中科院电子光谱

8、半导体材料吸收光谱测试分析

半导体材料吸收光谱测试分析一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。二、实验仪器及材料紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机，玻璃基ZnO 薄膜。三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 UV762双光束紫外可见分光光度计外观图： (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a ．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm ；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm 。 b ．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距；光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c ．吸收池：玻璃——能吸收UV 光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d ．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。紫外可见分光光度计的工作流程如下：光源单色器吸收池检测器显示双光束紫外可见分光光度计则为：

双光束紫外可见分光光度计的光路图如下： (2)光吸收定律单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I ?-=α0 d t e I I ?-=α0 (1) I 0：入射光强；I x ：透过厚度x 的光强；I t ：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。透射率T 为： d e I I T ?-==α0 t (2)

中科院半导体所科技成果——基于LED灯光的光学无线控制系统

中科院半导体所科技成果——基于LED灯光的光学无线控制系统项目成熟阶段孵化期项目来源863项目、中科院知识创新重要方向项目成果简介该系统集照明、智能控制和通信功能于一体。它利用LED灯，在照明的同时作为光学无线通信的光源，可实现对办公设备、安全防范设备、家用电器、电动益智玩具、传感执行器等控制终端的光学无线智能控制。目前已开发出基于手机的控制软件，可以通过操控手机，借助灯光实现对家用电器等设备的全功能控制。基于LED灯光的光学无线控制系统应用实景技术特点通信无电磁污染，有利于人体健康；通信私密性强，安全性高；

与照明结合，无处不在、无须新建专用网络、节能和环保；网络带宽高，可快速下载网上信息；无需频率许可证。专利情况已申请6项核心专利市场分析 1、基于该技术开发的LED照明智能家居系统可以克服传统智能家居系统需要布设控制总线的缺点，也可以克服基于电力载波技术的智能家居控制系统改造电器设备强电部分时会影响电器安全性的缺点，LED照明智能家居系统属于光学无线方式的智能控制，只要灯光照到的地0方就可以自由摆放受控电器，是最新型的控制方式，可定义为新一代的智能家居系统。该技术也可用于智能建筑中，实现对各种自动执行器终端的光学无线控制。 2、其应用的各项技术代表了当今国内外可见光通信的发展水平，可以作为科技展品，应用在科技馆，让观众零距离接触、了解节能减排的LED照明技术以及照明网络与通信网络融合的可见光通信新技术。 3、是LED灯具厂商增加产品功能和提升产品竞争力的好机会。合作方式技术开发、技术转让、技术服务、技术入股产业化所需条件进行LED照明智能家居产品中试，投资开发示范工程项目，最少投资300万元。进行智能控制接口标准制定，与家用电器厂商一起制定行业标准，大概需要2-3年，投资100-200万元。

中科院微电子所介绍

招生简介中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。现有职工622人，其中中国科学院院士2人，高级研究人员91人，上岗研究生导师74名（其中博士生导师34名），在读研究生近300多人。主要研究方向：1.硅器件及集成技术；⒉微细加工与新型纳米器件集成；3.微波电路与化合物半导体器件；4.集成电路设计与系统应用（包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装）。本专业一级学科为电子科学与技术。作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。除招收普研（学术型）外，我所还计划在电子与通信工程（代码：430109）和集成电路工程（代码：430110）两个领域招收全日制专业学位研究生。我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。专业代码： 080903 专业名称：微电子学与固体电子学学科专业研究方向与导师 w 硅器件及集成技术该方向为一室、九室、十室研究方向，主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。这些研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究，具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力，并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。目前正在致力于下一代纳米级的 CMOS新结构器件与电路、新工艺技术、高可靠性集成电路设计技术与新型MEMS器件与集成，以及先进电子封装技术的研究。导师简介韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师杜寰男 1963年出生副研究员硕士生导师欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师万里兮男 1955年出生研究员博士生导师曹立强男 1974年出生研究员硕士生导师陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师王文武男 1973年出生研究员博士生导师

砷化镓晶片表面损伤层分析 - 中国科学院半导体研究所机构

稀有金属 CHINEXE JOURNAL OF RARE METALS 1999年7月第23卷第4期 vol.23 No.4 1999 砷化镓晶片表面损伤层分析郑红军卜俊鹏曹福年白玉柯吴让元惠峰何宏家摘要：采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度，而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论。关键词：砷化镓切片磨片抛光片表面损伤层 Analyses of Surface Damage in SI-GaAs Wafers Zheng Hongjun, Bu Junpeng, Cao Funian, Bai Yuke, Wu Rangyuan, Hui Feng and He Hongjia (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) Abstract： The surface damage Layer in the SI-GaAs wafer induced by cutting, grining and polishing was analyzed by means of transmission electron microscopy and X-ray rocking curve measurements after the wafer was chemically etched. A method for determining the depth of surface damage layer of SI-GaAs wafer according to the quantitative difference in the results obtained by the two methods is proposed. Key Words: SI-GaAs, Cutting wafer, Grinding wafer, Polishing wafer, Surface damage 许多重要的砷化镓器件及砷化镓高速数字电路、微波单片电路均在砷化镓晶片表面制造，集成度越高，对表面的要求越严格。所以，材料表面加工的质量直接影响着器件的性能、成品率及寿命等。半导体材料表面因切、磨、抛加工而引入的损伤层深度一直是人们深入研究的工作。加工后的晶片表面损伤层可能是由非晶层、多晶层、嵌镶块层和弹性畸变层等构成的多层结构［1］。测定这些表面损伤层厚度的通常方法有恒定化学腐蚀速率法［2，3］、椭圆偏振仪［4］、透射电子显微镜［5］、光背散射［6］以及Knudsen［7］提出的X射线双晶摆动曲线观测腐蚀剥层晶片表面损伤层法。但这些方法都有一定的局限性。本文采用X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离损伤层深度与TEM观测相结合的方法，定量地分析了材料加工过程中 (切、磨、抛) 引入的损伤层深度。根据两种测量结果的差异，得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度，而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离损伤层深度是晶片损伤层及其形成应力层的总厚度的结论。

