01常用半导体器件练习题
第1章常用半导体器件
一．选择题
1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。
A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核
2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。
A. P
B. N
C. PN
D. 电子导电
3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A. P
B. N
C. PN
D. 空穴导电
4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是
A ，少数载流子是
B 。
A．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子
5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。
A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度
6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ，
负端应接PN结 B 。
A．P区B．N区
7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不
随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。)
A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度
8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。
A．V D-I D B．V D-r D C．I D-r D D．f-I D
9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很
小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C 。
A．正极B．负极C．无法确定
10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。
A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管
11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。
A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性
12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
A ．反向偏置电压
B ．正向导通电压
C ．死区电压
D ．反向击穿电压
13、光电二极管有光线照射时，反向电阻 A 。(反压下，光照产生光电流)
A ．减少
B ．增大
C ．基本不变
D ．无法确定
14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
A ．电压放大
B ．单向导电
C ．电流放大
D ．电流与电压放大
15、三极管处于放大状态时____A____。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结反偏
D.发射结反偏，集电结正偏
16、NPN 三极管工作在放大状态时，其两个结的偏置为 A 。
A ．U BE >0、 U BE
B ． U BE <0、 U BE
C ．U BE >0、 U BE >U CE
D ． U B
E <0、 U CE >0
17、.对于PNP 型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足___B____。
A ．U C >U
B >U E B ．U
C U C >U E
D ．U B
18、对于NPN 型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足____A____。
A ．U C >U
B >U E B ．U
C U C >U E
D ．U B
19、输入特性曲线反映三极管___D_____关系的特性曲线。
A ．u CE 与i
B B ．u CE 与i
C C ．u BE 与i C
D ．u B
E 与i B
20、输出特性曲线反映三极管____B____关系的特性曲线。
A.u CE 与i B
B.u CE 与i C
C.u BE 与i C
D.u BE 与i B
21、场效应管三个电极中，用D 表示的电极称为_____D______，用S 表示的电极称为____B____，用G 表示的电极称为_____A__。
A ．栅极
B ．源极
C ．基极
D ．漏极
22、场效应管的转移特性曲线反映的是______D_____之间的关系。
A ．
DS v 与D i B ．BE v 与B i C ．CE v 与C i D ．GS v 与D i
23、场效应管的输出特性曲线反映的是_______B____之间的关系。
A ．GS v 与D i
B 。DS v 与D i
C ．DS v 与C i
D 。C
E v 与C i
24、图3.4（a ）、（b ）分别代表___D_______绝缘栅场效应管。
A ．P 沟道增强型与N 沟道耗尽型
B ．N 沟道增强型与N 沟道耗尽型
C ．N 沟道耗尽型与P 沟道增强型
D ．P 沟道耗尽型与N 沟道增强型
25、场效应管的低频跨导表征_____C_____的控制作用。
A ．
ds v 对d i B 。gs v 对ds v C ．gs v 对d i D 。g i 对ds
v 二． 填空题
1. 半导体具有 热敏特 性、 光敏特 性和 掺杂特 性。
2. 温度___升高_____将使半导体的导电能力大大增加。
3. 半导体材料中有两种载流子，即 自由电子 和 空穴 。
4. 杂质半导体按导电类型分为 P 型半导体 和 N 型半导体 。
5. N 型半导体多子是 自由电子 ；P 型半导体多子是 空穴 。
6. PN 结的基本特点是具有 单向导电 性，PN 结正向偏置时 导通 ，反向
偏置时 截止 。
7. 二极管的伏安特性有： 正向 、 反向 和 反向击穿 特
性。
8. 二极管的反向电流随外界温度的升高而 升高 ；反向电流越小，说明二极管的单向
导电性 越好 。一般硅二极管的反向电流比锗管 小 很多。
9. 二极管处于反偏时，呈现电阻__无限大______。
10. 二极管反向饱和电流I S 会随___温度_____升高而增大。
11. 二极管的最高反向工作电压U RM 的含义是 二级管工作时允许外加的最大反向电
压 。
12. 稳压二极管通常是工作在 反向击穿 状态下的特殊二极管，发光二极管的
PN 结工作在 正向 偏置状态时会发光。
13. 光电二极管又称 红远外线接收 二极管，其PN 结工作在 反向偏置 状态，它
的反向电流会随光照强度的增加而 增加 。
14. 三极管是一种 电流 控制器件；而场效应管是一种 电压 控制器件。
15. 三极管具有电流放大作用的外部条件是：发射结 正向 偏置；集电结 反向
偏置。
16. 三极管起放大作用时的内部要求是：基区 很薄，参杂浓度
低 ；发射区 参杂浓度
高 ；集电 结面积大 。
