微波电子线路课后题答案
微波电子线路习题
(3-2)
(1)分析：电路a 、b 线路相同，信号、本振等分加于二管，混频电流叠加输出，1D 、2D 两路长度差4
λ
，是典型的双管平衡混频器电路。但a 、b 两路本振、信号输入位置互换。在a
电路中，本振反相加于两管，信号同相加于两管，为本振反相型平衡混频器。B 电路则为信号反相型平衡混频器。 （2）电流成分
①a 电路输出电流成分：
t v u s s s ωcos 1= t v u s s s ωc o s 2= t v u l l l ωcos 1= ()πω-=t v u l l l c o s 2
()t n g g t g l n n ωcos 2101∑
∞
=+= ()t td n u f g l
l
l n ωωππ
cos 21
20
1
/
?=
()()πω-+=∑
∞=t n g g t g l n n cos 21
02 ()t td n u f g l l l n ωωπ
π
cos 21
20
2/?
=
()111s u t g i = ()222s u t g i =
*中频分量
1,0=-=n t s ωωω
()t v g i l s s ωω-=cos 101
()[]()t v g t v g i l s s l s s ωωπωω--=+-=cos cos 1102 t v g i i i s 0102010cos 2ω=-=
*和频分量
1,=+=+n t s ωωω
()t v g i l s s ωω+=+cos 11
()[]()t v g t v g i l s s l s s ωωπωω+-=++=+cos cos 112 t v g i i i s ++++=-=ωcos 2121
*本振噪声 ()πωω-==t v u t v u nl nl n nl nl n cos ,cos 21
()t v g i l nl nl n ωω-=cos 101
()01102cos n l nl nl n i t v g i =---=πωπω
00=n i
*外来镜频干扰s l s ωωω-=2/
()[]t v
g t v g i io s
l s
s
i ωπωω
cos cos /
1//
1/2-=+-=
t v g i i i i s i i i 0/
1/
2/
1/
cos 2ω=-= 不能抵消，二倍输出。
*镜频分量
2,2=-=n s l i ωωω
()t v g i s l s i ωω-=2cos 21
()12222cos i s l s i i t v g i =--=ωπω
0=io i 镜频输出抵消，但流过输入回路，在源电阻上损耗能量。
*高次分量
n 奇数 两路相差πn 反相 输出叠加 n 偶数 两路相差πn 2 同相 输出抵消
②b 电路输出电流成分：
t v u s s s ωcos 1= (
)πω-=t v u s s s c o s 2 ()
t v g t v g i io s l s s i ωωωcos cos /
1//1/1=-=
t v u l l l ωcos 1= t v u l l l ωc o s 2=
()()t n g g t g t g l n n ωcos 21021∑
∞
=+== ()t td n u f g l l l n ωωπ
π
cos 21
20
1/?
=
()111s u t g i =，()222s u t g i =
*中频分量
1,0=-=n t s ωωω
()t v g i l s s ωω-=cos 101
()[]()t v g t v g i l s s l s s ωωπωω--=--=cos cos 1102 t v g i i i s 0102010cos 2ω=-=
*和频分量
1,=+=+n t s ωωω
()t v g i l s s ωω+=+cos 11
()[]()t v g t v g i l s s l s s ωωπωω+-=-+=+cos cos 112 t v g i i i s ++++=-=ωcos 2121
*本振噪声 ()πωω-==t v u t v u nl nl n nl nl n cos ,cos 21
()t v g i l nl nl n ωω-=cos 101
()01102cos n l nl nl n i t v g i =---=πωπω
00=n i
*外来镜频干扰s l s ωωω-=2/
()[]t v
g t v g i io s
l s
s
i ωπωω
cos cos /
1//
1/2-=--=
t v g i i i i s i i i 0/
1/
2/
1/
cos 2ω=-= 不能抵消，二倍输出。
*镜频分量
2,2=-=n s l i ωωω
()t v g i s l s i ωω-=2cos 21
()[]1222cos i s l s i i t v g i -=--=πωω
()
t v g t v g i io s l s s i ωωωcos cos /
1//1/1=-=
12i io i i 镜频输出不能抵消，也会流过输入回路，在源电阻上损耗能量。
*高次分量
n 奇数偶数两路都不能抵消。
注意：均为镜像匹配混频器，无法抑制外来镜频干扰，变频损耗中含有镜频在源电阻上的损耗。
（3-3）
电路只能作混频器，不能作上变频器，因为和频信号在抵消且滤除。若要实现上变频，应把信号与中频口交换或给一管子后加四分之一波长段且把电容换成电感。
（3-4）
(1) 本振反相型微带平衡混频器
(2) 信号与本振通过环行桥等分且以下列关系加于二管，中频叠加经滤波输出。
t v u s s s ωcos 1= t v u s s s ωc o s 2= t v u l l l ωcos 1= ()πω-=t v u l l l c o s 2
（3）信号经环行桥在管子处反相，但管子反接，故信号同相，
本振经环行桥在管子处同相，但管子反接，故本振反相。
输入电路，两管子旁接地线为四分之一高阻终端短路线，为直流通路。环行桥与管子之间为阻抗变换器和相移段。
输出电路，
4
s
λ
4
l
λ
4
+
λ 开路线分别对s ω l n ω ()s l n ωω+，中频口
为l ω2的4
1
λ段。
（3-6）
（1）本振噪声无法抵消，输出噪声增加，茅草幅度增大，电流减小一半，信号幅度减小。
（2）管子接反或管子不配对引起，仔细挑选配对管子，且正确安装。
（3-8）
()())
4.9(8.81)
4.9(8.813482902.12.1112
2)
8.6(8.41122)
4(6,4.10dB F t L F or
dB F L F F k
T t T L t L t dB L t F dB L t if m if m o m m d m d SSB m d =-+==-+==?===???
