模电基本知识
模拟电子技术基础知识1-6
第一章半导体器件
填空
1.弄清半导体基本概念：本证半导体、在杂质半导体、N型
半导体、P型半导体、多子、少子、扩散运动、漂移运动。
2.本征半导体中自由电子浓度（等于）空穴浓度。杂质半导
体多数载流子的浓度取决于（杂质浓度）。
N型半导体、P型半导体均（呈中性）。
3.当PN结正向偏置时，多子扩散运动（大于）少子漂移运
动。反向偏置时，多子扩散运动（小于）少子漂移运动。
4.当PN结正向偏置时，空间电荷区（变窄），呈现的电阻
性能（变小）。PN结反向偏置时，空间电荷区（变宽），呈现的电阻性能（变大）。PN结中的内电场方向是（N区指向P区）。
5.当PN结正向偏置时，内电场（减弱）。当PN结反向偏
置时，内电场（增强）。
6.二极管的死区电压（即开启电压）的大小与环境温度及材
料有关，硅二极管的死区电压约为（0.5V ）。锗二极管的死区电压约为（0.1V ）。
7.锗材料二极管正向导通时，在管子上的正向电压U D为
（0.2V）。硅管为（0.7v）。
8.处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是
（E B C U U U >>）。测到三极直流电位，介于中间的为（基
极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。
9. 处于放大状态的PNP 型晶体管，各电极的电位关系是（C B E U U U >>）。测到三极直流电位，介于中间的为（基
极），与基极相近的为（射极），剩余的为（集电极）。
10. 测得工作在放大区的晶体管，各极对地电位分别为
2.7V ，3V ，6.8V ；9V ，8.3V ，2V ；－10V ，－6V ，－6.2V ，则对应的三个电极分别是（发射极，基极，集电极 ）；（发射极，基极，集电极）；（集电极，发射极，基极）。
11. 在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U 1=3V ，U 2=﹣3V ，U 3=﹣2.7V ，则可知该管为（NPN 锗管）。某一正常工作的晶体三极管测得三个管脚对“地”的电位分别为：－10V ，－6V ，－6.2V ， 则该三极管为（PNP 锗管）。
12. BJT 管是（电流控制电流 ）器件。测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA 、3.66mA 和3.6mA 。则该管的β值为（60）。
13. 某硅半导体三极管各电极对地的电压值为V C ＝6V ，V B ＝0.7V ，V E ＝0V ，晶体管工作在（放大区）。
14. 某硅半导体三极管各电极对地的电压值为V C ＝6V ，V B ＝2V ，V E ＝1.3V ，晶体管工作在（放大区）。
15. 当温度升高时，半导体三极管的参数将发生的变化是
（β增加，Iceo增加，
U减小）。温度升高时，BJT的
BE
输出特性曲线（上移）。
16.根据晶体管的工作状态不同，可以将输入输出伏-安特
性曲线分为(放大区、饱和区、截止区)三个区。
17.某工作在放大状态的三极管，当基极电流
I由60μA
B 降低到40μA时，集电极电流
I由2.3mA降低到1.5mA，
C
则此三极管的动态电流放大系数β为（40）。
18.晶体管能够放大的内部条件是（发射区杂质浓度远大
于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大）。
19.某晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集
电极电流为（0.98 ）mA。
20.场效应管是（电压控制电流）器件。
21.N沟道JFET正常工作时，栅极与源极间所加电压的极
性为（负）。
22.场效应管的三个工作区域包括（可变电阻区、恒流区、
夹断区）。
23.N沟道JFET符号为（）。
24.对于结型场效应管，栅、源极之间的PN结（必须反偏）。
25.某场效应管的转移特性如图所示，则该管是
（耗尽型NMOS）场效应管。
26.当场效应管的漏极直流电流
I从2mA变为4mA时，它
D
的低频跨导
g将（增大）。
m
27.N沟道增强型MOSFET符号为（）
28.MOSFET是利用栅源电压的大小来控制（漏极）电流
的大小。
判断
1.半导体导电机理与导体导电机理一样，都是仅仅由于自由
电子的定向移动形成。（ N ）
2.温度对本征半导体的导电性能几乎没有影响。（ N ）
3.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（Y ）
4.稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状
态。（N ）
5.半导体共价键中的价电子获得足够的能量挣脱共价键的
束缚成为自由电子的现象称为本征激发。（Y ）
6.在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。（Y ）
7.在本征半导体中掺入少量5价元素杂质，可以构成N型半
导体。（Y ）
8.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型
为P型半导体。（Y ）
9.PN结正偏时，内电场与外电场方向相反。（Y ）
10.PN结正偏时，内电场与外电场方向相同。（N ）
11.在电场力作用下，载流子的运动称为扩散运动。（N ）
12.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电；P
型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（N ）
13.稳压二极管的稳定电流是稳压管工作在稳压状态时的
参考电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。（ Y ）
14.稳压二极管的动态电阻愈大，稳压管的稳压特性愈好。
（N ）
15.稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，称这个
电阻为限流电阻。（ Y ）
16.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动
形成的。（N ）
17.物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种
由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。（ Y）
18.当PN结的反向电压超过一定数值后，反向电流急剧增
加，称之为反向击穿。击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。（ Y）
19.在一定条件，PN结具有电容效应，根据产生原因的不
同分为势垒电容和扩散电容。（Y ）
20.最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正
向平均电流。（ Y）
21.二极管最高反向工作电压就是击穿电压。（N ）
22.晶体管比效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
（N ）
23.半导体之所以被重视，是因为其导电能力在不同的条
件下有显著的差异。（ Y ）
24.二极管可以长期使用，通过它的电流不受限制。（ N ）
25.二极管正偏导通时可以用开路取代，反偏截止时可以
用短路取代。（N ）
26.当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。
