半导体器件设备制作工艺的制作流程

权利要求书

1.一种半导体器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附；

S2：将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离；

S3：将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割；

S4：在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨；

S5：在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒；

S6：将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内；

S7：利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理；

S8：将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内；

S9：将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S1中，干燥剂的成分是无水氯化钙，且无水氯化钙与圆晶棒的比例为

3.5:100。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S2中，振荡筛的工作频率为10Hz，且振荡筛的孔径为5目。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S3中，Fab设定尺寸为3微米，切割频率为1Hz。

5.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S4中，打磨箱内设有打磨球，利用打磨球对圆晶粒进行打磨，且搅拌器的转速为20r/min。

6.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S5中，筛网的孔径为15目，并且筛网由振动电机进行驱动。

7.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S6中，漏斗上设有推杆马达，且推杆马达与关门装置进行连接，以此利用推杆马达带动关门装置对漏斗进行开启或者关闭，漏斗上设有颗粒计数器，且颗粒计数器与推杆马达电性连接，利用颗粒技术器可以对圆晶粒进行计数，且数量在49-51之间，以此可以保证包装袋内的圆晶粒的数量基本一致。

8.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S7中，热封机的温度设置为180摄氏度，热风机的工作时长为30s。

9.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S8中，软质填充物为

块状的珍珠海绵，具有隔热、防震和柔韧弹性好的优点，广泛用于电子、电脑、箱包、家具、工艺品等产品的内外包装，且珍珠海绵上开设有多个大小一致的凹槽，以此便于将装有圆晶粒的包装袋放入包装箱内，防止圆晶粒出现随意移动的问题。

10.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S9中，热风枪的温度为200度，且保护膜的材质为聚氯乙烯。

技术说明书

一种半导体器件制备工艺

技术领域

本技术涉及技术领域，尤其涉及一种半导体器件制备工艺。

背景技术

集成电路制备工艺中，通常首先在晶圆(wafer)中制备器件，之后对晶圆进行切割(Dicing)形成多个晶粒(Die)，并对各个晶粒进行CP测试，接着对晶粒进行引线封装。通常，wafer工艺由制造厂商完成，Dicing工艺、CP测试、引线封装部分则交由其他封装厂商完成。

封装测试过程中，封装厂商例如采用机械切割或激光切割的方式将wafer切割成多个晶粒，再对晶粒进行CP测试、封装，然而现有的封装方式只是将晶粒利用包装盒进行包装，这样的包装方式容易导致晶粒损坏，所以我们提出一种半导体器件制备工艺，用于解决上述所提出的问题。

技术内容

基于背景技术存在封装方式只是将晶粒利用包装盒进行包装，这样的包装方式容易导致晶粒损坏的技术问题，本技术提出了一种半导体器件制备工艺。

本技术提出的一种半导体器件制备工艺，包括以下步骤：

S1：首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附；

S2：将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离；

S3：将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割；

S4：在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨；

S5：在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒；

S6：将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内；

S7：利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理；

S8：将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内；

S9：将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态。

优选地，所述S1中，干燥剂的成分是无水氯化钙，且无水氯化钙与圆晶棒的比例为

3.5:100。

优选地，所述S2中，振荡筛的工作频率为10Hz，且振荡筛的孔径为5目。

优选地，所述S3中，Fab设定尺寸为3微米，切割频率为1Hz。

优选地，所述S4中，打磨箱内设有打磨球，利用打磨球对圆晶粒进行打磨，且搅拌器的转速为20r/min。

优选地，所述S5中，筛网的孔径为15目，并且筛网由振动电机进行驱动。

优选地，所述S6中，漏斗上设有推杆马达，且推杆马达与关门装置进行连接，以此利用推杆马达带动关门装置对漏斗进行开启或者关闭，漏斗上设有颗粒计数器，且颗粒计数器与推杆马达电性连接，利用颗粒技术器可以对圆晶粒进行计数，且数量在49-51之间，以此可以保证包装袋内的圆晶粒的数量基本一致。

优选地，所述S7中，热封机的温度设置为180摄氏度，热风机的工作时长为30s。

优选地，所述S8中，软质填充物为块状的珍珠海绵，具有隔热、防震和柔韧弹性好的优点，广泛用于电子、电脑、箱包、家具、工艺品等产品的内外包装，且珍珠海绵上开设有多个大小一致的凹槽，以此便于将装有圆晶粒的包装袋放入包装箱内，防止圆晶粒出现随意移动的问题。

优选地，所述S9中，热风枪的温度为200度，且保护膜的材质为聚氯乙烯。

本技术的有益效果：

在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒，将圆晶粒放入

漏斗内，并且漏斗上设有关门装置、推杆马达以及颗粒计数器，利用颗粒计数器对圆晶粒进行计数，在数量达到要求时，颗粒计数器就会启动推杆马达，使得关门装置对漏斗进行封堵，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内，并且数量基本一致，接着利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理，将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内，将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态；

本技术通过将圆晶棒经过切割、打磨、过筛、抽真空以及密封包装，以此可以实现对圆晶粒进行真空包装的目的，可有效避免圆晶粒上附着水汽，所以便不会造成圆晶粒损坏。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本技术作进一步解说。

