3 半导体二极管的识别检测与选用(二)

3 半导体二极管的识别检测与选用(二)
3 半导体二极管的识别检测与选用(二)

[复习提问]

1、半导体二极管的结构、符号及分类?

2、半导体二极管的重要特性是什么?

[导入新课]二极管是电路中的关键器件,种类繁多,应用十分广泛,识别常用半导体二极管,掌握检测质量及选用方法是学习电子技术必须掌握的一项基本技

能,下面我们来学习相关知识。

[讲授新课] 1.1半导体二极管的识别、检测与应用(二)

九、二极管的型号命名

1、国产二极管

国产二极管的型号命名分为五个部分,各部分的含义见下表。

第一部分用数字“2”表示主称为二极管。

第二部分用字母表示二极管的材料与极性。

第三部分用字母表示二极管的类别。

第四部分用数字表示序号。

例如:

2、日本半导体器件的型号命名(JIS-C-7012工业标准)由五部分组成,各部分含义见下表。

第一部分用数字表示器件的类型或有效电极数。

第二部分用字母S表示该器件已在日本电子工业协会(JEIA)注册登记。

第三部分用字母表示器件的类别。

第四部分用数字表示登记序号。

第五部分用字母表示产品的改进序号。

日本半导体器件型号命名及含义

例如:

2SA733(PNP型高频晶体管)2SC4706(NPN型高频晶体管)2——三极管2——三极管

S——JEIA注册产品S——JEIA注册产品A——PNP型高频管C——NPN型高频管733——JEIA登记序号4706——JEIA登记序号

3、美国半导体器件型号命名由四部分组成。各部分的含义见下表。

第一部分用数字表示器件的类别。

第二部分用字母“N”表示该器件已在EIA注册登记。

第三部分用数字表示该器件的注册登记号。

第四部分用字母表示器件的规格号。

美国半导体器件型号命名及含义

例如:

lN 4007 2N 2907 A

l——二极管2——晶体管

N——ElA注册标志N——ElA注册标志

4007——ElA登记号2907——ElA登记号

A——规格号

1、整流二极管

整流二极管主要用于整流电路,即把交流电变换

成脉动的直流电。整流二极管都是面结型,因此结

电容较大,使其工作频率较低。一般为3kHZ以下。

从封装上看,有塑料封装和金属封装两大类。常用

的整流二极管有2CZ型、2DZ型、IN400 X型及用于

高压、高频电路的 2DGL型等。

2、检波二极管

检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小、工作频率较高,一般都采用锗材料制成。这种管子的封装多采用玻璃外壳。常用的检波二极管有2AP 型等。

3、稳压二极管

稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。

稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN 结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小,能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。从稳压管的反向特性曲线可以看出,当反向电压较小时,反向电流几乎为零,当反向电压增高到击穿电压Vz (也是稳压管的工作电压)时,反向电流Iz (稳压管的工作电流)会急剧增加,稳压管反向击穿。在特性曲线ab 段,当Iz 在较大范围内变化时,稳压管两端电压Vz 基本不变,具有

恒压特性,利用这一特性可以起到稳定电压的作用。 稳压管与一般二极管不一样,它的反向击穿是可逆的,只要不超过稳压管的允许值,PN 结就不会过热损坏,当外加反向电压去除后,稳压管恢复原性能,所以稳压管具有良好的重复击穿特性。 稳压管的主要参数有:

(1) 稳定电压VZ :稳定电压VZ 指稳压管正常工作时,管子两端的电压,由于制造工艺的原因,稳压值也有一定的分散性,如2CW14型稳压值为6.0~7.5V 。 (2) 动态电阻rz :动态电阻是指稳压管在正常工作范围内,端电压的变化量与相应电流的变化量的比值。 z

z

z I V r ??=

稳压管的反向特性愈陡,rZ 愈小,稳压性能就愈好。

(3) 稳定电流IZ:稳压管正常工作时的参考电流值,只有I≥IZ,才能保证稳压管有较好的稳压性能。

(4) 最大稳定电流IZmax :允许通过的最大反向电流,I > IZmax管子会因过热而损坏。

(5) 最大允许功耗PZM:管子不致发生热击穿的最大功率损耗PZM =VZ IZmax

(6) 电压温度系数αV:温度变化10C时,稳定电压变化的百分数定义为电压温度系数。电压温度系数越小,温度稳定性越好,通常硅稳压管在VZ低于4V时具有负温度系数,高于6V时具有正温度系数, VZ在4~6V之间,温度系数很小。

