3模拟电路习题-计算题

3模拟电路计算题

1、放大电路如图1所示,若V CC =12V ，R c =5.1k Ω， R b =400 k Ω，R e1 =100 Ω， R e2=2k Ω，R L =5.1 k Ω，β=50，

Ω='300b b r

(1)、求静态工作点； (2)、画出其h 参数小信号等效电路； (3)、求A v 、R i 和R o 。

2、放大电路如图2所示，

（1）画出电路的小信号等效电路；（2）写出计算电压放大倍数

o V V V A 11=和

i o V V V A 2

2=的表达式；

（3）画出当R c =R e 时的两个输出电压

1o V 和2o V 的波形（与正弦波i V 相对应）。

3、如图3所示，设100=β,V V CC 10=，Ω=k Rb 201,Ω=k Rb 152，。Ω==k RC 2Re 。

试求：（1）Q 点；

（2）电压增益i

V V V A 011=

和

V V V A 022=

（3）输入电阻i R ；（4）输出电阻

0201R R 和

4、三极管放大电路如图4所示。

已知：r bb ’=300Ω，β=49，V BEQ =0.7V R C =6.4K Ω，R L =6.4K Ω，R E =2.3K Ω （1）画出其微变等效电路（2）计算电压放大倍数A u （3）计算输出电阻R o

5、电路如图5所示，已知V T =2V ，I DO =1mA ，g m =30mS 。电容足够大，其它参数如图所示。求：（1）电路的静态工作点；

（2）画出低频小信号等效模型；

（3

）中频电压增益、输入电阻、输出电阻。

图16 图4

6、电路如图6，已知50=β，Ω='200b b r ，V

BEQ

=0.7V ，

V CC =12V ，

KΩ=570b R ，KΩ=4C R ，KΩ=4L R

（1）、估算电路的静态工作点：I BQ ，I CQ ，V CEQ ；（2）、计算交流参数A V 、R i 、R o 值；

（3）、如输出电压信号产生顶部失真，是截止失真

还是饱和失真，应调整那个元件值，如何调？

（4）、请简要说明环境温度变化对该电路静态工作点的影响。

7、电路如图7所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降V C E S ＝0.5V 。（1）、正常情况；（2）、R b1短路；（3）、R b1开路；（4）、R b2开路；（5）、R C 短路。

图5

V DD 12V

R s 2K

v i

R g2 2M

R g1 2M

R d 2K

v o R L 2K

C 1

C 2

C 3

8、电路如图8（a ）所示，其中电容C 1、C 2的容量视为无限大。试回答下列问题：

（1）写出直流负载线表达式，在图8（b ）上画出直流负载线，求出静态工作点（I CQ ，V CEQ ，I BQ ）；（2）画出

放大电路的微变等效电路；（3）求出电压增益V A

、输入电阻R i 及输出电阻R o 。

9、在图9中，已知R b1=300K Ω，R c1=2K Ω,R b2=200K Ω，R e =2K Ω，R L =2K Ω，I E2=2.2mA ， β1=β2=60。求：

（1）第一级的静态工作点；（2）放大器的输入电阻和输出电阻；（3）总的电压放大倍数。

图题8

3K Ω

C 1

C 2

+V CC

+6V i v

o v

50=β

3K Ω

R L

R b

256K Ω

图（a ）

)

(V v CE

图(b)

10、功率放大电路如图10所示，设输入v i 为正弦波。（１）、静态时，输出电容C 2 上的电压应调为多少伏? （２）、R L 得到的最大不失真输出功率大约是多少？