???+??? ??-=
=???
???+??? ??-===
（雷达信号为单通道）
(4-2)
解：三个频率
1
1
110n
m f f f i p s
- 门-罗关系为
00100111
10011001111010=+=-+=-=--+--i
i s s i i P P f P f P f f P f P f P f P f f P f P
（1）
00><∴
（2）因为0
11<-=-==s
p s p s s i f f f f f P P G
没有增益。
(4-3)
解：频率成分
1
1
1
110111110110
--n
m f f f f
门-罗关系为
0001
101
1011011100101101
10110111010=--++=-+++--f f P f f P f P f f P f f P f P
因此
()()
01
100110011010011101100110011010011122f f f f P f P f P f f f f P f P f P --=++=-
（4-4）
(1)由GHz f o 2=和421--知GHz f GHz f in i 5.0,1== 线性缓变结3
1
=
n ，查表4-3，1-2-4倍频器 25
.041.040
.040.00719.0215.0103.3100.40351.02
.126.1max
04
max
02
max
01
2max
4max ======?=?====--norm c
norm
V S S S S S S B A P
P D ωωβα
计算
()()
(
)max min 13
min max
1exp 22030113o c co j s s j j B j B S f c R R C C V pf C V C S αωηωππ?-??=== ???=
=?=??
- ???
=
=
(
)9121211111000
3262310631010811040232exp exp 12.20.5334040
0.2153520.540
0.07193180.5s j c z
o co c in s c out s R fQC f GH R AR R BR πππ
παωηωωωωω---===≈Ω
-?????=
≈???-??==-?≈ ? ???????==??≈Ω
?????==??≈Ω
???
(2)
GHz f f out
in 5.04
==
(3)
（4-5）
（1）自左到右，自上到下
4
1
λ短路，交流接地电容，输入同轴线，偏压通路，激励电感，阶跃管，谐振线，耦合电容，到输出滤波器。
（2
）2
2153220041,,4p N t T L L C C C C C ωππω==≈≈≈
4C 和激励电感对1ω呈现阻抗为零。2211C L ω=对1f 谐振1
2
p n t t =，谐振
线
01~Z =53C C =
L R 带通滤波器的输入阻抗，0C 阶跃管的最小电容。
(电子行业企业管理)计算机与电子通信技术类
计算机与电子通信技术类本科专业教学计划 （2002级） 计算机与技术 电子信息工程 通信工程 电子商务 计算机与信息工程学院 2002年9月
计算机与电子通信技术类2002级教学计划 （专业代码：计算机与技术专业：080605 电子信息技术专业：080603 通信专业：080604 电子商务专业：） 一、培养目标 本类专业培养德智体全面发展，具备计算机科学与技术、电子技术、通信和信息处理等较宽广领域的工程技术基础知识和较强的实践技能，具备电子商务及现代经济管理学与金融学的基本理论、基础知识和系统分析、设计技术的专业人才。其中各专业的具体培养目标如下： 1．计算机科学与技术专业 本专业的人才培养目标是：培养德、智、体全面发展，具有坚实理论基础，系统地掌握计算机科学与技术有关的计算机硬件、软件与应用的基本理论、基本知识和基本技能与方法，适应计算机系统分析、系统设计、系统集成、运行管理、营销等多方面需要的高级技术人才。 2．电子信息工程专业 本专业是电子、信息、通信方面的较宽口径专业，培养德、智、体全面发展，具备电子技术、通信和信息系统的专业知识和较强的实践技能，能从事各类电子设备、通信和信息系统的研究、设计、制造、应用和开发的高等工程技术人才。 3．通信工程专业 本专业培养能为社会主义现代化建设服务的，德、智、体全面发展的、理论基础扎实、专业口径宽、适应性好、能力强、综合素质高，掌握坚实的通信技术、通信系统和通信网等相关专业学科理论，具有较强的工程实践能力，能从事通信系统及设备的研究、设计、开发、分析、制造、运营及在通信行业、政府机关和国民经济各部门中从事开发、应用通信技术及设备管理的高级工程技术人才。 4．电子商务专业 本专业培养具有良好的科学素养，系统地、较好地掌握计算机信息技术和网络技术，以及熟悉现代经济管理学与金融学的基本理论、基础知识和系统分析、设计技术，适应网络经济时代，满足国民经济迅速发展对电子商务专门人才的需要，能在科研部门、大中型企业、事业和行政管理部门以及计算机公司等单位，从事计算机科学研究和应用开发、现代企业管理的计算机科学与技术学科、现代经济商务管理的高级跨学科综合型人才。 二、培养规格
通信电子线路习题解答
关于《通信电子线路》课程的习题安排： 第一章习题参考答案： 1-1 1-3 解： 1-5 解： 第二章习题解答： 2-3 解： 2-4 由一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ 答：减小Q 值或减小并联电阻 2-5 信号源及负载对谐振回路有何影响，应该如何减弱这种影响？ 答： 1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响：通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q （空载Q 值） 如式 通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式 为空载时的品质因数 为有载时的品质因数 Q Q Q Q L L <可见 结论： 串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源）和负载电阻RL 也不大的情况。 2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响 o o Q R L Q ==ωL S L R R R L Q ++=0ωL p s p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++= ==故ωω同相变化。 与L S L R R Q 、Θ性。 较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大，负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴
2-8 回路的插入损耗是怎样引起的，应该如何减小这一损耗？ 答：由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。回路本身引起的损耗称为插入损耗，用K l 表示 无损耗时的功率，若R p = ， g p = 0则为无损耗。 有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小，其中由于回路本身的L g Q 0p 01ω= ，而 L g g g Q 0L p s L )(1 ω++= 。 2-11 2-12 解： 2-13 时，电路的失调为：66.65 5 .0*23.33f f 2Q p 0 ==?=ξ 2-14 解： 又解：接入系数p=c1/（c1+c2）=，折合后c0’=p2*c0=,R0’=R0/ p2=20k Ω,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=,回路谐振频率fp=，谐振阻抗Rp=1/（1/Ri+1/Rp0+1/R0’）,其中Rp0为空载时回路谐振阻抗，Rp0=Q0*2π*fp*L=Ω，因此，回路的总的谐振阻抗为：Rp=1/ 11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s s L 201g g g I g V P ????? ??+==L 2 p L s s L 211g g g g I g V P ?? ??? ??++=='2 0L 1 111?? ? ? ?? ??-='=Q Q P P K l
高频电子线路试题4含答案
四川信息职业技术学院 《高频电子线路》模拟考试试卷四 班级姓名学号 一、填空题（每空1分，共14分） 1．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路； 画交流通路时，把视为短路。 2．晶体管正弦波振荡器产生自激振荡的相位条件是，振幅条件是。 3．调幅的就是用信号去控制，使载波的 随大小变化而变化。 4．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。 5．谐振功率放大器的调制特性是指保持及不变的情况下，放大器的性能随变化，或随变化的特性。 二、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字 母填在括号内 1．二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（）A．单边带调幅波 B．抑制载波双边带调幅波 C．普通调幅波 D．残留边带调幅波 2．欲提高功率放大器的效率，应使放大器的工作状态为（）A．甲类 B．乙类 C．甲乙类 D．丙类 3．为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（）A．LC正弦波振荡器 B．晶体振荡器 C．RC正弦波振荡器
4．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ为（） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 5．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调相波的表达式为（）A．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt） B．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u PM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 6．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz 的干扰信号，此干扰为（） A．干扰哨声 B．中频干扰 C．镜像干扰 D．交调干扰 7．某调频波，其调制信号频率F＝1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏Δf m ＝10kHz，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为 （）A．12kHz B．24kHz C．20kHz D．40kHz 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（）A．混频 B．振幅调制 C．调幅波的解调 D．频率调制 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（） A．二极管混频器 B．三极管混频器 C．模拟乘法器混频器 11．某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（） A．过压 B．弱过压 C．临界 D．欠压 12．鉴频的描述是（） A．调幅信号的解调 B．调频信号的解调 C．调相信号的解调 13．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（）A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs 《微波技术与天线》课程教学大纲 课程代码： 课程英文名称：Wicrowave Technology and Antennas 课程总学时：56 讲课：52 实验：4 上机：0 适用专业：电子信息工程 大纲编写（修订）时间：2011.9 一、大纲使用说明 （一）课程的地位及教学目标 微波技术与天线是无线电技术的一个重要组成部分，是电子信息工程、通信工程等信息技术类专业的一门技术基础课。通过本课程的学习，要求了解微波技术与天线的基本概念、理论，掌握基本分析方法，同时培养正确的思维方式，提高分析问题的能力。