相序仪使用方法

?相序仪使用方法

o1、用于100V、380V 电压（500V 以下）：按图1，将显示仪的三个输入端A、B、C 分别接入三相电源。若仪表红灯向右移动，

说明被测相序是顺相若仪表绿灯向左移动，说明被测相序逆相。将

其中两互换，可以改变相位顺序。

图1

注：低压检测，接地插座可接地，也可不接地。

2、用于3KV 或以上电压：

（1）先将仪表线两端分别插入仪表与绝缘管插孔连接。（如图2）

图2

（2）在操作前用万表检查仪表线应是通的，及操作杆电阻是否良

好，电阻约10-50MΩ，仪表与绝缘管一定要接触良好（接牢），

仪表接地要接触良好（接牢）；检验相序时，三人操作，一人监护；

在操作时，人体不得接触仪表及仪表线，

并保持安全距离。仪表线不得与外壳（地）接触并保持安全距离。

在操作时应严格执行电业安全规程有关规定。辩别相序是否对，同

本款第一条。

（3）在操作时，人体不得接触仪表、高压连线及接地线，要保持

安全距离。

（4）检测操作应认真执行本条例外还须认真执行本单位规程制

度。并严格按：DL408-91安全工作规程（发电厂变电所电气部

份）规定使用、保管、试验。

?相序仪注意事项

o1．在使用该仪器时，一定要按照规程规范，将仪器可靠接地；

2．绝缘管必须通过耐压试验，以保证人身、设备安全；

3. 做该试验时必须按规程要求，至少两个人操作！

光谱仪使用步骤

一机器启动光谱仪启动时注意事项：（1）光谱仪两次开机之间至少应相隔20min ，以防频繁启动烧毁内部元器件（2）光谱仪背面有5个开关，开机时按照编号1~5依次按下，两开关按下之间应相隔20s 左右。关机时，按照编号5~1依次按下。图光谱仪开关（3）打开氩气阀，使气压保持在0.2~0.4MPa 之间（4）维持瓶内气压在2~3MPa 以上，若气压低于该值，则应更换新的氩气二登陆 1、开机开机用户名：arlservice 密码：369852147 2、进入OXSAS 系统账号：（1）!SERVICE! 密码：ENGINEER （2）！MANAGER ！密码：无（3）！USER ！密码：无通常使用“MANAGER ”权限即可 3、检查仪器状态快捷键F7进入仪器状态检查界面： Electronic HUPS Mains Vacuum Water 权限：由高到低

VACUUM：真空度 SPTEMP：真空室温度 MAINS：电源电压 NEG-LKV：-1000V电源 POS.5V：+5V电源 POS.12V：+12V电源 NEG.12V：-12V电源 POS.24V：+24V电源 NEG.100V：-100V电压三数据备份及数据恢复数据备份及恢复分为软件内部操作、软件外部操作。 1、数据备份（1）软件内部备份：操作页面中选择“脱机模式”，待页面变灰后点击“备份数据”按钮，输入相应的文件名（例如：20101019OXSAS_DB.BAK）以防止将先前数据覆盖，然后点击备份即可。（2）软件外部备份：退出OXSAS操作系统，进入其相应的数据备份及恢复程序“OXSAS Full Backup Restore”，然后选择“备份数据库”按钮下的“备份”选项即可（系统自动选择路径并生成相应文件名）。 2、数据恢复（1）软件内部恢复：操作页面中选择“脱机模式”，待页面变灰后点击“恢复数据库”按钮，选择之前备份的数据库，恢复即可。（2）软件外部恢复：退出OXSAS操作系统，进入其相应的数据备份及恢复程序 “OXSAS Full Backup Restore”，然后点击“恢复数据库”按钮，选择相应数据库，点击“RESTORE”即可。

XJ4810型半导体管特性图示仪测试使用说明

晶体管特性图示仪的使用晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特

性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。

检验仪器操作规程

沈阳博奥电梯有限公司 B O A O E L E VA T O R C O.,L T D. 沈阳博奥电梯有限公司检验仪器操作规程 BADT/WI-YQ 编制：审核：批准： 2016年12月31日发布 2017年1月1日实施

检验仪器操作规程目录 1、A830L万用表操作规程 2 2、ZC25-3兆欧表操作规程 4 3、DT9256C钳型电流表操作规程 6 4、ZC 接地电阻测试仪操作规程7 5、声级计操作规程9 6、DZJ激光垂准仪操作规程13 7、游标卡尺操作规程18 8、塞尺操作规程19 9、限速器测试仪操作规程20