本技术提出的一种半导体器件制备工艺，包括以下步骤：

S1：首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附；

S2：将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离；

S3：将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割；

S4：在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨；

S5：在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒；

S6：将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内；

S7：利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理；

S8：将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内；

S9：将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态。

本实施例中，S1中，干燥剂的成分是无水氯化钙，且无水氯化钙与圆晶棒的比例为

3.5:100。

本实施例中，S2中，振荡筛的工作频率为10Hz，且振荡筛的孔径为5目。

本实施例中，S3中，Fab设定尺寸为3微米，切割频率为1Hz。

本实施例中，S4中，打磨箱内设有打磨球，利用打磨球对圆晶粒进行打磨，且搅拌器的转速为20r/min。

本实施例中，S5中，筛网的孔径为15目，并且筛网由振动电机进行驱动。

本实施例中，S6中，漏斗上设有推杆马达，且推杆马达与关门装置进行连接，以此利用推杆马达带动关门装置对漏斗进行开启或者关闭，漏斗上设有颗粒计数器，且颗粒计数器与推杆马达电性连接，利用颗粒技术器可以对圆晶粒进行计数，且数量在49-51之间，以此可以保证包装袋内的圆晶粒的数量基本一致。

本实施例中，S7中，热封机的温度设置为180摄氏度，热风机的工作时长为30s。

本实施例中，S8中，软质填充物为块状的珍珠海绵，具有隔热、防震和柔韧弹性好的优点，广泛用于电子、电脑、箱包、家具、工艺品等产品的内外包装，且珍珠海绵上开设有多个大小一致的凹槽，以此便于将装有圆晶粒的包装袋放入包装箱内，防止圆晶粒出现随意移动的问题。

本实施例中，S9中，热风枪的温度为200度，且保护膜的材质为聚氯乙烯。

首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附，之后将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离，这时将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割，使得圆晶棒呈现为3微米的小颗粒，在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨，以此可以得到大小均匀，且外表光滑的圆晶粒，在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒，将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置、推杆马达以及颗粒计数器，利用颗粒计数器对圆晶粒进行计数，在数量达到要求时，颗粒计数器就会启动推杆马达，使得关门装置对漏斗进行封堵，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内，并且数量基本一致，接着利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理，将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内，将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态，本技术综上所述通过将圆晶棒经过切割、打磨、过筛、抽真空以及密封包装，以此可以实现对圆晶粒进行真空包装的目的，可有效避免圆晶粒上附着水汽，所以便不会造成圆晶粒损坏。

以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。

半导体器件工艺基础知识

半导体基础知识和半导体器件工艺第一章半导体基础知识　通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞

半导体器件基础测试题

第一章半导体器件基础测试题（高三）姓名班次分数一、选择题 1、N型半导体是在本征半导体中加入下列物质而形成的。 A、电子； B、空穴； C、三价元素； D、五价元素。 2、在掺杂后的半导体中，其导电能力的大小的说法正确的是。 A、掺杂的工艺； B、杂质的浓度： C、温度； D、晶体的缺陷。 3、晶体三极管用于放大的条件，下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏； 4、晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏； 5、晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是。 A、发射结正偏、集电结反偏； B、发射结正偏、集电结正偏； C、发射结反偏、集电结正偏； D、发射结反偏、集电结反偏； 6、理想二极管组成的电路如下图所示，其AB两端的电压是。 A、—12V； B、—6V； C、+6V； D、+12V。 7、要使普通二极管导通，下列说法正确的是。 A、运用它的反向特性； B、锗管使用在反向击穿区； C、硅管使用反向区域，而锗管使用正向区域； D、都使用正向区域。 8、对于用万用表测量二极管时，下列做法正确的是。 A、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； B、用万用表的R×10K的欧姆，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； C、用万用表的R×100或R×1000的欧姆，红棒接正极，黑棒接负极，指针偏转； D、用万用表的R×10，黑棒接正极，红棒接负极，指针偏转； 9、电路如下图所示，则A、B两点的电压正确的是。 A、U A=3.5V，U B=3.5V，D截止；

半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全)

常用术语翻译 active region 有源区 2.active ponent有源器件 3.Anneal退火 4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS 7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度 10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积 11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散 15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅 21.IC reliability 集成电路可靠性 22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.ion implanter 离子注入机 24.magnetron sputtering 磁控溅射 25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积 26.pc board 印刷电路板 27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD 28.polish 抛光 29.RF sputtering 射频溅射 30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）

第1章课后习题参考答案

第一章半导体器件基础 1．试求图所示电路的输出电压Uo，忽略二极管的正向压降和正向电阻。解：（a）图分析： 1）若D1导通，忽略D1的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则U O=1V，U D2=1-4=-3V。即D1导通，D2截止。 2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则U O=4V，在这种情况下，D1两端电压为U D1=4-1=3V，远超过二极管的导通电压，D1将因电流过大而烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。综上分析，正确的答案是U O= 1V。（b）图分析： 1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压而截止，等效电路如图所示，所以U O=U I=10V。

2．图所示电路中， E

解：（a）图当u I＜E时，D截止，u O=E=5V；当u I≥E时，D导通，u O=u I u O波形如图所示。 u I ωt 5V 10V uo ωt 5V 10V （b）图当u I＜-E=-5V时,D1导通D2截止，uo=E=5V；当-E＜u I＜E时，D1导通D2截止，uo=E=5V；当u I≥E=5V时，uo=u I 所以输出电压u o的波形与（a）图波形相同。 5．在图所示电路中，试求下列几种情况下输出端F的电位UF及各元件(R、DA、DB)中通过的电流：( 1 )UA=UB=0V；( 2 )UA= +3V，UB = 0 V。( 3 ) UA= UB = +3V。二极管的正向压降可忽略不计。解：（1）U A=U B=0V时，D A、D B都导通，在忽略二极管正向管压降的情况下，有：U F=0V mA k R U I F R 08 .3 9.3 12 12 = = - =

