二极管和三极管原理

二极管和三极管原理
二极管和三极管原理

实用文案

二极管图

三极管工作原理

三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基

本原理。

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一、电流放大

下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流

lb ;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流lc。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍,即电流变化被放大了B倍,所以我们把B叫做三极管的放大倍数(B一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流lb 的变化,lb 的变化被放大后,导致了lc 很大的变化。如果集电极电流lc 是流过一个电阻R 的,那么根据电压计算公式U=R*l 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。

二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V )。当基极与发射极之间的电压小于0.7V 时,基极电流就可以认为是0 。但实际中要放大的信号往往远比0.7V 要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因

为小于0.7V 时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb 就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,小信号就会导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求,如果没有加偏置,那么只有对那些增加的信号放大,而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。

三、开关作用下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图,因为受到电阻Rc 的限制(Rc 是固定值,那么最大电流为U/Rc ,其中U 为电源电压),集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是:lb* B〉c。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为0 时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。

四、工作状态

如果我们在上面这个图中,将电阻Rc 换成一个灯泡,那么当基极电流为0 时,集电极电流为0,灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数B),

三极管就饱和,相当于开关闭合,灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的B分之一大一点就行了,所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0 慢慢增加,那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。

对于PNP 型三极管,分析方法类似,不同的地方就是电流方向跟NPN 的刚好相反,因此发射极上面那个

箭头方向也反了过来——变成朝里的了。

检测三极管的口诀

三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功,为了帮助读者迅速掌握测判方法,笔者总结出四句口诀:“三颠倒,找基极;PN 结,定管型;顺箭头,偏转大;测不准,动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。

一、三颠倒,找基极

大家知道,三极管是含有两个PN 结的半导体器件。根据两个PN 结连接方式不同,可以分为NPN 型和PNP 型两种不同导电类型的三极管,图 1 是它们的电路符号和等效电路。

测试三极管要使用万用电表的欧姆挡,并选择R X100或R X1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见,红表笔所连接的是表内电池的负极,黑表笔则连接着表内电池的正极。

假定我们并不知道被测三极管是NPN 型还是PNP 型,也分不清各管脚是什么电极。测试

的第一步是判断哪个管脚是基极。这时,我们任取两个电极(如这两个电极为 1 、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度;接着,再取 1 、3 两个电极和 2 、3 两个电极,分别颠倒测量它们的正、反向电阻,观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中,必然有两次测量结果相近:即颠倒测量中表针一次偏转大,一次偏转小;剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小,这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图

1 、图

2 不难理解它的道理)。

二、PN 结,定管型

找出三极管的基极后,我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN 结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极,红表笔接触另外两个电极中的任一电极,若表头指针偏转角度很大,则说明被测三极管为NPN 型管;若表头指针偏转角度很小,则被测管即为PNP 型。

三、顺箭头,偏转大

找出了基极b ,另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。

(1)对于NPN 型三极管,穿透电流的测量电路如图 3 所示。根据这个原理,用万用电表的

黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec,虽然两次测量中万用表指针偏转角度

都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流的流向一定是:黑表笔- c极一b极一e极一红表笔,电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”),所以此时黑表笔所接的一定是集电极c,红表笔所接的一定是发射极e。

(2)对于PNP型的三极管,道理也类似于NPN型,其电流流向一定是:黑表笔一e极-b 极一c极一红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)。

四、测不出,动嘴巴

若在“顺箭头,偏转大”的测量过程中,若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时,就要“动嘴巴”了。具体方法是:在“顺箭头,偏转大”的两次测量中,用两只手分别捏住

两表笔与管脚的结合部,用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b,仍用“顺箭头,偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用,目的是使效果更加明

显。

总之三极管

二极管的基础知识

.二极管又称晶体二极管,简称二极管(DIODE),在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体烧结形

成的P-N结界面。

.一些常用二极管电路符号:

表簸爸号:Q.VT

3. 半导体二极管在电路中常用" D ”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。

4.

半导体二极管按照所用的 半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si

分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、 隔离二极管、肖特基二

率开关二极管、旋转二极管等。

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5. 半导体二极管的导通电压是:

a :硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V 时才能导通,导通后电压保持在 0.6-0.8V 之间.

b :锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V 时才能导通,导通后电压保持在 0.2-0.3V 之间

6. 半导体二极管主要特性是 单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻

极大或无穷大,即;正向导通,反向截止.

