第七章 集成电路测试技术

集成电路测试

第一章 集成电路的测试 1.集成电路测试的定义 集成电路测试是对集成电路或模块进行检测,通过测量对于集成电路的输出回应和预期输出比较,以确定或评估集成电路元器件功能和性能的过程,是验证设计、监控生产、保证质量、分析失效以及指导应用的重要手段。 .2.集成电路测试的基本原理 输入Y 被测电路DUT(Device Under Test)可作为一个已知功能的实体,测试依据原始输入x 和网络功能集F(x),确定原始输出回应y,并分析y是否表达了电路网络的实际输出。因此,测试的基本任务是生成测试输入,而测试系统的基本任务则是将测试输人应用于被测器件,并分析其输出的正确性。测试过程中,测试系统首先生成输入定时波形信号施加到被测器件的原始输入管脚,第二步是从被测器件的原始输出管脚采样输出回应,最后经过分析处理得到测试结果。 3.集成电路故障与测试 集成电路的不正常状态有缺陷(defect)、故障(fault)和失效(failure)等。由于设计考虑不周全或制造过程中的一些物理、化学因素,使集成电路不符合技术条件而不能正常工作,称为集成电路存在缺陷。集成电路的缺陷导致它的功能发生变化,称为故障。故障可能使集成电路失效,也可能不失效,集成电路丧失了实施其特定规范要求的功能,称为集成电路失效。故障和缺陷等效,但两者有一定区别,缺陷会引发故障,故障是表象,相对稳定,并且易于测试;缺陷相对隐蔽和微观,缺陷的查找与定位较难。 4.集成电路测试的过程 1.测试设备 测试仪:通常被叫做自动测试设备,是用来向被测试器件施加输入,并观察输出。测试是要考虑DUT的技术指标和规范,包括:器件最高时钟频率、定时精度要求、输入\输出引脚的数目等。要考虑的因素:费用、可靠性、服务能力、软件编程难易程度等。 1.测试界面 测试界面主要根据DUT的封装形式、最高时钟频率、ATE的资源配置和界面板卡形等合理地选择测试插座和设计制作测试负载板。

集成电路测试员实习报告

集成电路测试员实习报告 篇一:测控技术与仪器专业生产实习报告 测控技术与仪器专业 《生产实习报告》 一、实习概况 实习时间:XX.7.28-XX.8.8 实习地点:无锡市公共实训基地 实习要求:掌握如下的专业知识和技能并通过考核。 1.集成电路及测试常识 2.模拟集成电路测试原理、方法及设备详细构成; 3.集成电路主要参数及测试设备框架构成; 4.评估集成电路的具体技术指标; 5.集成电路测试实际操作。 二、实习企业介绍 北京信诺达泰思特科技股份有限公司成立于XX年11月,注册资本为632万人民币,主要从事集成电路测试系统的研发。在集成电路测试领域具有深厚的技术实力与市场储备,同时承接集成电路测试服务、电路板测试维修业务。公司是集研制、开发、销售、服务于一体的高新技术企业。由研发人员发明了“一种快速获取DSP测试向量的方法及装置”并取得国防专利证书。公司核心研发团队多年来一直从事半导体测试系统的研发工作,参与并完成的项目包括国家六.五

重点科技攻关项目“大规模/超大规模存储器集成电路测试系统研制”;国家“七五”、“八五”重点科技攻关项目“测试程序库的开发与实 用化”;北京市科学院“100M超大规模数字电路测试系统研制”项目等,以上项目均顺利通过验收。公司所研发的产品涵盖数字集成电路测试、模拟集成电路测试、数模混合集成电路测试、存储器测试、继电器测试、电源模块测试等,曾为多家封装测试企业、军工企业及科研院所提供产品及服务,广泛应用于航空、航天、铁路、船舶、兵器、电子、核工业等领域。还可以针对用户实际需求,量身为客户提供最优的测试解决方案。公司秉承“敬业、奉献、协同、创新”的精神,为客户提供高质高效的测试展品和服务。 三、实习内容 第一周: 7月28日上午我们来到无锡公共实训基地学习集成电路测试的相关知识。下午基地领导带我们参观了公司、介绍了相关产品。 产品描述: ST5000是一款高精度的半导体分立器件测试系统,该系统采用了标准的PXI总线,能够兼容CPCI和PXI设备。它是一款浮动资源的测试工作站,这种特殊的架构方式使得用户可以最有效的利用系统资源,配置出最经济、高效的测试

2020年智慧树知道网课《芯片基础--模拟集成电路设计(山东联盟)》课后章节测试满分答案

第一章测试 1 【判断题】(10分) 集成电路,又简写为IC,其英文全称为IntegratedCircuit。 A. 对 B. 错 2 【判断题】(10分) 跟数字集成电路设计一样,目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。 A. 对 B. 错 3 【判断题】(10分) 模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题,模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果 A. 错 B. 对

4 【判断题】(10分) 模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷 A. 对 B. 错 5 【判断题】(10分) CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。 A. 对 B. 错 6 【判断题】(10分) MOSFET的特征尺寸越来越小,本征速度越来越快(已可与双极器件相比较),现在几GHz~几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。 A. 对