稳压管正常工作的条件:

一是工作在反向击穿状态;

二是稳压管中的电流要在稳定电流和最大允许电流之间。

当稳压管正偏时,它相当于一个普通二极管。右图为

最常用的稳压电路,当Vi或RL变化时,稳压管中的

电流发生变化,但在一定范围内其端电压变化很小,

因此起到稳定输出电压的作用。

4、阻尼二极管

阻尼二极管多用在高频电压电路中,能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电流。一般用在电视机电路中。常用的阻尼二极管有2CN1、2CN2、BS-4等。

5、光电二极管(光敏二极管)

光电二极管跟普通二极管一样,也是由一个PN结构成。它的管壳上备有一个玻璃窗口,以便于接受光照。而且它的PN结面积较大,是专为接收入射光而设计的。它是利用PN结在施加反向电压时,在光线照射下反向电阻由大变小的原理来工作的。就是说,当没有光照射时反向电流很小,而反向电阻很大。当有光照射时,反向电阻减小,反向电流增大。

N型:2CU P型:2DU

光电二极管的主要参数有:

暗电流:无光照时的反向饱和电流。一般<1μA。

光电流:指在额定照度下的反向电流,一般为几十毫安。

灵敏度:指在给定波长(如0.9μm)的单位光功率时,光电二极管产生的光电流。一般≥0.5μA/μW。

峰值波长:使光电二极管具有最高响应灵敏度(光电流最大)的光波长。一般光电二极管的峰值波长在可见光和红外线范围内。

响应时间:指加定量光照后,光电流达到稳定值的63%所需要的时间,一般为

10-7S。

6、发光二极管

发光二极管是一种把电能变成光能的半导体器件。它具有一个PN结,与普通二极管一样,具有单向导电的特性。当给发光二极管加上正向电压,有一定的电流流过时就会发光。发光二极管是由磷砷化镓、镓铝砷等半导体材料制成的。当给PN结加上正向电压时,P区的空穴进入到N区,N区的电子进入到P区,这时便产生了电子与空穴的复合,复合时便放出了能量,此能量就以光的形式表现出来。

发光二极管的种类以发光的颜色可分为,红色光的、黄色光的、绿色光的等。还有三色变色发光二极管和眼睛看不见的红外光二极管。其形状有圆形、圆柱形、方形、矩形。如图6-2(a)所示。

对于发红光、绿光、黄光的发光二极管,管脚引线以较长者为正极,较短者

为负极。发光二极管可以用直流、交流、脉冲等电源点燃,如图6-2所示。改变R的大小,就可以改变其发光的亮度。

(a)(b)

图6-2 发光二极管外形及点燃电路

发光二极管好坏的判别可用万用表的 R×10k挡测其正、反向阻值。当正向电

阻小于 50k ,反向电阻大干 200k时均为正常。如正、反向电阻均为无穷大,表明此管已坏。

一般普通发光二极管的电压其压降约为1.5~2.0 V,其工作电流一般取10~20 mA 为宜

十一、二极管的选管原则

(1)二极管应按照用途、参数及使用环境选择。

(2)使用二极管时,正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。

(3)更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。

十二、半导体二极管电路的分析

1、理想模型

理想二极管(相当于开关):正偏时,导通,正向电压降为零,正向电阻为零;反偏时,截止,反向电阻为无穷大,反向电流为零。

2、限幅电路:限幅器的功能就是限制输出电压的幅度。

正偏时,导通,正向电压降为(硅管取0.7V,锗管为

0.2V),正向电阻为零;反偏时,截止,反向电阻为无穷

大,反向电流为零。

[课堂小结]

