Coms放电三种方法
Coms放电三种方法
https://www.360docs.net/doc/3a14974798.html,s跳线放电：
该放电跳线一般为三针，位于主板CMOS电池插座附近，并附有电池放电说明。在主板的默认状态下，会将跳线帽连接在标识为“1”和“2”的针脚上，从放电说明上可以知道为“Normal”，即正常的使用状态。
要使用该跳线来放电，首先用镊子或其它工具将跳线帽从“1”和“2”的针脚上拔出，然后再套在标识为“2”和“3”的针脚上将它们连接起来，由放电说明上可以知道此时状态为“Clear CMOS”，即清除CMOS(如下图所示)。经过短暂的接触后，就可清除用户在BIOS内的各种手动设置，而恢复到主板出厂时的默认设置。
跳线的放电说明，对CMOS进行放电
对CMOS放电后，需要再将跳线帽由“2”和“3”的针脚上取出，然后恢复到原来的“1”和“2”针脚上。注意，如果没有将跳线帽恢复到Normal状态，则无法启动电脑并会有报警声提示。
2.取出coms电池：
要对CMOS进行放电，但在主板上(如华硕主板)却找不到CMOS放电的跳线，怎么办呢？
此时，可以将CMOS供电电池来达到放电的目的。因为BIOS 的供电都是由CMOS电池供应的，将电池取出便可切断BIOS电力供应，这样BIOS中自行设置的参数就被清除了。
在主板上找到CMOS电池插座，接着将插座上用来卡住供电电池的卡扣压向一边，此时CMOS电池会自动弹出，将电池小心取出。
将卡扣往旁边一压，电池就会自动弹出
接着接通主机电源启动电脑，屏幕上就会提示BIOS中的数据已被清除，需要进入BIOS重新设置。这样，便可证明已成功对CMOS 放电。
启动时BIOS提示出错，证明放电成功
3.短接电池插座正负极：
取出供电电池来对CMOS放电的方法虽然有一定的成功率，但是却不是万能的，对于一些主板来将，即使将供电电池取出很久，也不能达到CMOS放电的目的。遇到这种情况，就需要使用短接电池插座正负极的方法来对CMOS放电了。当然，在有CMOS放电跳线的主板上，如果大家觉得CMOS放电操作过于麻烦，也可以使用这种方法。
CMOS电池插座分为正负两极，将它们短接就可以达到放电的目的。首先将主板上的CMOS供电电池取出，然后使用可以有导电性能的物品(螺丝刀、镊子等导电物品)，短接电池插座上的正极和负极就能造成短路(如下图所示)，从而达到CMOS放电的目的。
使用导电物体来短接电池插座的正极和负极
模拟电子技术(模电课后习题含标准答案)(第三版)
第1章 常用半导体器件 1.1选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。 A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电 压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的 波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3
1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ()/ 2.6D D I V U R mA =-= 其动态电阻: /10D T D r U I ≈=Ω 故动态电流的有效值：/1d i D I U r mA =≈ 1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。 1、两个管子都正接。（1.4V ） 2、6V 的管子反接，8V 的正接。(6.7V) 3、8V 的反接， 6V 的管子正接。(8.7V) 4、两个管子都反接。（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。 1、 两个管子都反接，电压小的先导通。(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。（0.7V ） 1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin 所以其取值范围为 Ω=-= k 8.136.0Z Z I ～I U U R
模拟电子技术(第2版)课后习题答案第二章
第二章 放大电路基础 2.1 放大电路如图P 3.1所示，电流电压均为正弦波，已知Ω=600S R 、mV U S 30=、 mV U i 20=、Ω=k R L 1、V U 2.10=。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻i R ；当L R 开路时，测得V U 8.10=，求输出电阻R 。 解：1、 S i S i i U R R R U += Ω =-?=-=k U U R U R i S S i i 2.12030600 20 2、 6002.02 .1=== i O u U U A dB A dB A u u 6.3578.12060log 20||log 20)(=?=== 3、 uA R U I i i i 7.162.120=== uA mA A R U I L 12002.10012.01012 .1300===?== 9.717.161200=== i O i I I A dB A dB A i i 2.3786.1209.71log 20log 20)(=?=== 4、uW I U P i i i 334.07.1602.0=?== uW I U P 1440 12002.1000=?== 4311334.01440=== i O P P P A dB A dB A P P 9.3669.3104311log 10log 10)(=?=== 5、其等效电路如图P3.1.2： 根据等效电路可得： 8 .12.10?+= L L R R R Ω=k R 5.00