（３）、直流电源供给的功率为多少？

（４）、该电路的效率是多少？

11、功率放大电路如图11示。设三极管的饱和压降V CES 为1V ，

为了使负载电阻获得12W 的功率。请问：（1）正负电源至少应为多少伏？

（2）三极管的I CM ，V (BR)CEO 至少应为多少？

12、电路如图12所示,JFET 的g m =2mS ，r DS =20K Ω。

(1)求双端输出时的差模电压增益

o o VD v v v A 2

1-=

的值；

(2)求电路改为单端输出时,A VD1、A VC1和K CMR 的值。

图11

图10

v o

+ -

13、在图13中：KΩ=1R

，C=0.47uF ，KΩ=101R 问：

(1)、由该集成运放组成的电路是什么电路？ (2)、计算R 2的值？

(3)、计算输出电压的频率f 的值？

14、某集成运放的单元电路如图14所示，设T 1、T 2的特性相同，且β足够大，问：

（1）T 1和T 2组成什么电路？在电路中起什么作用？（2）写出I REF 和I C2的表达式，设V BE =0.7V ，V CC 和R 均为已知。

15、反馈电路如图15所示（a ）、(b)且满足深度负反馈的条件，判断其反馈类型并用近似估算法分别估算

它们的电压放大倍数。

图14

16、电路如图16所示，A 1，A 2，A 3均为理想运放，电源电压为±15V ，问：（1）、A 1、A 2、A 3分别组成何种基本应用电路。

(2)、A 1、A 2、A 3输入端那些是虚地、虚短、既不虚地也不虚短。 (3)、当V i1=1V ，V i2 =0.5V 时，V O1，V O2各为几伏？计算V O3的函数式？

17、在图17所示电路中，已知R 1＝R ＝R ＝100k Ω，R 2＝R f ＝100k Ω，C ＝1μF 。

(1)、判断图中的反馈类型。 (2）、试求出

v 与i v 的运算关系。

(3）、设t ＝0时0

v ＝0，且i v 由零跃变为-1V ，试求输出电压由零上升到＋6V 所需

要的时间。

18、理想运放构成的电路如图18所示，要求：

（1）写出o v 与1i v 、2i v 之间的表达式；

o v

图17

i v

（2）若R 1=R 3=10k Ω，R 2=2k Ω，R 4=R 5=40k Ω，

R 6=R 7=120k Ω，求。

19、图19所示电路，运放均为理想器件，求输出电压

o V 与输入电压21,i i V V 的关系。

20、图20(a)、(b)所示电路中，运放均为理想器件，求各电路输出电压V O 与输入电压V i 或V i1，V i2的关系。

21、电路如图21所示，已知T 1和T 2的饱和管压降U CES ＝2V ，A 为理想运放，忽略电阻的直流功耗。回答下列问题：

（1）R 3、R 4和T 3的作用是什么？

（2）负载上可能获得的最大输出功率P o m 和电路的转换效率η各为多少？（3）设最大输入电压的有效值为1V 。为了使电路的最大不失真输出电压的峰值达到16V ，电阻R 6至少应取多少千欧？

1i v

2i v

1o v

2o v

o v

+ - -

- A 1

A 2

A 3

R 1

R 2

R 3

R 4

R 5

R 7

图题18

1i i o

vf v v v A -=

22、如图22所示，图中A 为理想放大器，试回答

（1）该图为何电路？主要由哪几部分构成？并指出其相应的元器件。（2）计算其输出电压范围

23、运算电路如图23所示,A 1、A 2可视为理想运放，其中R 1=5k Ω、R 2=2 k Ω、R 3=R 4

=10

k Ω、R f1= R f2=10 k Ω试求：输出电压和输入电压之间的函数关系表达式及R P1和R P2的值。

24、图24所示，假设运放是理想的，其中

,8.0,6.021V v V v s s == ,501Ω=k R Ω

==k R R f 10021，

=k R f 502，

Ω=k R 333，试写出电路输出电压vo 的值。

图22

图21

25、如图25所示电路是一个正弦波振荡电路，问：

（1）、为保证电路正常的工作，节点K 、J 、L 、 M 应该如何连接？（2）、R2应该选多大才能振荡？（3）、振荡的频率是多少？

（4）、R2使用热敏电阻时，应该具有何种温度系数？

26、一个输出电压为+6V 、输出电流为0.12A 的稳压电源电路如图26所示。如果已选定变压器次级电压有效值为10V ，试指出整流二极管的正向平均电流和反向峰值电压为多大，滤波电容器的容量大致在什么范围内选择，其耐压值至少不应低于多少，稳压管的稳压值应选多大。