17. 三极管具有电流放大作用的实质，它是利用 基极 电流的变化控制 集电极
电流的变化。
18. 三极管输出特性曲线分为 截止 区、 饱和 区和 放大
区。
三极管的三个管脚电流关系是I E = I B +I C ，直流电流放大系数的定义式β= （I C - I CEO ）/I B ，交流电流放大系数的定义式= △i c / △i b 。
19. 场效应管属于___压控流型_____控制元件。
20. 绝缘栅场效应管分为___增强 ____型和____耗尽 ___型两类，各类又有__N___沟道和
___P__沟道两种。
21. 场效应管可分为____可变电阻____区、____夹断____区、___恒流_____区、____截断____
区四个区域。作为放大器件使用时，应工作在___恒流_____区。
22. 场效应管的低频跨导，表征___栅源电压______对___漏极电流______控制能力的重要参
数。
23. N 沟道增强型MOS 管的栅源电压为___正____时能控制漏极电流，耗尽型MOS 管的栅
源电压为____正____或为___负_____时均能控制漏极电流。
24. 开启电压U T 是指DS v 为定值时，使__增强型____MOS 管_使漏极电流大于零所需的最小
_______的栅源电压。夹断电压U P 是指DS v 为定值时，使___ 耗尽型_____MOS 管__使
漏极电流为规定的微小电流________时的栅源电压。
三．问答题
1． 画出二极管的电路符号和文字符号，并说明二极管的主要特性。
2． 已知三极管的β=60，在放大电路中测得I C =8mA ，求I B ，I E 。
3．二极管电路如图所示，假设二极管为理想二极管，判断图中的二极管是导通还是截止，
并求出A O两端的电压U AO
4．二极管电路如所示，设输入电压u i（t）波形如图b所示，在0 < t < 5 ms的时间
间隔内，试绘出u o（t）的波形，设
二极管是理想的。
图a 图b
5．电路如图a所示，设二极管是理想的。
（1）画出它的传输特性；
（2）若输入电压u i＝20sinωt(V) 如图b所示，试根据传输特性绘出一周期的输出电压u O 的波形。
6．电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U Z＝3V，R的取值合适，u I的波形如图（c）所示。试分别画出u O1和u O2的波形。
7．已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
8． 三极管工作在放大状态时，测得三只晶体管的直流电位如图所示。试判断各管子的管
脚、管型和半导体材料。
（a ） （b ） （c ）
12．三极管的每个电极对地的电位，如图所示，试判断各三极管处于何种工作状态？（NPN 型为硅管，PNP 型为锗管）。
发射结
集电结
三极管处于
发射结
集电结
三极管处于
发射结
集电结
三极管处于
集电结
三极管处于
常用半导体器件复习题
第1章常用半导体器件 一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分） 1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（） 4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（） 5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( ) 7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( ) 8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( ) 9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( ) 10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( ) 一、判断题答案：（每题1分） 1．√； 2．×； 3．√； 4．√； 5．×； 6．×； 7．√； 8．×； 9．×； 10．×。
二、填空题（每题1分） 1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。 3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。 4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。 8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流围表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。 9．晶体三极管三个电极的电流I E 、I B 、I C 的关系为：。 10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。 二、填空题答案：（每题1分） 1．空穴 2．扩散运动 3．PN结 4．导通 5．反向 6．发射机e 7．变薄 8．反向 9．I E ＝I B ＋I C 10．材料 三、单项选择题（将正确的答案题号及容一起填入横线上，每题1分）
半导体器件物理 试题库
半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C μn =1350 2cm /V s ? μp =500 2 cm /V s ? ε0=8.854×10-12 F/m 一、半导体物理基础部分 （一）名词解释题 杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵消 的作用，通常称为杂质的补偿作用。 非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度， 额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。 迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。 晶向： 晶面： （二）填空题 1．根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为 、多晶和 三种。 2．根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为 杂质和 杂质两种。 3．点缺陷主要分为 、 和反肖特基缺陷。 4．线缺陷，也称位错，包括 、 两种。 5．根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向 弯曲，获得空穴时，能带 向 弯曲。 6．能向半导体基体提供电子的杂质称为 杂质；能向半导体基体提供空穴的杂 质称为 杂质。 7．对于N 型半导体，根据导带低E C 和E F 的相对位置，半导体可分为 、弱简 并和 三种。 8．载流子产生定向运动形成电流的两大动力是 、 。
