嵌入式—flash存储器

存储器存储器

FLASH存储器存储器章FLASH

13章

第13

本章主要内容

Flash Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式存储器

MC908GP32MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法存储器GP32GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程汇编语言实例在线编程汇编语言实例GP32GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程在线编程在线编程08C 08C 08C语言实例语言实例HCS08HCS08系列单片机系列单片机系列单片机Flash Flash Flash编程方法编程方法

13.1 Flash 13.1 Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式

(1) Flash存储器的基本特点

①固有不挥发性：：Flash Flash存储器不需要后备电源来保持数据存储器不需要后备电源来保持数据存储器不需要后备电源来保持数据。。所以所以，，它具有磁存储器无需电能保持数据的优点它具有磁存储器无需电能保持数据的优点。。

②易更新性易更新性:Flash :Flash :Flash存储器具有电可擦除特点存储器具有电可擦除特点存储器具有电可擦除特点。。相对于相对于EPROM(EPROM(EPROM(电可编电可编程只读存储器程只读存储器))的紫外线擦除工艺的紫外线擦除工艺，，Flash Flash存储器的电擦除功能为开发者存储器的电擦除功能为开发者节省了时间节省了时间，，也为最终用户更新存储器内容提供了可能也为最终用户更新存储器内容提供了可能。。

③成本低成本低、、密度高密度高、、可靠性好可靠性好::与EEPROM(EEPROM(电可擦除可编程的只读存电可擦除可编程的只读存储器储器))相比较相比较，，Flash Flash存储器的成本更低存储器的成本更低存储器的成本更低、、密度更高密度更高、、可靠性更好可靠性更好。。

13.1 Flash 13.1 Flash存储器概述与编程模式存储器概述与编程模式13.1.1 Flash存储器的基本特点与编程模式

(2) Flash (2) Flash存储器的两种编程模式存储器的两种编程模式

从Flash Flash存储器的基本特点可以看出存储器的基本特点可以看出存储器的基本特点可以看出，，在单片机中在单片机中，，可以利用可以利用Flash Flash 存储器固化程序存储器固化程序，，一般情况下通过编程器来完成一般情况下通过编程器来完成，，Flash Flash存储器工作于这存储器工作于这种情况种情况，，叫监控模式监控模式(Monitor Mode)(Monitor Mode)(Monitor Mode)或写入器模式或写入器模式，这与一般的这与一般的EPROM EPROM EPROM、、OTP OTP、、EEPROM EEPROM装入程序的含义相似装入程序的含义相似装入程序的含义相似。。另一方面另一方面，，由于由于Flash Flash Flash存储器具有电存储器具有电可擦除功能可擦除功能，，因此因此，，在程序运行过程中在程序运行过程中，，有可能对有可能对Flash Flash Flash存储区的数据或存储区的数据或程序进行更新程序进行更新，，Flash Flash存储器工作于这种情况存储器工作于这种情况存储器工作于这种情况，，叫用户模式用户模式(User Mode)(User Mode)或在线编程模式或在线编程模式。。

13.1.2 HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式

（1）MC908系列单片机Flash存储器的特点

第一第一，，编程速度快及可靠性高编程速度快及可靠性高。。Freescale HC08HC08系列单片机的片内系列单片机的片内系列单片机的片内Flash Flash 的整体擦除时间可以控制在的整体擦除时间可以控制在5ms 5ms 5ms以内以内以内，，对单字节的编程时间也在对单字节的编程时间也在40ns 40ns 40ns以内以内以内。。片内片内Flash Flash Flash的存储数据可以保持的存储数据可以保持的存储数据可以保持101010年以上年以上年以上，，可擦写次数也在可擦写次数也在11万次以上万次以上。。第二第二，，单一电源电压供电单一电源电压供电。。Freescale HC08HC08系列单片机通过在片内集成系列单片机通过在片内集成电荷泵电荷泵，，可由单一工作电压在片内产生出编程电压可由单一工作电压在片内产生出编程电压。。这样这样，，可实现单一电源供电的在线编程电源供电的在线编程，，不需要为不需要为Flash Flash Flash的编程而在目标板上增加多余的硬的编程而在目标板上增加多余的硬件模块件模块。。

