂能力越强；（）
因此，R E可想取多大就取多大。（）
19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。（）
20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。（）
21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。
（）
22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。（）
23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。（）
24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数；（√）
同时，也可增大共模抑制比。（）
25、只有输出与输入反相的放大电路，才可能引入负反馈。（）
26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。（）
27、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。（）
28、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。（）
29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。（）
30、负反馈越深，电路的性能越稳定。（）
31、实现运算电路不一定非引入负反馈。（）
32、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。（×）
33、在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。（）
34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。（）
35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。（）
36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。（）
37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。（）
38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反相比例运算电路中的
集成运放无共模信号输入。（）
39、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。（）
40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。（）
41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。（）
42、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。（）
43、具有选频网络的放大电路引入正反馈，就将产生正弦波振荡。（）
44、在组成正弦波振荡电路时，若没有稳幅环节，则输出电压幅值将为无穷大。（）
45、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。（）
46、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。（）
47、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与两级共射放大电路相接，并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。（）
48、只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。（）
49、在振荡频率特别高时，应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。（）
50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。（）
51、桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。（）
52、直流稳压电源是能量转换电路，是将交流能量转换成直流能量。（）
53、在输出电压平均值相同的情况下，单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。（）
54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。（）
55、在电网电压波动和负载电阻变化时，稳压电路的输出电压绝对不变。（）
三、选择填空题
1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流于是。
A.电子
B.空穴
C.正离子
D.负离子
2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A.大于
B.等于
C.小于
3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加。
A.载流子
B.多数载流子
C.少数载流子
4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管，反向饱和电流比锗二极管。
A.大
B.小
C.相等
5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A.增大
B.减小
C.不变
6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是电流，流过集电结的是
电流。
A.扩散
B.漂移
7、当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为：
NPN管的u C u B u E，PNP管的u C u B u E；工作在饱和区时i C i B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，
则i B0，i C0。
A.＞
B.＜
C.＝
8、晶体管通过改变来控制；而场效应管是通过改变控制，是一种控制器件。
A.基极电流
B.栅-源电压
C.集电极电流
D.漏极电流
E.电压
F.电流
9、晶体管电流由形成，而场效应管的电流由形成。因此晶体管电流受温度的影响比场效应管。
A.一种载流子
B.两种载流子
C.大
D.小
10、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时导电沟道，而增强型MOS 管则导电沟道。
A.存在
B.不存在
11、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越。
A.严重
B.轻微
C.和放大倍数无关
12、电路的A d越大表示，A c越大表示，K CMR越大表示。
A.温漂越大
B.抑制温漂能力越强
C.对差模信号的放大能力越强.
13、复合管组成的电路可以。
A.展宽频带
B.提高电流放大系数
C.减小温漂
D.改变管子类型
《数字电路》期末模拟试题及答案
. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 泰山学院课程考试专用 《数字电子技术》模拟试题 4 （试卷共8页，答题时间120分钟） 一、填空题（每空 1分，共 20 分。） 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有 种取值，分别表示为 和 。 4、一个三态门如图1.4， 当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线，则其存储容量为 位。 6、若要构成七进制计数器，最少用 个触发器，它有 个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 8、A/D 转换的一般步骤包括 、 、 和 。 9、欲将触发器置为“1”态，应使D R '= , D S '= 。 二、选择题（每题 2分，共 20 分。请将答案填在下面的表格内）1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q ＊ =1 的触发器是_____________。 3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A ．D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算： 、 和 。 A. 或非，与或，与或非 B. 与非，或非，与或非 C. 与非，或，与或 D. 与，或，非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为 。 A. cc V 3 1 https://www.360docs.net/doc/1a22379.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中，输出端不可以并联使用的是 。 A. 三态门 B.集电极开路门（OC 门） C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入，若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ，则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为 。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有 个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是 。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2（A ，B ，C ，D ）=∑m （1,3,5,7,8,9）+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图（b ）所示。 一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。 《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明： 4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5． 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5 第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14 数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020 《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器 5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝ 14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、 漂移电流是（ 3、 所谓理想二极管， 等效成断开； 1 分 共 40 分） ），反偏时（ ）电流，它由（ 就是当其正偏时， ），所以 PN 结具有（ ）载流子形成，其大小与（ 结电阻为 ），等效成一条直线； ）导电性。 ）有关，而与外加电压（ 当其反偏时， 结电阻为 （ ）。 ）， 4、 三极管是（ ） 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 反馈。 控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（ ）、 控制元件。 ），集电结（ ），发射结压降（ ）、（ ） ） 。 ）。 放大电路。 ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）， 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 ）BW 其中 BW=（ ）,（ AF= （ ）称为反馈深度。 ）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 ）信号，而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； 、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 用在输入级，输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 称为（ ）失真，而采用 OTL 电路是（ ），输入电阻（ ）， ）。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分 共 30 分） ）类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻（ ）等特点，所以常 ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。 ），未被调制的高频信号是运载信息的工具， ）， 电路符号是（ ）。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管， 值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是（ ）型。 稳压时工作在 ）状态。 ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（ ）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、 、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 ）。 E 、波形不失真 ），此时应该（ E 、（PNP ） ）偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2 一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。 题型分布：填空题2*9=18、选择题3*4=12、逻辑函数化简6+7+7=20、画波形10、分析与设计15+25=40 一、填空题 1、与非门的逻辑功能为。 2、数字信号的特点是在上和上都是断续变化的，其高电平和低电平常用 和来表示。 3、三态门的“三态”指，和。 4、逻辑代数的三个重要规则是、、。 5、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触发器 受到外触发时进入态 6、计数器按增减趋势分有、和计数器。 7、一个触发器可以存放位二进制数。 8、优先编码器的编码输出为码，如编码输出A 2A 1 A =011，可知对输入的进 行编码。 9、逻辑函数的四种表示方法是、、、。 10、移位寄存器的移位方式有，和。 11、同步RS触发器中，R，S为电平有效，基本RS触发器中R，S为 电平有效。 12、常见的脉冲产生电路有 13、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 14、常见的脉冲产生电路有，常见的脉冲整形电路 有、。 15、数字电路按照是否有记忆功能通常可分为两 类：、。 16、寄存器按照功能不同可分为两类：寄存器和寄 存器。 17、逻辑函数F== 18、触发器有两个互补的输出端Q、，定义触发器的1状态 为，0状态为，可见触发器的状态指的是端的状态。 19、一个触发器可以记忆位二进制代码，四个触发器可以记忆位二进 制代码。 20、主从JK触发器的特性方程。 21、时序逻辑电路按照其触发器是否有统一的时钟控制分为时 序电路和时序电路。 22、为了实现高的频率稳定度，常采用振荡器；单稳态触 发器受到外触发时进入态。 23、触发器有个稳态，存储8位二进制信息要个触发器。 24、逻辑函数的化简有，两种方法。 25、组合逻辑电路没有功能。 26、主从JK触发器的特性方程，D触发器的特性方 《模拟电子期末练习题》应用电子2班张昌文 《模拟电子技术》模拟试题一 填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变大），发射结压降（变小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共）、（）、（）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称 为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极电路电压放大倍数（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具称（载波信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KU X U Y ），电路符号是（）。 