发光二极管特性参数(精)

发光二极管特性参数(精)
发光二极管特性参数(精)

发光二极管特性参数

IF 值通常为 20mA 被设为一个测试条件和常亮时的一个标准电流,设定不同的值用以测试

二极管的各项性能参数,具体见特性曲线图。

IF 特性:

1. 以正常的寿命讨论,通常标准 IF 值设为 20 - 30mA ,瞬间( 20ms )可增至

100mA。

2. IF 增大时 LAMP 的颜色、亮度、 VF 特性及工作温度均会受到影响,它是正常工作时的一个先决条件, IF 值增大:寿命缩短、 VF 值增大、波长偏低、温度上升、亮度增大、

角度不变,与相关参数间的关系见曲线图;

1.VR ( LAMP 的反向崩溃电压)

由于 LAMP 是二极管具有单向导电特性,反向通电时反向电流为 0 ,而反向电压高到一定程度时会把二极管击穿,刚好能把二极管击穿的电压称为反向崩溃电压,可以用

“ VR ”来表示。

VR 特性:

1. VR 是衡量 P/N 结反向耐压特性,当然 VR 赿高赿好;

2. VR 值较低在电路中使用时经常会有反向脉冲电流经过,容易击穿变坏;

3. VR 又通常被设定一定的安全值来测试反向电流( IF 值),一般设为 5V ;

4. 红、黄、黄绿等四元晶片反向电压可做到 20 - 40V ,蓝、纯绿、紫色等晶片反向

电压只能做到 5V 以上。

2.IR (反向加电压时流过的电流)

二极管的反向电流为 0 ,但加上反向电压时如果用较精密的电流表测量还是有很小的电流,只不过它不会影响电源或电路所以经常忽略不记,认为是 0 。

IR 特性:

1. IR 是反映二极管的反向特性, IR 值太大说明 P/N 结特性不好,快被击穿; IR 值

太小或为 0 说明二极管的反向很好;

2. 通常 IR 值较大时 VR 值相对会小, IR 值较小时 VR 值相对会大;

3. IR 的大小与晶片本身和封装制程均有关系,制程主要体现在银胶过多或侧面沾胶,

双线材料焊线时焊偏,静电亦会造成反向击穿,使 IR 增大。

3.IV ( LAMP 的光照强度,一般称为 LAMP 的亮度)

指 LAMP 有流过电流时的光强,单位一般用毫烛光( mcd )来衡量,由于一批晶片做出的 LAMP 光强均不相同,封装厂商会将其按不同的等级分类,分为低、中、高等多个等级,而 LAMP 的价格也与其亮度大小有关系。同一亮度 LAMP 顺向电流赿大,亮度赿高。亮度还跟角度有关系,同样物料角度赿大亮度赿,角度赿小,亮度赿高,所以要求亮度的同时要考

虑到角度的大小。

4.W/D (主波长,单位是 nm ,纳米)

LAMP 正常工作时的颜色特性,颜色特性具体见 LAMP 介绍中的颜色分类,通常用 W/D 来衡量颜色的变化特性,在电流和温度不同的情况下主波长测试值均不相同的,封装厂商会

按相同的条件将 W/D 按不同的等级分类。

5. △θ(半功视角,单位是“度”)

发光管 LAMP 发光强度为一半时所对应的角度。角度的大小与晶片体积的大小、支架碗杯的角度、杯深、模粒的球面直径、卡点等有关系。角度赿大照出的光圈赿大,反之赿

小。

LAMP 的特性参数关系曲线,所有曲线图见讲解说明。

6. C.I.E 光谱图

X 、 Y 是指在世界标准光谱图 (C.I.E) 中对应的值,它可以衡量颜色的属性(颜色的种类和掺杂特性)。如标准白光的 X 、 Y 对应值为: 0.33,蓝色对应的 X 为 0.2,Y 为

0 CIE 光谱图如下图:

TO P

肖特基二极管常用参数大全分析

肖特基(势垒)二极管(简称SBD)整流二极管的基本原理?FCH10A15型号简称:10A15 ?主要参数:IF(AV)=10A, VRRM=150V ?产品封装:TO-220F ?脚位长度:6-12mm ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?型号全名:FCH20A15 ?型号简称:20A15 ?主要参数:20A 150V ?产品封装:TO-220F ?可测试参数:耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR ?在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。 其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基整流二极管的主要参数 ?以下是部分常用肖特基二极管型号,以及耐压和整流电流值:

