模拟电子技术填空题
模拟电子技术基础(答案在最后)
一、填空题(每题1分)
1.在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取（）V , 锗二极管的正向导通电压取（）V。
2.直流负反馈是指（）通路中有负反馈；交流负反馈是指（）通路中有负反馈。
3. FET工作在可变电阻区时，i D与u GS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的
d、s极间可以看成一个由u GS控制的（）。
4.差模输入信号电压是两个输入信号的（差）值；共模输入信号电压是两个输入信号的（）值；当u I1 = 18 mV，u I2 = 6 mV时，u Id =（）mV，u Ic =（）mV
5.功率放大电路输出较大的功率来驱动负载，因此其输出的（）和（）信号的幅度均较大，可达到接近功率管的（）参数。
6.已知输入信号的频率为10 kHz ~15kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路。
7.理想二极管的正向电阻为（），反向电阻为（）
8.差分放大电路具有电路结构（）的特点，因此具有很强的（）零点漂移的能力。它能放大（）信号，而抑制（）信号。
9.反相比例运算电路与同相比例运算电路中，（）相比例运算电路输入电阻大，而（）相比例运算电路的共模信号为0。
10.图示单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线，由此可以得出：
1. 电源电压V CC = ( ) ；
2. 静态集电极电流I CQ = ( ) ,管压降U CEQ = ( ) ；
3. 集电极电阻R C = ( ) ；负载电阻R L = ( ) ；
4.晶体管的电流放大系数 = ( ) ；进一步计算可得到电压放大倍数A = ( ) ；（）；
填空题图2301
11.放大电路的幅频特性是指（）随信号频率而变；相频特性是指输出信号与输入信号的（）随信号频率而变。
12.积分运算电路可以将方波电压转换为（）电压。
13.常用小功率直流稳压电源系统由（）、（）、（）、（）等四部分组成。
14.场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按u GS = 0时有无导电沟道分为（）型和（）型。
15.本征半导体掺入微量的( )元素，则形成P型半导体，其多子为( )，少子为( ) 。
16.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为（）输入；当加入大小和极性都相同的信号时，称为（）输入。
17.根据反馈形式的不同，LC振荡电路可分为（）反馈式和三点式两类，其中三点式振荡电路又分为（）三点式和（）三点式两种。
18.为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用（）滤波电路。
19. FET是通过改变（）来改变漏极电流（）的，所以它是一个（）器件。
20.基本互补对称功率放大电路，存在（）失真；可以通过加偏置电压来克服，在具体电路中是利用前置电压放大级中（）或（）上的压降来实现。
21.甲类放大电路是指放大管的导通角等于（）；乙类放大电路的导通角等于（）；甲乙类放大电路的导通角为（）。
22.一般情况下，当集成运放的反相输入端和输出端有通路（）时，集成运放工作在（）。当集成运放开环或同相输入端和输出端有通路（）时，集成运放工作在（）。
23.功率放大电路根据输出幅值U om、负载电阻R L、和电源电压V CC计算出输出功率P
o 和电源消耗功率P V后，可以方便地根据P o和P V值来计算每只功率管消耗的功
1234567
0.5
1
1.5
2
Q
10
20
30
40
μ
μ
μ
μA
A
A
A
U CE(V)
Ic(mA)
率P T1=（），而效率η =（）。
24.某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A=2mA，I B= 0.04mA，
I C=2.04mA，则电极( ) 为基极，( ) 为集电极，( )为发射极；
β( ) 。
为( ) 型管；=
题图2107
25.电容三点式和电感三点式两种振荡电路相比，容易调节频率的是（）三点式电路，输出波形较好的（）三点式电路。
26.稳压电源主要是要求在（）和（）发生变化的情况下，其输出电压基本不变。
27.温度升高时，BJT的电流放大系数β（），反向饱和电流I CEO（），发射结电压U BE（）。
28.精密仪用放大电路主要特点是将两个输入端信号产生的（）小信号进行放大，若两个输入信号之差为（），则输出也为（）。
29.因为输出波形中没有产生新的频率成分，放大电路的频率失真属于（）失真，。
30.二极管具有（）；当（）时，二极管呈（）状态；当（）时，二极管呈（）状态。
31.正弦波振荡电路属于（）反馈电路，它主要由（）、（）、（）和（）组成。