27、电路如图27所示，已知：A 为理想运算放大器，C 1、C 2足够大，稳压管D Z 的稳压值V Z =6V ，三极管T 饱和时V CES =2V ，

Ω=3301R ，Ω=1502R ，Ω=3003R 。

(1)、试求V O 的值；

(2)、试估算电压值V I ，电路输入电压有效值V 2。

图25

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为；（3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是单向导电性。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用低通滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用高通滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用带阻滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用带通滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有交越失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ．减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

模拟电路典型例题讲解

3.3 频率响应典型习题详解【3-1】已知某放大器的传递函数为试画出相应的幅频特性与相频特性渐近波特图，并指出放大器的上限频率f H ，下限频率f L 及中频增益A I 各为多少？【解】本题用来熟悉：（1）由传递函数画波特图的方法；（2）由波特图确定放大器频响参数的方法。由传递函数可知，该放大器有两个极点：p 1=－102rad/s ，p 2=－105rad/s 和一个零点z =0。（1）将A (s )变换成以下标准形式：（2）将s =j ω代入上式得放大器的频率特性：写出其幅频特性及相频特性表达式如下：对A (ω)取对数得对数幅频特性：（3）在半对数坐标系中按20lg A (ω)及φ(ω)的关系作波特图，如题图3.1所示。

由题图3.1（a ）可得，放大器的中频增益A I =60dB ，上限频率f H =105/2π≈15.9kHz ，下限频率f L =102/2π≈15.9Hz 。【3-2】已知某放大器的频率特性表达式为试问该放大器的中频增益、上限频率及增益带宽积各为多少？【解】本题用来熟悉：由放大器的频率特性表达式确定其频率参数的方法。将给出的频率特性表达试变换成标准形式：则当ω = 0时，A (0) =200，即为放大器的直流增益（或低频增益）。当ω =ωH 时， ωH =106rad/s 相应的上限频率为由增益带宽积的定义可求得：GBW=│A (0)·f H │≈31.84MHz 思考：此题是否可用波特图求解？【3-3】已知某晶体管电流放大倍数β的频率特性波特图如题图3.2（a ）所示，试写出β的频率特性表达式，分别指出该管的ωβ、ωT 各为多少？并画出其相频特性的渐近波特图。

模拟电路期末试卷及答案

《模拟电子技术基础（1）》期末试题（A 卷）参考答案及评分标准一、填空（每空1分，共20分） 1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。 2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。 3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。 4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。 5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，1T 接成共基组态，2T 接成共集组态，1R 和2R 的作用是为T1管提供基极偏置。 6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。 7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。 8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πω?±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分） 1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。 601 .06 === B C I I β， 985.01≈+= ββα （各1分，共2分）

2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？ R f 应如何接入？（在图中连接）答：应接入电压串联负反馈（1分） R接法如图（1分） f （2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分） 3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。（组成部分3分，功能2分）

模拟电子技术习题及答案定稿版

模拟电子技术习题及答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。

模拟电子技术基础试题汇总

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将( )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( )。 ( A)温度稳定性( B)单向导电性( C)放大作用( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生 ( )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝，关于输出电压的说法正确的是( )。 A：u I1=3V，u I2=时输出电压为。 B：u I1=3V，u I2=时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=，u I2=时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。

8. 直流负反馈是指( ) A. 存在于RC 耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A 为理想运放，则电路的输出电压约为( ) A. － B. －5V C. － D. － 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV ,则差模输入电压△υid 为( ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( )。 A. 共射电路 B. 共基电路 C. 共集电路 D. 共集-共基串联电路 13. 在考虑放大电路的频率失真时，若i υ为正弦波，则o υ( ) A. 有可能产生相位失真 B. 有可能产生幅度失真和相位失真 C. 一定会产生非线性失真 D. 不会产生线性失真 14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在( )。 A. 开环或正反馈状态 B. 深度负反馈状态 C. 放大状态 D. 线性工作状态 15. 多级负反馈放大电路在( )情况下容易引起自激。 A. 回路增益F A &&大 B 反馈系数太小