为今后的学习和工作打下坚实的理论基础。 （二）知识、能力及技能方面的基本要求 要求掌握传输线理论、规则金属波导理论、微波网络理论、天线的辐射与接受的基本理论。在教学环节中，重点讲授微波与天线的基本理论，同时简要介绍微波技术与天线在主要系统中的应用，力求基本理论讲解与工程实践并重。 （三）实施说明 1．教学方法：课堂讲授中要重点对基本概念、基本方法和解题思路的讲解；采用启发式教学，培养学生思考问题、分析问题和解决问题的能力；引导和鼓励学生通过实践和自学获取知识，培养学生的自学能力；增加讨论课，调动学生学习的主观能动性；讲课要联系实际并注重培养学生的创新能力。 2．教学手段：本课程属于技术基础课，在教学中采用电子教案、CAI课件及多媒体教学系统等先进教学手段，以确保在有限的学时内，全面、高质量地完成课程教学任务。 （四）对先修课的要求 高等数学、复变函数、数理方程与特殊函数、电路理论、电子线路、电磁场与电磁波 （五）对习题课、实践环节的要求 根据学习进度完成相应习题，循序渐进，逐步深入。对典型习题一定要掌握。 微波技术与天线实践性较强，实验要自己动手，进而达到理论联系实际的目的。 1．对重点、难点章节应安排习题课，例题的选择以培养学生消化和巩固所学知识，用以解决实际问题为目的。 2．课后作业要少而精，内容要多样化，作业题内容必须包括基本概念、基本理论及设计计算方面的内容，作业要能起到巩固理论，掌握计算方法和技巧，提高分析问题、解决问题能力，对作业中的重点、难点，课上应做必要的提示，并适当安排课内讲评作业。学生必须独立、按时完成课外习题和作业，作业的完成情况应作为评定课程成绩的一部分。 3．每个学生要完成大纲中规定的必修实验，通过实验环节，学生应掌握典型器件的基 4-1 谐振腔有哪些主要的参量？这些参量与低频集总参数谐振回路有何异同点？ 答：谐振腔的主要特性参数有谐振频率、品质因数以及与谐振腔中有功损耗有关的谐振电导，对于一个谐振腔来说，这些参数是对于某一个谐振模式而言的，若模式不同，这些参数也是不同的。谐振频率具有多谐性，与低频中的回路，当其尺寸、填充介质均不变化时，只有一个谐振频率是不相同的。在谐振回路中，微波谐振腔的固有品质因数要比集总参数的低频谐振回路高的多。一般谐振腔可以等效为集总参数谐振回路的形式。 4-2 何谓固有品质因数、有载品质因数？它们之间有何关系？ 答：固有品质因数是对一个孤立的谐振腔而言的，或者说，是谐振腔不与任何外电路相连接（空载）时的品质因数。当谐振腔处于稳定的谐振状态时，固有品质因数0Q 的定义为 02T W Q W π =，其中W 是谐振腔内总的储存能量，T W 是一周期内谐振腔内损耗的能量。 有载品质因数是指由于一个腔体总是要通过孔、环或探针等耦合机构与外界发生能量的耦合，这样不仅使腔的固有谐振频率发生了变化，而且还额外地增加了腔的功率损耗，从而导致品质因数下降，这种考虑了外界负载作用情况下的腔体的品质因数称为有载品质因数l Q 。 对于一个腔体，0 1l Q Q k = +，其中k 为腔体和外界负载之间的耦合系数。 4-4 考虑下图所示的有载RLC 谐振电路。计算其谐振频率、无载Q 0和有载Q L 。 谐振器 负载 1800Ω 解：此谐振电路属于并联谐振电路，其谐振频率为： 0356f MHz = = = 无载时， 017.9R Q w L = === 有载时， 040.25L e R Q w L = === 思考题与习题 2-1列表比较串、并联调谐回路的异同点（通频带、选择性、相位特性、幅度特性等）。 表2.1 2-2已知某一并联谐振回路的谐振频率f p =1MHz ，要求对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，问该并联回路应如何设计？ 为了对990kHz 的干扰信号有足够的衰减，回路的通频带必须小于20kHz 。 取kHz B 10=， 2-3试定性分析题图2-1所示电路在什么情况下呈现串联谐振或并联谐振状态？ 题图2-1 图（a ）：2 21 11 11 1L C L C L o ωωωωω- + - = 图（b ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 图（c ）：2 21 11 11 1C L C L C o ωωωωω- + - = 2-4有一并联回路，其通频带B 过窄，在L 、C 不变的条件下，怎样能使B 增宽？ P o Q f B 2 =,当L 、C 不变时，0f 不变。所以要使B 增宽只要P Q 减小。 而C L R Q p P =，故减小P R 就能增加带宽 2-5信号源及负载对谐振回路有何影响，应如何减弱这种影响？ 对于串联谐振回路（如右图所示）：设没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值为o Q ，则：R L Q o o ω= 值，则： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 为L Q R R R R Q R R R L Q L s L ++=++=1L s o L ω 其中R 为回路本身的损耗，R S 为信号源内阻，R L 为负载电阻。 由此看出：串联谐振回路适于R s 很小（恒压源）和R L 不大的电路，只有这样Q L 才不至于太低，保证回路有较好的选择性。 对于并联谐振电路（如下图所示）： 设接入信号源内阻和负载电阻的Q 值为L Q 由于没有信号源内阻和负载接入时的Q 值为 由式（2-31）可知，当R s 和R L 较小时，Q L 也减小，所以对并联回路而言，并联的电阻越大越好。因此并联谐振回路适于恒流源。 2-6已知某电视机一滤波电路如题图2-2所示，试问这个电路对什么信号滤除能力最强，对什么信号滤除能力最弱，定性画出它的幅频特性。 V1=V2? 题图2-2题图2-3 2-7已知调谐电路如题图2-3所示，回路的谐振频率为465kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）L 无损耗时回路的通频带； （3）L 有损耗（Q L =100）回路的通频带宽度。 左侧电路的接入系数： 25.040120401=+= T T T p 右侧电路的接入系数：25.040120402=+= T T T p 等效电源： s s i p i 1' = 等效阻抗：Ω=Ω + Ω+Ω= k k p k k p R p 67.265.21601 101 2 221 等效容抗：2 22 1' 16?10p pF p pF C ?