32.集成运放中常用的恒流源形式有（）和（）。
33.工作在线性区的理想集成运放有两个特点，即两个输入端间的电压近似为（），称作（）电路；两个输入端电流为（），称作（）。
34.现有基本放大电路：共射电路、共集电路、共基电路、共源电路、共漏电路，
构成一个两级放大电路。
1. 要求输入电阻为1kΩ至2 kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用( )，
第二级应采用( )
2. 要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用( )，
第二级应采用( )。
3. 要求输入电阻大于100kΩ至200 kΩ，电压放大倍数大于100，第一级应采用( )，第二级应采用( )。
4. 要求输入电阻大于10 MΩ，电压放大倍数大于10，输出电阻小于100Ω，第一级应采用
( )，第二级应采用( )。
35. 温度升时，BJT 的电流放大系数β（ ），反向饱和电流I CBO （ ），发射结电压U BE （ ）。
36. 工作在线性区的理想集成运放有两个特点，即两个输入端间的电压近似为（ ），称作（ ）电路；两个输入端电流为（ ），称作（ ）。
37. 采用双电源互补对称（ ）电路，如果要求最大输出功率为5W ，则每只三极管的最大允许功耗P CM 至少应大于（ ）W 。
38. 三极管工作在放大区，如果基极电流从10微安变化到30微安时，集电极电流从1毫安变为2毫安，则该三极管的β为（ ）；α约为（ ）。
39. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，通过RC 串并联网络引入的反馈是 （ ） 反馈。 40. 某甲乙类单电源互补对称功率放大电路中，电源电压为 ±12V ，负载为8Ω， U CE （sat ）≈2V ，则最大不失真输出功率 为( ) W ， 管子的最大管耗为
( )W 。
41. 如用交流电压表测得变压器次级的交流电压为20V ，经桥式整流后，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为（ ）；经桥式整流电容后，直流电压表测出的电压值约为（ ）。
42. 根据三极管导通时间的对放大电路进行分类，在信号的整个周期内三极管都导通的称为( )放大电路；只有半个周期导通的称为 ( ) 类放大电路；大半个多周期导通的称为 ( ) 类放大电路。
43. 当放大电路输入端短路时，输出端电压缓慢变化的现象称为（ ），（ ）是引起这 种现象的主要原因。
44. 一般情况下，当集成运放的反相输入端和输出端有通路（ ）时，集成运放工作在（ ）。当集成运放开环或同相输入端和输出端有通路（ ）时，集成运放工作在（ ）。
45. 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（ ）V ，在工程估算中一般取（ ）V ；锗二极管的正向导通压降范围大约为（ ）V ，在工程估算中一般取（ ）V 。发光二极管的正向导通压降范围大约为（ ）V 。
46. 某乙类双电源互补对称功率放大电路中，电源电压为 ±20V ，负载为8Ω，
则选择管子时，要求U （BR ）CEO 大于( ) V ，I CM 大于 （ ）A ，
P CM 大于( )W 。
47. 希望减小从信号源索取的电流，应采用（ ）负反馈；希望取得较强的反馈作用，而信号源内阻很大，则宜采用（ ）负反馈；要求负载变化时，输出电压稳定，应引入（ ）负反馈，要求负载变化时，输出电流很稳定，则应引入（ ）负反馈。 48. 共模抑制比K CMR 等于（ ）（或c d lg 20u u A A 、或c
d u u A A ）。电路的K CMR 越大，表明
电路（ ）能力越强。
49. 在三极管多级放大电路中，20u1=A 、102u -=A 、13
u =A ，总的电压放大倍数u A = ( )；A u1是 (共基极)放大电路；A u2是 ( ) 放大电路；A u3是 ( ) 放大电路。 50. 正弦波振荡电路的振幅起振条件是 （ ） ，相位起振条件是（ ）。 51. 放大电路的静态工作点是指（ ）时，在直流电源的作用下，各极电压、电流对应在三极管输入或输出特性曲线上的点。
52. 晶闸管外部引出的三个电极分别称为（ ）极、（ ）极和（ ）极。 53. 双端输出差分电路与单端输出差分电路相比，（ ）者抑制共模信号的能力强。 54. 共集电极电路又称（ ）或（ ）；它的特点是（ ），因此，它一般用于多级放大电路的（ ）。
55. 正弦波振荡电路的振幅平衡条件是 （ ），相位平衡条件是（ ）。
56. 一单限电压比较器，其饱和输出电压为±12V ，若反相端输入电压为3V ，则当同相端输入电压为4V 时，输出 （ ） V ；当同相端输入电压为2V 时，输出为 （ ）V 。 57. 一个放大电路的中频增益为40dB ，则在下限频率f L 处的增益为 ( ) dB ， 在上限频率f H 处的电压放大倍数为 ( )倍。上限频率f H 与下限频率f L 之差称为放大电路 的( )（ ）。