B. 错 7 【判断题】(10分) 相对于数字电路来说,模拟集成电路的设计更加基础,更加灵活。 A. 对 B. 错 8 【单选题】(10分) 片上系统,又称SOC,其英文全称是: A. SystemonChip B. SystemOperationsCenter C. Systemofcomputer D. Separationofconcerns

9 【单选题】(10分) 互补金属氧化物半导体,英文简称CMOS,其英文全称为: A. ComplementaryMetalOxideSystem B. CargoMachineOfSemiconductor C. ComplementaryMetalOxideSemiconductor D. ComplementaryMachineOfSemiconductor 10 【单选题】(10分) 模拟数字转换器,英文简称ADC,英文全称为: A. Analog-to-DestinationConverter B. AmbulancetoDigitalConverter C. AmbulancetoDestinationConverter D. Analog-to-DigitalConverter

机械动力学考试答案

图4 机器安装示意图 88、一个质量20Kg 的机器,按图4所示方式安装。若弹簧的总刚度 为17KN/m ,总阻尼为300m s N ?。试求初始条mm x 250=,s mm x 3000= 时的振动响应。 88、解:由0=++kx x c x m 代入数据后得 08501501017300203=++=?++x x x x x x (8分) 其中,152=a ,8502=n ω,计算阻尼比和固有圆频率 17.2826.012.291126.02 .295.722=-?=-=<===ζωωωζn d n a (4分) 将初始条件代入 00020020arctan )(ax x x ax x x A d d +=++= ω?ω (4分) 得: o d d ax x x mm ax x x A 3.555.25.730017.2825arctan arctan )(4.30)17.2825.7300(25)(0002220020?+?=+==?++=++= ω?ω(2分)

则系统的振动响应为 4. 305.7+ =-t x t(2分)e sin( 28 ) 96 .0 . 17

1. “机械动力学”主要研究哪些内容,请以任一机器为对象举例说明研究内容及其相互关系。 答:机械动力学是研究机械在力的作用下的运动和机械在运动中产生的力,并从力与运动的相互作用的角度进行机械设计和改进的科学。动力学主要研究内容概括起来有:1,共振分析;2,振动分析与动载荷计算;3,计算机与现代测试技术的运用;4,减震与隔振。柴油机上的发动机,发动机不平衡时会产生很强的地面波,从而产生噪声,而承受震动的结构,发动机底座,会由于振动引起的交变应力而导致材料的疲劳失效,而且振动会加剧机械零部件的磨损,如轴承和齿轮的磨损等,并使机械中的紧固件如螺母等变松。在加工时还会导致零件加工质量变差。通过对共振的研究和分析,使机械的运转频率避免共振区,避免机械共振事故的发生,通过振动分析与动载荷计算可以求出在外力作用下机械的真实运动,运用计算机和现代测试技术对机械的运行状态进行检测,以及故障诊断,模态分析以及动态分析,现实中机器运转时由于各种激励因素的存在,不可避免发生振动,为了减小振动,通常在机器底部加装弹簧,橡胶等隔振材料。 2.简述在刚性运动前提下,如何进行运动构件的真实运动分析求解(请列出步骤)? 答:首先建立等效力学模型,将复杂的机械系统简化为一个构件,即等效构件,根据质点系动能定理,将作用于机械系统上的所有外力和外力矩、所有构件的质量和转动惯量,都向等效构件转化;其次计算等效构件上的等效量(包括等效力矩,等效力,等效质量,等效转动惯量);再次建立等效构件的运动方程式,有两种形式,能量形式和力矩形式;最后通过方程式求出等效构件的角速度函数和角加速度函数,这样便可以求出机械系统的真实运动规律。 3.在弹性运动假设下,有哪些弹性动力学建模方法,各有什么特点?请解释“瞬时刚化” 的概念。) 答:弹性动力学模型有集中参数模型和有限元模型。集中参数模型建立起的运动方程为常微分方程,但是由于质量简化过多,模型粗糙,精度比较差;有限元建立的运动方程也为常微分方程,但相较集中参数模型精确,适应性广,可以模拟复杂形状的构件,运算模型统一。瞬时刚化:机构在运动到循环中的某一位置时,可将机构的形状和作用在其上的载荷瞬时冻结起来,从而可瞬时的将机构看做一个刚体结构。

