AVR单片机EEPROM和FLASH区别
AVR单片机EEPROM和FLASH区别
为什么A VR单片机既有FLASH又有EEPROM？我如果要烧写程序只用HEX文件行么？那个EEP文件有什么作用?
你的程序代码是保存在FLASH里的，只烧写HEX文件就可以。EEP文件是EEPROM的初始化数据文件，如果不烧写，EEPROM会保持FF，如果烧写了这个文件，就会按照你的初始化要求初始化EEPROM。在实际中有时往往不仅仅需要程序代码，还需要用到一些数据，而这些数据又会根据情况的不同而变化。举个例子，比如我要测量一个电机的转数，而每天电机最多测量12个小时，要求记录这12个小时的转数，然后第二天从这个数值继续测量，当然第二天单片机也会重新上电。遇到这个情况你如何去保存你的记录数值呢？当然这就需要用到EEPROM了。EEPROM存取数据方便，掉电不丢失，适合记录这种要求有变化又要求掉电不丢失的数据。当然EEPROM也可以作为程序存储器来存放程序。但是A VR单片机的BOOTLOADER是ATMEL提供的，只能够从FLASH开始。其次，即使能够使用EEPROM做程序存储器，如今也不会采用这样的方式，因为EEPROM造价比FLASH要高很多，同时存取速度比FLASH要慢得多，因此如今的程序基本都是被放入FLASH中，而EEPROM只用来存放那些不希望丢失的数据而用了
FLASH 一个静态的只读存储器，单片机本身无法修改自己
EEPROM 是指5V或3.3V可擦写存储器，可以由单片机本身编程写入一般用来做掉电保护，也可以由烧程器写入。烧程时当然只用HEX文件AVR编程的时候，可以对EEPROM编程 设置你想要的初始化量
简单的说，flash是保存程序的，eeprom是保存程序需要用到的，掉电不会丢失的变量，通常是初始值之类的。通常flash不会被程序改写（avr有bootloader 功能，可以修改flash甚至bootloader自身），而eeprom则很容易被改写。
一般来讲，实际应用中eeprom用的不多，除非对成本极为看重，因为片内的eeprom比较不可靠，当电压不稳时，数据容易丢失。
AVR系列单片机的FLASH存储器、SRAM存储器、EEPROM存储器各有什么用途？
FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。
EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。
FLASH:存储程序，表格数据；SRAM：程序运行时的临时数据，从新上电不存在的数据；EEPROM：存储主要数据， 从新上电仍存在的数据。
AVR单片机EEPROM和FLASH区别
AVR单片机EEPROM和FLASH区别 为什么A VR单片机既有FLASH又有EEPROM？我如果要烧写程序只用HEX文件行么？那个EEP文件有什么作用? 你的程序代码是保存在FLASH里的，只烧写HEX文件就可以。EEP文件是EEPROM的初始化数据文件，如果不烧写，EEPROM会保持FF，如果烧写了这个文件，就会按照你的初始化要求初始化EEPROM。在实际中有时往往不仅仅需要程序代码，还需要用到一些数据，而这些数据又会根据情况的不同而变化。举个例子，比如我要测量一个电机的转数，而每天电机最多测量12个小时，要求记录这12个小时的转数，然后第二天从这个数值继续测量，当然第二天单片机也会重新上电。遇到这个情况你如何去保存你的记录数值呢？当然这就需要用到EEPROM了。EEPROM存取数据方便，掉电不丢失，适合记录这种要求有变化又要求掉电不丢失的数据。当然EEPROM也可以作为程序存储器来存放程序。但是A VR单片机的BOOTLOADER是ATMEL提供的，只能够从FLASH开始。其次，即使能够使用EEPROM做程序存储器，如今也不会采用这样的方式，因为EEPROM造价比FLASH要高很多，同时存取速度比FLASH要慢得多，因此如今的程序基本都是被放入FLASH中，而EEPROM只用来存放那些不希望丢失的数据而用了 FLASH 一个静态的只读存储器，单片机本身无法修改自己 EEPROM 是指5V或3.3V可擦写存储器，可以由单片机本身编程写入一般用来做掉电保护，也可以由烧程器写入。烧程时当然只用HEX文件AVR编程的时候，可以对EEPROM编程 设置你想要的初始化量 简单的说，flash是保存程序的，eeprom是保存程序需要用到的，掉电不会丢失的变量，通常是初始值之类的。通常flash不会被程序改写（avr有bootloader 功能，可以修改flash甚至bootloader自身），而eeprom则很容易被改写。 一般来讲，实际应用中eeprom用的不多，除非对成本极为看重，因为片内的eeprom比较不可靠，当电压不稳时，数据容易丢失。 AVR系列单片机的FLASH存储器、SRAM存储器、EEPROM存储器各有什么用途？ FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
单片机EEPROM的使用函数
/******************************************************************** 这是EEROM.h文件 ********************************************************************/ #ifndef _EEPROMus_h //对EEROM进行操作 #define _EEPROMus_h #include