58. 在N 型半导体中，多子是（ ），少子是（ ）；在P 型半导体中，多子是（ ），少子是（ ）。
59. BJT 用来放大时，应使发射结处于（ ）偏置，集电结型处于（ ）偏置；而工作在饱和区时，发射结处于（ ）偏置，集电结型处于（ ）偏置。
60. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。
61. 在集成运放构成的运算电路中，为保证零输入时零输出，应使反相和同相输入端外接直流通路等效电阻相等，为此目的所加的电阻称为（ ）电阻。
62. 并联型晶体振荡电路中，石英晶体用作高Q 值的 （ ） 元件。和普通LC 振荡电路相比，晶体振荡电路的主要优点是 （ ） 。
63. 三极管共发射极截止频率f β是低频时的电流放大系数β0随频率升高而下降到 （ ）( )倍，时的频率。而特征频率f T 则是β 等于（ 1 ）时所对
应的频率。
64. 为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ ）滤波电路。
65. LC 谐振回路发生谐振时，等效为（ ）。LC 振荡电路的（ ）决定于LC 谐振回路的谐振频率。
66. 利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点，可以组成（ ）电路。 67. 散热器的形状有（ ）形、（ ）形、（ ）形等 68. 在三级放大电路中，已知,25,80,503
21===u u u A A A ，则总电压放大倍数为 ( ) 倍，折合为( ) dB 。
69.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
70.当将双电源供电的集成运放改接成单电源使用时，要求集成运放的两个输入端和输出
端的直流电位为单电源电压值的（）。
71.发光二极管工作在（）偏置条件下；导通电压的范围为（）V。光电二极管
工作在（）偏置条件下; 变容二极管工作在（）偏置条件下。
72.集成功放D2006既可以接成双电源供电的（）电路；也可以接成单电源供电的（）电路；还可用两片D2006接成（）电路，这种电路的输出功率为单片电路输
出功率的（）倍。
73.直流通路的反馈称为（）反馈，交流通路的反馈称为（）反馈。
74. BJT中三种击穿电压U BR(CEO)、U BR(CBO)、U BR(EBO)的大小关系为( ) >( )> ( )。
75.滤波器按其通过信号频率范围的不同，可分为（）滤波器、（）滤波器、（）滤波器、和（）滤波器。
76.开关型稳压电源按起稳压作用的脉冲占空比分为PWM和PFM两种形式，其中PWM
是（）式的缩写，PFM是（）式的缩写。
77.（）比例运算电路的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流，（）比例运
算电路的输入电流几乎为零。
78.在深度负反馈条件下，串联反馈的净输入电压约为（），输入电压与（）相等，这种情况往往成为（）；在深度负反馈条件下，并联反馈的净输入电流约为（），输入电流与（）相等，这种情况往往成为（）。
79.串联型反馈式稳压电路主要由（）、（）、（）、（）等四部分组成。
80.稳压管通常工作在（），当其正向导通时，相当于一只（）。
81. W78系列的三端式稳压器用于产生（）电压；W79系列的三端式稳压器用于产生（）电压。
82.图示电路为RC串并联网络，当信号频率f = （）时，其传输函数（）幅
值最大，为（），输出电压与输入电压间的相移为（）。
图题6108
83.工作在非线性区的理想集成运放（）虚短，（）虚断。
84.一迟滞电压比较器，当输入信号增大到3V时输出信号发生负跳变，当输入信号减小
到－1V时发生正跳变，则该迟滞比较器的上门限电压是（），下门限电压是（），回差电压是（）。
85.比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。
86.由电源、晶闸管的阳、阴极和负载组成的回路称为( )；由控制极、阴极及其控制电路组成的回路称为( )
87.在低频区和高频区中，当放大电路的电压放大倍数分别下降到中频区A usm的（）( )倍时，其对应的两个频率f L和f H分别称为（）和（）。
88.一电压比较器，输入信号大于6V时，输出低电平，输入信号小于6V时，输出高电平。由此判断，输入信号从集成运放的（）相端输入，为（）电压比较器，门限电压为（）。
89.一个多级放大电路的总电压放大倍数是各级电压放大倍数的( )，输入阻抗就是
（）级的输入电阻，输出阻抗就是（）级的输出电阻。在计算各级电
压放大倍数时，应把后一级的输入电阻当作前一级的（）加以考虑。
90.采用（）选频网络构成的振荡电路称为RC振荡电路，它一般用于产生（）频正弦波；采用（）作为选频网络的振荡电路称为LC振荡电路，它主要用于产生（）频正弦波。
91.互补对称功放电路中，为了提高正半周输出幅度，常常采用（）电容
