TI--M4内部EEPROM详解
M4里面的EEPROM并不是编址在内存空间中的，而是直接通过操作寄存器(Register)进行读写的。所以EEPROM中间的某个地址就是只属于EEPROM的地址，并不和内存地址有冲突。
要想方便的使用EEPROM，最好的办法就是使用TI的StellarisWare驱动库程序：
#include "inc/hw_memmap.h"
#include "inc/hw_types.h"
#include "inc/hw_timer.h"
#include "inc/hw_ints.h"
#include "inc/hw_gpio.h"
#include "driverlib/sysctl.h"
#include "driverlib/eeprom.h"
unsigned long pulRead[2];
void main()
{
unsigned long pulData[2];
// 系统工作在50MHZ
SysCtlClockSet(SYSCTL_SYSDIV_4 | SYSCTL_USE_PLL | SYSCTL_OSC_MAIN |SYSCTL_XTAL_16MHZ);
// 使能EEPROM
SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_EEPROM0);
// 初始化EEPROM
EEPROMInit();
pulData[0] = 0x12345678;
pulData[1] = 0x56789abc;
// 向EEPROM里面0x400地址写入数据
EEPROMProgram(pulData, 0x400, sizeof(pulData));
// 读回来
EEPROMRead(pulRead, 0x400, sizeof(pulRead));
while(1)
{
}
AVR单片机EEPROM和FLASH区别
AVR单片机EEPROM和FLASH区别 为什么A VR单片机既有FLASH又有EEPROM？我如果要烧写程序只用HEX文件行么？那个EEP文件有什么作用? 你的程序代码是保存在FLASH里的，只烧写HEX文件就可以。EEP文件是EEPROM的初始化数据文件，如果不烧写，EEPROM会保持FF，如果烧写了这个文件，就会按照你的初始化要求初始化EEPROM。在实际中有时往往不仅仅需要程序代码，还需要用到一些数据，而这些数据又会根据情况的不同而变化。举个例子，比如我要测量一个电机的转数，而每天电机最多测量12个小时，要求记录这12个小时的转数，然后第二天从这个数值继续测量，当然第二天单片机也会重新上电。遇到这个情况你如何去保存你的记录数值呢？当然这就需要用到EEPROM了。EEPROM存取数据方便，掉电不丢失，适合记录这种要求有变化又要求掉电不丢失的数据。当然EEPROM也可以作为程序存储器来存放程序。但是A VR单片机的BOOTLOADER是ATMEL提供的，只能够从FLASH开始。其次，即使能够使用EEPROM做程序存储器，如今也不会采用这样的方式，因为EEPROM造价比FLASH要高很多，同时存取速度比FLASH要慢得多，因此如今的程序基本都是被放入FLASH中，而EEPROM只用来存放那些不希望丢失的数据而用了 FLASH 一个静态的只读存储器，单片机本身无法修改自己 EEPROM 是指5V或3.3V可擦写存储器，可以由单片机本身编程写入一般用来做掉电保护，也可以由烧程器写入。烧程时当然只用HEX文件AVR编程的时候，可以对EEPROM编程 设置你想要的初始化量 简单的说，flash是保存程序的，eeprom是保存程序需要用到的，掉电不会丢失的变量，通常是初始值之类的。通常flash不会被程序改写（avr有bootloader 功能，可以修改flash甚至bootloader自身），而eeprom则很容易被改写。 一般来讲，实际应用中eeprom用的不多，除非对成本极为看重，因为片内的eeprom比较不可靠，当电压不稳时，数据容易丢失。 AVR系列单片机的FLASH存储器、SRAM存储器、EEPROM存储器各有什么用途？ FLASH:单片机运行的程序存储的地方。
STC单片机内部EEPROM的应用
ISPEN：ISP/IAP功能允许位。0：禁止ISP/IAP编程改变Flash，1：允许编程改变Flash SWBS：软件选择从用户主程序区启动（0），还是从ISP程序区启动（1）。 SWRST：0：不操作，1：产生软件系统复位，硬件自动清零。 ISP_CONTR中的SWBS与SWRST这两个功能位，可以实现单片机的软件启动，并启动到ISP区或用户程序区，这在“STC单片机自动下载”一节，亦有所应用。 如： ISP_CONTR=0x60; 则可以实现从用户应用程序区软件复位到ISP程序区开始运行程序。 ISP_CONTR=0x20; 则可以实现从ISP程序区软件复位到用户应用程序区开始运行程序。
（以上的建议时钟是（WT2、WT1、WT0）取不同的值时的标称时钟，用户系统中的时钟不要过高，否则可能使操作不稳定。） 以下是具体的实现代码： EEPROM操作函数： #define RdCommand 0x01 #define PrgCommand 0x02 #define EraseCommand 0x03 #define Error 1 #define Ok 0 #define WaitTime 0x01
