半导体制造工艺教案8-刻蚀
授课主要内容或板书设计
课堂教学安排
干法刻蚀与湿法刻蚀效果的比较
干法刻蚀的应用
8.3.1介质膜的刻蚀
集成电路工艺中所广泛用到的介质膜主要是SiO2膜及Si3N4膜。
等离子体扩散腔外围磁场
CF4中加入氧后，氧会和CF4反应释放出
原子的含量，则增加了Si与SiO2的刻蚀速率，并消耗掉部分，使得等离子体中碳与氟的比例下降。
反应气体在目前的半导体刻蚀制备中，大多数的干法刻蚀都采用与氯气所混合的等离子体来进行SiO2的刻蚀。
氮化硅(Si3N4)的干法刻蚀
圆筒形结构示意图
光学放射频谱分析光学放射原理光学放射频谱分析
机械制造工艺基础教案
福建省莆田市技工学校课时授课计划 （2007－2008学年度第1学期） 课程名称：机械制造工艺基础任课教师：方建忠 福建省劳动和社会保障厅制
绪论 一、机械制造工艺基础 机械制造工艺是是各种机械的制造方法和过程的总称。它是一门研究机械制造工艺方法和工艺过程的技术学科，涉及将原材料转变为成品的各种劳动，主要有：生产技术准备、毛坯制造、零件加工、装配和试验以及产品检测等。 二、课程的性质和任务 机械制造工艺基础是机械类通用工种的专业基础课，主要讲授机械制造工艺的基础知识，内容包括：毛坯制造工艺、切削加工工艺和机械加工工艺规程制订等三部分。 本课程学习的基本要求是： （1）以机械制造工艺过程为主线，了解毛坯制造、零件切削加工的各主要工种的工作内容、工艺特点、工艺装 备和应用范围等基础知识； （2）一般了解各工种主要设备（包括附件、工具）的基本工作原理和使用范围； （3）初步掌握选择毛坯和零件加工方法的基本知识； （4）初步掌握确定常见典型零件加工工艺过程的基本知识； （5）了解装配的基本知识和典型机械、部件的装配方法。 三、生产过程概述 机械制造工艺过程一般是： 铸造、锻压或焊接切削加工和热处理装配和试验 金属材料毛坯零件机械 1、生产过程与工艺过程 （1）生产过程：指将原材料转变为成品的全过程。不仅包括直接作用到生产对象上去的工作，还包括生产准备工作和生产辅助工作。 （2）工艺过程：指改变生产对象的形状、尺寸及相对位置和性质等，使其成为成品或半成品的过程。包括毛坯制造、零件加工、热
处理，以及产品的装配和试验等。 （3）生产过程与工艺过程的关系如下： 工艺规程编制及材料定额的制定 生产准备过程夹、刀、量具设计制造或购置 机床设备的设计制造或购置 焊接工艺过程 生产过程工艺过程机械加工工艺过程 热处理、表面处理工艺过程 工具的修磨和修理 生产辅助过程机床设备的维修及保管 成本核算及统计 销售与服务 2、工艺规程 （1）工艺文件与工艺规程：指导工人操作和用于生产、工艺管理等的各种技术文件称为工艺文凭。 工艺规程是规定产品或零冶叶倡条制造工艺过程和操作方法等的工艺文凭。 （2）工艺规程的重要性：在正常条件下，必须按照工艺规程组织生产，以建立和保持正常的生产秩序。工艺规程是各项生产组织和管理工作的基本依据，是全体有关生产人员必须认真贯彻和严格执行的纪律性文件。
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅 片的清洗。超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。CSQ 系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。CSQ 系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。恒威公司生产CSQ 系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT 模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。 纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。 净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI 装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV 紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。 风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统, 组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广 泛用于微电子医院制药生化制品食品卫生精细化工精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用 防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备. 抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。