92.晶闸管在阳极-阴极之间施加正弦交流电压，其正向电压以ωt=0或π为起点，加入（）信号开始导通的角度称为（）角，而其导通的角度称为（）角。
93.集成运放用作电压比较器时，应工作于（）环状态或引入（）反馈。
94.（）反馈增强净输入电压，（）反馈削弱净输入电压。
95.差分放大电路中的公共发射极电阻R e ，对（）模信号有很强的抑制作用，对（）模信号在理想情况下不产生影响。
96.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，既能放大电流，又能放大电压的组态是（）电路；只放大电流，不放大电压的组态是（）电路；只放大电压，不放大电流的组态是（）电路。
97.用两个放大电路A、B对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时，U OA=U OB；都接入负载R L时，U OA>U OB,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻（）。
98.工作在非线性区的理想集成运放（）虚短，（）虚断。
99.理想集成运放的开环差模电压放大倍数A u o可认为是（），输入电阻R id为（），输出电阻R o为（）。
100.在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）。
101.乙类互补对称功率放大电路的两只三极管接成（）形式；其最大效率可达（）；但是存在（）失真。
102.某负反馈放大电路的闭环增益为40dB，当基本放大器的增益变化10%时，反馈放大器的闭环增益相应变化1%，则电路原来的开环增益为（）。
103.为了防止集成运放因电源接反而损坏，可在电源连线中串接（）来实现保护。104.积分运算电路可以将方波电压转换为（）电压。
105.由于二极管正向导通特性比较陡直，所以二极管在使用中必须串接（）。106.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1= 5V，U2= 1.7V，U3= 1V，则电极（）为基极，（）为集电极，（）为发射极，该管子为（）型管。
107.在桥式整流电路中接入电容（）滤波后，输出电压电流较未加C时（），二极管的导通角较未加C时（）。
108.在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者
的可变电阻区则对应于后者的（）区。
109.如果将10V的直流电压源的正、负端直接接在发光二极管的正、负两极，则将使发光二极管（）。
110.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用( )
耦合方式；为了实现阻抗变换，使信号与负载间有较好的配合，放大电路应采用
( ) 耦合方式。
111.晶闸管只有在（）极和（）极之间加（）电压的条件下，再在（）极和（）极之间加（）信号才能导通。
112.负反馈电路产生自激振荡的条件是（）。
113.在三级放大电路中，已知A u1= A u2=30 dB，A u3=20 dB，则总增益为( ) dB，，折合为( ) 倍。
114.开关型稳压电源的主要优点是（）。
115.把功率管固定在（）上，能大大（）功率管的极限功耗。
116.在阻容放大电路中，耦合电容是影响放大电路（）截止频率的主要因素，
三极管结电容是影响放大电路（）截止频率的主要因素。
117.反相比例运算电路与同相比例运算电路中，（）相比例运算电路输入电阻大，而（）相比例运算电路的共模信号为0。
118.对于电压比较器，当同相端电压大于反相端电压时，输出（）电平，当反相端电压大于同相端电压时输出（）电平。
119.单值电压比较器和迟滞比较器相比，（）比较器的抗干扰能力较强，（）比较器中引入了正反馈。
120.（）比例运算电路的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流，（）比例运算电路的输入电流几乎为零。
121.三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
122.在桥式整流电路中，未接入滤波电容时，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（）倍；接入滤波电容后，输出电压的平均值为变压器次级电压有效值的（）
倍
123. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1= 8V ，U 2= 5.5V ，U 3= 8.3V ， 则电极（ ）为基极，（ ）为集电极，（ ）为发射极，为（ ）型管。 124. 陷波器实际上就是 （ ）滤波器。
125. 为了稳定输出电压，应引入（ ）负反馈，为了稳定输出电流，应引入（ ）负反馈。
126. （ ）通路常用以确定静态工作点；（ ） 通路提供了信号传输的途径。 127. 为了稳定静态工作点，在放大电路中应引入（ ）负反馈；若要稳定放大倍数，改善非线性失真等性能，应引入（ ）负反馈
