半导体集成电路项目规划设计方案

半导体集成电路项目规划设计方案
半导体集成电路项目规划设计方案

半导体集成电路项目规划设计方案

规划设计/投资分析/实施方案

摘要

该半导体集成电路项目计划总投资21252.85万元,其中:固定资产投资16297.49万元,占项目总投资的76.68%;流动资金4955.36万元,占项目总投资的23.32%。

达产年营业收入42842.00万元,总成本费用34173.50万元,税金及附加364.82万元,利润总额8668.50万元,利税总额10228.98万元,税后净利润6501.38万元,达产年纳税总额3727.61万元;达产年投资利润率40.79%,投资利税率48.13%,投资回报率30.59%,全部投资回收期

4.77年,提供就业职位978个。

报告根据项目实际情况,提出项目组织、建设管理、竣工验收、经营管理等初步方案;结合项目特点提出合理的总体及分年度实施进度计划。

在国家政策大力支持下,我国集成电路市场保持高速增长,根据中国半导体行业协会统计,自2009年至2018年,我国集成电路销售规模从

1,109亿元增长至6,532亿元,期间的年均复合增长率达到21.78%。2018年,受第四季度全球半导体市场下滑影响,中国集成电路产业2018年全年增速有所放缓,同比增长20.7%,其中,设计业同比增长21.5%;制造业同比增长25.6%;封装测试业同比增长16.1%。

报告主要内容:概况、建设背景及必要性、市场调研预测、投资建设方案、项目选址、建设方案设计、工艺分析、项目环境保护和绿色生产分

析、安全生产经营、风险应对评估、节能评价、项目进度说明、投资可行性分析、经济效益分析、项目综合评估等。

半导体集成电路项目规划设计方案目录

第一章概况

第二章建设背景及必要性

第三章投资建设方案

第四章项目选址

第五章建设方案设计

第六章工艺分析

第七章项目环境保护和绿色生产分析第八章安全生产经营

第九章风险应对评估

第十章节能评价

第十一章项目进度说明

第十二章投资可行性分析

第十三章经济效益分析

第十四章项目招投标方案

第十五章项目综合评估

第一章概况

一、项目承办单位基本情况

(一)公司名称

xxx有限公司

(二)公司简介

公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为

导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和

一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。在本着“质量第一,信誉

至上”的经营宗旨,高瞻远瞩的经营方针,不断创新,全面提升产品品牌

特色及服务内涵,强化公司形象,立志成为全国知名的产品供应商。

公司坚持走“专、精、特、新”的发展道路,不断推动转型升级,使

产品在全球市场拥有一流的竞争力。公司基于业务优化提升客户体验与满

意度,通过关键业务优化改善产业相关流程;并结合大数据等技术实现智

能化管理,推动业务体系提升。公司自成立以来,在整合产业服务资源的

基础上,积累用户需求实现技术创新,专注为客户创造价值。

公司坚守企业契约精神,专业为客户提供优质产品,致力成为行业领

先企业,创造价值,履行社会责任。公司建立完整的质量控制体系,贯穿

于公司采购、研发、生产、仓储、销售等各环节,并制定了《产品开发控

制程序》、《产品审核程序》、《产品检测控制程序》、等质量控制制度。

公司自设立以来,组建了一批经验丰富、能力优秀的管理团队。管理团队人员对行业有着深刻的认识,能够敏锐地把握行业内的发展趋势,抓住业务拓展机会,对公司未来发展有着科学的规划。相关管理人员利用自己在行业内深耕积累的经验优势,为公司未来业绩发展提供了有力保障。

(三)公司经济效益分析

上一年度,xxx集团实现营业收入33039.61万元,同比增长15.46%(4423.96万元)。其中,主营业业务半导体集成电路生产及销售收入为30051.39万元,占营业总收入的90.96%。

上年度主要经济指标

根据初步统计测算,公司实现利润总额7703.08万元,较去年同期相比增长861.77万元,增长率12.60%;实现净利润5777.31万元,较去年同

期相比增长535.55万元,增长率10.22%。

上年度主要经济指标

二、项目建设符合性

(一)产业发展政策符合性

由xxx有限公司承办的“半导体集成电路项目”主要从事半导体集成电路项目投资经营,其不属于国家发展改革委《产业结构调整指导目录(2011年本)》(2013年修正)有关条款限制类及淘汰类项目。

(二)项目选址与用地规划相容性

半导体集成电路项目选址于xxx新兴产业示范区,项目所占用地为规划工业用地,符合用地规划要求,此外,项目建设前后,未改变项目建设区域环境功能区划;在落实该项目提出的各项污染防治措施后,可确保污染物达标排放,满足xxx新兴产业示范区环境保护规划要求。因此,建设项目符合项目建设区域用地规划、产业规划、环境保护规划等规划要求。

(三)“三线一单”符合性

1、生态保护红线:半导体集成电路项目用地性质为建设用地,不在主导生态功能区范围内,且不在当地饮用水水源区、风景区、自然保护区等生态保护区内,符合生态保护红线要求。

2、环境质量底线:该项目建设区域环境质量不低于项目所在地环境功能区划要求,有一定的环境容量,符合环境质量底线要求。

3、资源利用上线:项目营运过程消耗一定的电能、水,资源消耗量相对于区域资源利用总量较少,符合资源利用上线要求。

4、环境准入负面清单:该项目所在地无环境准入负面清单,项目采取环境保护措施后,废气、废水、噪声均可达标排放,固体废物能够得到合理处置,不会产生二次污染。

三、项目概况

(一)项目名称

半导体集成电路项目

(二)项目选址

xxx新兴产业示范区

(三)项目用地规模

项目总用地面积55334.32平方米(折合约82.96亩)。

(四)项目用地控制指标

该工程规划建筑系数58.54%,建筑容积率1.64,建设区域绿化覆盖率6.18%,固定资产投资强度196.45万元/亩。

(五)土建工程指标

项目净用地面积55334.32平方米,建筑物基底占地面积32392.71平方米,总建筑面积90748.28平方米,其中:规划建设主体工程54656.73平方米,项目规划绿化面积5609.60平方米。

(六)设备选型方案

项目计划购置设备共计126台(套),设备购置费5836.20万元。

(七)节能分析

1、项目年用电量1276144.34千瓦时,折合156.84吨标准煤。

2、项目年总用水量48401.75立方米,折合4.13吨标准煤。

3、“半导体集成电路项目投资建设项目”,年用电量1276144.34千

瓦时,年总用水量48401.75立方米,项目年综合总耗能量(当量值)