7. 半导体二极管的识别方法:

a ;目视法判断半导体二极管的极性 :一般在实物的电路图中可以通过眼睛直接看出半导体二极管的正负极

b :用万用表(指针表)判断半导体二极管的极性:通常选用万用表的欧姆档 (R * 100或R * 1K ),然后分别用万用表的两表

笔分别出到二极管的两个极上出

,当二极管导通,测的阻值较小(一般几十欧姆至几千欧姆之间 ),这时黑表笔接的是

二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(一般为几百至几千欧姆),这时黑表笔接的是二极管的 负极,红表笔接的是二极管的正极。

C :测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值 才是二

极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

8. 半导体二极管的好坏判别

用万用表(指针表)R * 100或R * 1K 档测量二极管的正,反向电阻要求在1K 左右,反向电阻应在100K 以上?总之, 正向

电阻越小越好.反向电阻越大越好.若正向电阻无穷大,说明二极管内部断路,若反向电阻为零,表 明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不能使用.

9. 二极管封装及耐压

F 面主要介绍公司产品所用的一些二极管封装,以便大家认识和了解。 如下图:

1N4148是一种小型的高速开关二极管, 平均正向 整流电流为150mA ,连续反向电压最大 75V ,重 复峰值反向电压最大 100V.

?在实

物中如果看到一端有颜色标示的是负极 ,另外一端是正极.如下图:

1.封装:DO-35类女口: 1N4148,插件1/2W 的稳压二极管

2.封装:LL-34类女口:贴片稳压二极管,如下图:

HER201 —A/50V HER203 —A/200V HER205 —A/400V HER207 —A/800V SB240 2A/40V SB2100 -A/100V

HER202 —A/100V HER204 —A/300V HER206+2A/600V HER208 -2A/1000V SB260 -A/60V

3. 封装:D0-41 类 女口: 1N4007 , 1N5819 , FR107 , HER107,如下图:

1N5817 , 1N5818 , 1N5819 属于肖特基二极管

FR107和HER107的最大正向整流电流和最高反向耐压都是一样的 (大家自己进行推算),只是1N4007是普通的整

二极管,FR107是快恢复整流二极管,

HER107是高效率整流二极管。

4封装:D0-15 类 女口: SB240,SB260,SB2100,HER201,HER202 。。。。HER208,如下图:

1N4001 -1A/50V 1N4003 -A/200V 1N4005 -A/600V 1N4007- 1A/1000V

1N5817 -1A/20V 1N5819 -1A/40V

1N4002 -A/100V 1N4004-1A/400V 1N4006 -A/800V

1N5818 -1A/30V

1. 2.

3.

SB240 , SB260 , SB2100属于肖特基二极管,HER201 , HER202。。。。HER208属于高效率整流二极管。

5.封装:DO-201AD (DO-27 )类如:SB340 , SB360 , SB3100 , SB540 , SB560 , SB5100,如下图:

SB340 —A/40V SB360 —A/60V

SB360 —A/60V SB3100-3A/100V

SB540 —A/40V SB560 —A/60V

SB560 —A/60V SB5100-5A/100V

5.封装:TO-220类(分为铁封和塑封)女口:MBR10100CT,MBR10150CT ,MBR20100CT ,MBR20150CT ,MBR3045C F

图:

塑封

铁封

1. 这里需要说明的是,如果是同一规格的肖特基,如:MBR20100CT,其塑封和铁封这两种封装不一样,但它的功能是

一样的,可以进行代换,但散热效果会有少许差异。

2. 由于铁封的散热体是导电的,如果散热片的固定脚在电路中不是单点接地时,那铁封的散热体与散热片将会短路,所以需要在铁封的二极管在锁螺丝时需加一个绝缘介子和一和绝缘硅胶片。两者代换需要看电路结构。

3. 此封装的的肖特基一般都是用在大电流的电路中,容易产生热量使肖特基温度升高而导致容易损坏,所以我们在组装打散热片的时候一定要在肖特基的背面打上散热油,使肖特基能够更好的散热。