热能与动力工程测试技术习题及答案

热能与动力工程测试技术 一、填空(30X1) 1、仪器测量的主要性能指标:精确度、恒定度、灵敏度、灵敏度阻滞、指示滞后时间。P5 2、在选用仪器时,应在满足被测要求的前提下,尽量选择量程较小的仪器,一般应使测量 值在满刻度要求的2/3为宜。P5 3、二阶测量系统的阻尼比通常控制于ξ=0.6~0.8,对于二阶测量系统的动态性能的两个重要 指标是稳定时间t s和最大过冲量A d 。P18 4、测量误差可分为系统误差、随机(偶然)误差、过失误差。 5、随机误差的四个特性为单峰性、对称性、有限性、抵偿性。 6、热电偶性质的四条基本定律为均质材料定律、中间导体定律、中间温度定律、标准电极定 律。 7、造成温度计时滞的因素有:感温元件的热惯性和指示仪表的机械惯性。P109 8、流量计可分为:容积型流量计、速度型流量计、质量型流量计。P161 9、扩大测功机量程的方法有:采用组合测功机、采用变速器。P208 10、除利用皮托管测量流速外,现代常用的测速技术有:热线(热膜)测速技术、激光多普勒 测速技术(LDV)、粒子图像测速技术。 二、名词解释(5X4) 1、什么是测量仪器或测量系统的动态特性分析?作用? 答:P11,测量仪器或测量系统的动态特性分析就是研究测量时所产生的误差。 它主要是以描述在动态测量过程中输出量和输入量之间的关系。 2、何为霍尔效应? 答:(参考)置于磁场中的金属(或带有电子的物质),当于两端通过电流时,另外两面会产生大小 与控制电流I(A)和磁感应强度B(T)的乘积成正比的电压U H(V),这一现象叫做霍尔效应。P90 3、何为亮度温度? 答:在波长为λm的单色辐射中,若物体在温度T时的亮度Bλ和绝对黑体在温度为T s时的亮度B Oλ相等,则把T s称为被测物体的亮度温度。 4、何为动压?静压?总压?P129 答:静压是指运动气流里气体本身的热力学压力。 总压是指气流熵滞止后的压力,又称滞止压力。 动压为总压与静压之差。 三、简答题(5X4) 1、为什么阶跃信号常用于低阶测量系统的时域动态响应的输入信号? 答:阶跃信号从一个稳定的状态突然过过渡到另一个稳态,对系统是一个严格的考验,(比其它输 入信号更)易暴露问题。P17 2、简述金属应变式传感器的工作原理。 答:金属应变式传感器的工作原理是基于金属的电阻应变效应,即导体或半导体在外力作用下产 生机械形变时,电阻值也随之产生相应的变化。 3.在测量瞬时温度时采用的感温元件时间常数大小如何?为什么?,在测量平均温度时又如何? 为什么?P110 答:感温元件的质量和比容越小,相应越快,故在测量瞬时温度时采用时间常数小的感温元件;反之时间常数越大相应越慢,感温元件的温度越接近平均温度,故测量平均温度时采用时间常数大的 元件。 4.试画出皮托管的结构简图,说明皮托管的工作原理,并导出速度表达式(条件自拟,不考虑误 差)。P143~P144

我国集成电路封装测试行业的研究

中国集体经济 CHINA COLLECTIVEECONOMY 势、消除劣势、抓住机会、规避威胁。 (一)内部环境分析 1.农村信用社的优势。(1)地域优势;(2)政策优势;(3)决策优势;(4)网点优势;(5)人员优势。 2.农村信用社的劣势。(1)历史包袱重,不良资产占比高;(2)规模小,风险管理能力低;(3)经营区域受限;(4)人员素质仍是短板;(5)金融创新能力不足;(6) 市场定位仍不明确。 (二)外部环境分析 1.机会。(1)支农惠农政策为农信社提供了更广阔的发展空间;(2)当地社会影响力大;(3)行业管理水平的提高,有力 推动了农信社的发展。 2.威胁。(1)行业竞争者多,同业竞争压力大;(2)宏观经济下行,客户违约风险增加;(3)利率市场化进程的推进增加了农信社的财务压力和经营风险;(4)人才流失仍是重要威胁;(5)影子银行的威胁。 (三)农信社的SWOT 分析 首先制定出农信社的SWOT 矩阵,如表1所示。 将SWOT 矩阵进行分解,对SO ———优势与机会、WO ———劣势与机会、ST ——— 优势与威胁、WT ———劣势与威胁等条件进行分析,并根据分析找出相应的可选择的目标市场。 1.基于SO 战略应确定的贷款目标市 场:利用地域、网点、人员优势,挖掘、深耕各类个人贷款市场;利用地域、网点、人员、决策优势,做好公司贷款的拓展。 2.基于WO 战略应确定的贷款目标 市场:拓展全部个人贷款市场,增加积累,消化不良;积极介入公司贷款市场中的中小微企业市场,但根据自身风险管理能力以及资本的承受能力,要做好单户额度的控制,大型企业谨慎进入;受风险管理水平、人员素质制约,企业贷款市场以流动资金贷款市场为主,固定资产贷款市场谨慎进入;受风险管理水平、人员素质制约,贸易型公司谨慎进入。 3.基于ST 战略应确定的贷款目标市 场:全部个人贷款市场。一方面提高服务水平,提高客户贷款便利度,另一方面强化风险控制;企业贷款市场中的中小微企 业,但要注意行业风险,做好成本测算;大型企业贷款市场谨慎进入,避免议价能力不足,降低资金运用效率;生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识;铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 4.基于WT 战略应确定的贷款目标 市场:出于风险管理、风险承受能力以及资金收益考虑,大型公司贷款市场应谨慎进入;企业贷款市场中的中小微企业,但要注意行业风险,做好成本测算;生产加工型企业贷款市场要提高风险管控意识;铺底性流动资金贷款市场以及固定资产贷款市场谨慎进入。 通过SWOT 分析,得出农信社应确定的目标市场:积极拓展个人贷款市场,但要提高贷款便利度,加强风险控制;将公司类贷款市场中的中小微企业作为重要的市场目标,但要根据自身风险管理能力以及资本的承受能力,做好单户额度的控制。要注意防范行业风险。企业固定资产贷款市场、铺底性流动资金贷款市场等要谨慎进入;出于风险管理、风险承受能力以及资金收益率考虑,大型公司类贷款市场要谨慎进入。总之,农信社应选择个 人及中小微企业贷款市场为目标市场,但要控制中小企业的单户额度限制,求小、求散。 (作者单位:山东省农村信用社联合社) 摘要:近年来,集成电路封装测试行业技术进步较快,行业发展也十分迅速,一些内资和本土品牌企业的质量、技术和产能已经接近国际先进水平。未来国内集成电路封测市场增长前景广阔,但也需要应对各种挑战。国内封测企业必须进一步增强技术创新能力、加大成本管控,才能在日新月异的市场竞争中取得更大进步。 关键词:技术进步;行业发展前景;经营模式;核心竞争力 一、集成电路封装测试的技术进步封装测试是集成电路制造的后续工艺,为了使集成电路芯片的触点能与外界电路如PCB 板连接,也为了给芯片加上一个“保护壳”,防止芯片受到物理或化学损坏,需要对晶圆芯片的进一步加工,这一环节即封装环节。测试环节则是对芯片电子电路功能的检测确认。 集成电路封装技术发展历程大约可以分为三个阶段:第一阶段是1980年之 前的通孔插装(THD)时代,插孔直接安装到PCB 上,主要形式包括TO(三极管)、 DIP(双列直插封装),优点是可靠、散热好、结实、功耗大,缺点是功能较少,封装密度及引脚数难以提高,难以满足高效自动化生产的要求。 第二阶段是1980年代开始的表面贴装(SMT )时代,该阶段技术的主要特点是引线代替针脚,引线采用翼形或丁形,以两边或四边引线封装为主,从两边或四边表1 农信社的SWOT 矩阵 优势(S ) 劣势(W ) 机会(O )SO 战略 发挥优势,把握机会 WO 战略 利用外部机会,弥补内部劣势 威胁(T ) ST 战略 发挥优势,规模外部威胁 WT 战略减少劣势,规避威胁 ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,, 我国集成电路封装测试行业的研究 ■ 尤晟 张燕 53