肖特基二极管 肖特基二极管常用参数大全 型号制造商封 装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V 1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60 BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32 BAT54A PS SOT23 0.20 30 0.50 10MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .65 10MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 6

0.34 SS12 GS DO214 1.00 20 0.50 MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .39 10BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53 RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55 SS14 GS DO214 1.00 40 0.50 MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .60 10BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57 SS16 GS DO214 1.00 60 0.75 10BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8 MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 5 10MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .51 15MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55 PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45

晶体二极管的主要参数

晶体二极管的主要参数: 1 电阻 ⑴直流电阻 在晶体二极管上加上一定的直流电压V,就有一对那个的直流电流I,直流电压V与直流电流I的比值,就是晶体二极管的等效直流电流。 ⑵动态电流 在晶体二极管上加一定的直流电压V的基础上,再加上一个增量电压,则晶体二极管也有一个增量电流△I。增量电压△V与增量电流△I的比值,就是晶体二极管的动态电阻,即动态电阻为晶体二极管两端电压变化与电流变化的比值。 二极管的正向直流电阻和动态电阻都是随工作点的不同而发生变化的。 普通晶体二极管反响运动时,其直流电阻和动态电阻都很大,通常可以尽是为无穷大。 2 额定电流 晶体二极管的额定电流是指晶体二极管长时间连续工作时,允许通过的最大正向平均电流。在二极管连续工作时,为使PN结的温度不超过某一极限值,整流电流不应超过标准规定的允许值。 例如:2AP1 的额定电流为12mA; 2AP5为16mA;2AP9为5mA。 对于大功率晶体二极管,为了降低它的温度,增大电流,必须加装散热片。 3 反向击穿电压 反向击穿电压是指二极管在工作中能承受的最大反向电压,它也是使二极管不致反响击穿的电压极限值。在一般情况下,最大反向工作电压应小于反向击穿电压。选用晶体二极管时,还要以最大反向工作电压为准,并留有适当余地,以保证二极管不致损坏。 例如:2AP21型二极管的反向击穿电压为15V最大反向工作电压小于10V;2AP26的反向

击穿电压为150V,最大反向工作电流小于100V。 4 最高工作频率 最高工作频率是指晶体二极管能正常工作的最高频率。选用二极管时,必须使它的工作频率低于最高工作频率。 例如:2AP8BD 最高工作频率为150MHz;2CZ12的最高工作频率为3kHz;2AP16的最高工作频率为40MHz。 晶体二极管的分类: 按用途分: 检波二极管