1、选用二极管时,实际电路中的工作电压应小于最高反向工作电压。

2、常用的二极管都有哪些,各自的原理是什么。

3、最大正向电流I OM是指半导体二极管在正常工作情况下,长期允许通过的最大正向电流。若超过该值时,二极管会因过热而损害。

4、将二极管的正向电阻与反向电阻进行比较,阻值相差越大,说明二极管的单向导电性越好。

5、稳压二极管是利用其反向击穿特性,它是工作在反向击穿状态。

[布置作业]

习题册

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义

CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流(正向测试电流)。锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管。硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF(AV)---正向平均电流 IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二

极管极限电流。 IH---恒定电流。维持电流。 Ii---发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流) Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流

第一章 半导体二极管测试题

第一章半导体二极管 班级:___________姓名:___________分数:___________ 一、填空题(1分/空,共30分) 1.导电性能介于导体和绝缘体之间的物质是________。 2.半导体具有______特性、_______特性和_______特性。 3.PN结正偏时,P区接电源的____极,N区接电源的____极;PN结反偏时,P区接电源的______极,N区接电源的_____极。 4.PN结具有_________________的特性,即加正向电压时,PN结______,加反向电压时,PN结_______. 5.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位_______。 6.二极管P区的引端叫________极或________极,N区的引出端叫_______极或_______极。 7.按二极管所用的材料不同可分为_______和_______两类。 8.二极管的正向接法是______接电源的正极,______接电源的负极;反向接法则相反。 9.硅二极管导通时的正向管压降约为______V,锗二极管导通时的管压降约为______V。 10.二极管最主要的特性是______,它是指:PN结正偏时呈______状态,正向电阻很小,正向电流很______(小,大);PN结反偏时呈_____状态,反向电阻很大;反向电流很______(小,大)。 11.二极管是用一个PN结制成的半导体器件,它的最基本的性质是____________。 12.有一锗二极管正反向电阻均接近于零,表明该二极管已______;有一硅二极管正、反向电阻均接近于无穷大,表明二极管已_____________。 二、判断题(2分/题,共22分) 1.N型半导体又称为空穴型半导体。() 2.PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。() 3.二极管是线性元件。() 4.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 5.不论是那种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。() 6.二极管具有单向导电性。() 7.二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()8.二极管加正向电压时一定导通。() 9.二极管加反向电压时一定截止。() 10.有两个电极的元件都叫二极管。() 11.用数字万用表测试二极管时,显示“000”,说明该二极管内部开路。() 三、选择题(2分/题,共40分) 1.PN结的最大特点是具有()。 A.导电性 B. 绝缘性 C. 单向导电性 D. 负阻性 2.半导体受光照,导电性能()。 A. 增强 B. 减弱 C. 不变 D.不一定 3.当外界温度升高时,半导体的导电能力()。 A. 不变 B. 增加 C. 显著增加 C. 先减小后增加 4.PN结正向偏置时( )。 A.P区接电源正极,N区接电源负极 B. N区接电源正极,P区接电源负极 C. 电源极性可以任意调换 D. 不接电源 5.PN结的主要特征为()。 A. 正向导电特性 B. 单向导电性 C. 反向击穿特性 B. 可控的单向导电特性 6.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是() A.正偏 B.反偏 C.零偏 D.损坏 7.硅二极管加正向电压() A.立即导通 B.超过0.3V导通 C.超过0.7V导通 D.超过死区电压导通 8.用万用表直流电路挡分别测出V1、V2和V3正极与负极对地的电位如图1-1所示,V1.V2和V3的偏置状态为() A.V1、V2和V3均正偏 B.V1反偏,V2和V3正偏 C.V1、V2反偏,V3正偏 D.V1、V2和V3均反偏 9.某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压() A.约等于150V B略大于150V V2 V1 +13V V3 -11V -12V +12V 0V -1V 图1-1

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性 机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源,r 为等效内阻,I 为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN 结,而PN 结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN 型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。

半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表第1章教学内容与要求 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1)N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。 (2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2 PN结及其特性