集成电路测试原理及方法

H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y 集成电路测试原理及方法简介 院系:电气工程及自动化学院 姓名: XXXXXX 学号: XXXXXXXXX 指导教师: XXXXXX 设计时间: XXXXXXXXXX

摘要 随着经济发展和技术的进步,集成电路产业取得了突飞猛进的发展。集成电路测试是集成电路产业链中的一个重要环节,是保证集成电路性能、质量的关键环节之一。集成电路基础设计是集成电路产业的一门支撑技术,而集成电路是实现集成电路测试必不可少的工具。 本文首先介绍了集成电路自动测试系统的国内外研究现状,接着介绍了数字集成电路的测试技术,包括逻辑功能测试技术和直流参数测试技术。逻辑功能测试技术介绍了测试向量的格式化作为输入激励和对输出结果的采样,最后讨论了集成电路测试面临的技术难题。 关键词:集成电路;研究现状;测试原理;测试方法

目录 一、引言 (4) 二、集成电路测试重要性 (4) 三、集成电路测试分类 (5) 四、集成电路测试原理和方法 (6) 4.1.数字器件的逻辑功能测试 (6) 4.1.1测试周期及输入数据 (8) 4.1.2输出数据 (10) 4.2 集成电路生产测试的流程 (12) 五、集成电路自动测试面临的挑战 (13) 参考文献 (14)

一、引言 随着经济的发展,人们生活质量的提高,生活中遍布着各类电子消费产品。电脑﹑手机和mp3播放器等电子产品和人们的生活息息相关,这些都为集成电路产业的发展带来了巨大的市场空间。2007年世界半导体营业额高达2.740亿美元,2008世界半导体产业营业额增至2.850亿美元,专家预测今后的几年随着消费的增长,对集成电路的需求必然强劲。因此,世界集成电路产业正在处于高速发展的阶段。 集成电路产业是衡量一个国家综合实力的重要重要指标。而这个庞大的产业主要由集成电路的设计、芯片、封装和测试构成。在这个集成电路生产的整个过程中,集成电路测试是惟一一个贯穿集成电路生产和应用全过程的产业。如:集成电路设计原型的验证测试、晶圆片测试、封装成品测试,只有通过了全部测试合格的集成电路才可能作为合格产品出厂,测试是保证产品质量的重要环节。 集成电路测试是伴随着集成电路的发展而发展的,它为集成电路的进步做出了巨大贡献。我国的集成电路自动测试系统起步较晚,虽有一定的发展,但与国外的同类产品相比技术水平上还有很大的差距,特别是在一些关键技术上难以实现突破。国内使用的高端大型自动测试系统,几乎是被国外产品垄断。市场上各种型号国产集成电路测试,中小规模占到80%。大规模集成电路测试系统由于稳定性、实用性、价格等因素导致没有实用化。大规模/超大规模集成电路测试系统主要依靠进口满足国内的科研、生产与应用测试,我国急需自主创新的大规模集成电路测试技术,因此,本文对集成电路测试技术进行了总结和分析。 二、集成电路测试重要性 随着集成电路应用领域扩大,大量用于各种整机系统中。在系统中集成电路往往作为关键器件使用,其质量和性能的好坏直接影响到了系统稳定性和可靠性。 如何检测故障剔除次品是芯片生产厂商不得不面对的一个问题,良好的测试流程,可以使不良品在投放市场之前就已经被淘汰,这对于提高产品质量,建立生产销售的良性循环,树立企业的良好形象都是至关重要的。次品的损失成本可以在合格产品的售价里得到相应的补偿,所以应寻求的是质量和经济的相互制衡,以最小的成本满足用户的需要。 作为一种电子产品,所有的芯片不可避免的出现各类故障,可能包括:1.固定型故障;2.跳变故障;3.时延故障;4.开路短路故障;5桥接故障,等等。测试的作用是检验芯片是否存在问题,测试工程师进行失效分析,提出修改建议,从工程角度来讲,测试包括了验证测试和生产测试两个主要的阶段。