（Y ）
27.工作在放大区的晶体管具有线性放大作用。（Y ）
28.在晶体管中发射结是指基区与集电区之间的PN结。
（ N ）
29.在开关电路中，晶体管工作在截止区或饱和区，相当
于一个开关的断开或接通。（Y ）
30.不论何种类型的晶体管，其内部均有发射区、基区和
集电区3个区。（Y ）
31.硅管比锗管受温度影响要大的多。（ N ）
32.场效应管靠半导体中的多数载流子导电，称双极型晶
体管。（ N ）
33.N沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。（N ）
34.P沟道结型场效应管中的载流子是电子和空穴。（N ）
35.所谓耗尽型场效应管是指当栅源间不加电压时，就存
在导电沟道。（Y ）
36.当栅源间不加电压时，没有导电沟道的场效应管属于
增强型场效应管。（Y ）
37.对于JFET管，在可变电阻区改变栅源电压的大小可以
有效地控制沟道电阻的大小。（Y ）
38.当JFET工作特性进入恒流区时，漏极电流基本保持不
变。（Y ）
39.JFET是电压控制电流器件，漏极电流受栅源间电压的
控制。（Y ）
40.利用场效应管做放大管时，应使其工作在恒流区。
（Y ）
第二章基本放大电路
填空
1、对于基本共射放大电路的特点，输出电压与输入电压相位关系是（输出电压与输入电压相位相反）。
2、在基本共射极放大电路中，集电极电阻
R的作用是（将
C
输出电流的变化量转化为输出电压的变化量）
3、在放大电路中，若负载电阻R L越大，则其电压放大倍数（越大）。
4、共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系为
（同相）。
5、电路如下图
所示，已知U CC ＝12V ，R C ＝3k Ω，β
＝40,忽略BE U ，若要使静态时V U CE
9
，则B R 应取（ 480k
Ω）。 6、如下图
所示放大电路中，电容E C 断开后电路的
电压放大倍数将（减小 ）。
7、用示波器观察NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如图所示，
判断其属于何种类型的失真（截止失真 ）。
8、由NPN 管组成的单极共射放大电路，当输入正弦波电压时，输出U O 如下图
所示，可确定输出波形产生的失真为（饱和失真）。
9、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路放大能力的大小。（电压增益 ）
10、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路从信号源吸取信号辐值的大小。（输入电阻 ）
11、放大电路的哪一个性能指标决定了放大电路带负载能力的大小。（输出电阻 ）
12、输入端信号的峰－峰值电压为5mV ，输出端测到的信号
峰—峰值电压为1V，则电压增益为（200 ）。
13、射极输出器的电压放大倍数( 小于1但接近于1 )。
14、交流信号放大电路产生饱和失真的原因是（静态工作点选择过高）。
15、作放大电路的交流通路时，电路中的电容相当于（短路），直流电源相当于（短路）。
16、作放大电路的直流通路时，电路中的电容相当于（开路），信号源相当于（短路）。
17、共集电极放大电路的电压放大倍数（小于1），而电流放大倍数（很大）。
18、既能放大电流又能放大电压的放大组态是（共射放大电路）。
19、常用于电压放大电路的输入级和输出级的电路是（共集放大电路）。
20、常用于宽频带放大电路的是（共基放大电路）。
21、常做为低频电压放大电路的单元电路的是（共射放大电路）。
22、如下图所示的放大电路中，如果放大电路的所
有参数均不变，但去掉旁路电容C e，则电路的电压放大倍数和输入电阻将怎样变化（电压放大倍数减小、输入电阻增大）。
23、利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的（交流参
数）。
24、射极输出器的特点是（ Au<1,且1
A ，输入电阻大，
u
输出电阻小）。
25、为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共集放大电路）。
26、共射极放大电路中具有调整基极电流的作用的元件是（基极偏置电阻）
27、共射极放大电路中具有隔直流通交流的作用的元件是（耦合电容）
28、对放大电路进行动态分析的主要任务是（确定电压放大倍数Au和输入、输出电阻ri，ro）。
判断
1、若静态工作点设置太低，易产生截至失真。（ Y ）
2、放大器件的非线性特性所引起的失真属于非线性失真。（ Y ）
3、放大电路中引入直流负反馈只能稳定静态工作点，不能改善各项动态性能指标。（ Y ）
4、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（N ）
5、静态工作点的合理与否直接影响到电路能否正常放大。（ Y ）
6、射极偏置放大电路（即典型的静态工作点稳定电路）具
有自动稳定工作点的功能。（Y ）
7、放大电路输出电阻越大，电路带负载能力越强。（ N ）
8、放大电路的输出信号产生非线性失真与静态工作点的选择无关。( N )
9、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ N ）
10、可以说任何放大电路都有功率放大作用。（ Y ）
11、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（Y ）
12、作放大电路的直流通路时，信号源可视为短路，其内阻为零。（ N ）
13、因晶体管截止而产生的失真称为截止失真，只有减小基极电源VBB，才能消除截止失真。（ N ）
14、因晶体管饱和而产生的失真称为饱和失真，增大基极电阻Rb或集电极电阻Rc。可以消除（ N ）指基本共射放大电路
15、共基放大电路只能放大电流不能放大电压。（ N ）
16、共集放大电路只能放大电压不能放大电流。（N ）
17、共集放大电路输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射电路相当。（ N ）
18、共基放大电路是三种接法电路中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，具有电压跟随的特点。（ N ）
19、共射—共基放大电路不属于单管放大电路三种接法电路
（Y）。
20、稳定Q 点，常用引入交流负反馈或温度补偿的方法使
I
BQ 在温度变化时产生与
I相反的变化。（ N ）
CQ
21、当环境温度升高时，晶体管的电流放大系数β将增大，Q点将沿直流负载线上移，向饱和区变化。（Y ）
22、放大电路没有输入信号时的工作状态称为动态。（N ）
23、当放大电路有信号输入时，电路中各处的电压、电流都处于变动的工作状态，成为动态。（ Y ）
24、共发射极放大电路又可以被称为射极输出器。（ N ）
25、共集电极放大电路又被称为射极跟随器。（Y ）
26、射极输出器的性能特点使其既可以作多级放大电路输入级，又可以作输出级。（Y ）
27、共发射极放大电路的静态是指放大电路没有信号输入时的工作状态。（Y ）
28、对放大电路进行静态分析是为了确定放大电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻等。（ N ）？
29、用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是小信号。（ Y ）
30、微变等效电路法是把非线性电路等效为一个线性电路，用线性电路的分析方法来分析。（Y ）