常用稳压二极管技术参数及老型号代换

常用稳压二极管技术参数及老型号代换 型号最大功耗 (mW) 稳定电压(V) 电流(mA) 代换型号国产稳压管日立稳压管 HZ4B2 500 3.8 4.0 5 2CW102 2CW21 4B2 HZ4C1 500 4.0 4.2 5 2CW102 2CW21 4C1 HZ6 500 5.5 5.8 5 2CW103 2CW21A 6B1 HZ6A 500 5.2 5.7 5 2CW103 2CW21A HZ6C3 500 6 6.4 5 2CW104 2CW21B 6C3 HZ7 500 6.9 7.2 5 2CW105 2CW21C HZ7A 500 6.3 6.9 5 2CW105 2CW21C HZ7B 500 6.7 7.3 5 2CW105 2CW21C HZ9A 500 7.7 8.5 5 2CW106 2CW21D HZ9CTA 500 8.9 9.7 5 2CW107 2CW21E HZ11 500 9.5 11.9 5 2CW109 2CW21G HZ12 500 11.6 14.3 5 2CW111 2CW21H HZ12B 500 12.4 13.4 5 2CW111 2CW21H HZ12B2 500 12.6 13.1 5 2CW111 2CW21H 12B2 HZ18Y 500 16.5 18.5 5 2CW113 2CW21J HZ20-1 500 18.86 19.44 2 2CW114 2CW21K HZ27 500 27.2 28.6 2 2CW117 2CW21L 27-3 HZT33-02 400 31 33.5 5 2CW119 2CW21M RD2.0E(B) 500 1.88 2.12 20 2CW100 2CW21P 2B1 RD2.7E 400 2.5 2.93 20 2CW101 2CW21S RD3.9EL1 500 3.7 4 20 2CW102 2CW21 4B2 RD5.6EN1 500 5.2 5.5 20 2CW103 2CW21A 6A1 RD5.6EN3 500 5.6 5.9 20 2CW104 2CW21B 6B2 RD5.6EL2 500 5.5 5.7 20 2CW103 2CW21A 6B1 RD6.2E(B) 500 5.88 6.6 20 2CW104 2CW21B RD7.5E(B) 500 7.0 7.9 20 2CW105 2CW21C RD10EN3 500 9.7 10.0 20 2CW108 2CW21F 11A2 RD11E(B) 500 10.1 11.8 15 2CW109 2CW21G RD12E 500 11.74 12.35 10 2CW110 2CW21H 12A1 RD12F 1000 11.19 11.77 20 2CW109 2CW21G RD13EN1 500 12 12.7 10 2CW110 2CW21H 12A3 RD15EL2 500 13.8 14.6 15 2CW112 2CW21J 12C3 RD24E 400 22 25 10 2CW116 2CW21H 24-1

肖特基二极管特性详解(经典资料)

肖特基二极管特性详解 我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中,但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等,让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。 我们都知道在选择二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能真正导通。但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到如图2所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。 图1 二极管导通压降测试电路

图2 导通压降与导通电流关系 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道:二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 表1 导通压降与导通电流测试数据

半导体发光二极管工作原理、特性及应

LED发光二极管 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、M字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、M字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。

假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。(二)LED的特性 1.极限参数的意义(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。(2)最大正向直流

各种类型发光二极管详细概述

发光二极管的作用及分类详细资料1.发光二极管的作用 发光二极管(LED)是一种由磷化镓(GaP)等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其内部有一定电流通过时,它就会发光。图4-21是共电路图形符号。 发光二极管也与普通二极管一样由PN结构成,也具有单向导电性。它广泛应用于各种电子电路、家电、仪表等设备中、作电源指示或电平指示。 2.发光二极管的分类 发光二极管有多种分类方法: 按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsInP)发光二极管和砷铝化镓(GaAlAs)发光二极管等多种。 按其封装结构及封装形式除可分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装和无引线表面封装外,还可分为加色散射封装(D)、无色散射封装(W)、有色透明封装(C)和无色透明封装(T)。 按其封装外形可分为圆形、方形、矩形、三角形和组合形等多种,图4-22为几种发光二极管的外形。

塑封发光二极管按管体颜色又分为红色、琥珀色、黄色、橙色、浅蓝色、绿色、黑色、白色、透明无色等多种。而圆形发光二极管的外径从¢2~¢20mm,分为多种规格。 按发光二极管的发光颜色又可人发为有色光和红外光。有色光又分为红色光、黄色光、橙色光、绿色光等。 另外,发光二极管还可分为普通单色发光二极管、高亮度发光二极管、超高亮度发光二极管、变色发光二极管、闪烁发光二极管、电压控制型发光二极管、红外发光二极管和负阻发光二极管等。 3.普通单色发光二极管 普通单色发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点,可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。它属于电流控制型半导体器件,使用时需串接合适的限流电阻。 图4-23是普通发光二极管的应用电路。 普通单色发光二极管的发光颜色与发光的波长有关,而发光的波长又取决于制造发光二极管所用的半导体材料。红色发光二极管的波长一般为650~700nm,琥珀色发光二极管的波长一般为630~650 nm ,橙色发光二极管的波长一般为610~630 nm左右,黄色发光二极管的波长一般为585 nm左右,绿色发光二极管的波长一般为555~570 nm。

通用二极管型号及参数全套汇编

For personal use only in study and research; not for commercial use 1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5