热能与动力机械测试技术---自测题

《热能与动力机械测试技术》自测题(一) 一.填空题 1.从作用上看,任何测量仪器都包含感受件、中间件和效用件这三个元件,其中中间件可完成、、、等任务。 2.选择仪表时,既要考虑其,又要注意其。 3.测量仪表按用途可分为、实验室用仪表和,其中实验室用仪表的精度等级一般为。 4.我们常采用、、这三种方法来消除系统误差。 5.从偶然误差的正态分布规律中,可归纳出偶然误差具有对称性、、、和四个特性。 6.间接测量误差不仅与直接测量量的误差有关,而且还与有关。7.运用有效数字的计算法则计算:19.45+0.0074+1.623=,1.42×54.74×0.15782=,41121/2=。8.试验数据的表示方式有、、三种。 9.考铜、铜与铂相配的热电势(热端100℃,冷端0℃)为-4.0mV、+0.76mV,则铜、考铜相配后的热电势为。 10.现代测功机均为平衡式测功机,它是根据的原理来测量转矩的。11.测取液柱式压力计的读数时,对酒精应从算起。 12.气缸动态压力的测量中,常用以下三种方法确定上止点:、、。 13.适用于内燃机上测量流量的非标准节流元件是和;标准元件是m=0.55时的。 14.某频率为80Hz的纯音听起来和1000Hz、90dB的声音一样响,则其响度级为。 15.按噪声性质的不同,内燃机的噪声可分为_______________、______________和______________。 16.目前大多数国家采用的分析仪有三种:主要作为测定CO排放的标准仪器;作为测定HC排放的标准仪器;作为测定NOX排放的标准仪器。我国测定摩托车怠速排放物的取样系统是系统。 17.发动机试验台最基本的设备是。稳定工况下测定汽油消耗采用法、测定机油消耗采用法。 18.采用机械式重量法测量发动机台架试验的燃油消耗率时,误差主要来自于、这两方面。 二.判断题 1.热电式传感器是利用电阻随温度而变化的特性来测量温度的传感器。()2.直流电力测功机是既能吸收发动机的功率,又能倒拖发动机的测功机。()3.一般情况下,压力表所测读数是绝对压力。()4.当研究振动对零部件的负荷与力的关系以及振动力的传递时,应测量加速度。()5.1/1倍频程和1/3倍频程滤波器都属于恒百分比带宽滤波器。()6.若两台机器单独运转时在接收点处的噪声级彼此相等,则它们同时运转时在接收点处的合成声压级增加3dB。()7.对发动机进行台架试验时,计算得大气修正系数为K=0.99,因此该发动机的有效功率、有效转矩和燃油消耗率是用该系数进行修正的。()8.在发动机台架试验中,对b e的测量属于直接测量。() 9.石英单晶和压电陶瓷都是压电材料的一种,所以它们在任何情况下都具有压电效应。 () 参考答案 一.填空题