31、基本共发射极放大电路的输入电阻越小，信号源的衰减越大。（ Y ）
32、在输出信号不失真的情况下，负载上能够获得的最大功率称为最大输出功率。（Y ）
33、当输入电压再增大就会使输出波形产生非线性失真的输出电压称为最大不失真输出电压。（ Y ）
第三章
填空
1、放大器产生零点漂移的主要原因是（电路参数随环境温度的变化而变化）。
2、将多级放大电路级联起来后，总电压增益将(提高) 。
3、差动放大电路是为了（克服温漂）而设置的。
4、差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（抑制零漂能力越强）。
5、差分放大电路的作用是（放大差模信号，抑制共模信号）。
6、两个参数对称的三极管组成差动电路，在双端输入和双端输出时，与单管电路相比其放大倍数（相同）。？负载开路时
7、直接耦合多级放大电路（既能放大直流信号，也能放大交流信号）。
8、直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合）多级放大电路相比，低频响应（好）。
9、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（不易制作大容量电容）。
10、用恒流源取代长尾式差分放大电路的发射极电阻，将使单端输出电路的（抑制共模信号能力增强）。
11、互补输出极采用共集形式是为了使（带负载能力强）。
12、直接耦合放大电路（各级静态工作点相互不独立）。
13、集成放大电路中经常采用（ 直接耦合方式 ）。
14、阻容耦合放大电路（各级静态工作点相互独立）。
15、变压器耦合方式的最大特点是（可以实现阻抗变换）。
18、双端输出的差分放大电路主要是（利用电路的对称性）来抑制零点漂移。
16、在典型的差分放大电路中，适当地增大射极公共电阻Re 将会提高电路的（共模抑制比）。
17、典型差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（变大）。
18、差分放大电路的共模抑制比的定义是（ 差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值） ）之比。
19、两级直接耦合放大电路的A1＝-100，A2＝1，则总电压增益为（-100 ）。
20、两级放大电路，401-=u A ，502
-=u A ，若输入电压mV U 51=，则输出电压Uo 为（10V ）
21、阻容耦合多级放大电路，（各级静态工作点独立），所以这类电路（温漂小）。
22、阻容耦合多级放大电路（各级静态工作点独立，不能放
大直流信号）。
第三章
判断
1、共模电压增益越大，放大电路的性能越好。（N ）
2、共模抑制比越大，说明电路抑制共模信号的能力越强。（ Y ）
3、共模抑制比定义为对共模信号的电压增益与对差模信号的电压增益之比的绝对值。（ N ）
4、多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益之和。（ N ）
5、理想差分式放大电路对共模信号没有放大能力。（ Y ）
6、零点漂移就是当放大电路的输入端开路时，输出端有缓慢变化的电压产生。（ N ）
7、直接耦合放大电路能够放大缓慢变化信号和直流信号，但是不能放大交流信号。( N )
8、差分放大电路的差模放大倍数
A愈大愈好，而共模放大
d
倍数
A愈小愈好。（Y ）
c
9、阻容耦合放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（ Y ）
10、直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。（N ）
11、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。（ N ）
12、多级放大电路四中常见的耦合方式包括直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。( y )
13、光电耦合抗干扰能力强。（ Y ）
14、将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端，称为阻容耦合方式。（ Y ）
15、温漂是由温度变化引起的半导体器件参数变化而产生的零点漂移现象。（ Y ）
16、差分放大电路在差模信号作用下，射极电阻Re是直流负反馈电阻，起到了稳定Q点的作用。（N ）？抑制共模作俑
17、双端输入单端输出电路与双端输出电路相比，其差模放大倍数的数值增大。（ N ）
18、单端输入电路与双端输入电路的区别在于：在差模信号输入的同时，伴随着共模信号输入。（Y ）
19、双端输入单端输出电路，其共模放大倍数为零，共模抑制比为无穷大。（ N ）
20、在差分放大电路中，增大发射极电阻Re的阻值，能够有效地抑制温漂，提高共模抑制比。（ Y ）
21、当输入电压为正弦波时，输出电压在ui过零附近将产生失真，这种失真称为交越失真。（ Y ）
22、对放大电路的输出级有两个基本要求：一是输出电阻高，二是最大不失真输出电压尽可能小。（ N ）
23、在双端输入的差动放大电路中，射极电阻Re 对共模信号无影响，对差模信号具有抑制作用。（ N ）
24、在双端输入的差动放大电路中，射极电阻Re 越大，共模电压增益越小，共模抑制比越大，用电流源代替Re 后，电路的共模电压增益更小，理想时，共模抑制比趋于无穷大。（ Y ）
25、差分放大电路有两个信号输入端和两个信号输出端，因此有四种不同的连接方式。（Y ）
26、差分放大电路双端输出时，差模电压增益等于半边差模等效电路的电压增益（负载开路时），共模电压增益近似为零，共模抑制比趋于无穷大。（Y ）？
27、差模电压增益Aud 等于差模输出电压与输入电压之比，Aud 越大，差模信号的放大能力越大。（ Y ）
28、共模电压增益Auc 等于共模信号输出电压与输入电压之比，Auc 越大，共模信号的抑制能力越大。（ N ）
29、差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差 ，共模信号是两个输入端信号的平均值。（ Y ）
30、若差动放大电路的输入电压10m v u i1=，6m v u i2
=,则相应的
差模输入电压为4mV （y ）。
31、若差分放大电路的输入电压ui1=10mv, ui2=6mv,则相应
的共模输入电压为8mv（Y ）。
第四章
填空
1、在集成运放电路中，各级放大电路之间采用了（直接）耦合方式。
2、理想集成运放的输入电阻为（无穷大）。
3、集成电路运算放大器（是一种高电压增益、高输入电阻、低输出电阻的多级直接耦合放大电路）。
4、为集成电路运算放大器的各级提供合适的工作电流的电路是（偏置电路）
5、理想集成运放的开环电压放大倍数为（无穷大）。
6、由集成运放构成的电压跟随器，工作在线性区，输入电压为u，则输出电压等于（u）。
7、集成运放制造工艺使得同类半导体管的（参数一致性好）。
8、通用型集成运放适用于放大（低频信号）。
9、集成运放的中间级多采用（共射放大电路）。
10、集成运放的输出级多采用（互补对称电路）。
11、通用型集成运放的输入级通常采用（差分放大电路）
12、集成运放对输出级电路的要求是（输出电阻小）。
13、集成运放中作为主放大器的是（中间级）。
14、下图所示电路是（镜像电流源电路）。
15、集成运放对前置级电路的要求包括（输入电阻高、差模放大倍数大、抑制共模信号能力强）
16、集成运放电压传输特性线性区的斜率为（电压放大倍数）。
第四章
判断
1、集成运放的输入级常采用差分式放大电路是为了抑制零点漂移提高共模抑制比。（ Y ）
2、集成运放的失调电压愈小，表明电路参数对称性愈好。（ Y ）