光敏二极管和光敏三极管区别

光敏二极管和光敏三极管简介及应用 光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件,与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1.结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线 性半导体器件,但在结构上有其特殊的地方。 光敏二极管在电路中的符号如图Z0129 所示。光敏二极管 使用时要反向接入电路中,即正极接电源负极,负极接电 源正极。 2.光电转换原理 根据PN结反向特性可知,在一定反向电压范围内,反向电 流很小且处于饱和状态。此时,如果无光照射PN结,则因 本征激发产生的电子-空穴对数量有限,反向饱和电流保持不变,在光敏二极管中称为暗电流。当有光照射PN结时,结内将产生附加的大量电子空穴对(称之为光生载流子),使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增,此时的反向电流称为光电流。不同波长的光(兰光、红光、红外光)在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光,在这一区域,因光照产生的光生载流子(电子),一旦漂移到耗尽层界面, 就会在结电场作用下,被拉向N区,形成部分光电流;彼长较长的红光,将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对,这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下,分别到达N区和P 区,形成光电流。波长更长的红外光,将透过P型层和耗尽层,直接被N区吸收。在N区内因光照产生的光生载流子(空穴)一旦漂移到耗尽区界面,就会在结电场作用下被拉向P区,形成光电流。因此,光照射时,流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。 二、光敏三极管 光敏三极管和普通三极管的结构相 类似。不同之处是光敏三极管必须 有一个对光敏感的PN结作为感光 面,一般用集电结作为受光结,因 此,光敏二极管实质上是一种相当 于在基极和集电极之间接有光敏二 极管的普通二极管。其结构及符号 如图Z0130所示。 三、光敏二极管的两种工作状态 光敏二极管又称光电二极管,它是 一种光电转换器件,其基本原理是 光照到P-N结上时,吸收光能并转变为电能。它具有两种工作状态:

二级三极管

二极管和三极管: 几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在许多的电路中起着重要的作用,它是诞生最早的半导体器件之一,其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。 二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面,通以脉冲电流,使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起,形成一个“PN 结”。由于是点接触,只允许通过较小的电流(不超过几十毫安),适用于高频小电流电路,如收音机的检波等。 面接触型二极管的“PN结”面积较大,允许通过较大的电流(几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。 二极管的导电特性

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二

极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

二极管和三极管原理

实用文案 二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基 本原理。 穂压二郴皆 表亍拆号.込6口 ZD,D 齐于特是-□ . “ 光硕二概苛葩光电接収二巒炭:?t_很首 駅亍咼号:U.VT 車示帝号 :Q,vr ■J'L hL H九世总 NPMSl三极普 表示持号:Q.VT 亵示符冒o 福压二Hi育 靑示時耳一口 艇谭二松苛隨谨二機営 净恃至二娜苗 潮看得■ : LED 翼台SflJ世 光嗽三慨営电接收三世 斫將号:LED

一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流 lb ;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流lc。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍,即电流变化被放大了B倍,所以我们把B叫做三极管的放大倍数(B一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流lb 的变化,lb 的变化被放大后,导致了lc 很大的变化。如果集电极电流lc 是流过一个电阻R 的,那么根据电压计算公式U=R*l 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V )。当基极与发射极之间的电压小于0.7V 时,基极电流就可以认为是0 。但实际中要放大的信号往往远比0.7V 要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因

第四章 晶体二极管与晶体三极管复习课程

第四章晶体二极管与晶体三极管 本章概述:晶体管是采用半导体晶体材料(如硅、锗、砷化镓等)制成的,在 电子产品中应用十分广泛。本章从二、三极管的型号、分类、外形识别及检测等多个方面,对常用二、三极管进行了较为详细和系统的讲解。 第一节晶体二极管和晶体三极管的型号命名方法 一、中华人民共和国国家标准(GB249-74) 国标(GB249-74)半导体器件型号命名由五部分组成,见表4-1。 表4-1 国标半导体器件型号命名方法

例如:锗PNP高频小功率管为3AG11C,即 3(三极管)A(PNP型锗材料)G(高频小功率管)11(序号)C(规格号)二、美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 表4-2 美国电子半导体协会半导体器件型号命名法 三、日本半导体器件型号命名方法 表4-3 日本半导体器件型号命名方法 第二节半导体器件的外形识别

一、晶体二极管的外形识别 1.晶体二极管的结构与特性 定义:晶体二极管由一个PN结加上引出线和管壳构成。所以,二极管实际就是一个PN结。电路图中文字表示符号为用V表示。 基本结构:PN结加上管壳和引线,就成为了半导体二极管。 图4-1 二极管的结构和电路符号 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图4-2所示。 1)正向特性 当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性 机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源,r 为等效内阻,I 为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN 结,而PN 结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN 型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。

极管三极管基础概念练习题

第一章二极管及其应用 二极管 1、自然界中的物质,按照导电能力的不同,可分为_______、_______和______。 2、半导体的导电性能:_______________,常用的半导体材料有_____、_____。 3、半导体的导电性能:________、_______、________。 4、本征半导体:_____________半导体。 本征半导体硅或锗---__价磷元素----N型半导体(多数载流子为带__电的______) ---__价硼元素----P型半导体(多数载流子为带__电的_____) 5、二极管的材料和极性: 举例:2CZ______________________ 2AP______________________ 2BU______________________ 2DW_____________________ 6、二极管:将P型半导体和N型半导体结合在一起,在结合处形成一个特殊的薄层,即_______,一个_______可以制作一只二极管。 7、二极管的图形符号和文字符号:________________(标出正负极)。 8、二极管的重要特性:_____________ 即:_______________________________________。 9、二极管的伏安特性:表示二极管两端的____和流过二极管的____之间的关系。 伏安特性曲线:表示二极管两端的电压和流过二极管的电流变化的关系曲线。 二极管的伏安特性包括:__________和_________。 (2)正向特性:二极管加正向电压(正极接____电位,负极接____电位),超过________时,二极管开始_________。