2.2 放大电路如图P 3.2.1所示，已知三极管100=β、Ω=200'bb r 、V U BEQ 7.0=。试： （1）计算静态工作点CQ I 、CEQ U 、BQ I ；（2）画出H 小信号等效电路，求u A 、i R 、 0R （3）求源电压增益uS A 。 解：1、 V V R R R V CC B B B B 315104010 212=?+=+= mA R R R V I E E BEQ B CQ 1.21.017 .032 1=+-= +-= uA I I CQ BQ 211001 .2== = β V R R R I V U E E C C CC CEQ 4.6)1.013(1.215)(21=++?-=++-= 2、H 小信号等效电路如图P3.2.2： Ω=?++=++=14501.226 )1001(20026) 1('0EQ bb be I r r β 9 .151.010145.13 //7.4100)1('1-=?+?-=++-=E be L u R r R A ββ []Ω=?+=++=k R r R R R E be B B i 73.4)1.010145.1//(40//10)1(////121β Ω≈=k R R C 30 3、 35.1451.073.473 .49.1500-=+?-=+==== S i i u S i u S i i S uS R R R A U U A U U U U U U A 2.3 放大电路如图P 3.3.1所示，已知三极管80=β、Ω=200'bb r 设各电容对交流的容抗
Award Bios 设置超详细图解
Award Bios和AMI Bios里面有很多东西是相同的，可以说基本上是一样的，虽然有些名字叫法不同，但是实际作用是一样的。在前文中已经了解了一些Bios的基本知识，和设置，那么在这篇文章里面我就会更详细的介绍一下Bios的超频设置，希望对那些想超频但是又没有接错过超频的玩家能有一些帮助。 和AMI Bios一样，再开机画面时按下“Del”键进入Bios设置菜单（有些是按F1键），如图： 进入后大家会看到以下菜单，也有可能会有一些差别，但是基本上是差不多的，及算名字不同，但是基本上作用是一样的！
大家可以用方向键移动光标，回车键确认，ESC键返回，用PageUp，PageDown和数字键键调整设置，在任何设置菜单中可以按下F10键退出并保存设置，这些都和AMI Bios设置差不多！那么就正是进入设置！ 一．SoftMenu Setup（软超频设置） 其实这个Soft Menu Setup，是升技主板独有的技术，这里提供了丰富的CPU外频、倍频调节（需要CPU支持）、AGP/PCI总线频率以及CPU/内存/AGP的电压调节频率等等。这个项目相当于一些主板中的“Frequency/Voltage Control” 前面是CPU的一些基本信息显示，下面的选项就是CPU超频的主要选项了！ 1. CPU Operating Speed（CPU外频设置）： 这个项目根据你所使用的处理器型式以及速度来显示该处理器的运作速度，您可以选择[User Define]（使用者设定）的选项来手动输入其运作速度。如图：
好了，到了这里我就先放下Bios的设置引导了，在教大家超频之前先向大家解释一下什么叫超频以及超频的原理吧，这样才能让你能更好的进入下一步Bios设置超频！ CPU超频，它的主要目的是为了提高CPU的工作频率，也就是CPU的主频。而CPU的主频又是外频（FSB）和倍频（Multiplier Factor）的乘积。例如一块CPU的外频为200MHz,倍频为10,可以计算得到它的主频＝外频×倍频＝200MHz×10 = 2000MHz，即2.0GHz。 提升CPU的主频可以通过改变CPU的倍频或者外频来实现。但如果使用的是Intel CPU，你尽可以忽略倍频，因为IntelCPU使用了特殊的制造工艺来阻止修改倍频。但是有一部分Intel的工程样品是没有锁定倍频额，AMD的CPU可以修改倍频。虽然提升CPU的外频或者倍频都可以使CPU达到同样的频率，比如一颗2.0GHz的CPU，它用200*10＝2.0，我们可以把倍频提升到20，而把FSB降到100MHz，或者可以把FSB提升到250，而把倍频降低到8。这两个方法都可以使主频达到2.0G，但是他们所得到的性能是不一样的。因为外频（FSB）是系统用来与处理器通信的通道，应该让它尽可能的提高。所以如果把FSB降到100MHz而把倍频提高到20的话，依然会有2.0GHz的时钟频率，但是系统的其余部分与处理器通信将会比以前慢得多，导致系统性能的损失，因此，如果用户的CPU可以降低倍频，不妨试一试！ 外频的速度通常与前端总线、内存的速度紧密关联。因此当你提升了CPU外频之后，C PU、系统和内存的性能也同时提升，这就是为什么DIYer喜欢超频的原因了。 好了，言归正传，继续Bios设置，在你选择“CPU Operating Speed”中的“Use Def ined”选项后，你会看到以前不可以选的CPU选项现在已经可以进行设置了！ 1.Ext.Clock（CPU/AGP/PCI） 这就是外频调节设置选项，手动输入想设置成的CPU外频数值，在此允许输入数值范围在100-412之间，可以以每1MHz的频率提高进行线性超频，最大限度的挖掘CPU的潜能。一般上CPU的外频在100至250左右较为正常，一般不会超过300MHz，所以用户千万不要一次性把外频调到最高，原则上来讲，第一次超频CPU因为不清楚CPU究竟可以在多高的外频下工作，因此设置外频的数值可以以三至五兆赫兹为台阶提高来慢慢试验，在此为了示范，直接将外频设置成了133MHz这个标准外频，设置了正确的外频数字以后再按回车键确定。 如果CPU的倍频没有被锁定的话，拉么在Ext.Clock（CPU/AGP/PCI）菜单下会显示有一个Multiplier Factor（倍频设置）选项这个项目选择CPU的倍频数。 2.Estimated New CPU clock： 这个项目显示前两项 [Ext. Clock] 与 [Multiplier Factor] 的频率总和。
