ST2722半导体粉末电阻率测试仪技术简介
ST2722半导体粉末电阻率测试仪技术简介一、结构特征
ST2722粉末测试系统组成ST2722粉末测试仪测试界面
二、概述
2.1基本功能和依据标准：
ST2722型半导体粉末电阻率测试仪是运用四端子法或四探针法电阻率测试仪与自动化粉末压片机相组合，测试粉末“电阻率-压强”特性曲线的集成化、智能化测量仪器。四端子法符合GB/T24521-2009和YS/T587.6-2006有关国标和行业标准。四探针法符合最新GBT30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》、GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国
A.S.T.M标准。
2.2仪器成套组成：整套仪器有ST2722电阻率测试仪主机和SZ或SD型粉末压片机两大部分以及配套的电脑软件组成。
主机是整个系统电气控制显示核心部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力、厚度显示单元、与PC机通讯单元等组成。
压片机压片机由粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。是粉末压片成型装置，用来装夹粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行压力施加（压片）和自动压力检测、高度检测。（以下简称压片机）。
2.3优势特征：
1)测试仪设计，符合国标和行业规范，国内领先，并获国家专利。专利
号：ZL201220082173.9,有两款如下：
ST2722-SD四端子法符合GB/T24521-2009和YS/T587.6-2006有关国标
和行业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压
表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连
接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊
病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。
ST2722-SZ四探针法测试台设计符合符合最新GBT30835-2014《锂离
子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范，
参照GB/T1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T1552-1995
《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M标准。
2)同步式连续多点测试，高效快捷、准确度高、重复性好。一次装料，电阻
率、压强、高度同步式连续多点测试，可快速绘制粉末“电阻率-压强”曲线。国内
唯一，行业领先，行业推荐粉末电阻率标准测试方式。可避免传统异步式的先压
片脱模后再四探针测试的缺项：误差大，重复性差，直至散
块不能成形无法测试的问题。
3)带智能化电脑软件，可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。
4）USB通讯接口，通用性好、方便快捷。优于RS232或485方式，
这些端口一般电脑都难配了！
5）8档位超宽量程，行业领先。同行一般为五到六档位。
6）可脱电脑单机操作,小型化、手动/自动一体化。操作简便、性能稳
定，所有参数设定、功能转换全部采用数码键盘输入。
7）可拓展功能：压片机可独立当普通压片机用，电阻率测试仪也可以增
配四探针测试台、探头拓展为普通四探针测试仪或电池极片电阻率测试仪。
2.6适用范围：本仪器具有操作简便高效、测量精度高、稳定性好、重
复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特
点！本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门、是检验和分析固态和粉态样品质量的一种重要优良工具。
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三、技术参数
电阻率：10.0×10-6～k×200.0×103Ω-cm分辨率1.0×10-6～0.1×103Ω-cm,k=1～10
3.数字电压表：
⑴量程：10mV～100mV，自动
⑵显示:4位有效数字，最大显示999.9，小数点、单位自动显示
4.数控恒流源8档宽量程
电流输出：系统自动步进调整，直流电流0.1μA，1.0μA，10μA，100μA，1.0mA,10mA,100mA,1.0A共8档可调。
5.粉末测试台部分参数：
（1）试样成份：成份不限，但不得含有对测试台和电极有腐蚀作用的成份。
（2）试样粒度：推荐以40目以下—60目以上（标准筛网），一般其他粒度也
可！（3）料杯容积：截面：S=1.0cm2
高度：0～20mm可调,（4）自
动高度测试单元，测量误差：±0.02mm。
四位有效显示数00.00～20.00mm，分别率±0.02mm。
（5）自动压强测试单元，标准压
=4Mpa±0.05Mpa。
强：P
压强量程：20Mpa,P=0～20Mpa可调。
四位有效显示数00.00～20.00MPa，分别率±0.01MPa。
（6）、压力机构采用手动操作、压力平稳可调。
6.配套PC软件
1USB高速通讯接口。
2带数据库方式存储数据，便于历史查询和第三方软件拓展共享。
3自动生成excel形式的图表结合的测试报告,包含电阻率-压强曲线图形和详细测试数据。
4带测试报告预览、编辑、打印功能。
7.测试仪外形与重量
前宽×长×总高=250mm×220mm×540mm
重量=10Kg
10W
输入:220V±10%50Hz
相对湿度：≥60%
工作室内应无强电磁场干扰，不与高频设备共用电源。
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关于导电性粉末电阻率测试仪详情介绍
关于导电性粉末电阻率测试仪详情介绍 标准满足standard： 1.YST 587.6-2006 炭阳极用煅后石油焦检测方法第6部分粉末电阻率 的测定； 概述Overview： 1.四端测量法. 2.采用4.3吋大液晶屏幕显示. 3.显示电阻值、电阻率、电导率值、温度、压强值、单位自动换算. 4.液压动力（手动）. 5.薄膜按键开关面板，操作简单. 6.中文或英文两种语言操作界. 原理: Principle: 一定量的粉体，在液压动力下压缩体积至设定压力值或压强，无需取出，在线测量粉体电阻、电阻率、电导率，并记录数据. 解决粉体难压片成型或压片取出测量误差.
适用范围：Scope of application 适用于锂电池材料、石墨烯、石墨类、碳素粉末、焦化、石化、粉末冶金、高等院校、科研部门，是检验和分析导电粉末样品质量的一种重要的工具。 型号及技术指标Models and technical indicators：
步骤及流程 1.运行高度清零. 2.将称重样品装入模腔. 3.固定上电极旋钮. 4.在显示器上设置好参数. 5.达到设定压力或压强值. 6.读取样品压缩高度数据并输入.