化学机械抛光时，旋转的工件以一定的压力压在旋转的抛光垫上，而由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的抛光液在工件与抛光垫之间流动，并产生化学反应，工件表面形成的化学反应物由磨粒的机械作用去除，即在化学成膜和机械去膜的交替过程中实现超精密表面加工，人们称这种CMP 为游离磨料CMP 。 电解抛光电化学抛光是利用金属电化学阳极溶解原理进行修磨抛光。将电化学预抛光和机械精抛光有机的结合在一起，发挥了电化学和机构两类抛光特长。它不受材料硬度和韧性的限制，可抛光各种复杂形状的工件。其方法与电解磨削类似。导电抛光工具使用金钢石导电锉或石墨油石，接到电源的阴极，被抛光的工件（如模具）接到电源的阳极。 光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发 单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠氮醌类化合
机械制造工艺基础复习题及答案
《机械制造工艺基础》复习题 第1章 切削与磨削过程 一、单项选择题 1、金属切削过程中，切屑的形成主要是（ 1 ）的材料剪切滑移变形的结果。 ① 第Ⅰ变形区 ② 第Ⅱ变形区 ③ 第Ⅲ变形区 ④ 第Ⅳ变形区 2、在正交平面内度量的基面与前刀面的夹角为（ 1 ）。 ① 前角 ② 后角 ③ 主偏角 ④ 刃倾角 3、切屑类型不但与工件材料有关，而且受切削条件的影响。如在形成挤裂切屑的条件下，若加大前角，提高切削速度，减小切削厚度，就可能得到（ 1 ）。 ① 带状切屑 ② 单元切屑 ③ 崩碎切屑 ④ 挤裂切屑 4、切屑与前刀面粘结区的摩擦是（ 2 ）变形的重要成因。 ① 第Ⅰ变形区 ② 第Ⅱ变形区 ③ 第Ⅲ变形区 ④ 第Ⅳ变形区 5、切削用量中对切削力影响最大的是（ 2 ）。 ① 切削速度 ② 背吃刀量 ③ 进给量 ④ 切削余量 6、精车外圆时采用大主偏角车刀的主要目的是降低（ 2 ）。 ① 主切削力F c ② 背向力F p ③ 进给力F f ④ 切削合力F 7、切削用量三要素对切削温度的影响程度由大到小的顺序是（ 2 ）。 ① f a v p c →→ ② p c a f v →→ ③ c p v a f →→ ④ c p v f a →→ 8、在切削铸铁等脆性材料时，切削区温度最高点一般是在（ 3）。 ① 刀尖处 ② 前刀面上靠近刀刃处 ③ 后刀面上靠近刀尖处 ④ 主刀刃处 (加工钢料塑性材料时，前刀面的切削温度比后刀面的切削温度高，而加工铸铁等脆性材料时，后刀面的切削温度比前刀面的切削温度高。因为加工塑性材料时，切屑在前刀面的挤压作用下，其底层金属和前刀面发生摩擦而产生大量切削热，使前刀面的温度升高。加工脆性材料时，由于塑性变形很小，崩碎的切屑在前刀面滑移的距离短，所以前刀面的切削温度不高，而后刀面的摩擦产生的切削热使后刀面切削温度升高而超过前刀面的切削温度。) (前刀面和后刀面上的最高温度都不在刀刃上，而是离开刀刃有一定距离的 地方。切削区最高温度点大约在前刀面与切屑接触长度的一半处，这是因为切屑在第一变 形区加热的基础上，切屑底层很薄一层金属在前刀面接触区的内摩擦长度内又经受了第二 次剪切变形，切屑在流过前刀面时又继续加热升温。随着切屑沿前刀面的移动，对前刀面 的压力减小，内摩擦变为外摩擦，发热量减少，传出的热量多，切削温度逐渐下降。) 9、积屑瘤是在（ 1 ）切削塑性材料条件下的一个重要物理现象。 ① 低速 ② 中速 ③ 高速 ④ 超高速 10、目前使用的复杂刀具的材料通常为（ 4）。 ① 硬质合金 ② 金刚石 ③ 立方氮化硼 ④ 高速钢
半导体工艺流程
1清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由 于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水; 且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即米用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1-6所示。 图1-6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2 T SiO2
3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 —2P+3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶 和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的方法就