1.PN 结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N 型半导体,另一边形成P 型半导体,在P 型区和N 型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。PN 结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN 结的单向导电性 PN 结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。 3. PN 结的伏安特性 PN 结的伏安特性: )1(T S -=U U e I I 式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV 。 (1) 正向特性 0>U 的部分称为正向特性,如满足U ??U T ,则T S U U e I I ≈,PN 结的正向电流I 随正向电压U 按指数规律变化。 (2) 反向特性 0>,则S I I -≈,反向电流与反向电 压的大小基本无关。 (3) 击穿特性 当加到PN 结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN 结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN 结的电容效应 PN 结的结电容C J 由势垒电容C B 和扩散电容C D 组成。C B 和C D 都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN 结正向偏置时,扩散电容C D 起主要作用,当PN 结反向偏置时,势垒电容C B 起主要作用。 1.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN 结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压u D 和流过二极管的电流i D 之间的关系。它的伏安特性与PN 结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN 结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1o C ,PN 结的正向压降约减小(2~)mV 。 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10 o C 左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流I F ;最高反向工作电压U R ;反向电流I R ;最高工作频率f M 等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:

各种常用电子元件符号及其名称【全】

各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D

肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号:LED 表示符号:LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管(双基极二极管)表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT

复合三极管NPN型三极管 表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号:Q,VT 表示符号:Q,VT

带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号:Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS

电阻电阻器或固定电阻表示符号:R 电阻电阻器或固定电阻表示符号:R 电位器可调电阻 表示符号:VR,RP,W 表示符号:VR,RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR,RP,W 表示符号:VR,RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号:RT 表示符号:RT 压敏电阻表示符号:RZ,VAR 热敏电阻表示符号:RT

光敏电阻电容(有极性电容)CDS 表示符号: 电容(有极性电容)可调电容 表示符号:C 表示符号:C 电容(无极性电容)四端光电光电耦合器 表示符号:C 表示符号:IC,N 六端光电光电耦合器 表示符号:IC,N 电子元器件符号图形

二极管的识别与检测

二极管的识别与检测 一、晶体二极管的识别方法及其作用 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号1N40011N40021N4003 1N40041N40051N4006 1N4007 耐压(V)50100200400600800 1000 电流(A)均为1 5、什么是阻尼二极管 1.阻尼二极管的特点及应用:阻尼二极管类似于高频、高压整流二极管,其特点是具有较低有电压降和较高的工作频率,且能承受较高的反向击穿电压和较大的峰值电

流。阻尼二极管主要用在电视机中,作为阻尼二极管、升压整流二极管或大电流开关二极管使用。图4-53是阻尼二极管的外形。 2.常用的阻尼二极管:常用的阻尼二极管有2AN系列、2CN系列、2DN系列和BS系列等,表4-48是部分阻尼二极管的主要参数。

实验二 二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验二 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性 万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源,r 为等效内阻,I 为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN 结,而PN 结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN 型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。

二极管的电路符号及图片识别

一:二极管的分类 令狐采学 1、按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。 2、根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。 3、按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 1)整流二极管 将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管。 2)检波二极管 检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

3)开关二极管在脉冲数字电路中,用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管,它的特点是反向恢复时间短,能满足高频和超高频应用的需要。 4) 稳压二极管稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管,它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点,来达到稳压的目的,因为它能在电路中起稳压作用,故称为、稳压二极管(简称稳压管)。 5)变容二极管变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件,被广泛地用于参量放大器,电子调谐及倍频器等微波电路中。 6))瞬态电压抑制器TVS 一种固态二极管,专门用于ESD 保护。TVS 二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿。

7)发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 8)肖特基二极管 基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 二:二极管的特性 通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告实验二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 (1)鉴别正负极性

机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E为表内电源,r为等效内阻,I为被测回路中的实际电流。由图可见,黑表笔接表内电源的正端,红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到R?100或R?1K档,并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示,即红表笔接二极管的负极,而黑表笔接二极管的正极,则二极管处于正向偏置状态,因而呈现出低电阻,此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之,若将红表笔接二极管的正极,而黑表笔接二极管的负极,则二极管被反向偏置,此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 (2)测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极,红表笔接二极管负极,可测得二极管的正向电阻,此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极,黑表笔接二极管负极,可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小,则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大,表明管子已断路;反之,二者都为零,表明管子短路。

