模电基础知识

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模拟电路基础 复习资料

一、填空题

1.在P 型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。

2.在N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。

3.当PN 结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。

4.当PN 结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。

4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ,当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ,其电子为 多数载流子,空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ,其 空穴为多子 ,而 电子为少子 。

4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

4.3、二极管有一个PN 结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。

5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。

5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。 放大时:发射结应( 正向 )偏置,集电结应( 反向 )偏置。

5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是: 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低.

5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。

5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。

5.5微变等效电路法适用条件:微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。

5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况;2. 直观 形象;3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差;2. 作图麻烦,易带来误差; 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。

5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便;2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题; 2. 不能分析非线性失真;3. 不能分析最大输出幅度 。

6.根据理论分析,PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S e

I I ,其中S I 被称为( 反向饱和 )

电流,在室温下T U 约等于( 26mV )。

7.BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极( 漏极 )、( 栅极 )和( 源极 )与之对应。

7.1.场效应管是电压控制元件,三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。

7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。

7.3多级放大电路的耦合方式:阻容耦合,优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合,优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合,优点:有阻抗变换作用,各级静态工作点互不影响。缺点:不能放大直流及缓慢变化信号; 笨重;不易集成。

7.4由于放大电路对不同谐波成分的放大倍数的幅值不同,导致u o 的波形产生的失真,称为幅频失真。 由于不同谐波通过放大电路后产生的相位移不同,造成u o 波形产生的失真,称为相频失真。频率失真是由于放大电路对不同频率的信号响应不同而产生的;而非线性失真是由放大器件的非线性特性产生的。

7.5根据f β的定义,所谓共射截止频率,并非说明此时三极管已经完全失去放大作用,而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB 。特征频率:

|β| 值下降到 1 时的频率,用符号 fT 表示。特征频率是三极管的一个重要参数,当f > fT 时,三极管已失去放大作用,所以,不允许三极管工作在如此高的频率范围。

7.6通常将 值下降为低频时α0的 0.707倍时的频率定义为共基截止频率,用符号 f α 表示。三极管的频

率参数也是选用三极管的重要依据之一。通常,在要求通频带比较宽的放大电路中,应该选用高频管,即频率参数值较高的三极管。如对通频带没有特殊要求,则可选用低频管。 多级放大电路总的相位移为: 上线频率 下线频率

7.7 功放电路中电流、电压比较大;输出功率Po 尽可能大。 即注意提高电路的效率(η);电流、电压信号比较大,必须注意防止波形失真;

电路工作于大信号状态,功放管的非线性不可忽略,宜采用图解分析法。晶体管工作于乙类或甲乙类方式。 甲类工作状态:晶体管在输入信号的整个周期都导通,静态I C 较大,波形好, 管耗大效率低。乙类工作状态:晶体管只在输入信号的半个周期内导通,静态I C=0,波形严重失真, 管耗小效率高。甲乙类工作状态:晶体管导通的时间大于半个周期,静态I C ≈ 0,一般功放常采用。变压器耦合功率放大电路--乙类推挽电路,单电源供电,笨重,效率低,高、低频特性差。OTL 电路(接地),单电源供电,存在交越失真,需要大电容(几千微法),大电容特性不稳定,电路低频特性差,不易集成。OCL 电路(接-Vcc ),双电源供电,效率高,低频特性好,省去了大电容,既改善了低频响应,又有利于实现集成化,应用更为广泛。如果静态工作点失调或电路内元器件损坏,将造成一个较大的电流长时间流过负载,可能造成电路损坏。为了防止出现此种情况,实际使用的电路中,常常在负载回路接入熔断丝作为保护措施。 BTL 电路:单电源供电,低频特性好;双端输入双端输出,管子多、损耗大,效率低。

7.8复合管组成原则:电流方向一致,电压极性正确,即前后两个三极管均为发射结正偏,集电结反偏,使两管都工作在放大区。

8.在放大器中,为稳定输出电压,应采用( 电压取样 )负反馈,为稳定输出电流,应采用( 电流取样 )负反馈。

9.在负反馈放大器中,为提高输入电阻,应采用(串联-电压求和)负反馈,为降低输出电阻,应采用( 电压取样 )负反馈。

10. 放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器( 的电性能 )。

11.在BJT 放大电路的三种组态中,( 共集电极 )组态输入电阻最大,输出电阻最小。( 共射 )组态即有电压放大作用,又有电流放大作用。

12. 在BJT 放大电路的三种组态中,( 共集电极 )组态的电压放大倍数小于1,( 共基 )组态的电流放大倍数小于1。 13.差分放大电路的共模抑制比K CMR =( C u

A A lg 20 ),通常希望差分放大电路的共模抑制比越( 大 )

越好,电路的抗干扰能力就强.差分电路的主要作用:抑制零点漂移。

14.从三极管内部制造工艺看,主要有两大特点,一是发射区( 高掺杂 ),二是基区很 ( 薄 )并掺杂浓度( 最低 )。

14.1 电流源电路有比例型电流源、镜像电流源、多路电流源及二极管温度补偿电路等。

15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后,它的差模放大倍数d A 将( 不变 ),而共模放大倍数c

A 01f j f ααα=+2Ln 2L22L1L 1.1f f f f +++≈ 2Hn 2H22H1H 1111.11f f f f +++≈ ∑==++=n k 1k

n 21?????