avrEEPROM数据丢失问题原因与解决方案
avr EEPROM 数据丢失问题原因与解决方 案 总结一下引起AVR内部EEPROM数据丢失的原因： 1.程序问题； 2.程序跑飞； 3.EEPROM相关寄存器因强磁场、高压静电等外部干扰出错所产生的写入动作； 4.系统有很大的感性负载，在断电的时候会产生一 个反向高压，EEPROM有可能会自擦除。 ……（还有什么原因，欢迎大家继续列举，以便完善及想办法解决） 针对问题1，程序问题不再该文讨论范围内。 针对问题2，程序跑飞，这个因该是引起EEPROM数据丢失的主要原因。但是引起程序跑飞的原因却是多方
面的。 第一.电压不正常，工作不稳定，程序跑飞。针对这个问题，可以开启内部BOD、或者外加复位芯片解决，在低功耗场合，外部复位是有必 要的，毕竟BOD功耗太高。 第二，晶体振荡受干扰，频率不稳定，程序跑飞。针对这个问题，建议晶体使用全幅振荡，并且走线的时候尽量短，并且使用地线隔离。 第三系统受外界环境干扰，修改了PC等寄存器，程序跑飞。针对这个干扰问题，这个引起程序跑飞的可能性应该不大，如果环境实在恶劣 ，那么就应该想到做电磁屏蔽，ESD保护等，如果还不行，那么只能建议换换别的单片机试试看了。 针对问题3，我们只能优化电路设置，尽量避免，比如加屏蔽罩，加ESD保护，加TVS保护，电源加电容退耦等等。
针对问题4,如果系统真的具有很大的感性负载，那么请注意加续流二极管、滤波电容等做保护，不要让这种反向高压产生，无论如何，这 种因为感性负载突然断电自激产生的高压，不仅仅会对EEPROM有影响，而是对整个系统都存在威胁。 ================================================= ================================================= ============ 经过上面硬件上的一些处理，虽然EEPROM数据丢 失的可能已经很小了，但是我们仍然不能保证EEPROM数据就不会丢失了。这时EEPROM数据的可*性，那就得从软件上去考虑了，接着我们从 软件的方面继续讨论。 我的做法是，数据分块，分区，校验，备份。当然这里讲的处理方法，仅仅是提供一种想法，你可以做不同数据长度的分块，不同大小的 分区，采用不同的地址映射方法，以及采用更多次的数据备份。下面以Mega168为例继续讨论。 1.Mega168EEPROM512字节，把EEPROM分为两个区，每个
51单片机内部EEPROM的应用
用51hei-5板子学习单片机内部EEPROM的应用 STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPRO M，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP 功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表 名称地址功能描述D7D6D5D4D3D2D1D0复位值ISP_DATA E2h Flash数据寄存器1111 1111 ISP_ADDRH E3h Flash高字节地址寄 存器0000 0000 ISP_ADDRL E4h Flash低字节地址寄 存器0000 0000 ISP_CMD E5h Flash命令模式寄存 器 ----------MS2MS1MS0xxxx x000 ISP_TRIG E6h Flash命令触发寄存 器 xxxx xxxx ISP_CONTR E7h ISP/IAP 控制寄存器ISPEN SWBS SWRST----WT2WT1WT0000x x000 ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。
AVR常用操作
IAR编译器配置(AVR ) 一、EEPROM 区域数据存储： __eeprom unsigned char a;//定义一个变量存放在EEPROM空间 __eeprom unsigned char a @ 0x8;//定义一个变量存放在EEPROM空间0X08单元 __eeprom unsigned char p[] @ 0x22//定义一个数组存放在EEPROM空间，开始地址为0X22单元 __eeprom unsigned char a @ 0x08=9;//定义一个常数存放在EEPROM空间0X08单元 __eeprom unsigned char p[] @0x22={1，2，3，4，5，6，7，8}; EEPROM操作宏取函数：在comp_a90.h intrinsics.h头文件里有详细说明。 自动生成.eep文件置：在Project->Options->linker->config>的linker command line中观察该Project使用了哪个XCL文件。本文使用M8编译，使用文件 是”TOOLKIT_DIR$\src\template\cfgm8.xcl”-Ointel-extended,(CODE)=.hex -Ointel-extended,(XDATA)=.eep 二、FLASH 区域数据存储： 用关键字__flash 控制来存放，__ flash 关键字写在数据类型前后效果一样 __flash unsigned char a @ 0x8;//定义变量存放在flash 空间0X08单元__flash unsigned char p[] @ 0x22//定义数组存放在flash 空间，开始地址为0X22单元 __flash unsigned char a @ 0x08=9;//定义常数存放在flash 空间0X08单元 __flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8}; unsigned int __flash * p;//定义个指向flash 空间地址的指针，16位。 