中科院微电子学与固体电子学考研必读的经验

距离考研真正结束已经有好几个月了，好久没来逛论坛了，记得那时迷茫的我在论坛中一个个找帖子看，只要看到“微固”就一定会点进来看，找资料，请教问题。现在，终于告别了我的考研岁月，有辛酸、有汗水、更有一份份的感动，这其中的滋味，只有走过这段路的人才能真正体会得到！我想说，走过这段路的战友，不管结果如何，你们是真正的英雄！当你选择这条路的时候，其实你应经成功的战胜了自己！说实话，我是二战过来的，考的是中国科学院大学微电子学与固体电子学，可惜败在了专业课上（虽然说专业课并不是很公平，自己复习的不好也是一个重要原因），之后就是毕业找工作，刚毕业出来什么都不懂，关键是工作又不是自己喜欢的，所以工作了三个月后我决定继续二战中科院。八月份，又回到熟悉的学校，熟悉的图书馆，记得坐在图书馆的第一个晚上，环顾四周，曾经的战友都不在了，一幅幅陌生的面孔，晚上从图书馆出来我哭了，不知道是什么感觉，就是控制不住我的泪水。心里的委屈无法倾诉，熟悉的地方，物是人非，那种感觉真的很辛酸！可是我在心底暗暗发誓：今年，我一定要考上！我知道微固专业是中科院的三大王牌专业之一，每年的录取线都是领跑全院（今年是358），为了梦想，我想豁出去得了，冲！然后就是漫长的复习，从头开始，记得招生简章没出来之前，专业课我选的是固体物理，因为第一年看了一年固体物理的知识，学起来会快很多，命运给了我很大的恩惠。总之，老天给了我一个很好的开始毕竟有失也有得之前的复习也不全一无是处，所以说我更要加倍努力啦！有时候，考研真的单纯只是为了追逐那份心中的梦想，不去想考上了会怎么样，工作怎么样，心里会发誓一定要实现自己的梦想！为了证明自己！我的同学，第一年浙大落榜，第二年继续，这是一种怎样的精神在支持着？考研人，真的勇士！八月份，学校里各种辅导班都在上课，我报的新祥旭的专业课，按照老师的指导一步步地去看书复习，只要好好总结，学习效果还是很明显的。一家之谈，可能每个人的感受不一样吧！当然了有些就是不报班的同学学得也很不错！在这里，我想把我数学的学习心得和大家分享一下，今年数学考的不是很好，120，本应该考得很好的，今年数学也较容易，结果考砸了。数学我买了一本李永乐的复习全书，个人觉得比陈文灯的好！主要是陈的书很多内容讲的太繁琐，很多讲题方法是很不错，讲了很多技巧，但是考研很少考到，所以我觉得与大纲偏离的太多。而李的书看起来就很舒服，讲的都是常见题型，常见解题方法，很多题型出的也很好。复习全书一定要认真做！我总共做了三遍，而且做数学题时把它当字典查，所以到最后这本书翻得实在是很烂。如果你觉得里面的题目不够做，可以再买一本660题，里面的小题都是很经典的！专业课我想是大家比较关心的，因为考研的总分很大一部分取决于它！今年专业课考了130+，个人觉得也还有很大的提升空间，专业课也很简单，考试才考了一半我就已经完卷了，到最后也没有检查，就等着交卷迎接考研结束，现在想想挺后悔的。我本科学的就是微电子，考试指定的那本教材也是学过的。但是本科时没有好好学，基本上都是考研时才学通了这本书。相信拿到这本书在手里，你也是很难过的，全部都是公式，推导过程！翻一遍过来，头都大了。我当时也是这种感觉，该怎么学啊？当时我问一些学长，他们告诉我，要想把这本书学好，里面的所有公式都要会推导出来！我当时都蒙了，公式记都记不住怎么推啊？好多公式都很冗长！不过困难总是要克服的呀，只能咬咬牙，从头开始看吧！下面我来说说怎么学好这本书。我们都知道微固专业的基础是物理学方面的知识，所以说这本书是基础。不过我的建议是，如果你物理学的知识之前没有接触过，刚开始肯定很多内容都看不懂，但是不要求你看懂，你只要先了解一下基本概念就可以了。在知道都是讲一些什么的时候再回过头来详细地看。但是物理的一些内容要牵扯到量子力学的内容，主要是前面晶格结构的内容，我觉得如果大家不太了解的话，最好把这些书中的相关章节拿出来翻翻，了解一下也好，这些都是一些基础的东西。我想说一遍两遍看不明白很正常！慢慢自己琢磨，不懂就去问老师问同学，总会弄懂的。你要知道既然你选择了微固专业，就要做好吃苦的准备，相信自己一定行！永远不要灰心，你可以沮丧！但不可以放弃！其次我想说，光看书也是不够的，要找一些题目来做，很多东西要通过做题才能真正掌握。其实我也知道普通物理的题目真的是很少！书店一般都买不到，课本后的习题也没有答案。但是困难来了，你要自己想办法！我也经常在网上下一些视频拿出来看，巩固专业基础的一些东西。我有一个同学，当时也考微固，我把这个视频拷给他，结果他只听了一两遍就不听了，说听不懂，我那个郁闷的啊唉。其实我想说每听一遍感觉都不一样，都有很多收获！觉得普通物理学得差不多了，就做点题目检验一下，要是有模糊的地方可以把教材拿出来再翻一翻，这样结合着看效果也不错。书上的很多公式自己慢慢去推导，多推导几遍就熟悉了，其实有些内容考试不考。书看过三遍左右的时候就要做真题了，历年真题，每一题都要做精做透！结合一些资料题目来做，课本上课后习题有很多也很好。平时可以把书合