将( 减小 ),共模抑制比将( 增大 )。

16.多级级联放大器中常用的级间耦合方式有( 阻容 ),( 变压器 )和( 直接 )耦合三种。

17.直接耦合放大器的最突出的缺点是( 零点漂移 )。 次缺点: 各级工作点互相影响

18,集成运放主要由( 输入级 ),( 中间放大级 ),( 输出级 )和( 偏置电路 )4部分组成。

19.BJT 三极管的直流偏置电路通常有( 固定基流 )电路和( 分压式 )电路两种。

20.负反馈放大电路增益的一般表达式F A

A A f +=1,当11>+F A 时,这种反馈称 为( 负反馈 );当11<+F A 时,这种反馈称为( 正反馈 )。

21.集成运放两个输入端之间的电压通常接近0,即0≈=-+u u ,将这种现象称为( 虚短)。

22.集成运放两个输入端的电流通常接近0,即0≈=-+i i ,将这种现象称为( 虚断 )。 U - = U + = 0这种现象称为( 虚地 ).

反相比例运算电路: 电路是深度电压并联负反馈电路,理想情况下,反相输入端 “ 虚地”,共模输入电压低,| A uf | 可大于 1、等于 1 或小于 1 ,电路的输入电阻不高,输出电阻很低.同相比例运算电路: 电路是一个深度的电压串联负反馈电路。 “虚短”, 不“虚地”,共模输入电压高。U 0 与 U i 同相,A uf 大于 1 或等于 1。输入电阻高,输出电阻低。差分比例运算电路:共模输入电压高, “虚短”,但不 “虚地”。 输入电阻不高,输出电阻低,元件对称性要求高。反相输入求和电路:

优点:调节灵活方便;共模电压很小;实际工作中应用广泛。 同相输入求和电路、积分电路,应用:波形变换、移相。微分电路,应用:波形变换、移相。

22.1由于集成运放的输入级通常由差分放大电路组成,因此一般具有两个输入端和一个输出端。 共模抑制比Kcmr 用以衡量集成运放抑制温漂的能力。K CMR 越大,说明差放分辨差模信号的能力越强,而抑制共模信号的能力越强。 集成运放的基本组成:输入级(克服零点漂移)、中间级(提供电压放大倍数)、输出级(提供负载所需功率及效率)、偏置电路(向各放大级提供合适的偏置电流)

22.2偏置电路类型1. 镜像电流源,优点:结构简单,有温度补偿作用。2、比例电流源,优点:结构简单,有温度补偿作用。缺点:Vcc 变化时,IC2按同样规律变化;无法产生微安极电流。3、微电流源,在镜像电流源的基础上接入电阻 R e 。优点:1)VCC 变化时,RE 负反馈的作用,IC2变化很小,提高了恒流源对电源变化的稳定性;2)温度升高时,UBE1下降,对IC2增加有抑制作用,提高了恒流源对温度变化的稳定性;3)RE 引入了电流负反馈,输出电阻增大。

22.3长尾式差分放大电路:引入共模负反馈,降低单管零点漂移,提高了共模抑制比。补偿R e 上的直流压降,提供静态基极电流。恒流源式差分放大电路:用恒流三极管代替阻值很大的长尾电阻R e ,既可有效抑制零漂,又便于集成。恒流源式差放的交流通路与长尾式电路的交流通路相同,二者的差模电压放大倍数、差模输入电阻和输出电阻均相同。单端输入、单端输出:抑制零漂能力较强,可使输入、输出电压反相或同相。集成运放的输出级基本上都采用各种形式的互补对称电路,为了避免产生交越失真,实际上通常采用甲乙类的OCL 或OTL 互补对称电路。

22.4专用型集成运放的特点:高精度型、低功耗型、高阻型、高速型、高压型、大功率型。

23、功率放大器对指标的要求:输出功率要大、效率要高、管耗要小、失真要小。所以,工作在甲乙类状态的互补对称功放电路,既可以获得较大的功率、较高的效率,又可以消除乙类放大时所产生的交越失真。