7.获得电阻、电阻率、电导率数据. 8.记录数据. 9. 样品脱模 7. 测试结束. 优势描述： 1.高性价比机型.数据稳定. 2.可读取粉末高度数据，无需人工测量. 3.可选购PC软件. 4.高精度电阻率测量系统. 5.配置粉体废料收集盘. 6.操作简单. 自动计算出所需数据. 7.经济实惠，功能突出. 8.获得压实后电阻、电阻率、电导率、高度、直径、压强等数据. 整机示意图
四探针法测电阻率
实验 四探针法测电阻率 1．实验目的： 学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。 2．实验内容 ① 硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照 与否），对测量结果进行比较。 ② 薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测 量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。 3． 实验原理： 在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法简便可行，适于批量生产，所以目前得到了广泛应用。 所谓四探针法，就是用针间距约1毫米的四根金属探针同时压在被测样品的平整表面上如图1a 所示。利用恒流源给1、4两个探针通以小电流，然后在2、3两个探针上用高输入阻抗的静电计、电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压，最后根据理论 公式计算出样品的电阻率［１］ I V C 23 =ρ 式中，C 为四探针的修正系数，单位为厘米，C 的大小取决于四探针的排列方法和针距，
探针的位置和间距确定以后，探针系数C 就是一个常数；V 23为2、3两探针之间的电压，单位为伏特；I 为通过样品的电流，单位为安培。 半导体材料的体电阻率和薄层电阻率的测量结果往往与式样的形状和尺寸密切相关，下面我们分两种情况来进行讨论。 ⑴ 半无限大样品情形 图1给出了四探针法测半无穷大样品电阻率的原理图，图中(a)为四探针测量电阻率的装置；(b)为半无穷大样品上探针电流的分布及等势面图形；(c)和(d)分别为正方形排列及直线排列的四探针图形。因为四探针对半导体表面的接触均为点接触，所以，对图１（b ）所示的半无穷大样品，电流I 是以探针尖为圆心呈径向放射状流入体内的。因而电流在体内所形成的等位面为图中虚线所示的半球面。于是，样品电阻率为ρ，半径为r ，间距为dr 的两个半球等位面间的电阻为 dr r dR 2 2πρ = ， 它们之间的电位差为 dr r I IdR dV 2 2πρ= =。 考虑样品为半无限大，在r →∞处的电位为0，所以图１（a ）中流经探针１的电流I 在r 点形成的电位为 ()r I dr r I V r r πρπρ222 1== ? ∞ 。 流经探针１的电流在２、３两探针间形成的电位差为 ()??? ? ??-= 1312123112r r I V πρ； 流经探针４的电流与流经探针１的电流方向相反，所以流经探针４的电流I 在探针２、３之间引起的电位差为 ()??? ? ??--=4342423112r r I V πρ。 于是流经探针１、４之间的电流在探针２、３之间形成的电位差为 ??? ? ??+--= 434213122311112r r r r I V πρ。 由此可得样品的电阻率为 ()1111121 434213 1223-???? ??+--=r r r r I V πρ 上式就是四探针法测半无限大样品电阻率的普遍公式。 在采用四探针测量电阻率时通常使用图１（c ）的正方形结构（简称方形结构）和图１（d ）的等间距直线形结构，假设方形四探针和直线四探针的探针间距均为S ， 则对于直线四探针有 S r r S r r 2, 42134312==== ()2223 I V S ? =∴πρ 对于方形四探针有 S r r S r r 2,42134312==== () 322223 I V S ? -=∴ πρ
电阻率测量报告
. . . . 莆田南日岛风电场三期工程施工图阶段土壤电阻率测量报告 福建永福工程顾问有限公司 发证机关：福建省建设厅 证书等级：乙级证书编号：130903-ky 二00九年一月·
批准：审核：校核：编写：
目录 1、前言 2、仪器接线示意图 3、原理及操作 4、测量结果分析 5、结论
1、前言 根据公司勘察任务安排及工程勘察联系书的要求，莆田南日岛风电厂三期工程施工图阶段土壤电阻率测量工作于2008年10月2日至2008年10月24日期间进行。 南日岛风电厂前两期共投产19台风机，本期计划建设57台风机，总装机容量48.45MW，110kV升压站一座。 本次测量工作采用DZD-6A多功能直流电法仪测量，测量原理采用等极距四极对称法，极距分别为a=5、10、20、60、100m，大部分风机为测量至100m极距，局部因测量场地限制仅测量至40m 或60m极距。 本次测量工作布线按每风机一条测线，升压站按常规220kV变电站布线方式，四周四条线，对角两条线，共六条测线。本期总共完成测线63条。 本次测量遵循《电力工程物探技术规定》（DL/T5159-2002）。 2、仪器接线示意图 仪器接线示意图
3、原理及操作 等极距四极对称法，又称温纳装置，其做法是沿测线上的测点，分别打入电极，并用导线连接供电回路AB 和测量回路MN ，通过对AB 电极供电，使位于其中间的大地产生电场，测量MN 处产生的电位差及电流，通过以下公式计算出其电阻率。 测量原理示意图 I U K MN a ?=ρ ① a ρ——MN 间的等效土壤电阻率； MN U ?——MN 间的电位差； I ——MN 间的电流； K ——装置系数，对称四极法中a 2MN AN AM K ππ=?= DZD-6A 直流电法仪存在内在计算系统，测量前仅需输入极距a 后，则可直接测出结果。
(整理)FT300粉末电阻率测试仪.