++?= 电容值未知 2-8回路的插入损耗是怎样引起的，应如何减小这一损耗？ 由于回路有谐振电阻R p 存在，它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ，有一部分功率被回路电导g p 所消耗了，这就是插入损耗。增大回路本身的Q 值可以减小插入损耗。 2-9已知收音机某中放的负载回路如题2-4所示，回路的f 0=465kHz ，电感的Q 0=100，要求回路的带宽B=20kHz ，试求： （1）电感L 值； （2）回路插入损耗； 微波电子线路大作业 ——低噪声功率放大器设计 班级：021013班 学号：02011268 姓名： 低噪声放大器的设计 一、设计要求： 已知GaAs FET 在4 GHz 、50 Ω系统中的S 参数和噪声参量为 S11=0.6∠－60°，S21=1.9∠81°， S12=0.05∠26°，S22=0.5∠－60° Fmin=1.6 dB Γout=0.62∠100°RN=20 Ω 设计一个低噪声放大器，要求噪声系数为2 dB ，并计算相应的最大增益。 若按单向化进行设计，则计算GT 的最大误差。 二、低噪声放大器设计原理及思路 1.1低噪声放大器功能概述 低噪声放大器是射频／微波系统的一种必不可少的部件，它紧接接收机天线，放大天线从空中接收到的微弱信号。低噪声放大器在对微弱信号放大的同时还会产生附加于扰信号，因此它的设计目标是低噪声，足够的增益，线性动态范围宽。低噪声放大器影响整机的噪声系数和互调特性，分析如下 （1） 系统接收灵敏度： （2） 多个级连网络的总噪声系数 1.2 放大器工作组态分类 A 类放大器（导通角360度，最大理论效率50%）用于小信号、低噪声，通常是接收机前端放大器或功率放大器的前级放大。 B 类（导通角180度，最大理论效率78.5%）和 C 类（导通角小于180度，最大理论效率大于78.5% ）放大器电源效率高，愉出信号谐波成分高，需要有外部混合电路或滤波电路．由B 类和C 类放大器还可派生出 D 类、 E 类、P 类等放大器。 min 114(dBm/Hz)NF 10log BW(MHz)/(dB) S S N =-+++321112121 11n tot A A A A A An F F F F F G G G G G G ---=+ +++L L 电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体与半导体三大类,最常用的半导体材料就是硅与锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体与P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴与自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子就是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子就是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0、5 V,锗二极管的开启电压约为0、1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0、7 V,锗二极管的正向压降约为 0、3 V。 5、锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6、稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。 7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型与平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光与光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱与电流与最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流与动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V、 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、 流过电阻的电流就是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管就是理想器件,则流过二极管V1的电流为0、25mA ,流过V2的电流为0、25mA ,输出电压U0为+5V。 2-1 波导为什么不能传输TEM 波？ 答：一个波导系统若能传输TEM 波型，则在该系统中必须能够存在静电荷静电核或恒定电流，而在单导体所构成的空心金属波导馆内，不可能存在静电荷或恒定电流，因此也不可能传输TEM 波型。 2-2 什么叫波型？有哪几种波型？ 答：波型是指每一种能够单独地在规则波导中存在的电磁场的一种分布状态。 根据场的横向分量与纵向分量之间的关系式划分波型，主要有三种： TEM 波（0z E =，0z H =），TE 波(0z E =,0z H ≠),TM 波（0z E ≠，0z H =） 2-3 何谓TEM 波，TE 波和TM 波？其波阻抗和自由空间波阻抗有什么关系？ 答：0z E =，0z H =的为TEM 波；0z E =,0z H ≠为TE 波；0z E ≠，0z H =为TM 波。 TE 波阻抗： x TE y E wu Z H ηβ = ==> TM 波阻抗： x TM y E Z H w βηε= == 其中η为TEM 波在无限答煤质中的波阻抗。 2-4 试将关系式y z x H H jw E y z ε??-=??，推导为1()z x y H E j H jw y βε?=+?。 解：由y H 的场分量关系式0j z y H H e β-=（0H 与z 无关）得： y y H j H z β?=-? 利用关系式y z x H H jw E y z ε??-=??可推出： 11()()y z z x y H H H E j H jw y z jw y βεε???= +=+??? 2-5 波导的传输特性是指哪些参量？ 答：传输特性是指传输条件、传播常数、传播速度、波导波长、波形阻抗、传输功率以及损耗和衰减等。 