23.1集成功放优点,主要有温度稳定性好,电源利用率高,功耗较低,非线性失真较小等,还可以将各种保护电路也集成在芯片内部,使用更加安全。集成功放从用途划分,有通用型功放和专用型功放。从芯片内部的构成划分,有单通道功放和双通道功放。从输出功率划分,有小功率功放和大功率功放。

24、反馈:将放大电路的输出量(输出电压或输出电流)的一部分或全部,通过一定的方式,反送到输入回路中。正反馈:引入的反馈信号增强了外加输入信号的作用, 从而使放大电路的放大倍数提高。负反馈:引入的反馈信号削弱了外加输入信号的作用, 从而使放大电路的放大倍数降低。判断方法:瞬时极性法。直流反馈:反馈信号中只包含直流成分。交流反馈:反馈信号中只包含交流成分。电压反馈:反馈信号取自输出电压,与输出电压成正比。电流反馈:反馈信号取自输出电流,与输出电流成正比。判断方法:可假设将输出端交流短路(即令输出电压等于零),若反馈信号不复存在,则为电压反馈,否则就是电流反馈。 串联反馈:反馈信号与输入信号在输入回路中以电压形式求和。并联反馈:反馈信号与输入信号在输入回路中以电流形式求和。

24.1、直流负反馈的作用是稳定工作点,交流负反馈的作用是改善放大器的性能:如减少非线性失真;提高电压放大倍数的稳定度;扩展通频带。电压负反馈还可减少输出电阻、稳定输出电压;电流负反馈可以提高输出电阻、稳定输出电流;而串联负反馈可以提高输入电阻;并联负反馈可以减小输入电阻。 其1+AF 称反馈深度。串联负反馈可提高输入电阻。并联负反馈降低输入电阻。

24.2、 负反馈有四种类型:电压串联负反馈;电压反馈可减小输出电阻,从而稳定输出电压。电压并联负反馈;电流串联负反馈;电流反馈可增大输出电阻,从而稳定输出电流。

电流并联负反馈。串联反馈可增大输入电阻。并联反馈可减小输入电阻。

24.3、 对集成运算放大器反馈类型的经验判断方法是:

当反馈元件(或网络)搭回到反相输入端为负反馈;搭回到同相输入端为正反馈。

当反馈元件(或网络)搭回到输入端为并联反馈,搭回到输入端的另一端为串联反馈。 当反馈元件(或网络)搭在输出端为电压反馈,否则为电流反馈。

而一般的判断方法:若反馈信号使净输入减少,为负反馈,反之为正反馈。(用瞬时极性判断)

若满足Ui=Uid+Uf 为串联反馈,满足 Ii=Iid+If 为并联反馈。

若反馈信号正比输出电压,为电压反馈,反馈信号正比输出电流,为电流反馈。

24.4负反馈对放大电路性能的影响:提高放大倍数的稳定性、减小非线性失真和抑制干扰、

展宽频带 、改变输入电阻和输出电阻。

25.什么是集成运算放大器?

答:集成的、高增益、高输入电阻、低输出电阻的、直接耦合的、多级放大电路。

26.什么是零点漂移?产生的主要原因是什么?答:输入短路时,输出仍有缓慢变化的电压产生,温度变化引起。常用的抑制零漂措施:引入直流负反馈以稳定Q 点、利用热敏元件补偿放大管的温漂、利用差分放大电路。

27.衡量一个电路抑制零点漂移的能力的指标是什么? 答:共模抑制比

28. 在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。

29. 产生自激振荡条件是:

常用的校正措施:电容校正(又称为主极点校正),降低放大电路的主极点频率,来破坏自激振荡的条件 此方法简单方便,但通频带将严重变窄。 RC 校正,将使通频带变窄的程度有所改善,即改善了高频响应 校正网络应加在极点频率最低的放大级(时间常数最大)

BW F A

BW )1(f +≈

30. 放大电路产生自激振荡的条件可表示为 所以产生正弦波振荡的条件是:AF=1(带点)。负反馈放大电路产生自激振荡的条件是:AF=-1(带点),两种情况下反馈的极性不同

31. 正弦波振荡电路的组成:放大电路:实现能量控制。选频网络:确定电路的振荡频率。正反馈网络:使输入信号等于反馈信号。稳幅电路:使输出信号幅值稳定。分类:RC 正弦波振荡电路、LC 正弦波振荡电路、石英晶体正弦波振荡电路。

32. RC 正弦波振荡电路: RC 串并联网络振荡电路(文氏电桥振荡电路),负反馈的作用:改善振荡波形,减小放大电路对选频特性的影响,提高振荡电路的带负载能力。调频方便, 便于加负反馈稳幅电路, 输出波形良好。RC 移相式振荡电路:电路结构简单经济;选频较差,调频不方便,输出波形较差,适用于频率固定,波形要求不高的轻便测试设备中。双T 选频网络振荡电路:特点:选频特性好,输出信号的频率稳定性较高,应用较广泛,但调频困难,适用于产生单一频率的振荡波形。以上三种电路的振荡频率均与 RC 成反比,一般用来产生几赫~几百千赫的低频信号。