9．在Si-SiO 2系统中，存在 、固定电荷、 和辐射电离缺陷4种基 本形式的电荷或能态。 10．对于N 型半导体，当掺杂浓度提高时，费米能级分别向 移动；对于P 型半 导体，当温度升高时，费米能级向 移动。 （三）简答题 1．什么是有效质量，引入有效质量的意义何在？有效质量与惯性质量的区别是什么？ 2．说明元素半导体Si 、Ge 中主要掺杂杂质及其作用？ 3．说明费米分布函数和玻耳兹曼分布函数的实用范围？ 4．什么是杂质的补偿，补偿的意义是什么？ （四）问答题 1．说明为什么不同的半导体材料制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度各不相同？ 要获得在较高温度下能够正常工作的半导体器件的主要途径是什么？ （五）计算题 1．金刚石结构晶胞的晶格常数为a ，计算晶面（100）、（110）的面间距和原子面密度。 2．掺有单一施主杂质的N 型半导体Si ，已知室温下其施主能级D E 与费米能级F E 之差为 1.5B k T ，而测出该样品的电子浓度为 2.0×1016cm -3，由此计算： （a ）该样品的离化杂质浓度是多少？ （b ）该样品的少子浓度是多少？ （c ）未离化杂质浓度是多少？ （d ）施主杂质浓度是多少？ 3．室温下的Si ，实验测得430 4.510 cm n -=?，153510 cm D N -=?， （a ）该半导体是N 型还是P 型的？ （b ）分别求出其多子浓度和少子浓度。 （c ）样品的电导率是多少？ （d ）计算该样品以本征费米能级i E 为参考的费米能级位置。 4．室温下硅的有效态密度1932.810 cm c N -=?，1931.110 cm v N -=?，0.026 eV B k T =，禁带 宽度 1.12 eV g E =，如果忽略禁带宽度随温度的变化
第1章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V， U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z mi n＝5mA。求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 图T1.4 解：U O1＝6V，U O2＝5V。
半导体器件复习题与参考答案
第二章 1 一个硅p －n 扩散结在p 型一侧为线性缓变结，a=1019cm -4，n 型一侧为均匀掺杂，杂质浓度为3×1014cm －3，在零偏压下p 型一侧的耗尽层宽度为0.8μm，求零偏压下的总耗尽层宽度、建电势和最大电场强度。 解：)0(,22≤≤-=x x qax dx d p S εψ )0(,2 2n S D x x qN dx d ≤≤-=εψ 0),(2)(22 ≤≤--=- =E x x x x qa dx d x p p S εψ n n S D x x x x qN dx d x ≤≤-=- =E 0),()(εψ x ＝0处E 连续得x n ＝1.07μm x 总=x n +x p =1.87μm ?? =--=-n p x x bi V dx x E dx x E V 0 516.0)()( m V x qa E p S /1082.4)(25 2max ?-=-= ε,负号表示方向为n 型一侧指向p 型一侧。 2 一个理想的p-n 结，N D ＝1018cm －3，N A ＝1016cm －3，τp＝τn＝10－6s ，器件的面积为1.2×10－5cm －2，计算300K 下饱和电流的理论值，±0.7V 时的正向和反向电流。 解：D p ＝9cm 2/s ，D n ＝6cm 2/s cm D L p p p 3103-?==τ，cm D L n n n 31045.2-?==τ n p n p n p S L n qD L p qD J 0 + = I S =A*J S =1.0*10-16A 。 ＋0.7V 时，I ＝49.3μA ， －0.7V 时，I ＝1.0*10-16A 3 对于理想的硅p +-n 突变结，N D ＝1016cm －3，在1V 正向偏压下，求n 型中性区存
常用半导体器件
《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009
第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
电子元器件基础知识考试试题及答案
电子元器件基础知识考试试题及答案 部门： 姓名 得分： 一、 填空题（每题5分，共30分） 1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（KΩ）和兆欧（MΩ）， 各单位之间的转换关系为1MΩ=103KΩ＝106Ω。 2. 电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。 3. 电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4. 二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5. 三极管按导电类型可分为PNP 型和NPN 型。 6. 碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜，再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、 判断题（每题5分，共25分） 1. 电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。 （正确） 2. 电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻）。 （正确） 3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。 （错误） 4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。 （错误） 5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 （正确） 三、 简答题（每题15分，共45分） 1. 读出右图两个色环电阻的阻值及误差,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的电容值及误差。 答： 1. 270Ω，5% 2. 200 KΩ，1% 3. 212J: 21*102 pF=2100 pF=2.1 nF , 5% 4. 104K: 10*104 pF=100 nF , 10% 2. 简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答： 1. 普通二极管 2. 稳压二极管 3. 发光二极管 4. 光电二极管 3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答： 1. 电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3. 电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 4. 二极管：用万用表测量正反向电阻，用万用表二极管档测量正反向压降。 5. 三极管：用万用表二极管档位判断三极管基极和类型，利用数字万用表h FE 档可测出三极管的集电 极C 和发射极E ，测出正反向压降。 1 2
1章 常用半导体器件 习题