中科院微电子所硕博连读培养方式

中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案 2009-10-12 | 编辑： | 【大中小】【打印】【关闭】为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作，进一步提高硕士生的培养质量，根据国家和中国科学院的相关文件的精神，并根据我所的具体情况，特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下：培养目标我所攻读硕士学位研究生的培养目标是：进一步学习、掌握马克思主义的基本原理，树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识；掌握一门外国语（英语）；具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。具有健康的体格。学习年限硕士学位研究生的学习年限一般为三年，学位课程学习时间为一年，从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。正常情况下，如不能按时毕业者，若完成学习任务，论文答辩未通过，作结业处理。确实由客观因素未能按时完成学习任务，必须由导师提出申请，经研究生部核准，可延长半年至一年，延长学习的时间不计算学制。在职硕士学位研究生的学习年限3年半，论文工作必须结合本职工作。硕士学位研究生一般不得提前毕业。培养方式政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。对硕士生除开设必修的政治理论课外，还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。同时，在完成学习任务的前提下，积极开展社会主义公益和社会实践活动。贯彻学位课程和论文工作并重的原则。硕士生既要系统地学习理论，也要接受独立从事科

学研究的实践锻炼。贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求，结合研究方向，制定硕士生的培养计划，对学位课程和论文作出具体安排。硕士生应在导师指导下制定本人学习计划，选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意；完成学位课程学习计划后，必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。建立每学年年终评比奖励优秀研究生制度，对品学兼优的研究生进行表彰和奖励，以鼓励先进，在研究生中形成积极上进的气氛。研究专业我所攻读硕士学位专业为：微电子学与固体电子学（工学）。课程学习硕士学位研究生课程分为公共必修课、专业必修课和选修课三大类。学位课程的设置应遵循以下原则： ?公共必修课应按国家统一设置； ?专业必修课六门，按一级学科范畴设置，体现本专业和知识面宽的特点；并设置本学科实验技能方面的课程； ?必修课应相对稳定，课程内容比较成熟，覆盖面较宽，符合本学科发展要求； ?避免与本学科课程中设置内容上的不必要重复； ?为了适应科学技术的发展，在加强基本理论学习的同时，课程设置要有一个合理的知识

微电子技术发展现状及未来的认识和看法

微电子技术发展现状及未来的认识和看法摘要：本文通过对半导体材料、微电子器件及集成电路技术近几年取得的重要成果进行的充分调研，介绍当下微电子的各项新成果。在此基础之上，充分阐述了微电子发展的现状，并对微电子的未来的发展方向给予一些见解。关键字：微电子半导体半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm，介于金属和绝缘体之间的材料。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了革命；上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。 1 半导体材料、微电子器件及集成电路技术近几年取得的重要成果及发展的现状。 1、1我国国微电子产业简介我国硅晶片生产企业主要有北京有研硅股、浙大海纳公司、洛阳单晶硅厂、上海晶华电子、浙江硅峰电子公司和河北宁晋单晶硅基地等。有研硅股在大直径硅单晶的研制方面一直居国内领先地位，先后研制出我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，单晶硅在国内市场占有率为40%。2000年建成国内第一条可满足0.25μm线宽集成电路要求的8英寸硅单晶抛光片生产线;在北京市林河工业开发区建设了区熔硅单晶生产基地，一期工程计划投资1.8亿元，年产25t 区熔硅和40t重掺砷硅单晶，计划2003年6月底完工;同时承担了投资达1.25亿元的863项目重中之重课题——“12英寸硅单晶抛光片的研制”。浙大海纳主要从事单晶硅、半导体器件的开发、制造及自动化控制系统和仪器仪表开发，近几年实现了高成长性的高速发展。自1965 年，我国研制出第一块双极型集成电路以来，经过40 多年的发展，我国集成电路产业目前已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局，并将持续保持良好的发展势头。我国微电子产业处在高速发展阶段我国现已成为世界电子产品生产大国，数字电视、3G 等电子产品未来几年内将进入高速发展阶段。据信息产业部预计，2007 年－2011 年这 5 年间，中国集成电路产业销售收入的年均复合增长率将达到27.7%。到2011年，中国集成电路产业销售收入将突破3000亿元，达到3415.44 亿元。届时中国将成为世界重要的集成电路制造基地之一。 1、2 我国微电子产业取得的主要成就（1）超深亚微米集成技术研究逐渐接近国际先进水平。由于多方面的原因，我国在这一领域的研究工作长期处于劣势，不能与国际先进水平相提并论。在“863”等项目的支持下，清华、北大、中科院微电子所和半导体所等微电子基础条件较好的单位率先开展了面向超深亚微米集成技术的研究，在新型器件结构