二极管,三极管部分习题集

模拟电子技术部分习题及答案 ——直流稳压电源项目 一、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 一、熟悉概念与规律 1.半导体 2.P型半导体 3.N型半导体 4.PN结 5.单向导电性 6.整流二极管 7.稳压二极管 8.发光二极管 9.开关特性 10.三极管 11.三极管的饱合特性 12.三极管的截止特性 13.三极管的放大特性 二、理解与计算题 1.当温度升高时,二极管的正向压降_ 变小,反向击穿电压变小。 2.硅稳压二极管并联型稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串联,此限流电阻的作用是(C——调压限流)。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3. 有两个2CW15 稳压管,一个稳压值是8V,另一个稳压值是7.5V,若把两管的正极 并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是(B—— 7.5V)。 8V;B、7.5V;C、15.5V 4.稳压管DW稳压值为5.3V,二极管VD正向压降0.7V,当VI 为12V时,DW和VD 是否导通,V0 为多少?R电阻的作用。

答:DW和VD 不导通,V0 为5.3V,R电阻的作用是分压限流。 5.下图中D1-D3为理想二极管,A,B,C灯都相同,试问哪个灯最亮?() 6.在图所示的电路中,当电源V=5V 时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将_____。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7.图所示电路,设Ui=sinωt(V),V=2V,二极管具有理想特性,则输出电压Uo 的波形应为图示_______图。 8.图所示的电路中,Dz1 和Dz2 为稳压二极管,其稳定工作电压分别为6V 和7V,且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo 为_______。 9.二极管最主要的特性是____________,它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________和反映反向特性的____________。 10.图所示是一个输出6V 正电压的稳压电路,试指出图中有哪些错误,并在图上加以改正。

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告实验二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性

机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E为表内电源,r为等效内阻,I为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到R?100或R?1K档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。

2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN结,而PN结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的R?100或R?1K档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。 (2)判断集电极和发射极 判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成基本单管放大电路,利用测量管子的电流放大系数?值的大小来判定集电极和发射极。以NPN型为例,如图所示。基极确定以后,用万用表两表笔分别接另外两个极,用100K?的电阻一端接基极一端接黑表笔,若电表指针偏转较大,则黑表笔所接的一端为集电极,红表笔接的是发射极。也可用手捏住基极与黑表笔(不能使两者相碰),以人体电阻代替100K?电阻的作用。

常用电阻二极管三极管参数资料

常用电阻、二极管、三极管参数资料 1.固定电阻器的主要参数 固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。 (1)标称阻值和允许误差 电阻器上标志的阻值叫标称值,而实际值与标称值的偏差,除以标称值所得的百分数叫电阻的误差,它反映了电阻器的精度。不同的精度有一个相应的误差,表1列出了常用电阻器的允许误差等级(精度等级)。 表1 常用电阻器允许误差的等级 目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻,而且III级很少,能满足一般应用的要求,02、01、005级的精密电阻器,一般用于测量仪器,仪表及特殊设备电路中。 国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准,表2是普通电阻器系列表。表中的标称值可以乘以10n,例如,4.7这个标称值,就有0.47Ω、4.7Ω、47Ω、470Ω、4.7KΩ……。选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。 表2 电阻器系列及允许误差 (2)电阻器的额定功率 电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。电阻器的额定功率,通常有1/8、1/4、1/2、1、2、3、5、10瓦等。表示电阻器额定功率的通用符号见图1。大于1W的则用阿拉伯数字表示。 2.固定电阻器的主要参数的标志方法 (1)电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。额定功率较大的电阻器,一般都将额定功率直接印在电阻器上。额定功率较小的电阻器,可以从它的几何尺寸和表面面积上看出,一般0.125 w、0.25w电阻器的直径约2.5毫米,长约7-8毫米;0.5W电阻器的直径约4.5毫米,长约10-12毫米。 (2)电阻值及允许误差有三种表示法,即直标法、文字符号法和色标法。直标法是阻值和允许误差直接标明,如2KΩ±5%;文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示,组合规律如下:文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值,文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。允许误差用符号、J=±5%、K=±10%、M=±20%。例如5Ω1J表示5.1Ω±5%。这种表示法可避免因小数点脱

