电容电阻规格书.

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±0.5%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。

常规的贴片电阻的标准封装及额定功率如下表：
英制(mil) 公制(mm) 额定功率(W)@ 70°C
0201 0503 1/20
0402 1005 1/16
0603 1608 1/10
0805 2012 1/8
1206 3216 1/4
1210 3225 1/3
1812 4832 1/2
2010 5025 3/4
2512 6532 1

也可以看品牌,看外型,还可以用电容表来量,如果多就抽查;

钽,铌,钛,铝等电解电容标称容量分别为:1.5,2.2,4.7,6.8uf的允许偏差分别为百分之+10--10,+20--20,+50--20,+100--10



各种电容器的容量规格有国家标准的,这里要列举的话......呵呵，太多太多了。
可以大概地说一下：
和电阻一样，国家标准分为：E6(误差范围正负20%）；E12（误差范围正负10%）；E24（误差范围正负5%）以及精密电容（误差范围正负1%）
E24系列标称容量：1.0,1.1,1.2,1.3,1.5,1.6,1.8,2.0,2.2,2.4,2.7,3.0,3.3,3.6,3.9,4.3,4.7,5.1,5.6,6.2,6.8,7.5,8.2,9.1
陶瓷电容器：从1PF到1UF；
涤纶电容、聚丙烯电容等的容量从100PF到50~100UF
铝电解：从0.1uf到10000uf；钽（不是胆）电容与铝电解差不多；
贴片器件也分好多种，容量大致是从1PF到1UF吧；
而最新的“双电层电容器”可以把容量做到几个法拉！

1、标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%） 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。


电容分类
a.电解电容 b.固态电容 c.陶瓷电容 d.钽电解电容 e.云母电容 f.玻璃釉电容 g.聚苯乙烯电容 h.玻璃膜电容 i.合金电解电容 j.绦纶电容 k.聚丙烯电容 l.泥电解 m有极性有机薄膜电容 n.铝电解电容 5.电容的基本特性: 通交流，隔直流：通高频，阻低频。

电解电容等体积比较大的电容，以及高压瓷片电容等外表标有耐压值，没有标耐压的瓷片电容，其耐压值为50V，涤纶电容等用数字和英文字母表示耐压和容量，如2A103J，表示耐压为100V容量为0.01u误差为5%的电容。
第一位数表示耐压值的倍率，
第二位字母表示标称值，用A、1.0 B、1.25 C、1.6、 D、2.0、 E、2.5、 F、3.

15、 G、4.0、 H、5.0、 J6.3分别表示
第三位和第四位表示容量的前两位数，
第五位表示容量值的倍率，
最后一位表示误差，用字母F、G、J、K、L、M表示1%、2%、5%、10%、15%和20%。

电容器额定耐压值的代号表：用一位数字与一个字母来表示。耐压值(V)：
A B C D E F G H J K Z
0　1.0　1.25 1.6　2.0　2.5　3.15　4.0　5.0　6.3　8.0　9.0
1　10 12.5　16 20 25　31.5　40 50 63　80　90
2　100　125 160　200　250　315 400　500　630　800　900
3　1K　1250 1600　2K　2500　3150　4K 5K 6300 8K　9K
4　10K　12.5K　16K　20K　25K　31.5K　40K　50K　63K　80K　90K



贴片电容的材质规格

贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格，不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

一 NPO电容器

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。

二 X7R电容器

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以

做的比较大。

三 Z5U电容器

Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。

Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 +10℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -56%
介质损耗 最大 4%

四 Y5V电容器

Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度范围 -30℃ --- +85℃
温度特性 +22% ---- -82%
介质损耗 最大 5%

电容的主要特性参数：

（1） 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般使用的容量误差有：J级±5%，K级±10%，M级±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D级—±0.5%；F级—±1%；G级—±2%；J级—±5%；K级—±10%；M级—±20%。