第一章题解－1 第一章 常用半导体器件 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体，加入 元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1m A 变为2m A ，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流I D 从2m A 变为4m A 时，它的低频跨导g m 将 。 A.增大 B.不变 C.减小 解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A 1.2 能否将1.5V 的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V 时，管子会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图P1.3所示，已知u i ＝10s in ωt (v)，试画出u i 与u O 的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1.3
第一章题解－2 解图P1.3 解：u i 和u o 的波形如解图P1.3所示。 1.4 电路如图P1.4所示，已知u i ＝5s in ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 图P1.4 解图P1.4 解：波形如解图P1.4所示。 1.5 电路如图P1.5（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所示，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出输出电压u O 的波形，并标出幅值。 图P1.5 解：u O 的波形如解图P1.5所示。
01常用半导体器件练习题
第1章常用半导体器件 一．选择题 1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。 A．电子B．空穴C．电子和空穴Ｄ．原子核 2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。 A. P B. N C. PN D. 电子导电 3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。 A. P B. N C. PN D. 空穴导电 4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是 A ，少数载流子是 B 。 A．空穴B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子 5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B 。 A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度 6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的 A ， 负端应接PN结 B 。 A．P区B．N区 7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不 随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。) A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度 8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。 A．V D-I D B．V D-r D C．I D-r D D．f-I D 9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很 小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C 。 A．正极B．负极C．无法确定 10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。 A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管 11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。 A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性 12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
常用半导体器件习题考答案
第7章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位U Y （设D 为理想二极管）。 （1）U A ＝U B ＝0时； （2）U A ＝E ，U B ＝0时； （3）U A ＝U B ＝E 时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出A 、B 两点电位的相对高低影响了D A 和D B 两个二极管的导通与关断。 当A 、B 两点的电位同时为0时，D A 和D B 两个二极管的阳极和阴极（U Y ）两端电位同时为0，因此均不能导通；当U A ＝E ，U B ＝0时，D A 的阳极电位为E ，阴极电位为0（接地），根据二极管的导通条件，D A 此时承受正压而导通，一旦D A 导通，则U Y ＞0，从而使D B 承受反压（U B ＝0）而截止；当U A ＝U B ＝E 时，即D A 和D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所以两管同时导通，两个1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下： （1）由于U A ＝U B ＝0，D A 和D B 均处于截止状态，所以U Y ＝0； （2）由U A ＝E ，U B ＝0可知，D A 导通，D B 截止，所以U Y ＝E ? +9 19＝109E ； （3）由于U A ＝U B ＝E ，D A 和D B 同时导通，因此U Y ＝E ?+5.099＝1918E 。 7-2 在图所示电路中，设D 为理想二极管，已知输入电压u i 的波形。试画出输出电压u o 的波形图。 解：此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从（b ）图可以看出，当二极管D 导通时，电阻为零，所以u o ＝u i ；当D 截止时，电阻为无穷大，相当 于断路，因此u o ＝5V ，即是说，只要判断出D 导通与否， 就可以判断出输出电压的波形。要判断D 是否导通，可 以以接地为参考点（电位零点），判断出D 两端电位的高 低，从而得知是否导通。 u o 与u i 的波形对比如右图所示： 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 （参考答案：见教材） 7-4 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－；管脚②对地电位
电子电路基础习题册参考答案第一章