第三第三，，支持在线编程支持在线编程。。Freescale HC08HC08系列单片机的片内系列单片机的片内系列单片机的片内Flash Flash Flash支持在线支持在线编程编程(In (In (In--Circuit Program)Circuit Program)，，允许单片机内部运行的程序去改写允许单片机内部运行的程序去改写Flash Flash Flash存存储内容储内容，，

13.1.2 HC08系列单片机Flash存储器的特点与编程模式

(2) MC908(2) MC908系列单片机系列单片机系列单片机Flash Flash Flash存储器的编程模式存储器的编程模式

在监控方式下在监控方式下，，单片机内部的监控单片机内部的监控ROM ROM ROM程序开始工作程序开始工作程序开始工作，，首先进行初始化，随后进入串行输入命令状态随后进入串行输入命令状态。。监控监控ROM ROM ROM通过一根通过一根通过一根I/O I/O I/O口线与主机进行口线与主机进行串行通信串行通信，，该I/O I/O口线的指定与芯片型号有关口线的指定与芯片型号有关口线的指定与芯片型号有关，，例如例如，，对MC908GP32MC908GP32，，它为PTA0; PTA0; 对对MC68HC908JL3MC68HC908JL3，，它为它为PTB0PTB0PTB0，，该I/O I/O口线在使用时需外接上拉电口线在使用时需外接上拉电阻。主机程序可以利用监控主机程序可以利用监控ROM ROM ROM提供的少数几条指令对单片机内部地址进提供的少数几条指令对单片机内部地址进行读取行读取、、写入等基本操作写入等基本操作，，包括下载程序到包括下载程序到RAM RAM RAM中并执行中并执行中并执行。。在此基础上在此基础上，，主机可以通过主机程序或是下载到主机可以通过主机程序或是下载到RAM RAM RAM中的程序完成对中的程序完成对中的程序完成对Flash Flash Flash存储器编程存储器编程所需的一系列操作所需的一系列操作。。监控模式常被仿真器和编程器采用监控模式常被仿真器和编程器采用，，而在实际的工程应用中程应用中，，开发者往往只需要考虑和实现用户模式下的开发者往往只需要考虑和实现用户模式下的Flash Flash Flash存储器在线存储器在线编程编程。。本章只讨论用户模式下的本章只讨论用户模式下的Flash Flash Flash存储器的编程方法存储器的编程方法存储器的编程方法，，给出具体的实例。

13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.1 Flash存储器编程的基本概念

对Flash Flash编程的基本操作有两种编程的基本操作有两种编程的基本操作有两种：：擦除擦除(Erase)(Erase)(Erase)和写入和写入和写入(Program)(Program)(Program)。。擦除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的除操作的含义是将存储单元的内容由二进制的00变成变成11，而写入操作的含义含义，，是将存储单元的内容由二进制的是将存储单元的内容由二进制的11变成变成00。擦除及写入操作都是通过设置或清除通过设置或清除Flash Flash Flash存储器的控制寄存器存储器的控制寄存器存储器的控制寄存器(FLCR)(FLCR)(FLCR)中的某个或某些位中的某个或某些位来完成的来完成的。。Flash Flash存储器在片内是以页存储器在片内是以页存储器在片内是以页(Page)(Page)(Page)和行和行和行(Row)(Row)(Row)为单位组织为单位组织的。.页和行的大小页和行的大小((字节数字节数))随整个随整个Flash Flash Flash存储器的大小变化而变化存储器的大小变化而变化存储器的大小变化而变化，，但页的大小始终为行的两倍但页的大小始终为行的两倍。。对Flash Flash存储器的擦除操作可以进行整存储器的擦除操作可以进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页(128(128(128字节字节字节))。