电路与模拟电子技术习题集模拟电子技术部分答案

33.差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。 34.如图2.5所示的功率放大电路处于乙类工作状态；其静态损耗为0 ；电路的最大输出功率为L CC R V 2 2 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的0.2倍。 35.差分电路的两个输入端电压分别为U i1=2.00V，U i2=1.98V，则该电路的差模输入电压U id为0.02V，共模输入电压U ic为1.99V。 36．直流通路是指在直流电源作用下直流电流流经的通路，交流通路是指在信号源作用下交流电流流经的通路。画直流通路时电容可视为开路，电感可视为短路；画交流通路时容量大的电容和无阻的直流电压源可视为短路。 37.共射放大电路的特点是电压放大倍数较大，共集放大电路的特点是输入电阻较大。三、问答题 1．什么是非线性失真？说明产生非线性失真的原因。分别说明静态工作点偏高和偏低时会产生什么失真。答：（1）非线性失真是指由于三极管的非线性特性所引起的失真。（2）产生的原因：静态工作点设置不合适。（3）静态工作点设置偏高时会产生饱和失真。（4）偏低时会产生截止失真。 2．什么是放大电路的直流通路？什么是放大电路的交流通路？说明画直流通路和交流通路的方法。答：（1）直流通路：直流电流流过的通路。（2）交流通路：交流电流流过的通路。（3）画直流通路的方法：电容开路。（若有电感，则电感短路）（4）画交流通路的方法：电容短路，令直流电源电压=0。 3．负反馈能改善放大电路的哪些性能？答：负反馈改善放大电路的性能：稳定放大倍数；改善非线性失真；抑制环干扰和噪声；改变输入电阻；改变输出电阻；展宽通频带；稳定被取样对象。 4. 判断图3.1所示电路级间反馈的反馈极性、反馈组态。答：RF1——电压串联负反馈；RF2——电流并联负反馈 V 12 + i U + - F2 R Ω 7k 4 c1 R e1 R Ω .5k 1 + c2 R e2 R Ω k2 L R - o U 1 VT 2 VT + + F1 R Ω 0k 3 1 C 2 C 图3.1

模拟电路考试题及答案【精】

自测题一一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（F） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（T） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（F）二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。(X 轴为电压) A．右移B．左移C．上移D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（B ）能力的参数。（三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压 6．温度升高时，三极管的β值将（A ）。 A．增大B．减少C．不变D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（B ）。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U6 1 =，V U4.5 2 =，V U12 3 =，则对应该管的管脚排列依次是（B）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。 6．三极管最重要的特性是电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。 8．场效应晶体管属于电压控制器件。精选文档

《模拟电子技术》模拟试题与答案解析

《模拟电子技术》模拟题1及答案一、判断（10分） 1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（） 2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（） 3、PN结具有单向导电特性。（） 4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（） 5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（） 7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（） 8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。（） 10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。（）二、选择（10分） 1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。 A、3 B、5 C、2 D、4 2、稳压管工作于( )状态下，可以稳定电压。 A、正偏导通 B、反偏截止 C、反向击穿 3、三极管放大的外部条件( )。 A、正偏导通，反偏截止 B、正偏截止，反偏导通 C、正偏导通，反偏导通 D、正偏截止，反偏截止 4、既能放大电压，也能放大电流的电路( )。 A、共发射极 B、共集电极 C、共基级 D、以上均不能 5、共模抑制比CMR K越大，表明电路（）。 A、放大倍数越稳定； B、交流放大倍数越大； C、抑制温漂能力越强； D、输入信号中的差模成分越大。6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 D、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。 A、RC振荡电路 B、LC振荡电路 C、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号ui=5sinωt V,试画出输出电压uo1和uo2的波形，设二极管为理想二极管。（每题10分，共20分）

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ）姓名班级学号计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。（5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。（10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1．试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3．若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的＝100，' bb A 、R i和R o；（1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波