电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。 2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N 型半导体和P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V，锗二极管的开启电压约为0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为0.3 V。 5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。
7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。 10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。 11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M 相接时，A点的电位为 无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0 V. 13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V 、 流过电阻的电流是4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为0 V，流过电阻的电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA ，流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。
常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题 5.1晶体二极管 一、填空题： 1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将 封装起来，并分别引出和两个极。 2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。 5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。 6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。 7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。 8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。 9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。 二、选择题： 1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。 A.0.2-0.3V 0.6-0.7V B. 0.2-0.7V 0.3-0.6V C.0.6-0.7V 0.2-0.3V D. 0.1-0.2V 0.6-0.7V 的大小为( )。 2.判断右面两图中，U AB A. 0.6V 0.3V B. 0.3V 0.6V C. 0.3V 0.3V D. 0.6V 0.6V 3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（） Ω档。 A.1×10 B. 1×1000 C. 1×102或1×103 D. 1×105 4. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。 A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定 5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。 A. 很小电阻 B. 很大电阻 C.短路 D. 开路 6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。 A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路 7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（） A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定 8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
半导体器件工艺与物理期末必考题材料汇总综述
半导体期末复习补充材料 一、名词解释 １、准费米能级 费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。 ２、直接复合、间接复合 直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。 间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。 ３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿 随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于 扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放 电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对 于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是 寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发
【精品】电子元器件基础知识考试试题及答案
精心整理 电子元器件基础知识考试试题及答案 部门：姓名得分： 一、 填空题（每题5分，共30分）1. 电阻器是利用材料的电阻特性制作出的电子元器件，常用单位有欧姆（Ω）、千欧（K Ω） 和兆欧（M Ω），各单位之间的转换关系为1M Ω=103K Ω＝106Ω。2.电阻器阻值的标示方法有直标法、数字法和色标法。3.电感器是用导线在绝缘骨架上单层或多层绕制而成的，又叫电感线圈。 4.二极管按材料分类，可分为锗管和硅管。 5.三极管按导电类型可分为 PNP 型和NPN 型。6.碳膜电阻为最早期也最普遍使用的电阻器，利用真空喷涂技术在瓷棒上面喷涂一层碳膜， 再将碳膜外层加工切割成螺旋纹状，依照螺旋纹的多寡来定其电阻值，螺旋纹愈多时表示电阻值愈大。 二、判断题（每题5分，共25分） 1.电阻量测不能带电测试，待测物要独立存在。（正确） 2.电阻器按安装方式可分为：固定电阻、可调电阻、特种电阻（敏感电阻） 。（正确）3. 二极管又称晶体二极管，简称二极管，可以往两个方向传送电流。（错误）4. 三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。具有两个电极，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。（错误）5. 扼流线圈又称为扼流圈、阻流线圈、差模电感器，是用来限制交流电通过的线圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。（正确）三、 简答题（每题15分，共45分）1.读出右图两个色环电阻的阻值及误差 ,并根据电容的标识方法读出贴片电容212J 和104K 的 电容值及误差。答：1.270Ω，5% 2.200K Ω，1% 3.212J:21*102pF=2100pF=2.1nF,5% 4.104K:10*104pF=100nF,10% 2.简述右图符号分别表示那些特性的晶体管。 答：1.普通二极管 2.稳压二极管 3.发光二极管 4.光电二极管3．列举3个常用的电子元器件并简述其用万用表简单的检测方法。 答：1.电阻器：万用表电阻档直接测量。 2．电容器：容量用万用表直接测量，充放电采用适当的电阻档观察阻值变化确定。 3.电感器：万用表的Rx1挡，测一次绕组或二次绕组的电阻值，有一定阻值为正常。 1 2