3、集成运放的失调电压是两输入端电位之差。（ N ）
4、集成运放输入失调电流反映输出级差放管输入电流的不对称程度。（N ）
5、集成运放的输入失调电流是两输入端电流之差。（ Y ）
6、在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（ N ）
7、集成运放的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，这里的“同相”和“反相”是指运放两个输入端电压之间的相位关系。（N）
8、由于集成运放放大的对象是差模信号，并且通过外电路引入反馈，故称其电压放大倍数为差模开环放大倍数。
（ N ）？
9、镜像电流源电路比比例电流源电路具有更高的温度稳定性。（ N ）
10、集成运放内部电路第一级是差动放大电路，因此它具有两个输入端。（ Y ）
11、因为集成运放内部电路是直接耦合放大电路，所以它只能放大直流信号，不能放大交流信号。（N ）
12、只要是工作在线性状态的集成运放，其反相输入端均可按虚地处理。（ N ）？应为虚短
13、当理想运放工作在线性区时，可以认为其两个输入端“虚断”而且“虚地”。（N ）？应为虚断 虚短
第六章
填空
1、负反馈（使放大倍数增大）的说法是错误的。
2、负反馈放大电路产生自激振荡的相位条件是（π??)12(+=+n F A ）。
3、负反馈放大电路自激振荡的平衡条件是（1AF =- ）。
4、深度电压负反馈（使放大电路的输出电阻趋于零）的描述是正确的。
5、深度并联负反馈（使放大电路的输入电阻减小）的描述是正确的。
6、串联负反馈能使电路的（输入电阻增大 ）。
数电和模电知识点
模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增大），发射结压降（减小）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共集电 极）、（共发射极）、（共基极）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（交流）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fh-fl ）， （1+AF ）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路； OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（近似于 1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调波），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载流信号）。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy ）1、1、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。 模拟电路（基本概念和知识总揽） 1、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。 2、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用） 3、基尔霍夫定理的内容是什么？ 基尔霍夫定律包括电流定律和电压定律。 电流定律：在集总电路中，任何时刻，对任一节点，所有流出节点的支路电流代数和恒等于零。电压定律：在集总电路中，任何时刻，沿任一回路，所有支路电压的代数和恒等于零。 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用？ 反馈，就是在电子系统中，把输出回路中的电量输入到输入回路中去。 反馈的类型有：电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈、电流并联负反馈。负反馈的优点：降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用。 电压（流）负反馈的特点：电路的输出电压（流）趋向于维持恒定。 5、有源滤波器和无源滤波器的区别？ 无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器：集成运放和R、C组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点。 集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 6、基本放大电路的种类及优缺点，广泛采用差分结构的原因。 答：基本放大电路按其接法的不同可以分为共发射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路，简称共基、共射、共集放大电路。 共射放大电路既能放大电流又能放大电压，输入电阻在三种电路中居中，输出电阻较大，频带较窄。常做为低频电压放大电路的单元电路。 共基放大电路只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，电压放大倍数和输出电阻与共射放大电路相当，频率特性是三种接法中最好的电路。常用于宽频带放大电路。 共集放大电路只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，并具有电压跟随的特点。常用于电压放大电路的输入级和输出级，在功率放大电路中也常采用射极输出的形式。 广泛采用差分结构的原因是差分结构可以抑制零点漂移现象。 ?7、二极管主要用于限幅，整流，钳位． ?判断二极管是否正向导通： １．先假设二极管截止，求其阳极和阴极电位； ２．若阳极阴极电位差＞UD ，则其正向导通； ３．若电路有多个二极管，阳极和阴极电位差最大的二极管优先导通；其导通后，其阳极阴极电位差被钳制在正向导通电压（０.7V 或０.３V ）；再判断其它二极管． 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体－--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Ｓi、锗Ｇe）。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 ４．两种载流子--－-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子）。 *N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。 ６. 杂质半导体的特性 ＊载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 ＊体电阻--－通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。＊转型－--通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7.ＰN结 ＊ＰN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0．8V，锗材料约为０.２～0.3V。 * ＰＮ结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性---－－-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-－--同ＰN结。 *正向导通压降--－---硅管０.6~０.7V，锗管0．２~０.3Ｖ。 *死区电压--－---硅管0.5Ｖ，锗管０.1Ｖ。 3.分析方法-－----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低： 若Ｖ阳>V阴( 正偏),二极管导通(短路）; 若Ｖ阳 ２) 等效电路法 ?直流等效电路法 ＊总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若V阳>Ｖ阴( 正偏),二极管导通（短路); 若V阳 第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体 导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带 电荷极性不同，故运动方向相反。 2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 3、杂质半导体 (1) N型半导体一一掺入五价元素(2) P型半导体一一掺入三价元素 4、PN 结——P 型半导体和N 型半导体的交界面 5、PN结的单向导电性——外加电压 輕qo 0￡) 00 GO e?；①乜QQ 05 ① <5 ffi ? <9 0?① Q O ? GT? G) 耗尽层' F 阿—H NS 禺〕16 P+蜡如正向电压时导逓 在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一 定值时，就会反 向击穿，称之为 反向击穿电压 正向偏置反向偏置 6、二极管的结构、特性及主要参数 (1) P区引出的电极一一阳极；N区引出的电极一一阴极 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线 下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压一一0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电 流＜0.1叭，锗的开启电压一一0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十[A。 (2 )主要参数 1)最大整流电流I :最大正向平均电流 2)最高反向工作电流U :允许 外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3)反向电流I:二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对 温度越敏感 4)最高工作频率f :二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内(或在一定的功率耗损范围内) ，端电压几乎不变，表现出稳压特 性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 (1) 稳压管的伏安特性 W(b| 用L2.1U意压诊的伏安埒性和裁效电路 M试疋特性Cb｝时号恳竽故审.歸 模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管~，锗管~。 *死区电压------硅管，锗管。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 2) 等效电路法 ?直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳 模电基础教程 01单元半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 基本放大电路的工作原理 基本放大电路的组成 直流通路与静态工作点 交流通路与放大原理 放大电路的性能指标 放大电路的图解分析法 放大电路的静态图解分析 放大电路的动态图解分析 输出电压的最大幅度与非线性失真分析 微变等效电路分析法 晶体管的h参数 晶体管的微变等效电路 用微变等效电路法分析放大电路 静态工作点的稳定 温度变化对静态工作点的影响 工作点稳定的电路 场效应管放大电路 场效应管放大电路的静态分析 多级放大电路 多级放大电路的级间耦合方式 多级放大电路的分析方法 放大电路的频率特性 单级阻容耦合放大电路的频率特性 多级阻容耦合放大电路的频率特性 03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类 反馈的基本概念和一般表达式 反馈放大电路的类型与判断 负反馈放大电路基本类型举例 电压串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 负反馈对放大电路性能的影响 降低放大倍数 提高放大倍数的稳定性 展宽通频带 减小非线性失真 改变输入电阻和输出电阻 负反馈放大电路的分析方法 深度负反馈放大电路的近似计算 *方框图法分析负反馈放大电路 04单元功率放大器功率放大电路的基本知识 概述 甲类单管功率放大电路 互补对称功率放大电路 OCL类互补放大电路 OTL甲乙类互补对称电路 复合互补对称电路 05单元直接耦合放大电路 概述 直接耦合放大电路中的零点漂移 基本差动放大电路的分析 基本差动放大电路 基本差动放大电路抑制零点漂移的原理 基本差动放大电路的静态分析 基本差动放大电路的动态分析 差动放大电路的改进 06单元集成运算放大器集成电路基础知识 集成电路的特点 集成电路恒流源 有源负载的基本概念 集成运放的典型电路及参数 典型集成运放F007电路简介 集成运放的主要技术参数 模电100个知识点总结 1．在常温下，硅二极管得门槛电压约为，导通后在较大电流下得正向压降约为0、7V；锗二极管得门槛电压约为 向压降约为_0、2_V。 2、二极管得正向电阻 3、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层 4、二极管最主要得电特性就是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术与数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化得电压或电流信号下工作得电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN 性。 7、硅二极管导通后，其管压降就是恒定得，且不随电流而改变，典型值为 0、7 伏；其门坎电压V th 约为 0、5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子得扩散运动形成。 N型半导体得多子为自由电子、本征半导 、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体与电子（N） 它得两个主要参数就是反映正向、在常温下，硅二极管得开启电压约为 0、5 V 压降约为 0、7 V。 13、频率响应就是指在输入正弦信号得情况下，输出随频率连续变化得稳态响应。 15、N型半导体中得多数载流子就是电子，少数载流子就是空穴。 16、按一个周期内一只三极管得导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙 管得β增加，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CEQ 减小。 19，饱与，放大。