FT-300经济型粉末电阻率测试仪 粉末电阻率测试仪 本仪器适用于碳素厂、焦化厂、石化厂、粉末冶金厂、高等院校、科研部门，是检验和分析粉末样品质量的一种重要的工具。 一、电阻测量范围： 电阻率：10-8～2X106Ω-cm 方块电阻：10-8～2X 106Ω/□ 电阻：10-8～2X106Ω 分辨率：最小0.1μΩ 测量误差±（0.05%读数±5字） 测量误差±（0.05%读数±5字） 2、测量电压量程：2mV 20mV 200mV 2V 测量精度±（0.1%读数） 分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV 3、⑴电流输出：直流电流0～1000mA 连续可调，由交流电源供电。 ⑵量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100mA, ⑶误差：±0.2%读数±2字 4. 主机240mm（长）×180 mm（宽）×80mm（高） 二、测试台技术参数 1、 2、试样粒度：试样粒度：40目以下—60目以上（标准筛网） 3、 4、试样容器：内经：Φ10mm 高度：0～20mm可调,带高度尺监测，测量误差：±0.02mm。 3、测试压强 标准压强：P0=4Mpa±0.05Mpa，合压力40kg±0.5 kg(S=1.0cm2)。 压强量程：20Mpa, P=0～20 Mpa可调，合压力0～200Kg,(S=1.0cm2) 4、压力机构采用手动操作、压力平稳可调。 液晶显示压力值！四位有效显示数0～200Kg，分别率±0.1 kg！ 5、测试台外形：250mm（前宽）×220 mm（后长）×540mm（总高） 重量：10Kg 6、方式：数字显示电阻率、压力单位、电流、电压、小数点自动显示 7、电源：220±10% 50HZ—60HZ 功率消耗 < 60W
半导体电阻率的测量
半导体电阻率的测量 半导体材料的电阻率，是判断材料掺杂浓度的一个主要参数，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。 最早用来测量电阻率P的方法是用一个已知尺寸的矩形样品来测量电阻尺，直接利用ρ=(V·S)／(I·L)得到电阻率，但对于半导体材料，这样测量的电阻率将包括一个不可忽略的接触电阻项。 金属探针与半导体相接触的地方有很大的接触电阻，这个电阻甚至远远超过半导体本身的体电阻。因此不能用直接法测量半导体材料的电阻率。常用的接触式测量半导体材料电阻率的方法主要有如下几种：两探针法；三探针法；四探针法；单探针扩展电阻法；范德堡法。在这篇文章中，我们将主要介绍各种测量半导体电阻率的方法。 （一）两探针法 两探针法的主要想法，是利用探针与体电阻直接接触，避免了与测试电阻的接触从而消除误差。试样为长条形或棒状，且视为电阻率均匀分布。 word 编辑版． 利用高阻抗的电压计测量电阻上的电压从而得到流过半导体的电流，再利用电压计测得半导体
上流过单位长度的电压压降，再测得长度L，从而得到ρ=（V*S）/(I*L)，S为试样表面积。（二）三探针法 三探针法适用于测量相同导电类型，低阻衬底的外延层材料的电阻率。该方法是利用金属探针与半导体材料接触处的反向电流．电压特性、测定击穿时的电压来获得材料电阻率的知识的。金半接触反向偏置时，外电压几乎全部降在接触处，空间电荷区中电场很大，载流子在电场作用下与晶格原子发生碰撞电离。随着外电场增加，发生雪崩击穿，击穿电压与掺杂浓度有关，具体关系由经验公式给出，再根据电阻率与杂质浓度的关系图线，从而可以得到材料的电阻率。 （三）四探针法 直线四探针法是用针距约为1毫米的四根探针同时压在样品的平整表面上，。利用恒流源给l、4探针通以一个小电流，然后用高输入阻抗的电位差计、电子毫伏计或数字电压表测量电压。 利用高阻值电压计测得2、3探针间的电压值， 为探针系数是常数，C=V*C/I。从而根据公式ρ23 四探针法比二探针则为流过半导体的电流大小。I法好，它可以测量样品沿径向分布的断面电阻率。
粉尘比电阻测定系统-样机-产品简介pdf
粉尘 尘比电阻测试 试装置 置-样机 机 产品 品简介
1 设备简 简介
1.1 1 主要技 技术参数
表 1 粉尘比电阻 粉 阻测试装置‐样机 样 主要技 技术参数 项目 目 设备型号 号 测定范围 围 电压范围 围 电流范围 围 使用温度 度 使用湿度 度 电源 控制方式 式 通讯方式 式 软件 R-01 DR 105~1014?·m (根据用户需 需求定做) 两档 档可选：0~ ~2.5kV；0~ ~20kV，1.5 5级
3×1 10-10~1×10-2 A，1.5 级
参数及说明 参
0~1 120℃ 0~1 100% AC C 220±10％V；50Hz± 2Hz；功率：小于 1kW 1 本地 地控制和远 远程控制：面 面板按钮、触控屏（人 人机界面） 、 、计算机 以太 太网 “ExTest E ”爆 爆炸测试系统 统：支持本 本地、远程试 试验过程控 控制、数据管 管理和报表 表
1.2 1 功能
测定粉 粉尘的比电阻 阻。
1.3 1 测定标 标准
? BS S 5958-1-19 991 Code of o practice f for control of undesira able static e electricity - Part1 Gen neral Co onsideration ns - Append dix A.3 The volume resistivity of a powder. ? AS SME PTC 28-1965 Determining D the proper rties of fine particulat te matter-4.05 METH HOD FO OR THE DE ETERMINA ATION OF B BULK ELE ECTRICAL RESISTIV VITY ? ? ? IEC 61241-2-2-1993 Methods for de etermine ele ectrical resistivity of du ust in layers s GB B/T 16913-2 2008 粉尘物 物性试验方 方法-4.10 比电阻的测 比 定(圆盘法) GB B/T 16427-1996 粉尘层 层电阻率测 测定方法