作业工艺指导书共31 页第 2 页第 1 版第0次修订标题检验仪器操作规程实施日期：2017年1月1日数字万用表操作规程操作规程：一、操作前注意事项： 1、将ON/OFF开关置于ON位置，检查9V电池。如果电池电压不足，“” 将显示在显示器上。这时应更换电池后方能使用该仪表。 2、测试笔插孔旁边的“”符号表示输入电压不应超过说明书规定的数值，这是为了保护内部线路免受损伤。 3、测试前应将功能开关置于你所需要的量程位置。 4、切勿在功能开关置于位置时测量电压或电流。 5、切勿测量高于地电位1000V的直流电压或700Vd的交流电压，以确保人身安全。 6、在测量高电压时，注意不要接触被测电路或未使用的仪表端子。二、直流电压测量 1、将黑色表笔插入COM插孔，红色表笔插入V/Ω/F插孔。 2、将功能开关置于所需的V量程位置，并将测试笔连接到待测电源或负载上，红色表笔所接端的极性将和电压值同时显示在显示器上。三、交流电压测量 1、将黑色表笔插入COM插孔，红色表笔插入V/Ω/F插孔。 2、将功能开关置于所需的V～量程位置，并将测试笔连接到待测电源或负载上，从显示器上读取测量结果。

光谱仪操作规程

光谱仪操作规程一、实验室条件： 1、实验室要求温度控制在16--30摄氏度之间；开启设备之前应首先将实验室温度升起。 2、实验室相对湿度要求控制在30—70%。 3、实验室应保持清洁，无灰尘、震动。 4、试样要求厚度超过1mm，覆盖面积控制在15-50mm，测试面必须光滑。用40-80目砂轮或铣床制作，制作后不能用手或水清理，可以用钢丝刷进行清理。二、开关机、操作注意事项：（操作必须顺序进行） 1、先检查各部位是否正常：（1）、检查循环水位是否正常，控制在总高度的1/3处，最高不超过总高度4/5. （2）、检查真空泵油位是否正常。（3）、检查氩气是否充足。 2、开机：（1）、打开稳压器电源开关（2）、打开光谱仪主电源开关即MAINS 16A.(1#) （3）、打开真空泵电源开关即VACUUMPUMP(2) (4）、打开水泵电源开关即 WATERPUMP(3) (5)、打开电子板电源开关即ELECTRONICS(4) (6)、打开负高压电源开关即HVPS(5)

（7）、打开电脑，用户名输入ARL回车进入，选择程序进入即可，再点登陆用户名输入U（一般操作）或M（管理员，可以更改程序）回车进入；查看设备状态，看数据是否控制在范围内。(所有数据必须没有大于或小于号)一般开机后4至5小时后才能使用。（8）、打开氩气，压力表控制在0.35MPA，如果氩气净化机需再生时将压力表调至0.5MPA。（现在的表指针+0.35）先用净化机的II塔（按净化机的指示旋转手柄到指定位置） 3、关机：（1）、正常关机按开机的反顺序操作，必须按步骤关机。（2）、遇到突然停电时应先关闭光谱仪主电源开关，防止突然来电损坏设备。（禁忌设备用电急停急送） 4、程序操作：（1）、每天第一次应先做标准样测试：先登录程序OX SAS，选择管理员用户名进入界面。点‘测量类型标准样’点‘任务’再点‘TS’，点‘方法’再点‘FELAST’，‘类型标准’点方法中以创建的方法，再创建名称即可。将标准样放于‘激发台’开始打样，连续打三点点击完成。（如45#、35#类型标准样）看测试的数据相对数据小于5%即可。（2）、点‘定量分析’开始对工作中试样进行打样，打样后点击完成。三、维护与保养：

XJ4810晶体管特性图示仪说明书

XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。图A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪 7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍 XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示： 1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。 2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。 3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。 4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。 5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四挡。当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。 AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。 6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。 7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。 8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。 9. 电源指示：接通电源时灯亮。 10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。 11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。 12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。 13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。 14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。 15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡I C标值×0.1，同时指示灯14亮. 16. Y轴增益：校正Y轴增益。 17. X轴增益：校正X轴增益。 18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是： ⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。 ⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。 ⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。 19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。 20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。 21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。 22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。 23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。 24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。 25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。 26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。 27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被