集成运算放大器就是一种采用 20V a = 1、2V， V b = 0、5V, V c = 3、6V, 试问该三极管就是硅管管（材料）， NPN 型得三极管，该管得集电极就是a、b、c中得 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级得对数增益分别为60dB与20dB, 则该放大电路总得对数增益为 80 dB，总得电压放大倍数为 10000 。 22、三极管实现放大作用得外部条件就是：发射结正偏、集电结反偏。 某放大电路中得三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =-3、2V, V c =-3、9V, 这 《数字电子技术》重要知识点汇总 一、主要知识点总结和要求 1．数制、编码其及转换：要求：能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD 、格雷码之间进行相互转换。 举例1：（37.25）10= ( )2= ( )16= ( )8421BCD 解：（37.25）10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 )8421BCD 2．逻辑门电路： (1)基本概念 1）数字电路中晶体管作为开关使用时，是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态。 2）TTL 门电路典型高电平为3.6 V ，典型低电平为0.3 V 。 3）OC 门和OD 门具有线与功能。 4）三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平。 5）门电路参数：噪声容限V NH 或V NL 、扇出系数N o 、平均传输时间t pd 。 要求：掌握八种逻辑门电路的逻辑功能；掌握OC 门和OD 门，三态门电路的逻辑功能；能根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。 举例2：画出下列电路的输出波形。 解：由逻辑图写出表达式为：C B A C B A Y ++=+=，则输出Y 见上。 3．基本逻辑运算的特点： 与 运 算：见零为零，全1为1；或 运 算：见1为1，全零为零； 与非运算：见零为1，全1为零；或非运算：见1为零，全零为1； 异或运算：相异为1，相同为零；同或运算：相同为1，相异为零； 非 运 算：零 变 1， 1 变 零； 要求：熟练应用上述逻辑运算。 4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 ①真值表（组合逻辑电路）或状态转换真值表（时序逻辑电路）：是由变量的所有可能取值组合及其对应的函数值所构成的表格。 ②逻辑表达式：是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 ③卡诺图：是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。 常用半导体器件 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（4）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A C 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 （5）在本征半导体中加入A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （7）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图T1.4 模电100个知识点总结 1 ?在常温下，硅二极管的门槛电压约为_，导通后在较大电流下的正向压降约为锗二极管的门槛电压约为，导通后在较大电流下的正向压降约为。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性°PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻o 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连 续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技 术。 6PN结反向偏置时，PN结的内电场_增强°PN具有 ________ 具有单向导电 ____ 特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th约为________ 伏o 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为 _空穴_、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为—电子一空穴对二。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（巳半导体和电子（N）半导体两大类。 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性 的_最大整流电流___ 和反映反向特性的_反向击穿电压_。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为二V，导通后在较大电流下的正向压降约为_V。 13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响 应_。 15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、_乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路 _电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，贝U I BQ 增大，I CQ 增大，U C E Q减小。 19、三极管的三个工作区域是—截止饱和，放大。集成运算放大器是一种采用—直接|_耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压W =，V b = , V c =,试问该三极管是硅管管（材料），NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该 放大电路总的对数增益为80 dB ，总的电压放大倍数为10000 。 22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压V a = -1V，V b =, V==,这是_____________ 管（硅、锗），NPN 型，集电极管脚是 a 。 模拟电子技术基础试卷一 附答案 一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。 （a） （b） 二.（10分）放大电路如图所示。已知： R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K，R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C β=80，V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态， 画出该电路的直流通路；（5分） 2.计算该电路的静态工作点。（5分） 3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。 4.说明电路属于何种组态， 三.