160.97吨标准煤/年。达产年综合节能量65.75吨标准煤/年,项目总节能

率29.69%,能源利用效果良好。

(八)环境保护

项目符合xxx新兴产业示范区发展规划,符合xxx新兴产业示范区产

业结构调整规划和国家的产业发展政策;对产生的各类污染物都采取了切

实可行的治理措施,严格控制在国家规定的排放标准内,项目建设不会对

区域生态环境产生明显的影响。

(九)项目总投资及资金构成

项目预计总投资21252.85万元,其中:固定资产投资16297.49万元,占项目总投资的76.68%;流动资金4955.36万元,占项目总投资的23.32%。

(十)资金筹措

该项目现阶段投资均由企业自筹。

(十一)项目预期经济效益规划目标

预期达产年营业收入42842.00万元,总成本费用34173.50万元,税

金及附加364.82万元,利润总额8668.50万元,利税总额10228.98万元,税后净利润6501.38万元,达产年纳税总额3727.61万元;达产年投资利

润率40.79%,投资利税率48.13%,投资回报率30.59%,全部投资回收期

4.77年,提供就业职位978个。

(十二)进度规划

本期工程项目建设期限规划12个月。

项目承办单位要在技术准备、人员配备、施工机械、材料供应等方面

给予充分保证。选派组织能力强、技术素质高、施工经验丰富、最优秀的

工程技术人员和施工队伍投入本项目施工。

四、项目评价

1、本期工程项目符合国家产业发展政策和规划要求,符合xxx新兴产

业示范区及xxx新兴产业示范区半导体集成电路行业布局和结构调整政策;项目的建设对促进xxx新兴产业示范区半导体集成电路产业结构、技术结构、组织结构、产品结构的调整优化有着积极的推动意义。

2、xxx集团为适应国内外市场需求,拟建“半导体集成电路项目”,

本期工程项目的建设能够有力促进xxx新兴产业示范区经济发展,为社会

提供就业职位978个,达产年纳税总额3727.61万元,可以促进xxx新兴

产业示范区区域经济的繁荣发展和社会稳定,为地方财政收入做出积极的

贡献。

3、项目达产年投资利润率40.79%,投资利税率48.13%,全部投资回

报率30.59%,全部投资回收期4.77年,固定资产投资回收期4.77年(含

建设期),项目具有较强的盈利能力和抗风险能力。

4、改革开放以来,我国非公有制经济发展迅速,在支撑增长、促进就业、扩大创新、增加税收,推动社会主义市场经济制度完善等方面发挥了

重要作用,已成为我国经济社会发展的重要基础。但部分民营企业经营管

理方式和发展模式粗放,管理方式、管理理念落后,风险防范机制不健全,先进管理模式和管理手段应用不够广泛,企业文化和社会责任缺乏,难以

适应我国经济社会发展的新常态和新要求。公有制为主体、多种所有制经

济共同发展,是我国的基本经济制度;毫不动摇巩固和发展公有制经济,毫

不动摇鼓励、支持和引导非公有制经济发展,是党和国家的大政方针。今天,我们对民营经济的包容与支持始终如一,人们在市场经济中创造未来

的激情也澎湃如昨。近年来,国家先后出台了“非公经济36条”、“民间

投资36条”、“鼓励社会投资39条”、“激发民间有效投资活力10条”、《关于深化投融资体制改革的意见》等一系列政策措施,大力营造一视同

仁的市场环境,激发民间投资活力。国家发改委会同各地方、各部门,认

真贯彻落实中央关于促进民间投资发展的决策部署,取得了明显成效。今

年以来,民间投资增速持续保持在8%以上,前7个月达到了8.8%,始终高

于整体投资增速,占全部投资的比重达到62.6%。引导民间投资参与制造业重大项目建设,国务院办公厅转发财政部发展改革委人民银行《关于在公

共服务领域推广政府和社会资本合作模式指导意见》,要求广泛采用政府

和社会资本合作(PPP)模式。为推动《中国制造2025》国家战略实施,中央财政在工业转型升级资金基础上整合设立了工业转型升级(中国制造2025)资金。围绕《中国制造2025》战略,重点解决产业发展的基础、共

性问题,充分发挥政府资金的引导作用,带动产业向纵深发展。重点支持

制造业关键领域和薄弱环节发展,加强产业链条关键环节支持力度,为各类企业转型升级提供产业和技术支撑。

综上所述,项目的建设和实施无论是经济效益、社会效益还是环境保护、清洁生产都是积极可行的。

五、主要经济指标

主要经济指标一览表

第二章建设背景及必要性

据世界半导体贸易统计协会(“WSTS”)的报告,2018年全球半

导体市场销售收入4,688亿美元,同比增长13.7%,其中集成电路市场同比增长14.6%,存储器芯片市场同比增长27.4%。受半导体景气周期

影响,同时随着存储器芯片市场的供需关系渐趋于合理,预计2019年

全球半导体市场销售收入将下降3.0%,集成电路销售收入将下降4.1%。

在国家政策大力支持下,我国集成电路市场保持高速增长,根据

中国半导体行业协会统计,自2009年至2018年,我国集成电路销售

规模从1,109亿元增长至6,532亿元,期间的年均复合增长率达到

21.78%。2018年,受第四季度全球半导体市场下滑影响,中国集成电

路产业2018年全年增速有所放缓,同比增长20.7%,其中,设计业同

比增长21.5%;制造业同比增长25.6%;封装测试业同比增长16.1%。

由于市场对于微型化、更强功能性及热电性能改善的需求提升,

半导体封测技术的精密度、复杂度和定制性继续增强。该趋势导致众

多集成电路制造商将封测业务外包给专门的封测外包企业,不仅有利

于提升产品品质,同时还可以降低此资本密集度较高行业的资本支出。许多集成电路制造商还将封测外包企业作为获得封测新设计和先进互

连技术的主要来源,同时借此降低内部研发成本,所以市场对于封测外包企业的技术和质量要求也越来越高。

集成电路封装技术的演进主要为了符合终端系统产品的需求,为配合系统产品多任务、小体积的发展趋势,集成电路封装技术的演进方向即为高密度、高脚位、薄型化、小型化。集成电路封装封装技术的发展可分为四个阶段,第一阶段:插孔原件时代;第二阶段:表面贴装时代;第三阶段:面积阵列封装时代;第四阶段:高密度系统级封装时代。目前,全球半导体封装的主流正处在第三阶段的成熟期,FC、QFN、BGA和WLCSP等主要封装技术进行大规模生产,部分产品已开始在向第四阶段发展。SiP和3D是封装未来重要的发展趋势,但鉴于目前多芯片系统级封装技术及3D封装技术难度较大、成本较高,倒装技术和芯片尺寸封装仍是现阶段业界应用的主要技术。

近年来我国集成电路封装测试行业的快速增长,也带动了集成电路支撑产业的发展,国产装备和材料的进口替代份额正在逐步增加。

集成电路封装测试行业是为集成电路设计公司及系统集成商提供芯片封测服务。设计公司及系统集成商可以根据消费市场的需求不断创新产品,同时新产品又创造了新的需求,拉动消费市场的增长。终端设备的智能化、功能多样化、轻薄小型化促使芯片封测技术不断向