#define PerSector 512 unsigned char xdata Ttotal[512]; /* ---------------------------------------------------------------------打开 ISP,IAP 功能 ---------------------------------------------------------------------*/ void ISP_IAP_enable(void) { EA=0;/* 关中断*/ ISP_CONTR|=0x18;/*0001,1000*/ ISP_CONTR|=WaitTime;/*写入硬件延时*/ ISP_CONTR|=0x80;/*ISPEN=1*/ } /* ---------------------------------------------------------------------关闭 ISP,IAP 功能 ---------------------------------------------------------------------*/ void ISP_IAP_disable(void) { ISP_CONTR&=0x7f;/* ISPEN = 0 */ ISP_TRIG=0x00; EA=1;/* 开中断 */ } /* ----------------------------------------------------------------------公用的触发代码 ----------------------------------------------------------------------*/ void ISPgoon(void) { ISP_IAP_enable();/* 打开 ISP,IAP 功能 */ ISP_TRIG=0x46;/* 触发ISP_IAP命令字节1 */ ISP_TRIG=0xb9;/* 触发ISP_IAP命令字节2 */ _nop_(); }
avrEEPROM数据丢失问题原因与解决方案
avr EEPROM 数据丢失问题原因与解决方 案 总结一下引起AVR内部EEPROM数据丢失的原因： 1.程序问题； 2.程序跑飞； 3.EEPROM相关寄存器因强磁场、高压静电等外部干扰出错所产生的写入动作； 4.系统有很大的感性负载，在断电的时候会产生一 个反向高压，EEPROM有可能会自擦除。 ……（还有什么原因，欢迎大家继续列举，以便完善及想办法解决） 针对问题1，程序问题不再该文讨论范围内。 针对问题2，程序跑飞，这个因该是引起EEPROM数据丢失的主要原因。但是引起程序跑飞的原因却是多方
面的。 第一.电压不正常，工作不稳定，程序跑飞。针对这个问题，可以开启内部BOD、或者外加复位芯片解决，在低功耗场合，外部复位是有必 要的，毕竟BOD功耗太高。 第二，晶体振荡受干扰，频率不稳定，程序跑飞。针对这个问题，建议晶体使用全幅振荡，并且走线的时候尽量短，并且使用地线隔离。 第三系统受外界环境干扰，修改了PC等寄存器，程序跑飞。针对这个干扰问题，这个引起程序跑飞的可能性应该不大，如果环境实在恶劣 ，那么就应该想到做电磁屏蔽，ESD保护等，如果还不行，那么只能建议换换别的单片机试试看了。 针对问题3，我们只能优化电路设置，尽量避免，比如加屏蔽罩，加ESD保护，加TVS保护，电源加电容退耦等等。
针对问题4,如果系统真的具有很大的感性负载，那么请注意加续流二极管、滤波电容等做保护，不要让这种反向高压产生，无论如何，这 种因为感性负载突然断电自激产生的高压，不仅仅会对EEPROM有影响，而是对整个系统都存在威胁。 ================================================= ================================================= ============ 经过上面硬件上的一些处理，虽然EEPROM数据丢 失的可能已经很小了，但是我们仍然不能保证EEPROM数据就不会丢失了。这时EEPROM数据的可*性，那就得从软件上去考虑了，接着我们从 软件的方面继续讨论。 我的做法是，数据分块，分区，校验，备份。当然这里讲的处理方法，仅仅是提供一种想法，你可以做不同数据长度的分块，不同大小的 分区，采用不同的地址映射方法，以及采用更多次的数据备份。下面以Mega168为例继续讨论。 1.Mega168EEPROM512字节，把EEPROM分为两个区，每个
静态存储器-实验报告
计算机科学与技术系 实验报告 专业名称计算机科学与技术 课程名称计算机组成与结构 项目名称静态随机存储器实验 班级 学号 姓名 同组人员无 实验日期 2015-10-24
一、实验目的与要求 掌握静态随机存储器RAM 工作特性及数据的读写方法 二、实验逻辑原理图与分析 2.1 实验逻辑原理图及分析 实验所用的静态存储器由一片6116(2K ×8bit)构成(位于MEM 单元)，如下 图所示。6116有三个控制线：CS(片选线)、OE(读线)、WE(写线)，当片选有效(CS=0)时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作，本实验将CS 常接地线。 由于存储器(MEM)最终是要挂接到CPU 上，所以其还需要一个读写控制逻辑，使得CPU 能控制MEM 的读写，实验中的读写控制逻辑如下图所示，由于T3的参与，可以保证MEM 的写脉宽与T3一致，T3由时序单元的TS3给出。IOM 用来选择是对I/O 还是对MEM 进行读写操作，RD=1时为读，WR=1时为写。 XMRD XIOR XIOW XMWR RD IOM WE T3 读写控制逻辑 实验原理图如下如所示，存储器数据线接至数据总线，数据总线上接有8 个LED 灯显示D7…D0的内容。地址线接至地址总线，地址总线上接有8个LED 灯显示A7…A0的内容，地址由地址锁存器(74LS273,位于PC&AR 单元)给出。数据开关(位于IN 单元)经一个三态门(74LS245)连至数据总线，分时给出地址和数据。地址寄存器为8位，接入6116的地址A7…A0，6116的高三位地址A10…A8接地，所以其实际容量为256字节。