unsigned int __farflash * p;//定义指向flash 空间地址的指针，24位。 __flash unsigned char * p; //定义指向SARMM空间地址的指针，指针本身存放在flash 中。 flash 操作宏函数：在comp_a90.h intrinsics.h头文件里有详细说明 三、IAR编译器对位的支持更强大： PORTB_ Bit2=1; //置PORTB的第2位=1 PORTC_Bit4=PORTB_Bit2;//把PORTB的第2位传送到PORTC的第4位 四、头文件 avr_macros.h里面包含了读写16位寄存器的简化书写，和几个位操作函数 comp_a90.h对大量的内在函数做了简要书写,flash 操作宏函数 ina90.h包含"inavr.h" "comp_A90.h"文件 intrinsics.h内在函数提供最简单的操作处理器底层特征。休眠，看门狗，FLASH函数。 iomacro.H I/O寄存器定义文件样本。 #include
51单片机内部EEPROM的应用
STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 知识点：ISP与IAP介绍 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。 STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表 名称地址功能描述D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 复位值 ISP_DATA E2h Flash数据寄存 器1111 1111 ISP_ADDRH E3h Flash高字节地址寄存 器0000 0000 ISP_ADDRL E4h Flash低字节地址寄存 器0000 0000 ISP_CMD E5h Flash命令模式寄存器-- -- -- -- -- MS2 MS1 MS0 xxxx x000 ISP_TRIG E6h Flash命令触发寄存 器xxxx xxxx ISP_CONTR E7h ISP/IAP 控制寄存器ISPEN SWBS SWRST -- -- WT2 WT1 WT0 000x x000 ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。ISP/IAP从Flash读出的数据放在此处，向Flash写入的数据也需放在此处。 ISP_ADDRH：ISP/IAP操作时的地址寄存器高八位。 ISP_ADDRL：ISP/IAP操作时的地址寄存器低八位。 ISP_CMD：ISP/IAP操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。命令模式如表2所示。 表2 ISP_CMD寄存器模式设置 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 模式选择 保留命令选择 -- -- -- -- -- 0 0 0 待机模式，无ISP操作 -- -- -- -- -- 0 0 1 对用户的应用程序flash区及数据flash区字节读 -- -- -- -- -- 0 1 0 对用户的应用程序flash区及数据flash区字节编程 -- -- -- -- -- 0 1 1 对用户的应用程序flash区及数据flash区扇区擦除 程序在系统ISP程序区时可以对用户应用程序区/数据Flash区(EEPROM)进行字节读/字节
AVR使用范例--EEPROM使用详解
AVR使用范例--EEPROM使用详解 本页关键词：什么是eeprom spi eeprom eeprom程序eeprom资料eeprom结构eeprom 读写eeprom的读写 本页详细介绍ICC自带EEPROM操作函数的操作方法，包括单字符读写，数组读写，结构体读写。 程序代码：下载相关文件 ?void main(void) ?{ ? unsigned char temp1,temp2; /*定义变量*/ ? unsigned char buffer[10]; /*定义数组*/ ? unsigned char buf[]="AVR与虚拟仪器"; /*定义字符串*/ ? ? EEPROMwrite(0x10,'a'); /*单字符写入到0x10，注意是单引号*/ ? temp1 = EEPROMread(0x10); /*读一个字符到temp1*/ ? ? ? EEPROM_WRITE(0x20,"abcdefg"); /*写字符串到0x20*/ ? EEPROM_READ(0x20,temp2); /*读字符到temp2，temp2＝a*/ ? EEPROM_READ(0x20,buffer); /*读字符串到数组中 buffer[10]=abcdefg */ ?