高层建筑轴线竖向控制(激光垂准仪)与施工方法

高层建筑轴线竖向控制随着城市建设的发展，一大批高层建筑不断涌现，建筑物的高度与日俱增，大批高层裙楼同时施工，场地狭小，给建筑物的垂准测量带来相当大的难度。如有效的将高层建筑轴线竖向控制好，从而保证建筑物的垂直度是摆在我们面前的迫切课题，在此从测量及施工法面对进一步控制建筑物的垂直度进行了研究。一、工程概况及本工法的意义 ****广场工程是目前我市最大的单体工程，也是我公司施工的高层建筑之一，建筑面积122210㎡，地下两层，地上1层～4层为商场，5层～31层为高档住宅，总高度为108m。基础为筏板基础，主体结构为纯剪力墙结构体系，为高层板式住宅。由于该建筑具有层数多、高度高的特点，因此结构的竖向偏差将直接影响工程的受力情况，若超过了规定的限度，则影响建筑物的正常使用，重时会影响建筑物的安全性及耐久性。为此对该建筑物的垂直度进行有效控制，将垂直度控制在规定要求的围，具有实际的意义。二、建筑轴线竖向控制法 1、测量法工程的施工测量目的是为了确保工程质量，了解建筑物产生变化的原因，及时对建筑物的变形变化进行控制调整，对于建筑轴线竖向控制若采用传统的垂准测量法，用经纬仪垂直投影来传递坐标的法受环境制约重，而用线锤等简单的操作法用作高层建筑受风力影响大，精度达不到验标要求。因此我们在施工****广场工程中采用的是激光垂准仪控法进行施工，在工程中施工测量紧密配合施工，并起到指导施工的作用。

2、使用围激光垂准仪控法是一种激光垂准仪进行铅锤定位测量的法，且适用于高层建筑的控点铅锤定位测量（激光传递的有效距离为50m ），该仪器可以上下两个向发射铅锤激光束，用它作为铅锤基准线，精度比较高。 3、工艺流程采用等偏分中法来消除误差。其一是将下激光束准确对准控点的十字丝。其二是将上激光束投射到作业层的接收靶上准确记录激光束的中心位置，即为控点作业层的准确位置。同时在建筑物的四角设置轴线控制线，再放出其他轴线，用激光垂准仪引测各层控制轴线，每层墙体按要求的垂直度进行调整，支模前尚应放出模板边线，并在每层设置两条水平线，控制地面和楼面平整度。 4、控制点的分段与投测激光垂准仪投测法

各种光谱仪的区别及应用

各种光谱仪的区别及应用 ICP光谱仪，火花直读光谱仪，光电直读光谱仪，原子发射光谱仪，原子吸收光谱仪，手持式光谱仪，便携式光谱仪，能量色散光谱仪，真空直读光谱仪？随着ICP-AES的流行使很多实验室面临着再增购一台ICP-AE S，还是停留在原来使用AAS上的抉择。现在一个新技术ICP-MS 又出现了，虽然价格较高，但ICP-MS具有ICP-AES的优点及比石墨炉原子吸收（GF-AAS）更低的检出限的优势。因此，如何根据分析任务来判断其适用性呢？ ICP-MS是一个以质谱仪作为检测器的等离子体，ICP-AES和I CP-MS的进样部分及等离子体是极其相似的。ICP-AES测量的是光学光谱（120nm～800nm），ICP-MS测量的是离子质谱，提供在3～250amu范围内每一个原子质量单位（amu）的信息。还可测量同位素测定。尤其是其检出限给人极深刻的印象，其溶液的检出限大部份

为ppt级，石墨炉AAS的检出限为亚ppb级，ICP-AES大部份元素的检出限为1～10ppb，一些元素也可得到亚ppb级的检出限。但由于ICP-MS的耐盐量较差，ICP-MS的检出限实际上会变差多达50倍，一些轻元素（如S、Ca、Fe、K、Se）在ICP-MS中有严重的干扰，其实际检出限也很差。下面列出这几种方法的检出限的比较：这几种分析技术的分析性能可以从下面几个方面进行比较： ★★容易使用程度★★ 在日常工作中，从自动化来讲，ICP-AES是最成熟的，可由技术不熟练的人员来应用ICP-AES专家制定的方法进行工作。ICP-MS 的操作直到现在仍较为复杂，尽管近年来在计算机控制和智能化软件方面有很大的进步，但在常规分析前仍需由技术人员进行精密调整，ICP-MS的方法研究也是很复杂及耗时的工作。GF-AAS的常规工作虽然是比较容易的，但制定方法仍需要相当熟练的技术。 ★★分析试液中的总固体溶解量（TDS）★★ 在常规工作中，ICP-AES可分析10%TDS的溶液，甚至可以高至30%的盐溶液。在短时期内ICP-MS可分析0.5%的溶液，但在大多情况下采用不大于0.2%TDS的溶液为佳。当原始样品是固体时，与ICP-AES，GP-AAS相比，ICP-MS需要更高的稀释倍数，折算到原始固体样品中的检出限就显示不出很大的优势了。 ★★线性动态范围（LDR）★★ ICP-MS具有超过105的LDR，各种方法可使其LDR开展至1 08。但不管如何，对ICP-MS来说：高基体浓度会使分析出现问题，