33. LC 正弦波振荡电路:电路的品质因数 Q 愈大,选频特性愈好。变压器反馈式振荡电路、变压器反馈式振荡电路、电感三点式振荡电路、电容三点式振荡电路、电容三点式改进电路。 并联型石英晶体振荡电路、串联型石英晶体振荡电路。

34. 矩形波发生电路: RC 充放电回路、滞回比较器。滞回比较器的两种不同输出使RC 电路进行充电或放电,电容上的电压将升高或降低,电容上的电压又作为滞回比较器的输入电压,从而使RC 电路由充电过程变为放电过程或相反,如此反复,在滞回比较器的输出端可得到矩形波。

35. 三角波发生电路:滞回比较器、积分电路。在积分电路的输出端得到三角波。

36. 锯齿波发生电路:在三角波发生电路基础上,用VD1 、 VD2和R w 代替原来的积分电阻,使充电和放电回路分开,即成为锯齿波发生器。

37. 单相整流电路:对直流电源的主要要求: 能够输出不同电路所需要的电压和电流;直流输出电压平滑,脉动成分小;输出电压的幅值稳定;交流电变换成直流电时的转换效率高。直流电源一般包括四个组成部分,即电源变压器、整流电路:利用具有单向导电性能的整流元件,将正负交替的正弦交流电压整流成为单方向的脉动电压。滤波器:尽可能地将单向脉动电压中的脉动成分滤掉,使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路:使输出的直流电压,在电网电压或负载电流发生变化时保持稳定。

38. 单相半波整流电路:优点: 结构简单,所用元件少。缺点:输出波形脉动大;直流成分比较低; 变压器利用率低;变压器电流含有直流成分,容易饱和。所以只能用在输出电流较小,要求不高的场合。

39. 单相全波整流电路:输出电压平均值是半波整流的两倍,脉动成分比半波整流时有所下降。

40. 单相桥式整流电路:电路中用了四个二极管,接成电桥形式,故称为桥式整流电路。

41. 滤波电路:电容滤波电路,特点:1)电容滤波电路适用于小电流负载2)电容滤波电路的外特性比较软,须选用较大容量的整流二极管。电感滤波电路,接入滤波电感后,由于电感的直流电阻很小,交流阻抗很大,因此直流成分流过电感后基本上没有损失,交流分量很大部分降落在电感上,从而降低了输出电压中的脉动成分,特点:1)电感滤波电路适用于大电流负载2)电感滤波电路的外特性比较硬。3)由于电感有延长整流管导电管电角的趋势,因此电流的波形比较平滑,避免了在整流管中产生较大的冲击电流。 41.1复式滤波电路:LC 滤波电路,在负载电流较大或较小时均有良好的滤波作用,克服了整流管电流较大的缺点,外特性比较硬。LC -∏型滤波电路,输出电压的脉动系数比仅有LC 滤波时更小,波形更加平滑。输出直流电压提高了。缺点是整流管的冲击电流比较大,外特性比较软。RC – П 型滤波电路:优点:可进一步降低输出电压的脉动系数。缺点: R 上有直流压降;整流管的冲击电流仍比较大;外特性比电容滤波更软,只适用于小电流的场合。

42. 三端集成稳压器的组成:调整管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路。

43.

开关型稳压电路的特点: 效率高、体积小重量轻、对电网电压的要求不高、调整管的控制电路比较复杂、输出电压中纹波和噪声成分较大。

f o i i U FU FAU U ===

数电和模电知识点

模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V阳

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模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模电基础知识

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电 极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy )1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

模电知识总结

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

模电知识总结

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别:导体导电只有一种载流子:自由电子导电半导体 导电有两种载流子:自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现,数目相等,所带 电荷极性不同,故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差,但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面

5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0£) 00 GO e?;①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大;空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时,就会反 向击穿,称之为 反向击穿电压

正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极;N区引出的电极一一阴极 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中,Is为反向电流,Uon为开启电压,硅的开启电压一一0.5V,导通电压为0.6~0.8V,反向饱和电 流<0.1叭,锗的开启电压一一0.1V,导通电压为0.1~0.3V,反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流,通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流,其值越小,二极管的单向导电性越好,对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率,超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ,端电压几乎不变,表现出稳压特 性,广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb}时号恳竽故审.歸

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管~,锗管~。 *死区电压------硅管,锗管。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路); 若V阳

(整理)半导体基础知识.