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)
常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）
机械制造工艺基础第六版教案9-4
1、检查学生出勤情况和学习用具准备情况。 2、安定课堂秩序，集中学生注意力。 齿轮的齿廓（齿形曲线）有渐开线、摆线、圆弧等。最常用的是渐开线齿廓。齿轮的加工可分为齿坯加工和齿面加工两个阶段。齿面加工则分为成形法和展成法两类。 §9-4齿面的切削加工 一、齿面的加工方法 1．齿面的成形法加工 成形法——利用成形刀具对工件进行加工的方法。 ●铣齿 ●成形插齿 ●拉齿 ●成形磨齿 成形法制造的齿轮精度较低，只能用于低速传动。 铣齿——用成形齿轮铣刀（盘状或指状模数铣刀）在铣床上直接切制一、组织教学（约2分钟） 二、复习导入（约10分钟） 以提问的形式检查学生上次课学习效果。 三、讲授新课 （约70分钟） 重点内容多媒体演示铣床，直观生动激发学生学习兴趣。
轮齿的方法。 铣齿的加工特点：●加工方便，生产成本低。 ●铣齿生产率低。 多媒体演示铣床，直观生动激发学生学习兴趣。
●铣齿的精度较低，一般铣制齿轮的精度只为10～9级。 2．齿面的展成法加工 （1）展成原理 展成法——利用工件和刀具作展成切削运动进行加工的方法。 原理：利用齿轮副的啮合运动实现齿廓的切削。将齿轮副中的一个齿轮制成具有切削能力的齿轮刀具，另一个齿轮换成待加工的齿坯，由专用的齿轮加工机床提供并实现齿轮副的啮合运动。 齿条刀具与齿坯的啮合运动，即齿条刀具沿着齿坯滚动（在分度圆上作无相对滑移的纯滚动），随着齿条刀具的切削刃不断变更位置而逐层切除齿坯金属，在齿坯上生成齿廓。 （ 2）齿面的展成加工方法●滚齿 ●插齿 ●剃齿 ●珩磨齿或剃齿 ●磨齿 多媒体演示铣床，直观生动激发学生学习兴趣。
机械制造工艺基础电子教案
机械制造工艺基础课程标准 1．概述 《机械制造工艺基础》是一门重要的技术基础课，它是将原材料或毛坯转变成零件的应用工艺技术课程。注重学生获取知识能力的培养、试图帮助学生将所学其他相关课程的知识与本门课程融合在一起，体现了工艺内容的综合性、灵活多变性，拓展的知识面广。 1.1课程性质 本课程是中等职业学校机械类专业的一门重要技术基础课。它有机地将《金属切削原理与刀具》、《金属切削机床》、《机床夹具》、《机械制造工艺学》等几门传统的专业课融合为一体。在提高学生全面综合素质和综合职业能力及适应职业变化能力中起到基础作用，它是技术性、工程性和实践性很强的一门课。 先修课程：《机械制图》、《机械基础》、《极限配合与技术测量》 1.2课程对应的职业岗位 机械专业的毕业生主要面向机械产品的生产制造企业、销售企业等。可从事的工作有：生产设备操作工、编程员、机械维修工、工艺员、绘图员、检验员、技术管理等一线技术工作。 1.3课程目标 使学生掌握机械制造工艺基础的基本知识，获得机械制造工艺的理论与实践能力；培养学生分析问题和解决问题的能力；使其形成良好的学习习惯，具备继续学习专业技术的能力；对学生进行职业意识培养和职业道德教育，使其形成严谨、敬业的工作作风，为今后解决生产实际问题和职业生涯的发展奠定基础。 具体目标 1.专业能力目标 通过学习使学生对机械产品的生产过程和制作过程有一定的了解。熟知机械加工中各种机床的主要性能、参数和用途；掌握常用加工方法及加工方案的选择；切削加工零件结构工艺性、机械加工工艺过程；能编写简单工件的加工工艺说明；能熟知钳工装配的基本知识。 2.方法能力目标 （1）具有较好的表达能力和沟通能力； （2）具备终生学习、分析问题和解决问题的能力； 3.社会能力目标 （1）具有良好的职业道德及爱国创业精神； （2）具有良好的团队协作精神； （3）具有目标追求毅力。（包括职业定位、个人规划、挫折承受力等专业必备素质）
半导体的生产工艺流程
半导体的生产工艺流程 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术 (silicon-basedmicromachining)，原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(cleanroom)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class10为例，意谓在单位立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后头数字越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下： 1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型 鼓风机，将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。 