光谱仪操作注意事项

光谱操作注意事项一些问题 Raw intensity(绝对光强) →Intensity Ratio(光强度比) →Standardized intensity ratio(标准化强度比) →Interference Corre.intensity ratio(内部干扰校后的标准强度比) →Concentration Ratio(含量比) →Matrix Corrected Concen. (通道含量) →Concentration(光谱实测含量) →Typical Corrected Concentration(类型标准化后含量) ① I.R.=（R.I/FeR.I）×Typical intensity Fe factor=(H N-L N)/(H A-L A) H N是高点希望值，L N是低点希望值， H A是高点实测值，L A是低点实测值 ②标准化（F7）S.I.R=factor×I.R.+offset ③内部干扰校正 ④曲线 ⑤含量（通道）=参比含量×通道含量比 ⑥通道含量范围（在Element parameter中的“Line switch”中） ⑦类型标准化（F8）T.C.C.=factor×Concen.+offset factor=化学值/实测值，offset=化学值-实测值 SATEUS=SAFT TEST of Usefulness（用于prespark） SETEME=Security Test of Measurement(用于积分阶段) SEREPS=Self Regulated Prespark time(用于prespark)

一、注意事项 1.当样品有砂眼或裂纹，没有分析位置时，不允许激发； 2.当Ar气不好或点不好时，不允许出分析结果； 3.清理火花台时，要关光源，压样品夹子要垂直； 4.如果遇到激发时声音很大，应该按“F3”停止，不允许直接抬样品夹，否则烧EK9008板，不允许样品在激发中跑掉。 5.如果遇到突然断电时，应先关总电源，再将其它电源关闭，等到来电后，先开总电源，再开stand by，再开source（光源）后，开计算机。 6.必须注意绝对不能做错标准化样品，否则，后果十分严重； 7.样品表面不能粘污，不能有水、油等。 8.由于Ar气中水含量较高，在做标准化样品或控样时，一定要激发三点以上再平均。 9.如果仪器有两小时没有分析样品，在开始分析之前，应用 CTRL+F进行Ar预冲洗，此时不能激发。二、常见错误信息 1.“No dongle available！”硬件加密码无效，一般是由于EPSON打印机正在打印，激发工作，由于加密狗与打印信号线连在一起而无法接通。 2.“clamp up”夹子抬起，一般是由于样品上表面不导电（比如：有漆有锈）清理干净即可。３.“Door open”前面板门打开，一般由于火花台罩没有接触良好。

图示仪使用说明书

目录使用须知．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．2 安全注意事项．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3 概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 主要技术指标．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 使用说明．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 使用范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10 维修指南．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15 装箱单．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．16

使用须知 WQ4832型晶体管特性图示仪，是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。本仪器采用晶体管与集成电路混合线路，具有功耗低、电流容量大、重量轻等特点，是半导体研究及应用领域必不可少的测试工具。用户在使用本仪器之前应熟悉以下注意事项，以保证仪器的正常使用。 1．“功耗限制电阻”作用大，除了测量饱和电压（如U CER）及最大电流（如I CM）外，一般应将“功耗限制电阻”置于较大值（≥1kΩ），这样既保护了被测管不至电流过载，又可防止由于被测管击穿后导致仪器损坏，在测量击穿电压时更应注意。 2．按“峰值电压范围”需特别注意，一般情况下应与“电压/度”开关相配合：如需要低于上述量程，应首先将“峰值电压”调至0，再徐徐加大。在测试中，当输出峰值电压较大时，请勿触摸C极与管子外壳，以免遭电击。严禁将各输出端任意长时间短路。 3．测量被测管首先要了解是PNP或NPN，然后将仪器置于相应极性。在未知被测管极性的情况下，可将输出电压调至较小值进行判别。必须在充分熟悉本仪器后才能用异极性测试功能。 4．基极注入阶梯电流（电压）也应注意：（1）注入电流（电压）应与被测管的功率、最大集电极电流相适应，一般情况注入电流由小逐档增加（同时应估算上述二指标，不致电流、功率击穿）。（2）“电流/度”应与阶梯电流（电压）相适应，一般情况应从大量程再逐档调至需要档级。“电流/度”量程不应小于阶梯电流量程。 5．当用双簇测试功能时，需调节零电平使显示时第一级曲线与单簇测试时的第一级曲线在Y方向上的位置一致，才能使各项读数一致。异极性测试时阶梯起始电平一般应调至零。 6．仪器出厂经精密调准，请勿随意打开箱板并调节各种机件，当需要进一步调准时，应按照使用说明书的要求与步骤进行。 7．在进行I CM等极限参数测试时，一般采用单次阶梯为宜，以免被测器件损坏。8．本机额定重复输出功率为60W，不同电压档级有不同的允许最大电流，实际测试中不应超过此值。 2