（18分）放大电路如图所示。已知C足够大，场效应管的参 数g m=0.8ms，R2=6.8KΩ，三极管的参数 β=50，r be=0.5K，R3=90KΩ，R4=10KΩ，R5=4KΩ，R6=1.5KΩ，R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。（4分） 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。（10分） 3.若R s=10K时，计算源电压放大倍数A vs，说明R6对电路频率响应的影响。（4分） 四.（12分）反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。 （4分） 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按 深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说 明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分） （a）（b） 五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a）的输出电压。（4分） 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。 电路与系统复试专题 模拟电路 1.有源滤波器和无源滤波器的区别 答：无源滤波器：这种电路主要有无源元件R、L和C组成 有源滤波器：集成运放和R、C组成。具有不用电感、体积小、重量轻等优点。集成运放的开环电压增益和输入阻抗均很高，输出电阻小，构成有源滤波电路后还具有一定的电压放大和缓冲作用。但集成运放带宽有限，所以目前的有源滤波电路的工作频率难以做得很高。 2.什么是负载?什么是带负载能力? 答：把电能转换成其他形式的能的装置叫做负载。对于不同的负载，电路输出特性（输出电压，输出电流）几乎不受影响，不会因为负载的剧烈变化而变，这就是所谓的带载能力 3.什么是输入电阻和输出电阻? 答：在独立源不作用（电压源短路，电流源开路）的情况下，由端口看入，电路可用一个电阻元件来等效。这个等效电阻称为该电路的输入电阻。从放大电路输出端看进去的等效内阻称为输出电阻Ro。 4.什么叫差模信号？什么叫共模信号？ 答：两个大小相等、极性相反的一对信号称为差模信号。差动放大电路输入差模信号（uil =-ui2）时，称为差模输入。两个大小相等、极性相同的一对信号称为共模信号。差动放大电路输入共模信号（uil =ui2）时，称为共模输入。在差动放大器中，有用信号以差模形式输入，干扰信号用共模形式输入，那么干扰信号将被抑制的很小。 5.怎样理解阻抗匹配？ 答：阻抗匹配是指信号源或者传输线跟负载之间的一种合适的搭配方式。阻抗匹配分为低频和高频两种情况讨论。 低频：当负载电阻跟信号源内阻相等时，负载可获得最大输出功率，这就是我们常说的阻抗匹配之一。对于纯电阻电路，此结论同样适用于低频电路及高频电路。当交流电路中含有容性或感性阻抗时，结论有所改变，就是需要信号源与负载阻抗的的实部相等，虚部互为相反数，这叫做共扼匹配。 在高频电路中：如果传输线的特征阻抗跟负载阻抗不相等（即不匹配）时，在负载端就会产生反射。为了不产生反射，负载阻抗跟传输线的特征阻抗应该相等，这就是传输线的阻抗匹配。 6. 解释电流偏置的产生电路。 答：偏置电路:以常用的共射放大电路说吧，主流是从发射极到集电极的IC，偏流就是从发射极到基极的IB。相对与主电路而言，为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件，其中有一重要电阻，往往要调整阻值，以使集电极电流在设计规范内。这要调整的电阻就是偏置电阻。 7.偏置电阻： 答：在稳态时（无信号）通过电阻为电路提供或泄放一定的电压或电流，使电路满足工作需求，或改善性能。 8. 什么是电压放大?什么是电流放大? 什么是功率放大? 答：电压放大就是只考虑输出电压和输入电压的关系。比如说有的信号电压低，需要放大后才能被模数转换电路识别，这时就只需做电压放大。 第一章半导体二极管 1.本征半导体 ?单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 ?导电能力介于导体和绝缘体之间。 ?特性：光敏、热敏和掺杂特性。 ?本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。 ◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。 ◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。 2．杂质半导体 ?在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 ◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 ◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 ?杂质半导体的特性 ◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 ◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 ◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子 浓度差而产生的扩散电流。 3.PN结 ?在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。 ?PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。 ?PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。 ◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。 ◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。 ◆PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 ?普通的二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1．在P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。 2．在N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。 3．当PN 结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。 4．当PN 结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。 4.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ，当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ，其电子为 多数载流子，空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ，其 空穴为多子 ，而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3、二极管有一个PN 结，它具有单向导电性，它的主要特性有：掺杂性、热敏性、光敏性。