13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法

13.2.2 Flash 13.2.2 Flash存储器的编程寄存器存储器的编程寄存器(1) Flash (1) Flash控制寄存器控制寄存器控制寄存器((FLash Control Register —FLCR)

FLCR FLCR的地址的地址的地址：：$FE08$FE08，，定义为定义为：：

D7～D4位：未定义。

D3 —HVEN位：高压允许位(High-Voltage Enable Bit)。HVEN=1，打开电荷泵并将高电平加到Flash阵列上；HVEN=0，撤除Flash阵列上的高电平并关闭电荷泵。

D2 —MASS位：整体擦除控制位(Mass Erase Control Bit)。该位在ERASE=1时有效，用于选择Flash擦除操作方式：整体擦除或页擦除。MASS=1，选择整体擦除方式；MASS=0，选择页擦除方式。

D1 —ERASE位：擦除控制位(Erase Control Bit)。该位用于设置Flash编程操作为擦除操作。ERASE=1，选择擦除操作；ERASE=0，不选择擦除操作。

D0 —PGM位：编程(写入)控制位(Program Control Bit)。该位用于设置Flash编程操作为编程(写入)操作，且无法与ERASE位同时为1。PGM=1，选择写入操作；PGM=0，不选择写入操作。

数据位 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

定义 未定义 未定义 未定义 未定义 HVEN MASS ERASE PGM 复位

13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片单片单片机机Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.2 Flash存储器的编程寄存器

(2) Flash (2) Flash块保护寄存器块保护寄存器块保护寄存器((FLash Block Protect Register —FLBPR)FLBPR FLBPR的地址的地址的地址：：$FF7E $FF7E，，它的内容为它的内容为Flash Flash Flash保护区域的起始地址的保护区域的起始地址的保护区域的起始地址的141414～～7位，保护区域的起始地址的最高位始终为保护区域的起始地址的最高位始终为11，而保护区域的起始地址的低的低77位(位6～0)0)始终为始终为始终为00。对FLBPR FLBPR写入写入写入，，可以设定被保护的可以设定被保护的Flash Flash Flash区区域，它本身也是一个它本身也是一个Flash Flash Flash字节字节字节。。当Flash Flash处于保护状态时处于保护状态时处于保护状态时，，擦除和写入操作都是受限制的入操作都是受限制的，，HVEN HVEN将无法被正常置起将无法被正常置起将无法被正常置起。。Flash Flash块保护寄存器块保护寄存器设定的只是保护区域的起始地址设定的只是保护区域的起始地址，，保护区域的结束地址始终为保护区域的结束地址始终为Flash Flash 存储区的结束地址存储区的结束地址($FFFF)($FFFF)($FFFF)。。例如例如，，设定设定FLBPR FLBPR FLBPR的值为的值为的值为$02(%0000 $02(%0000 0010)0010)，，则保护区域为则保护区域为$8100$8100$8100～～$FFFF(%1000 0001 0000 0000 $FFFF(%1000 0001 0000 0000 ～～%1111 1111 1111 1111)%1111 1111 1111 1111)。。