? EEPROM_WRITE(0x30,buf); /*数组中的值写到EEPROM中：0X30开始为"AVR与虚拟仪器"*/? ? while(1) ? ; ?} ? 调试后的效果： 调试eeprom的时候，记住设置Avr studio保护eeprom数据，否则每次都会将eeprom中的数据改为0xFF。如下图： 打开调试选项： 钩选保护eeprom数据选项：
单片机内的Flash与EEPROM作用及区别(精)
单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别 单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无 法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等 存储器来实现。在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通 过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花 更多的心思。在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来 实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。下面就详细介绍 STC 单 片机内置 EEPROM 及其使用方法。 flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 . 一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时 间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00 下面是网上详细的说法,感觉不错:
FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。 在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上, 程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FALSH 结构或 EEPROM 结构, 甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区” ,但就算如此,概念上二者依然不同,这是基本常识问题。 EEPROM :电可擦除可编程只读存储器, Flash 的操作特性完全符合 EEPROM 的定义,属 EEPROM 无疑,首款 Flash 推出时其数据手册上也清楚的标明是EEPROM ,现在的多数 Flash 手册上也是这么标明的,二者的关系是“白马”和 “马” 。至于为什么业界要区分二者, 主要的原因是 Flash EEPROM 的操作方法和传统 EEPROM 截然不同,次要的原因是为了语言的简练,非正式文件和口语中Flash EEPROM 就简称为 Flash , 这里要强调的是白马的“白” 属性而非其“马” 属性以区别 Flash 和传统 EEPROM 。 Flash 的特点是结构简单, 同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量 下的操作速度更快,但缺点是操作过程麻烦,特别是在小数据量反复重写时, 所以在 MCU 中 Flash 结构适于不需频繁改写的程序存储器。 很多应用中,需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失,传统结构的EEPROM 在此非常适合, 所以很多 MCU 内部设计了两种 EEPROM 结构, FLASH
Eeprom的读写