BJ4814晶体管图示仪技术说明书

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目录 1 概述 (3) 2 工作特性 (3) 3 工作原理 (5) 4使用说明 (5) 5 检查与计量 (13)

1.概述 BJ4814型半导体管特性图示仪是测量半导体器件直流及低频参数的专用仪器,它通过示波管屏幕及标尺刻度,准确的反映器件的特性曲线,其信息量之大是其它类型直流测试设备所达不到的,亦显示出图示仪的独特优势,因此它是半导体器件生产厂家及整机研制部门进行半导体器件的研制,性能改善,电路设计,器件的合理应用等工作必不可少的理想测试设备。本仪器功能齐全,测试范围宽, 绝大部分电路实现了集成化,其中集电极扫描电路实现了电子扫描,大电流测试状态进行了占空比压缩,减小了成本,减小了重量。阶梯部分的大电流测试状态采用了脉冲阶梯输出,减小了被测管的发热。集电极电流测试新增了电子保护电路提高了反映速度,增加了仪器自身及对外保护能力,部分功能参考美国Tex-577产品特点,还有部分功能是为方便测试而增设的,因此使本仪器的应用范围得到拓宽, 随着用户对本仪器的不断了解,根据自身需要也可开发新的应用领域,欢迎广大用户对本仪器的各个方面提出宝贵意见和建议,以促进我们的改进。 2.工作特性 2.1 额定使用条件及规格 A.环境温度: 0 ～ + 40°C B.相对湿度: + 40°C 20 ～90 % RH C.大气压力: Pb - 106 KPa D.供电要求: 220V ±10% 50Hz ±5% E.整机功率: <50V A (非测试状态) <60V A (测试状态) F.外形尺寸: (E×B×H)mm 480×220×320 (主机) 80×110×40(测试盒件) G.预热时间: 15分钟 H.整机重量: 15Kg I.工作时间: 连续工作8小时 J.工作位置: 水平放置或正面仰角小于20°放置 K.外电磁场干扰: 应避免 L.阳光照射: 应避免直射 2.2 技术性能及指标 2.2.1 X轴系统 A.工作方式: 分集电极电压(Vc),基极电压(Vb),二极管电压(Vd)和阶梯信号四类. B.位移范围: 大于10度 C.集电极电压偏转因数: 20mV/度～ 20V/度. 1-2-5序共10挡误差≤±3% D.基极电压偏转因数: 20mV/度～ 1V/度. 1-2-5序共6挡误差≤±3% E.二极管电压偏转因数: 100V/度～ 500V/度. 1-2-5序共3挡误差≤±3% F.阶梯信号偏转因数: 1阶/度误差≤±5% 2.2.2 Y轴系统 A.工作方式: 分集电极流(Ic),和阶梯信号两类. B.位移范围: 大于10度 C.集电极电流偏转因数: 1uA/度～ 2A/度. 1-2-5序共20挡误差≤±3% D.阶梯信号偏转因数: 1阶/度误差≤±5%

测量仪器校正方法步骤

小张的哲学一…自动安平水准仪 1、0°位（脚螺旋）（气泡居中）， 2、180°位（校针）（气泡向居中调一半）， 3、0°位、180°位（反复检查气泡是否居中）， 4、目镜十字丝对准标靶刻度，将水平丝调重合。二…电子经纬仪 1、0°位（脚螺旋）（圆水准气泡、管水准气泡居中）， 2、90°位（脚螺旋单独）（管水准气泡居中）， 3、180°位（校针）（管水准气泡向居中调一半）， 4、0°位、180°位（反复检查管水准气泡是否居中）（90°位气泡应该居中）， 5、盘左目镜十字丝对准标靶十字丝刻度，调重合，记录垂直角度数，水平角度数置0， 6、盘右目镜十字丝对准标靶十字丝刻度，记录垂直角、水平角度数， 7、盘左加盘右水平角度数大于179°59′50″，小于180°00′10″时，也就是误差在10″之内不用再调，否者继续调一半， 8、垂直角调校，机器中“垂直角”“零基准”，“视准差”“i角误差”， 9，光学对中，0°位（脚螺旋）下对准靶标调重合，180°位（校针）目镜靶标向下对中，往重合方向调一半， 10、0°、180°位（反复调节，使重合）。三…对中杆 1、三点靠位，左位调中气泡， 2、右位（校针）向居中调一半， 3、反复检查左右位（0°、180°位），气泡居中。四…垂准仪 1、水平调校与经纬仪水平调校①④步骤相同， 2、目镜十字丝对准上靶标（脚螺旋0°位）， 3、目镜十字丝对准上靶标（校针）（0°、180°）， 4、0°、180°位目镜靶标与上靶标重合，垂直调好， 5、检查上激光是否与两套靶标十字丝中心重合， 6、下激光对准靶标中心，旋转垂准仪，激光不画圈即校准，花圈则校下激光。