电子电路基础习题册参考答案第一章
电子电路基础习题册参考答案(第三版)全国中等职业技术 第一章常用半导体器件 §1-1 晶体二极管 一、填空题 1、物质按导电能力得强弱可分为导体、绝缘体与半导体三大类,最常用得半导体材料就是硅与锗。 2、根据在纯净得半导体中掺入得杂质元素不同,可形成N 型半导体与P 型半导体。 3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴与自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子就是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子就是电子。 4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管得开启电压约为0、5 V,锗二极管得开启电压约为0、1 V;二极管导通后,一般硅二极管得正向压降约为0、7 V,锗二极管得正向压降约为 0、3 V。 5、锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。 6、稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管得动态电阻越小,其稳压性能好。
7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。 8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型与平面型。 9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、 开关、热敏、发光与光电二极管等二极管。 10、二极管得主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱与电流与最高工作频率。 11、稳压二极管得主要参数有稳定电压、稳定电流与动态电阻。 12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点得电位为 无法确定V,当开关S与N相接时,A点得电位为0 V、 13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点得电位为10V 、 流过电阻得电流就是4mA ;当开关S闭合时,A点得电位为0 V,流过电阻得电流为2mA 。 14、图1-1-3所示电路中,二极管就是理想器件,则流过二极管V1得电流为0、25mA ,流过V2得电流为0、25mA ,输出电压U0为+5V。
2章常用半导体器件与应用题解
第二章常用半导体器件及应用 一、习题 2.1填空 1. 半导材料有三个特性，它们是 ________ 、______ 、______ 。 2. 在本征半导体中加入_____ 元素可形成N型半导体，加入_________ 元素可形成P型半导体。 3. 二极管的主要特性是______________ 。 4. _____________________________________ 在常温下，硅二极管的门限电压约为V,导通后的正向压降约为_V;锗二极 管的门限电压约为_______ V,导通后的正向压降约为_V。 5. ____________________________________________ 在常温下，发光二极管的正向导通电压约为_______________________________________________ V,考虑发光二极管的发光亮度 和寿命，其工作电流一般控制在__________ mA。 6. 晶体管（BJT）是一种 ___ 控制器件；场效应管是一种_______ 控制器件。 7. 晶体管按结构分有_______ 和_______ 两种类型。 8. 晶体管按材料分有_______ 和____ 两种类型。 9. NPN和PNP晶体管的主要区别是电压和电流的_________ 不同。 10. 晶体管实现放大作用的外部条件是发射结_、集电结_。 11. 从晶体管的输出特性曲线来看，它的三个工作区域分别是_______ 、 ____ 、_____ 。 12. 晶体管放大电路有三种组态__________ 、______ 、_______ 。 13. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有 内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的输入电阻______________ 。 14 .三极管的交流等效输入电阻随________ 变化。 15 .共集电极放大电路的输入电阻很______ ,输出电阻很_____ 。 16 .射极跟随器的三个主要特点是_______ 、____ 、______ 。 17 .放大器的静态工作点由它的__________ 决定，而放大器的增益、输入电阻、输出电 阻等由它的________ 决定。 18 .图解法适合于____________ ,而等效电路法则适合于 ______________ 。 19 .在单级共射极放大电路中，如果输入为正弦波，用示波器观察u o和U i的波形的相
常用半导体器件 选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题 1．半导体的特性不包括。 A. 遗传性 B.光敏性 C.掺杂性 D. 热敏性 2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。 A.漂移运动 B. 扩散运动 C.有序运动 D.同步运动 3．N型半导体中的多数载流子是。 A.自由电子 B.电子 C.空穴 D.光子 4．P型半导体中的多数载流子是。 A.空穴 B.电子 C. 自由电子 D.光子 5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。 A.P型 B.N型 C.复合型 D.导电型 6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。 A. N型 B. P型 C.复合型 D.导电型 7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。 A.扩散运动 B.漂移运动 C.有序运动 D.同步运动 8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。 A.二极管 B. 三极管 C.电子管 D.晶闸管 9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。 A.变厚 B.变薄 C. 消失 D.变为导流层 10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。 A.变薄 B. 变厚 C. 消失 D.变为导流层 11．PN结的基本特性是。 A.单向导电性 B. 半导性 C.电流放大性 D.绝缘性 12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。 A.截止区 B. 发射区 C.基区 D.集电区 13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。 A 电阻 B电容 C电感 D电源 14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。 A．0V B．3V C．10V D．1.5V 15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。 A．0V B．3V C．10V D．1.5V