半导体器件物理及工艺

?平时成绩30% + 考试成绩70% ?名词解释（2x5=10）+ 简答与画图（8x10=80）+ 计算（1x10=10）名词解释 p型和n型半导体漂移和扩散简并半导体异质结量子隧穿耗尽区阈值电压 CMOS 欧姆接触肖特基势垒接触简答与画图 1.从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。 2.分析pn结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。 3.什么是pn结的整流（单向导电）特性？画出理想pn结电流-电压曲线示意图。 4.BJT各区的结构有何特点？为什么？ 5.BJT有哪几种工作模式，各模式的偏置情况怎样？ 6.画出p-n-p BJT工作在放大模式下的空穴电流分布。 7.MOS二极管的金属偏压对半导体的影响有哪些？ 8.MOSFET中的沟道是多子积累、弱反型还是强反型？强反型的判据是什么？ 9.当VG大于VT且保持不变时，画出MOSFET的I-V曲线，并画出在线性区、非线性区和饱和区时的沟道形状。 10.MOSFET的阈值电压与哪些因素有关？ 11.半导体存储器的详细分类是怎样的？日常使用的U盘属于哪种类型的存储器，画出其基本单元的结构示意图，并简要说明其工作原理。 12.画出不同偏压下，金属与n型半导体接触的能带图。 13.金属与半导体可以形成哪两种类型的接触？MESFET中的三个金属-半导体接触分别是哪种类型？ 14.对于一耗尽型MESFET，画出VG=0, -0.5, -1V（均大于阈值电压）时的I-V曲线示意图。 15.画出隧道二极管的I-V曲线，并画出电流为谷值时对应的能带图。 16.两能级间的基本跃迁过程有哪些，发光二极管及激光器的主要跃迁机制分别是哪种？计算 Pn结的内建电势及耗尽区宽度

温湿度文献综述

学校代码：学号： HENAN INSTITUTE OF ENGINEERING 文献综述题目仓储温湿度报警系统的设计学生姓名专业班级电气工程及其自动化二班学号系（部）电气信息工程系指导教师(职称)蒋威（讲师）完成时间 2011年 3 月 1日

仓储温湿度报警系统的设计综述摘要：为保证日常工作的顺利进行，首要问题是加强仓库内温度与湿度的监测工作，并及时报警提示。本文根据粮仓环境测试的特点，应用现代检测理论，对温室的温度、湿度等环境因子进行自动检测，并实现报警功能，首先介绍了粮仓自动监测系统的发展背景及现状，指出在控制监测方面存在的问题和需要进一步深入探讨、研究的各个方面。关键词：粮仓、单片机、监测、传感器目前，关于这类监测系统的研究，国内外公开发表的文献不多，下面是关于单片机自动监测的一些主要文献：文献[1] 这本书从应用角度出发，精选了国内外最新流行的智能仪器与数据采集系统中的一些有特色、功能很强的新型集成电路20多类100余种。内容涉及仪用放大器，运算放大器，隔离放大器，变送器，A／D、 D／A变换器， LED、LCD驱动器，看门狗定时器，UP电源监控器，数字电位器，闪烁存储器，实时时钟等器件。所优选的每一种器件除阐述其基本功能、电路特点、性能参数和管脚说明之外，更突出器件的使用方法和应用电路。对智能仪器设计、数据采集、自动控制、数字通信和计算机接口这部分设计具有很高的使用和参考价值。文献[2] 这本书是"单片机应用技术丛书"中专门介绍单片机应用系统软件设计的一本著作。书中总结了作者多年来在80C51系列单片机应用系统软件设计中的实践经验，归纳出一整套应用程序设计的方法和技巧。在内容安排上，不仅有实现功能要求的应用程序设计步骤、子程序、监控程序及常用功能模块设计方法，还以较大篇幅介绍了提高系统可靠性的抗干扰设计和容错设计技术以及程序测试的正确思想方法。附录中向读者提供了完整的系统程序设计样本和经过多年使用考验的定点运算子程序库与浮点运算子程序库的程序文本、注释及使用方法。对于本次设计主要参考的是应用程序设计步骤、子程序、监控程序及常用功能模块设计方法这一部分的内容。文献[3] 提出MCS-51系列单片机应用系统的构成和设计方法。详细地阐述了应用系统的前向通道（传感器通道接口）、后向通道（伺服驱动、控制通道接口）、人机对话通道和相互通道（单片机应用系统之间的通信接口）的结构设计、

模电基础知识教程

模电基础教程 01单元半导体器件基础半导体的导电特性导体、绝缘体和半导体本征半导体的导电特性杂质半导体的导电特性 PN结晶体二极管二极管的结构与伏安特性半导体二极管的主要参数半导体二极管的等效电路与开关特性稳压二极管晶体三极管三极管的结构与分类三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用三极管的特性曲线三极管的主要参数三极管的开关特性场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管特殊半导体器件发光二极管基本放大电路的工作原理基本放大电路的组成直流通路与静态工作点交流通路与放大原理放大电路的性能指标

放大电路的图解分析法放大电路的静态图解分析放大电路的动态图解分析输出电压的最大幅度与非线性失真分析微变等效电路分析法晶体管的h参数晶体管的微变等效电路用微变等效电路法分析放大电路静态工作点的稳定温度变化对静态工作点的影响工作点稳定的电路场效应管放大电路场效应管放大电路的静态分析多级放大电路多级放大电路的级间耦合方式多级放大电路的分析方法放大电路的频率特性单级阻容耦合放大电路的频率特性多级阻容耦合放大电路的频率特性 03单元负反馈放大电路反馈的基本概念和分类反馈的基本概念和一般表达式反馈放大电路的类型与判断负反馈放大电路基本类型举例电压串联负反馈放大电路电流并联负反馈放大电路电流串联负反馈放大电路电压并联负反馈放大电路负反馈对放大电路性能的影响降低放大倍数提高放大倍数的稳定性