128. 恒流源的特性是（ ）电阻很大，而（ ）压降不大，用恒流源代替差分电路中的R e ，可以大大地提高（ ）。
129. 自激振荡电路从（ ）到（ ）的振荡建立过程中，减小的量是 （ ）。 130. 某三极管的极限参数为I CM =30 mA 、P CM =200 mW 、U BR(CEO) = 30 V 。当工作电压 U CE = 10 V 时，工作电流I C 不得超过( ) mA ；当工作电压U CE = 1V 时， I C 不得 超过 ( ) mA ；当工作电流I C = 1mA 时， U CE 不得超过( ) V 。 131. 当u GS = 0时，漏源间存在导电沟道的称为 （ ） 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（ ）型场效应管。
132. 在正弦波振荡电路中，非线性稳幅电路不仅能使输出电压幅值稳定，同时也能减小 （ ） 。
133. FET 的自偏压只适用（ ）所构成的放大电路；分压式自偏压电路中的栅极电阻R g3一般很大，这是为了使（ ）。
134. 使结型场效应管I D = 0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N 沟道JFET 的U GS （off ）（ ）0, P 沟道JFET 的U GS （off ）（ ）0。
135. 利用单结晶体管的（ ）特性，可以构成振荡电路，给可控整流电路提供（ ）脉冲。
136. 甲类、乙类和甲乙类三种放大电路相比（ ）的效率最高，（ ）的效率最低。 137. 串联负反馈使反馈环内的输入电阻（ ），并联负反馈使反馈环内的输入电阻（ ）。
138. F A +1称为（ ），当11>>+F A 时，称为（ ）。
139. 一阶滤波电路阻带幅频特性以 （ ） /十倍频斜率衰减，二阶滤波电路则以（ ）/十倍频斜率衰减。阶数越（ ），阻带幅频特性衰减的速度就越快，滤波电路的滤波性能就越好。
140. 一般情况下，在共射、共集、共基三种组态电路中输入电阻最大的是（ ）电路；输入电阻最小的是（ ）电路；频带最宽的电路是（ ）电路；
141. 设输入信号为正弦波，工作在甲类的功率输出级的最大管耗发生在输入信号u i 为（ ）时，而工作在乙类的互补对称功率输出级OCL 电路，其最大管耗发生在输出电
压幅值U om为（）时。
142.甲乙类单电源互补对称电路又称（）电路，它用在输出端所串接的（）取代双电源中的负电源。
143. HPF表示（），LPF表示（），BPF表示（）。
144.半导体中有（）和（）两种载流子参与导电，其中（）带正电，而（）带负电。
145.电压负反馈使电路的输出电阻（），电流负反馈使电路的输出电阻（）。
模拟电子技术基础答案
一、填空题(每题1分)
1. 0.7、0.2
2.直流、交流
3.线性、可变电阻
4.平均、12、12
5.电压、电流、极限
6.带通
7. 0、∞
8.对称、抑制、差模、共模
9.同、反
10. 6V、1mA、3V、3kΩ、3kΩ、50、-50、r bb’取200 Ω
11.电压放大倍数、相位差
12.三角波
13.电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路
14. N沟道、P沟道、结、绝缘栅、增强、耗尽
15.三价、空穴、自由电子
16.差模、共模
17.变压器、电容、电感
18.有源
19.栅源电压、输出电流、压控电流源
20.交越、二极管、电阻
21. 2π或360?、π或180?、π <θ<2π
22.即有负反馈、线性区、即有正反馈、非线性区
23.（P V-P o）/2、P o/ P V
24. B、A、C、PNP、50
25.电感、电容
26.电网电压、负载
27.增大、增大、减小
28.差值、零、零
29.线性
30.单向导电性、正向偏置、低阻导通、反向偏置、高阻截止
31.正、放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅电路
32.镜像电流源、微电流源
33.零、虚短、零、虚断
34.共射电路、共射电路、共源电路、共射电路、共集电路、共射电路、共源电路、共集电路
35.增大、增大、减小
36. 零、虚短、零、虚断
37. OCL 、1
38. 50、0.98
39. 正
40. 6.25、1.25
41. 18V 、22 ~ 24V
42. 甲类、乙、甲乙
43. 零点漂移、温度变化
44. 即有负反馈、线性区、即有正反馈、非线性区
45. 0.6 ~ 0.8、0.7、0.2 ~ 0.3、0.2、1~ 2.5
46. 40、2.5、5
47. 串联、并联、电压、电流
48. 差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值、抑制共模信号的
49. -200、共发射极、共集电极
50. 1>u u F A 、),2,1,
0(2???==+n n f a π??