所看过的对24系列I2C读写时序描述最准确最容易理解的资料，尤其是关于主从器件的应答描述和页写描述，看完后明白了很多。关于页写的描述，网络上绝大部分范程都没提到页写时的数据地址必须是每页的首地址才能准确写入，而且如果写入超过一页的数据会循环覆盖当前页的数据。 关于IIC总线 I2C总线：i2c总线是Philips 公司首先推出的一种两线制串行传输总线。它由一根数据线（SDA）和一根时钟线（SDL）组成。i2c总线的数据传输过程如图3所示，基本过程为： 1、主机发出开始信号。 2、主机接着送出1字节的从机地址信息，其中最低位为读写控制码（1为读、0为写），高7位为从机器件地址代码。 3、从机发出认可信号。 4、主机开始发送信息，每发完一字节后，从机发出认可信号给主机。 5、主机发出停止信号。 I2C总线上各信号的具体说明： 开始信号：在时钟线（SCL）为高电平其间，数据线（SDA）由高变低，将产生一个开始信号。 停止信号：在时钟线（SCL）为高电平其间，数据线（SDA）由低变高，将产生一个停止信号。 应答信号：既认可信号，主机写从机时每写完一字节，如果正确从机将在下一个时钟周期将数据线（SDA）拉低，以告诉主机操作有效。在主机读从机时正确读完一字节后，主机在下一个时钟周期同样也要将数据线（SDA）拉低，发出认可信号，告诉从机所发数据已经收妥。（注：读从机时主机在最后1字节数据接收完以后不发应答，直接发停止信号）。 注意：在I2C通信过程中，所有的数据改变都必须在时钟线SCL为低电平时改变,在时钟线SCL为高电平时必须保持数据SDA信号的稳定,任何在时钟线为高电平时数据线上的电平改变都被认为是起始或停止信号。 作为一种非易失性存储器（NVM），24系列EEPROM使用的很普遍，一般作为数据量不太大的数据存储器。下面总结一下其应用的一些要点。从命名上看，24CXX中XX的单位是kbit，如24C08，其存储容量为8k bit，即1k Byte＝1024 Byte。 一、工作条件 1．工作电压(VCC) 24CXX：4.5V－5.5V 24CXX－W：2.5V－5.5V 24CXX－R：1.8V－5.5V 2．输入电平定义(VIH,VIL) VIH：0.7VCC－VCC+1 VIL：-0.45V－0.3VCC 二、硬件连接 1．上拉电阻RP的取值 由于I2C总线电容要满足小于400pf的条件。从以下波形可以看出，上拉电阻越大，总线的电容越小，可以实现的数据传输率就越大，可达400khz。 [点击图片可在新窗口打开] 2．写保护脚 芯片写保护脚是高电平有效，即WP接高电平时禁止写入
52单片机内部EEPROM
#include
STC单片机EEPROM读写程序
/* STC89C54RD+的flash空间从0x4000~0xf3ff 共90个扇区，每扇区512字节*/ // #define BaseAddr 0x1000 /* 51rc */ // #define EndSectoraddr 0x3d00 /* 51rc */ // #define EndAddr 0x3fff /* 51rc 12K eeprom */ #define BaseAddr 0x4000 #define EndSectoraddr 0xf200 #define EndAddr 0xf3ff #define UseAddr 0x1000 /* ------------- 定义扇区大小------------- */ #define PerSector 512 /* 用户程序需要记忆的数组, 用户实际使用了n-1个数据，数组长度规整到 2 4 8 16 32 64 上*/ uchar Ttotal[16] = { 0x55, /* 作为判别引导头使用，用户程序请不要修改它*/ /* 用户保存记忆的数据*/ 0x01, /* 用途说明....*/ 0x02, 0x03, 0x04, 0x05, 0x06, 0x07, 0x08, 0x09, 0x0a, 0x0b, 0x0c, 0x0d, 0x0e, 0x0f, }; uint timerForDelay, /* 专供延时用的变量*/ i, /* 循环变量*/ EepromPtr; /* eeprom读写指针*/ /* --------------- 命令定义--------------- */ #define RdCommand 0x01 /* 字节读*/ #define PrgCommand 0x02 /* 字节写*/
AVR使用范例EEPROM使用详解