集成电路测试技术四

集成电路测试技术 测试概论 可测性设计技术

DFT) 雷鑑铭RCVLSI&S 扫描前综合:主要在综合中介绍。在这一步中综合工具会

Multiplexed Flip-Flop 使用一个可选择的数据输入端来实现串行移位的能力。在功能模式时,扫描使能信号选择系统数据输入;在扫描模式时,扫描使能信号选择扫描数据输入。扫描输入的数据来自扫描输入端口或者扫描链中前一个单元的扫描输出端口。为测试使能端,控制数据的输入。 时选通测试模式,测试数据从端输入;时为功能模式,这时系统数据从端输入。 Multiplexed Flip-Flop 扫描形式为工艺库普遍支持的一种模式。 Multiplexed Flip-Flop 结构 扫描 扫描形式使用一个特定的边沿触发测试时钟来提供串行移位的能力。在功能模式时,系统时钟翻转,系统数据在系统时钟控制下输入到单元中;扫描移位时,测试时钟翻转,扫描数据在测试时钟控制下进入到单元中。 为系统时钟,翻转时系统数据从D 钟,翻转时扫描数据从端输入。 Clocked-Scan 雷鑑铭 编译器支持三种变化的扫描形式:单边锁存,双边锁存和时钟控制单边锁存和双边锁存变化都要用到典型的LSSD 扫描单元,如上图所示。该单元含有一对主从锁存器。 主锁存器有两个输入端,能够锁存功能数据或者扫描数据。在功能模式下,系统主时钟控制系统数据的输入;在扫描模式下,测试主时钟控制从数据输入端到主锁存器的数据传输。从时钟控制数据从主锁存器到从锁存器的传输。 典型的LSSD 、扫描测试的步骤 1 各步骤的功能如下: 扫描输入阶段:在这一阶段中,数据串行加入到扫描输入端;当时钟沿到来时,该扫描数据被移入到扫描链。同时,并行输出被屏蔽。 并行测试:这一周期的初始阶段并行输入测试数据,此周期的末段检测并行输出数据。在此周期中时钟信号保持无效,CUT 并行捕获:这一阶段时钟有一次脉冲,在该脉冲阶段从扫描链中捕获关键并行输出数据。CUT 态。捕获到的数据用于扫描输出。 第一次扫描输出:此阶段无时钟信号,出端对扫描链输出值采样,检测第一位扫描输出数据。扫描输出阶段:扫描寄存器捕获到的数据串行移出,在每一周期在扫描输出端检测扫描链输出值。扫描测试是基于阶段的测试过程,典型的测试时序分SI 交叠,待测芯片的测试状态控制信号于有效状态。第一次扫描输出阶段时钟信号保持无效,出端之后每一扫描移位阶段都有一时钟信号,测试机也会采样一次SO 的状态;在最后一个扫描移位阶段用于产生并行输出的有效数

国内集成电路的现状发展

国内集成电路的现状及发展 作者:崔建红 单位:山东工商学院邮政编码:264000 摘要:集成电路是一种微型电子器件或部件,它的出现给电子行业带来了新的契机。从最初集成电路在我国发展以来,我国已取得了可喜的成就。但仍然面临资源利用率低,芯片与整机脱节,缺乏自我品牌,创新能力较弱等问题。我们都应采取有效的对策。在今后发展中加以解决,争取使我国由消费大国走向产业强国。 关键词:国内、集成电路、发展现状、措施、 Present Situation and Development of The Domestic Integrated Circuit Author:Cui Jianhong Unit:Shandong Institute of Business and Technology Zip Code:264000 Summary:IC is a miniature electronic devices or components, its appearance to the electronics industry has brought new opportunities. Since the initial IC has developed in our country , China has achieved gratifying achievements. But we still faces many problems,such as resource utilization is low, the chip out of the whole ,lack of our own brand, weak innovation capabilityand so on. We should take effective measures to solve them in future development and Striving to make our country join in industrial power by the country of consumption. Keyword:national, integrated circuits, development status, measures 一、集成电路的定义与特点 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。 集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。

数字集成电路测试系统BJ3125A使用说明书【模板】

数字集成电路测试系统 BJ3125A 使用说明书 北京无线电仪器厂 ********

1.概述 1.1BJ3125A 型数字IC测试系统是BJ3125数字IC测试系统的改型产品,继 承了原有系统的优点。 1.2 该系统数字IC测试按存储响应法进行设计,这种方法理论上成熟,方法上统一,应用最广泛,国内外科技人员熟悉。此外,由于利用这种原理测试方法上差异小,所以易于和国内、外其他测试系统的测试数据,测试结果数据进行比较,有较好的兼容性。 1.3 本系统的设计思想 采用通用微机控制,为以后多快好省地开发各系列智能仪器打下基础。采用通用微机对于软件开发及系统调试都带来许多方便。 采用总线支持模块化结构,便于扩展成其他测试系统。 将研制中大规模数字集成电路测试系统中积累的知识、经验充分赋予该系统,软件能继承的就继承,如页表式编程测试包、系统的诊断校准程序、程序库…… 在功能测试上不追求速度而只追求功能齐全,如:能测试各种工艺系列的IC,能测开路门,可进行三态测试等。着重在直流参数上下功夫。如:小电流测试及保证较好的测试精度。 在电路设计上力求电路简捷,尽量采用先进的、性价比高的器件,如选用AD7237双D/A、AD526增益可软件编程放大器、AD620仪用放大器等,可降低成本,缩短研制周期,较容易保证较好的性能指标,便于生产。 1.4 本系统的主要特点

——采用通用微机控制 ——完善的诊断校准程序 ——商业化齐套实用的程序库 ——具有测试存储器的软件图形发生器 ——具有电平精度高、输出阻抗低、电平范围宽的三态驱动器。——可对开路门进行测试 ——具有三态测试能力 ——采用地缓冲放大器,以利用提高直流参数测试精度 ——功能测试采用双阈值比较 ——恒流源、恒压源、电压表是独立的、便于测试模拟电路时使用——易于扩展成其它IC测试系统。 1.5 本测试系统,可测试中小规模数字IC 1.6 测试用途 整机厂、研究单位的器件验收测试及其他各种应用测试。 2.系统构成及主要功能(参看图1)