13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.3 Flash存储器的编程过程

（1）页擦除操作

①$2→FLCR(1→ERASE 位，0→MASS 位)：进行页面擦除进行页面擦除。。 ②读Flash 块保护寄存器FLBPR 。

③向被擦除的Flash 页内任意一个地址写入任意值页内任意一个地址写入任意值，，为方便起见为方便起见，，一般向待擦除页首地址写入0。

④延时t nvs (>10μs)。

⑤$A →FLCR(1→HVEN 位)。 ⑥延时t erase (>1ms)。

⑦$8→FLCR(0→ERASE 位)。 ⑧延时t nvh (>5μs)。

⑨$0→FLCR(0→HVEN 位)。

⑦延时t rcv (>1μs)，完成一页的擦除操作完成一页的擦除操作。。

13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.3 Flash存储器的编程过程

(2)整体擦除操作

①$6→FLCR(1→ERASE 位，1→MASS 位):进行整体擦除进行整体擦除。。 ②读Flash 块保护寄存器FLBPR 。

③向被擦除的Flash 任意一个地址写入任意值任意一个地址写入任意值，，一般向首地址写入0。 ④延时t nvs (>10μs)。

⑤$E →FLCR(1→HVEN 位、MASS 位、ERASE 位)。 ⑥延时t Merase (>4ms)。

⑦$C →FLCR(0→ERASE 位)。 ⑧延时t nvhl (>100μs)。

⑨$0→FLCR(0→HVEN 位、MASS 位)。 ⑩延时t rcv (>1μs)，完成整体擦除操作完成整体擦除操作。。

13.2 MC908GP3213.2 MC908GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash存储器编程方法存储器编程方法13.2.3 Flash存储器的编程过程

(3)编程操作

①$1→FLCR(1→PGM 位)。

②读Flash 块保护寄存器FLBPR 。

③向将要写入的Flash 行内任意一个地址写入任意值行内任意一个地址写入任意值，，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行一步选定了所要编程的行，，以下的目标地址必须在这一行中以下的目标地址必须在这一行中。。

④先延时t nvs (>10μs)；再将$9→FLCR(1→HVEN 位)。 ⑤先延时t pgs (>5μs)；再将待写数据写入对应的Flash 地址地址。。 ⑥延时t prog (>30μs)，完成一个字节的写入(编程)工作工作。。 ⑦重复重复⑤⑤、⑥，直至同一行内各字节写入完毕直至同一行内各字节写入完毕。。 ⑧$8→FLCR(0→PGM 位)。

⑨先延时t nvh (>5μs)；再将$0→FLCR(0→HVEN 位)。

13.3 GP3213.3 GP32单片机单片机单片机Flash Flash Flash在线编程汇编语言实例在线编程汇编语言实例13.3.1 Flash存储器的擦除及写入汇编子程序

(1) 擦除、写入子程序

//ErasePage://ErasePage:擦除擦除擦除Flash Flash Flash存储区的一页存储区的一页存储区的一页---------------------------------------------------------------------** ////功能功能功能::擦除擦除Flash Flash Flash区中以区中以区中以HX HX HX为首地址的一页为首地址的一页为首地址的一页 * * * ////入口入口入口:HX = :HX = :HX = 要擦除的要擦除的要擦除的Flash Flash Flash页首地址页首地址页首地址((供DoErasePage DoErasePage使用使用使用) *) *) * ////出口出口出口::无 * * ////堆栈深度堆栈深度堆栈深度:11 *:11 *:11 * ////内部调用内部调用内部调用:DoErasePage :DoErasePage :DoErasePage * * * ////全局变量全局变量全局变量:PrgInRAM *:PrgInRAM *:PrgInRAM * ////说说 明明:本程序的实际工作程序本程序的实际工作程序，，在执行前被移入在执行前被移入RAM RAM RAM区区,移 * * // // 到到RAM RAM区的起始地址为区的起始地址为区的起始地址为PrgInRAM *PrgInRAM *PrgInRAM * ////------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------**

ErasePage::ErasePage::

PSHA // PSHA //保护保护保护A A PSH PSHH //H //H //保护保护保护HX HX HX PSHX PSHX AIS # AIS #--1 //1 //开辟临时变量开辟临时变量开辟临时变量 //1. //1. 将擦除程序从将擦除程序从将擦除程序从FLASH FLASH FLASH移到移到移到RAM RAM RAM中中 //1.1 //1.1计算需要移入计算需要移入计算需要移入RAM RAM RAM区区PrgInRAM PrgInRAM的程序字节数的程序字节数的程序字节数 LDA #0 //[SP+1] LDA #0 //[SP+1]存放移入存放移入存放移入RAM RAM RAM区的程序字节数区的程序字节数区的程序字节数,,初始为初始为00 STA 1,SP STA 1,SP

LDHX #DoErasePage // LDHX #DoErasePage //擦除程序首地址擦除程序首地址擦除程序首地址-->HX >HX ErasePage_1:ErasePage_1: INC 1,SP INC 1,SP AIX AIX #0x1 #0x1 #0x1