2.利用万用表测试小功率晶体三极管 (1)判定基极和管子类型由于基极与发射极、基极与集电极之间,分别是两个PN结,而PN结的反向电阻值很大,正向电阻值很小,因此,可用万用表的R?100或R?1K档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极,然后将红表笔先后接其余两个极,若两次测得的电阻都很小,则黑表笔接的为NPN型管子基极,如图所示,若测得电阻都很大,则黑表笔所接的是PNP型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小,则黑表笔所接的电极不是三极管的基极,应另接一个电极重新测量,以便确定管子的基极。 (2)判断集电极和发射极 判断集电极和发射极的基本原理是把三极管接成基本单管放大电路,利用测量管子的电流放大系数?值的大小来判定集电极和发射极。以NPN型为例,如图所示。基极确定以后,用万用表两表笔分别接另外两个极,用100K?的电阻一端接基极一端接黑表笔,若电表指针偏转较大,则黑表笔所接的一端为集电极,红表笔接的是发射极。也可用手捏住基极与黑表笔(不能使两者相碰),以人体电阻代替100K?电阻的作用。

(整理)常用晶体二极管的识别

常用晶体二极管的识别 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。 1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V)50 100 200 400 600 800 1000 电流(A)均为1 SMT基础知识介绍 SMT(Surface Mount Technology)是电子业界一门新兴的工业技术,它的兴起及迅猛发展是电子组装业的一次革命,被誉为电子业的”明日之星”,它使电子组装变得越来越快速和简单,随之而来的是各种电子产品更新换代越来越快,集成度越来越高,价格越来越便宜。为IT (Information Technology)产业的飞速发展作出了巨大贡献。 SMT零件

常用电子元器件的符号

各种电子元件符号 普通的二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管注:单向型TVS 瞬态电压抑制二极管也是这 个符号表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管隧道二极管 光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号:LED 双色发光二极管 表示符号:LED 光敏三极管或光电接收三极 管 单结晶体管(双基极二极管) 表示符号:Q,VT 复合三极管 表示符号:Q,VT NPN型三极管 表示符号:Q,VT

表示符号:Q,VT PNP型三极管 表示符号:Q,VT PNP型三极管 表示符号:Q,VT NPN型三极管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号:Q,VT IGBT 场效应管 表示符号:Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号:Q,VT 双向型TVS瞬态电压抑制二 极管 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表电阻电阻器或固定电阻表

示符号:R 示符号:R 电位器 表示符号:VR,RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR,RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR,RP,W 电位器 表示符号:VR,RP,W 三脚消磁电阻 表示符号:RT 二脚消磁电阻 表示符号:RT 压敏电阻 表示符号:RZ,VAR 热敏电阻 表示符号:RT 光敏电阻 CDS 电容(有极性电容) 表示符号: 电容(有极性电容) 表示符号:C 可调电容 表示符号:C 电容器(无极性电容) 表示符号:C 四端光电光电耦合器 表示符号:IC,N 六端光电光电耦合器 表示符号:IC,N 半导体放电管(固体放电管)

LED数码管的识别与检测方法-使用常识

LED数码管也称半导体数码管,它是将若干发光二极管按一定图形排列并封装在一起的最 常用的数码显示器件之一。LED数码管具有发光显示清晰、响应速度快、耗电省、体积小、寿命长、耐冲击、易与各种驱动电路连接等优点,在各种数显仪器仪表、数字控制设备中 得到广泛应用。 LED数码管种类很多,品种五花八门,这里仅向初学者介绍最常用的小型“8”字形LED数 码管的识别与使用方法。 如何识别LED数码管 1.结构及特点 目前,常用的小型LED数码管多为“8”字形数码管,它内部由8个发光二极管组成,其中 7个发光二极管(a~g)作为7段笔画组成“8”字结构(故也称7 段LED数码管),剩 下的1个发光二极管(h或dp)组成小数点,如图1(a)所示。各发光二极管按照共阴 极或共阳极的方法连接,即把所有发光二极管的负极(阴极)或正极(阳极)连接在一起,作为公共引脚;而每个发光二极管对应的正极或者负极分别作为独立引脚(称“笔段电极”),其引脚名称分别与图 1(a)中的发光二极管相对应,即a、b、c、d、e、f、g 脚及h脚(小数点),如图1(b)所示。若按规定使某些笔段上的发光二极管发光,就 能够显示出图1(c)所示的“0~9”10个数字和“A~F”6个字母,还能够显示小数点, 可用于2进制、10进制以及16进制数字的显示,使用非常广泛。