展宽通频带减小非线性失真改变输入电阻和输出电阻负反馈放大电路的分析方法深度负反馈放大电路的近似计算 *方框图法分析负反馈放大电路 04单元功率放大器功率放大电路的基本知识概述甲类单管功率放大电路互补对称功率放大电路 OCL类互补放大电路 OTL甲乙类互补对称电路复合互补对称电路 05单元直接耦合放大电路概述直接耦合放大电路中的零点漂移基本差动放大电路的分析基本差动放大电路基本差动放大电路抑制零点漂移的原理基本差动放大电路的静态分析基本差动放大电路的动态分析差动放大电路的改进 06单元集成运算放大器集成电路基础知识集成电路的特点集成电路恒流源有源负载的基本概念集成运放的典型电路及参数典型集成运放F007电路简介集成运放的主要技术参数

半导体器件设备制作工艺的制作流程

本技术属于建筑材料领域，尤其是一种半导体器件制备工艺，针对现有只是将晶粒利用包装盒进行包装，这样的包装方式容易导致晶粒损坏的问题，现提出如下方案，其包括S1：首先将成卷的碳纤维复合膜放置在支撑架上，然后进行开卷，S2：将碳纤维复合膜放置在工作台上，支撑台上设有导向机构，以此可以防止碳纤维复合膜出现走偏的问题，S3：在支撑台的一侧卡装有夹紧机构，将碳纤维复合膜的一侧放置在夹紧机构上，并由夹紧机构对碳纤维复合膜进行夹紧。本技术通过将圆晶棒经过切割、打磨、过筛、抽真空以及密封包装，以此可以实现对圆晶粒进行真空包装的目的，可有效避免圆晶粒上附着水汽，所以便不会造成圆晶粒损坏。权利要求书 1.一种半导体器件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：首先将圆晶棒放入干燥剂中，将晶粒上所含有的水汽进行吸附； S2：将干燥完后的圆晶棒放入振荡筛中，以此可以将圆晶棒与干燥剂进行分离； S3：将放置于在Fab中，利用Fab可对晶圆棒完成切割； S4：在对圆晶棒进行切割后，将圆晶粒放入打磨箱内，并利用搅拌器对圆晶粒进行搅拌，以此可以实现对圆晶粒的外表面进行打磨； S5：在打磨之后，利用筛网对圆晶粒进行过筛，以此可以得到大小均匀的圆晶粒； S6：将圆晶粒放入漏斗内，并且漏斗上设有关门装置，使得圆晶粒通过漏斗投放寨包装袋内； S7：利用抽风机将包装袋内进行抽真空处理，之后利用热封机对包装袋进行封口处理；

S8：将软质填充入放入包装箱内，之后将经过真空处理后的圆晶粒放入包装箱内； S9：将干燥剂放入包装箱，之后将包装箱封装一层保护膜，在利用热风枪对保护膜，使得保护膜受热处于紧绷状态。 2.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S1中，干燥剂的成分是无水氯化钙，且无水氯化钙与圆晶棒的比例为 3.5:100。 3.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S2中，振荡筛的工作频率为10Hz，且振荡筛的孔径为5目。 4.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S3中，Fab设定尺寸为3微米，切割频率为1Hz。 5.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S4中，打磨箱内设有打磨球，利用打磨球对圆晶粒进行打磨，且搅拌器的转速为20r/min。 6.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S5中，筛网的孔径为15目，并且筛网由振动电机进行驱动。 7.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S6中，漏斗上设有推杆马达，且推杆马达与关门装置进行连接，以此利用推杆马达带动关门装置对漏斗进行开启或者关闭，漏斗上设有颗粒计数器，且颗粒计数器与推杆马达电性连接，利用颗粒技术器可以对圆晶粒进行计数，且数量在49-51之间，以此可以保证包装袋内的圆晶粒的数量基本一致。 8.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S7中，热封机的温度设置为180摄氏度，热风机的工作时长为30s。 9.根据权利要求1所述的一种半导体器件制备工艺，其特征在于，所述S8中，软质填充物为

半导体器件工艺与物理期末必考题材料汇总综述

半导体期末复习补充材料一、名词解释１、准费米能级费米能级和统计分布函数都是指的热平衡状态，而当半导体的平衡态遭到破坏而存在非平衡载流子时，可以认为分就导带和价带中的电子来讲，它们各自处于平衡态，而导带和价带之间处于不平衡态，因而费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍然是适用的，可以分别引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的能级，称为“准费米能级”，分别用E F n、E F p表示。２、直接复合、间接复合直接复合—电子在导带和价带之间直接跃迁而引起电子和空穴的直接复合。间接复合—电子和空穴通过禁带中的能级（复合中心）进行复合。３、扩散电容 PN结正向偏压时，有空穴从P区注入N区。当正向偏压增加时，由P区注入到N区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了，一部分则增加了N区的空穴积累，增加了载流子的浓度梯度。在外加电压变化时，N扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。这种由于扩散区积累的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为P-N结的扩散电容。用CD表示。 4、雪崩击穿随着PN外加反向电压不断增大，空间电荷区的电场不断增强，当超过某临界值时，载流子受电场加速获得很高的动能，与晶格点阵原子发生碰撞使之电离，产生新的电子—空穴对，再被电场加速，再产生更多的电子—空穴对，载流子数目在空间电荷区发生倍增，犹如雪崩一般，反向电流迅速增大，这种现象称之为雪崩击穿。 1、PN结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种，它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内，其机理为少子的充放电，而过渡区电容产生于空间电荷区，其机理为多子的注入和耗尽。 2、当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压V T产生影响，具体地，对于短沟道器件对V T的影响为下降，对于窄沟道器件对V T的影响为上升。 3、在NPN型BJT中其集电极电流I C受V BE电压控制，其基极电流I B受V BE 电压控制。 4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备，该类器件显著的优点是寄生参数小，响应速度快等。 5、PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种，其中发