常用串行EEPROM芯片
1 Features ?Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible ?Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1) ?Low-voltage and Standard-voltage Operation –2.7 (V CC = 2.7V to 5.5V)? 3.0 MHz Clock Rate (5V) ?8-byte Page Mode ?Block Write Protection –Protect 1/4, 1/2, or Entire Array ?Write Protect (WP) Pin and Write Disable Instructions for Both Hardware and Software Data Protection ?Self-timed Write Cycle (10 ms max)?High Reliability –Endurance: One Million Write Cycles –Data Retention: 100 Years ?Automotive Grade Devices Available ? 8-lead PDIP and 8-lead JEDEC SOIC Packages Description The AT25010/020/040 provides 1024/2048/4096 bits of serial electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) organized as 128/256/512 words of 8bits each. The device is optimized for use in many industrial and commercial applica-tions where low-power and low voltage operation are essential. The AT25010/020/040is available in space saving 8-lead PDIP and 8-lead JEDEC SOIC packages. The AT25010/020/040 is enabled through the Chip Select pin (CS) and accessed via a 3-wire interface consisting of Serial Data Input (SI), Serial Data Output (SO), and Serial Clock (SCK). All programming cycles are completely self-timed, and no sepa-rate ERASE cycle is required before WRITE. BLOCK WRITE protection is enabled by programming the status register with one of four blocks of write protection. Separate program enable and program disable instruc-tions are provided for additional data protection. Hardware data protection is provided via the WP pin to protect against inadvertent write attempts. The HOLD pin may be used to suspend any serial communication without resetting the serial sequence. Pin Configurations 8-lead PDIP
计算机组成原理存储器读写和总线控制实验实验报告
信息与管理科学学院计算机科学与技术 实验报告 课程名称：计算机组成原理 实验名称：存储器读写和总线控制实验 姓名：班级：指导教师：学号： 实验室：组成原理实验室 日期： 2013-11-22
一、实验目的 1、掌握半导体静态随机存储器RAM的特性和使用方法。 2、掌握地址和数据在计算机总线的传送关系。 3、了解运算器和存储器如何协同工作。 二、实验环境 EL-JY-II型计算机组成原理实验系统一套，排线若干。 三、实验内容 学习静态RAM的存储方式，往RAM的任意地址里存放数据，然后读出并检查结果是否正确。 四、实验操作过程 开关控制操作方式实验 注：为了避免总线冲突，首先将控制开关电路的所有开关拨到输出高电平“1”状态，所有对应的指示灯亮。 本实验中所有控制开关拨动，相应指示灯亮代表高电平“1”，指示灯灭代表低电平“0”。连线时应注意：对于横排座，应使排线插头上的箭头面向自己插在横排座上；对于竖排座，应使排线插头上的箭头面向左边插在竖排座上。 1、按图3－1接线图接线： 2、拨动清零开关CLR，使其指示灯显示状态为亮—灭—亮。 3、往存储器写数据：
以往存储器的（FF ） 地址单元写入数据“AABB ”为例，操作过程如下： 4、按上述步骤按表3－2所列地址写入相应的数据 表3－2 5、从存储器里读数据： 以从存储器的（FF ） 地址单元读出数据“AABB ”为例，操作过程如下： (操作) (显示) (操作) (显示) (操作) (显6、按上述步骤读出表3－2数据，验证其正确性。 五、实验结果及结论 通过按照实验的要求以及具体步骤，对数据进行了严格的检验，结果是正确的，具体数据如图所示：