2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统 中。换言之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。 3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆 放调配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。 4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。 5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴(airshower)的程序，将表面粉尘 先行去除。 6、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人 员穿戴无尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触(在次微米制程技术的工厂内，工作人员几乎穿戴得像航天员一样。)当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。 7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DIwater,de-ionizedwater)。 一则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半(MOS)晶体管结构之带电载子信道(carrierchannel)，影响半导体组件的工作特性。去离子水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至 17.5MΩ-cm以上才算合格；为此需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与 UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！ 8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使 用氮气(98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！以上八点说明是最基本的要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔
机械制造工艺基础(第五版)教案
绪论 一、机械制造工艺基础 机械制造工艺是是各种机械的制造方法和过程的总称。它是一门研究机械制造工艺方法和工艺过程的技术学科，涉及将原材料转变为成品的各种劳动，主要有：生产技术准备、毛坯制造、零件加工、装配和试验以及产品检测等。
二、课程的性质和任务 机械制造工艺基础是机械类通用工种的专业基础课，主要讲授机械制造工艺的基础知识，内容包括：毛坯制造工艺、切削加工工艺和机械加工工艺规程制订和装配四部分。 本课程学习的基本要求是： （1）以机械制造工艺过程为主线，了解毛坯制造、 零件切削加工的各主要工种的工作内容、工艺 特点、工艺装备和应用范围等基础知识； （2）一般了解各工种主要设备（包括附件、工具） 的基本工作原理和使用范围； （3）初步掌握选择毛坯和零件加工方法的基本知 识； （4）初步掌握确定常见典型零件加工工艺过程的 基本知识； （5）了解装配的基本知识和典型机械、部件的装配 方法。 三、生产过程概述 机械制造工艺过程一般是： 铸造、锻压或焊接切削加工和热处理装配和试验 金属材料毛坯零件机械 1、生产过程与工艺过程 （1）生产过程：指将原材料转变为成品的全过程。不仅包括直接作用到生产对象上去的工作，还包括生产准备工作和生产辅助工作。 （2）工艺过程：指改变生产对象的形状、尺寸及相对位置和性质等，使其成为成品或半成品的过程。包括毛坯制造、零件加工、热处理，以及产品的装配和试验等。
（3）生产过程与工艺过程的关系如下： 产品设计 工艺规程编制及材料定额的制定 生产准备过程夹、刀、量具设计制造或购置 机床设备的设计制造或购置 生产计划的制定 铸造工艺过程 焊接工艺过程 生产过程工艺过程机械加工工艺过程 热处理、表面处理工艺过程 装配、试车工艺过程 原材料购置及保管 工具的修磨和修理 生产辅助过程机床设备的维修及保管 成本核算及统计 销售与服务 2、工艺规程 （1）工艺文件与工艺规程：指导工人操作和用于生产、工艺管理等的各种技术文件称为工艺文凭。 工艺规程是规定产品或零冶叶倡条制造工艺过程和操作方法等的工艺文凭。 （2）工艺规程的重要性：在正常条件下，必须按照工艺规程组织生产，以建立和保持正常的生产秩序。工艺规程是各项生产组织和管理工作的基本依据，是全体有关生产人员必须认真贯彻和严格执行的纪律性文件。