中科院所有研究所

北京市数学与系统科学研究院力学研究所物理研究所高能物理研究所声学研究所理论物理研究所国家天文台渗流流体力学研究所自然科学史研究所理化技术研究所化学研究所过程工程研究所生态环境研究中心古脊椎动物与古人类研究所大气物理研究所地理科学与资源研究所遥感应用研究所空间科学与应用研究中心对地观测与数字地球科学中心地质与地球物理研究所数学科学学院物理学院化学与化工学院地球科学学院资源与环境学院生命科学学院计算机与控制学院管理学院人文学院

外语系工程管理与信息技术学院材料科学与光电技术学院电子电气与通信工程学院华大教育中心动物研究所植物研究所生物物理研究所微生物研究所遗传与发育生物学研究所心理研究所计算技术研究所工程热物理研究所半导体研究所电子学研究所自动化研究所电工研究所软件研究所国家科学图书馆微电子研究所计算机网络信息中心科技政策与管理科学研究所北京基因组研究所青藏高原研究所光电研究院国家纳米科学中心信息工程研究所空间应用工程与技术中心（筹）天津市天津工业生物技术研究所

河北省渗流流体力学研究所遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心山西省山西煤炭化学研究所辽宁省大连化学物理研究所沈阳应用生态研究所沈阳计算技术研究所金属研究所沈阳自动化研究所吉林省长春人造卫星观测站长春应用化学研究所东北地理与农业生态研究所长春光学精密机械与物理研究所上海市上海应用物理研究所上海天文台声学研究所东海研究站上海有机化学研究所上海硅酸盐研究所上海生命科学研究院上海药物研究所上海微系统与信息技术研究所上海光学精密机械研究所上海技术物理研究所上海巴斯德研究所

中科院半导体所科技成果——基于TDLAS技术的气体传感器

中科院半导体所科技成果——基于TDLAS技术的气体传感器项目成熟阶段生长期项目来源公益行业（气象）专项资金成果简介基于可调谐二极管激光器吸收光谱技术（TDLAS）的气体传感器，是结合光电子学，光谱学，以及微弱信号处理等高新技术的气体传感器系统。该设备与传统的气体传感器装置（电化学法，气象色谱法，吸附法）相比具有更高的灵敏度，更精确的测量数据，更快的响应速度，以及在线实时测量等特点。通过内建程序及显示屏，可以实时显示当前的待测气体浓度，以及各测量量随时间变化的曲线。标准的RS232通信接口可以方便的向上位机传输实时测量数据。通过光纤和电缆的延伸，可以进行远端在

线测试。通过可更换的气室选择，完成不同环境下的测试任务。并且我们可以根据客户的要求进行定制气体（H2O、NO、CH4、HF）的测试。技术特点基于可调谐二极管激光吸收光谱技术，通过向待测气体发射特定波长的激光，并对穿过气体的激光信号进行解调，分析气体的组分和浓度。利用光吸收技术进行气体浓度测试，不会对气体组分造成影响，并且响应速度很快，可以进行实时监测及数据采集。通过延长的光纤和电缆，可以将传感器深入到人身无法达到的地方及环境，进行远程测试。专利情况多项专利技术申请中，其中已授权1项。市场分析

根据我们目前的调研情况，目前能够很容易检测的气体包括H2O、NH3、NO、HF、HBr、HI、CH4，其中H2O和HF的检测灵敏度可以高达100个ppb，是目前同类型传感器中灵敏度最高的检测手段。上述气体都是化工生产、气象监测、特种气体测量（如SF6中的水汽测量、矿井的瓦斯监测等），因此该类传感器具有非常广阔的应用前景。另外，目前国家在环境监控非常重视，其中一些危险气体的检测缺乏体积小、灵敏度高、响应时间快的传感器技术，因此该技术还能在国家安全和环境控制方面发挥重要的作用。合作方式技术入股产业化所需条件企业提供厂房、基础建设、资金、可靠性试验设备、人员配合。