MHCHXM肖特基二极管MBR20100CT

◆Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure.◆Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.◆Low Power Waste,High Efficiency.◆Low Voltage High Frequency Switching Power Supply.◆Low Voltage High Frequency Invers Circuit. ◆Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit. Summarize Absolute Maximum Ratings Symbol Data Unit VRRM 100 V VDC 100 V IFAV 2010 IFSM 150A TJ -40-+170℃ TSTG -40-+170 ℃ Electricity Character Item Minimum representative Maximum Value Unit TJ =25℃ 100 uA TJ =125℃ 10mA VF TJ =25℃IF=10A 0.82 v Forward Peak Surge Current(Rated Load 8.3Half Mssine Wave-According to JEDEC Method)Operating Junction Temperature Storage Temperature Test Condition IR VR=VRRM Item Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage Average Rectified Forward Current TC=150℃Whole Device A unilateral maximal DC interdiction voltage MBR20100Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes:Silicon epitaxial substrate,P+loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology,the device uses the two chip,the common cathode,the plastic half package structure. ◆ RoHs Product. Productor Character ◆Beautiful High Temperature Character. ◆Have Over Voltage protect loop,high reliability.Primary Use Package ITO-220AB TO-220AB Typical Reference Data Internal Equivalent Principle MBR20100CT

LED发光二极管工作原理、特性及应用演示教学

LED发光二极管工作原理、特性及应用 半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。 一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 (一)LED发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。

理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管,但其中蓝光二极管成本、价格很高,使用不普遍。 (二)LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 2.电参数的意义 (1)光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长,其波长大体按图2所示。由图可见,该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大,该波长为峰值波长。 2)发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用坎德拉(mcd)作单位。 (3)光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. (4)半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。半值角的2倍为视角(或称半功率角)。 图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线(法线)AO的坐标为相对发光强度(即发光强度与最大发光强度的之比)。显然,法线方向上的相对发光强度为1,离开法线方向的角度越大,相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。

发光二极管参数(精)

二极管参数 普通发光二极管的正向饱和压降为1.6V~2.1V, 正向工作电流为5~20mA LED的特性 1.极限参数的意义 (1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。 (2)最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 (3)最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。 (4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。 2.电参数的意义 (1)正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 (2)正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。 (3)V-I特性:发光二极管的电压与电流的关系 在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压,反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。 LED的分类 1.按发光管发光颜色分 按发光管发光颜色分,可分成红色、橙色、绿色(又细分黄绿、标准绿和纯绿)、蓝光等。另外,有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。 根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色,上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。 2.按发光管出光面特征分 按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;把φ5mm的记作T-1(3/4);把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。 由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类: (1)高指向性。一般为尖头环氧封装,或是带金属反射腔封装,且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小,具有很高的指向性,可

常用二极管型号及参数大全

1.塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs 1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-1 2 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-41 3 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-15 4 2A01-2A07 2A 50-1000V 1.0 DO-15 5 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD 6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-6 7 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-6 8 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 1.0 9 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1.0 DO-41 10 2CP21-2CP29 0.3A 100-1000V 1.0 DO-41 11 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 12 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1.0 DO-41 13 BYW27 1A 200-1300V 1.0 DO-41 14 DR202-DR210 2A 200-1000V 1.0 DO-15 15 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD 16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-5 17 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX 18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX 19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX 20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1.0 R-1 21 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1.0 DO-15 22 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1.0 DO-15 23 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1.0 DO-15 24 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1.0 DO-201AD 25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-15 26 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-15 27 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-15 28 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-15 29 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD 30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 2.快恢复塑封整流二极管 序号型号IF VRRM VF Trr 外形 A V V μs (1)快恢复塑封整流二极管 1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-1 2 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1. 3 0.15-0.5 3 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-41 4 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0. 5 DO-41 5 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-41 6 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD

二极管的符号、判别、参数和分类

二极管符号 二极管(国标) 2.半导体二极管的极性判别及选用 (1) 半导体二极管的极性判别

一般情况下,二极管有色点的一端为正极,如2AP1~2AP7,2AP11~2AP1 7等。如果是透明玻璃壳二极管,可直接看出极性,即内部连触丝的一头是正极,连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极,如IN4000系列。 无标记的二极管,则可用万用表电阻挡来判别正、负极,万用表电阻挡示意图见图T304。 根据二极管正向电阻小,反向电阻大的特点,将万用表拨到电阻挡(一般用R ×100或R×1k挡。不要用R×1或R×10k挡,因为R×1挡使用的电流太大,容易烧坏管子,而R×10k挡使用的电压太高,可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极相接,测出两个阻值。在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的正极。同理,在所测得较大阻值的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的正、反向电阻均很小,说明管子内部短路;若正、反向电阻均很大,则说明管子内部开路。在这两种情况下,管子就不能使用了。 (2) 半导体二极管的选用 通常小功率锗二极管的正向电阻值为300~500?,硅管为1k?或更大些。锗管反向电阻为几十千欧,硅管反向电阻在500k?以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。 点接触二极管的工作频率高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检波、小电流整流或高频开关电路。面接触二极管的工作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多用于整流、稳压、低频开关电路等方面。 选用整流二极管时,既要考虑正向电压,也要考虑反向饱和电流和最大反向电压。选用检波二极管时,要求工作频率高,正向电阻小,以保证较高的工作效率,特性曲线要好,避免引起过大的失真。

发光二极管特性参数(精)

发光二极管特性参数 IF 值通常为 20mA 被设为一个测试条件和常亮时的一个标准电流,设定不同的值用以测试 二极管的各项性能参数,具体见特性曲线图。 IF 特性: 1. 以正常的寿命讨论,通常标准 IF 值设为 20 - 30mA ,瞬间( 20ms )可增至 100mA。 2. IF 增大时 LAMP 的颜色、亮度、 VF 特性及工作温度均会受到影响,它是正常工作时的一个先决条件, IF 值增大:寿命缩短、 VF 值增大、波长偏低、温度上升、亮度增大、 角度不变,与相关参数间的关系见曲线图; 1.VR ( LAMP 的反向崩溃电压) 由于 LAMP 是二极管具有单向导电特性,反向通电时反向电流为 0 ,而反向电压高到一定程度时会把二极管击穿,刚好能把二极管击穿的电压称为反向崩溃电压,可以用 “ VR ”来表示。 VR 特性: 1. VR 是衡量 P/N 结反向耐压特性,当然 VR 赿高赿好; 2. VR 值较低在电路中使用时经常会有反向脉冲电流经过,容易击穿变坏; 3. VR 又通常被设定一定的安全值来测试反向电流( IF 值),一般设为 5V ; 4. 红、黄、黄绿等四元晶片反向电压可做到 20 - 40V ,蓝、纯绿、紫色等晶片反向 电压只能做到 5V 以上。 2.IR (反向加电压时流过的电流) 二极管的反向电流为 0 ,但加上反向电压时如果用较精密的电流表测量还是有很小的电流,只不过它不会影响电源或电路所以经常忽略不记,认为是 0 。 IR 特性: 1. IR 是反映二极管的反向特性, IR 值太大说明 P/N 结特性不好,快被击穿; IR 值 太小或为 0 说明二极管的反向很好; 2. 通常 IR 值较大时 VR 值相对会小, IR 值较小时 VR 值相对会大; 3. IR 的大小与晶片本身和封装制程均有关系,制程主要体现在银胶过多或侧面沾胶, 双线材料焊线时焊偏,静电亦会造成反向击穿,使 IR 增大。

LED特性测量实验

LED特性测量实验 【实验目的】 1、了解LED的发光机理、光学特性与电学特性,并掌握其测试方法。 2、设计简单的测试装置,并对发光二极管进行V-I特性曲线、P—I特性曲线的测量。 【实验装置】: LED(白光和黄绿光),精密数显直流稳流稳压电源,积分球(Φ=30cm),多功能光度计,光功率计,直尺,万用表,导线、支架等。 【实验原理】 1、发光二极管的发光原理 发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的芯片。p型半导体和n型半导体在相互接触的时候,由于两者的功函数或者说是费米能级的不同,p区中的空穴就会流向n 区,而n区中的电子也会扩散到p区中去,同时产生建电势差,产生耗尽层,当载流子的扩散运动和漂移运动平衡时候pn结就达到平衡状态,如图3所示。pn结正向偏置的时候,建电势差变小,势垒的高度变小,以载流子的扩散运动为主,电子和空穴就会更容易克服势垒分别流向p区和n区。在p-n结耗尽层处,电子和空穴相遇,复合,电子由高能级跃迁到低能级,电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来,产生电致发光现象。这就是发光二极管的发光理论。 图3 图4 2、发光二极管的主要特性 (1)光通量