半导体工艺干法刻蚀铝刻蚀
干法刻蚀之铝刻蚀 在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀，可以严格控制纵向和横向刻蚀。 干法的各向异性刻蚀，可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指，与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部，表面的原子键被破坏，扩散至此的自由基很容易与其发生反应，使得这个方向的刻蚀得以持续进行。与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整，从而形态得到保护。侧壁钝化机制是指，刻蚀反应产生的非挥发性的副产物，光刻胶刻蚀产生的聚合物，以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待刻蚀物质表面形成钝化层。图形底部受到离子的轰击，钝化层会被击穿，露出里面的待刻蚀物质继续反应，而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击，阻止了这个方向刻蚀的进一步进行。 在半导体干法刻蚀工艺中，根据待刻蚀材料的不同，可分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。金属刻蚀又可以分为金属铝刻蚀、金属钨刻蚀和氮化钛刻蚀等。目前，金属铝作为连线材料，仍然广泛用于DRAM和flash等存储器，以及0.13um 以上的逻辑产品中。本文着重介绍金属铝的刻蚀工艺。
金属铝刻蚀通常用到以下气体：Cl2、BCl3、Ar、 N2、CHF3和C2H4等。Cl2作为主要的刻蚀气体，与铝发生化学反应，生成的可挥发的副产物AlCl3被气流带出反应腔。BCl3一方面提供BCl3＋，垂直轰击硅片表面，达到各向异性的刻蚀。另一方面，由于铝表面极易氧化成氧化铝，这层自生氧化铝在刻蚀的初期阻隔了Cl2和铝的接触，阻碍了刻蚀的进一步进行。添加BCl3 则利于将这层氧化层还原（如方程式1），促进刻蚀过程的继续进行。 Al2O3 + 3BCl3→ 2AlCl3 + 3BOCl （1） Ar电离生成Ar＋，主要是对硅片表面提供物理性的垂直轰击。 N2、CHF3和C2H4是主要的钝化气体，N2与金属侧壁氮化产生的AlxNy，CHF3和C2H4与光刻胶反应生成的聚合物会沉积在金属侧壁，形成阻止进一步反应的钝化层。 一般来说，反应腔的工艺压力控制在6-14毫托。压力越高，在反应腔中的Cl2浓度越高，刻蚀速率越快。压力越低，分子和离子的碰撞越少，平均自由程增加，离子轰击图形底部的能力增强，这样刻蚀反应速率不会降低甚至于停止于图形的底部。 目前金属刻蚀机台广泛采用双射频功率源设计，如应用材料公司DPS（decouple plasma source）金属刻蚀机台。偏置功率用来加速正离子，提供垂直的物理轰击，源功率
机械制造工艺基础知识
机械制造工艺的基本知识 机械制造是一个非常广泛的技术领域，我们日常生活所见的各种交通车辆、大小船舰、农业机械、食品机械乃至许多瓢、盆、碗、罐等等都是机械制造的结果——产品。人们从事怎样高质量高效率地使用机械做出产品的全过程中所掌握和研究开发的技术，就是机械制造工艺。 机械制造工艺通常可分为下面几类： 1、铸造 把钢、铁、铝、铜等所需要的原材料，加热到它们的熔点后浇注入模型内，使之成为产品或者还需后续加工的坯件。 2、锻造 把钢或特殊的铁、铝加热到它们的塑性非常好的状态，使加压力，使之成为所需的形状。 3、冲压 把厚度不大的钢板、铝板、铜板等到置于模具上，对其较快的冲击加压，使之成为固定形状的零件或产品，例如车壳、罐件。 4、轧制和拉拔 对初具所需形状的零件或材料，对其施加作用力而通过模具，使它们成为比较精密的零件（或产品）。这类方法中，有的是在加热状态下操作的，统称为热轧。有的是在常温下操作的，称为冷轧（冷挤）和冷拨。 5、热处理 在零件加工过程中的某一阶段，对其进行不同程度的加热及不同速度的冷却，甚至零下数摄氏度的冷冻，改变材料的内部组织和表面硬度等到机械性能，提高它的使用性能。 6、切削加工（统称冷加工） 切削加工是当前最普遍的机械制造工艺，它们的方法很多。从基本方法来区分，常见的有以下几种： 6.1车削