高密度、高速率、高散热、低功耗、低时延、低成本演进。集成电路设计拉动了半导体产业的技术进步和产品更新,而制造业、封测业及支撑业的技术进步又促进了集成电路设计业的发展,随着集成电路进入后摩尔时代,集成电路上下游产业链的协同创新的作用显得更为突出和重要。

第三章投资建设方案

一、产品规划

项目主要产品为半导体集成电路,根据市场情况,预计年产值42842.00万元。

进入二十一世纪以来,随着我国国民经济的快速持续发展,经济建设提出了走新型工业化发展道路的目标,国家出台并实施了加快经济发展的一系列政策,对于相关行业来说,调整产业结构、提高管理水平、筹措发展资金、参与国际分工,都将起到积极的推动作用,尤其是随着我国国民经济逐渐融入全球经济大循环,各行各业面临市场国际化,相应企业将面对极具技术优势、管理优势、品牌优势的竞争对手,市场份额将会形成新的分配格局。项目产品的市场需求是投资项目存在和发展的基础,市场需要量是根据分析项目产品市场容量、产品产量及其技术发展来进行预测;目前,我国各行业及各个领域对项目产品需求量很大,由于此类产品具有市场需求多样化、升级换代快的特点,所以项目产品的生产量满足不了市场要求,每年还需大量从外埠调入或国外进口,商品市场需求高于产品制造发展速度,因此,项目产品具有广阔的潜在市场。通过对国内外市场需求预测可以看出,我国项目产品将以内销为主并扩大外销,随着产品宣传力度的加大,产品价格的降低,产品质量的提高和产品的多样化,项目产

品必将更受欢迎;通过对市场需求预测分析,国内外市场对项目产品的需

求量均呈逐年增加的趋势,市场销售前景非常看好。

二、建设规模

(一)用地规模

该项目总征地面积55334.32平方米(折合约82.96亩),其中:净用

地面积55334.32平方米(红线范围折合约82.96亩)。项目规划总建筑面

积90748.28平方米,其中:规划建设主体工程54656.73平方米,计容建

筑面积90748.28平方米;预计建筑工程投资7914.94万元。

(二)设备购置

项目计划购置设备共计126台(套),设备购置费5836.20万元。

(三)产能规模

项目计划总投资21252.85万元;预计年实现营业收入42842.00万元。

第四章项目选址

一、项目选址原则

项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求,同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址,并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。

二、项目选址

该项目选址位于xxx新兴产业示范区。

园区围绕《中国制造2025》10大重点发展领域,通过改造、提升、补链、拓新,延伸产业链,发展高端装备、先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电力装备、农机装备等产业链条,围绕项目引进一批延链、补链企业,打造装备制造产业链。园区规划面积50平方公里,启动区面积为10平方公里,处于多条高速公路交织地带,是贵州省东西、南北交通节点城市,也是陆路出海通道必经之地。铁路与公路交通极其便利。目前园区内已成为全省重要的经济增长极,是发挥自身资源优势与产业集群效应的重要平台。园区“十三五”期间贯彻落实“四个全面”战略布局和“五大”发展理念,抢抓实施“中国制造2025”的重大机遇,顺应“互联网+”的发展趋势,坚持以生态文明建设为领,以推进创新发展和供给侧结构性改革为动力,以加快新一代信息技术与制造业深度融合为主线,以提升工业经

项目建设方案及工作计划

项目建设方案及工作计划 为了确保XXX渔港项目顺利建设并有效控制建设成本,我司拟定了以下的项目建设方案及工作安排: 一、项目招标方案 XXX渔港工程招标工作必须遵循国家建筑法规定的招投标程序(要求)分两部分进行,一是工程监理单位的招投标;二是水工工程的招投标。现将招投标的具体内容、条件以及成本等建议如下:(一)工程监理的招投标 1、投标人的资质要求 具有水运工程监理乙级及以上资质,且具有类似工程监理经验。投标人拟组建的监理机构中的总监理工程师必须具有港口与航道工 程专业高级职称和10年以上从事工程建设监理工作的经历,并取得交通部监理工程师证书;总监代表、驻地监理工程师必须是交通部批准注册的水运工程监理工程师或专项监理工程师;旁站监理员须有水工专业助理工程师以上技术职称和相应监理业务培训证书。常驻现场监理人员不少于3人且取得交通部批准的监理工程师或专业监理工 程师注册证书的人员达到60%以上。 2、招标代理公司的资质要求及费用: 依据《计价格[2002]1980号》文收取,约为中标金额的1%,因此监理标的代理费应控制在1万元以内。 3、XXX渔港工程施工监理单位服务时间、范围、质量标准: (1)工程总施工期为24个月。 (2)监理范围:所有水工建构筑物及港池航道工程施工监理, 监理阶段包括施工招标期、准备期、施工期、交工验收及保修期。

(3)工程质量标准:工程质量达到国家现行的工程质量检验评定标准规定的优良等级。 4、监理招标评标细则 本工程工程监理评标,采用综合评估的方法.总分值为100分。具体如下: 第一部分:监理大纲(40分) (1).质量控制体系完善,措施合理,得8分;否则酌情减分,但最低得分不少于6分; (2).投资控制体系完善,措施合理得8分;否则酌情减分,但最低得分不少于6分; (3).进度控制体系完善,措施合理得8分;否则酌情减分,但最低得分不少于6分; (4).合同管理措施得力、合理得8分;否则酌情减分,但最低得分不少于6分; (5).安全管理措施合理得8分;否则酌情减分,但最低得分不少于6分。 第二部分:监理费(30分) 《建设工程监理与相关服务收费管理规定》(国家发展改革委、建设部发改价格[2017]670号)规定价格为(120.8+78.1)×(4000-3000)/(5000-3000)×1.1×0.85=92.986万元。以规定价下浮10%作为最高限价即83.69万元,以规定价下浮20%作为最低限价74.39万元,超出此报价范围的投标报价为无效报价,得分为0分。将有效