51. u i = 0
52. 阳、阴、控制
53. 前
54. 射极输出器、电压跟随器、输入电阻高、输出电阻低、电压放大倍数A u 小于并约等于
1、输入级、输出级、中间缓冲级
55. 1=u u F A 、),2,1,
0(2???==+n n f a π??
56. ＋12、－12
57. 37、70、通频带、或带宽
58. 电子、空穴、空穴、电子
59. 正向、反向、正向、正向
60. 大
61. 平衡
62. 电感、频率稳定度高
63. 0.707β0、 、或2/1β0
64. 低通
65. 纯电阻、振荡频率
66. 限幅
67. 齿轮、指状、板条
68. 105 、100
69. 掺杂浓度、温度
70. 一半 或二分之一
71. 正向、1 ~ 2.5、反向、反向
72. OCL 、OTL 、BTL 、4
73. 直流、交流
74. U BR(CBO)、、U BR(CEO) 、U BR(EBO)
75. 低通、高通、带通、带阻
76. 脉宽调制
77. 反相、同相
78. 0、反馈电压、虚短、0、反馈电流、虚断
79. 调整电路、取样电路、比较放大电路、基准电压电路
80. 反向击穿区、普通二极管
81. 正、负
82. RC π21、i
U U o 、1/3、0
83. 不存在、存在
84. 3V 、－1 V 、4V
85. 输出、输入、0V 、单门限、单值或 简单、迟滞或滞回
86. 主回路、控制回路 或 触发回路
87. 0.707、或2/1、下限截止频率、上限截止频率
88.反、单值、6V
89.乘积、输入、输出、负载
90. RC、低、LC谐振回路、高
91.自举
92.触发、控制、导通
93.开、正
94.正、负
95.共、差
96.共射、共集、共基
97.小
98.不存在、存在
99.∞、∞、0
100.小
101.共集电极或射极跟随器、78.5% 或π/4、交越102. 60dB
103.二极管
104.三角波
105.限流电阻
106. 2、1、3、NPN
107. 与负载并联、大、小
108. 放大、饱和
109. 损坏
110. 直接、变压器
111. 阳、阴、正向、控制极、阴、正向控制电压 或 触发
112. F A
+1∣= 0
113. 80、104
114. 效率高
115. 散热器、提高
116. 下限、上限
117. 同、反
118. 高、低
119. 迟滞、迟滞
120. 反相、同相
121. 高、窄、低、大、正向、反向
122. 0.9、1.1~1.2
123. 1、2、3、PNP
124. 带阻
125. 电压、电流
126. 直流、交流
127. 直流、交流
128. 交流、直流、共模抑制比或K CMR
129. 1>u u F A 、1=u u F A 、放大倍数u A
130. 20、30、30
131. 耗尽、增强
132. 非线性失真
133. 耗尽型FET 、输入电阻高
134. <、>
135. 负阻、同步触发
136. 乙类、甲类
137. 增大、减小
138. 反馈深度、深度负反馈
139. 20dB 、40dB 、高
140. 共集、共基、共基
141. 零、0.6V CC
142. OTL 、大电容
143.高通滤波电路、低通滤波电路、带通滤波电路144.自由电子、空穴、空穴、自由电子
145.减小、增大
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。
模拟电子技术基础复习题答案
第1章习题及答案 1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。 o o (a) (b) (c) (d) 图题1.1 解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。 （b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。 （c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。 （d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。 画出o u 波形如图所示。
V u i / u o /u o /u o /u o / 1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。 解：各电路图如图所示。(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。 (a) (b) (c) (d) (e) 1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？ 图题1.3 解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。 1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？ 解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。 1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根
模拟电子技术习题
一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u 模拟电子技术练习题 一、填空题 1、当希望放大300Hz~3400Hz 的信号时，应选用 滤波器；当希望抑制40KHz 以上信号时，应选用 滤波器。 2、PN 结加正向电压时,由 形成电流，其耗尽层 ；PN 结加反向电压时,由 形成电流，其耗尽层 。 3、放大电路中的三极管电位分别为：基极2.8V 、发射极2.1V 、集电极2.4V ，试分析该三极管的类型为 、工作在 状态。 4、如图所示波特图中低频截止频率 Hz ，通带放大倍数 ，高频截止频率 Hz 。 5、正弦信号产生电路的起振条件是 、振荡频率取决于 。 6、三极管电流放大系数α=0.98，则β= 。 7、电流源作有源负载的特点是直流等效电阻 、交流等效电阻 。 8、负反馈放大电路，为了实现电压-电流转换，应引入 负反馈；为了实现电流-电压转换，应引入 负反馈；为了实现电流-电流转换，应引入 负反馈；为了减小从电压信号源索取电流又增强带负载能力，应引入 负反馈。 二、简答题 1、电路如图所示，试回答：指出Vo1、Vo2的波形类型；电容C 增大频率如何变化；电阻R1增大Vo2的幅值如何变化。 2、简述基本放大电路出现饱和失真或截止失真的原因。 3、简述简单稳压二极管电路的结构。输入电压波动时如何实现稳压？ 4、简述单门限比较器和滞回比较器的主要区别。 三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。