半导体基础知识和半导体器件工艺

半导体基础知识和半导体器件工艺 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

半导体基础知识和半导体器件工艺第一章半导体基础知识通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类爲导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其他一些物体。第二类爲绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类爲半导体，其导电能力介於导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si矽等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义爲长1厘米、截面积爲1平方厘米的物质的电阻值，单位爲欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由於它的导电能力介於导体和绝缘体之间，而是由於半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显着的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件（如热敏电阻等），但是由於半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身産生的

热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照後导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其他元素（这个过程我们称爲掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特徵。例如在原子密度爲5*1022/cm3的矽中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例爲10-7（即千万分之一），矽的导电能力提高了几十万倍。物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少後，整个原子呈现正电，缺少电子的地方産生一个空位，带正电，成爲电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。前面提到掺杂其他元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分爲电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分爲两种：施主杂质与受主杂质。将施主杂质加到矽半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要爲五族元素：锑、磷、砷等。将施主杂质加到半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要爲三族元素：铝、镓、铟、硼等。

半导体器件物理与工艺复习题(2012)

半导体器件物理复习题第二章： 1）带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙？其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p ＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。 3）能态密度：能量介于E ～E+△E 之间的量子态数目△Z 与能量差△E 之比 4）热平衡状态：即在恒温下的稳定状态.(且无任何外来干扰,如照光、压力或电场). 在恒温下,连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴.半导体的电子系统有统一的费米能级,电子和空穴的激发与复合达到了动态平衡，其浓度是恒定的，载流子的数量与能量都是平衡。即热平衡状态下的载流子浓度不变。 5）费米分布函数表达式？物理意义：它描述了在热平衡状态下,在一个费米粒子系统（如电子系统）中属于能量E 的一个量子态被一个电子占据的概率。 6 本征半导体价带中的空穴浓度： 7）本征费米能级Ei ：本征半导体的费米能级。在什么条件下，本征Fermi 能级靠近禁带的中央：在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中央 8）本征载流子浓度n i : 对本征半导体而言，导带中每单位体积的电子数与价带每单位体积的空穴数相同, 即浓度相同，称为本征载流子浓度，可表示为n ＝p ＝n i . 或：np=n i 2 9) 简并半导体：当杂质浓度超过一定数量后，费米能级进入了价带或导带的半导体。 10) 非简并半导体载流子浓度: 且有: n p=n i 2 其中: n 型半导体多子和少子的浓度分别为: p 型半导体多子和少子的浓度分别为:

信息论论文

信息科学技术概论课程报告姓名: 葛坤专业: 11级电子信息工程A班学号: 1115102016 日期2013年3月1日—2013年4月26日

一、研究内容信息科学信息科学是以信息为主要研究对象，以信息的运动规律和应用方法为主要研究内容，以计算机等技术为主要研究工具，以扩展人类的信息功能为主要目标的一门新兴的综合性学科。信息科学由信息论、控制论、计算机科学、仿生学、系统工程与人工智能等学科互相渗透、互相结合而形成的。信息科学技术主要研究信息的产生、获取、存储、传输、处理及其应用。其中以微电子、计算机、软件、通信讯技术为主导，微电子是基础，计算机及通信设施是载体，而软件是核心，是计算机的灵魂。信息，既是信息科学的出发点，也是它的归宿。具体来说，信息科学的出发点是认识信息的本质和它的运动规律；它的归宿则是利用信息来达到某种具体的目的。信息概念信息是人类对自然世界的了解的物化形式，信息的概念可以在两个层次上定义： 1、本体论意义的信息是事物运动的状态和状态变化的方式，即事物内部结构和外部联系的状态和方式。 2、认识论意义的信息是认识主体所感知、表达的相应事物的运动状态及其变化方式，包括状态及其变化方式的形式、含义和效用。信息并非事物本身，而是表征事物之间联系的消息、情报、指令、数据或信号。信息的主要特征有：可量度、可识别、可转换、可存储、可处理传递、可再生、可压缩、可利用、可共享、主客体二重性等。信息的产生、存在和流通，依赖于物质和能量，没有物质和能量就没有能动作用。信息可以控制和支配物质与能量的流动。数据、信息、知识和智慧数据是未加工过的“信息”；信息通过将事实和给定的语境关联而导出；知识将某语境中的信息和在不同语境中得到的信息相关联；智慧是从完全不同的知识导出的一般性原理。信息论概念信息论是研究信息的产生、获取、变换、传输、存贮、处理识别及利用的学科。信息论还研究信道的容量、消息的编码与调制的问题以及噪声与滤波的理论等方面的内容。信息论还研究语义信息、有效信息和模糊信息等方面的问题。信息论有狭义和广义之分。狭义信息论即申农早期的研究成果，它以编码理论为中心，主要研究信息系统模型、信息的度量、信息容量、编码理论及噪声理论等。广义信息论又称信息科学，主要研究以计算机处理为中心的信息处理的基本理论，包括评议、文字的处理、图像识别、学习理论及其各种应用。广义信息论则把信息定义为物质在相互作用中表征外部情况的一种普遍属性，