产品设计实例说明

産品設計流程實例說明 作者:陳文龍浩漢産品設計股份有限公司 設計開發流程: 由於一般的廠商普遍對於生産品質管制與研發技術相當地重視,加上資訊的快速流通,使得各家同類商品在性能與品質上的差異已逐漸地縮小,雖然工業設計的基本觀念是“Form Follows Function-造形即機能",但面對市場商品的多元競爭壓力,工業設計更需從另外一些不同的角度去"將市場的競爭與需求轉換成産品的新造形,新趣味以提升具有吸引消費者的附加價值”-扮演著創造新價值的角色(Creating Value)正如臺灣在産品設計上的策略所強調的便是Inn value! 一個新産品的在設計開發,大概可分爲三個階段即“問題概念化,概念視覺化,設計商品化”。 對企業而言在展開工作時,會將內部各機能別的單位與專業人員整合起來,委外設計時,企業外部的設計公司則會扮演其中某一環節的工作角色以發揮其功能,不論是在企業內進行或以外包的方式展開,各部門,組織間的溝通與相互的專業尊重,將會是執行的重點與關鍵,現以案例-電冰箱的設計流程來加以說明。 Concept Definition 問題概念化: 首先針對將要設計發展的産品作全盤性的瞭解,透過資訊收集與市場調查的方法,去探詢市場上同類産品的競爭態勢,銷售狀況及消費者使用的情形(包括的操作的習慣,使用後的抱怨點與對新功能潛在的需求)還有市面上的流行事物。在分析評估後得加上公司發展策略的考量,以企劃出新産品的整體“概念”! 這樣的概念通常是以文字格式來作敍述,會將“市場定位”,“目標客層” ,“商品的訴求”,“性能的特色”與“售價定位”作定義式的條列描述 概念的形成的過程是需要資訊,經驗與轉換的能力,亦就是如何將資訊情報轉換産生市場上有意義的創意方向!通常我們會舉行Focus Group群體座談會,針對現有競爭的産品與及將推出市場的設計概念提案,與顧客直接面談,將消費者的需求作瞭解與澄清,並對設計方向提供建議與決策的依據! 由於網路與資訊系統的快速發展,今天只要有心想去收集市場相關的資訊,對於所有的廠商與設計公司來說,機會成本與資訊的涵蓋面都會是相似地相同的!但由於組成的設計開發團隊,各有其企業文化及産品策略的背景;所形成決策的主管其專長,喜愛與品味也不會相同,再加上每一個設計開發團隊的創意活力不會相當,所以解讀推研出來的概念與方向必然不同! 這個階段的工作不應該是由某一個部門完全來負責與執行,而不去與其他專業別進行溝通互動;因爲從創意管理的觀點來看,有時小小的相互觸動有可能會透過反饋的作用而擴大效益,轉化成突破性的機會! 圖1:舉行市場調研,透過Focus Group群體座談會來收集消費者的資訊。

半导体集成电路制造工艺

半导体集成电路制造工艺 一、集成电路的定义:集成电路是指半导体集成电路,即以半导体晶片材料为主,经热氧化工艺:干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造,将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上,执行十八、根据器件要求确定氧化方法:1、高质量氧化:干氧氧化或分压氧化;2、厚某种电子功能的微型化电路。微型化电路有集成电路、厚膜电路、薄膜电路和混合层的局部氧化或场氧化:干氧(10min)+湿氧+干氧(10min)或高压氧化;3、低表面态电路等多种形式。氧化:掺氯氧化;湿氧氧化加掺氯气氛退火或分压氧化(H2O或O2+N2 或Ar 或He 等)。二、集成电路的分类:十九、热氧化过程中硅中杂质的再分布1、硅中掺磷(1)温度一定时,水汽氧化(湿氧按电路功能分类:分为以门电路为基础的数字逻辑电路和以放大器为基础的线性电氧化)导致杂质再分布程度较大,其NS/NB 大于干氧氧化;(2)同一氧化气氛下,氧化路,还有微波集成电路和光集成电路等。温度越高,磷向硅内扩散的速度越快,表面堆积现象减小,NS/NB 趋于1。2、硅中按构成集成电路基础的晶体管分类:分为双极型集成电路和MOS型集成电路两大类。掺硼(1)温度一定时,水汽氧化(湿氧氧化)导致杂质再分布程度增大,NS/NB 小前者以双极型平面晶体管为主要器件;后者以MOS场效应晶体管为基础。于干氧氧化;(2)同一氧化气氛下,氧化温度越高,硼向硅表面扩散速度加快,补三、衡量集成电路的发展

DRAM( 3*107(集成度), 135mm2(外型尺寸), 0.5 μm偿了表明杂质的损耗,NS/NB 趋于1。看看运动方向(特征尺寸), 200mm (英寸)) ,二十二、热氧化过程四、摩尔定律:IC集成度每1.5 年翻一番五、集成电路的发展展望目标:集成度↑、可靠性↑、 速度↑、功耗↓、成本↓。努力方向:线宽↓、晶片直径↑、设计技术↑六、硅微电子技术发展的几个趋势:1、单片 系统集成(SoC)System on a chip Application Specific Integrated Circuit 特定用途集成电路2、整硅片集成(WSI)3、半定制电路的 设计方法4、微电子机械系统(MEMS)5、真空微电子技术七、集成电路制造中的基本工艺技术横向加工:图形的产生与转移(又称为光刻,包括曝光、显影、刻蚀等)。纵向加工:薄膜制备(蒸发、溅射、氧化、CVD 等),掺杂(热扩散、离子注入、中子嬗变等)八、补充简要说明工艺1-1 1、氧化剂扩散穿过滞留层达到SiO2 表面,其流密度为F1 。2、氧化剂扩散穿过SiO2层达到SiO2-Si界面,流密度为F2 。3、氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ,流密度为F3。4、反应的副产物离开界面。二十三、CVD的薄膜及技术分类化学 气相淀积(Chemical Vapor Deposition)是指单独地或综合的利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其它形式的能源,使气态物质在固体的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积,形成稳定的固态物质的工艺过程二十四、CVD薄膜分类:半导体集成 电路制造中所用的薄膜材料,包括介质膜、半导体膜、导体膜以及

XX项目规划方案

目录 第一部分文本 第二部分规划设计方案图 一、综合图 1、风景区功能分区图 2、区域位置关系图 3、旅游景点分布图 4、道路交通图 5、市场分布图 6、旅游线路图 二、杜鹃湖中心旅游区规划效果图 (一)、杜鹃湖规划总图 (二)、杜鹃湖中心旅游区功能分区图 (三)、水上杜鹃培育保护规划图 (四)风景区主入口规划方案效果图 1、沙子关入口广场规划效果图 2、沙子关装修效果图 3、沙子关民族风情园规划效果图 4、贵州绿色长廊规划效果图

5、主入口停车场规划效果图 6、主入口华表效果图 7、半边街规划方案效果图 8、望天门规划方案效果图 9、主入口文化休闲广场规划效果图 (五)、贵州文化长廊规划方案效果图 1、广顺神仙洞古人类遗址效果图 2、贵州古岩画效果图 3、夜郎遗踪系列壁画方案图 (四)“贵州建省” 系列壁画方案图 (五)朱元璋调北征南、靖难之变系列壁画方案图 (六)屯堡文化系列壁画方案图 (七)八艳赏花石雕效果图 (八)“天下大师” 石雕效果图 (九)“阳明洞”规划效果图 11、阳明路规划效果图 (一)阳明路起点规划效果图 (二)阳明路中段规划效果图 (三)阳明路中段规划效果图 (四)河东桥规划效果图