模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。 （1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√） （2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×） （3）线性电路一定是模拟电路。（√） （4）模拟电路一定是线性电路。（×） （5）放大器一定是线性电路。（√） （6）线性电路一定是放大器。（×） （7）放大器是有源的线性网络。（√） （8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√） （9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×） （10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题： （1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。 （2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。 （3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。 （4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。 （5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。 （6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。 （7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。 （8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。 （10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的 内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。 解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大 器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。 解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。 第2章习题答案
《模拟电子技术基础》典型习题解答
半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波
CMOS系统设置方法
电脑重装系统步骤 1。开机后，立即按住“DEL”键不放，直到出现BIOS设置的蓝色界面； 2。将光标移动到（按↑、↓、←、→）“Advanced BIOS Features(高级BIOS功能设置)”，按“Enter”键，出现“Advanced BIOS Features”页面，一般分两种情况设置启动顺序： ⑴如果该页面有“First Boot Device(或1st Boot Device,第一启动设备)”、“Second Boot Device(或2nd Boot Device,第二启动设备)”、“Third Boot Device(或3rd Boot Device,第三启动设备)”，可以将光标移动到“First Boot Device”项，按Page up或Page down键将其调节为CD-ROM，将“Second Boot Device”调节为HDD-0或IDE-0，按ESC键退出该页面，再选择“Save & Exit Setup(存储并退出)”，回车，按Y键，回车即可。 ⑵如果该页面有“Boot Device Select...(启动设备选择)”，请将光标移动到“Boot Device Select...”，按Enter键，出现一个小窗口，里面有“1st (或First)”“2nd (或Second)”“3rd (或Third)”三项，将光标移动到“1st (或First)”，按Page up或Page down键将其调节为CD-ROM，将“2nd(或Second)”调节为HDD-0或IDE-0，按“ESC”键退出该窗口，再按“ESC”键退出“Advanced BIOS Features”，再选择“Save & Exit Setup(存储并退出)”，回车，按Y键，回车即可。 3。将WinXP光盘放入光驱中，重新启动。系统会自动读光盘，出现英文提示时按任意键，进入安装界面。 4。安装程序弹出协议对话框，询问是否接受协议，接受，进入下一步，不接受，退出安装。毫无疑问，我们选择了接受协议，然后点击“下一步”。 5。安装程序进行检测系统，并作复制必要的安装文件到C 盘和其它临时目录，15秒后电脑重新启动。 6。电脑重新启动后，进入WINDOWSXP 安装界面。