本页详细介绍ICC自带EEPROM操作函数的操作方法，包括单字符读写，数组读写，结构体读写。 程序代码：下载相关文件 ?void main(void) ?{ ? unsigned char temp1,temp2; /*定义变量*/? unsigned char buffer[10]; /*定义数组*/? unsigned char buf[]="AVR与虚拟仪器"; /*定义字符串*/? EEPROMwrite(0x10,'a'); /*单字符写入到0x10，注意是单引号*/ ? temp1 = EEPROMread(0x10); /*读一个字符到temp1*/ ? EEPROM_WRITE(0x20,"abcdefg"); /*写字符串到0x20*/ ? EEPROM_READ(0x20,temp2); /*读字符到temp2，temp2＝a*/ ? EEPROM_READ(0x20,buffer); /*读字符串到数组中 buffer[10]=abcdefg */ ? EEPROM_WRITE(0x30,buf); /*数组中的值写到EEPROM中：0X30开始为"AVR与虚拟仪器"*/ ? while(1) ? ; ?} 调试后的效果： 调试eeprom的时候，记住设置Avr studio保护eeprom数据，否则每次都会将eeprom中的数据改为0xFF。如下图： 打开调试选项： 钩选保护eeprom数据选项： 打开相关观测窗口：
按F10逐条语句运行，查看运行结果。 1. 地址10上的值被改写为“a” 2. temp1的值变为a，及读取了地址0x10的值a： 3. abcdefg写入20开始的地址：
TI--M4内部EEPROM详解
M4里面的EEPROM并不是编址在内存空间中的，而是直接通过操作寄存器(Register)进行读写的。所以EEPROM中间的某个地址就是只属于EEPROM的地址，并不和内存地址有冲突。 要想方便的使用EEPROM，最好的办法就是使用TI的StellarisWare驱动库程序： #include "inc/hw_memmap.h" #include "inc/hw_types.h" #include "inc/hw_timer.h" #include "inc/hw_ints.h" #include "inc/hw_gpio.h" #include "driverlib/sysctl.h" #include "driverlib/eeprom.h" unsigned long pulRead[2]; void main() { unsigned long pulData[2]; // 系统工作在50MHZ SysCtlClockSet(SYSCTL_SYSDIV_4 | SYSCTL_USE_PLL | SYSCTL_OSC_MAIN |SYSCTL_XTAL_16MHZ); // 使能EEPROM SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_EEPROM0); // 初始化EEPROM EEPROMInit(); pulData[0] = 0x12345678; pulData[1] = 0x56789abc; // 向EEPROM里面0x400地址写入数据 EEPROMProgram(pulData, 0x400, sizeof(pulData)); // 读回来 EEPROMRead(pulRead, 0x400, sizeof(pulRead)); while(1) { }
马潮老师：AVR应用经验
AVR 应用经验 作者：马潮老师 /整理：armok / 2005-01-17/ https://www.360docs.net/doc/0d2386127.html, AVR与传统类型的单片机相比，除了必须能实现原来的一些基本的功能，其在结构体系、功能部件、性能和可靠性等多方面有很大的提高和改善。 但使用更好的器件只是为设计实现一个好的系统创造了一个好的基础和可能性，如果还采用和沿袭以前传统的硬件和软件设计思想和方法的话，是不能用好AVR的，甚至也不能真正的了解AVR的特点和长处。 功能越好的器件，需要具备更高技术和能力的人来使用和驾驭它。就象一部好的F1赛车，只有具备高超技术的驾驶员才能充分体会到车的特点，并能最大限度的发挥出车的性能。 AVR具有上手入门快，开发方便简单的特点，但要充分体会和发挥AVR的优点，还需要应用工程师本身的硬软件设计开发能力的不断学习、实践提高。 “外行看热闹，内行看门道”，对于有一定基础的嵌入式和单片机系统设计开发的工程师，不妨先简单尝试一下AVR。 开发环境与工具：PC+下载线+实际的系统板 PC上的开发软件： AVR Studio（Free）汇编+汇编调试+高级语言调试+软件仿真 ICC、CVAVR、BASCOM-AVR 高级语言程序开发+程序下载。其中一个购买正版全功能，作为主要的开发环境，其它使用DEMO版，作为辅助及参考。 AVR ISP下载线： STK200 and STK200+ and STK300 ISP programmer。通过PC的打印机口，采用ISP技术将系统运行代码（HEX、BIN）和数据写入AVR芯片的Flash和EEProm中，编程AVR的配置熔丝位和加密位。