1.1 半导体基础知识概念归纳 本征半导体定义:纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 电流形成过程:自由电子在外电场的作用下产生定向移动形成电流。 绝缘体原子结构:最外层电子受原子核束缚力很强,很难成为自由电子。 绝缘体导电性:极差。如惰性气体和橡胶。 半导体原子结构:半导体材料为四价元素,它们的最外层电子既不像导体那么容易挣脱原子核的束缚,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧。 半导体导电性能:介于半导体与绝缘体之间。 半导体的特点: ★在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。 ★在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。 晶格:晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵,称为晶格。 共价键结构:相邻的两个原子的一对最外层电子(即价电子)不但各自围绕自身所属的原子核运动,而且出现在相邻原子所属的轨道上,成为共用电子,构成共价键。 自由电子的形成:在常温下,少数的价电子由于热运动获得足够的能量,挣脱共价键的束缚变成为自由电子。 空穴:价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。 电子电流:在外加电场的作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流。 空穴电流:价电子按一定的方向依次填补空穴(即空穴也产生定向移动),形成空穴电流。 本征半导体的电流:电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同,它们运动方向相反。 载流子:运载电荷的粒子称为载流子。 导体电的特点:导体导电只有一种载流子,即自由电子导电。 本征半导体电的特点:本征半导体有两种载流子,即自由电子和空穴均参与导电。 本征激发:半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。 复合:自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴,

模电基础知识教程

模电基础教程 01单元半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 基本放大电路的工作原理 基本放大电路的组成 直流通路与静态工作点 交流通路与放大原理 放大电路的性能指标

放大电路的图解分析法 放大电路的静态图解分析 放大电路的动态图解分析 输出电压的最大幅度与非线性失真分析 微变等效电路分析法 晶体管的h参数 晶体管的微变等效电路 用微变等效电路法分析放大电路 静态工作点的稳定 温度变化对静态工作点的影响 工作点稳定的电路 场效应管放大电路 场效应管放大电路的静态分析 多级放大电路 多级放大电路的级间耦合方式 多级放大电路的分析方法 放大电路的频率特性 单级阻容耦合放大电路的频率特性 多级阻容耦合放大电路的频率特性 03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类 反馈的基本概念和一般表达式 反馈放大电路的类型与判断 负反馈放大电路基本类型举例 电压串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 负反馈对放大电路性能的影响 降低放大倍数 提高放大倍数的稳定性

展宽通频带 减小非线性失真 改变输入电阻和输出电阻 负反馈放大电路的分析方法 深度负反馈放大电路的近似计算 *方框图法分析负反馈放大电路 04单元功率放大器功率放大电路的基本知识 概述 甲类单管功率放大电路 互补对称功率放大电路 OCL类互补放大电路 OTL甲乙类互补对称电路 复合互补对称电路 05单元直接耦合放大电路 概述 直接耦合放大电路中的零点漂移 基本差动放大电路的分析 基本差动放大电路 基本差动放大电路抑制零点漂移的原理 基本差动放大电路的静态分析 基本差动放大电路的动态分析 差动放大电路的改进 06单元集成运算放大器集成电路基础知识 集成电路的特点 集成电路恒流源 有源负载的基本概念 集成运放的典型电路及参数 典型集成运放F007电路简介 集成运放的主要技术参数

半导体基础知识学习

我们知道,电子电路是由晶体管组成,而晶体管是由半导体制成的。所以我们在学习电子电路之前, 一定要了解半导体的一些基本知识。 这一章我们主要学习二极管和三极管的一些基本知识,它是本课程的基础,我们要掌握好在学习时我们把它的内容分为三节,它们分别是: 1、1 半导体的基础知识 1、2 PN结 1、3 半导体三极管 1、1 半导体的基础知识 我们这一章要了解的概念有:本征半导体、P型半导体、N型半导体及它们各自的特征。一:本征半导体 纯净晶体结构的半导体我们称之为本征半导体。常用的半导体材料有:硅和锗。它们都是四价元素,原子结构的最外层轨道上有四个价电子,当把硅或锗制成晶体时,它们是靠共价键的作用而紧密联系在一起。 共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴,它带正电。我们用晶体结构示意图来描述一下;如图(1)所示:图中的虚线代表共价键。 在外电场作用下,自由电子产生定向移动,形成电子电流; 同时价电子也按一定的方向一次填补空穴,从而使空穴产生定向移动,形成空穴电流。 因此,在晶体中存在两种载流子,即带负电自由电子和带正电空穴,它们是成对出现的。二:杂质半导体 在本征半导体中两种载流子的浓度很低,因此导电性很差。我们向晶体中有控制的掺入特定的杂质来改变它的导电性,这种半导体被称为杂质半导体。 1.N型半导体 在本征半导体中,掺入5价元素,使晶体中某些原子被杂质原子所代替,因为杂质原子最外层有5各价电子,它与周围原子形成共价键后,还多余一个自由电子,因此使其中的空穴的浓度远小于自由电子的浓度。但是,电子的浓度与空穴的浓度的乘积是一个常数,与掺杂无关。在N型半导体中自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 2.P型半导体 在本征半导体中,掺入3价元素,晶体中的某些原子被杂质原子代替,但是杂质原子的最外层只有3个价电子,它与周围的原子形成共价键后,还多余一个空穴,因此使其中的空穴浓度远大于自由电子的浓度。在P型半导体中,自由电子是少数载流子,空穴使多数载流子。 1、2 P—N结