模拟电子技术基础试题及复习资料

一、在括号内用“√”或“×”表明下列说法是否正确。 (1I)只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用；( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是有由有源元件提供的；( ) (4)电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；( ) (6)由于放大的对象象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都豪无变化；( ) (7)只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 【解答】(1)×。放大的特征是功率的放大，电压电流其中一个或两个都放大都可称放大，但放大的前提条件是不能失真。 (2) √。放大的特征就是功率的放大。 (3)×。应该是由有源元件通过对输入信号的控制和转换得到的，而不是直接提供。 (4)×。． (5) √。设置合适的静态工作点。 (6)×。任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。 (7)×。二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电对交流信号均可视为短路。，【解答1 (a)不能。因为输人信号被VBB所影响。 (a)

例1--3 为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?能否用判别晶体管的简易方法来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极? 【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>0的情况下才可能有导电沟道，P沟道的场效应管，必须在UGs<0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。 ‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能用测晶体管的办法来检测。对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。自测题分析与解答一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×’’表示判断结果填人空内。 (1)在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其 R大的特点。( ) GS u大于零，则其输入电阻会明显变小。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的 GS 【解答】(1) √。三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就能将N型半导体转变为P型半导体。，． (2)×。N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。 (3) √。由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。 (4)×。在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达集电区形成漂移电流。 (5)√。当、|UGs l增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。当沟道消失时，RGs趋于无穷大。 4 (6)×。因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。二、选择正确答案填人空内。 (1)PN结加正向电压时，空间电荷区将。． A．变窄 B．基本不变 C．变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏

电路与模拟电路习题

E1-1：电路如E1-1所示，已知R=3Ω。在下列两种情况下，求流过电阻R的电流I和R两端的电压UAB，并说明其实际方向：（1）E1=6V，E2=9V；（2）E2=6V，E1=9V。 E1-3：求题图E1-3所示电路中的U AB U BD U AD。 E1-18：在题图E1-18所示电路中（点画线圆内的元件是晶体管），已知：R C=3K Ω，R E=1.5KΩ，I E =40μA，I C=1.6mA，求I E，U CE和C点的电位V C。

E1-19：题图E1-19所示电路中，已知I=2A，U AB=6V，求电阻R的值。 E1-20：电路如题图E1-20所示，已知：I S1=2A，I S2=4A，E1 =8V，E2=5V，E3=6V，R1=2Ω，R2=4Ω，R3=6Ω，R4=8Ω，R5=10Ω，求各电源的输出功率。

第二章 E2-1：如题图E2-1所示电路，求：电流I与电压U。 E2-3:如题图E2-3所示电路，已知：R1=400Ω，R3=600Ω，R6=60Ω，I S2=40A，I S7=36A.求：I4=？，I5=？ E2-5：如题图E2-5所示电路，已知：I S1=2A，I S2=4A，R1=2Ω，R2=4Ω，R3=6Ω，R4=8Ω，R5=10Ω，求：各电源的输出功率。

E2-7：电路如题图E2-7所示，求流过6Ω电阻的电流。 E2-9：电路如题图E2-9所示，求b点电位。 E2-11：已知电路如题图E2-11（a）、（b）所示，从图（a）得知U ab=10V，从图（b）得知a，b两点之间的短路电流I SC=22mA，求有源二端网络N的戴维宁等效电路。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。 2

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填空题 1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3单向导电性大于漂移电流，耗尽层变窄。 4单向导电性电阻 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下模拟电子技术。 6、PN 结反向偏置时，PN 增强具有具有单向导电 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7V th 约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P 型半导体的多子为空穴、N 自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N） 11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。 13输出随频率连续变化的稳态响应 15、N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴 16甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 I BQ增大， I CQ增大， U CEQ减小。 19截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 V a = 1.2V， V b = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管管（材料），NPN型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的C。 21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB 和 20dB, 则该放大电路总的对数增益为80 dB，总的电压放大倍数为 10000 。发射结正偏、集电结反偏得管脚电压V a= -1V，V b=-3.2V, V c=-3.9V,这是硅管（硅、锗），NP N型，集电极管 a。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和_变压器耦合_，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。 4V，接入12kΩ 3V，这说明放大 4 kΩ。 26 正向偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使 V BC＜0 27变压器耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射组态有电共射和共集组态有倒相作用；共集组态带负载能力强，共集共基 29共集、共基、共射。 30直接耦合，阻容耦合，变压器耦合 31O I O I 1800；当为共集电极电路时，则V O和V I0