安装程序有三个选择项： a) 要开始安装WinXP，按Enter回车 b) 要修复WinXP，按R c) 要停止WinXP并退出安装程序，按F3 7。按回车选择第一个选项，程序进入安装目录选择窗口，确定需要安装的盘符。如果希望用硬盘尚未划分的磁盘分区来安装Windows XP，请按键盘上的C字母，如果想删除高亮显示的磁盘分区请按键盘上的D 键。按回车，选择C 盘。 8。程序进入下一个窗口，提示选择文件系统的格式，下面把它们都列了出来，共有三种： a) 用FAT文件系统格式化磁盘分区 b) 将磁盘分区转换为NTFS c) 保持现有文件系统(无变化)---默认 8。如果发觉选择的磁盘分区不对，请按“ESC”键返回上一步。由于NTFS 是NT 系列平台运行最高效率的磁盘文件系统格式，因此在第一个选项高亮时按了回车。Windows XP 将会花几分钟检查磁盘空间,确保有足够空间安装Windows XP。 9。将文件复制到Windows XP安装文件夹中---等待一段时间后，安装所需要的文件都复制完毕，这时，就可以来到下一个步骤了。 10。安装程序初始化Windows XP 配置后，重新启动电脑，重启后可看到WinXP安装程序进行各项检测。接下来，安装程序底部安装的区域设置，默认系统区域和用户区域设置均为(中国)。键盘布局也默认为中文(简体)--美式键盘键盘布局。若要进行修改，可自定义进行设置。安装程序进入一个要求您输入个人信息，包括姓名及公司或单位的名称的窗口。填写计算机名:安装程序提供了文字输入确定用户的计算机名和其它的设置。 11。在此，需要指出的是：安装程序会创建一个称为Administrator（系统管理员的）用户帐户，它拥有完全控制计算机的权限。确定这个帐户时，安装程序要求用户输入“系统管理员密码”和“确认密码（即再次输入）”。然后，用鼠标点击“下一步”后，安装程序弹出了日期和时间的设置对话框，确定之后按回车。 12。到此，系统出现网络设置对话框，共有两个选项，分别是“典型设置”和“自定义设置”， 对于安装操作系统的生手，建议选择“典型设置”，让安装程序实现傻瓜式的操作，避免安装过程中设置出错。 13。Windows XP 是基于NT内核的，网络对它来说最为重要，所以系统弹出了域成员设置对话框。然后执行
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷
2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。 解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U
coms设置
三．Advanced BIOS Features（高级BIOS功能设置） 在Advanced BIOS Features中，主要是为了设置BIOS提供的高级功能。（如图4所示） 图4（点击查看大图） 1．Anti-Virus Protection（病毒保护） 在系统启动时或启动后，任何企图修改系统引导扇区或硬盘分区表的动作都会使系统暂停并出现错误信息，这样你可用杀病毒软件检测或消除病毒，缺省值为“Disabled”。由于在安装操作系统时会改变系统引 导扇区，如果你要安装操作系统，请把此项设置为“Disabled”，否则会出现错误信息。 2．CPU Internal Cache（CPU内置高速缓存） 这一项是设置是否打开CPU内置高速缓存的，缺省值为“Enabled”。 3．External Cache（外部高速缓存） 这一项是设置是否打开外部高速缓存的，缺省值为“Enabled”。 4．CPU L2 Cache ECC Checking（CPU二级高速缓存奇偶校验） 设置CPU外部Cache是否打开奇偶检验，缺省值为“Enabled”。 5．Processor Number Feature（处理器序列号） 当你是使用Pentium Ⅲ处理器时，可设置是否读取Pentium Ⅲ CPU序列号，缺省值为“Enabled”。 6．Quick Post（快速开机自检） 设置POST时，是否进行内存测试，缺省值为“Disabled”。 7．Quick Power On Self Test（快速开机自检） 设置BIOS采用快速POST方式，也就是减少内存测试的次数，让POST过程所需时间缩短。无论设成“Ena- bled”或“Disabled”，当POST进行时，仍可按“Esc”跳过内存测试，直接进入引导程序。缺省值为"En- abled"。 8．First Boot Device（第一个优先启动的开机设备） 设置第一个优先启动的开机设备，缺省值为“Floppy”。可供选择的有: Disabled、Floppy、LS120、HDD-0、SCSI、CDROM、HDD-1、HDD-2、HDD-3、ZIP100、LAN。 9．Second Boot Device（第二个启动的开机设备） 设置第二个启动的开机设备，缺省值为“HDD-0”。可供选择的有: Disabled、Floppy、LS120、HDD-0、SCSI、CDROM、HDD-1、HDD-2、HDD-3、ZIP100、LAN。 10．Third Boot Device（第三个启动的开机设备）
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-=== =-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t t
1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。 ，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14