第一章半导体基础知识(精)

第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管(BJT和FET)的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲,每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同,电工材料可分为三类:导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料,半导体的电阻率为10-3~10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别:当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化;往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时,会使它的导电能力具有可控性;这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”,它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电,成为自由电子。这一现象称为本征激发(也称热激发)。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的,称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡,此时,载流子浓度一定,且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流,空穴的定向运动也可形成空穴电流,因此,在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子(即载流子),这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电,而电子的运动与空穴的运动方向相反,因此认为空穴带正电。

模拟电子技术基础知识讲解

常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(×) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。(√) 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 (5)在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体,加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 (6)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 (7)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图T1.4

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模电基础知识

模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1.在P 型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。 2.在N 型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。 3.当PN 结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。 4.当PN 结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。 4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ,当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ,其电子为 多数载流子,空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ,其 空穴为多子 ,而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的,而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3、二极管有一个PN 结,它具有单向导电性,它的主要特性有:掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V ,导通压降约为0.7V ,锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。 5、三极管具有三个区:放大区、截止区、饱和区,所以三极管工作有三种状态:工作状态、饱和状态、截止状态,作放大用时,应工作在放大状态,作开关用时,应工作在截止、饱和状态。 5.1、三极管具有二个结:即发射结和集电结。饱和时:两个结都应正偏;截止时:两个结都应反偏。 放大时:发射结应( 正向 )偏置,集电结应( 反向 )偏置。 5.2、三极管放大电路主要有三种组态,分别是: 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用,但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用,没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低. 5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.4单管共射放大电路中,1.交直流并存,2.有电压放大作用,3.有倒相作用。 5.5微变等效电路法适用条件:微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况;2. 直观 形象;3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差;2. 作图麻烦,易带来误差; 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。 5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便;2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题; 2. 不能分析非线性失真;3. 不能分析最大输出幅度 。 6.根据理论分析,PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S e I I ,其中S I 被称为( 反向饱和 ) 电流,在室温下T U 约等于( 26mV )。 7.BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极( 漏极 )、( 栅极 )和( 源极 )与之对应。 7.1.场效应管是电压控制元件,三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高,三极管输入电阻较小。场效应管噪声小,受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 7.3多级放大电路的耦合方式:阻容耦合,优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合,优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合,优点:有阻抗变换作用,各级静态工作点互不影响。缺点:不能放大直流及缓慢变化信号; 笨重;不易集成。

半导体物理与器件基础知识

9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触:通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时,在未接触时,半导体的费米能级高于金属的费米能级,接触后,半导体的电子流向金属,使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处,场强达到最大值,由于金属中场强为零,所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素:肖特基效应的影响,即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图:

电流——电压关系:金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流,而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线:反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较:1.反向饱和电流密度(同上),有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件,加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触

附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结:两种不同的半导体形成一个结 小结:1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时,半导体与金属之间的势垒高度降低,电子很容易从半导体流向金属,称为热电子发射。

2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大,因此达到相同电流时,肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结,两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管,是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 一、工作原理 附npn型和pnp型的结构图 发射区掺杂浓度最高,集电区掺杂浓度最低

模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)

绪论 一.符号约定 ?大写字母、大写下标表示直流量。如:V CE、I C等。 ?小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。如:v CE、i B等。?小写字母、小写下标表示纯交流量。如:v ce、i b等。 ? 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如:等。 二.信号 (1)模型的转换 (2)分类 (3)频谱 二.放大电路 (1)模型

(2)增益 如何确定电路的输出电阻r o?