CPHX #EraseEnd // CPHX #EraseEnd //判断是否到了擦除程序的末地址判断是否到了擦除程序的末地址判断是否到了擦除程序的末地址 BLO ErasePage_1 // BLO ErasePage_1 //否否,继续继续 //1.2 //1.2计算完程序长度计算完程序长度计算完程序长度,,将程序移入将程序移入RAM RAM RAM区区PrgInRAM PrgInRAM开始的地址中开始的地址中开始的地址中 LDHX #0x0000 LDHX #0x0000 MoveToRAM:MoveToRAM:

LDA DoErasePage,X //(Erase1Page + HX) LDA DoErasePage,X //(Erase1Page + HX) --> A > A STA PrgInRAM,X //A STA PrgInRAM,X //A --> (PrgInRAM + HX)> (PrgInRAM + HX) INCX INCX INCX

DBNZ 1,SP,MoveToRAM // DBNZ 1,SP,MoveToRAM //程序是否移入完毕程序是否移入完毕程序是否移入完毕??否,继续继续 // //程序移入完毕程序移入完毕程序移入完毕

AIS #1 // AIS #1 //释放临时变量释放临时变量释放临时变量 PULX // PULX //恢复恢复恢复HX(HX HX(HX HX(HX中存放要擦除的中存放要擦除的中存放要擦除的Flash Flash Flash初始地址初始地址初始地址)) PULH PULH //1.2 //1.2 执行执行执行RAM RAM RAM中的擦除程序中的擦除程序中的擦除程序PrgInRAM PrgInRAM PrgInRAM JSR PrgInRAM JSR PrgInRAM PULA // PULA //恢复恢复恢复A A A

13.3.1 Flash存储器的擦除及写入汇编子程序

//DoErasePage:flas //DoErasePage:flash h 页擦除执行程序页擦除执行程序---------------------------------------------------------------------** ////功能功能功能::设置设置flash flash flash控制寄存器和块保护寄存器控制寄存器和块保护寄存器控制寄存器和块保护寄存器,,按照按照flash flash flash的擦时的擦时的擦时** // // 序序,擦除指定页擦除指定页 * * * ////入口入口入口:HX(:HX(:HX(要擦除的要擦除的要擦除的Flash Flash Flash页首地址页首地址页首地址) *) *) * ////出口出口出口::无 * * ////堆栈深度堆栈深度堆栈深度:5 :5 :5 * * * ////内部调用内部调用内部调用:Delay_usA(:Delay_usA(:Delay_usA(延时一定时间延时一定时间延时一定时间) *) *) * ////------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------**

Flash页擦除程序DoErasePage::DoErasePage::

PSHA // PSHA //保护保护保护A A A

LDA #%00000010 //(1) LDA #%00000010 //(1) 置置FLCR FLCR的的ERASE=1,MASS=0 ERASE=1,MASS=0 STA FLCR STA FLCR

LDA FLBPR //( LDA FLBPR //(2) 2) 2) 读出块保护寄存器读出块保护寄存器读出块保护寄存器(FLBPR) (FLBPR) (FLBPR) LDA #$68 //(3) LDA #$68 //(3) 任意值任意值任意值-->被擦除被擦除Flash Flash Flash首地址首地址首地址 STA ,X STA ,X

LDA #3 //(4) LDA #3 //(4) 延时延时延时 > 10us > 10us > 10us BSR Delay_usA BSR Delay_usA

LDA #%00001010 //(5) LDA #%00001010 //(5) 置置HVEN HVEN位为位为位为1 1 1 STA FLCR // ( STA FLCR // (打开电荷泵高电压到打开电荷泵高电压到打开电荷泵高电压到Flash Flash Flash阵列阵列阵列) ) ) LDA #248 //(6) LDA #248 //(6) LDA #248 //(6) 延时延时延时 > 1ms( > 1ms( > 1ms(每次每次每次500us,500us,500us,共共2次) ) BSR Delay_usA BSR Delay_usA LDA #248 LDA #248

BSR Delay_usA BSR Delay_usA

LDA #%00001000 //(7) LDA #%00001000 //(7) 清清Erase Erase位为位为位为0 0 0 STA FLCR STA FLCR