2016年中科院微电子所考研复试经验 -----新祥旭考研辅导

2016年中科院微电子所考研复试经验准备了10个月，初试发挥不是很好，393，今年分都高，我差不多十七八名吧，但复试后总排名变成第一了，给大家说说经验。准备考微所是去年三月八号开始的。有点早，但是大一混到大三，该玩的都玩了，对自己说是时候学点了，但老实说大三下学期看不下去书，每天学4个小时吧，一去自习室就想睡觉，但那个学期让我生活习惯改了过来。暑假和我女朋友出去住的。每天学8个小时，效率很高。然后暑假开学后突然质变了，学习效率超级高，差不多一天能学10个小时。学啊学啊到了冬天，发现身体因为学习变得不行了，总生病，反正最后两个月就没消停。最后浑浑噩噩的考完了。寒假回家玩了一个月，开学查成绩，发现过复试了，很开心。开始准备复试。复试要看好多书，数电模电信号。我看了一天模电就放弃了。因为模电可是补考了两次才抄过去的。完全看不懂，于是下定决心看器件工艺方面的，差不多五六天就看完了吧。这时候我就在想如果复试就这样岂不是太简单了，后来发现的确是这回事，复试的时候老师的确会问点没学过的东西。这时候我受我们班长的诱导，说一个微所博士说微电子十室搞22nm工艺的牛人多，挺虎的。于是我开始看工艺，看论文。先上微电子所官网看看他们室的方向有哪些，然后就是下论文看论文。找那种总结性的论文。这样能看懂。然后呢，好好做笔记，对新东西一定要了解，后来复试的发现太有用了。说说复试经历吧，我复试前就猜应该复试会问些不一样的东西，要不然还不如考专业课卷子呢，后来李博老师也是这么说的。果然第一天下午复试出来的人好多都发现问的问题很怪异，有些不是很好答，书上都找不到。对了，复试通知上说，复试主要考基本原理和知识面，这就要求不能只会书上的东西。第二天轮我复试了，还好，竟然不紧张。进去了，鞠躬，说老师好，然后坐下来自我介绍，后来同学说我自我介绍的时候身体晃来晃去的。这个自我介绍太重要了，你要靠这个介绍让老师问你学过的东西，我对老师说我对新的东西总有兴趣，

中科院计算、软件、信工、电子各所保研经历

2015年推免生参加夏令营的经历（计算所、软件所、信工所、电子所、声学所…） 2014/7/24 在此，只是写下我及我的同学的经历和感受今年参加中科院的夏令营时，发现相关的资料很少，于是就自己写了，送给后来人，希望大家能很开心的完成这一“终身大事”。首先说一下我的情况，211高校，成绩学院前3，低空飞过了6级，比较烂，无奖项，无额外项目。因为关注的时间较晚（我比较懒，还有拖延症），所以在真正登录保研论坛时已经6月上旬了，这时候很多高校的夏令营报名都结束了，而因为一些原因我又不能赶在中旬报名北大软微（后来得知只招专硕）和中科院自动化所（以下中科院XX所均简称为XX所），所以我就瞄准了计算、软件、声学、信工……（建议还是多报几个，因为你觉得可以的不一定就可以，我在计算所已联系了导师，老师和我通过话，问过我一些数学问题，说对我印象不错，欢迎我去他们实验室参观，本以为十拿九稳结果没被录，然后…（详情请见“一、计算所”）…）一、计算所计算所等级分明，互相称谓都是“10F 张三；7F李四”，还配秘书，而且即将搬到环保园，貌似离中关村挺远。计算所的经历很曲折，没去之前我对他印象很好，去了之后，我再也不想和他打交道。我报的是智能信息处理重点实验室（好吧，嘲笑我的不自量力吧）。研修班（计算所的就叫这个，私以为可以作为不拟录取的借口）没录我的事情我在名单公布的当天就以短信形式通知在计算所联系的A老师，但是A老师没有回复，我认为没戏了，就安心准备其他的夏令营，结果面试当天A老师突然让我去参加面试。智信今年只有面试，具体流程如下：首先按照人数分为三组面试，每组大约10个学生5个老师。首先每人5分钟自我介绍（需要PPT），要开排练计时。通过这一点大约就可以看出了你行不行了，因为老师感兴趣会多问，有的人10分钟都不出来，像我这样的就5分钟完事。等全部学生组员都自我介绍后，老师会分别在不同地方等学生去找，每个老师问不同的问题，有问数学的，有问英语的，有问日常的…… A老师先问我（没错就是A老师，也是在他这里被打击了），他问我哪门数学课学的困难，我很诚实的回答了，然后被问了一系列此门课程的问题，一个都没答上来，结果可想而知。话说我天真的以为问了第一问题不会就会换科目，没想到一问到死！！！真心觉得老师不想收我可以直说！！！也怪我太自不量力，自找没脸。后来有个学生和我说他在课程问题上答的是信号系统，然后A老师就无语了\(^o^)/。换到B老师那里，B老师是问日常的，结果从对话开始他就一直低头玩手机，我不说话他也不说，我这时候充分发挥了不要脸的精神，主动和他聊，结果得到的也是脑瓜顶以及“嗯，啊”的敷衍，长句子譬如“那你说吧”，之后再没下文。我就算不要脸也还有几分泥性，恰好问英语的C老师空出来了，我就去了。 C老师先让我读了一个英文论文的第一句，大约3——4行并翻译，话说过了六级就没再学过英语了（学校不准刷分，貌似很多学校都这样）。我翻译的磕磕绊绊还有几个词不认识。然后老师就说行了，开始用中文问问题，譬如贝叶斯公式（很多实验室都喜欢问这个问题，一定要背下来！！！），我说了个大概，老师就问我“你还有什么问题吗”，好了我又秒懂了，不过还是借机问了几个问题，不问白不问。接下来是D老师。老师问我学过什么相关课程，我答了，他又举了实际例子让我分析，但是我们那门课因为课时紧张没有完全学，没学到他问的那块，我只能按照自己的想法说，他很鄙视我；后来又问“函数z(x,y)和向量X(x,y),求z对X的导数”，怎么说咱都学过链式法则，我就答了，结果D老师说“还真叫你蒙对了”，我都被鄙视3次了，而且这次是我动脑了，忍不住争辩，结果老师改口说“对，你不是蒙的，