（2） 额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。

（3） 温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。

（4） 绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。

（5） 损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。

（6） 频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。

不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电

容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

测评贴片电容性能，从三个方面进行，首先是贴片电容的四个常规电性能，即容量Cap. 损耗DF，绝缘电阻IR和耐电压DBV，一般地，X7R产品的损耗值DF<=2.5%，越小越好，IR*Cap>500欧*法，BDV>2.5Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能，在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下，芯片应能耐100小时不击穿，质量好的可耐1000小时不击穿。再次就是产品的耐热冲击性能，将电容浸入300deg.c锡炉10秒，多做几粒，显微镜下观察是否有表面裂纹，然后可测试容量损耗并与热冲击前对比判别芯片是否内部裂纹。 贴片电容在电路上出现问题，有可能是贴片电容本身质量不良，亦有可能是设计时选取规格欠佳或是在表面贴装机械力热冲击等对贴片电容造成一定的损伤等因素造成。




电容


电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF)、皮法拉（pF),1F=10^6uF=10^12pF
一、电容器的型号命名方法
国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。
第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。
第二部分：材料，用字母表示。
第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
第四部分：序号，用数字表示。
用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I- 玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

二、电容器的分类
1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。
2、按电 解质 分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介
质电容器等。
3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型
电容器。
4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容
器。
5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。
6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。
7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。
8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。
9、低耦合：纸介电容器

、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容
器。
10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

三、常用电容器

1、铝电解电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性. 容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量：0.47--10000u
额定电压：6.3--450V
主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大
应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
2、钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）
用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。
电容量：0.1--1000u
额定电压：6.3--125V
主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容
应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

3、薄膜电容器
结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。
a 聚酯（涤纶）电容（CL）
电容量：40p--4u
额定电压：63--630V
主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差
应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
b 聚苯乙烯电容（CB）
电容量：10p--1u
额定电压：100V--30KV
主要特点：稳定，低损耗，体积较大
应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
c 聚丙烯电容（CBB）
电容量：1000p--10u
额定电压：63--2000V
主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差
应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
4、瓷介电容器
穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。
a 高频瓷介电容（CC）
电容量：1--6800p
额定电压：63--500V
主要特点：高频损耗小，稳定性好
应用：高频电路
b 低频瓷介电容（CT）
电容量：10p--4.7u
额定电压：50V--100V
主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差
应用：要求不高的低频电路
5、独石电容器
(多层陶

瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。
容量范围：0.5PF--1UF
耐压：二倍额定电压。
电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。
应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
6、纸质电容器
一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量
一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。

7、微调电容器
电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。
a 空气介质可变电容器
可变电容量：100--1500p
主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等
应用：电子仪器，广播电视设备等
b 薄膜介质可变电容器
可变电容量：15--550p
主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大
应用：通讯，广播接收机等
c 薄膜介质微调电容器
可变电容量：1--29p
主要特点：损耗较大，体积小
应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
d 陶瓷介质微调电容器
可变电容量：0.3--22p
主要特点：损耗较小，体积较小
应用：精密调谐的高频振荡回路
8、陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。
9、玻璃釉电容器（CI）
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可

与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008
电容量：10p--0.1u
额定电压：63--400V
主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）
应用：脉冲、耦合、旁路等电路

四、电容器主要特性参数
1、标称电容量和允许偏差
标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。
2、额定电压
在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.
当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。
电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。
5、频率特性
随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

五、电容器容量标示
1、直标法
用数字和单位符号直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。
2、文字符号法
用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.
3、色标法
用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。


-- 电阻和电容的标识法
使用电阻器和电容器时，经常要了解它们的主要参数。一般情况下，对电阻器应考虑其标称阻值、允许偏差和标称功率;对电容器则需了解其标称容量、允许偏差和耐压。
电阻和电容的标识法
电阻器和电容器的标称值和允许偏差一般都标在