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直流电阻测试仪使用说明及注意事项样本
直流电阻测试仪使用说明及注意事项 1 2020年4月19日
直流电阻测试仪使用方法及注意事项 一、概述 变压器绕组的直流电阻测试是变压器在交接、大修和改变分接开关后，必不可少的试验项目。在一般情况下，用传统的方法（电桥法和压降法）测量变压器绕组以及大功率电感设备的直流电阻是一项费时费工的工作。为了改变这种状况，缩短测量时间以及减轻测试人员的工作负担，本公司开发了直流电阻快速测试仪（以下简称直阻仪）。它采用全新电源技术，具有性能稳定，测量迅速、体积小巧、使用方便、测量精度高，数据重复性好等特点。是测量变压器绕组以及大功率电感设备直流电阻的理想设备。 2 2020年4月19日
二、使用方法 1、测量前准备 首先将电源线以及地线可靠连接到直阻仪上，然后把随机附带的测试线连接到直阻仪面板与其颜色相对应的输入输出接线端子上，将测试线末端的测试钳夹到待测变压器绕组两端，并用力摩擦接触点，以确保接触良好。接线方法如图1 图1 打开电源开关，显示屏显示如图2界面 3 2020年4月19日
图2 直阻仪提供了几种不同的测量电流，您能够根据需要按“▲”和“▼”键进行选择，请注意每种测量电流的最大测量范围，以免出现所测绕组直流电阻大于所选电流的最大测量范围，使测量开始后电流达不到预定值，导致直阻仪长时间处于等待状态（详细的技术参数请参见技术指标一节）。“查看”键用于查看和打印已经存储的测量数据。（详见“数据的查看和处理”）。选择好测量方式和测量电流后，按“测量”键开始整个测量过程。 2、开始测量： 直阻仪在按下“测量”键后开始对被测绕组充电，并显示如图3界面 4 2020年4月19日
ST2722半导体粉末电阻率测试仪技术简介
ST2722半导体粉末电阻率测试仪技术简介一、结构特征 ST2722粉末测试系统组成ST2722粉末测试仪测试界面 二、概述 2.1基本功能和依据标准： ST2722型半导体粉末电阻率测试仪是运用四端子法或四探针法电阻率测试仪与自动化粉末压片机相组合，测试粉末“电阻率-压强”特性曲线的集成化、智能化测量仪器。四端子法符合GB/T24521-2009和YS/T587.6-2006有关国标和行业标准。四探针法符合最新GBT30835-2014《锂离子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》、GB/T1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M标准。 2.2仪器成套组成：整套仪器有ST2722电阻率测试仪主机和SZ或SD型粉末压片机两大部分以及配套的电脑软件组成。 主机是整个系统电气控制显示核心部分，主要由精密恒流源、高分辨率ADC、嵌入式单片机系统单元以及压力、厚度显示单元、与PC机通讯单元等组成。 压片机压片机由粉末标准容器、电极、加压机构、压力检测、厚度检测、连接线缆等单元组成。是粉末压片成型装置，用来装夹粉末（含高分子粉末和金属粉末等），进行压力施加（压片）和自动压力检测、高度检测。（以下简称压片机）。 2.3优势特征： 1)测试仪设计，符合国标和行业规范，国内领先，并获国家专利。专利 号：ZL201220082173.9,有两款如下： ST2722-SD四端子法符合GB/T24521-2009和YS/T587.6-2006有关国标 和行业标准。采用国际通用的电流、电压四端子测量法（仪器电流源和电压 表两个单元分别从独立回路连至电极同时和样品接触），可以消除电极与连 接导线导通电阻产生的误差，克服了传统的二端法测量粉末电阻率仪器的弊 病，可以真实地、准确地测量出粉末样品的电阻率，因此重复性也好。 ST2722-SZ四探针法测试台设计符合符合最新GBT30835-2014《锂离 子电池用炭复合磷酸铁锂正极材料》中关于粉末电阻率测试的原理和规范， 参照GB/T1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T1552-1995 《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国A.S.T.M标准。 2)同步式连续多点测试，高效快捷、准确度高、重复性好。一次装料，电阻 率、压强、高度同步式连续多点测试，可快速绘制粉末“电阻率-压强”曲线。国内 唯一，行业领先，行业推荐粉末电阻率标准测试方式。可避免传统异步式的先压 片脱模后再四探针测试的缺项：误差大，重复性差，直至散 块不能成形无法测试的问题。 3)带智能化电脑软件，可以保存、查询、统计分析数据和打印报告。 4）USB通讯接口，通用性好、方便快捷。优于RS232或485方式， 这些端口一般电脑都难配了！ 5）8档位超宽量程，行业领先。同行一般为五到六档位。 6）可脱电脑单机操作,小型化、手动/自动一体化。操作简便、性能稳 定，所有参数设定、功能转换全部采用数码键盘输入。 7）可拓展功能：压片机可独立当普通压片机用，电阻率测试仪也可以增 配四探针测试台、探头拓展为普通四探针测试仪或电池极片电阻率测试仪。 2.6适用范围：本仪器具有操作简便高效、测量精度高、稳定性好、重 复性好，一机多用使用方便等特点。也是区别于以往旧款同类测试台新特
数字式接地电阻测试仪使用说明书
、管路敷设技术置保护层防腐跨接地线弯曲半径标高等，要求技术交底。管线敷设技术中包含线槽、管架等多项方式，为解决高中语文电气课件中管壁薄、接口不严等问题，合理利用管线敷设技术。线缆敷设原则：在分线盒处，当不同电压回路交叉时，应采用金属隔板进行隔开处理；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。、电气课件中调试纸，编写复杂设备与装置高中资料试卷调试方案，编写重要设备高中资料试卷试验方案以及系统启动方案；对整套启动过程中高中资料试卷电气设备进行调试工作并且进行过关运行高中资料试卷技术指导。对于调试过程中高中资料试卷技术问题，作为调试人员，需要在事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。、电气设备调试高中资料试卷技术料试卷工况进行自动处理，尤其要避免错误高中资料试卷保护装置动作，并且拒绝动作，来避免不必要高中资料试卷突然停机。因此，电力高中资料试卷保护装置调试技术，要求电力保护装置做到准确灵活。对于差动保护装置高中资料试卷调试技术是指发电机一变压器组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。