LDA #3 //(8) LDA #3 //(8) 延时延时延时 > 5us > 5us > 5us BSR Delay_usA BSR Delay_usA

CLRA CLRA //(9) //(9) //(9) 清清HVEN HVEN位为位为位为0 0 0 STA FLCR STA FLCR

LDA #3 //(10) LDA #3 //(10) 延时延时延时 > 1us > 1us > 1us BSR Delay_usA BSR Delay_usA PULA // PULA //恢复恢复恢复A A

13.3.1 Flash存储器的擦除及写入汇编子程序

//WriteFlash://WriteFlash:向向fl flash ash ash写入小于写入小于写入小于11行(64(64字节字节字节))的数据的数据---------------------------------** ////功能功能功能::移动写移动写flash flash flash执行程序和相关延时程序到内存中执行程序和相关延时程序到内存中执行程序和相关延时程序到内存中,,并调用并调用 * * * // // 写写flash flash执行程序执行程序执行程序 * * * ////入口入口入口:(1) A = :(1) A = :(1) A = 待写入的数据个数待写入的数据个数待写入的数据个数N *N *N * // (2) RAMandFalsh[0// (2) RAMandFalsh[0--3] *3] * // [0// [0--1] = RAM 1] = RAM区首地址区首地址区首地址 [2 [2 [2--3]=Flash 3]=Flash区首地址区首地址区首地址 * * * ////出口出口出口::无 * * ////堆栈深度堆栈深度堆栈深度:13 *:13 *:13 * ////内部调用内部调用内部调用:DoWriteFlash *:DoWriteFlash *:DoWriteFlash * ////全局变量全局变量全局变量:RAMandFalsh[0:RAMandFalsh[0:RAMandFalsh[0--3],PrgInRAM *3],PrgInRAM * ////说说 明明:本程序的实际工作程序本程序的实际工作程序，，在执行前被移入在执行前被移入RAM RAM RAM区区,移 * * // // 到到RAM RAM区的起始地址为区的起始地址为区的起始地址为PrgInRAM *PrgInRAM *PrgInRAM * ////------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------**

WriteFlash::WriteFlash::

PSHH // PSHH //保护保护保护HX HX HX PSHX PSHX AIS # AIS #--2 //2 //开辟开辟开辟22个临时变量个临时变量

STA 2,SP //[SP+2] STA 2,SP //[SP+2]存放要写入的数据个数存放要写入的数据个数存放要写入的数据个数N N //1. //1. 将程序从将程序从将程序从Flash Flash Flash中移到中移到中移到RAM RAM RAM中以中以中以PrgInRAM PrgInRAM PrgInRAM为始址的区域为始址的区域为始址的区域 //1.1 //1.1计算需要移入计算需要移入计算需要移入RAM RAM RAM区区PrgInRAM PrgInRAM的程序字节数的程序字节数的程序字节数 LDA #0 //[SP+1] LDA #0 //[SP+1]存放移入存放移入存放移入RAM RAM RAM区的程序字节数区的程序字节数区的程序字节数,,初始为初始为0 0 0 STA 1,SP STA 1,SP

LDHX #DoWriteFlash // LDHX #DoWriteFlash //写入程序首地址写入程序首地址写入程序首地址 -> HX > HX WriteFlash_1:WriteFlash_1: INC 1,SP INC 1,SP AIX #$1 AIX #$1

CPHX #WriteEnd // CPHX #WriteEnd //是否到了写入程序的末地址是否到了写入程序的末地址是否到了写入程序的末地址 BLO WriteFlash_1 // BLO WriteFlash_1 //否否,继续继续 //1.2 //1.2算完程序长度算完程序长度算完程序长度,,将其移入将其移入RAM RAM RAM区以区以区以PrgInRAM PrgInRAM PrgInRAM为始址的区域为始址的区域为始址的区域 LDHX #0x0000 LDHX #0x0000 WriteFlash_2:WriteFlash_2:

LDA DoWriteFlash,X //(DoWriteFlash + HX) LDA DoWriteFlash,X //(DoWriteFlash + HX) --> A > A STA PrgInRAM,X //A STA PrgInRAM,X //A --> (PrgInRAM + HX)> (PrgInRAM + HX) INCX INCX