2-6 何为波导的截止波长c λ？当工作波长λ大于或小于c λ时，波导内的电磁波的特性有何 一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之 微波电子线路大作业 姓名：哦呵呵 学号： 肖特基势垒二极管是利用金属与半导体接触形成肖特基势垒而构成的一种微波二极管， 它对外主要体现出非线性电阻特性，是构成微波阻性混频器、检波器、低噪声参量放大 器、限幅器和微波开关等的核心元件。 1、结构：肖特基势垒二极管有两种管芯结构：点接触型和面接触型。 2、工作原理： 肖特基势垒二极管工作的关键区域是金属和N 型半导体结形成的肖特基势垒区域，是金属和N 型半导体形成的肖特基势垒结区域。 在金属和N 型半导体中都存在导电载流子—电子。它们的能级不同，逸出功也不同。当金属和N 型半导体相结时，电子流从半导体一侧向金属一侧扩散，同时也存在金属中的少数能量大的电子跳跃到半导体中，称为热电子。显然，扩散运动占据明显优势，于是界面上金属中形成电子堆积，在半导体中出现带正电的耗尽层。在界面上形成由半导体指向金属的内建电场，它是阻止电子向金属一侧扩散的，而对热电子发射则没有影响。随着扩散过程的继续，内建电场增强，扩散运动削弱。于是在某一耗尽层厚度下，扩散和热电子发射处于平衡状态。宏 观上耗尽层稳定，两边的电子数也稳定。界面上就形成一个对半导体一侧电子的稳定高度势垒G W eN D D S 22 =φ， D N 是N 半导体的参杂浓度，D W 厚度存在于金属—半导体界面由扩散运动形成的势垒成为肖特基势垒，耗尽层和电子堆积区域成为金属—半导体结。 3、伏安特性： 利用金属与半导体接触形成肖特基势垒构成的微波二极管称为肖特基势垒二极管。这种器件对外主要呈现非线性电阻特性，是构成微波混频器、检波器和微波开关等的核心元件。 半外点半外结氧金两种肖特基势垒二极管结构 金属欧姆接 2-1波导为什么不能传输 TEM 波？ 答：一个波导系统若能传输 TEM 波型，则在该系统中必须能够存在静电荷静电核或恒定电 流，而在单导体所构成的空心金属波导馆内， 不可能存在静电荷或恒定电流， 因此也不可能 传输TEM 波型。 2-2什么叫波型？有哪几种波型？ 答：波型是指每一种能够单独地在规则波导中存在的电磁场的一种分布状态。 根据场的横向分量与纵向分量之间的关系式划分波型，主要有三种： TEM 波(E z=O , H z=O )，TE 波(E z =O ,H z HO ),TM 波(Ez^O , H z = O ) 2-3何谓TEM 波，TE 波和TM 波？其波阻抗和自由空间波阻抗有什么关系？ 答：E z =0，H z =0 的为 TEM 波；E z =O ,H z =O 为 TE 波；E z =0，H z =0 为 TM 波。 其中为TEM 波在无限答煤质中的波阻抗。 cH z ￡H y 唏戸亠 1 cH z R 2-4试将关系式 z y =jw ；E x ，推导为E x ( —j ：Hy )。 cy az jw g ￡y 解：由H y 的场分量关系式 H y =H O e —j ：z ( H 0 与z 无关)得： 利用关系式凹一也二jw ；E x 可推出: 纽 cz 2-5波导的传输特性是指哪些参量？ 答：传输特性是指传输条件、传播常数、传播速度、波导波长、波形阻抗、传输功率以及损 耗和衰减 等。 2-6何为波导的截止波长 ’c ?当工作波长’大于或小于’c 时，波导内的电磁波的特性有何 TE 波阻抗: TM 波阻抗: 2 丄（如土） jw ； : y : z jw ； /H y ） 一、填空题 1、_信源_____就是信息的来源。 2、电信系统中规定的语音信号频率范围是从_300_____Hz 到__3.4K____Hz 。 3、___信道___是连接发送、接收两端的信息的通道，也称为传输媒质。 4、通信系统中应用的信道分为__有线____信道和无线信道两种。 5、常用的有线信道传输媒质有_架空明线_____、__光缆____和__同轴电缆____。 6、无线电波传播的方式有___沿地面________传播，也称___中长波___波；__沿空间__传播也称___超短波___波；____电离层________传播，称为__短波____波。 7、为了有效地发射和接收电磁波，天线的尺寸必须与电磁波的_波长_____相比拟。 8、现代通信系统中一般不采用将信号直接传输的工作方式，而是要对信号进行__调制____后再送入信道传输。 9、小信号选频放大器的矩形系数越___接近1___越好。 10、小信号谐振放大器应当设法__减小____负载和信号源内阻对谐振回路的影响。 11、小信号谐振放大器中的变压器采用抽头接入，是为了减少__负载____和_____信号源内阻_______对谐振回路的影响。 12、采用___共射-共基_____电路是解决小信号谐振放大器稳定性问题的有效方法。 13、_声表面波_____滤波器的优点有：体积小、工作稳定、无需调试等。 14、常用的固体（态）滤波器有：___声表面_________、____陶瓷________和_____石英_______。 15、常用晶体管的高频等效电路有___Y 参数___等效电路和__混合π参数____等效电路。 16、影响晶体管高频性能的主要因素是它的内部存在__结电容____。 17、晶体管的一个重要高频参数是它的___特征___频率T f ，它是晶体管的β下降为__1____时的工作频率。晶体管的结电容越___小___，其T f 参数越大。 18、LC 串联谐振回路谐振发生时，呈现___很小___的阻抗；电容上的谐振电压___大___于输入电压，是输入电压的Q 倍。因此串联谐振也叫电__压____谐振。 19、LC 并联谐振回路谐振发生时，呈现__很大____的阻抗；流过电容的谐振电流___大于___于输入电流，是输入电流的Q 倍。因此并联谐振也叫电___流___谐振。 20、LC 谐振回路的Q 值与电感器的寄生电阻r 大小有关，r 越小Q 值越__大____。 21、LC 谐振回路的通频带计算公式为___ 7.0BW =_f0/Q________。 22、单LC 谐振回路的矩形系数≈=7 .01.01.0BW BW K ___10____。 