；同一线槽内，强电回路须同时切断习题电源，线缆敷设完毕，要进行检查和检测处理。事前掌握图纸资料、设备制造厂家出具高中资料试卷试验报告与相关技术资料，并且了解现场设备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。组在发生内部故障时，需要进行外部电源高中资料试卷切除从而采用高中资料试卷主要保护装置。
四探针测量金属薄膜电阻率
实验三（I）探针测量半导体或金属薄膜电阻率 一．实验目的 1.熟悉四探针测量半导体或金属薄膜电阻率的原理 2.掌握四探针测量材料电阻率的方法 二．实验原理 薄膜材料是支持现代高新技术不断发展的重要材料之一，已经被广泛地应用在微电子器件、微驱动器/ 微执行器、微型传感器中。金属薄膜的电阻率是金属薄膜材料的一个重要的物理特性,是科研开发和实际生产中经常要测量的物理特性，对金属薄膜电阻率的测量也是四端法测量低电阻材料电阻率的一个实际的应用，它比传统的四端子法测量金属丝电阻率的实验更贴近现代高新技术的发展。 直流四探针法也称为四电极法，主要用于半导体材料或超导体等的低电阻率的测量。使用的仪器以及与样品的接线如图3-1所示。由图可见，测试时四根金属探针与样品表面接触，外侧两根1、4为通电流探针，内侧两根2、3为测电压探针。由电流源输入小电流使样品内部产生压降，同时用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其他二根探针的电压即V23(伏)。 (a)仪器接线(b)点电流源(c)四探针排列 图3-1 四探针法测试原理示意图 若一块电阻率为ρ的均匀半导体样品，其几何尺寸相对于探针间距来说可以看作半无限大。当探针引入的点电流源的电流为I，由于均匀导体内恒定电场的等位面为球面，则在半径为r处等位面的面积为2πr2，电流密度为 j=I/2πr2(3-1)
根据电导率与电流密度的关系可得 E ＝2222r I r I j πρσπσ== (3-2) 则距点电荷r 处的电势为 r I V πρ2= (3-3) 半导体内各点的电势应为四个探针在该点形成电势的矢量和。通过数学推导可得四探针法测量电阻率的公式为： I V C r r r r I V 2313413241223)1111(2=+--?=-πρ (3-4) 式中，134 132412)1111(2-+--=r r r r C π为探针系数，单位为cm ；r 12、r 24、r 13、r 34分别为相应探针间的距离，见图3-1c 。若四探针在同一平面的同一直线上，其间距分别为S 1、S 2、S 3，且S 1=S 2=S 3=S 时，则 S I V S S S S S S I V ππρ2)1111(223133221123=++-+-?=- (3-5) 这就是常见的直流等间距四探针法测电阻率的公式。 为了减小测量区域，以观察电阻率的不均匀性，四根探针不—定都排成—直线，而可排成正方形或矩形，此时，只需改变计算电阻率公式中的探针系数C 。 四探针法的优点是探针与半导体样品之间不要求制备合金结电极，这给测量带来了方便。四探针法可以测量样品沿径向分布的断面电阻率，从而可以观察电阻率的不均匀情况。由于这种方法可迅速、方便、无破坏地测量任意形状的样品且精度较高，适合于大批生产中使用。但由于该方法受针距的限制，很难发现小于0.5mm 两点电阻的变化。 根据样品在不同电流（I ）下的电压值（V ）计算出该样品的电阻值及电阻率，例如某一种薄膜样品，在薄膜的面积为无限大或远大于四探针中相邻探针间距的时候，金属薄膜的电阻率ρ可以由以下式算出。
电阻率测试报告
电阻率测试报告 湖北华迪工程勘察院 二 一一年六月十四日
电阻率测试报告 测试人：刘松 编写人：刘松 审核人：王正国 湖北华迪工程勘察院 二 一一年六月十四日
一、工程概况 荆门星球35KV变电站位于荆门星球家居广场南部，我院于6月初接到鄂西北工程勘察公司的委托，当天组织人员设备进场勘察，于第二天完成该地段全部外业工作。此次外业工作采用多功能直流电法仪，运用四极法进行电阻率测试，实际工作见表1-1~表1-3，各勘探孔具体位置详见《勘探点平面布置图》 二、场地工程地质条件概况 根据工程地质钻探和原位测试资料，本次变电站勘察所揭露的地层主要为：第四系全新统（Q4）填土和新近系上新统（N2）强风化、中风化泥灰岩组成，现将勘察区的各地层分述如下： （1）第四系全新统地层（Q4ml）：主要组成为粘土、亚粘土、砂土层等组成，在勘察段内，该层厚度约为0.6m，层底标高在177.63~171.30m。 （2）新近系上新统（N2）：主要由强风化泥灰岩组成，在勘察段内，该层厚度约为8m，层底标高在170.83~162.75m。 （3）新近系上新统（N2）：主要由中风化泥灰岩组成，在勘察段内，该层未揭穿，最大揭露厚度约为7.5m 三、场地电阻率测量成果及设计参数 表1-1 实测视电阻率成果表（k1）
表1-2 实测视电阻率成果表（k2） 表1-3 实测视电阻率成果表（k3） 表2土壤电阻率设计建议值 四、土对建筑材料的腐蚀性评价 场地岩土层的实测视电阻率值均小于50欧·米且大于20欧·米，根据《岩土工程勘察规范》（GB50021—2001）（2009年版）12.2.5的规定，取各指标中腐蚀等级最高者考虑，故该场地土层对钢结构具中腐蚀性，因此对构架设备进行施工时，应适当采取防腐措施。 Then how can we translate poems? According to Wang’s understanding, the translation of poems is