CMOS开机密码设置方法
CMOS开机密码设置方法： 1.启动计算机，在计算机正在启动时不停地按DEL键(注意，是不停地按动，而不是按住不放)，直到出现CMOS SETUP界面(有的计算机进入CMOS的快捷键不是DEL，例如康柏就是F2，需要看情况而定)； 2.用键盘上的光标键选择SUPERVISOR PASSWORD项，然后回车，出现ENTER PASSWORD后，输入密码再回车，这时又出现CONFIRM PASSWORD，在其后再次输入同一密码(注：该项原意是对刚才输入的密码进行校验，如果两次输入的密码不一致，则会要求你重新输入)； 3.用光标键选择USER PASSWORD项后回车，同上面一样，密码需输入两次才能生效。以上设置的两个密码分别为设置密码和修改CMOS SETUP密码，建议两个均取同一密码，以便记忆；字串5 4.选择DIOS FEATURES SETUP项回车，用光标键选择SECURITY OPION项后用键盘上的PAGE UP/PAGE DOWN键把选项改为SYSTEM(设定为SYSTEM的目的是让计算机在任何时候都要检测密码，包括启动机器)，然后按ESC键退出；字串5 5.选择SAVE&EXIT SETUP项回车，出现提示后按Y键再回车，以上设置的密码即可生效。 听说COMS密码的安全性不是很高，有很多种方法可以破解，先不管那么多了，就当这是第一重障碍吧。就看Jackeroo怎么接招了。嘿嘿……他以为在CMOS里面设置了密码就高枕无忧了，看看我如何对付吧。字串3 CMOS开机密码破解方法 第一招，Debug大法 先看看是否可以进入系统，只要他在CMOS设置中设置的密码检测不是“System”(进入系统之前总是要密码)，我就可以进入系统，然后加以破解，方法嘛？字串7
Coms放电三种方法
Coms放电三种方法 https://www.360docs.net/doc/3a14974798.html,s跳线放电： 该放电跳线一般为三针，位于主板CMOS电池插座附近，并附有电池放电说明。在主板的默认状态下，会将跳线帽连接在标识为“1”和“2”的针脚上，从放电说明上可以知道为“Normal”，即正常的使用状态。 要使用该跳线来放电，首先用镊子或其它工具将跳线帽从“1”和“2”的针脚上拔出，然后再套在标识为“2”和“3”的针脚上将它们连接起来，由放电说明上可以知道此时状态为“Clear CMOS”，即清除CMOS(如下图所示)。经过短暂的接触后，就可清除用户在BIOS内的各种手动设置，而恢复到主板出厂时的默认设置。 跳线的放电说明，对CMOS进行放电 对CMOS放电后，需要再将跳线帽由“2”和“3”的针脚上取出，然后恢复到原来的“1”和“2”针脚上。注意，如果没有将跳线帽恢复到Normal状态，则无法启动电脑并会有报警声提示。
2.取出coms电池： 要对CMOS进行放电，但在主板上(如华硕主板)却找不到CMOS放电的跳线，怎么办呢？ 此时，可以将CMOS供电电池来达到放电的目的。因为BIOS 的供电都是由CMOS电池供应的，将电池取出便可切断BIOS电力供应，这样BIOS中自行设置的参数就被清除了。 在主板上找到CMOS电池插座，接着将插座上用来卡住供电电池的卡扣压向一边，此时CMOS电池会自动弹出，将电池小心取出。 将卡扣往旁边一压，电池就会自动弹出 接着接通主机电源启动电脑，屏幕上就会提示BIOS中的数据已被清除，需要进入BIOS重新设置。这样，便可证明已成功对CMOS 放电。
启动时BIOS提示出错，证明放电成功 3.短接电池插座正负极： 取出供电电池来对CMOS放电的方法虽然有一定的成功率，但是却不是万能的，对于一些主板来将，即使将供电电池取出很久，也不能达到CMOS放电的目的。遇到这种情况，就需要使用短接电池插座正负极的方法来对CMOS放电了。当然，在有CMOS放电跳线的主板上，如果大家觉得CMOS放电操作过于麻烦，也可以使用这种方法。 CMOS电池插座分为正负两极，将它们短接就可以达到放电的目的。首先将主板上的CMOS供电电池取出，然后使用可以有导电性能的物品(螺丝刀、镊子等导电物品)，短接电池插座上的正极和负极就能造成短路(如下图所示)，从而达到CMOS放电的目的。 使用导电物体来短接电池插座的正极和负极
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术 习题答案 电工电子教学部 2012.2
第一章 绪论 一、填空题： 1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。 2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。 3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。 4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。 5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。 6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。 7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。 9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。 10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。 11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。 