实验二 二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验二 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性 万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源,r 为等效内阻,I 为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN 结,而PN 结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN 型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。

二极管与三极管练习

二极管、三极管练习 一、是非题:(8分) ()1、二极管是根据PN结的单向导电特性制成的,因此,二极管也具有单向导电性。 ()2、二极管的电流—电压特性关系可大概理解为反向偏置导通、正向偏置截止。 ()3、用万用表识别二极管的极性时,若侧的是二极管的正向电阻,那么和标有“+”号的测试笔相连的是二极管的正极,另一端是负极。 ()4、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()5、晶体管由两个PN结组成,所以,能用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。 ()6、晶体管相当于两个反向连接的二极管,所以,基极断开后还可以作为二极管使用。 ()7、发射结处于正向偏置的晶体管,一定是工作在放大状态。 ()8、既然晶体管的发射区和集电区是由同一种类型的半导体构成,故E极和C极可以互换使用。 二、选择题:(20分) 1、如果二极管的正、反向电阻都很大,则该二极管()。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 2、如果二极管的正、反向电阻都很小或为零,则该二极管()。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路 3、用万用表电阻档测量小功率二极管的特性好坏时,应把电阻档拨到()。 A、R*100或R*1000档 B、R*1档 C、R*10K档 4、用万用表电阻档测试二极管的电阻时,如果用双手分别捏紧测试笔和二极管引线的接触处,测得二极管正、反向电阻,这种测试方法引起显著误差的是()。 A、正向电阻 B、反向电阻 C、正、反向电阻误差同样显著 D、无法判断 5、当晶体管的两个PN结都反偏时,晶体管处于()。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 6、当晶体管的两个PN结都正偏时,晶体管处于()。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 7、当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,晶体管处于()。 A、饱和状态 B、放大状态 C、截止状态 8、当晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。 A、随基极电流的增加而增加 B、随基极电流的增加而减小 C、与基极电流变化无关,只取决于U CC和R C

二极管和三极管深入学习心得

二极管和三极管 二极管 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管中有一个PN(Positive-Negative)结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体烧结形成的P-N结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于P-N结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。 二极管特性: 正向性: 外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随着电压增大而迅速增大。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定的阈值,内电场很快被削弱,特性电流迅速增大,二极管正向导通。该电压叫门坎电压或者阈值电压。 反向性: 外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或者漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。 击穿 外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。 硅二极管伏安特性曲线:

三极管 三极管可以分为PNP型三极管与NPN型三极管 2个PN结的方向不一致。 PNP是共阴极,即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发射极;电路图里标示为箭头朝内的三极管。 NPN则共阳极,即两个PN结的P结相连做为基极,另两个N结分别做集电极和发射极;电路图里标示为箭头朝外的三极管。 工作原理: NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。 在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形

二极管和三极管的结构与基本性能

第一节 三极管的结构与基本性能 一、理想二极管的正向导通特性 二极管对电流具有单向导通的特性,硅材料二极管的正向导通电流与正向电压之间的关系曲线如图1.1.1所示。 图1.1.1 理想二极管的正向导通特性 (一)导通电压与导通通电流之间的对应关系 二极管在正向电压为0.4V 左右时微弱导通,0.7V 左右时明显导通。导通电压与导通电流之间的变化关系是,导通电压每变化9mV ,导通电流会变化倍。 (二)二极管正向导通电压与导通电流之间的对应关系 )9(002 mV U U n n I I -?= (1.1.1) 或)18(002mV U U n n I I -?= (1.1.2) 或)(log 290 20I I mV U U n n ?+= (1.1.3) U 0为二极管正向导通时的某静态电压,U n 为二极管在U 0的基础上变化后的电压。 I 0为二极管加上正向导通电压U 0时的正向导通电流,I n 为二极管与U n 相对应的正向导通电流。 例如:某二极管的在导通电压U 0=0.700V 时,导通电流为I 0=1mA ,求导通电压分别变化到U n1=0.682V 、U n2=0.691V 、U n3=0.709V 、U n4=0.718V 时的导通电流I n1、I n2、I n3、I n4。 解:根据)9(002mV U U n n I I -?= mA mA I mV V V n 5.021)97.0682.0(1=?=-