(a)结构图 (b)电路图 (c)显示符 常用小型LED数码管是以印制电路板为基板焊固发光二极管,并装入带有显示窗口的塑料外壳,最后在底部引脚面用环氧树脂封装而成。由于LED数码管的笔段是由发光二极管组成的,所以其特性与发光二极管相同。LED数码管的主要特点:能在低电压、小电流条件下驱动发光,并能与CMOS、TTL电路兼容;它不仅发光响应时间极短(<0.1μs)、高

第6章半导体二极管及其应用电路习题答案3

选择正确答案填入空内。 (1)在本征半导体中加入 A 元素可形成N 型半导体,加入 C 元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (2)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (3)设二极管的端电压为v D ,则二极管的电流方程是 c 。 A. D v I e S B. T D V v I e S C. )1e (S -T D V v I (4)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 a 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (5)稳压管的稳压区是其工作在 c 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (6)稳压二极管稳压时,其工作在(c ),发光二极管发光时,其工作在( a )。 A .正向导通区 B .反向截止区 C .反向击穿区 6.2将正确答案填入空内。 (1)图P 6.2(a )所示电路中二极管为理想器件,则D 1工作在 状态,D 2工作在 状态,V A 为 V 。 解:截止,导通,-2.7 V 。 (2)在图P6.2(b)所示电路中稳压管2CW5的参数为:稳定电压V z = 12 V ,最大稳定电流I Zmax = 20 mA 。图中电压表中流过的电流忽略不计。当开关S 闭合时,电压表V 和电流表A 1、A 2的读数分别为 、 、 ;当开关S 断开时,其读数分别为 、 、 。 解:12 V ,12 mA ,6 mA ,12 V ,12 mA ,0 mA 。 6.3 电路如图P 6.3所示,已知v i =56sin ωt (v),试画出v i 与v O 的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 6.4 电路如图P6.4所示,已知v i =5sin ωt (V),二极管导通电压V D =0.7V 。试画出电路的传输特性及v i 与v O 的波形,并标出幅值。 图P6.4 的解:当v i 为 正半周时,D 1截止,D 2导通,v O =-2.3V 。当v i 为负正半周,且小于-3时,D 1截止,D 2仍导通,v O 大于-3V 后,;v O =v i 。 图 P6.3 图P6.4 _ o + 图P6.2 (a) 图 P6.2 (b) D 1 V i

各元器件符号及作用

电子元器件基础知识(1)——电阻 导电体对电流的阻碍作用称为电阻,用符号R表示,单位为欧姆、千欧、兆欧,分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法: 国产电阻器的型号由四部分组成(不适用敏感电阻)第一部分:主称,用字母表示,表示产品的名字。如R表示电阻,W表示电位器。第二部分:材料,用字母表示,表示电阻体用什么材料组成,T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分:分类,一般用数字表示,个别类型用字母表示,表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号,用数字表示,表示同类产品中不同品种,以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如:R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识(2)——电容 电容是电子设备量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。用C表示电容,电容单位有法拉(F)、微法拉(uF)、皮法拉(pF),1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。第二部分:材料,用字母表示。第三部分:分类,一般用数字表示,个别

用字母表示。第四部分:序号,用数字表示。用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识(3)——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上,导线彼此互相绝缘,而绝缘管可以是空心的,也可以包含铁芯或磁粉芯,简称电感。用L表示,单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH),1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类:固定电感、可变电感。按导磁体性质分类:空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类:天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类:单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性,与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R 线圈的Q值愈高,回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识(4)——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