可作开关、整流、限幅等用途。硅二极管的死区电压约为0.5V ，导通压降约为0.7V ，锗二极管的死区电压约为0.1V 、导通压降约为0.2V 。 5、三极管具有三个区：放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有三种状态：工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。 5.1、三极管具有二个结：即发射结和集电结。饱和时：两个结都应正偏；截止时：两个结都应反偏。 放大时：发射结应（ 正向 ）偏置，集电结应（ 反向 ）偏置。 5.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是： 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。共基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。且共基接法的输入电阻比共射接法低. 5.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器,其主要特点是电压放大倍数小于近似于1、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.4单管共射放大电路中，1.交直流并存，2.有电压放大作用，3.有倒相作用。 5.5微变等效电路法适用条件：微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6图解法优点: 1. 即能分析静态, 也能分析动态工作情况；2. 直观 形象；3. 适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点: 1. 特性曲线存在误差；2. 作图麻烦,易带来误差； 3. 无法分析复杂电路和高频小工作信号。 5.7微变等效电路法 优点:1.简单方便；2.适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点:1.只能解决交流分量的计算问题； 2. 不能分析非线性失真；3. 不能分析最大输出幅度 。 6．根据理论分析，PN 结的伏安特性为)1(-=T U U S e I I ,其中S I 被称为（ 反向饱和 ） 电流，在室温下T U 约等于（ 26mV ）。 7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与JFET 的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源极 ）与之对应。 7.1.场效应管是电压控制元件，三极管是电流控制元件。 场效应管输入电阻非常高，三极管输入电阻较小。场效应管噪声小，受外界温度及辐射的影响小, 存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, 便于集成。存放时,栅极与源极应短接在一起。 焊接时,烙铁外壳应接地。 7.2共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 7.3多级放大电路的耦合方式：阻容耦合，优点:各级 Q 点相互独立,便于分析、设计和调试。缺点: 不易放大低频信号无法集成。直接耦合，优点:可放大交流和直流信号;便于集成。缺点: 各级Q 点相互影响;零点漂移较严重。变压器耦合，优点：有阻抗变换作用，各级静态工作点互不影响。缺点：不能放大直流及缓慢变化信号； 笨重；不易集成。 第一讲电荷 一、正电荷与负电荷 初中的时候我们学习过的物理与化学里有有关自然界中的物质的定义就是: 物质由分子组成,分子由原子组成,原子由原子核与核外电子组成。原子核带正电,核外电子带负电。 元素的序号就就是一个原子中原子核内正电荷的数目,核外电子的数目与核内正电荷的数目相等,正电荷与负电荷相互抵消而呈电中性。 所以,正常情况下物质就是电中性的,即不带电的。 当原子获得一定的能量后,其核外电子容易摆脱原子核的束缚而挣脱出来,叫做自由电子。任何元素都有其自身的化合价,化合价有表达能够摆脱原子核束缚的自由电子数目多少的特征。 如,硅原子的序号就是14,表示有14个核外电子,14个核内正电荷。 但就是化合价就是4,即可能最多有4个核外电子摆脱原子核的束缚而成为自由电子,其余10个永远被原子核束缚,不得挣脱。 核外电子在原子核周围就是按层次有规律的飞旋运转的。 正电荷与负电荷有相互吸引的作用,同种电荷有互相排斥的作用。 二、物质带电 当我们设法把正电荷与负电荷分开,物质就带电了。例如,物质的一头带正电荷,另一头带负电荷。 或者我们把某物质的某种电荷移走一部分,这个物质就剩下与移走的电荷的反电荷,数量相同,这个物质也就带电了。 通常的方法就是摩擦起电或感应起电或接触起电。 摩擦起电:用丝绸摩擦玻璃棒,玻璃棒上就产生了正电荷。 感应起电:用一个带某种电荷的物体,靠近另一个电中性的物体,这个电中性的物体的异种电荷被带电物体吸引,靠近带电物体,同种电荷被排斥到另一头。 接触起点:一个带电物体接触一电中性的物体,带电物体所带的电荷移动一部分到电中性的物体,电中性的物体也带电了。 如果我们把物质的某种电荷移走,但就是该物质能源源不断的补充这种电荷,这叫电源。 第一章常用半导体器件 1．什么是杂质半导体？有哪2种杂质半导体？ 2．什么是N型杂质半导体？在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P型半导体？ 3．什么是P型杂质半导体？在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？ 4．什么是PN结？PN结具有什么样的导电性能？ 5．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？ 6．理想二极管的特点？ 7．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳定电压Uz指的是什么？稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么？ 8．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。（1）二极管的开关电路，D为理想二极管，求U AO （2）二极管的限幅电路 D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形（3）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） （4）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 如果图中四个二极管全 部反过来接，求负载上输 出电压的平均值？ （5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） （6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压） 9．什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29页），晶体管是一种电流控制器件，用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么？模拟电路基础知识大全
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