支持决大多数的AVR芯片、以及ATMEL的51兼容芯片89S8252、89S52等。在ICC、CVAVR、BASCOM-AVR、BASCOM-8051中都内含对该下载线的支持程序。免费专用的下载程序：SLISP、PonyProg2000等。 尽量不使用仿真器的建议： 在开发和调试系统程序时，有许多人完全依赖于仿真器，一旦离开了仿真器时就感觉无从下手。其实，由于AVR的Flash存贮器可方便的使用ISP技术在线的多次擦写，因此建议尽量不使用（依赖）仿真器来开发和调试程序。 在实际开发过程中，程序的调试可以从下几方面入手： 现在的高级语言编译器（如C编译器）可以产生效率很高的机器代码，因此建议大家尽量使用高级语言编写系统程序。 使用Atmel公司提供AVR Studio软件模拟仿真环境，以及其他的软件模拟仿真环境（BASCOM-AVR）。 尽可能使用高级语言编写系统程序。 利用目标板上的LED、LCD或异步串口。见附件“没有仿真器的情况下如何开发AVR”的介绍。
STC单片机EEPROM的应用和程序
STC单片机EEPROM的应用和程序 (2009-04-22 21:58:34) 转载▼ 标签： 杂谈 分类：Program 最近，由于工作的需要，用STC89C52来开发新产品，要用天STC的Eeprom的功能，上网也找了一点资料，得到很大帮助，真的非常感谢。程序是我在网上摘录的，调试通过了，不过我产品在用动态扫描显示的，由于在Eeprom擦除时要用几十毫秒，会有一闪烁的。不过这是正常的。 单片机运行时的数据都存在于RAM（随机存储器）中，在掉电后RAM 中的数据是无 法保留的，那么怎样使数据在掉电后不丢失呢？这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。在传统的单片机系统中，一般是在片外扩展存储器，单片机与存储器之间通过IIC 或SPI 等接口来进行数据通信。这样不光会增加开发成本，同时在程序开发上也要花更多的心思。在STC 单片机中内置了EEPROM（其实是采用IAP 技术读写内部FLASH 来 实现EEPROM），这样就节省了片外资源，使用起来也更加方便。下面就详细介绍STC 单片机内置EEPROM 及其使用方法。 STC 各型号单片机内置的EEPROM 的容量各有不同，见下表： （内部EEPROM 可以擦写100000 次以上） 上面提到了IAP，它的意思是"在应用编程"，即在程序运行时程序存储器可由程序自 身进行擦写。正是是因为有了IAP，从而可以使单片机可以将数据写入到程序存储器中，使得数据如同烧入的程序一样，掉电不丢失。当然写入数据的区域与程序存储区要分开来，以使程序不会遭到破坏。 要使用IAP 功能，与以下几个特殊功能寄存器相关： ISP_DATA：ISP/IAP 操作时的数据寄存器。 ISP/IAP 从Flash 读出的数据放在此处，向Flash 写的数据也需放在此处 ISP_ADDRH：ISP/IAP 操作时的地址寄存器高八位。 ISP_ADDRL：ISP/IAP 操作时的地址寄存器低八位。 ISP_CMD：ISP/IAP 操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。 ISP_TRIG：ISP/IAP 操作时的命令触发寄存器。 当ISPEN（ISP_CONTR.7）=1 时，对ISP_TRIG 先写入0x46，再写入0xb9，ISP/IAP 命令才会生效。 单片机芯片型号起始地址内置EEPROM 容量（每扇区512 字节） STC89C51RC，STC89LE51RC 0x2000 共八个扇区 STC89C52RC，STC89LE52RC 0x2000 共八个扇区 STC89C54RD+，STC89LE54RD+ 0x8000 共五十八个扇区 STC89C55RD+，STC89LE55RD+ 0x8000 共五十八个扇区 STC89C58RD+，STC89LE58RD+ 0x8000 共五十八个扇区 寄存器标识地址名称7 6 5 4 3 2 1 0 初始值 ISP_DATA 0xE2 ISP/IAP闪存数据寄存器11111111 ISP_ADDRH 0xE3 ISP/IAP 闪存地址高位00000000
avr EEPROM 数据丢失问题 原因与解决方案