(完整版)测试技术试题库及答案.doc

测试技术试题库 (一)填空题 1、测试的基本任务是获取有用的信息,而信息总是蕴涵在某些物理量之中,并依靠它们来 2、传输的。这些物理量就是,其中目前应用最广泛的是电信号。 3、信号的时域描述,以为独立变量;而信号的频域描述,以为独立变量。 4、周期信号的频谱具有三个特点:,,。 5、非周期信号包括信号和信号。 6、描述随机信号的时域特征参数有、、。 7、对信号的双边谱而言,实频谱(幅频谱)总是对称,虚频谱(相频谱)总是对称。 8、某一阶系统的频率响应函数为H ( j ) 1 ,输入信号 x(t ) sin t ,则输出信号2 j 1 2 y(t ) 的频率为,幅值 y ,相位。 1.5 41 2 和n 的两个环节串联后组成的系统的 9、试求传递函数分别为 3.5s 0.5 s2 1.4 n s 2 n 总灵敏度。为了获得测试信号的频谱,常用的信号分析方法有、和。 10、当测试系统的输出y( t)与输入x( t)之间的关系为y(t) A0 x(t t 0 ) 时,该系统能实现测试。此时,系统的频率特性为H ( j ) 。 11、传感器的灵敏度越高,就意味着传感器所感知的越小。 12、一个理想的测试装置,其输入和输出之间应该具有关系为最佳。 13、属于能量控制型的传感器有等,属于能量转换型的传感器有等(每个至少举例两个)。 14、金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用引起的电阻变化,后 者利用变化引起的电阻变化。 15、为了提高变极距电容式传感器的灵敏度、线性度及减小外部条件变化对测量精度的影响, 实际应用时常常采用工作方式。 16、压电式传感器的测量电路(即前置放大器)有两种形式:放大器和放大器,后接放大器 时,可不受连接电缆长度的限制。 17、涡流式传感器的变换原理是利用了金属导体在交流磁场中的效应。 18、磁电式速度计的灵敏度单位是。 19、压电式传感器是利用某些物质的而工作的。

动力工程测试技术及仪表复习模拟题答案

《动力工程测试技术及仪表》复习模拟试题标准答案 一、填空题 1、某待测水头约为90米,现有0.5级0~2.94?106Pa 和1.0级0~0.98?106Pa 的两块压力表,问用哪一块压力表测量较好?答: 后者。 2、对某一物理量x进行N次测量,测量值x i与其出现的次数N i满足一定的规律,误差分布呈对称性、单峰性、有界性的特点。 3、任意两种均质导体A、B,分别与均质材料C连接组成热电偶回路,若热电势分别为 E AC(T,T0)和E CB(T,T0),则导体A、B组成的热电偶的热电势为:E AC(T,T0)+ E CB(T,T0)。 4、用铜和康铜分别与铂相配构成热电偶,热电势E铜-康铜(100,0)=1.10mV,E铜-铂(100,0)=0.75mV,E康铜-铂(100,0)=-0.35mV 。 7、弹簧管压力计中游丝的作用是:恢复、导电、径向间隙小。 9、标准节流装置由节流元件、取压设备、后面的直管段三部分组成,孔板取压有角接取压;法兰取压和径距取压三种方式。 10、气体的体积流量q v 。 11、系统的绝对误差传递公式为 12、根据统计学原理,随机误差服从_统计规律__,因而可采用_统计法则__对含有随机误差的测量结果加以表达。 15、某种铜热敏电阻30℃时的电阻值R1=1.812kΩ,35℃时的电阻值R2=1.510kΩ,那么热敏电阻在32℃时的电阻值为:1.683 kΩ。 16、氧化锆氧量计安装方式分为抽出式和___直插式__。 20、红外气体分析仪工作原理是:被测气体对红外线的吸收程度,来对多组分混合气体进行定量分析。 22、请指出下列误差属于哪类误差(系统误差、随机误差、粗大误差)。 (1)用一块万用表测量同一电压,重复测量15次后所得的结果误差。 (2)观测者抄写记录时错写了数据造成的误差。 (3)在流量测量中,流体温度、压力偏离设计值造成的流量误差。 23、常用的压力传感器有:应变式、压电式、压阻式、电感式和电容式等型式。 24、某压力表的量程是20MPa,测量值的误差不允许超过0.05 MPa,则仪表的精度为0.25级。 25、标准误差、平均误差、或然误差、极限误差落在所属范围内的概率大小顺序依次为(用“>”或“<”排列)极限误差>标准误差>平均误差>或然误差。 26、热电偶是基于塞贝克效应原理发展起来的一种测温传感器,两种不同导体A、B组成的闭合回路,当A、B两接点的温度不同时,回路中会产生热电势,研究表明热电势是由温差电势和接触电势两种电势组成。 32、热电阻测温常采用“三线制”接法,其目的在于消除连接导线电阻造成的附加误差。 34、激光多普勒效应是指:一定频率的激光照射到具有一定速度的运动粒子上,粒子对光有散射作用,散射光的频率与直射光的频率有一定的偏差,其频移量与运动粒子的速度成正比,只要测得频移,就可算出流速。