吸收光谱测量基本原理

吸收光谱简介纯白光为一连续的从红色到紫色的光谱，但当白光穿过一个有色宝石，一定颜色或波长可被宝石所吸收，这导致该白光光谱中有一处或几处间断，这些间断以暗线或暗带形式出现。许多宝石显示出在可见光谱中吸收带或线的特征样式，其完整的样式被称为"吸收光谱"。吸收光谱处于基态和低激发态的原子或分子吸收具有连续分布的某些波长的光而跃迁到各激发态，形成了按波长排列的暗线或暗带组成的光谱。吸收光谱是温度很高的光源发出来的白光，通过温度较低的蒸汽或气体后产生的，如让高温光源发出的白光，通过温度较低的钠的蒸汽就能生成钠的吸收光谱。这个光谱背景是明亮的连续光谱。而在钠的标识谱线的位置上出现了暗线。通过大量实验观察总结出一条规律，即每一种元素的吸收光谱里暗线的位置跟他们明线光谱的位置是互相重合的。也就是每种元素所发射的光的频率跟它所吸收的光频率是相同的。太阳光谱是一种吸收光谱，是因为太阳发出的光穿过温度比太阳本身低得多的太阳大气层，而在这大气层里存在着从太阳里蒸发出来的许多元素的气体，太阳光穿过它们的时候跟这些元素的标识谱线相同的光都被这些气体吸收掉了。因此我们看到的太阳光谱是在连续光谱的背景上分布着许多条暗线。这些暗线是德国物理学家夫琅和费首先发现的称为夫琅和费线。吸收光谱高温物体发出的白光（其中包含连续分布的一切波长的光）通过物质时，某些波长的光被物质吸收后产生的光谱，叫做吸收光谱。例如，让弧光灯发出的白光通过温度较低的钠气（在酒精灯的灯心上放一些食盐，食盐受热分解就会产生钠气），然后用分光镜来观察，就会看到在连续光谱的背景中有两条挨得很近的暗线（见彩图8．分光镜的分辨本领不够高时，只能看见一条暗线）．这就是钠原子的吸收光谱．值得注意的是，各种原子的吸收光谱中的每一条暗线都跟该种原子的发射光谱中的一条明线相对应．这表明，低温气体原子吸收的光，恰好就是这种原子在高温时发出的光．因此，吸收光谱中的谱线（暗线），也是原子的特征谱线，只是通常在吸收光谱中看到的特征谱线比明线光谱中的少光谱分析光谱分析由于每种原子都有自己的特征谱线，因此可以根据光谱来鉴别物质和确定它的化学组成．这种方法叫做光谱分析．做光谱分析时，可以利用发射光谱，也可以利用吸收光谱．这种方法的优点是非常灵敏而且迅速．某种元素在物质中的含量达10-10克，就可以从光谱中发现它的特征谱线，因而能够把它检查出来．光谱分析在科学技术中有广泛的应用．例如，在检查半导体材料硅和锗是不是达到了高纯度的要求时，就要用到光谱分析．在历史上，光谱分析还帮助人们发现了许多新元素．例如，铷和铯就是从光谱中看到了以前所不知道的特征谱线而被发现的．光谱分

中科院各大研究所

中国科学院数学与系统科学研究院 *中国科学院数学研究所 *中国科学院应用数学研究所 *中国科学院系统科学研究所 *中国科学院计算数学与科学工程计算研究所中国科学院物理研究所中国科学院理论物理研究所中国科学院高能物理研究所中国科学院力学研究所中国科学院声学研究所中国科学院理化技术研究所中国科学院化学研究所中国科学院生态环境研究中心中国科学院过程工程研究所中国科学院地理科学与资源研究所中国科学院国家天文台 *中国科学院云南天文台 *中国科学院乌鲁木齐天文工作站 *中国科学院长春人造卫星观测站 *中国科学院南京天文光学技术研究所中国科学院遥感应用研究所中国科学院地质与地球物理研究所中国科学院古脊椎动物与古人类研究所中国科学院大气物理研究所中国科学院植物研究所中国科学院动物研究所中国科学院心理研究所中国科学院微生物研究所中国科学院生物物理研究所中国科学院遗传与发育生物学研究所 *中国科学院遗传与发育生物学研究所农业资源研究中心（原中国科学院石家庄农业资源研究所）中国科学院计算技术研究所中国科学院软件研究所中国科学院半导体研究所中国科学院微电子研究所中国科学院电子学研究所中国科学院自动化研究所中国科学院电工研究所中国科学院工程热物理研究所中国科学院空间科学与应用研究中心中国科学院自然科学史研究所中国科学院科技政策与管理科学研究所