51单片机内部EEPROM的应用
用51hei-5板子学习单片机内部EEPROM的应用 STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPRO M，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP 功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表 名称地址功能描述D7D6D5D4D3D2D1D0复位值ISP_DATA E2h Flash数据寄存器1111 1111 ISP_ADDRH E3h Flash高字节地址寄 存器0000 0000 ISP_ADDRL E4h Flash低字节地址寄 存器0000 0000 ISP_CMD E5h Flash命令模式寄存 器 ----------MS2MS1MS0xxxx x000 ISP_TRIG E6h Flash命令触发寄存 器 xxxx xxxx ISP_CONTR E7h ISP/IAP 控制寄存器ISPEN SWBS SWRST----WT2WT1WT0000x x000 ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。
串行EEPROM AT24CXX芯片资料
串行EEPROM AT24CXX芯片资料 AT24CXX是美国ATMEL公司的低功耗CMOS串行EEPROM，典型的型号有 AT24C01A/02/04/08/16等5种，它们的存储容量分别是 1024/2048/4096/8192/16384位；也就是128/256/512/1024/2048字节；使用电压级别有5V，2.7V,2.5V,1.8V;本文主要介绍常用的AT24C02即256字节存储器的使用；它具有工作电压宽（2.5～5.5V）、擦写次数多（大于10000次）、写入速度快（小于10ms）等特点。 外行如图： AT24C02的1、2、3脚是三条地址线，用于确定芯片的硬件地址（实验板中直接接地只有一块器件）；第8脚和第4脚分别为正、负电源。第5脚SDA 为串行数据输入/输出，数据通过这条双向I2C总线串行传送，SDA和SCL都需要和正电源间各接一个5.1K的电阻上拉。第7脚为WP写保护端，接地时允许芯片执行一般的读写操作。接电源端时不允许对器件写。 24C02中带有片内地址寄存器。每写入或读出一个数据字节后，该地址寄存器自动加1，以实现对下一个存储单元的读写。所有字节均以单一操作方式读取。为降低总的写入时间，一次操作可写入多达8个字节的数据。 ;这是将0100H地址中以下的8个数据写到24C02的01H为首址单元中去的汇编程序可直接在实验板上实验。 ORG 0000H SCL BIT P3.7;定义24C02的串行时钟线 SDA BIT P3.6;定义24C02的串行数据线 LJMP START START:LCALL STAR;调用
MOV R2,#08H;一个数据有8位 MOV DPTR,#0100H;定义源数据的位置LOOP:MOV A,#00H MOVC A,@A+DPTR LCALL SDATA LCALL ACK JC LOOP INC DPTR DJNZ R2,LOOP LCALL STOP;调用停止子程序STAR:SETB SDA SETB SCL NOP NOP NOP NOP CLR SDA NOP NOP NOP NOP CLR SCL RET SDATA:MOV R0,#08H LOOP0:RLC A MOV SDA,C NOP NOP SETB SCL
AVR常用操作
IAR编译器配置(AVR ) 一、EEPROM 区域数据存储： __eeprom unsigned char a;//定义一个变量存放在EEPROM空间 __eeprom unsigned char a @ 0x8;//定义一个变量存放在EEPROM空间0X08单元 __eeprom unsigned char p[] @ 0x22//定义一个数组存放在EEPROM空间，开始地址为0X22单元 __eeprom unsigned char a @ 0x08=9;//定义一个常数存放在EEPROM空间0X08单元 __eeprom unsigned char p[] @0x22={1，2，3，4，5，6，7，8}; EEPROM操作宏取函数：在comp_a90.h intrinsics.h头文件里有详细说明。 自动生成.eep文件置：在Project->Options->linker->config>的linker command line中观察该Project使用了哪个XCL文件。本文使用M8编译，使用文件 是”TOOLKIT_DIR$\src\template\cfgm8.xcl”-Ointel-extended,(CODE)=.hex -Ointel-extended,(XDATA)=.eep 二、FLASH 区域数据存储： 用关键字__flash 控制来存放，__ flash 关键字写在数据类型前后效果一样 __flash unsigned char a @ 0x8;//定义变量存放在flash 空间0X08单元__flash unsigned char p[] @ 0x22//定义数组存放在flash 空间，开始地址为0X22单元 __flash unsigned char a @ 0x08=9;//定义常数存放在flash 空间0X08单元 __flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8}; unsigned int __flash * p;//定义个指向flash 空间地址的指针，16位。 