三.频率响应以及带宽 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通,反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

模拟电子技术基础_知识点总结

第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性:光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体:纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下,本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发(又称热激发),产生两种带电性质相反的载流子(空穴和自由电子对),温度越高,本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位, 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下,自由电子和空穴在热运动中相遇,使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时,称为载流子处于动态平衡状态。 2.杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体:在本征半导体中掺入微量的3价元素(多子是空穴,少子是电子)。 ◆N型半导体:在本征半导体中掺入微量的5价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度:多子浓度决定于杂质浓度,几乎与温度无关;少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻:通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中,存在因电场作用产生的载流子漂移电流(与金属导电一致),还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近,形成一个特殊的薄层(PN结)。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场,阻止结外两区的多子的扩散,有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性:正偏导通,反偏截止,是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结(P+,N-):具有随电压指数增大的电流,硅材料约为0.6-0.8V,锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结(P-,N+):在击穿前,只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安(曲线)方程: 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结,P区引出正电极,N区引出负电极。

模电基础知识讲解

第一讲电荷 一、正电荷与负电荷 初中的时候我们学习过的物理与化学里有有关自然界中的物质的定义就是: 物质由分子组成,分子由原子组成,原子由原子核与核外电子组成。原子核带正电,核外电子带负电。 元素的序号就就是一个原子中原子核内正电荷的数目,核外电子的数目与核内正电荷的数目相等,正电荷与负电荷相互抵消而呈电中性。 所以,正常情况下物质就是电中性的,即不带电的。 当原子获得一定的能量后,其核外电子容易摆脱原子核的束缚而挣脱出来,叫做自由电子。任何元素都有其自身的化合价,化合价有表达能够摆脱原子核束缚的自由电子数目多少的特征。 如,硅原子的序号就是14,表示有14个核外电子,14个核内正电荷。 但就是化合价就是4,即可能最多有4个核外电子摆脱原子核的束缚而成为自由电子,其余10个永远被原子核束缚,不得挣脱。 核外电子在原子核周围就是按层次有规律的飞旋运转的。 正电荷与负电荷有相互吸引的作用,同种电荷有互相排斥的作用。 二、物质带电 当我们设法把正电荷与负电荷分开,物质就带电了。例如,物质的一头带正电荷,另一头带负电荷。 或者我们把某物质的某种电荷移走一部分,这个物质就剩下与移走的电荷的反电荷,数量相同,这个物质也就带电了。 通常的方法就是摩擦起电或感应起电或接触起电。 摩擦起电:用丝绸摩擦玻璃棒,玻璃棒上就产生了正电荷。 感应起电:用一个带某种电荷的物体,靠近另一个电中性的物体,这个电中性的物体的异种电荷被带电物体吸引,靠近带电物体,同种电荷被排斥到另一头。 接触起点:一个带电物体接触一电中性的物体,带电物体所带的电荷移动一部分到电中性的物体,电中性的物体也带电了。 如果我们把物质的某种电荷移走,但就是该物质能源源不断的补充这种电荷,这叫电源。

半导体基础知识培训课件

外延基础知识 一、基本概念 能级:电子是不连续的,其值主要由主量子数N决定,每一确定能量值称为一个能级。 能带:大量孤立原子结合成晶体后,周期场中电子能量状态出现新特点:孤立原子原来一个能级将分裂成大量密集的能级,构成一相应的能带。(晶体中电子能量状态可用能带描述) 导带:对未填满电子的能带,能带中电子在外场作用下,将参与导电,形成宏观电流,这样的能带称为导带。价带:由价电子能级分裂形成的能带,称为价带。(价带可能是满带,也可能是电子未填满的能带) 直接带隙:导带底和价带顶位于K空间同一位置。 间接带隙:导带底和价带顶位于K空间不同位置。 同质结:组成PN结的P型区和N型区是同种材料。(如红黄光中的:GaAs上生长GaAs,蓝绿光中:U(undope)-GaN上生长N(dope)- GaN) 异质结:两种晶体结构相同,晶格常数相近,但带隙宽度不同的半导体材料生长在一起形成的结,称为异质结。(如蓝绿光中:GaN上生长Al GaN) 超晶格(superlatic):由两种或两种以上组分不同或导电类型各异的超薄层(相邻势阱内电子波函数发生交迭)的材料,交替生长形成的人工周期性结构,称为超晶格材料。 量子阱(QW):通常把势垒较厚,以致于相邻电子波函数不发生交迭的周期性结构,称为量子阱(它是超晶格的一种)。 二、半导体 1.分类:元素半导体:Si 、Ge 化合物半导体:GaAs、InP、GaN(Ⅲ-Ⅴ)、ZnSe(Ⅱ-Ⅵ)、SiC 2.化合物半导体优点: a.调节材料组分易形成直接带隙材料,有高的光电转换效率。(光电器件一般选用直接带隙材料) b.高电子迁移率。 c.可制成异质结,进行能带裁减,易形成新器件。 3.半导体杂质和缺陷 杂质:替位式杂质(有效掺杂) 间隙式杂质 缺陷:点缺陷:如空位、间隙原子 线缺陷:如位错 面缺陷:(即立方密积结构里夹杂着少量六角密积)如层错 4.外延技术 LPE:液相外延,生长速率快,产量大,但晶体生长难以精确控制。(普亮LED常用此生长方法) MOCVD(也称MOVPE):Metal Organic Chemical Vapour Deposition金属有机汽相淀积,精确控制晶体生长,重复性好,产量大,适合工业化大生产。 HVPE:氢化物汽相外延,是近几年在MOCVD基础上发展起来的,适应于Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体薄膜和超晶格外延生长的一种新技术。生长速率快,但晶格质量较差。 MBE:分子束外延,可精确控制晶体生长,生长出的晶体异常光滑,晶格质量非常好,但生长速率慢,难以用于工业化大生产。 三、MOCVD设备 1.发展史:国际上起源于80年代初,我国在80年代中(85年)。 国际上发展特点:专业化分工,我国发展特点:小而全,小作坊式。 技术条件:a.MO源:难合成,操作困难。 b.设备控制精度:流量及压力控制 c.反应室设计:Vecco:高速旋转 Aixtron:气浮式旋转