中国科学院光电研究院北京基因组研究所中国科学院青藏高原研究所国家纳米科学中心院直属事业单位（京外）中国科学院山西煤炭化学研究所中国科学院沈阳分院中国科学院大连化学物理研究所中国科学院金属研究所中国科学院沈阳应用生态研究所中国科学院沈阳自动化研究所中国科学院海洋研究所青岛生物能源与过程研究所(筹) 烟台海岸带可持续发展研究所（筹）中国科学院长春分院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院长春应用化学研究所中国科学院东北地理与农业生态研究所 *中国科学院东北地理与农业生态研究所农业技术中心（原中国科学院黑龙江农业现代化研究所）中国科学院上海分院中国科学院上海微系统与信息技术研究所中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海有机化学研究所中国科学院上海应用物理研究所（原子核研究所）中国科学院上海天文台中国科学院上海生命科学院 *生物化学与细胞生物学研究所 *神经科学研究所 *药物研究所 *植物生理生态研究所 *国家基因研究中心 *健康科学研究中心 *中国科学院上海生命科学信息中心 *营养科学研究所 *中国科学院上海生物工程研究中心中国科学院上海巴斯德研究所（筹）中国科学院福建物质结构研究所中国科学院城市环境研究所中国科学院宁波材料技术与工程研究所(筹) 中国科学院南京分院

半导体研究所关于人才引进的几项具体措施

中国科学院半导体研究所文件半发人教字[2006]10号半导体研究所关于人才引进的几项具体措施所属各单位：为贯彻落实《半导体研究所知识创新三期方案》和《半导体研究所关于知识创新（三期）人员聘用等工作的指导意见》（半发人教字[2006]7号），有效引进高素质科技人才，以建立适应研究所三期创新任务的科研团队，达到创新三期的科技队伍建设目标，现将研究所为引进“百人计划”等人才采取的措施明确如下：一、科研经费及补贴对以“百人计划”方式引进的人才，由研究所和引进人才的实体共同提供相应的科研经费。并每月发给补贴。被引进人才申请到院“百人计划”择优支持后，按照院规定执行。二、科研条件研究所现有技术手段、平台均可为引进人才的科研工作提供所需要的服务。三、队伍配备、研究生培养为引进人才配备相应的科研团组，并为其招录硕、博士研究生提

供帮助（协助申请导师资格）。四、配偶的工作、子女入学积极向有关方面、单位推荐引进人才的配偶，协助其落实工作单位。帮助引进人才的子女联系就读学校。五、住房（一）可视具体情况通过购买研究所经济适用房、租赁研究所周转房、领取住房补贴等方式解决住房问题。（二）“百人计划”引进人才未获得院择优期间，由所提供周转房。超过期限未能得到院择优支持的，比照研究所内同类人员的住房政策执行。（三）“百人计划”引进人才获得院择优及基本建设费支持后，可以选择以下方式之一： 1、由研究所无偿提供在“百人计划”执行期间的住房，“百人计划”执行期结束离所时搬出；如被所继续聘用，在聘用关系存续期间，可由研究所继续提供免费住房。 2、购买所内经济适用房，在附加“百人计划”执行期结束后在所工作年限等其他限制条件后，按照院拨基本建设费额的一定比例发给补贴； 3、自行解决住房，在附加“百人计划”执行期结束后在所工作年限等其他限制条件后，按照院拨基本建设费的若干倍发给补贴。

中科院半导体所科技成果——基于人脸识别的身份认证系统

中科院半导体所科技成果——基于人脸识别的身份认证系统项目成熟阶段生长期项目来源863计划、基金重大研究计划成果简介本项目的核心技术“低数据量人脸认证技术”是在国家863计划、国家自然科学基金重大研究计划等项目的支持下，基于高维形象几何分析方法，自主创新的一种仿生人脸认证技术。本技术可以将人脸特征信息有效表达为48个字节，远远低于国际传统人脸识别技术所需的特征数据量（1k字节以上），拥有全球唯一可以存储于磁卡、条形码等低容量介质的人脸认证核心技术。人脸认证系统样机技术特点人脸特征信息量：<50Byte；人脸检测准确率：>99.0%；

双眼定位准确率：>99.0%；人脸认证等错率：<2.0%；人脸特征比对速率：>10000次/秒；人脸姿态适应范围：深度旋转±10°，俯仰±10°。专利情况非划分的仿生模式识别方法，ZL02145891.X；基于人类视觉模拟的计算机人脸定位方法，ZL200810105764.1。市场分析进入21世纪后，由于国际反恐、互联网应用等因素的推动，在全球范围内，生物特征识别技术（包括人脸识别、指纹识别、虹膜识别等）得到了更加广泛的应用。IBG（国际生物识别集团）发布的2009-2014年度报告中预测，全球生物特征识别市场规模到2014年将超过93亿美元。本项目首创的超低数据量人脸特征表达技术，可以将人脸特征信息有效表达为48个字节，远远低于国际传统人脸识别技术所需的数据量（1K字节以上）。因此，本项目可进一步拓展人脸识别技术在磁卡、条形码、RFID等低容量介质中的应用，基于数据库认证时可极大地提高网络传输效率和比对速度，具有广阔的市场前景。合作方式技术转让、技术入股产业化所需条件场地：约500平米；资金投入：约2000万元人民币；技术开发人员：约10-15人。

红外吸收光谱解析及应用电子教案.