LED 光源发射的辐射波长为λ的单色光,在人眼观察方向上的辐射强度和人眼瞳孔对它所的立体角的乘积,称为光通量ΦV (单位是流明lm ),具体是指LED 向整个空间在单位时间发射的能引起人眼视觉的辐射通量。 光通量的测量以明视觉条件作为测量条件,测量光通量必须要把LED 发射的光辐射能量收集起来,可以用积分球来收集光能。测量的探测器应具有CIE 标准光度观测者光谱效率函数的光谱响应。LED 器件发射的光辐射经积分球壁的多次反射,使整个球壁上的照度均匀分布,可用一置于球壁上的探测器来测量这个光通量成比例的光的照度。基于实验室提供的资料,由积分原理,积分球任一没有光直接照明的点的光照度为:2 41E R ρ πρ Φ= -。其中Φ为光源的光照度,R 为积分球的半径,ρ为积分球壁的反射率。所以测量得到球壁上任一点的光照度就可以求得光源的光通量了。 (2) 发光强度 发光强度表示在指定方向上光源发光的强弱。若某个光源在法线方向上,辐射强度为(1/683)W/sr (即一单位立体角度光通量为1流明时),则称其发光强度为1坎德拉(candela ),符号为cd 。 要求光源是一个点光源,或者要求光源的尺寸和探测器的面积与离光探测器的距离相比足够小(这种要求被称为远场条件)。一般使用CIE 推荐的“平均发光强度”的概念:照射在离LED 一定距离处的光探测器上的通量,与探测器构成的立体角的比值。 CIE 对近场条件下的LED 测量,有两个推荐的标准条件:CIE 标准条件A 和B 。两个条件都要求所用的探测器有一个面积为1cm 2 的圆入射孔径,LED 面向探测器放置,并且保证LED 的机械轴通过探测器的孔径中心。本实验中使用的是亮度比较低的LED ,所以使用条件B ,使LED 顶端到探测器的距离为100mm 。 (3) 发光效率 (4) V -I 特性 由于在耗尽层中的载流子复合有一定的几率,在正向电压小于阈值电压时,耗尽层中的载流子很少,复合几率也比较低,正向电流极小,不发光。当电压超过阈值后,正向电流随电压迅速增加。由V -I 曲线可以得出LED 的正向电压,反向电流以及反向电压等参数。

开关二极管--型号类别及其参数

1.开关二极管的作用开关二极管的作用是利用其单向导电特性使其成为一个较理想的电子开关。 图4-10是开关二极管的应用电路。 开关二极管除能满足普通二极管和性能指标要求外,还具有良好的高频开关特性(反向恢复时间较短),被广泛应用于家电电脑、电视机、通信设备、家用音响、影碟机、仪器仪表、控制电路及各类高频电路中。 开关二极管分为普通开关二极管、高速开关二极管、超高速开关二极管、低功耗开关二极管、高反压开关二极管、硅电压开关二极管等多种。 开关二极管的封装形式有塑料封装和表面封装等。如图4-11所示。

2.普通开关二极管常用的国产普通开关二极管有2AK系列锗开关二极管,表4-8为2AK系开关二极管的主要参数。 3.高速开关二极管高速开关二极管较普通开关二极管的反向恢复时间更短,开、关频率更快。 常用的国产高速开关二极管有2CK系列,见表4-9。

进口高速开关二极管有1N系列、1S系列、1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面安装),见表4-10和表4-11。 表4-11

4.超高速开关二极管常用的超高速二极管有1SS系列(有引线塑封)和RLS系列(表面封装),见表4-12。 5.低功耗开关二极管低功耗开关二极管的功耗较低,但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二极管低。 常用的低功耗开关二极管有RLS系列(表面封装)和1SS系列(有引线塑封),表4-13为其主要参数。