(五)河西桥规划效果图 (六)圣泉规划效果图 12、码头接待中心规划效果图 13、和尚坡水上活动中心规划效果图 14、霞客亭规划效果图 15、望云楼规划效果图 16、机动船码头规划效果图 17、杜鹃水苑入口规划效果图 18、杜鹃水苑秋池规划效果图 19、杜鹃水苑北楼装修效果图 20、杜鹃会馆规划效果图 21、杜鹃水苑荷塘规划效果图 22、空中狩猎园规划效果图 23、花果山度假村鸟瞰图 24、但家坟码头规划效果图 25、牡丹亭规划效果图 26、梦草池规划效果图 27、百草园农训基地规划效果图 28、但家坟规划效果图 29、白云山门规划效果图

半导体集成电路习题及答案

第1章 集成电路的基本制造工艺 1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答:集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。 第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习 思 考 题 2.2 利用截锥体电阻公式,计算TTL “与非”门输出管的CS r 2.2 所示。 提示:先求截锥体的高度 up BL epi mc jc epi T x x T T -----= 然后利用公式: b a a b WL T r c -? = /ln 1ρ , 2 1 2?? =--BL C E BL S C W L R r b a a b WL T r c -? = /ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++= 注意:在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。 2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管,试问当横向PNP 器件在4种可能 的偏置情况下,哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大? 答:当横向PNP 管处于饱和状态时,会使得寄生晶体管的影响最大。 2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管,要求其在20mA 的电流负载下 ,OL V ≤0.4V ,请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下: 答: 解题思路 ⑴由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ; ⑵由设计条件画图 ①先画发射区引线孔; ②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔; ③由A D 先画出基区扩散孔的三边; ④由B E D -画出基区引线孔; ⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边;

⑥由A D 先画出外延岛的三边; ⑦由C B D -画出集电极接触孔; ⑧由A D 画出外延岛的另一边; ⑨由I d 画出隔离槽的四周; ⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V OL 4.0≤的条件,若不满足,则要对所作 的图进行修正,直至满足V V OL 4.0≤的条件。(CS C OL r I V V 00 ES += 及己知 V V C 05.00ES =) 第3章 集成电路中的无源元件 复 习 思 考 题 3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。 试求: (1) 可取的电阻最小线宽min R W =?你取多少? 答:12μm (2) 粗估一下电阻长度,根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头? 答:一个弯头 第4章 晶体管 (TTL)电路 复 习 思 考 题 4.4 某个TTL 与非门的输出低电平测试结果为 OL V =1V 。试问这个器件合格吗?上 机使用时有什么问题? 答:不合格。 4.5 试分析图题4.5所示STTL 电路在导通态和截止态时各节点的电压和电流,假定各管的 β=20, BEF V 和一般NPN 管相同, BCF V =0.55V , CES V =0.4~0.5V , 1 CES V =0.1~0.2V 。 答:(1)导通态(输出为低电平) V V B 1.21= , V V B 55.12= ,V V B 2.13= ,V V B 5.04= ,V V B 8.05= ,

《半导体集成电路》考试题目及参考答案

第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路? 2.按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写? 3.按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类? 4.按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类? 5.什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响? 6.名词解释:集成度、wafer size、die size、摩尔定律? 第1章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用? 2.在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响?。 3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤? 4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤? 5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足? 6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。 7. 请画出NPN晶体管的版图,并且标注各层掺杂区域类型。 8.请画出CMOS反相器的版图,并标注各层掺杂类型和输入输出端子。 第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?。 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应? 3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应? 4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响? 5. 消除“Latch-up”效应的方法? 6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应? 7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应? 第3章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些? 2.集成电路中常用的电容有哪些。 3. 为什么基区薄层电阻需要修正。 4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。 5. 运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。 第4章TTL电路 1.名词解释

工程项目建设方案设计

目录 一、项目概况 二、项目组织机构 三、项目建设程序办理计划 四、项目设计进度计划 五、项目招标进度计划 六、项目施工进度计划 七、项目资金使用计划 八、项目主要机电设备、装饰装修等材料采购计划 九、项目建设保证措施 一、项目概况 2010年4月12日,滨海新区建交局给建投集团下发津滨建交计[2010]3号“关于开展滨海文化商务中心前期工作的通知”,将滨海新区行政中心的项目暂定名为“滨海文化商务中心”。 1、项目位置和用地面积 滨海文化商务中心位于中央大道以东、东道以南、于家堡安居房以西、紫云中学以北,总用地面积约为30公顷。

2、主要建设容和规模 滨海文化商务中心按照统一规划,分期建设的原则。本项目一期 总建筑面积约为47万平方米,其中地上建筑面积约为29万平方米、地下建筑面积约为18万平方米,由7座建筑和地下车库组成;它们为:商务主楼、培训中心、服务中心、接待中心、会议中心、商务辅楼、公寓。各建筑具体功能和建筑面积如下: 商务主楼(9) 为滨海新区区委、区政府、区人大区政协四套领导班子的办公场所,建筑位于基地北部,座北朝南布置成双“一”字形布局,用连廊相连接,各套班子办公区域分布明确又相互联系,均取得良好朝向,地上建筑面积6.78万平方米,宽度约172米,建筑层数最高9层,立面处理简洁大气,现代明快,该幢建筑为商务中心最主要的建筑,外檐处理以浅色石材为主要装饰面,运用柱廊,檐口等细部的构造处理,以突出历久弥新,庄重典雅的建筑性格。 辅助办公楼(4层)

是辅助商务主楼的会议、办公场所,建筑位于行政办公楼的南侧,建筑面积2.87万平方米,建筑层数为四层。 服务中心(3层) 为滨海新区企业和市民提供工作和生活一站式服务的场所,一、二层设有开放式业务大厅,三层设有接待、办公、会议等项设施,建筑位于行政办公楼的西侧,主入口设置于南侧,方便前来办理业务的企业和市民。建筑面积为3.36万平方米,建筑层数为三层。 职工食堂(3层) 为商务中心提供接待,用餐的场所,设有多类大、小餐厅及接待服务设施,建筑位于行政办公楼的南侧,建筑面积3.09 万平方米,分三层设置。 会议中心(2层) 为大型行政会议场所,建筑位于行政办公楼东侧,建筑面积2.25万平方米,层数为两层,一层设置700人的会议厅和若干个大小会议室,二层为1200人,大会议厅并设200座席的主席台及服务于会议的其它设施。 商务辅楼(6层) 商务辅楼位于基地东侧,分三幢建筑,建筑面积8.2万平方米。主要功能为各委办局办公、会议、接待用地。 公寓2栋(10层、15层) 总建筑面积为6万平米,主要为办公人员住宿用。 地下车库 区域及周边提供停车场所,车库面积为10.4万平米。 二、建设标准 (一)结构设计 本工程属重点设防类(乙类)建筑,按本地区抗震设防烈度7度设计基本加速度0.15g进行抗震设计,按高于本地区设防烈度即8

半导体集成电路制造PIE常识

Question Answer & PIE

PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺? 答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。 2. 200mm,300mm Wafer 代表何意义? 答:8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺? 答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义? 答:是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。 6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义? 答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓N, P-type wafer? 答:N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如:B、In)的硅片。 200mm300mm 8〞12〞