高等学校“半导体器件物理”的全英文课程建设

高等学校“半导体器件物理”的全英文课程建设随着我国高等教育的发展，课程建设的开放性和国际化成为我国高校教育改革的重要课题和发展方向。本文着重介绍了“半导体器件物理”全英文课程建设的必要性和可行性，并以上海工程技术大学电子封装技术专业近期开展的“半导体器件物理”全英文课程建设为实例，阐述了师资队伍建设、教材建设方面的情况。标签：全英文教学；半导体器件物理；课程建设一、背景介绍近年来，随着中国经济的飞速发展，文化、科技、教育等诸多领域的国际交流与合作也日益频繁。借鉴国外著名大学的办学理念和管理模式，利用世界优质教育资源，提升教育水平，造就具有国际竞争能力的复合型创新人才，正成为我国教育改革与发展的新方向。而具有国际竞争能力的高级人才的培养就直接决定了专业课程实施全英文教学的重要性和必然性。[1]为推动国际化办学进程，提升国际化教学水平，构建国际教育课程体系，促进优秀人才培养，《国家中长期教育改革和发展规划纲要（2010—2020年）》中更是明确提出了开展全英语教学课程建设。[2] “半导体器件物理”是微电子及其相关从业人员所必须了解和掌握的一门课程，是相关材料学、电子学、光学等学科的学科基础必修课。在全国各高校的本科生教育中，该课程目前普遍采用中文教材，中文授课。大学生普遍所用教材则是施敏（Simon M·Sze）所著的Physics of Semiconductor Devices的中文译本，其中很多术语都与国际同类专业教育、大型半导体企业生产脱节，尤其与以欧美为主导的半导体企业教材大相径庭。二、课程建设 1.教师能力的建设全英文教学不是纯粹的英语教学，而是借助英语这个平台向学生传授专业知识。授课教师不仅要具有较强的英语听说读写能力，还必须掌握专业知识。甚至全英文教学对教师在专业知识方面的要求要超过母语，所以，全英文教学要求授课老师拥有更宽广、更扎实、更过硬的专业知识结构和能力。 2.教材建设在“半导体器件物理”的全英文课程建设中，教材的建设相对简单，施敏所著的Physics of Semiconductor Devices是国内外高校公认的经典教材。我们考虑到学生英语知识水平有高有低的问题，参考书采用中文书籍和英文书籍相结合的方式，主要采用由Pierret所著的北京电子工业出版社于2004年出

集成电路制造工艺原理

集成电路制造工艺原理课程总体介绍： 1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。 2．参考教材：《半导体器件工艺原理》国防工业出版社华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》（上、下册）国防工业出版社成都电讯工程学院编著《半导体器件工艺原理》上海科技出版社《半导体器件制造工艺》上海科技出版社《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》电子工业出版社 3．目前实际教学学时数：课内课时54学时 4．教学内容简介：本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的，与微电子技术相关的器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理和技术；介绍了与光电子技术相关的器件（发光器件和激光器件）、集成电路（光集成电路）的制造工艺原理，主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。 5．教学课时安排：(按54学时) 课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3学时第八章表面钝化工艺5学时第九章表面内电极与互连3学时第十章器件组装2学

课程教案: 课程介绍及序论（2学时）内容：课程介绍： 1 教学内容 1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理 1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造 1.3 参考教材 2教学课时安排 3学习要求序论：课程内容： 1半导体技术概况 1.1 半导体器件制造技术 1.1.1 半导体器件制造的工艺设计 1.1.2 工艺制造 1.1.3 工艺分析 1.1.4 质量控制 1.2 半导体器件制造的关键问题 1.2.1 工艺改革和新工艺的应用 1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化 1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整 1.2.4 工业化生产 2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论 2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程 2.2 典型pn隔离集成电路管芯制造工艺流程 2.3 两工艺流程的讨论 2.3.1 有关说明 2.3.2 两工艺流程的区别及原因课程重点：介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向（微电子技术方向和光电子技术方向）相关的制造业，指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业，是国家远景规划中置于首位发展的工业。介绍了与微电子技术方向相关的分离器件（硅器件）、集成电路（硅集成电路）的制造工艺原理的内容，指明微电子技术从某种意义上是指大规模集成电路和超大规模集成电路的制造技术。由于集成电路的制造技术是由分离器件的制造技术发展起来的，则从制造工艺上看，两种工艺流程中绝大多数制造工艺是相通的，但集成电路制造技术中包含了分离器件制造所没有的特殊工艺。介绍了与光电子技术方向相关的分离器件、集成电路的制造工艺原理的内容。指明这些器件（发光器件和激光器件）和集成电路（光集成电路）多是由化合物半导体为基础材料的，最常用和最典型的是砷化镓材料，本课程简单介绍了砷化镓材料及其制造器件时相关的工艺技术与原理。在课程介绍中，指出了集成电路制造工艺原理的内容是随着半导体器件制造工艺技术发展而发展的、是随着电子行业对半导体器件性能不断提高的要求（小型化、微型化、集成化、以及高频特性、功率特性、放大特性的提高）而不断充实的。综观其发展历程，由四十年代末的合金工艺原理到五十年代初的合金