unsigned int __farflash * p;//定义指向flash 空间地址的指针，24位。 __flash unsigned char * p; //定义指向SARMM空间地址的指针，指针本身存放在flash 中。 flash 操作宏函数：在comp_a90.h intrinsics.h头文件里有详细说明 三、IAR编译器对位的支持更强大： PORTB_ Bit2=1; //置PORTB的第2位=1 PORTC_Bit4=PORTB_Bit2;//把PORTB的第2位传送到PORTC的第4位 四、头文件 avr_macros.h里面包含了读写16位寄存器的简化书写，和几个位操作函数 comp_a90.h对大量的内在函数做了简要书写,flash 操作宏函数 ina90.h包含"inavr.h" "comp_A90.h"文件 intrinsics.h内在函数提供最简单的操作处理器底层特征。休眠，看门狗，FLASH函数。 iomacro.H I/O寄存器定义文件样本。 #include
51单片机内部EEPROM的应用
STC89C51、52内部都自带有2K字节的EEPROM，54、55和58都自带有16K字节的EEPROM，STC单片机是利用IAP技术实现的EEPROM，内部Flash擦写次数可达100，000 次以上，先来介绍下ISP与IAP的区别和特点。 知识点：ISP与IAP介绍 ISP：In System Programable 是指在系统编程，通俗的讲，就是片子已经焊板子上，不用取下，就可以简单而方便地对其进行编程。比如我们通过电脑给STC单片机下载程序，或给AT89S51单片机下载程序，这就是利用了ISP技术。 IAP：In Application Programable 是指在应用编程，就是片子提供一系列的机制(硬件/软件上的)当片子在运行程序的时候可以提供一种改变flash数据的方法。通俗点讲，也就是说程序自己可以往程序存储器里写数据或修改程序。这种方式的典型应用就是用一小段代码来实现程序的下载，实际上单片机的ISP功能就是通过IAP技术来实现的，即片子在出厂前就已经有一段小的boot程序在里面，片子上电后，开始运行这段程序，当检测到上位机有下载要求时，便和上位机通信，然后下载数据到存储区。大家要注意千万不要尝试去擦除这段ISP引导程序，否则恐怕以后再也下载不了程序了。 STC单片机内部有几个专门的特殊功能寄存器负责管理ISP/IAP功能的，见表1。 表1 ISP/IAP相关寄存器列表 名称地址功能描述D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 复位值 ISP_DATA E2h Flash数据寄存 器1111 1111 ISP_ADDRH E3h Flash高字节地址寄存 器0000 0000 ISP_ADDRL E4h Flash低字节地址寄存 器0000 0000 ISP_CMD E5h Flash命令模式寄存器-- -- -- -- -- MS2 MS1 MS0 xxxx x000 ISP_TRIG E6h Flash命令触发寄存 器xxxx xxxx ISP_CONTR E7h ISP/IAP 控制寄存器ISPEN SWBS SWRST -- -- WT2 WT1 WT0 000x x000 ISP_DATA：ISP/IAP操作时的数据寄存器。ISP/IAP从Flash读出的数据放在此处，向Flash写入的数据也需放在此处。 ISP_ADDRH：ISP/IAP操作时的地址寄存器高八位。 ISP_ADDRL：ISP/IAP操作时的地址寄存器低八位。 ISP_CMD：ISP/IAP操作时的命令模式寄存器，须命令触发寄存器触发方可生效。命令模式如表2所示。 表2 ISP_CMD寄存器模式设置 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 模式选择 保留命令选择 -- -- -- -- -- 0 0 0 待机模式，无ISP操作 -- -- -- -- -- 0 0 1 对用户的应用程序flash区及数据flash区字节读 -- -- -- -- -- 0 1 0 对用户的应用程序flash区及数据flash区字节编程 -- -- -- -- -- 0 1 1 对用户的应用程序flash区及数据flash区扇区擦除 程序在系统ISP程序区时可以对用户应用程序区/数据Flash区(EEPROM)进行字节读/字节
AVR使用范例--EEPROM使用详解
AVR使用范例--EEPROM使用详解 本页关键词：什么是eeprom spi eeprom eeprom程序eeprom资料eeprom结构eeprom 读写eeprom的读写 本页详细介绍ICC自带EEPROM操作函数的操作方法，包括单字符读写，数组读写，结构体读写。 程序代码：下载相关文件 ?void main(void) ?{ ? unsigned char temp1,temp2; /*定义变量*/ ? unsigned char buffer[10]; /*定义数组*/ ? unsigned char buf[]="AVR与虚拟仪器"; /*定义字符串*/ ? ? EEPROMwrite(0x10,'a'); /*单字符写入到0x10，注意是单引号*/ ? temp1 = EEPROMread(0x10); /*读一个字符到temp1*/ ? ? ? EEPROM_WRITE(0x20,"abcdefg"); /*写字符串到0x20*/ ? EEPROM_READ(0x20,temp2); /*读字符到temp2，temp2＝a*/ ? EEPROM_READ(0x20,buffer); /*读字符串到数组中 buffer[10]=abcdefg */ ?