二、选择题 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（B）状态，但其两端电压必须（C），它的稳压值Uz才有 导通电流，否则处于（F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C），该管是（D）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（B）、（D）、（E）。A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（b ），此时应该（ e ）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 5、差分放大电路是为了（C）而设置的。A、稳定Au B、放大信号C、抑制零点漂移 6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。A、压串负B、流串负C、压并负 7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B ）倍。A、1 B、2 C、3 8、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。A、电压B、电流C、串联 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 “模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。 （3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。 模拟试题一 一、选择填空(每空1分，共20分) 1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。 A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子 2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。 A．扩散B．漂移C．小D．大 3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。 A．双极B．空穴C．单极D．自由电子 4．负反馈放大电路的含义是（）。 A．输出与输入之间有信号通路 B．电路中存在反向传输的信号通路 C．除放大电路之外还有信号通路 D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号 5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。 A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB 6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。 A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路 7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。 A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。 A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强 9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈 10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。 A．带阻B．带通C．低通D．有源 11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。 A．比较B．滤波C．调整 二、判断正误(每题2分，共10分) 1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（） 2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（） 3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（） 4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（） 5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（） 三、简答题 1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压= ？（4分） 2．测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。 四、（6分）根据图4某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，试求：（1）静态Q点；（2）三极管电流放大系数β；（3）集电极电阻；（4）最大不失真输出电压幅度。 学习《电子技术基础》的一些心得体会 ZD8898 一.电子技术基础是通信、电子信息、自动控制、计算机等专业的 专业基础课程 电子技术基础包含了《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两门最重要的专业基础课程。是上述专业最底层，最基础的课程。首先要从思想上高度重视这两门基础课的学习，你才能学好这两门课。如果这两门基础课程学不好，可以肯定，其它的专业课程也学不好。因为没有扎实的电子技术方面的基础，就无法理解和掌握其它的专业课程的知识。例如高频电路、自动控制、计算机接口电路、微型计算机技术等等。假如你对放大、反馈、振荡、滤波电路都读不懂，你怎么能读懂彩色电视机电路图、DVD电路图？如果你对数字电路一窍不通，你怎么去学习计算机硬件和软件知识？你怎么能成为出色的电气工程师？ 二.培养对电子技术的兴趣，使你学好电子技术有充足的学习动力 大家都知道，如果你想要学习某个方面的知识和技能，就必须对这方面有浓厚的兴趣才能学好。 例如歌手，除了其本身有好的嗓子外，他（她）们肯定对唱歌有浓厚的兴趣，他（她）们才能如此刻苦去学习，才能成为百姓们喜爱的歌唱演员。中央电视台〈星光大道〉节目中出来的歌手，如李玉刚、阿宝、朱之文、石头、玖月奇迹、凤凰传奇、王二妮等等就是最好的例子。 同样，学习电子技术基础也如此。只有对这门课程有兴趣，不是老师要我学，而是我要学。只有这样自己才能变被动学习为主动学习，才能学好电子技术基础。 本人能从事电子技术工作数十年，其中一个非常重要的原因就是爱好电子技术，对电子技术有浓厚的兴趣。我在大学学的专业是物理专业，而不是电子专业。毕业后分配到三线的工厂，当时正是文化革命时期，到了工厂就接受工人阶级再教育，六、七年的时间，和其它工人师傅一样，一直在车间生产第一线。三班倒，干的是高温作业，又热又累的工作。尽管干的别的工种的活，但我热爱电子技术。到工厂之后，对电器、电子特别有兴趣。就自学电工、半导体以及电子方面的知识。自己组装收音机、电视机等。电子技术的水平得到提高。在车间实现了多项技术革新。如程序控制的熔结炉、涡流棒材探伤仪等。后来成为电气工程师。80年代，本人又从研究所调回学校，从事科研和教学工作。同时负责实验室的仪器设备的电器维修工作。所以说兴趣爱好是学习的动力和源泉。本人深有体会。 三.电子技术基础是比较难学的课程。 无论是〈模拟电子技术基础〉或〈数字电子技术基础〉课程都是难度较大的课程。模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-
数字电子技术模拟试题4
模拟电子技术基础考试试题答案
数字电子技术模拟试题及答案
《模拟电子技术》复习题10套及答案
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
数字电子技术模拟试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一及答案
模拟电子技术复习试题及答案解析
数字电路模拟题
模拟电子技术期末试题及答案
模拟电子技术基础全套教案
“模拟电子技术基础”课程教学大纲
数字电子技术模拟试题4套
学习《电子技术基础》的一些心得体会