电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体 三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数 相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是 空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是 电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电 压约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后， 一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电 流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。 7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、 流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为+5V。 3-1 一根以聚四氟乙烯 2.10r ε=为填充介质的带状线，已知其厚度b =5mm ，金属导带厚度和宽度分别为0t =、W =2mm ，求此带状线的特性阻抗及其不出现高次模式的最高频率。 解: 由于/2/50.40.35W b ==>，由公式 20 (0.35/)e W W b b W b ?=-? -? /0.35/0.35 W b W b <> 得中心导带的有效宽度为：2e W W mm ≈=， 077.3Z = =Ω 带状线的主模为TEM 模，但若尺寸不对也会引起高次模，为抑止高次模，带状线的最短工作波长应满足： 10 10 max(,)cTE cTM λλλ> 10 2 5.8cTE mm λ== mm b r cTM 5.14210 ==ελ 所以它的工作最高频率 GHz c f 20105.141033 8 =??==-λ 3-2 对于特性阻抗为50Ω的铜导体带状线，介质厚度b =0.32cm ，有效相对介电常数 2.20r ε=，求线的宽度W 。若介质的损耗角正切为0.001，工作频率为10GHz ，计算单位 为dB/λ的衰减，假定导体的厚度为t =0.01mm 。 解: 074.2120==< 和030)0.4410.830x π=-=，所以 由公式 00, 1200.85120 x W b ??? 其中， 0.441x = 计算宽度为(0.32)(0.830)0.266W bx cm ===。 在10GHz ，波数为 1310.6k m -= = 由公式 )(/2tan 波TEM m Np k d δ α= 介电衰减为 m Np k d /155.02)001.0)(6.310(2tan === δα 在10GHz 下铜的表面电阻为0.026s R =Ω。于是，根据公式 300002.710120 ,30()/0.16120,s r c s R Z A b t Np m R B Z b επα-????? 其中 2121ln()W b t b t A b t b t t π+-=+ +-- 0.414141(0.5ln )(0.50.7)2b t W B W t W t ππ=+ +++ 得出的导体的衰减为 m Np A t b Z R r s c /122.0)(30107.203=-?=-πεα 因为 4.74A =。总的衰减常数为 0.277/d c Np m ααα=+= 以dB 为单位，为 ()201 2.41/dB ge dB m αα== 在10GHz ，在带状线上的波长为 cm f c r 02.2== ελ 所以，用波长来表示的衰减为 ()(2.41)(0.0202)0.049/dB dB αλ== 3-3 已知带状线两接地板间距b =6cm ，中心导带宽度W =2cm ，厚度t =0.55cm ，试求填充 高频电子线路试题库 一、单项选择题（每题2分，共20分） 第二章选频网络 1、LC串联电路处于谐振时，阻抗（ B ）。 A、最大 B、最小 C、不确定 2、LC并联谐振电路中，当工作频率大于、小于、等于谐振频率时，阻抗分别呈（ B ）。 A、感性容性阻性 B、容性感性阻性 C、阻性感性容性 D、感性阻性容性 3、在LC并联电路两端并联上电阻，下列说法错误的是（ D ） A、改变了电路的谐振频率 B、改变了回路的品质因数 C、改变了通频带的大小 D、没有任何改变 第三章高频小信号放大器 1、在电路参数相同的情况下，双调谐回路放大器的通频带与单调谐回路放大器的通频带相比较A A、增大?B减小?C 相同? D无法比较 2、三级相同的放大器级联，总增益为60dB，则每级的放大倍数为（ D ）。 A、10dB B、20 C、20 dB D、10 3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C ） （A）增益太大（B）通频带太宽（C）晶体管集电结电容C b’c的反馈作用（D）谐振曲线太尖锐。第四章非线性电路、时变参量电路和混频器 1、通常超外差收音机的中频为（ A ） （A）465KH Z （B）75KH Z （C）1605KH Z （D）10.7MH Z 2、接收机接收频率为f c，f L＞f c，f I为中频频率，则镜象干扰频率为（ C ） （A）f c＞f I （B）f L+f c （C）f c+2f I（D）f c+f I 3、设混频器的f L >f C，即f L =f C+f I ，若有干扰信号f n=f L+f I，则可能产生的干扰称为（ D ）。 （A）交调干扰（B）互调干扰（C）中频干扰（D）镜像干扰 4、乘法器的作用很多，下列中不属于其作用的是（ D ） A、调幅 B、检波 C、变频 D、调频 5、混频时取出中频信号的滤波器应采用（ A ） （A）带通滤波器（B）低通滤波器（C）高通滤波器（D）带阻滤波器 6、频谱线性搬移电路的关键部件是（ B ） （A）相加器（B）乘法器（C）倍频器（D）减法器 7、在低电平调幅、小信号检波和混频中，非线性器件的较好特性是（ C ） A、i=b0+b1u+b2u2+b3u3 B、i=b0+b1u+b3u3 C、i=b2u2 D、i=b3u3 8、我国调频收音机的中频为（ D ） （A）465KH Z （B）455KH Z （C）75KH Z （D）10.7MH Z 9、在混频器的干扰中，组合副波道干扰是由于----------- 造成的。