光谱仪操作方法

光谱仪操作方法 1、首先打开氩气瓶阀门，再把压力表调压阀调至压力大约为0.5pa； 2、打开仪器电源开关，此时会显示“3.5EO”，只要是后边位数显示“0”都可以，证明真空已抽完，否则要抽真空一会； 3、待确认显示“0”后，按下绿色电源按钮，一个是“检测”、一个是“光源”。（关机时与上述相反）； 4、打开电脑桌面“光谱仪分析程序”，点选“合金钢”后按确认； 5、选用一个没用的样品放入仪器火花口，点选电脑光谱分析程序里面的“测量” 菜单选项； 6、然后点光谱分析程序中的“显示选择”点选“强度”，如：出现60000（6万）左右数值代表样品已激发；（注：按“测量”菜单看FeR，FeR（铁）一般接近80000（8万）强度值）； 7、待确认试样已激发后，关闭退出“光谱仪分析程序”软件； 8、然后，打开电脑桌面中的“光谱仪描迹”程序软件，点击“条件设置”、再点击“读电机位置”，此时会显示“4460”位置，在对话框中设置起始位置数减去150的值输入到起始位置中; 9、按“复位到原点”选确认，把样品T10放入仪器火花口，按“开始”选项，待激发完成后方可选通道6；（刚开始预定电机的起始点4500，终止点4800（直接输入）； 10、对照软件屏幕显示出的波形图，看最高点数值，比如：4600话，再从新选择“条件设置”选项，然后再选“复位到原点选项（4600）”再点选“指定的起始位置”，再点选“读电机位置”选项；此时，看弹出的显示值是否一致，一致后点“OK”退出，关闭“描迹软件”； 11、从新打开“光谱仪分析程序”点“标准化”菜单，此时，系统默认“C25” 按“是”确认； 12、然后放入“C25”试样到仪器火花口，点选软件中的“测量”菜单，待测量完成后，从新拿出试样换一个点位放好做第2次的“测量”（因一个试样至少测2个点位）注：进行第2次测量不需要设置，直接按“测量”完成；13、当完成第2次测量后，点“平均+偏差”菜单选项，此时，电脑屏幕会弹

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的 1、了解半导体特性图示仪的基本原理 2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。二、预习要求 1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。 2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。三、实验原理（一）半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图4-2（a）中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压UCS代替逐点法中的可调电压EC，用图4-2（b）所示的和扫描电压UCS的周期想对应的阶梯电流iB来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压EB，将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上，这样一来，荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。

1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图4-3 所示的NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时，图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图4-4 所示. T是被测晶体管,基极接的是阶梯波信号源,由它产生基极阶梯电流ib 集电极扫描电压UCS直接加到示波器(图示仪中相当于示波器的部分,以下同)的X轴输入端,,经X轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流ic经取样电阻R得到与ic成正比的电压,UR=ic,R加到示波器的Y轴输入端,经Y轴放大器放大加到垂直偏转板上.子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比,所以荧光屏光点水平方向移动距离代表ic的大小,也就是说,荧光屏平面被模拟成了uce-ic 平面. 图4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图4-5 所示当t=0 时, iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零,设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。在0-t1,这段时间内,集电极扫描电压UCS 处于第一个正弦半波周期。

高层建筑轴线竖向控制激光垂准仪与施工方法

. 高层建筑轴线竖向控制随着城市建设的发展，一大批高层建筑不断涌现，建筑物的高度与日俱增，大批高层裙楼同时施工，场地狭小，给建筑物的垂准测量带来相当大的难度。如何有效的将高层建筑轴线竖向控制好，从而保证建筑物的垂直度是摆在我们面前的迫切课题，在此从测量及施工方法方面对进一步控制建筑物的垂直度进行了研究。一、工程概况及本工法的意义 ****广场工程是目前我市最大的单体工程，也是我公司施工的高层建筑之一，建筑面积122210㎡，地下两层，地上1层～4层为商场，5层～31层为高档住宅，总高度为108m。基础为筏板基础，主体结构为纯剪力墙结构体系，为高层板式住宅。由于该建筑具有层数多、高度高的特点，因此结构的竖向偏差将直接影响工程的受力情况，若超过了规定的限度，则影响建筑物的正常使用，严重时会影响建筑物的安全性及耐久性。为此对该建筑物的垂直度进行有效控制，将垂直度控制在规定要求的范围内，具有实际的意义。二、建筑轴线竖向控制方法 1、测量方法工程的施工测量目的是为了确保工程质量，了解建筑物产生变化的原因，及时对建筑物的变形变化进行控制调整，对于建筑轴线竖向控制若采用传统的垂准测量方法，用经纬仪垂直投影来传递坐标的方