6.高反压开关二极管高反压开关二极管的反向击穿电压均在220V以上,但其零偏压电容和反向恢复时间值相对较大。 常用的高反压开关二极管有RLS系列(表面封装)和1SS系列(有引线塑封),其主要参数见表4-14。 7.硅电压开关二极管硅电压开关二极管是一种新型半导体器件,有单向电压开关二极管和双向电压开关二极管之分,主要应用于触发器、过压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。

肖特基(Schottky)二极管

肖特基(Schottky)二极管 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 一个典型的应用,是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 肖特基(Schottky)二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流稍大些。选用时要全面考虑。 三、晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小; 而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常 把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如 1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用 一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极 管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好 相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A)均为1 四、稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电 压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中, 前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 肖特基势垒二极管SBD(Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、

发光二极管的类型、主要参数

.普通单色发光二极管普通单色发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点,可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮.它属于电流控制型半导体器件,使用时需串接合适地限流电阻. 普通单色发光二极管地发光颜色与发光地波长有关,而发光地波长又取决于制造发光二极管所用地半导体材料.红色发光二极管地波长一般为,琥珀色发光二极管地波长一般为,橙色发光二极管地波长一般为左右,黄色发光二极管地波长一般为左右,绿色发光二极管地波长一般为. 常用地国产普通单色发光二极管有(厂标型号)系列、(部标型号)系列和系列.常用地进口普通单色发光二极管有系列和系列等. .高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用地半导体材料与普通单色发光二极管不同,所以发光地强度也不同. 通常,高亮度单色发光二极管使用砷铝化镓()等材料,超高亮度单色发光二极管使用磷铟砷化镓()等材料,而普通单色发光二极管使用磷化镓()或磷砷化镓()等材料.. .变色发光二极管变色发光二极管是能变换发光颜色地发光二极管.变色发光二极管发光颜色种类可分为双色发光二极管、三色发光二极管和多色(有红、蓝、绿、白四种颜色)发光二极管. 变色发光二极管按引脚数量可分为二端变色发光二极管、三端变色发光二极管、四端变色发光二极管和六端变色发光二极管. 常用地双色发光二极管有系列和系列,常用地三色发光二极管有、、等型号,见表. .闪烁发光二极管闪烁发光二极管()是一种由集成电路和发光二极管组成地特殊发光器件,可用于报警指示及欠压、超压指示. 闪烁发光二极管在使用时,无须外接其它元件,只要在其引脚两端加上适当地直流工作电压()即可闪烁发光. 表是几种常用闪烁发光二极管地主要参数. .电压控制型发光二极管普通发光二极管属于电流控制型器件,在使用时需串接适当阻值地限流电阻.电压控制型发光二极管()是将发光二极管和限流电阻集成制作为一体,使用时可直接并接在电源两端. 电压控制型发光二极管地发光颜色有红、黄、绿等,工作电压有、、、、、共种规格. 表为系列电压控制型发光二极管地主要参数. .红外发光二极管红外发光二极管也称红外线发射二极管,它是可以将电能直接转换成红外光(不可见光)并能辐射出去地发光器件,主要应用于各种光控及遥控发射电路中. 红外发光二极管地结构、原理与普通发光二极管相近,只是使用地半导体材料不同.红外发光二极管通常使用砷化镓()、砷铝化镓()等材料,采用全透明或浅蓝色、黑色地树脂封装. 常用地红外发光二极管有系列、系列、系列、系列、系列和系列等 ·发光亮度 亮度是发光性能又一重要参数,具有很强方向性.其正法线方向地亮度,指定某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射地光通量,单位为或. 若光源表面是理想漫反射面,亮度与方向无关为常数.晴朗地蓝天和荧光灯地表面亮度约为(尼特),从地面看太阳表面亮度约为×. 亮度与外加电流密度有关,一般地,(电流密度)增加也近似增大.另外,亮度还与环境温度有关,环境温度升高,η(复合效率)下降,减小.当环境温度不变,电流增大足以引起结结温升高,温升后,亮度呈饱和状态. 文档来自于网络搜索 ·寿命

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