avr EEPROM 数据丢失问题原因与解决方案 总结一下引起AVR内部EEPROM数据丢失的原因：1.程序问题；2.程序 跑飞；3.EEPROM相关寄存器因强磁场、高压静电等外部干扰出错所产生的写 入动作；4.系统有很大的感性负载，在断电的时候会产生一个反向高压，EEPROM有可能会自擦除。（还有什么原因，欢迎大家继续列举，以便完善及 想办法解决）针对问题1，程序问题不再该文讨论范围内。针对问题2，程序 跑飞，这个因该是引起EEPROM数据丢失的主要原因。但是引起程序跑飞的 原因却是多方面的。第一.电压不正常，工作不稳定，程序跑飞。针对这个问题，可以开启内部BOD、或者外加复位芯片解决，在低功耗场合，外部复位是有必 要的，毕竟BOD功耗太高。第二，晶体振荡受干扰，频率不稳定，程序跑飞。 针对这个问题，建议晶体使用全幅振荡，并且走线的时候尽量短，并且使用地 线隔离。第三系统受外界环境干扰，修改了PC等寄存器，程序跑飞。针对这 个干扰问题，这个引起程序跑飞的可能性应该不大，如果环境实在恶劣，那么 就应该想到做电磁屏蔽，ESD保护等，如果还不行，那么只能建议换换别的单 片机试试看了。针对问题3，我们只能优化电路设置，尽量避免，比如加屏蔽罩，加ESD保护，加TVS保护，电源加电容退耦等等。针对问题4,如果系统 真的具有很大的感性负载，那么请注意加续流二极管、滤波电容等做保护，不 要让这种反向高压产生，无论如何，这种因为感性负载突然断电自激产生的高压，不仅仅会对EEPROM有影响，而是对整个系统都存在威胁。 ============================================================= ================================================= 经过上面硬件上的一些处理，虽然EEPROM数据丢失的可能已经很小了，
51内部eeprom读写,实现掉电存储
主函数： #include
EEPROM.
常用串行EEPROM的编程应用 EEPROM是"Electrically Erasable Programmable Read-only"（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据，所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使用特定的总线擦写命令就可以在在线的情况下方便完成数据的擦除和写入，这使EEPROM被用于广阔的的消费者范围，如：汽车、电信、医疗、工业和个人计算机相关的市场，主要用于存储个人数据和配置/调整数据。EEPROM又分并行EEPROM和串行EEPROM，并行EEPROM器件虽然有很快的读写的速度，但要使用很多的电路引脚。串行EEPROM器件功能上和并行EEPROM基本相同，提供更少的引脚数、更小的封装、更低的电压和更低的功耗，是现在使用的非易失性存储器中灵活性最高的类型。串行EEPROM按总线分，常用的有I2C,SPI,Microwire总线。本文将介绍这三种总线连接单片机的编程方法。 I2C总线 I2C总线（Inter Integrated Circuit内部集成电路总线）是两线式串行总线，仅需要时钟和数据两根线就可以进行数据传输，仅需要占用微处理器的2 个IO引脚，使用时十分方便。I2C总线还可以在同一总线上挂多个器件，每个器件可以有自己的器件地址，读写操作时需要先发送器件地址，该地址的器件得到确认后便执行相应的操作，而在同一总线上的其它器件不做响应，称之为器件寻址，这个原理就像我们打电话的原理相当。I2C总线产生80年代，由PHLIPS 公司开发，早期多用于音频和视频设备，如今I2C总线的器件和设备已多不胜数。最常见的采用I2C总线的EEPROM也已被广泛使用于各种家电、工业及通信设备中，主要用于保存设备所需要的配置数据、采集数据及程序等。生产I2C总线EEPROM的厂商很多，如ATMEL、Microchip公司，它们都是以24来开头命名芯片型号，最常用就是24C系列。24C系列从24C01到24C512，C后面的数字代表该型号的芯片有多少K的存储位。如ATMEL的24C64，存储位是64K位，也就是说可以存储8K（8192）字节，它支持1.8V到5V电源，可以擦写1百万次，数据可以保持100年，使用5V电源时时钟可以达到400KHz，并且有多种封装可供选择。我们可以很容易的在身边的电器设备中发现它们的身影，如电视中用于保存频道信息，电脑内存条中保存内存大小等相关信息，汽车里用于保存里程信息等等。图一就是ATMEL24C64芯片的PID封装和用于内存条SPD(Serial Presence Detect)上的24芯片。