碳棒材料电阻率测试仪
碳棒材料电阻率测试仪 西安宏鹄检测仪器厂家专业研发、生产电阻率测试仪。 仪器主要测试材料有：碳棒、碳素、粉末、液体、半导电橡塑、电线电缆、铜排、铝杆、金属导体、铜丝、等各种材料。 仪器可根据材料的不同专业订制仪器夹具精度高、使用方便、质量保证。 TS500GH型碳素材料测试仪是测量中低值电阻的专用仪器，特别适用于测量高功率、超高功率石墨的电阻率值。 碳素材料制品的电阻率值是评价碳制品电极质量，决定产品出厂等级的重要物理指标之一，也是在碳制品加工中控制监督工艺过程的重要参数。由于国内尚无统一的较理想的碳素材料电阻率测试仪，不少厂家只好自己拼凑一些装置进行测量，往往因为电源不稳、测量装置精度不高产生很大误差，造成产品等级混乱和产品质量下降等严重问题，随着高功率和超高功率石墨电极产品的出现，它们的电阻率仅为 5--6μΩm，鉴于上述情况，最新型的TS500GH型碳素材料电阻率测试仪，它是根据国标GB24525-2009《炭素材料电阻率测定方法》的规定而专门设计的，是测量炭素制品电阻率的中低值电阻测量的专用仪器，它的性能和技术指标完全符合国标的要求，它由高灵敏度、高精度直流数字电压表和宽范围高精度大功率的直流恒定电流源所 组成，仪器根据直流电流—电压降法，采用四端子测量技术，有效地
消除了在测量中低值电阻时因接触电阻和引线电阻所带来的误差，可以直接用数字显示出测量的电流值和电阻率值. 本仪器设有2mV、20mV、200mV和2V四个量程，测量电阻分辨率迏0.01μΩ。由四位半大型LED数码管显示电阻率值，电流设有100μA、1mA、10mA、100mA、1A、10A六个量程，且由四位半大型LED数码管显示电流值，并配有智能化电脑进行数据处理供用户选购。 本仪器测量电压精度高达±0.05%，输出恒流直流电流精度和稳定度优于0.1%，确保了本仪器测量电阻精度优于0.2%，可以准确测量碳素电极的电阻率，因此本仪器适合各碳素厂、炼钢厂和研究所用于大功率电极、特别是高功率电极的电阻率测量和等级仲裁测量。主要技术指标： 1、测量范围：10-5--105Ω分辨率 10-8Ω。 2、数字电压表量程和电流输出档位： a．电压表量程2 mV、20 mV、200 mV、2V b．电流输出档位： 10uA,100uA,1mA,10mA,100mA,1A,10A (20A)。 3、测试（显示电压）精度及稳定度：
电阻率测试仪说明书
电阻率测试仪RCT-3200说明书 一、主要性能特点： 仪表内部没有任何可调部件，完全程序自动校正。 运行中电阻率或电导率切换显示，基于电阻率测量的倒数显示。 1、端子接线说明： W 接电导池白色线WHITE G/B 接电导池黑色线BLACK Y 接电导池黄色线YELLOW R 接电导池红色线RED I=\I- 仪表模式，由仪表内部馈电 T+\T- 变送模式，由调整模块外部馈电 RELAY 继电器触点（ON/OFF接点） OV/220V 交流电源AC220V接入 2、操作界面：测量界面下按“”键3秒自动进入设置菜单 设置 顺序 菜单名称功能介绍 1 电导池 常数C=标识闪烁，操作“位选键”和“增加键”输入电导池常数值，按“确认键”保存，进入下一参数设置 2 4mA对应4mA标识闪烁，修改4mA对应值，确认保存，进入下一参数设置 3 20mA对应20mA标识闪烁，修改20mA对应值，确认保存，进入下一参数设置 4 报警下限 设置 LO与标识闪烁，设置下限报警值，确认保存，进入下一参数设置 5 报警下限 解除 LO与标识闪烁，设置下限解除值，确认保存，进入下一参数设置 6 报警开关仅标识闪烁按“增加键”选择开启或关闭蜂鸣器，确认保存，进 入下一参数设置，预留功能（暂无） 7 显示精度按“增加键”选择一位小数或两位小数分辨精度，确认保存，返回测 量示值界面 3、电导池注意事项： 电导池属于精密测量部件，不可分解，不可改变电导池形状尺寸，忌用强酸、强碱清洗、浸泡以及机械刮蹭，这些操作都会导致电导池常数改变，影响系统的测量准确度。 4、常见故障排除：当系统运行出现测量数值数据不正确和不稳定时，区分问题来自仪表还是电导池？ ①从仪表的接线端子上拆下黑色线，检查仪表的电阻率显示是否为18.25MΩ·cm，如果显示为18.25MΩ·cm证明仪表正常，初步认定问题来自电导池的安装。 ②短路仪表上白黑接线端子，检查仪表的电阻率显示是否为0.0MΩ·cm，如果显示为0.0M Ω·cm证明仪表正常，初步认定问题来自电导池的安装。 ③讲电导池的连接线全部拆除，观察仪表的电阻率显示是否为15MΩ·cm左右的数值。如果显示正常，排除干扰来自仪表。 4、常见故障分析： 现象可能因素排除方法 上电仪表无显示A.电源没有接通 B.仪表故障 A.检查仪表电源端子之间有无电压 B.请专业人员维修
张焱森 半导体电阻率测量实验
半导体电阻率测量实验 201509064272 张焱森一、实验目的 通过用四探针法测量半导体晶片的电阻率，了解半导体材料的基本电学特性与材料中载流子浓度和迁移率的关系，掌握一种测量半导体材料的电阻率并进一步分析其掺杂浓度的实验研究方法。 二、实验原理 一、半导体电阻率及主要影响因素 半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，固体材料按导电能力的分类见表3.2-1。完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体，其导电能力主要由材料的本征激发决定，通常电阻率偏大且很难调控其电学性质，因此本征半导体材料用途范围很小。 表3.2-1 材料按导电能力的分类 杂质与缺陷对半导体材料的性能有很大的影响，它们在很大程度上决定了半导体材料的电学性质，通过控制杂质的加入量即可控制半导体材料的导电性能。以硅为例，对于理想的单晶硅材料来说，它的晶体结构呈金刚石结构，每一个硅原子与相邻的四个原子之间共用电子形成共价键。对于这种理想结构的半导体材料，由于可以自由移动的电荷很少，因此导电性较弱。