模拟电子技术课程习题 第一章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[ ] A. NPN 型硅管B. PNP 型硅管 C. NPN 型锗管 图D. PNP 型锗管 1.3V b 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ] A. 饱和 B. 放大 C. 截止 图1.2 D. 已损坏 1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 图1.3 1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。当温度为20O C 时测得二极管的电压 U D =0.7V 。当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是 [ ] A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.I CBO B.I CES C.I CER D.I CEO 1.7二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性
1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO 将[ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ] A.电流放大系数β B.最大整流电流I F C.集电极最大允许电流I CM D.集电极最大允许耗散功率P CM 1.10 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和 电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ] A. 0.1 mA B. 2.5mA C. 5mA D. 15 mA 图 1.13 1.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ] A.电流放大系数β B.跨导g m =ΔI D /ΔU GS C.开启电压U T D.直流输入电阻R GS
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第 7 章 常用半导体器件 习题参考答案 7-1 计算图所示电路的电位 U Y （设 D 为理想二极管） 。 （ 1） U A ＝ U B ＝ 0 时； （ 2） U A ＝E ， U B ＝ 0 时； （ 3） U A ＝ U B ＝ E 时。 解：此题所考查的是电位的概念以及二极管应用的有关知识。从图中可以看出 A 、B 两 点电位的相对高低影响了 D A 和 D B 两个二极管的导通与关断。 当 A 、 B 两点的电位同时为 0 时， D A 和 D B 两个二极管的阳极和阴极（ U Y ）两端电位同 时为 0，因此均不能导通；当 U A ＝E ，U B ＝ 0 时， D A 的阳极电位为 E ，阴极电位为 0（接地）， 根据二极管的导通条件， D A 此时承受正压而导通，一旦 A Y 0，从而使 D B 承受 D 导通，则 U ＞ 反压（ U B ＝0）而截止；当 U A ＝ U B ＝ E 时，即 D A 和 D B 的阳极电位为大小相同的高电位，所 以两管同时导通，两个 1k Ω的电阻为并联关系。本题解答如下： （ 1）由于 U A ＝ U B ＝0， D A 和 D B 均处于截止状态，所以 U Y ＝ 0； （2）由 U A ＝ E ， U B ＝ 0 可知， D A 导通， D B 截止，所以 U Y ＝ 9 E ＝ 9 E ； 1 9 10 （3）由于 U A ＝U B ＝ E ， D A 和 D B 同时导通，因此 U Y ＝ 9 E ＝18 E 。 9 0.5 19 7-2 在图所示电路中，设 D 为理想二极管，已知输入电压 u i 的波形。试画出输出电压 u o 的波形图。 解： 此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。 首先从（ b ）图可以看出，当二极管 D 导通时，电 阻为零，所以 u o i ＝ u ；当 D 截止时，电阻为无穷大，相 当于断路，因此 u o ＝ 5V ，即是说，只要判断出 D 导通与 否，就可以判断出输出电压的波形。 要判断 D 是否导通， 可以以接地为参考点（电位零点） ，判断出 D 两端电位 的高低，从而得知是否导通。 u o 与 u i 的波形对比如右图所示： 7-3 试比较硅稳压管与普通二极管在结构和运用上有 何异同 （参考答案：见教材） 7-4 某人检修电子设备时，用测电位的办法，测出管脚①对地电位为－；管脚②对地电位
第4章常用半导体器件
第4章常用半导体器件 本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。理解稳压二极管的稳压特性。了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。 本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。 本章学时6学时 4.1 PN结和半导体二极管 本节学时2学时 本节重点1、PN结的单向导电性； 2、半导体二极管的伏安特性； 3、半导体二极管的应用。 教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。 4.1.1 PN结的单向导电性 1. N型半导体和Ｐ型半导体 在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与
温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 2.PN结的单向导电性 当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。 4.1.2 半导体二极管 1.结构 半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 2. 二极管的种类 按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。 （a）符号（b）点接触型（c）面接触型（d）硅平面型（e）外形示意图 常用二极管的符号、结构和外形示意图