在车床上使装夹的工件旋转，利用刀具切去工件上多余的材料。一般情况下加工那些形状比较规则的圆柱面（和孔）、、环形槽沟、螺纹。在技巧和夹具的辅助下，也可以切削球形、鼓状和凸轮件。尤其带有计算机的车床（常称为程序控制车床）可以加工较复杂形状的零件，且效率也较高。 6.2刨削 在刨床上，由刀具的直线（相对）移动，刨掉零件上多余材料。机床动作的规律性强，且由于它的切削力大，加工效率较高。另外还因刨削的刀具一般比较简单，生产成本就比较低。 6.3铣削 在铣床上，使用旋转的刀具进行切削。因为配有几种附件，可以用来改变刀具或被加工件的装夹方式，所以能加工形状复杂的零件。也能加工齿轮。铣削的操作要求较高，尤其需要配置的刀具等附加设施多，它的运行成本较高。 6.4磨削 在磨床上，使用高速旋转的砂轮对零件实施加工。砂轮是由一定大小的硬颗粒材料粘结而成，它们的许多棱角密集排列形成切削刃口，所以经过磨削的表面非常光整，甚至可达到镜面状态。它的切削量很小，是一种精密加工，通常磨削平面、圆柱体内、外面，圆锥体或螺旋面等，有时候也能加工特殊形状表面。 6.5拉削 在拉床上，使用专门设计的长条状刀具的直线运行进行切削，最常见的是用来加工槽、多种形状的孔等。机床动作的规律性强，但由于刀具比较昂贵，加工成本较高。 6.6 齿轮加工的常见工艺 齿轮加工是我们中马机械有限公司最基本的任务，其它的机械工艺都围绕着完成高质量的齿轮产品。 目前常见的齿轮加工方法有： 6.6.1滚齿 在滚齿机上，装夹牢固的坯件一边旋转，一边由螺旋状的刀具旋转和
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
最新机械制造工艺基础教案3
江苏省技工院校 教案首页 课题：§1-2 砂型铸造（二） 教学目的要求： 1. 如何造芯；2. 如何设置浇注系统和冒口、完成合型 3.了解几种特种铸造的工艺特点述。 教学重点、难点：如何设置浇注系统和冒口、完成合型 授课方法：讲授法、研讨法、视听法 教学参考及教具（含多媒体教学设备）：参考：《工程材料与机械制造基础》齐乐华主编；教具：多媒体 授课执行情况及分析： 板书设计或授课提纲
组织教学 点名考勤、稳定学生情绪、宣布上课。 复习旧课 1．铸造定义： 答案：将液态金属浇注到具有与零件形状、尺寸相适应的铸型型腔中，待其冷却凝固，以获得毛坯或零件的生产方法，称为铸造。 2. 砂型铸造的工艺过程 答案：砂型铸造工艺过程：制造模样、制备造型材料、造型、造芯、合型、金属熔炼、浇注、冷却、落砂、清理及铸件检验等组成。 导入新课 通过上次课的学习，砂型制作过程中只是刚刚开始，后续工作还有哪些呢？今天我们继续学习。 讲授新课 §1-2砂型铸造（二） 3、造型 1、定义：用造型混合料及模样等工艺装备制造铸型的过程称为造型。 2、分类：分为手工造型、机器造型和自动化造型。 3、手工造型： ⑴定义：全部用手工或手动工具完成的造型工序。 ⑵特点：手工造型操作灵活、适应性广、工艺装备简单、成本低，但其铸件质量不稳定、生产率低、劳动强度大、操作技艺要求高。 ⑶造型方法及特点P8-9
教师活动内容学生活动内容时间4、机器造型： ⑴机器造型定义：指用机器全部完成或至少完成紧砂操作的造型工序。 ⑵紧砂定义：提高砂箱内的型砂和芯盒内的芯砂紧实度的操作。 ⑶紧砂常用的方法：压实法、震实法、抛砂法。 5、自动化造型： ⑴自动化造型定义：P111 ⑵自动化造型特点（优点、缺点）： ⑶适用范围：适用于大批量生产和流水线生产。 4、造芯 1、造芯及其分类： ⑴定义：制造型芯的过程。 ⑵作用/目的：是为了获得铸件的内孔或局部外形，用芯砂或其他材料制成的安放在型腔内部的铸型组元。 ⑶分类：手工造芯和机器造芯。 ⑷手工造芯的方法：为芯盒造芯。 a）芯盒的装配 b）取芯 ⑸机器造芯利用造芯机来完成填砂、紧砂和取芯的。 2、烘干与刷涂料 ⑴烘芯定义： ⑵烘芯目的：提高………，减少………。 5、合型 1、定义：将铸型的各个组元如上型、下型、型芯、浇口盆等组合成一个完整铸型的操作过程（又称合箱）。 2、合型过程： ⑴合型前： ⑵合型时： ⑶合型后：根据教师引导，列 举事例分析。 根据教师引导，结 合日常生活，列举 事例分析。如：橡 皮泥。 运用生产实例，再 加老师讲解，同学 仔细听讲、观看。 主要目的是增长 学生的见识以及 对造芯的了解。 观看多媒体视频。 观看多媒体浇注 系统模型，可以很 直观的了解浇注 系统的组成结构 及其各部分作用。 5分 5分 5分 5分 5分
机械制造工艺基础第六版教案
一、组织教学（约2分钟） 二、复习导入（约10分钟）以提问的形式检查学生上次课学习效果。 三、讲授新课（约70分钟） 重点内容 多媒体演示气焊的加工视频配合教师详细讲解，直观生动激发学生学习兴趣。 1、检查学生出勤情况和学习用具准备情况。 2、安定课堂秩序，集中学生注意力。 一、电弧引燃两种方式? 引弧的操作方法有直击法和划擦法两种。 二、运条的三种运动方式？ 1、焊条送进运动 2、焊条沿焊接方向移动 3、焊条横向摆动 §3-4气焊与气割 一、气焊 气焊——利用气体火焰作热源的一种熔焊方法。 气焊的原理 1．气焊的设施 气焊常用的可燃气体是乙炔气（C2H2）。 使用的助燃气体是氧气（O2）。