? EEPROM_WRITE(0x30,buf); /*数组中的值写到EEPROM中：0X30开始为"AVR与虚拟仪器"*/? ? while(1) ? ; ?} ? 调试后的效果： 调试eeprom的时候，记住设置Avr studio保护eeprom数据，否则每次都会将eeprom中的数据改为0xFF。如下图： 打开调试选项： 钩选保护eeprom数据选项：
52单片机内部EEPROM
#include
实验五存储器读写实验报告
实验五存储器读写实验报告 实验报告 课程名：《计算机组成原理》题目：实验五存储器读写班级：计算机+ 自动化0901班姓名：张哲玮，郑俊飞 《计算机组成原理》实验报告- 1 - 实验五、存储器读写实验 一、目的与要求 (1)掌握存储器的工作特性 (2)熟悉静态存储器的操作过程，验证存储器的读写方法 二、实验原理及原理图 (1)?静态存储器芯片6116的逻辑功能 6116是一种数据宽度为8位(8个二进制位)，容量为2048字节的静态存储器芯片，封在24引脚的封装中，封装型式如图2-7所示。6116芯片有8根双向三态数据线D7-D0,所谓三态是指输入状态，输出状态和高阻状态，高阻状态数据线处于一种特殊的“断开”状态；11根地址线A10-A0,指示芯片内部2048个存储单元号;3根控制线CS片选控制信号，低电平时，芯片可进行读写操作，高电平时，芯片保存信息不能进行读写;WE 为写入控制信号，低电平时，把数据线上的信息存入地址线A10-A0指示的存储单元中;0E为输出使能控制信号，低电平时，把地址线A10-A0指示的存储单元中的数据读出送到数据线上。
6116芯片控制信号逻辑功能表 (2).存储器实验单元电路 因为在计算机组成原理实验中仅用了256个存储单元，所以6116芯片的3根地址线A11-A8接地也没有多片联用问题，片选信号CS接地使芯片总是处于被选中状态。芯片的WE和0E信号分别连接实验台的存储器写信号M-W和存储器读信号M-Ro这种简化了控制过程的实验电路可方便实验进行。 存储器部件电路图 (3)?存储器实验电路 存储器读\写实验需三部分电路共同完成:存储器单元(MEM UNIT),地址寄存器单元(ADDRESS UNIT)和输入，输出单元(INPUT/OUTPIT UNIT).存储器单元6116芯片为中心构成，地址寄存器单元主要由一片74LS273组成，控制信号B-AR的作用是把总线上的数据送入地址寄存器，向存储器单元电路提供地址信息，输入，输出单元作用与以前相同。
AVR使用范例EEPROM使用详解
本页详细介绍ICC自带EEPROM操作函数的操作方法，包括单字符读写，数组读写，结构体读写。 程序代码：下载相关文件 ?void main(void) ?{ ? unsigned char temp1,temp2; /*定义变量*/? unsigned char buffer[10]; /*定义数组*/? unsigned char buf[]="AVR与虚拟仪器"; /*定义字符串*/? EEPROMwrite(0x10,'a'); /*单字符写入到0x10，注意是单引号*/ ? temp1 = EEPROMread(0x10); /*读一个字符到temp1*/ ? EEPROM_WRITE(0x20,"abcdefg"); /*写字符串到0x20*/ ? EEPROM_READ(0x20,temp2); /*读字符到temp2，temp2＝a*/ ? EEPROM_READ(0x20,buffer); /*读字符串到数组中 buffer[10]=abcdefg */ ? EEPROM_WRITE(0x30,buf); /*数组中的值写到EEPROM中：0X30开始为"AVR与虚拟仪器"*/ ? while(1) ? ; ?} 调试后的效果： 调试eeprom的时候，记住设置Avr studio保护eeprom数据，否则每次都会将eeprom中的数据改为0xFF。如下图： 打开调试选项： 钩选保护eeprom数据选项： 打开相关观测窗口：