半导体集成电路课程教案

半导体集成电路课程教案 西安理工大学教案(首页) 学院(部):自动化学院系(所):电子工程系 1 课程代码 04110680 总学时:64 学时课程名称半导体集成电路学分 4 讲课:64 学时 上机: 0 学时必修课( ? ) 校级任选课( ) 课程类别实验:0 学时院级任选课( ) 学位课( ? ) 授课专业电子科学与技术授课班级电子、微电 任课教师高勇余宁梅杨媛乔世杰职称教授/副教授通过本课程的教学~要求学生全面掌握各种集成电路包括双极集成电路、MOS集成电路和Bi-CMOS电路的制造工艺~集成电路中元器件的结构、特性及各种寄生效应,学会分析双极IC、数字CMOS集成电路中的倒相器的电路特性~掌握一定的手算分析能力~熟悉版图,掌握静态逻辑、传输门教学目的逻辑及动态逻辑电路的工作原理及特点,了解触发器电路及存储器电路,和要求掌握模拟电路的基本子电路(如电流源~基准源等)的工作原理和特性~掌握基本运算放大器的性能分析和设计方法,掌握AD/DA电路的类型及工作原理~基本了解AD/DA变换器的设计方法。为后继专业课的学习、将来在集成电路领域从事科研和技术工作奠定良好的理论基础。教学的重点是帮助学生在电子技术的基础上建立半导体集成电路的概念。重点讲述集成电路的寄生效应、典型的TTL单元电路以及MOS集成电路的基本逻辑单元和逻辑功能部件,尤其是CMOS集成电路(由于现在的教学重集成电路主流工艺为CMOS集成电路)。难点在于掌握集成电路中的各种点、难点寄生效应,另外,集成电路的发展很快,很多最新发展状态在书本上找不到现成的东西,比如随着集成电路特征尺寸的减小带来

的一些其他二级效应,以及各种不同的新型电路结构各自的特点和原理分析计算。 (1)朱正涌,半导体集成电路,清华大学出版社社 (2)张延庆,半导体集成电路,上海科学技术出版社 (3)Jan M.Rabaey, Anantha Chandrakasan, etc. Digital Integrated Circuits数字集成电路设计透视(影印版.第二版),清华大学出版社(译本:周润德译电子工业出版社) (4)蒋安平等译,数字集成电路分析与设计,深亚微米工艺,电子工业出版社 教材和参(5)王志功等译,CMOS数字集成电路-分析与设计(第三版),电子工业出考书版社(原书名:CMOS Digital Integrated Circuits:Analysis and Design, Third Edition,作者:Sung-Mo Kang, Yusuf Leblebici[美],McGraw-Hill出版社) (6)陈贵灿等译, 模拟CMOS集成电路设计, 西安交通大学出版社(原书 2 名:Design of Analog CMOS Integrated Circuits,作者:毕查德.拉扎维[美],McGraw-Hill出版社) 西安理工大学教案(章节备课) 学时:2学时章节第0章绪论 通过本章内容学习~帮助学生建立半导体集成电路的概念~使学生了解并教学目的掌握集成电路的发展历史、现状和未来。明确本课程教学内容及教学目标~和要求提出课程要求。要求学生通过本章学习~能够明确学习目标。 重点:集成电路的概念~集成电路的发展规律~集成电路涵盖的知识点重点及集成电路的分类。难点难点: 集成电路的宏观发展与微观发展的关联。 教学内容: 1 集成电路 1.1 集成电路定义

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化 第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光 第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验 第十章:高级光刻工艺 第十一章:掺杂 第十二章:淀积 第十三章:金属淀积 第十四章:工艺和器件评估 第十五章:晶圆加工中的商务因素 第十六章:半导体器件和集成电路的形成 第十七章:集成电路的类型 第十八章:封装 附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述 本章通过历史简介,在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。 目的 完成本章后您将能够: 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态,” “平面工艺”,““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。 一个工业的诞生 电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑,这台被称为电子数字集成器和计算器(ENIAC)的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。 这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺,重30吨,工作时产生大量的热,并需要一个小型发电站来供电,花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件,由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空,以防止元件烧毁并易于电子的====移动。 真空管有两个重要的电子功能,开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流;放大则较为复杂,它是指电子器件可把接收到的信号放大,并保持信号原有特征的功能。 真空管有一系列的缺点。体积大,连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行,并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。 这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力,这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

常州合金项目规划建设方案

常州合金项目规划建设方案 投资分析/实施方案

常州合金项目规划建设方案 钛合金是以钛为基加入适量其他元素,调整基体相组成和综合物理化 学性能而形成的合金。钛工业产业链有两条不同的分支,第一条是钛白粉 工业,即钛铁矿→钛白粉,用于涂料、塑料和造纸等行业;第二条是钛材 工业,即钛铁矿→海绵钛→钛锭→钛材,用于航空航天等领域。 该钛铁合金项目计划总投资14418.12万元,其中:固定资产投资9568.08万元,占项目总投资的66.36%;流动资金4850.04万元,占项目 总投资的33.64%。 达产年营业收入33116.00万元,总成本费用24843.69万元,税金及 附加265.71万元,利润总额8272.31万元,利税总额9679.03万元,税后 净利润6204.23万元,达产年纳税总额3474.80万元;达产年投资利润率57.37%,投资利税率67.13%,投资回报率43.03%,全部投资回收期3.82年,提供就业职位608个。 报告从节约资源和保护环境的角度出发,遵循“创新、先进、可靠、 实用、效益”的指导方针,严格按照技术先进、低能耗、低污染、控制投 资的要求,确保投资项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提 高效益,充分利用成熟、先进经验,实现降低成本、提高经济效益的目标。 ......

钛是一种银白色的的过渡金属,是地壳中分布最广和储量最为丰富的元素之一。钛元素有许多重要的特性,如密度低、比强度高、耐腐蚀、导热率低、生理相容性好、无磁性,具有储氢、超导、形状记忆、超弹等特殊功能。钛最为突出的两大优点是比强度高和耐腐蚀性强,从而决定了钛在空中、陆地、海洋和外层空间都有广泛的用途:包括航空航天、常规兵器、舰艇及海洋工程、核电及火力发电、化工与石油化工、冶金、建筑、交通、体育与生活用品等。