DBNZ 1,SP,WriteFlash_2 // DBNZ 1,SP,WriteFlash_2 //程序是否移入完毕程序是否移入完毕程序是否移入完毕??否,继续 // //程序移入完毕程序移入完毕程序移入完毕

LDA 2,SP // LDA 2,SP //要写入的数据个数要写入的数据个数要写入的数据个数N N N --> A > A AIS #2 // AIS #2 //释放临时变量释放临时变量释放临时变量 //2. //2. 转入内存转入内存转入内存,,执行写入执行程序执行写入执行程序 JSR PrgInRAM JSR PrgInRAM PULX // PULX //恢复恢复恢复HX HX HX

13.3.1 Flash存储器的擦除及写入汇编子程序

//DoWriteFlash:Flash //DoWriteFlash:Flash写入执行程序写入执行程序写入执行程序------------------------------------------------------------------------** ////功能功能功能::设置设置Flash Flash Flash控制寄存器和块保护寄存器控制寄存器和块保护寄存器控制寄存器和块保护寄存器,,按照按照Flash Flash Flash的写时的写时的写时** // // 序序,在指定地址写入数据在指定地址写入数据 * * * ////入口入口入口: *: *: * // (1)A:// (1)A:要写入的数据个数要写入的数据个数要写入的数据个数 * * * // (2)RAMandFalsh[0// (2)RAMandFalsh[0--3] *3] * // [0// [0--1] = RAM 1] = RAM区首地址区首地址区首地址 [2 [2 [2--3]=Flash 3]=Flash区首地址区首地址区首地址 * * * ////出口出口出口::无 * * ////堆栈深度堆栈深度堆栈深度:7 *:7 *:7 * ////内部调用内部调用内部调用:Delay_usB(:Delay_usB(:Delay_usB(延时一定时间延时一定时间延时一定时间) *) *) * ////全局变量全局变量全局变量:RAMandFalsh *:RAMandFalsh *:RAMandFalsh *

//------------------------------------------------------*

Flash写入执行程序

DoWriteFlash::DoWriteFlash::

PSHH // PSHH //保护保护保护HX HX HX PSHX PSHX AIS # AIS #--1 //1 //开辟临时变量开辟临时变量开辟临时变量

STA 1,SP //[SP + 1] STA 1,SP //[SP + 1]存放写入个数存放写入个数存放写入个数N N LDA #%00000001 //(1) LDA #%00000001 //(1) 置置FLCR FLCR的的PGM PGM位为位为位为1 1 1 STA FLCR STA FLCR

LDA FLBPR //(2) LDA FLBPR //(2) 读出读出读出Flash Flash Flash块保护寄存器块保护寄存器块保护寄存器 LD LDHX RAMandFlash+2 //(3) HX RAMandFlash+2 //(3) HX RAMandFlash+2 //(3) 任意数据任意数据任意数据 -> > 所选块任意单元所选块任意单元所选块任意单元 STA ,X // STA ,X // 选中要写入的行选中要写入的行选中要写入的行 LDA #3 //(4) LDA #3 //(4) 延时延时延时 > 10us > 10us > 10us BSR Delay_usB BSR Delay_usB

LDA #%00001001 //(5) LDA #%00001001 //(5) 置置FLCR FLCR的的HVEN HVEN位为位为位为1 1 1 STA FLCR STA FLCR

LDA #3 //(6) LDA #3 //(6) 延时延时延时 > 5us > 5us > 5us BSR Delay_usB BSR Delay_usB

// //向页内目标地址写入向页内目标地址写入向页内目标地址写入N N 个数据个数据 DoWriteFlash_1: DoWriteFlash_1: //(7) //(7) 逐个取逐个取逐个取RAM RAM RAM中一个数中一个数中一个数,,并存放到目标并存放到目标Flash Flash Flash区区 LDHX RAMandFlash // LDHX RAMandFlash //取取RAM RAM区区(源)地址地址 LDA ,X // LDA ,X //取取RAM RAM中一个数中一个数中一个数 AIX #1 // AIX #1 //源地址源地址源地址 + 1 + 1 + 1