模拟电路入门级基础知识

模拟电路入门级基础知识 编著:李庭张慧江 内蒙正安恒泰电子有限公司表厂技术组 版本V1.02012/2/26书非借不能读

前言及目的: 任何一项技术都要学习,在表厂是一个技术含量少的地方,唯一能接触到的就是维修,通过维修才能窥到电表的一点本质。 在吾学习硬件时,我师傅和我说:我没有义务教你。这句话其实并不像字面那样没人情,他深层意思是珍稀每一次我解惑的机会,认真学习。师傅领进门,修行靠个人。一张电路图通常有几十乃至几百个元器件,它们的连线纵横交叉,形式变化多端,初学者往往不知道该从什么地方开始,怎样才能读懂它。其实电子电路本身有很强的规律性,不管多复杂的电路,经过分析可以发现,它是由少数几个单元电路组成的。好象孩子们玩的积木,虽然只有十来种或二三十种块块,可是在孩子们手中却可以搭成几十乃至几百种平面图形或立体模型。同样道理,再复杂的电路,经过分析就可发现,它也是由少数几个单元电路组成的。因此初学者只要先熟悉常用的基本单元电路,再学会分析和分解电路的本领,看懂一般的电路图应该是不难的 表厂已经组织2次大规模维修坏表工作,但表厂坏表依旧成千上万。为那些有维修意向的员工从单纯的换元件处理坏表到能够简单诊断故障原因,加速修理,攻克疑难以及为未来表厂的维修小组奠定基础,故编写入门级基础知识。并希望有同仁能进一步丰富其内容。此入门级基础理解3成FD603单项表基本无敌,理解6成FD3110三项表及终端基本无敌,理解9成多功能电表基本无敌。 对于一位合格的技术人员,起码要树立一个正确的观点,及为没有修不好的板。其实在表厂除了白壳终端的CPU板是4层以外,其他机种都为双层板,且为非BGA封装的主芯片,比较而言还是很好修的。如果遇到困难的只能说明技术水平还有待提高,或许思维没有扩展停留在经验层次。经验并不是王牌。有句话很贴切,只有你想不到,没有它办不到。在初学期间,抽时间攻坚一下难修的板对你的技术很有帮助,你可能研究的是个点,在分析时已经把个面看过了。在成熟期,如果一个问题突然变得很难,分析后可能颠覆或弥补你原有的认知。 对于修表的技巧来说,其实和医生诊断病情一样,讲究望、闻、问、切望:考验的是眼力,表厂员工焊接水平还很薄弱,可能会持续很长一段时间,原因基本在于很少接触多pin芯片焊接,人员流动大,最主要还是不愿学习,且抵触较高级技术。依然不愿丢弃用镊子辅助焊电容电阻的方法,不原意休息时间学习,焊接水平一般般。或有些电表来料及贴错料。例如:将100(10欧姆)当成1001(1000欧姆)使用。综上修表前要先“看”,将与故障有关的电阻仔细核对,阻值是否正确。有无看不清阻值的(计量芯片周围常有,为高压击穿造成),电阻有无断裂或部分缺失(多为掰板条,撞击造成)。对于校表有关的0.25L感性有关的电容,是否颜色差异很大,是否有被焊过的痕迹(别人有可能依旧焊错)。芯片有无烧出鼓包得痕迹。芯片是否焊反。多多练习眼力练到火眼金睛。你将事半功倍。 闻:包含2层意思,1为是否味道某个元件有烧焦的味道。2为听别人讨论, 自己没接触的知识,次项多用于偷艺 问:询问一下别人有没有对某个问题的看法。三人行必有吾师。但不要问得太勤快,同样的问题不要问2次。 切:触摸相关芯片有无温度,温度很高,烫手,一般为芯片坏了,多为供电对地短路。也有芯片发热达到80度的(如电脑CPU,发热大的都会加散热片,再高的加风扇,电脑CPU都加),但在电表中不可能出现。没有一点温度的

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