产品设计流程实例说明

书山有路勤为径;学海无涯苦作舟 产品设计流程实例说明 设计开发流程:由于一般的厂商普遍对于生产品质管制与研发技术相当地重视,加上信息的快速流通,使得各家同类商品在性能与品质上的 差异已逐渐地缩小,虽然工业设计的基本观念是“Form Follows Function-造形即机能”,但面对市场商品的多元竞争压力,工业设计更需 从另外一些不同的角度去”将市场的竞争与需求转换成产品的新造形,新 趣味以提升具有吸引消费者的附加价值”-扮演着创造新价值的角色(Creating Value)正如台湾在产品设计上的策略所强调的便是Innovalue!一个新产品的在设计开发,大概可分为三个阶段即“问题概 念化,概念可视化,设计商品化”。对企业而言在展开工作时,会将内部 各机能别的单位与专业人员整合起来,委外设计时,企业外部的设计公司 则会扮演其中某一环节的工作角色以发挥其功能,不论是在企业内进行或 以外包的方式展开,各部门,组织间的沟通与相互的专业尊重,将会是执 行的重点与关键,现以案例-电冰箱的设计流程来加以说明。 Concept Definition 问题概念化:首先针对将要设计发展的产品作 全盘性的了解,透过信息收集与市场调查的方法,去探询市场上同类产品 的竞争态势,销售状况及消费者使用的情形(包括的操作的习惯,使用后 的抱怨点与对新功能潜在的需求)还有市面上的流行事物。在分析评估后 得加上公司发展策略的考量,以企划出新产品的整体“概念”!这样的 概念通常是以文字格式来作叙述,会将“市场定位”,“目标客层”,“商 品的诉求”,“性能的特色”与“售价定位”作定义式的条列描述概念的 形成的过程是需要信息,经验与转换的能力,亦就是如何将信息情报转换 产生市场上有意义的创意方向!通常我们会举行Focus Group群体座谈会, 专注下一代成长,为了孩子

项目建设方案

项目建设方案 一、项目背景与现状 近年来随着金盾工程建设的展开,公安整体信息化水平迅速提升,在各级公安机关和业务警种手中积累了丰富的业务数据资源,其种类不断丰富、总量呈现爆发性增长,公安行业的大数据体系已经初具雏形,信息资源已逐渐成为继警力资源、装备资源之后的新一类公安核心资源。 同时随着数据资源汇集、整合、存储、管理、共享、交换与应用需求的不断增长,当前存在的数据不规范、质量不高、整合压力大、共享困难等问题也日益凸显,这些问题最终制约着公安数据资源的应用深度和价值,导致数据利用价值低、难以管理、应用范围窄、跨警种数据共享困难等一系列问题。快速积累并不断增长的信息数据已成为继警力资源、装备资源之后的新一类核心资源。如何快速挖掘其内在价值,转化为现实战斗力,在更高更深层次服务保障公安工作的开展,已成为公安信息化迫切需要解决的关键问题。 伴随着公安信息资源的快速增长,特别是白云区大力推动出租屋电子门禁系统、视频监控、物流数据、互联网数据建设后,大数据质量不高、处理能力不强、标准规范不足、共享应用不够、专业应用不深等问题已全面显现,迫切需要以新的思路、新的方法、新的技术解决存在的问题,应对数据资源海量化、异构化及应用需求多样化,复杂化等带来的挑战。 为了适应时代变化,创新社会管理工作方式,提高警务运行效率,白云分局把“数据工作”列为全局第三大基础工程。为了支撑分局数据工作的顺利开展,分局计划建设白云大数据平台建设项 二、建设目标 本期项目建设目标是租赁硬件设备为白云区辖内企业如大型物流园内部网络、城中村和大型商场视频内部网络的“安全内网”抽取数据提供必要的运行环境,为大数据平台提供鲜活数据支撑。其次对白云大数据一期项目所积累的监控数据、门禁数据、物流数据等大数据进行清洗和标准化,以高质量的数据资源为基础,以信息资源服务体系为支撑,建设信息查询、一键式搜索、信息关联、分析、挖掘及可视化展现等应用,面向普通民警直接提供服务,提高社区治安防控水平,为创造和谐社区打下坚实基础。最后采购门禁系统办理电子钥匙过程所需的手机验证短信服务,实现门禁手机

产品设计流程实例说明修订版

產品設計流程實例說明 Document number:PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998

设计开发流程: 由於一般的厂商普遍对於生产品质管制与研发技术相当地重视,加上资讯的快速流通,使得各家同类商品在性能与品质上的差异已逐渐地缩小,虽然工业设计的基本观念是"Form Follows Function-造形即机能",但面对市场商品的多元竞争压力,工业设计更需从另外一些不同的角度去"将市场的竞争与需求转换成产品的新造形,新趣味以提昇具有吸引消费者的附加价值, "-扮演着创造新价值的角色(Creating value)正如台湾在产品设计上的策略所强调的便是Innovalue! 一个新产品的在设计开发,大概可分为三个阶段即"问题概念化,概念视觉化,设计商品化" 对企业而言在展开工作时,会将内部各机能别的单位与专业人员整合起来,委外设计时,企业外部的设计公司则会扮演其中某一环节的工作角色以发挥其功能,不论是在企业内进行或以外包的方式展开,各部门,组织间的沟通与相互的专业尊重,将会是执行的重点与关键,现以案例-电冰箱的设计流程来加以说明. Concept Definition 问题概念化:

首先针对将要设计发展的产品作全盘性的了解,透过资讯收集与市场调查的方法,去探询市场上同类产品的竞争态势,销售状况及消费者使用的情形(包括的操作的习惯,使用後的抱怨点与对新功能潜在的需求)还有市面上的流行事物.在分析评估後得加上公司发展策略的考量,以企划出新产品的整体"概念"! 这样的概念通常是以文字格式来作叙述,会将"市场定位","目标客层" ,"商品的诉求","性能的特色"与"售价定位"作定义式的条列描述! 概念的形成的过程是需要资讯,经验与转换的能力,亦就是如何将资讯情报转换产生市场上有意义的创意方向!通常我们会举行Focus Group群体座谈会,针对现有竞争的产品与及将推出市场的设计概念提案,与顾客直接面谈,将消费者的需求作了解与澄清,并对设计方向提供建议与决策的依据! 由於网路与资讯系统的快速发展,今天只要有心想去收集市场相关的信息,对於所有的厂商与设计公司来说,机会成本与资讯的涵盖面都会是相似地相同的!但由於组成的设计开发团队,各有其企业文化及产品策略的背景;所形成决策的主管其专长,喜爱与品味也不会相同,再加上每一个设计开发团队的创意活力不会相当,所以解读推研出来的概念与方向必然不同!