二极管的识别与检测

《二极管的识别与检测》教案

项目教学过程设计 一、导入新课 1、复习用万用表如何检测电阻器和电容器。 前面已经学习了电阻器和电容器的检测,该如何检测了? 2、引入到二极管的识别与检测。 a、给每个学生发一个普通二极管,让学生观察普通二极管的结构,说出特点。 b、做一个实验(二极管的单向导电性) c、在前面两种元件的检测中,检测之前,我们需要知道这是什么材料、类型、型号如何识读。因此我们首先来学习二极管的类型识别。 师生互动:老师提问,学生进行思考。 学生活动:学生之间相互讨论 教学资源:二极管1N4007、稳压二极管、发光二极管、多媒体、实物展台 教学方法:引入法、提问法、讨论法。 参考时间:7分钟

三、 (一)、提出问题(时间:5分钟) 1、二极管的结构是什么?教材上列举的二极管电路图符号有哪些? 2、二极管的类型有哪些,特点如何? 3 、半导体元件的命名方法是什么?每个符号各代表什么含义? 带着上面三个问题,学生自己阅读77 页至79页,找到上面三个问题的答案。 (二)、教师根据学生的回答,讲述上面三个问题。(时间:10 分钟) 1、认识二极管的结构和电路图符号: 普通二极管稳压二极管变容二极管发光二极管 N P 二极管结构 2、二极管的类型及特点。 (1)、按照所用的半导体材料,可分为锗二极管(Ge 管)和硅二极管(Si 管)。 (2)、根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等。按照管芯结构,又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 3 、半导体元件的命名方法 国产半导体器件型号由五部分组成,场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。 规格代号2或3) 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。 2CW5的含义是什么。 (三)、出示交互式课件,让学生识读二极管型号。(时间:5分钟) 四、任务二:二极管的检测 1、二极管检测方法。 A 、教师和学生一起检测二极管,教师操作一步,学生也操作一步,直至检测完这只二极管。

实验二常用电子元器件的识别与检测

实验二常用电子元器件 的识别与检测 Document serial number【KK89K-LLS98YT-SS8CB-SSUT-SST108】

《电子工艺实习基础》实验报告实验二、常用电子元器件的识别与检测 学号:姓名:金聪班级: 1.实验目的 a.熟悉常用电子元器件基础知识 b.掌握使用万用表辨别常用元器件的方法。 2.实验内容 (1)常用电子元器件的介绍 (2)色环法识别电阻 各色环表示意义如下: 第一条色环:阻值的第一位数字; 第二条色环:阻值的第二位数字; 第三条色环:阻值的第三位数字; 第四条色环:10的幂数; 第五条色环:误差表示。 例如:电阻色环“绿蓝黑黑棕”——第一位:5;第二位:6;第三位:0;10的幂为0;误差为1%,即阻值为:560*100欧=560欧=560Ω 判别第一条色环的方法: 四色环电阻为普通型电阻,从标称阻值系列表可知,其只有三种误差系列,允许偏差为±5%、±10%、±20%,所对应的色环为:金色、银色、无色。而金 色、银色、无色这三种颜色没有有效数字,所以,金色、银色、无色作为四色 环电阻器的偏差色环,即为最后一条色环(金色,银色也可作为乘数)(3)电容器的识读 A.直标法:1-100 pF的瓷片电容、电解电容 B.数码表示法:第1、2位为有效数值,第三位为倍率 例:103=10 乘10的3次方pF,即= C.字母表示法:主要是针对涤纶电容 例:4n7==4700p, 22n= D.小数点表示法:自然数以下的单位为uF 例:标,等效值为 d.二极管极性的判别 指针式万用表拨在R×1O0或R×1K电阻档上,数字万用表直接用二极管档。如下图所示: 二极管性能测量 二极管性能测量二极管性能鉴别的最简单方法是用万用表测其正、反向电阻值,阻值相