12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。 13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。 14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。 15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。 二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A 10V 50pA 10mV 5001011i o r ?==== -.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上 的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。该放大电路使用哪一类电路模型最方便？ 解：直接将它与10Ω扬声器连接， 扬声器上的电压V 10V 1Ω 10Ω 10V 1Ω10M Ω1Ω1056o -=?≈?+= V 在拾音头与扬声器之间接入放大电路后，使用电压放大电路模型，则等效电路如下图所示
bios设置图文教程(含cpu超频)
最后，在这里面还可以看到给AGP显示卡提高工作电压的选项，如果你超频是为标准外频，也让显示卡超频工作了的话，那么可以考虑适当提高一些AGP的电压，AGP默认电压为。如图： 好了，说了这么多的超频的Bios设置后，继续说明其他选项的Bios设置，当然，一下内容中同样也有关于优化超频的说明！ 二.Standard CMOS Features（标准CMOS参数设定） 这里就不用多讲了！想必大家都能看懂！下面是“IDE设备设置”里面的选项解释，一般不用用户设置，保持默认的就可以了！ 三．Advanced BIOS Features（BIOS进阶功能设定） Power On Self Test（快速启动选择）: 当设定为[Enabled]（启动）时，这个项目在系统电源开启之后，可加速POST（Power O n Self Test）的程序。BIOS会在POST过程当中缩短或是跳过一些检查项目，从而加速启动等待的时间！ Disk Boot Priority（硬盘引导顺序）: 此项目可选择硬盘开机的优先级，按下的按键，你可以进入它的子选单，它会显示出已侦测到可以让您选择开机顺序的硬盘，以用来启动系统。当然，这个选项要在你安装了两块
或者两块以上的系统才能选择！ 3. HDD Change Message: 当设定为[Enabled]（启动）时，如果你的系统中所安装的硬盘有更动，在POST的开机过程中，屏幕会出现一道提示讯息。 4. First Boot Device / Second Boot Device / Third Boot Device / Boot Other D evice: 在[First Boot Device]、[Second Boot Device]以及[Third Boot Device]的项目当中选择要做为第一、第二以及第三顺序开机的装置。BIOS将会依据你所选择的开机装置，依照顺序来启动操作系统！其中可以选择的设备根据你安装的设备而定！如图： 三.Advanced Chipset Features（芯片组设定） 芯片组设定也是Bios设置里面的一个重点设置，这里就详细说明一下！ Timing Selectable（内存参数设置选项）： 这个项目会视内存模块的不同，为接下来四个项目设定最佳的计时方式。默认值为「By SPD」。这个默认值会读取SPD (Serial Presence Detect) 装置的内容，并且依据SPD内容设定这四个项目。内存模块上的EEPROM (只读存储器) 储存有关模块的重要参数信息，例如内存类型、大小、速度、电压接口及模块储存区域。 Latency Time： 这个项目可控制DRAM读取指令与数据成为真正可用的时间之间的延迟时间。较低的CAS 周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低,从而提高内存的运行速度。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。
coms 设置乱了
设置乱了，可以恢复BIOS出厂设置，如果重装系统，设置光驱启动。 BIOS恢复出厂默认： 开机或者重启电脑按住DEL键，进入BIOS. 找到Load Fail-Safe Defaults 即系统预设的稳定参数. 按方向键选中后回车,提示是否确定,按Y,回车. 最后,也是最重要的选择Save&exit step(保存设置),当然直接按F10也可以. 按Y回车.自动重起.设置完毕。 2009-08-20 15:34 电脑里什么是BIOS? 什么是COMS? 怎么恢复出厂设置? 2008-01-12 12:37 BIOS（basic input output system:基本输入输出系统） BIOS是英文"Basic Input Output System"的缩略语，直译过来后中文名称就是"基本输入输出系统"。它的全称应该是ROM－BIOS，意思是只读存储器基本输入输出系统。其实，它是一组固化到计算机内主板上一个ROM芯片上的程序，它保存着计算机最重要的基本输入输出的程序、系统设置信息、开机上电自检程序和系统启动自举程序。 其主要功能是为计算机提供最底层的、最直接的硬件设置和控制。BIOS设置程序是储存在BIOS芯片中的，只有在开机时才可以进行设置。