图3.2-1 半导体材料硅的掺杂示意图 如果采用磷元素掺杂，一个磷原子取代硅原子在晶体中的位置，由于磷原子有5个价电子，形成1个多余的价电子和正电中心磷离子（见图3.2-1）。多余的价电子很容易挣脱正电中心的束缚进入导带，成为导电电子在晶格中自由运动。像磷这样的五价元素在硅中电离时，能够释放出导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或N 型杂质。对掺有施主杂质的半导体材料，导电主要靠导带电子进行，这种半导体称为N 型半导体。 如果采用三价元素硼进行掺杂，将形成负电中心硼离子和一个空位。这个空位很容易从价带获得一个价电子成键，在价带中形成一个空穴。这种能从价带得到电子的杂质原子称为受主杂质或P 型杂质。对掺有受主杂质的半导体材料，导电主要靠空穴进行，这种半导体称为P 型半导体。 图3.2-2 300K 温度下硅半导体材料的电阻率与杂质浓度的关系曲线 电阻率ρ的大小决定于半导体载流子浓度n 和载流子迁移率μ：1/n q ρμ=， 其中q 为电子电荷，载流子浓度n 和载流子迁移率μ均与杂质浓度和温度有关，所以半导体电阻率随杂质浓度和温度而异。300K 温度下硅半导体材料的电阻率与杂质浓度的关系曲线如图 3.2-2所示。轻掺杂时（杂质浓度小于1016 cm -3），可以认为室温下杂质全部电离，载流子浓度近似等于杂质浓度，而迁移率随杂质的变化不大，可以认为是常数。因而电阻率随杂质浓
电阻率测量报告
莆田南日岛风电场三期工程施工图阶段土壤电阻率测量报告 福建永福工程顾问有限公司 发证机关：福建省建设厅 证书等级：乙级证书编号：130903-ky 二00九年一月·福州
批准：审核：校核：编写：
目录 1、前言 2、仪器接线示意图 3、原理及操作 4、测量结果分析 5、结论
1、前言 根据公司勘察任务安排及工程勘察联系书的要求，莆田南日岛风电厂三期工程施工图阶段土壤电阻率测量工作于2008年10月2日至2008年10月24日期间进行。 南日岛风电厂前两期共投产19台风机，本期计划建设57台风机，总装机容量48.45MW，110kV升压站一座。 本次测量工作采用DZD-6A多功能直流电法仪测量，测量原理采用等极距四极对称法，极距分别为a=5、10、20、60、100m，大部分风机为测量至100m极距，局部因测量场地限制仅测量至40m 或60m极距。 本次测量工作布线按每风机一条测线，升压站按常规220kV变电站布线方式，四周四条线，对角两条线，共六条测线。本期总共完成测线63条。 本次测量遵循《电力工程物探技术规定》（DL/T5159-2002）。 2、仪器接线示意图 仪器接线示意图
3、原理及操作 等极距四极对称法，又称温纳装置，其做法是沿测线上的测点，分别打入电极，并用导线连接供电回路AB 和测量回路MN ，通过对AB 电极供电，使位于其中间的大地产生电场，测量MN 处产生的电位差及电流，通过以下公式计算出其电阻率。 测量原理示意图 I U K MN a ?=ρ ① a ρ——MN 间的等效土壤电阻率； MN U ?——MN 间的电位差； I ——MN 间的电流； K ——装置系数，对称四极法中a 2MN AN AM K ππ=?= DZD-6A 直流电法仪存在内在计算系统，测量前仅需输入极距a 后，则可直接测出结果。
金属电阻率测试仪使用说明
金属导体电阻率仪 说 明 书
目录 1 概述 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 1 2 仪器主要特点------------------------------------------------------------------------------------------------ 1 3 TX-300A/B主要技术参数-------------------------------------------------------------------------------- 2 4 仪器组件 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 3 5 使用说明 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 3 5.1 键盘分布--------------------------------------------------------------------------------------------- 3 5.2 开关机操作 ----------------------------------------------------------------------------------------- 4 5.3 测量MEAS ----------------------------------------------------------------------------------------- 4 5.3.1 测量准备 ----------------------------------------------------------------------------------- 4 5.3.2 导线综合参数测量----------------------------------------------------------------------- 6 5.3.3 电导率/电阻率测量---------------------------------------------------------------------- 8 5.3.4 直流电阻测量 ----------------------------------------------------------------------------- 9 5.3.5 导体直流电阻测量（仅适用B型） ------------------------------------------------ 9 5.3.6 设置SET ---------------------------------------------------------------------------------- 10 5.3.7 打印PRINT ------------------------------------------------------------------------------- 11 5.4 菜单MENU ---------------------------------------------------------------------------------------- 13 5.4.1 测量方式选项子界面------------------------------------------------------------------- 13 5.4.2 测量项目选项子界面------------------------------------------------------------------- 14 5.4.3 校准子界面 ------------------------------------------------------------------------------- 15 5.4.4 补偿温度模式子界面------------------------------------------------------------------- 16 5.4.5 温度系数设置子界面------------------------------------------------------------------- 17 5.4.6 打印设置子界面------------------------------------------------------------------------- 17 5.4.7 日期时间校准子界面------------------------------------------------------------------- 18 5.4.8 数据处理模式子界面------------------------------------------------------------------- 18 5.4.9 背光设置子界面------------------------------------------------------------------------- 20 5.4.10 蜂鸣声设置子界面---------------------------------------------------------------------- 21 5.4.11 语言设置子界面------------------------------------------------------------------------- 21 5.4.12 测试夹具选择子界面（仅适用B型） -------------------------------------------- 22 5.5 电池充电-------------------------------------------------------------------------------------------- 22 6 注意事项及维护保养 ------------------------------------------------------------------------------------- 23 7 用户须知 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 23 附录－：打印机使用简介 ------------------------------------------------------------------------------------- 24 附录二：常用材料电导率值及温度系数参考表 --------------------------------------------------------- 25
物理实验报告(测定金属的电阻率)
实验名称：测定金属的电阻率 [实验目的] 1. 练习使用螺旋测微器. 2. 学会用伏安法测量电阻的阻值. 3. 测定金属的电阻率. [实验原理] 由电阻定律lI U d l S R 42πρ==可知，只要测出金属导线的长度l ，横截面积S 和对应导线长度的电压 U 和电流I ，便可以求出制成导线的金属材料的电阻率ρ。长度l 用刻度尺测量.横截面积S 由导线的直径 d 算出，导线的直径d 需要由螺旋测微器（千分尺）来测量，电压U 和电流I 分别用电压表和电流表测出。 [实验器材] 某种金属材料制成的电阻丝，螺旋测微器，毫米刻度尺，电池组，电流表，电压表，滑动变阻器，开关，导线若干. [实验步骤] 1. 用螺旋测微器在接入电路部分的被测金属导线上的三个不同位置各测量一次导线的直径，结果记在表 格内，求出其平均值d 。 2. 按原理电路图连接好用伏安法测电阻的实验电路。 3. 用刻度尺准确测量接入电路中的金属导线的有效长度l ，结果记入表格内。 4. 用伏安法测金属导线对应长度的电压U 和电流I 。 5. 重复上述实验三次，并将数据记入表格。 6. 拆去实验电路，整理好实验器材. [实验数据记录] [数据处理] 求对应长度的电阻率计算表达式推导：根据金属导线的横截面积22 41)2 (d d S ππ= =和电阻I U R = 得：金属的电阻率m lI U d l S R ?Ω==?=________42πρ [结论]金属的电阻率是__________m ?Ω. [误差分析]
[实验要点] 1.本实验中被测金属导线的电阻较小，因此，实验电路必须采用电流表的外接法. 2.测量导线的直径时，应将导线拉直平放在螺旋测微器的测砧上，使螺旋杆的顶部和测砧上的导线成线 接触，而不是点接触；应在不同的部位，不同的方向测量几次，取平均值. 3.测量导线的长度时，应将导线拉直，测量待测导线接入电路的两个端点之间的长度，亦即电压表两极 并入点间的部分待测导线的长度，长度测量应准确到毫米. 4.用伏安法测电阻时，电流不宜太大，通电时间不宜太长.当我们要测量时才合上开关，测量后即断开开 关. 5.闭合电键S之前，一定要使滑动变阻器的滑片处在有效电阻最大的位置. 6.为准确求出R平均值，可采用I-U图象法求电阻.