按F10逐条语句运行，查看运行结果。 1. 地址10上的值被改写为“a” 2. temp1的值变为a，及读取了地址0x10的值a： 3. abcdefg写入20开始的地址：
计算机组成原理实验五存储器读写实验
实验五 存储器读写实验实验目的 1. 掌握存储器的工作特性。 2. 熟悉静态存储器的操作过程，验证存储器的读写方法。 二、实验原理 表芯片控制信号逻辑功能表
2. 存储器实验单元电路 芯片状态 控制信号状态 DO-D7 数据状态 M-R M -W 保持 1 1 高阻抗 读出 0 1 6116-^总钱 写人 1 0 总线-*6116 无效 报警 ^2-10 D7—DO A7—A0
團2-8存储器实验电路逻辑图 三、实验过程 1. 连线 1） 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线。 2） 按逻辑原理图连接M-W M-R 两根信号低电平有效信号线 3） 连接A7-A0 8根地址线。 4） 连接B-AR 正脉冲有效信号 2. 顺序写入存储器单元实验操作过程 1） 把有B-AR 控制开关全部拨到0,把有其他开关全部拨到1,使全部信号都处 于无效 状态。 2） 在输入数据开关拨一个实验数据，如“ 00000001”即16进制的01耳 把IO-R 控制开关拨下，把地址数据送到总线。 3） 拨动一下B-AR 开关，即实现“1-0-1 ”产生一个正脉冲，把地址数据送地 址寄存器保存。 4） 在输入数据开关拨一个实验数据，如“ 10000000',即16进制的80耳 把IO-R 控 制开关拨下，把实验数据送到总线。 3. 存储器实验电路 0 O O 0 0 olo O O O O 0 00 OUTPUT L/O :W 8-AR ￡ ■」2 ■七 ol^Fgr' L P O 74LS273 A7- AO vz 0 o|o 0 r 6116 A7 INPUT D7-O0 [olololololololol T2
TI--M4内部EEPROM详解
M4里面的EEPROM并不是编址在内存空间中的，而是直接通过操作寄存器(Register)进行读写的。所以EEPROM中间的某个地址就是只属于EEPROM的地址，并不和内存地址有冲突。 要想方便的使用EEPROM，最好的办法就是使用TI的StellarisWare驱动库程序： #include "inc/hw_memmap.h" #include "inc/hw_types.h" #include "inc/hw_timer.h" #include "inc/hw_ints.h" #include "inc/hw_gpio.h" #include "driverlib/sysctl.h" #include "driverlib/eeprom.h" unsigned long pulRead[2]; void main() { unsigned long pulData[2]; // 系统工作在50MHZ SysCtlClockSet(SYSCTL_SYSDIV_4 | SYSCTL_USE_PLL | SYSCTL_OSC_MAIN |SYSCTL_XTAL_16MHZ); // 使能EEPROM SysCtlPeripheralEnable(SYSCTL_PERIPH_EEPROM0); // 初始化EEPROM EEPROMInit(); pulData[0] = 0x12345678; pulData[1] = 0x56789abc; // 向EEPROM里面0x400地址写入数据 EEPROMProgram(pulData, 0x400, sizeof(pulData)); // 读回来 EEPROMRead(pulRead, 0x400, sizeof(pulRead)); while(1) { }
EEPROM.