mA mA I mV V V n 707.021)97.0691.0(2=?=- mA mA I mV V V n 414.121)97.0709.0(3=?=- mA mA I mV V V n 221)97.0718.0( 4=?=- 由此可见,只要知道二极管的某个导通电压和相对应的导通电流,就可以计算出二极管的正向导通曲线上任何一点的参数。 (三)二极管的正向导通时的动态电阻 1、动态电阻的概念 动态电阻r d 的概念指的是电压的变化量与对相应的电流变化量之比。 I U r d ??= (1.1.4) 二极管正向导通之后,既有导通电压的参数,又有相应的导通电流的参数,但正向导通电阻却不能简单地等于导通电压与导通电流之比。 例如:假设二极管的正向导通电压U 0=0.7V 、静态电流I 0=1mA ,如果认为二极管正向导通电阻就等于导通电压与导通电流之比的话,此时的电阻应当为U 0/I 0=0.7V/1mA=700Ω。照此推论,当导通电压U n =1.4V 时,相应的导通电流应当是I n =2mA 。而实际的结果是,当正向导通电压U n 达到0.718V 时(增加18mV),电流I n 就已经增加到2mA 了。 由此可见,二极管正向导通后有两种电阻: 一是直流电阻,就是正向导通电压与相对应的正向导通电流之比。 二是动态电阻,就是二极管正向导通曲线中某一点的电压微变量与相应的电流微变量之比,即该点斜率的倒数,见图1.1.1中各Q 点的不同斜率。 2、二极管正向导通后的动态电阻的粗略计算 已知Q 0点U 0=0.7V 、I 0=1mA ,Q 4点U 4=0.718V 、I 4=2mA , 则Q 0点的动态电阻:Ω≈--≈??=46.25707.0414.1691.0709.000 0mA mA V V I U r Q Q dQ Q 4点的动态电阻:Ω≈--≈??=73.12414.1828.2709.0727.044 4mA mA V V I U r Q Q dQ 3、二极管正向导通后的动态电阻的微分计算 由于二极管导通电压与电流变化是非线性关系,所以上述计算不够精确,若对)18(002mV U U n n I I -?=进行微分,可以求得n I 的导数: 根据动态电阻的定义,可知二极管动态电阻)(Ωd r 为'n I 的倒数,故有: )18(0' 02182ln mV U U n n mV I I -??= (1.1.5) )18(0'02182ln 11)(mV U U n d n mV I I r -??==Ω

三极管接成二极管的特点与用途

三极管接成二极管的特点与用途 在电子电路中,常见到晶体三极管接成二极管的形式使用,特别是在集成电路中,这种情况更为普遍。 在图1的分立元件组成的差动式放大电路中,T4三极管的基极和集电极是短接在一起的,构成了一个二极管,在电路中起温度补偿作用。T4三极管的材料和类型与T3完全相同,这是因为同类型三极管的温度系数更为接近和一致,所以温度补偿的效果更好。其补偿原理是:未加入T4、R2之前,T3、R1、R3构成一个恒流源。I3=(Ec-Ube3)/[R3+(R1/B)],其特点是动态电阻大,静态电阻小,作为T1、T2的射极有源负载,抑制共模放大。由于T3的Ube3易受温度影响,使I3也易受温度影响而发生变化。加入了T4、B2之后,I3=Ec-Ube3-R1I4/[R3+(R1/β)],当温度变化引起Ube3↓时,由于T3与T4完全相同,Ubet 也↓,I4=Ec-Ube4/(R1+R2),使得I4↑从而使I3=Ec-Ube3↓-R1I4↑/[R3+(R1/β)]基本保持恒定,补偿了温度变化引起的电流变化,从而起到了温度补偿的作用。就是说,在分立元件电路中,若三极管接成二极管使用,大都是作为温度补偿使用的。转载请注明转自“维修吧-https://www.360docs.net/doc/153291080.html,” 在集成电路内使用的二极管,多用作温度补偿元件或电位移动电路,一般也是采用三极管构成。三极管接成的二极管形式,大都采用集电极和基极短接的方式,这与集成电路的制造工艺有关。这样接成的二极管正向压降,接近于同类型三极管的Ube值,其温度系数亦与Ube的温度系数接近,故能较好地补偿三极管发射结的温度特性。这是模拟集成电路的一个重要特点。在集成电路中,根据用途的不同,所使用的二极管相当于三极管的发射极一基极结或集电极一基极结组合而成。由于集成电路采用硅材料作衬底,所以正向电压为0.6-0.9V,反向击穿电压,用发射极-基极结时为7—9V;用集电极-基极结时为30-50V。在集成电路中,三极管接成二极管使用有多种组合方式,它的特性参数如附表所示。利用温度补偿原理和半导体三极管PN结的非线性伏安特性,再和集成运算放大器配合,可以对输入信号实现对数运算和反对数运算。组成电路如图2、3所示。转载请注明转自“维修吧-https://www.360docs.net/doc/153291080.html,”