电子技术基础课的专业能力培养

电子技术基础课的专业能力培养摘要：“以能力为本位”是职业教育课程改革的基本理念。电子技术基础课应培养学生的专业能力，包括电子元件的识别、判断能力，读图、记图能力，查阅资料、使用仪器仪表的能力和知识迁移的能力。实施“实践先导法”、采用“理(理论) 实(实践)一体”教学模式是培养专业能力的有效途径和方法。关键词：电子技术基础课；能力目标；教学内容；培养模式职业教育的目标是培养掌握本专业必备的基础理论和专业知识，具有从事本专业实际工作需要的全面素质和综合职业能力的技能型人才。而技能的形成要经过一个由简单到复杂、由低级到高级循序渐进的发展过程，这就要求教学要先从基础技能的训练抓起，把对学生技能的培养贯穿于整个专业教学过程的始终。本文拟对电子电器应用与维修专业在电子技术基础课中怎样培养学生的专业技能问题作初步探讨一、明确能力目标通过职业分析所构建的专业能力体系中与电子技术基础课相关的专业能力如下图所示：在上述专业能力体系中，重点谈一谈以下几个方面的专业能力的培养问题。 1．电子元件的识别、判断能力。每台电子设备都是由许多电子元件组成的，每一个电子元件在电子设备中都起着非常重要的作用。因此，学生必须具有对元器件的鉴别能力。元器件的鉴别主要包括两部分内容：一是常用元器件识别，二是元器件质量的判断。元器件质量的鉴别主要是训练学生使用万用表鉴别元器件质量的方法与技巧。 2．读图、记图能力。任何复杂的家电整机电路都是由一个个简单的基本的电路单元组合而成的。掌握这些基本电路单元最简捷的方法就是熟记基本单元电路图，这也是了解整机原理的主要方法。掌握了各种基本电路单元就像积累了大量的建筑材料，可以盖起各式各样的楼房。若基本电路单元不熟，就不可能了解整机，当然修理也就无从下手。 3．查阅资料、使用仪器仪表的能力。修理过程中要涉及大量元器件，这些元器件的性能不可能一一熟记。要训练学生正确使用工具书、手册、图表的能力。维修过程一般可分为检查和处理两项，检查的手段多为测量。因此,要训练学生正确使用常用仪表的能力。在高一阶段应着重教会学生使用万用表、示波器、信号发生器等仪器仪表。

半导体制造工艺期末考试重点复习资料

1、三种重要的微波器件：转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET。 2、晶锭获得均匀的掺杂分布：较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯度多晶硅，维持熔融液初始掺杂浓度不变。 3、砷化镓单晶：p型半导体掺杂材料镉和锌，n型是硒、硅和锑硅：p型掺杂材料是硼，n型是磷。 4、切割决定晶片参数：晶面结晶方向、晶片厚度（晶片直径决定）、晶面倾斜度（从晶片一端到另一端厚度差异）、晶片弯曲度（晶片中心到晶片边缘的弯曲程度）。5、晶体缺陷：点缺陷（替位杂质、填隙杂质、空位、Frenkel，研究杂质扩散和氧化工艺）、线缺陷或位错（刃型位错和螺位错，金属易在线缺陷处析出）、面缺陷（孪晶、晶粒间界和堆垛层错，晶格大面积不连续，出现在晶体生长时）、体缺陷（杂质和掺杂原子淀积形成，由于晶体固有杂质溶解度造成）。 6、最大面为主磨面，与<110>晶向垂直，其次为次磨面，指示晶向和导电类型。 7、半导体氧化方法：热氧化法、电化学阳极氧化法、等离子化学汽相淀积法。 8、晶体区别于非晶体结构：晶体结构是周期性结构，在许多分子间延展，非晶体结构完全不是周期性结构。 9、平衡浓度与在氧化物表面附近的氧化剂分压值成正比。在1000℃和1个大气压下，干氧的浓度C0是5.2x10^16分子数/cm^3，湿氧的C0是3x10^19分子数/cm^3。

10、当表面反应时限制生长速率的主要因素时，氧化层厚度随时间呈线性变化 X=B(t+)/A线性区（干氧氧化与湿氧氧化激活能为2eV,）；氧化层变厚时，氧化剂必须通过氧化层扩散，在二氧化硅界面与硅发生反应，并受扩散过程影响，氧化层厚度与氧化时间的平方根成正比，生长速率为抛物线X^2=B(t+)抛物线区（干氧氧化激活能是1.24Ev,湿氧氧化是0.71eV）。 11、线性速率常数与晶体取向有关，因为速率常数与氧原子进入硅中的结合速率和硅原子表面化学键有关；抛物线速率常数与晶体取向无关，因为它量度的是氧化剂穿过一层无序的非晶二氧化硅的过程。 12、较薄的氧化层MOSFET栅氧化层用干氧氧化，较厚的用湿氧氧化，如MOS集成电路中的场氧化层和双极型器件，以获得适当隔离和保护，20nm为界限。 13、给定氧化条件下，在<111>晶面衬底上生成的氧化层厚度大于<100>晶面衬底，因为<111>方向线性速率常数更大。值得注意的是温度和时间相同时，湿氧氧化厚度是干氧的5~10倍。 14、氧化掩膜厚度一般用实验测量方法获得，主要取决于特定温度和时间下，不能使低掺杂硅衬底发生反型，典型厚度为0.5um~1.0um。 15、二氧化硅中各掺杂杂质扩散常数依赖氧的密度、性能和结构。 16、MOS器件受氧化层中的电荷和位于二氧化硅-硅界面处势阱影响。 17、势阱和电荷的基本类别：界面势阱电荷Qit（由于二氧化硅-硅界面特性产生，取决于这个界面的化学组分，势阱位于二氧化硅-硅界面处，能态在硅禁带中，界

半导体器件工艺课程设计

2016年半导体器件与工艺课程设计设计报告项目名称 SRAM读写特性设计参与者姜云飞黄思贤牛永文所在学院电子科学与应用物理学院专业年级电子科学与技术13-1班指导教师宣晓峰报告人牛永文时间 2016.6