常用串行EEPROM的编程应用 EEPROM是"Electrically Erasable Programmable Read-only"（电可擦写可编程只读存储器）的缩写，EEPROM在正常情况下和EPROM一样，可以在掉电的情况下保存数据，所不同的是它可以在特定引脚上施加特定电压或使用特定的总线擦写命令就可以在在线的情况下方便完成数据的擦除和写入，这使EEPROM被用于广阔的的消费者范围，如：汽车、电信、医疗、工业和个人计算机相关的市场，主要用于存储个人数据和配置/调整数据。EEPROM又分并行EEPROM和串行EEPROM，并行EEPROM器件虽然有很快的读写的速度，但要使用很多的电路引脚。串行EEPROM器件功能上和并行EEPROM基本相同，提供更少的引脚数、更小的封装、更低的电压和更低的功耗，是现在使用的非易失性存储器中灵活性最高的类型。串行EEPROM按总线分，常用的有I2C,SPI,Microwire总线。本文将介绍这三种总线连接单片机的编程方法。 I2C总线 I2C总线（Inter Integrated Circuit内部集成电路总线）是两线式串行总线，仅需要时钟和数据两根线就可以进行数据传输，仅需要占用微处理器的2 个IO引脚，使用时十分方便。I2C总线还可以在同一总线上挂多个器件，每个器件可以有自己的器件地址，读写操作时需要先发送器件地址，该地址的器件得到确认后便执行相应的操作，而在同一总线上的其它器件不做响应，称之为器件寻址，这个原理就像我们打电话的原理相当。I2C总线产生80年代，由PHLIPS 公司开发，早期多用于音频和视频设备，如今I2C总线的器件和设备已多不胜数。最常见的采用I2C总线的EEPROM也已被广泛使用于各种家电、工业及通信设备中，主要用于保存设备所需要的配置数据、采集数据及程序等。生产I2C总线EEPROM的厂商很多，如ATMEL、Microchip公司，它们都是以24来开头命名芯片型号，最常用就是24C系列。24C系列从24C01到24C512，C后面的数字代表该型号的芯片有多少K的存储位。如ATMEL的24C64，存储位是64K位，也就是说可以存储8K（8192）字节，它支持1.8V到5V电源，可以擦写1百万次，数据可以保持100年，使用5V电源时时钟可以达到400KHz，并且有多种封装可供选择。我们可以很容易的在身边的电器设备中发现它们的身影，如电视中用于保存频道信息，电脑内存条中保存内存大小等相关信息，汽车里用于保存里程信息等等。图一就是ATMEL24C64芯片的PID封装和用于内存条SPD(Serial Presence Detect)上的24芯片。
马潮老师：AVR应用经验
AVR 应用经验 作者：马潮老师 /整理：armok / 2005-01-17/ https://www.360docs.net/doc/366698461.html, AVR与传统类型的单片机相比，除了必须能实现原来的一些基本的功能，其在结构体系、功能部件、性能和可靠性等多方面有很大的提高和改善。 但使用更好的器件只是为设计实现一个好的系统创造了一个好的基础和可能性，如果还采用和沿袭以前传统的硬件和软件设计思想和方法的话，是不能用好AVR的，甚至也不能真正的了解AVR的特点和长处。 功能越好的器件，需要具备更高技术和能力的人来使用和驾驭它。就象一部好的F1赛车，只有具备高超技术的驾驶员才能充分体会到车的特点，并能最大限度的发挥出车的性能。 AVR具有上手入门快，开发方便简单的特点，但要充分体会和发挥AVR的优点，还需要应用工程师本身的硬软件设计开发能力的不断学习、实践提高。 “外行看热闹，内行看门道”，对于有一定基础的嵌入式和单片机系统设计开发的工程师，不妨先简单尝试一下AVR。 开发环境与工具：PC+下载线+实际的系统板 PC上的开发软件： AVR Studio（Free）汇编+汇编调试+高级语言调试+软件仿真 ICC、CVAVR、BASCOM-AVR 高级语言程序开发+程序下载。其中一个购买正版全功能，作为主要的开发环境，其它使用DEMO版，作为辅助及参考。 AVR ISP下载线： STK200 and STK200+ and STK300 ISP programmer。通过PC的打印机口，采用ISP技术将系统运行代码（HEX、BIN）和数据写入AVR芯片的Flash和EEProm中，编程AVR的配置熔丝位和加密位。支持决大多数的AVR芯片、以及ATMEL的51兼容芯片89S8252、89S52等。在ICC、CVAVR、BASCOM-AVR、BASCOM-8051中都内含对该下载线的支持程序。免费专用的下载程序：SLISP、PonyProg2000等。 尽量不使用仿真器的建议： 在开发和调试系统程序时，有许多人完全依赖于仿真器，一旦离开了仿真器时就感觉无从下手。其实，由于AVR的Flash存贮器可方便的使用ISP技术在线的多次擦写，因此建议尽量不使用（依赖）仿真器来开发和调试程序。 在实际开发过程中，程序的调试可以从下几方面入手： 现在的高级语言编译器（如C编译器）可以产生效率很高的机器代码，因此建议大家尽量使用高级语言编写系统程序。 使用Atmel公司提供AVR Studio软件模拟仿真环境，以及其他的软件模拟仿真环境（BASCOM-AVR）。 尽可能使用高级语言编写系统程序。 利用目标板上的LED、LCD或异步串口。见附件“没有仿真器的情况下如何开发AVR”的介绍。