实验二常用电子元器件的识别与检测

《电子工艺实习基础》实验报告 实验二、常用电子元器件的识别与检测 学号:姓名:金聪班级: 1.实验目的 a.熟悉常用电子元器件基础知识 b.掌握使用万用表辨别常用元器件的方法。 2.实验内容 (1)常用电子元器件的介绍 (2)色环法识别电阻 各色环表示意义如下: 第一条色环:阻值的第一位数字; 第二条色环:阻值的第二位数字; 第三条色环:阻值的第三位数字; 第四条色环:10的幂数; 第五条色环:误差表示。 例如:电阻色环“绿蓝黑黑棕”——第一位:5;第二位:6;第三位:0;10的幂为0;误差为1%,即阻值为:560*100欧=560欧=560Ω 判别第一条色环的方法: 四色环电阻为普通型电阻,从标称阻值系列表可知,其只有三种误差系列,允许偏差为±5%、±10%、±20%,所对应的色环为:金色、银色、无色。而金色、银色、无色这三种颜色没有有效数字,所以,金色、银色、无色作为四色环电阻器的偏差色环,即为最后一条色环(金色,银色也可作为乘数)(3)电容器的识读 A.直标法:1-100 pF的瓷片电容、电解电容 B.数码表示法:第1、2位为有效数值,第三位为倍率 例:103=10 乘10的3次方pF,即= C.字母表示法:主要是针对涤纶电容 例:4n7==4700p, 22n= D.小数点表示法:自然数以下的单位为uF 例:标,等效值为 d.二极管极性的判别 指针式万用表拨在R×1O0或R×1K电阻档上,数字万用表直接用二极管档。如下图所示:二极管性能测量 二极管性能测量二极管性能鉴别的最简单方法是用万用表测其正、反向电阻值,阻值相差越大,说明它的单向导电性能越好。因此,通过测量其正、反向电阻值,可方便地判断管子的导电性能。 (4)三极管PNP型,NPN型和基极的判别 A.将指针式万用表拨在R×1O0或R×1K电阻档上. B.红表笔任意接触三极管的任意一个电极,黑表笔依次接触另外两个电极,分别测

2-任务2 半导体二极管的识别与检测分析

学习情境一常用半导体器件的识别与检测 任务二半导体二极管的识别与检测 一、任务目的 1.了解半导体二极管导电特性; 2.了解半导体二极管的种类; 3.掌握半导体二极管的识别与检测。 二、任务的要求及技术指标 1. 了解本征半导体与杂质半导体的区别; 2.掌握PN结的形成与单向导电性; 3. 了解半导体二极管的结构类型和型号。 4.掌握半导体二极管的识别与检测。 三、半导体导电特性介绍 自然界的物质就其导电性能可分为导体、绝缘体、和半导体。 导体:导电性能良好的物质。如金、银铜等。 绝缘体:几乎不导电的物质。如陶瓷、橡胶、玻璃等。 图1-10 共价键示意图 半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。如硅、锗。 半导体一般分为本征半导体和杂质半导体两种类型。 1.本征半导体 常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge) 。这种非常纯净的且原子排列整齐的半导体。 图1-10所示分别为硅(锗)的原子结构示意图及硅(锗)原子在晶体中的共价键排

列。 如果共价键中的价电子受热激发获得足够能量,则可摆脱共价键的束缚而成为自由电子。这个电子原来所在的共价键的位置上就留下一个缺少负电荷的空位,这个空位称为空穴。空穴带正电。 2. 杂质半导体 本征半导体实际使用价值不大,但如果在本征半导体中掺入微量的某种杂质元素,就形成N型和P型半导体。 (1)N型半导体 在本征半导体(以硅为例)中掺入少量的5价元素,如磷(P)、砷(As)等。磷原子的最外层有5个价电子,其中4个价电子与相邻硅原子的最外层价电子组成共价键形成稳定结构,多余的电子很容易受激发成为自由电子。这种掺入5价元素的半导体称为N型半导体,如图1-11所示。N型半导体主要靠自由电子导电。 图1-11 N型半导体原理图 (2)P型半导体 在本征半导体(以硅为例)中掺入三价元素如硼(B),硼原子最外层的3个价电子工和相邻的3个硅原子形成共价键后,就留下一下空穴,空穴数量增多,自由电子则相对很少,这种掺入3价元素的半导体称为P型半导体,如图1-12所示。

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