法受环境制约严重，而用线锤等简单的操作方法用作高层建筑受风力影响大，精度达不到验标要求。因此我们在施工****广场工程中采用的是激光垂准仪内控法进行施工，在工程中施工测量紧密配合施工，并起到指导施工的作用。资料word . 2、使用范围激光垂准仪内控法是一种激光垂准仪进行铅锤定位测量的方法，且适用于高层建筑的内控点铅锤定位测量（激光传递的有效距离为50m），该仪器可以上下两个方向发射铅锤激光束，用它作为铅锤基准线，精度比较高。接收光靶

AQ6370D光谱仪使用说明

AQ6370D光谱仪使用说明 1、目的验证光接口性能是否满足相关标准要求 2、适用范围 AQ6370D光谱仪 3、职责资产管理部和操作人员共同负责 4、组网图或测试环境配置 5、测试内容： 5.1 开机校准 1、打开电源，FC-FC接口的光纤将AQ6370D的光输入连接器与光输出连接器连接起来。 2、用内部参考光源执行对准调节 ①按SYSTEM OPTICAL ALIGNMENT ②按EXECUTE软键，自动执行对准调节。几分钟后，对准调节结束，仪器返回之前的画面。

3、用内置参考光源进行波长校准 ①按SYSTEM WL CALIBRATION 软键。 ②按BUILT-IN SOURCE 软键。 ③按EXECUTE 软键，执行波长校准。校准结束后，返回之前的画面。 5.2 测试条件设置 1、校准完成后，自动扫描，自动调整分辨率，得到波长和功率的大致范围。 ①按SWEEP AUTO 软键执行自动测量。 1 2 3

自动扫描结束后的显示 ②设置扫描范围，按SPAN键。 ③设置参考功率和刻度，按LEVEL键，参考功率设为-3dBm，其他为默认值。

④按SETUP键，设置分辨率为最高精度0.02nm。 ⑤设置灵敏度，模式为MID，其他条件均为默认值。

⑥设置完成开始测试，执行REPEA T重复扫描或者SINGLE单次扫5~10次后，按STOP键，分析并记录数据。 5.3 分析光猫上电后，用脚本长发光后直接接到测试拓扑中。 1、DFB-LD、FP-LD光源分析 ①按ANAL YSIS，显示与测量波形分析相关的软键菜单 ②按ANAL YSIS 1软键，显示分析功能的选择菜单。以GPON样机为例，光源类型选择DFB-LD，执行分析，结果显示在数据区域内。分析： SMSR边模抑制比 PEAK WL峰值波长 20dB WIDTH带宽 CTR WL中心波长注：功率以实际功率计测试为准

半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数

用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为： b be b b E V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加

在晶体管的集电极和发射极之间。晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。晶体管特性图示仪便是按照上述原理设计的，它包括阶梯电压发生器（供基极或发射极阶梯波）、锯齿波电压发生器（供集电极扫描电压）、x轴放大器、y 轴放大器、示波管系统等组成，其单元作用如图4所示。作用在垂直偏转板上的除I c（实际上是I c R c）外，还可以是基极电压、基极电流、外接或校正电压。由于x轴和y轴作用选择的不同，在示波器荧光屏上显示出的特性就完全不同。例如：若x轴作用为集电极电压，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的输出特性曲线；若x轴作用为基极电流，y轴作用选择集电极电流，得到晶体管的电流增益特性（即β特性）；若y轴作用为基极电流，x轴作用是基极电流，得到晶体管的输入特性曲线。图3 阶梯波和锯齿波信号图4 图示仪的原理方框图三、晶体管特性图示仪的使用方法为了不使被测晶体管和仪器损坏，在测试前必须充分了解仪器的使用方法和晶体管的规格，测试中，在调整仪器的各个选择开关和转换量时，必须注意使加于被测晶体管的电压、电流（并配合功耗电阻）从低量程漫漫提高，直到满足测量要求。