（1）氧气和氧气瓶 1）氧气。氧气是助燃剂，与乙炔混合燃烧时，能产生大量的热量。 2）氧气瓶。氧气瓶是储存高压氧气的圆柱形容器，外表漆成天蓝色作为标志，最高压力为14.7MPa，容积约40L，储气量约6m3。 （2）乙炔和溶解乙炔气瓶 1）乙炔。乙炔是可燃气体，无色，氧乙炔焰是气焊最常用的热源。 2）溶解乙炔气瓶。溶解乙炔气瓶是储存及运输乙炔的专用容器，外表漆成白色，并用红漆在瓶体标注“乙炔”字样。乙炔瓶的最高压力为1.47MPa。 （3）减压器 减压器——是将高压气体降为低压气体的调节装置，其作用是将气瓶中流出的高压气体的压力降低到需要的工作压力，并保持压力的稳定。
重点内容 难点内容 多媒体视频，及其图片演示气焊操作，降低学生理解难度。 （4）焊炬 焊炬——气焊时用于控制火焰并进行焊接的工具。 其作用是使氧气与可燃气体按一定比例混合，再将混合气体喷出燃烧，形成稳定的火焰。 2．氧乙炔焰 1）中性焰 2）碳化焰 3）氧化焰 3．气焊操作工艺 （1）焊前准备 气焊前，应彻底清除焊件接头处的锈蚀、油污、油漆和水分等。 （2）选择焊丝 焊丝在气焊时与熔化的焊件混合形成焊缝金属。常用的气焊焊丝有碳素结构钢焊丝、合金结构钢焊丝、不锈钢焊丝、铜及铜合金焊丝、铝及铝合金焊丝和铸铁焊丝等。 （3）气焊熔剂 是气焊时的助熔剂，其作用是与熔池内的金属氧化物或非金属夹
半导体工艺试卷及答案
杭州电子科技大学研究生考试卷（B卷）
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1、什么是CMOS器件的闩锁效应描述三种阻止闩锁效应的制造技术。（12分） 答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。? 2、为什么要用区熔法生长硅晶体比较FZ和CZ优缺点。（10分） 答：（1）原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内 （2）CZ和FZ区别：CZ是直拉法，就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化，然后采用小的结晶“种子”——籽晶，再慢慢向上提升、结晶，获得大的单晶锭。 （3）CZ和FZ优缺点比较：FZ是水平区域熔化生长法，就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术。直拉法在Si单晶的制备中更为常用，占75％以上。直拉法制备Si单晶的优点是：1）成本低；2）能制备更大的圆片尺寸，6英寸（150mm）及以上的Si单晶制备均采用直拉法，目前直拉法已制备出400mm（16英寸）的商用Si单晶；3）制备过程中的剩余原材料可重复使用；4）直拉法制备的Si单晶位错密度低，0～104cm-2。直拉法制备Si单晶的主要缺点是，由于使用坩埚，Si单晶的纯度不如区熔法。区熔法制备Si单晶的主要优点是，由于不使用坩锅，可制备高纯度的硅单晶，电阻率高达2000Ω-mm，因此区熔法制备的Si单晶主要用于功率器件及电路。区熔法制备Si单晶的缺点是：1）成本高； 3、什么是LOCOS和STI为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS（12分） 答：（1）LOCOS：即“硅的局部氧化”技术（Local Oxidation of Silicon）CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。-常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应”bird beak)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。 STI：浅沟槽隔离(STI)是用于隔绝活动区域的制造方法，它会使实际电流不同于模拟结果。具体情
第7章-机械制造工艺基础考试复习题电子教案
第7章练习题 一、是非题 1、零件的切削加工工艺性反映的是零件切削加工的难易程度。（√） 2、零件的结构工艺性是衡量零件结构设计优劣的指标之一。（√） 3、在单件小批生产中一般采用机械加工艺过程卡片指导生产。（√） 4、定位基准属于工艺设计过程中所使用的一种基准，因此属于设计基准。（×） 5、粗基准是粗加工所使用的基准，精基准是精加工所使用的基准。（×） 6、经济精度指的是在正常工艺条件下，某种加工方法所能够达到的精度。（√） 7、加工顺序的安排仅指安排切削加工的顺序。（×） 8、单件小批生产中倾向于采用工序集中的原则。（√） 9、退火等热处理工序一般安排在半精加工之后、精加工之前进行。（×） 10、箱体类零件的精基准及定位方式一般采用一面两销。