二极管、三极管最通俗的解释

二极管与三极管讲解 有些人在学习电子技术的时候对PN结、二极管、三极管不太了解,看书吧,讲的太深奥,不太明白,我用通俗的语言给大家讲一讲,希望能帮助大家,也许我讲的不怎么正确,但是我感觉基本思路是正确的,等你学的透彻以后再根据自己的见解纠正我的错误。 一、PN结 N型半导体:掺入少量杂质磷元素(或锑元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键,多出的一个电子几乎不受束缚,较为容易地成为自由电子。于是,N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体,其导电性主要是因为自由电子导电。 P型半导体:掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子。这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”(“相当于”正电荷),成为能够导电的物质。(空穴可以移动)二、扩散运动 PN结中间相接触的部分,P带负电,N带空穴(正点),相互结合,PN结中间部分中和成不带电,但是P为负离子,N为正离子,所以形成了内部电场,方向由N指向P促使漂移运动产生。 三、漂移运动 在内部电场的作用下,N型半导体与P型半导体不接触部分的空穴(N和P都不是绝对的只有空穴和电子,而是相对来说的。空穴可以移动,带正电)在电场作用下向P运动,相反,P中的电子向N运

动,这就是漂移,因为N中的空穴很少,P中的电子很少,所以漂移运动不是很明显。 四、二极管 如果在PN结外部接一个正向电压,负极接N,正极接P,那么就加强了扩散运动,所以通过PN结的电流更容易,反之就为漂移运动,所以电流不能顺利通过,(反向截止),这样就产生了二极管。 五、二极管压降 压降的意思是:电压的损失,也就是通过二极管的时候,有电压损失,也就是正向偏置的时候,二极管可以看成一个小电阻。在这个小电阻的两端就是二极管的压降。 六、三极管 ;;;;;;;; 至于三极管、放大电路、整流、滤波、二极管的伏安特性曲线,三极管输入输出曲线等等,如果你感觉以上写的对你有帮助,就请加我QQ(912853255),我把你想要的部分用通俗的语言写出来。然后发给你。

二极管、三极管部分----习题

模拟电子技术部分习题及答案 直流稳压电源项目 、二极管与三极管的基础知识 二极管习题 、熟悉概念与规律 1 ?半导体 2.p型半导体 3.N型半导体 4.PN 结 5.单向导电性 6.整流二极管 7.稳压二极管 &发光二极管 9.开关特性 10.三极管 11.三极管的饱合特性 12.三极管的截止特性 13.三极管的放大特性 、理解与计算题 1.___________________________________ 当温度升高时,二极管的正向压降 _____ 变小___________________________________________ ,反向击穿电压_____________________ 变小______ 。 2.硅稳压二极管并联型稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串联,此限流电阻的作用是(C――调压限流 )。 A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用 3.有两个2CW15稳压管,一个稳压值是8V,另一个稳压值是7.5V,若把两管的正极 并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是( B――7.5V )。 8V; B、7.5V ; C、15.5V 4.稳压管DW稳压值为 5.3V,二极管VD正向压降0.7V,当VI为12V时,DW和VD是否导通,V0为多少?R电阻的作用。

答: DW 和 VD 不导通,V0为5.3V , R电阻的作用是分压限流。 5.下图中D1-D3为理想二极管,A, B, C灯都相同,试问哪个灯最亮?( ) A B C 6?在图所示的电路中,当电源V=5V 时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V, 则电流的大小将______ 。 A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA 7.图所示电路,设Ui=sin 3 t(V) , V=2V ,二极管具有理想特性,则输出电压Uo的波形应为图示 _______ 图。 &图所示的电路中,Dz1和Dz2为稳压二极管,其稳定工作电压分别为 且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为____________ 。 lkQ Ul=20¥ Uo 0 — 9. ______________________________ 二极管最主要的特性是,它的两个主要参数是反映正向特性的 ____________ 和反映反向特性的_____________ 。 10.图所示是一个 ZjDl 正弦交流电鶴 kJ c 4 Uo(¥) 0 1 6V 和7V , Dzl

二极管和三极管--原理

二极管图 三极管工作原理 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP 两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。

一、电流放大 下面的分析仅对于NPN型硅三极管。如上图所示,我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1,例如几十,几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流Ib的变化,Ib的变化被放大后,导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的,那么根据电压计算公式 U=R*I 可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。 二、偏置电路 三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管),基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管,常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时,基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比 0.7V要小,如果不加偏置的话,这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时,基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流,上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的,所以它被叫做基极偏置电阻),那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时,