中国集成电路半导体行业研究报告

广州创亚企业管理顾问有限公司 中国集成电路设备与半导体行业分析报告

目录Contents

?1.1集成电路设备的定义 集成电路的概述 ?1.2集成电路设备的发展历程 ?1.3我国集成电路的发展历程 ?2.1集成电路设备的总体规模集成电路设备的生产现状 ?2.2集成电路设备产能状况 ?3.1半导体集成电路设备的品牌发展现状半导体集成电路设备的发展现状 ?3.2半导体集成电路设备经典工艺与现状 ?3.3半导体集成电路设备的市场容量 ?4.1半导体集成电路设备模式分析 ?4.2半导体集成电路设备行业投资环境半导体集成电路设备的发展前景 ?4.3半导体集成电路设备投资机会 ?4.3半导体集成电路设备投资方向

集成电路的概述 1.1集成电路设备的定义 集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特·诺伊思(基于硅(Si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

1.2集成电路的发展大事件 1947年 ?贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑。 1958年 ?仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史。1960年 ?H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺。 1963年 ?F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,如今,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。 1966年?美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义。 1971年?Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现。 ?全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明。 1978年?64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临。

《模拟集成电路设计原理》期末考试

1 《模拟集成电路设计原理》期末考试 一.填空题(每空1分,共14分) 1、与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小,CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。 2、放大应用时,通常使MOS管工作在_ 饱和_区,电流受栅源过驱动电压控制,我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数,对于较长的沟道,λ值____较小___(较大、较小)。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高,因此可以做成___恒定电流源_。 6、 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素,共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。 7、理想情况下,_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响,实际应用中,为了抑制沟长调制效应带来的误差,可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解,在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示,电路的输入电容Cin为__ CF(1-A) __。 10、λ为沟长调制效应系数,λ值与沟道长度成___反比__(正比、反比)。 二.名词解释(每题3分,共15分) 11、1、阱 解:在CMOS工艺中,PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上,其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上,这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解:实际上,VGS=VTH时,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流,甚至当VGS

集成电路基础工艺和版图设计测试试卷

集成电路基础工艺和版图设计测试试卷 (考试时间:60分钟,总分100分) 第一部分、填空题(共30分。每空2分) 1、NMOS是利用电子来传输电信号的金属半导体;PMOS是利用空穴来传输电信号的金属半导体。 2、集成电路即“IC”,俗称芯片,按功能不同可分为数字集成电路和模拟集成电路,按导电类型不同可分为 双极型集成电路和单极型集成电路,前者频率特性好,但功耗较大,而且制作工艺复杂,不利于大规模集成;后者工作速度低,但是输入阻抗高、功耗小、制作工艺简单、易于大规模集成。 3、金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管即MOS管,是一个四端有源器件,其四端分别是栅 极、源极、漏极、背栅。 4、集成电路设计分为全定制设计方法和半定制设计方法,其中全定制设计方法又分为基于门阵列和标准单元 的设计方法,芯片利用率最低的是基于门阵列的设计方法。 第二部分、不定项选择题(共45分。每题3分,多选,错选不得分,少选得1分) 1、在CMOS集成电路中,以下属于常用电容类型的有(ABCD) A、MOS电容 B、双层多晶硅电容 C、金属多晶硅电容 D、金属—金属电容 2、在CMOS集成电路中,以下属于常用电阻类型的有(ABCD) A、源漏扩散电阻 B、阱扩散电阻 C、沟道电阻 D、多晶硅电阻 3、以下属于无源器件的是(CD ) A、MOS晶体管 B、BJT晶体管 C、POL Y电阻 D、MIM电容 4、与芯片成本相关的是(ABC) A、晶圆上功能完好的芯片数 B、晶圆成本 C、芯片的成品率 D、以上都不是 5、通孔的作用是(AB ) A、连接相邻的不同金属层 B、使跳线成为可能 C、连接第一层金属和有源区 D、连接第一层金属和衬底 6、IC版图的可靠性设计主要体现在(ABC)等方面,避免器件出现毁灭性失效而影响良率。 A、天线效应 B、闩锁(Latch up) C、ESD(静电泄放)保护 D、工艺角(process corner)分析 7、减小晶体管尺寸可以有效提高数字集成电路的性能,其原因是(AB) A、寄生电容减小,增加开关速度 B、门延时和功耗乘积减小 C、高阶物理效应减少 D、门翻转电流减小 8、一般在版图设计中可能要对电源线等非常宽的金属线进行宽金属开槽,主要是抑制热效应对芯片的损害。下面哪些做法符合宽金属开槽的基本规则?(ABCD) A、开槽的拐角处呈45度角,减轻大电流密度导致的压力 B、把很宽的金属线分成几个宽度小于规则最小宽度的金属线 C、开槽的放置应该总是与电流的方向一致 D、在拐角、T型结构和电源PAD区域开槽之前要分析电流流向 9、以下版图的图层中与工艺制造中出现的外延层可能直接相接触的是(AB)。 A、AA(active area) B、NW(N-Well) C、POLY D、METAL1

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