QT2晶体管图示仪使用操作方法

QT2晶体管图示仪使用操作方法 [说明书] QT2型晶体管图示仪作业指导书本文来自: 中国计量论坛作者: yilihe 查看3098 次QT2型晶体管图示仪作业指导书特别提示：由于本仪器输出扦孔可输出高压或本身带有高压，本仪器在使用前必须良好接地以及将电压级按至最小档，峰值电压逆时针旋至零。一、使用前的注意事项：1、严格按照BOM上的直流参数进行，本机可输出5KV的高压档位设定；特别要了解被测晶体管的集电极最大允许耗散功率PCM，集电极对其它极的最大反向击穿电压如BVCEO、BVCBO、BVCER，集电极最大允许电流ICM等主要指标；2、在测试前首先要将极性与被测管所需的极性相同即可选择PNP或NPN的开关置于规定位置；3、将集电极电压输出按至其输出电压不应超过被测管允许的集电极电压，同时将峰值电压旋至零，输出电压按至合适的档级并将功耗限制电阻置于一定的阻值，同时将X、Y偏转开关置于合适的档级，此档级以不超过上述几个主要直流参数为原则；4、对被测管进行必要的结算，以选择合格的X阶梯电流或电压，此结逄的原则以不超过被测管的集电极最大允许耗损功率；5、在进行ICM的测试时一般采用单次阶梯为宜，以免被测管的电流击穿；6、在进行IC或ICM测试中应根据集电极电压的实际情况，不应超过本仪器规定的最大电流，具体数据列表如下；电压档次10V 50V 100V 500V 5KV 允许最大电流50A 10A 5A 0.5A 5MA 在进行50A（10A）档级时当实际测试电流超过20A时以脉冲阶梯为宜。二、测试前的开机与调节：1、开启电源：将电源开关向右方向按动，此时白色指示灯亮，待预热十分钟后立即进行正常测试；2、调节光度聚焦、辅助聚焦及标尺亮度：将示波管会聚成一清晰的小光点，标尺亮度以能清晰满足测量要求为原则；3、Y、X移位：对Y、X档位旋钮置于中心位置，此时光点应根据PNP、NPN开关的选择处于左下方（NPN）或右上方（PNP）。再调节移位旋钮使其在左下方或右止方实线部份的零点；4、对Y、X校准：将Y、X灵敏度分别进行10度校准，其方法将Y（或X）方式开关自“I”至“校准”，此时光点或基线应有10度偏转，如超过或不到时应进行增益调节（调节W ）；5、阶梯调零：阶梯调零的依据即将阶梯先在示波管上显示，然后根据方放大器输入端接地所显示的位置，再调节调零电位器使其与放大器接时时重合即完成调零；调节方式前先将Y偏转放大器置于基级电流或基极源电压（即“”）档级，X偏转放大器置于UC的位置任意标级，将测试选择置于“NPN”，置于“常态”，阶梯幅度/级置于电压/级的任何档级，集电极电压置于任意档级使示波管显示电压值，此时即能调零使第一根基线与Y偏转放大器“”的重合即完成了调零步骤；6、电容性电流平衡：在要求较高电流灵敏度档级进行测量时，可对电容性电流进行平衡，平衡方式将Y偏转放大器置于较高灵敏度档级使示波管显示一电容性电流，调节电容平衡旋钮使其达到最小值即可；7、集电极电压检查：在进行测量前应检查集电极电压的输出范围，检查时将VC置于相对应档次，当发现将峰值电压顺时针方向最大时，其输出在规定值与大于10%之间即正常（用普通电压表测量结果比规定值少10%左右）。三、测试：1 ⑴、若发射极VCE-IC特性（基极信号为变量）。①根据集电极基级的极性将测试选择开关置于NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；②被测管的；③将Y电流/度置于IC合适档级，X电压/度置于UC合适档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合； ⑥选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；⑦选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要求或保护被测管的要求进行选择；⑧观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；（2）、其发射极IB-IC特性：①根据集电极基极的极性将测试选择开关置于NPN或PNP档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；②被测管的CBE按规定进行连接；③将Y电流/度置于IC合适档级，W电压/度置于“”的档级；④测试A与测试B搬向被测管连接的一边；⑤集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X电压/度置于UC档级进行较精确的调节）；⑥将Y。Y方式开关““调节零点位置；⑦选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；⑧对所显示的IB-IC曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算NFE 值：NFE=IC/IB IC=示波管刻度×档次读数IB=幅度/级×级数⑵、①反压特性测试及二极管特性测试：本②仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VCBO集电极基极间电压（发射极开路）VEBO发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO集电极与发射间电压（基极开路）VCER集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES集电极与发射间电压（基极与发射极短）①根据被测管的极性选择PNP、NPN的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；②被测管的CBE接上表的连接方法进行连接；③Y偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般100/UA 度档级）；④Q偏转放大器的电压/度置于UC合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；⑤将功