二极管三极管基础知识

课题1.1 半导体二极管 课型 新课 授课班级授课时数 2 教学目标1.熟识二极管的外形和符号。 2.掌握二极管的单向导电性。 3.理解二极管的伏安特性、理解二极管的主要参数。 教学重点 二极管的单向导电性。教学难点 二极管的反向特性。学情分析 教学效果 教后记

新课 A.引入 自然界中的物质,按导电能力的不同,可分为导体和绝缘体。人们又发现还有一类物质,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,那就是 半导体。 B.新授课 1.1半导体二极管 1.1.1什么是半导体 1.半导体:导电能力随着掺入杂质、输入电压(电流)、温度和光照条件的不同而发生很大变化,人们把这一类物质称为半导体。 2.载流子:半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。 (1)自由电子:带负电荷。 (2)空穴:带正电荷。 特性:在外电场的作用下,两种载流子都可以做定向移动,形成电流。 3.N型半导体:主要靠电子导电的半导体。 即:电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 4.P型半导体:主要靠空穴导电的半导体。 即:空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 1.1.2PN结 1.PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界面就会出现一个特殊的接触面,称为PN结。 2.实验演示 (1)实验电路 (2)现象 所加电压的方向不同,电流表指针偏转幅度不同。 (3)结论 PN结加正向电压时导通,加反向电压时截止,这种特性称为PN结的单向导电性。 3.反向击穿:PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN结的反向击穿。 4.热击穿:若反向电流增大并超过允许值,会使PN结烧坏,称为热击穿。 5.结电容(讲解) (引入实验电路,观察现象)

最新常用电阻二极管三极管参数资料

常用电阻二极管三极管参数资料

常用电阻、二极管、三极管参数资料 1.固定电阻器的主要参数 固定电阻器的主要参数是标称阻值、允许误差和额定功率。 (1)标称阻值和允许误差 电阻器上标志的阻值叫标称值,而实际值与标称值的偏差,除以标称值所得的百分数叫电阻的误差,它反映了电阻器的精度。不同的精度有一个相应的误差,表1列出了常用电阻器的允许误差等级(精度等级)。 表1 常用电阻器允许误差的等级 目前固定电阻器大都为I级或II级普通电阻,而且III级很少,能满足一般应用的要求,02、01、005级的精密电阻器,一般用于测量仪器,仪表及特殊设备电路中。 国家有关部门规定了阻值系列作产品的标准,表2是普通电阻器系列表。表中的标称值可以乘以10 n,例如,4.7这个标称值,就有0.47Ω、4.7Ω、47Ω、470Ω、4.7KΩ……。选择阻值时必须在相应等级的系列表中进行。 表2 电阻器系列及允许误差 (2)电阻器的额定功率 电阻器长时间工作允许所加的最大功率叫额定功率。电阻器的额定功率,通常有1/8、1/4、1/2、1、2、3、5、10瓦等。表示电阻器额定功率的通用符号见图1。大于1W的则用阿拉伯数字表示。 2.固定电阻器的主要参数的标志方法 (1)电阻器的额定功率、阻值及允许误差一般都标在电阻器上。额定功率较大的电阻器,一般都将额定功率直接印在电阻器上。额定功率较小的电阻器,可以从它的几何尺寸和表面面积上看出,一般0.1 25w、0.25w电阻器的直径约2.5毫米,长约7-8毫米;0.5W电阻器的直径约4.5毫米,长约10-12毫米。 (2)电阻值及允许误差有三种表示法,即直标法、文字符号法和色标法。直标法是阻值和允许误差直接标明,如2KΩ±5%;文字符号法是阻值用数字与符号组合在一起表示,组合规律如下:文字符号Ω、K、M前面的数字表示整数阻值,文字符号Ω、K、M后面的数字表示小数点后面的小数阻值。允许误差用符号、J=±5%、K=±10%、M=±20%。例如5Ω1J表示5.1Ω±5%。这种表示法可避免因小数点脱掉而误识标记。目前小型化的电阻器都采用色标法,用标在电阻体上不同颜色的色环作为标称值和允许误差的标记。色标法具有颜色醒目、标志清晰、无方向性的优点,它给生产过程中的安装、调试与检修带来方便。误差为±5%、±10%的普通色环电阻用四色环表示,左端部为第一色环,顺次向右为第二、第三、第四色环。各色环所代表的意义为:第一、第二色环相应代表阻值的第一、第二位有效数字,第三色环表示后面加“0’’的个数,第四环代表允许误差,各色环颜色一数值对照表3。精密电阻用五色环(或六色环)表示阻值和允许误差,见表4。

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