一、课程设计的内容与题目要求 1、内容设计一个SRAM与非门，分析其读写特性。 SRAM结构 2、题目要求的NMOS，在MDRAW下对器件1）MDRAW工具分别设计一个栅长为0.18m 必要的位置进行网格加密； 2）先通过dessis模拟确定NMOS的转移特性，确定器件结构、掺杂及阈值电压等无错误。 3）再根据设计目标，确定SRAM的网表，其负载电容取3e-13F（模拟在位线负载电容等）； 4）编制dessis模拟程序，在模拟程序中设定SRAM中各组件的连接，分析此器件的读写特性； 5）应用INSPECT工具对比输入信号、输出信号和电流信号，查看其性能； 6）调节电路设计以及NMOS的结构（栅宽、栅氧厚度、掺杂等），优化其读写速度。二、课程设计的工艺流程 1、器件构建

的NMOS管(如图1.1) 运用MDRAW工具设计一个栅长为0.18m 图 1.1 2、器件掺杂运用MDRAW对设计好的NMOS进行掺杂（如图1.2和图.3）图 1.2

图1.3 3、网络生成掺杂完成后，点击Mesh—Build Mesh，构建网络（如图1.4）图1.4

三、课程设计的仿真结果 1、dessis模拟NMOS管的特性 1）dessis程序的编写 File{ Grid=”Nmos2_mdr.grd” Doping=”Nmos2_mdr.dat” Plot=”nmos_des.dat” Current=”nmos_des.plt” Output=”nmos_des.log” } Electrode{ {Name=”source”Voltage=0.0} {Name=”drain”Voltage=0.1} {Name=”gate”Voltage=0.0 Barrier=-0.55} {Name=”s”Voltage=0.0} } Plot{ eDensityhDensityeCurrenthCurrent Potential SpaceChargeElectricField eMobilityhMobilityeVelocityhVelocity Doping DonorConcebtration AcceptorConcentration } Physics{ Mobility (DopingDepHighFieldSatEnormal) EffectivelntrinsicDensity(BandGapNarrowing (OldSlotboom)) } Math{ Extrapolate RelErrControl } Solve{ Poisson Coupled{Poisson Electron} Quasistatioonary (Maxstep=0.05 Goal{name=”gate” voltage=2.0}) {Coupled{Poisson Electron}}

《电工基础教学大纲》课程教学大纲

《电工基础》课程教学大纲（适用于电气自动化控制设备安装与维修专业，初中起点3年制中级工）一、课程性质与任务 1.课程性质课程性质：楼宇自动控制设备安装与维修专业的技术基础课程，是研究电工学和电子技术的一门专业基础课。 2.课程任务通过本课程的学习，学生应获得电工与电子技术的基本理论、基本知识和基本技能，为学习后续课程和专业知识打下理论基础和实践基础，并具有将电工、电子技术应用于本专业和发展本专业的一定能力。二、参考学时每周4个学时，14个自然周，共56个学时。三、课程目标 1.知识目标 1.电工与电子技术中的基本概念和基本原理； 2.常用电子设备和电子器件的特性及应用范围、途径; 3.电的基本规律和电路的分析方法； 4.一般电气设备的使用、维护和安全用电知识； 5.半导体器件基础和模拟、数字电子技术知识； 6.电工电子实验技能和方法所需理论基础 2.技能目标 1.能阅读简单的电路原理图及设备的电路方框图； 2.具有查阅手册等工具书和设备铭牌、产品说明书、产品目录等资料的能力； 3.能理论分析判断电路及电子元件的简单故障； 4.具有收集整理实验数据，绘制特性曲线，完整地写出规范实验报告的能力 3.职业素养目标 1.初步具备辨证思维和逻辑分析的能力； 2.树立理论联系实际的科学观点，培养科学的工作作风，具有热爱科学，实事求是的学风和创新意识、创新精神； 3.加强职业道德意识。培养学生工程质量意识和工作规范意识以及严谨、认真的工作态度。

四、课程内容和要求

四、教学基本要求 1、使学生学会以下分析和计算方法： 1.1 直流电路的基本分析和计算方法 1.2 交流电路的基本分析和计算方法 1.3 模拟电路的基本分析和计算方法 2、培养学生以下几方面的初步能力： 2.1 认识常用电工、电子元器件，了解其基本用途 2.2 使用常用测试仪器仪表（如：万用表、示波器、信号源等）的能力 2.3 掌握识别和判断电子元器件好坏的能力 2.4 掌握一般电路和基本放大电路的分析方法和应用能力 2.5掌握常见电路故障的分析、判断与排除能力五、实施建议 1.教材要求 1）《电工基础》作者：邵展图，中国劳动社会保障出版社 2.教学条件（1）软硬件条件 30人同时操作的电工实训室。（2）师资条件具有理论与实践一体化师资 3.教学方法教学方法主要以以下方法为主：（1）“以语言传递信息为主的方法”，包括讲授法；谈话法；讨论法；读书指导法等。（2）“以直接感知为主的方法”，包括演示法；参观法等。（3）“以实际训练为主的方法”，包括练习法；实验法；实习作业法。 4.教学评价本课程的考核以期末考试的成绩与平时成绩相结合的方法进行，课内实训安排在课程结束时以综合作业形式完成，纳入平时成绩进行考核。具体评价方法是：平时成绩占20；学习任务完成情况占40；期末考试占40； 5.课程资源的开发和利用本课程的专业基本必修课程包括：电工基础、工程识图与CAD、机械常识、气液传动、