CMOS主要用于存储BIOS设置程序所设置的参数与数据，而BIOS设置程序主要对技巧的基本输入输出系统进行管理和设置，是系统运行在最好状态下，使用BIOS设置程序还可以排除系统故障或者诊断系统问题。 CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，用来保存当前系统的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电，即使系统掉电，信息也不会丢失。 CMOS RAM本身只是一块存储器，只有数据保存功能，而对CMOS 中各项参数的设定要通过专门的程序。早期的CMOS设置程序驻留在软盘上的(如IBM的PC/AT机型)，使用很不方便。现在多数厂家将CMOS设置程序做到了BIOS芯片中，在开机时通过特定的按键就可进入CMOS设置程序方便地对系统进行设置，因此CMOS设置又被叫做BIOS设置。早期的CMOS是一块单独的芯片MC146818A(DIP封装)，共有64个字节存放系统信息,见CMOS配置数据表。386以后的微机一般将 MC146818A芯片集成到其它的IC芯片中(如82C206，PQFP 封装)，最新的一些586主板上更是将CMOS与系统实时时钟和后备电池集成到一块叫做DALLDA DS1287的芯片中。随着微机的发展、可设置参数的增多，现在的CMOS RAM一般都有128字节及至256字节的容量。为保持兼容性，各BIOS 厂商都将自己的BIOS中关于CMOS RAM的前64字节内容的设置统一与MC146818A 的CMOS RAM格式一致，而在扩展出来的部分加入自己的特殊设置，所以不同厂家的BIOS芯片一般不能互换，即使是能互换的，互换后也要对 CMOS信息重新设置以确保系统正常运行. 你认识主板上的BIOS芯片吗？介绍常见的BIOS 芯片的识别 ROM BIOS是主板上存放微机基本输入输出程序的只读存贮器，其功能是微机的上电自检、开机引导、基本外设I/O和系统CMOS 设置。主板上
模拟电子技术习题答案
第一章习题解答 1.1 解： 由公式：)1(-=T D u u s D e I i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 A A e i mv v D μμ5.22)1(101.03 10 265.06 =-?=-?- 时V u D 7.0= mA mA e i mv V D 3.49)1(101.03 10 267.09=-?=-?- 1.2 解： ① 当R=1ΩK 时 假设二极管导通 V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω -== mA I I I mA K V R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021) (2=-=+==--= --= ②当R=4K Ω时，也假设二极管导通 00,I U 同① mA I I I mA K V I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= V K mA R I U mA I I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990 002021-=Ω?-==-=-==Ω +=+= =∴ 二极管截止，故 1.3解：
a ： 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后，A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-= b ：21,V V 反向截至，V U AO 10= c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后，将使A 、O 点电位差为零。电位相等,V 1导通，V 2截止。 d. 21,V V 均正向反偏，V 1导通21,V V 公共端电位为零，能保证V 2导通，A 点电位也为零，V 0U AO =。 1.4 解： 9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V .237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω -=-= =Ω == =?=?=）（ 1.5 解： I U 变化1V ±时，相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源，由二极管的动态电阻d r 为： 6mV .272100U U U 6mV .271V R R //3r R //3r U 3.59mA .426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=?±='=±?+= ?Ω ===）（ 1.6 解： a ： b ：
模拟电子技术 课后习题及答案1
第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。 A. I S e U B. T U U I e S C. )1e (S －T U U I （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。 解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。求图所 示电路中U O1和U O2各为多少伏。 解：U O1＝6V，U O2＝5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。