（√） 11、热处理前已加工好的中心孔，热处理后必须研磨，以保证定位精度。（√） 12、粗基准是粗加工所使用的基准，精基准是精加工所使用的基准。（×） 13、变速箱体上的Φ50H7Ra0.8μm轴承孔,采用下列方案:钻—扩—粗磨—精磨。（×） 14、在多品种小批量生产中，一般倾向于使用工序分散的原则。（×） 15、有色金属的精加工适合车削和铣削而不适合磨削。（√） 二、选择题 1、下面关于零件结构工艺性论述不正确的是（D ） A．零件结构工艺性具有合理性 B 零件结构工艺性具有综合性C：零件结构工艺性具有相对性D零件结构工艺性具有正确性 2、零件加工时，粗基准一般选择（A） A 工件的毛坯面B工件的已加工表面 C 工件的过渡表面D工件的待加工表面 3、下面对粗基准论述正确的是（C） A 粗基准是第一道工序所使用的基准B粗基准一般只能使用一次 C 粗基准一定是零件上的不加工表面D粗基准是一种定位基准 4、自为基准是以加工面本身为基准，多用于精加工或光整加工工序，这是由于（C） A 符合基准重合原则B符合基准统一原则 C 保证加工面的余量小而均匀D保证加工面的形状和位置精度 5、工艺设计的原始资料中不包括（D） A零件图及必要的装配图B零件生产纲领 C工厂的生产条件D机械加工工艺规程 6、下面（C ）包括工序简图。 A机械加工工艺过程卡片B机械加工工艺卡片 B机械加工工序卡片D机械加工艺卡片和机械加工工序卡片 7、淬火一般安排在（B）。 A毛坯制造之后B磨削加工之前
半导体工艺流程
集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1－6所示。 图1－6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本采用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250℃高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为： Si + O2→SiO2
扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B 2H 6）作为N －源和磷烷（PH 3）作为P +源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH 3 → 2P + 3H 2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀 通过光刻显影后，光刻胶下面的材料要被选择性地去除，使用的基片 涂胶后基片 光刻胶 阻挡层
半导体工艺制造论文
请回答以下问题： 题目：（1）在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理! 题目：（2）在电极形成或布线工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的特性、金属Ti 的相关工艺、以及金属Ti在电路中的作用! 题目：（3）在化学气相淀积反应中低压会带来什么好处? 题目：（4）在光刻胶工艺中要进行，软烘，曝光后烘焙和坚膜烘焙，请详细说明这三步工艺的目的和条件。 题目：（5）请对Si（以一种刻蚀气体为例）和SiO2（以一种刻蚀气体为例）刻蚀工艺进行描述，并给出主要的化学反应方程式。 （每题20分，满分100分） （1）在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理! 答：轻掺杂漏区（LDD）注入用于定义MOS晶体管的源漏区。这种区域通常被称为源漏扩展区。注入使LDD杂质位于栅下紧贴沟道区边缘，为源漏区提供杂质浓度梯度。LDD在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。nMOS和pMOS的LDD 注入需用两次不同的光刻和注入。在源漏区浅结形成的同时MOSFET的栅也被注入。 LDD结构用栅作为掩膜中低剂量注入形成（n-或p-注入），随后是大剂量的源漏注入（n+或p+注入）。源漏注入用栅氧化物侧墙作为掩膜。如果没有形成LDD，在正常的晶体管工作时会在结和沟道区之间形成高电场。电子在从源区向漏区移动的过程中（对n沟道器件）将受此高电场加速成为高能电子，它碰撞产生电子—空穴对。热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱捕获，影响器件的阀值电压控制。 随着栅氧厚度、结深、沟道长度的减小,漏端最大电场强度增大,热载流子效应的影响变大,它对器件的寿命、可靠性等有很大影响。通过分析我们可以看到：LDD结构通过两条途径来抑制热载流子效应：弱化漏端电场和使得漏端最大电场离开栅极。增大注