试求该电路的输出电压V o 与所有输入电压的关系式。 Vi1 Vi2 四、单电源功率放大电路如图所示，K 点为两个三极管发射极的中点，功放管的饱和压降忽略不计。 ⑴ 静态时K 点的电压为多少？ ⑵ 该电路的最大功率P 0max 。 ⑶ 对功率管的最大容许管耗P cm 有何要求。 五、放大电路如图，电流放大倍数为β。 ⑴ 求电路的静态工作点Q ；⑵ 画出微变等效电路；⑶ 计算0,,R R A i V 。 Vs 电子技术基础 一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（） （A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变； （C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（） （A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（） （A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（） （A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低 C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（ ） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（ ） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（ ） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（ ） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（ ） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 （ ） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ） 一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管 B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半 《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O 放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B 电力电子技术试题填空 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 . 率场效应晶体管 ________________ ;绝缘栅双极型晶体管 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是 ____________ O 3、多个晶闸管相并联时必须考虑 的问题，解决的方法是 4、 在电流型逆变器中，输出电压波形为 5、 型号为KS100-8的元件表示 ___________ 有效电流为 安。 __________ 波，输出电流波形为 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在 __________________________ 上的上、下二个元件 之间进行；而1200导电型三相桥式逆变电路， 晶闸管换相是在 ________________ 上的元件之 间进行的。 7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 __________________ 、正反向漏电流会 升高时，晶闸管的触发电流会 _______________ 、正反向漏电流会 _____________ 8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 _____________________ 而不流经 __________________ 的电流。环流可在电路中加 来限制。为了减 小环流一般采用控制角a 9、常用的过电流保护措施有 B 的工作方式。 O （写出四种即 可） 10、 双向晶闸管的触发方式有 四种。 11、 双向晶闸管的触发方式有: 1+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T 2接 电压；门极 G 接 电压， T2接 电压。 I-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 川+触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压，门极G 接 电压，T2接 电压。 川-触发：第一阳极 T1接 电压，第二阳极 T2接 电压；门极G 接 电压，T2接 电压。 换流。 12、 由晶闸管构成的逆变器换流方式有 _________________ 换流和 13、 按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 _____ 逆变器与______________ 逆变器两大类。 ;可关断晶闸管_ ______ ; IGBT 是 ;功 【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热 模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω 4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b ) r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分） 《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型 + + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示： 电力电子技术试题 2014级电气自动化技术专业 《电子技术基础》复习资料 一、填空题。 1、二极管工作在正常状态时，若给其施加正向电压时，二极管导通,若施加反向电压时，则二极管截至，这说明二极管具有单向导电性。 2、晶体管从内部结构可分为 NPN型和PNP型。 3、NPN型硅晶体管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为 V C ＞V B ＞V E ，基极和发射极电位之差约等于。 