半导体集成电路制造PIE常识讲解

Question & PIE Answer

PIE 1. 何谓PIE? PIE 的主要工作是什幺? 答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。 2. 200mm,300mm Wafer 代表何意义? 答:8吋硅片(wafer)直径为200mm , 直径为300mm硅片即12吋. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺?未来北京3.的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺? 答:当前1~3 厂为200mm(8 英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺。 未来北京厂工艺wafer 将使用300mm(12 英寸)。 4. 我们为何需要300mm? 答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5 倍 5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义?答:是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um 的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义? 答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P 两种类型(type),何谓N, P-type wafer? 答:N-type wafer 是指掺杂negative 元素(5 价电荷元素,例如:P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3 价电荷元素, 例如:B、 In)的硅片。 8. 工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?答:主要有四个部分:DIFF (扩散)、TF(薄膜)、PHOTO (光刻)、ETCH (刻蚀)。其中

半导体集成电路工艺复习

第一次作业: 1,集成时代以什么来划分?列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答: 类别时间 数字集成电路 模拟集成电路MOS IC 双极IC SSI 1960s前期 MSI 1960s~1970s 100~500 30~100 LSI 1970s 500~2000 100~300 VLSI 1970s后期~1980s后期>2000 >300 ULSI 1980s后期~1990s后期 GSI 1990s后期~20世纪初 SoC 20世纪以后 2,什么是芯片的集成度?它最主要受什么因素的影响? 答:集成度:单个芯片上集成的元件(管子)数。受芯片的关键尺寸的影响。 3,说明硅片与芯片的主要区别。 答:硅片是指由单晶生长,滚圆,切片及抛光等工序制成的硅圆薄片,是制造芯片的原料,用来提供加工芯片的基础材料;芯片是指在衬底上经多个工艺步骤加工出来的,最终具有永久可是图形并具有一定功能的单个集成电路硅片。 4,列出集成电路制造的五个主要步骤,并简要描述每一个步骤的主要功能。 答:晶圆(硅片)制备(Wafer Preparation); 硅(芯)片制造(Wafer Fabrication):在硅片上生产出永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。硅片测试/拣选(Die T est/Sort):单个芯片的探测和电学测试,选择出可用的芯片。 装配与封装(Assembly and Packaging):提供信号及电源线进出硅芯片的界面;为芯片提供机械支持,并可散去由电路产生的热能;保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。 成品测试与分析(或终测)(Final T est):对封装后的芯片进行测试,以确定是否满足电学和特性参数要求。 5,说明封装的主要作用。对封装的主要要求是什么。 答:封装的作用:提供信号及电源线进出硅芯片的界面;为芯片提供机械支持,并可散去由电路产生的热能;保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。 主要要求:电气要求:引线应当具有低的电阻、电容和电感。机械特性和热特性:散热率应当越高越好;机械特性是指机械可靠性和长期可靠性。低成本:成本是必须要考虑的比较重要的因素之一。 6,什么是芯片的关键尺寸?这种尺寸为何重要?自半导体制造业开始以来,芯片的关键尺寸是如何变化的?他对芯片上其他特征尺寸的影响是什么? 答:芯片上器件的物理尺寸被称为特征尺寸;芯片上的最小的特征尺寸被称为关键尺寸,且被作为定义制造工艺水平的标准。 为何重要:他代表了工艺上能加工的最小尺寸,决定了芯片上的其他特征尺寸,从而决定了芯片的面积和芯片的集成度,并对芯片的性能有决定性的影响,故被定义为制造工艺水平的标准。

项目建设管理实施方案

项目建设管理实施方案 项目建设管理实施方案是针对某项目进行开展施工的计划,是一种企业的运营管理中的一个项目,是为了更好的将公司项目做大的一个举措,以下是小编整理的工程项目建设管理实施方案,欢迎大家参阅。 第1篇:工程项目建设管理实施方案 为加强中小学工程建设项目管理,明确目标职责,保证工程建设项目顺利实施。根据教育部、国计委、财政部印发《全国中小学危改工程实施管理办法》的通知要求,结合我区实际情况,制定学校建设项目管理实施意见,希遵照执行。 一、组织机构 成立安居区教育局工程建设项目领导小组。 组长:卢军

副组长:刘洪彭哲华 成员:余定福陈朝国杨健邹远富 各项目学校成立相应的工程建设项目领导小组。 二、项目建设实施程序 工程建设项目程序必须按照现行法律法规要求进行。 1、立项。由学校向区教育局写立项申请——区教育局向发改委出函——发改委出具立项批复。 2、规划。学校提供整体规划方案和拟建建筑初步设计方案(建筑平、立、剖面图)和效果图报区规划局审批,合格后办理规划许可证(副本)并出具红线图。

3、报建。规划许可证办理后,到建设局建管股报建,提供报建相关资料,填写报建表。 4、勘测设计。地震震损程度为轻度的由原设计单位出具加固措施;震损程度较重的由具有鉴定资质的单位出具鉴定结论后,由设计单位出具施工图;属于新建的工程由学校委托勘测单位出具地勘报告、设计单位出具施工图;施工图齐备后需到区消防大队进行消防审核;委托施工图审查公司进行施工图审查并出具施工图审查报告,然后到区建设局建管股做施工图审查合格备案。 5、招标程序:确定代理机构:到发改委办理招标代理机构网上比选事宜、代理机构网上报名、邀请相关人员(监察局、发改委、建设局招标办、教育局监察股及计财股相关人员)出席代理机构随机抽取会议、随机确定两代理机构、和两代理机构分别就操作程序和费用等题进行谈判、确定代理机构,并到发改委、建设局招标办备案。 招标过程:由代理机构或聘请有资质的造价机构计算工

浙江电路板研发制造项目规划建设方案

浙江电路板研发制造项目规划建设方案 规划设计/投资方案/产业运营

摘要 随着智能装备制造业的不断发展,2016年全球柔性电路板(FPC)的产值达135亿美元。FPC的应用领域几乎涉及所有的电子信息产品,涵盖了消费电子产品、通信设备、汽车载品这三个最大的应用领域,虽然这类产品增长率有限,但会保持长期增长。 柔性电路板是用柔性的绝缘基材制成的印刷电路,又称“软板”,行业内俗称FPC。从产业链来看,我国FPC行业产业链分为三部分:产业链上游主体为电子元器件、FCCL、电磁屏蔽膜、覆盖膜等原材料供应商、SMT工序外协加工提供商及镭射钻孔机、电镀机和曝光机等设备供应商,产业链中游主体为FPC生产商,产业链下游主体为显示模组、触摸模组等电子产品模组零部件制造商和终端电子产品生产商。 该柔性电路板项目计划总投资11075.94万元,其中:固定资产投资8177.62万元,占项目总投资的73.83%;流动资金2898.32万元,占项目总投资的26.17%。 本期项目达产年营业收入28118.00万元,总成本费用21313.43 万元,税金及附加243.49万元,利润总额6804.57万元,利税总额7986.62万元,税后净利润5103.43万元,达产年纳税总额2883.19万元;达产年投资利润率61.44%,投资利税率72.11%,投资回报率46.08%,全部投资回收期3.67年,提供就业职位395个。

浙江电路板研发制造项目规划建设方案目录 第一章概述 一、项目名称及建设性质 二、项目承办单位 三、战略合作单位 四、项目提出的理由 五、项目选址及用地综述 六、土建工程建设指标 七、设备购置 八、产品规划方案 九、原材料供应 十、项目能耗分析 十一、环境保护 十二、项目建设符合性 十三、项目进度规划 十四、投资估算及经济效益分析 十五、报告说明 十六、项目评价 十七、主要经济指标

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