（A ） （A）有用信号与本振信号的组合（B）有用信号与干扰信号同时作用 （C）两个或多个干扰信号同时作用（D）外来干扰信号与本振信号的组合 第五章高频功率放大器 1、常用集电极电流流通角?的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（ D ）。（说明：?为半导通角） （A）? = 180O （B）90O???180O （C）? =90 O （D）??90O 2、谐振功率放大器与调谐放大器的区别是（ C ） A、前者比后者电源电压高 B、前者比后者失真小 C、谐振功率放大器工作在丙类，调谐放大器工作在甲类 D、谐振功率放大器输入信号小，调谐放大器输入信号大 3、已知某高频功率放大器原工作在临界状态，当改变电源电压时，管子发热严重，说明功放管进入了A 习题课 1.1 设一特性阻抗为50Ω的均匀传输线终端接负载R l =100Ω，求负载反射系数Γl ，在离负载0.2λ、0.25λ及0.5λ处的输入阻抗及反射系数分别为多少？ 解：根据终端反射系数与终端阻抗的关系 10l 10100501 100503 Z Z Z Z --Γ= ==++ 根据传输线上任一点的反射系数与输入阻抗的关系 2()j z l z e b - G =G in 0 1() 1() z Z Z z +G =-G 得到离负载0.2λ、0.25λ及0.5λ处的输入阻抗及反射系数分别为 2πj2 0.2λj0.8π λ 1(0.2λ)3 l e e --G =G = Z (0.2λ)29.4323.79Ωin =? 2π j2 0.25λλ 1(0.25λ)3 l e -G =G =- Z (0.25)25Ωin l = 2πj2 0.5λλ 1 (0.5λ)3 l e -G =G = （反射系数具有λ/2周期性） Z (0.5)100Ωin l =（输入阻抗具有λ/2周期性） 1.2 求内外导体直径分别为0.25cm 和0.75cm 的空气同轴线的特性阻抗；若在两导体间填充介电常数εr= 2.25的介质，求其特性阻抗及300MHz 时的波长。 解：空气同轴线的特性阻抗为 00.7560ln 60ln 65.9Ω0.25 b Z a === 填充相对介电常数εr=2.25的介质后，其特性阻抗为 00.75 43.9Ω0.25 b Z a = == f =300Mhz 时的波长 0.67m l 1.4 有一特性阻抗Z0=50Ω的无耗均匀传输线,导体间的媒质参数εr= 2.25，μr=1，终端接有R l=1Ω的负载。当f=100MHz时，其线长度为λ/4。试求： ①传输线实际长度； ②负载终端反射系数； ③输入端反射系数； ④输入端阻抗。 解：①传输线上的波长为 2m g l= 所以，传输线的实际长度为 =0.5m 4 g l l = ②根据终端反射系数与终端阻抗的关系 10 l 10 15049 15051 Z Z Z Z -- Γ===- ++ ③根据传输线上任一点的反射系数与终端反射系数的关系 2 20.25 2 4949 () 5151 j j z l z e e p l b l - - G=G=-= ④传输线上任一点的反射系数与输入阻抗的关系 in0 49 1 1()51 502500Ω 49 1()1 51 z Z Z z + +G === -G- 1.10 特性阻抗为Z0=150Ω的均匀无耗传输线, 终端接有负载Z l=250+j100Ω，用λ/4阻抗变换器实现阻抗匹配（如图所示），试求λ/4阻抗变换器的特性阻抗Z01及离终端距离。 解：先把阻感性负载，通过一段特性阻抗为Z0的传输线，变为纯阻性负载。由于终端反射系数为 250j100150 0.3430.54 250j100150 l l l Z Z Z Z -+- G===? +++ 离波腹点较近。第一个波腹点离负载的距离为 max 0.540.043 44 l l l l f l p p === 即在距离负载l=0.043λ可以得到一个纯电阻阻抗，电阻值为 max0 R Z r = 《电子线路（I ）》 董尚斌编 课后习题（1到7章） 第1章 1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别 解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kT E i g e T A n 22 300-=与温度有关。 杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2 i n 或正比，即与温度有很大的关系。若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。 1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同 解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。 1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么 解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流 1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关 解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。 1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别 解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。 （1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。 （2） 二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。 1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R ?10档测出的阻值小，而用R ?100档测出的阻值大，为什么 解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效直流电阻之和联合决定。2010版微波技术与天线教学大纲
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