4、在晶体管放大电路中，测得I C=3mA，I E=，则I B= ， = 100。 5、按晶体管在电路中不同的连接方式，可组成共基、共集和共射三种基本放大电路；其中共集电路输出电阻低，带负载能力强；共射电路兼有电压放大和电流放大作用。 6、晶体管在电路中若用于信号的放大应使其工作在放大状态。若用作开关则应工作在饱和和截至状态，并且是一个无触点的控制开关。 7、组合逻辑电路是指任何时刻电路的输出仅由当时的输入状态决定。 8、用二进制表示有关对象的过程称为编码。 9、n个输出端的二进制编码器共有 2n个输入端，对于每一组输入代码，有1个输入端具有有效电平。 10、画晶体管的微变等效电路时，其B、E两端可用一个线性电阻等效代替，其C、E两端可以用一个可控电流源等效代替。 11、1位加法器分为半加器和全加器两种。 12、多级放大器的级间耦合方式有3种，分别是直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。 13、多级放大电路的通频带总是比单级放大电路的通频带窄。 14、反馈是把放大器的输出量的一部分或全部返送到输入回路的过程。 15、反馈量与放大器的输入量极性相反，因而使 净输入量 减小的反馈，称为 负反馈 。 为了判别反馈极性，一般采用 瞬时极性法 。 16、三端集成稳压器CW7806的输出电压是 6 V 。 17、施加深度负反馈可使运放进入 线性 区，使运放开环或加正反馈可使运放进入 非线性 区。 18、逻辑功能为“全1出0，见0出1”的逻辑门电路时 与非 门。 19、一个二进制编码器若需要对12个输入信号进行编码，则要采用 4 位二进制代码。 20、电压跟随器的输出电压与输入电压不仅 大小相等，而且 相位 也相同。 二、 选择题。 1、把一个6V 的蓄电池以正向接法直接加到二极管两端，则会出现（ C ）问题。 A 正常 B 被击穿 C 内部断路 2、二极管的正极电位是-10V ，负极电位是，则该二极管处于（ A ）状态。 A 反偏 B 正偏 C 零偏 3、晶体管工作在放大区时，具有如下特点（ A ）. A 发射结反向偏置 B 集电结反向偏置 C 晶体管具有开关作用 D I C 与I B 无关 4、稳压二极管是特殊的二极管，它一般工作在（ C ）状态。 A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿 D 死区 5、测量放大器电路中的晶体管，其各极对地电压分别为，2V ，6V ，则该管（ A ）。 A 为NPN 管 B 为Ge 材料 C 为PNP 管 D 工作在截止区 6、理想集成运算放大器工作在饱和区，当+u >-u 时，则（ A ） A om o U u += B m o U u 0-= C +=u u o D -=u u o 7、测得晶体管,3,404.2,30mA I A I mA I A I C B C B ====时；时μμ 则该晶体管的交流电流放大系数为（ B ）。 模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生 ( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。 8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路 电力电子技术试题 第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 第2章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O _。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__222U 和_22U ； 带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__22U _和__22U _；带反电动势负载时，欲使电阻上的 电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__22U _，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _，使负载电流连 续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。 6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_ 的相电压；这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _，u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。 8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。 11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。 12.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为_有源逆变_，欲实现有源逆变，只能采用__全控_电路；对于单相全波电路，当控制角 0< α < π /2 时，电路工作在__整流_状态； π /2< α < π 时，电路工作在__逆变_状态。 13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ，使输出平均电压U d 为负值_。 第3章 直流斩波电路 1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。 3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM ）_、_频率调制_和_（t on 和T 都可调，改变占空比）混合型。 6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。 7.Sepic 斩波电路和Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。 8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。 10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；湘潭大学模拟电子技术练习题
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第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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