电阻体和电容体上，而在电路图上通常只标出标称值，电解电容则常增标耐压，特殊用途电容器除标出耐压外还要注明品种。它们的标志方法分为下列4种。
1、直标法：直标法是将电阻器和电容器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体和电容体上，其允偏差则用百分数表示，未标偏差值日的即为±20%的允许偏差。
2、文字符号法：文字符号法是将电阻器和电容器的标称值和允许偏差用数字和文字符号按一定规律组合标志在电阻体和电容体上。电阻器和电容器标称值的单位标志符号见表1，允许偏差的标志符号见表2。
先举几个电阻器的例子:6R2J表示该电阻标称值为6.2欧姆（Ω），允许偏差为±5%；3k6k表示表示电阻值为3.6千欧（kΩ），允许偏差10%;1M5则表示电阻值为1.5兆欧（MΩ），允许偏差±20%。再举几个电容器的例子：2n2J表示该电容器标称值为2.2纳法（nF），即 2200皮法（pF），允许偏差为±5%；47nk表示电容器容量为470纳法(nF)或0.47微法（uF），允许偏差±10%。在电路图中，电阻器的欧姆符号Ω和电容量的法拉符号F常可略去不标。
3、色标法：普通电阻器用四色环标志，精密电阻器用五色环标志，紧靠电阻体一端头的色环为第一环，露着电阻体本色较多的另一端头为末环。色标法在电容器上也常用。使用者需熟记表示数字0－9的黑、棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、白各色环的顺序。色标法在各种电子学入门书中介绍较多，这里不再详述。
4、数码表示法：在产品和电路图上用三位数字表示元件的标称值的方法称为数码表示法。常见于进口电器机心和合资企业产品中，如寻呼机、手机中的贴片电阻几乎无一例外地用数码表示法。在三位数码中，从左至右第一、二位数表示电阻标称值的第一、二位有效数字，笼三位数为倍率10^n的n(即在前两位数后加0的个数），单位为Ω。例如标志为222的电阻器，其阻值为2200Ω即2.2kΩ；标志是105的电阻器阻值为1MΩ；标志是4R7的电阻器阻值为4.7Ω。需要注意的是要将这种标志法与传统方法区别开来：如标志为220的电阻器其电阻值为22Ω，只有标志为221的电阻器其阻值才为 220Ω。标志是0或000的电阻器，实际是跳线，阻值为0Ω。
目前电子市场上大多数圆片电容器、瓷介电容器和CBB电容器都用数码表示法，读数法与电阻器上的相同。
在一些进口机心中，微调电阻器阻值的标志法除了用三位数字外还有用两位数字的。如标志为53表示5kΩ，14和54分别表示10kΩ和50kΩ。一些精密贴片电阻器也有用4位数字表示法，如1005表示10MΩ等。
贴片电容器一般都是无符号标志的，可根据经验从颜色的深浅去辨别。浅色或

白色的为皮法（pF）级，如100pF以内的；深色、棕色为隔直流、滤波电容器，为纳法（nF）级的电容吕。


MURATA （村田）
G R M 1 5 5 5 C 1 H 100J Z 0 1 D
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
① 型号 ② 系列
③ 尺寸 15—0402，18—0603，21—0805，31—1206，32—1210
④ 厚度 ⑤ 温度
⑥ 电压 0E—2.5V ，0G—4V，0J—6.3V， 1A—10V，1C—16V，1E—25V，YA—35V，1H—50V，2A—100V
⑦ 容量 R50—0.5PF 1R0—1PF 100—10PF 102—1000PF
⑧ 允差 B—±0.1PF C—±0.25PF D—±0.5PF G—±2% J—±5% K—±10% M—±20% Z— +80%－20%
⑨ 规格 ⑩ 包装


TDK
C 3 2 1 6 X 7 R 1 E 1 0 5 K
① ② ③ ④ ⑤ ⑥
① 系列
② 尺寸 1005—0402，1608—0603，2012—0805，3216—1206，3225—1210
③ 种类
④ 电压 0G—4V，0J—6.3V， 1A—10V，1C—16V，1E—25V， 1H—50V
⑤ 容量 010—1PF，100—10PF，102—1000PF
⑥ 允差 J—±5% K—±10% M—±20% Z— +80%－20%



Fenghua（凤华）
0805 B 103 K 500 N T
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦
① 尺寸
② 材料
③ 容量 101—100PF 102—1000PF
④ 允差 B—±0.1PF C—±0.25PF D—±0.5PF G—±2% J—±5% K—±10% M—±20% Z— +80%－20%
⑤ 电压 6R3—6.3V 100—10V 250—25V 500—50V
⑥ 端头类别
⑦ 包装

Yageo（国巨）
RC 0402 FR – 07 220R L
① ② ③ ④ ⑤
① 尺寸
② 允差 F—±1% J—±5%
③ 包装
④ 卷边
⑤ 阻值 0R33—0.33R 100R—100R 1K2—1.2K