《仪器分析》教案内容谱图解析方法及示例定量分析方法教学重点对已知物的定性分析教学难点红外谱图的解析对未知物的定性分析参考资料仪器分析,黄一石,化学工业出版社仪器分析,高晓松,科学出版社分析化学(仪器分析部分),林树昌,曾泳怀,高等教育出版社一、红外光谱法对样品进行定性分析定性分析主要用于 1、定性前的准备工作 (1)试样的分离和精制用各种分离手段（如分馏、萃取、重结晶、层析等）提纯未知试样，以得到单一的纯物质。 (2)收集未知试样的有关资料和数据了解试样的来源、元素分析值、相对分子质量、熔点、沸点、溶解度、有关的化学性质，以及紫外吸收光谱、核磁共振波谱、质谱等。 2、对已知物的定性分析对比法：将试样的红外谱图与纯物质的标准谱图进行对照即可。如果两张谱图各吸收峰的位置和形状完全相同，峰的相对吸收强度也一致，就可初步判定该样品即为该种纯物质；相反，如果两谱图各吸收峰的位置和形状不一致，或峰的相对吸收强度也不一致，说明样品与纯物质不为同一物质，或样品中含有杂质。最常见的标准谱图有3 种，即萨特勒标准红外光谱集（Sadtler，ca talog of infrared standard spectra）、分子光谱文献“DMS”（documentation of molecular spectroscopy）穿孔卡片和ALDRICH 红外光谱库（The Aldrich Library of

4、谱图解析步骤 (1)准备工作 (2)确定未知物的不饱和度表示有机分子中碳原子的不饱和程度。 (3)谱图解析谱图解析的一般程序: 一种是按光谱图中吸收峰强度顺序解析，即首先识别特征区的最强峰，然后是次强峰或较弱峰，它们分别属于何种基团，同时查对指纹区的相关峰加以验证，以初步推断试样物质的类别，最后详细地查对有关光谱资料来确定其结构；另一种是按基团顺序解析，即首先按C=O 、O-H 、C-O 、C=C （包括芳环）、N 和—NO2等几个主要基团的顺序，采用肯定与否定的方法，判断试样光谱中这些主要基团的特征吸收峰存在与否，以获得分子结构的概貌，然后查对其细节，确定其结构。红外光谱图的解析示例：烷烃、烯烃、.醇、醛、酮、羧酸及其衍生物 5、红外谱图解析示例例1:某未知物的分子式为C3H6O,测得红外光谱图如下图所示，试推测其化学结构式。43111()2 U n n n =++-01245U U U U U =?=?=?+=?=?+分子中无双键或环状结构分子中可能含一个双键或一个环分子中可能含两个双键，或一个双键环，或一个叁键分子中可能含苯环分子中可能含苯环一个双键

中科院半导体所研究生奖助学金实施办法

附件1：中科院半导体所研究生奖助学金实施办法为明确并规范我所研究生奖助学金体系，更好地培养优秀人才，参照教育部、财政部的有关文件精神以及中科院研究生院下发的《关于研究生奖助学金管理的指导意见》，结合我所实际情况，现对我所研究生奖助体系进行调整，具体办法如下：一、奖助体系调整的指导原则奖助学金的调整，以在保证研究生基本生活需要的基础上，进一步鼓励先进、激发创新，实现劳酬结合为原则，同时强化研究生的职责义务意识，促进研究生培养质量的不断提高。二、奖助体系的构成奖助学金的构成，主要由普通奖助金、等级奖学金、助研奖学金构成。奖助学金的设立，分为博士生和硕士生两个层次。三、奖助体系的执行标准及支付渠道 1、普通奖助金普通奖助金由中国科学院负责筹措，面向1-3年级在读的研究生，作为院提供研究生学习和生活的基础保障；执行全院统一标准，按照学籍进行核准，通过研究生部按照标准进行发放。标准为：

第4年级及以上的研究生（硕博连读生按转博之后起算）的普通奖助金，中科院不再负责提供；对于能够正常履行学习工作职责的该类研究生，由导师根据实际情况设定标准并负责支付。 2、等级奖学金等级奖学金面向在读研究生设立，由研究所和导师共同筹集，具体筹集办法以“关于下发《研究生奖助学金实施办法》的通知”第2条规定为准。具体发放标准为对于学习工作不努力且屡教不改、或有违规违法行为的研究生，等级奖学金可予以核减或停发。 3、助研奖学金助研奖学金面向参与科研工作的研究生设立，由导师支付，由导师按照规定从研究课题经费中列支发放。助研奖学金与科研任务相挂钩，导师应将岗位职责进行明确，研究生向导师提出助研岗位申请，双方同意后共同签署助研岗位任务书（见附件2）。受聘助研岗位的研究生，须按岗位职责要求完成工作任务，接受考核。对于工作任务完成不好的研究生，助研奖学金应予减发；对于不能履行岗位职责的研究生，助研奖学金应予停发。该项奖学金的参考标准为：