半导体测试技术第三章资料
第三章扫描探针表征
(Scan Probe Characterization)
扫描探针显微镜系列
Scan Probe Microscope（SPM）?扫描隧道显微镜
Scanning Tunneling Microscopy (STM)?原子力显微镜
Atomic Force Microscopy (AFM) ?磁力显微镜
Magnetic Force Microscopy (MFM)?…………
§1.扫描隧道显微镜
Scanning Tunneling Microscopy (STM) z原理
z操作
z应用
亨利克.罗雷尔Heinrich Rohrer 杰德.宾尼Gerd Binning
1982年于IBM实验室发明了首台STM 1986年获得了诺贝尔物理学奖
STM发明历史
测试技术基础答案 第三章 常用传感器
第三章 常用传感器 一、知识要点及要求 (1)掌握常用传感器的分类方法； (2)掌握常用传感器的变换原理； (3)了解常用传感器的主要特点及应用。 二、重点内容及难点 (一)传感器的定义、作用与分类 1、定义：工程上通常把直接作用于被测量，能按一定规律将其转换成同种或别种量值输出的器件，称为传感器。 2、作用：传感器的作用就是将被测量转换为与之相对应的、容易检测、传输或处理的信号。 3、分类：传感器的分类方法很多，主要的分类方法有以下几种： (1)按被测量分类，可分为位移传感器、力传感器、温度传感器等； (2)按传感器的工作原理分类，可分为机械式、电气式、光学式、流体式等； (3)按信号变换特征分类，可概括分为物性型和结构型； (4)根据敏感元件与被测对象之间的能量关系，可分为能量转换型与能量控制型； (5)按输出信号分类，可分为模拟型和数字型。 (二)电阻式传感器 1、分类：变阻式传感器和电阻应变式传感器。而电阻应变式传感器可分为金属电阻应变片式与半导体应变片两类。 2、金属电阻应变片式的工作原理：基于应变片发生机械变形时，其电阻值发生变化。金属电阻应变片式的的灵敏度v S g 21+=。 3、半导体电阻应变片式的工作原理：基于半导体材料的电阻率的变化引起的电阻的变化。半导体电阻应变片式的的灵敏度E S g λ=。 (三)电感式传感器 1、分类：按照变换原理的不同电感式传感器可分为自感型与互感型。其中自感型主要包括可变磁阻式和涡电流式。 2、涡电流式传感器的工作原理：是利用金属体在交变磁场中的涡电流效应。 (四)电容式传感器 1、分类：电容式传感器根据电容器变化的参数，可分为极距变化型、面积变化型、介质变化型三类。 2、极距变化型：灵敏度为201δ εεδA d dC S -==，可以看出，灵敏度S 与极距平方成反比，极距越小灵敏度越高。显然，由于灵敏度随极距而变化，这将引起非线性误差。 3、面积变化型：灵敏度为常数，其输出与输入成线性关系。但与极距变化型相比，灵敏度较低，适用于较大直线位移及角速度的测量。 4、介质变化型：可用来测量电介质的液位或某些材料的厚度、湿度和温度等；也可用于测量空气的湿度。 (五)压电式传感器 1、压电传感器的工作原理是压电效应。
半导体测试技术实践
半导体测试技术实践总结报告 一、实践目的 半导体测试技术及仪器集中学习是在课堂结束之后在实习地集中的实践性教学，是各项课间的综合应用，是巩固和深化课堂所学知识的必要环节。学习半导体器件与集成电路性能参数的测试原理、测试方法，掌握现代测试设备的结构原理、操作方法与测试结果的分析方法，并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。同时了解测试技术的发展现状、趋势以及本专业的发展现状，把握科技前进脉搏，拓宽专业知识面，开阔专业视野，从而巩固专业思想，明确努力方向。另外，培养在实际测试过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合实践能力，建立劳动观念、实践观念和创新意识，树立实事求是、严肃认真的科学态度，提高综合素质。 二、实践安排（含时间、地点、内容等） 实践地点：西安西谷微电子有限责任公司 实践时间：2014年8月5日—2014年8月15日 实践内容：对分立器件，集成电路等进行性能测试并判定是否失效 三、实践过程和具体内容 西安西谷微电子有限责任公司专业从事集成电路测试、筛选、测试软硬件开发及相关技术配套服务，测试筛选使用标准主要为GJB548、GJB528、GJB360等。 1、认识半导体及测试设备
在一个器件封装之后，需要经过生产流程中的再次测试。这次测试称为“Final test”（即我们常说的FT测试）或“Package test”。在电路的特性要求界限方面，FT测试通常执行比CP测试更为严格的标准。芯片也许会在多组温度条件下进行多次测试以确保那些对温度敏感的特征参数。商业用途（民品）芯片通常会经过0℃、25℃和75℃条件下的测试，而军事用途（军品）芯片则需要经过-55℃、25℃和125℃。 芯片可以封装成不同的封装形式，图4显示了其中的一些样例。一些常用的封装形式如下表： DIP： Dual Inline Package (dual indicates the package has pins on two sides) 双列直插式 CerDIP：Ceramic Dual Inline Package 陶瓷 PDIP： Plastic Dual Inline Package 塑料 PGA： Pin Grid Array 管脚阵列
第3章测量技术基础习题参考答案
第3章测量技术基础习题参考答案 1、测量的实质是什么一个完整的测量过程包括哪几个要素 答：⑴测量的实质是将被测几何量L与作为计量单位的标准量μ进行比较，以确定被测量的量值的操作过程，即L/μ=q,或L=μq。 ⑵一个完整的测量过程包括被测对象，计量单位、测量方法和测量精度四个要素。 2、量块的作用是什么其结构上有何特点 答：⑴量块的作用：a、用于计量器具的校准和鉴定；b、用于精密设备的调整、精密划线和精密工件的测量；c、作为长度尺寸传递的实物基准等。 ⑵非测量面；测量面的表面非常光滑平整，具有研合性，两个测量面间具有精确的尺寸。量块上标的尺寸称为量块的标称长度ln。当ln<6mm的量块可在上测量面上作长度标记，ln>6mm的量块，有数字的平面的右侧面为上测量面。3、量块分等、分级的依据各是什么在实际测量中，按级和按等使用量块有何区别 答：⑴量块分等的依据是量块测量的不确定度和量块长度变动量的允许值来划分的。量块分级主要是根据量块长度极限偏差和量块长度变支量的最大允许值来划分的。 ⑵区别是：量块按“级”使用时，是以量块的标称长度作为工作尺寸。该尺寸包含了量块的制造误差，制造误差将被引入到测量结果中去，但固不需要加修正值，故使用较方便。量块按“等”使用时，是以量块栏定书列出的实例中心长度作为工作尺寸的，该尺寸排除了量块的制造误差，只包含栏定时较小的测量误差。量块按“等”使用比按“级”使用的测量精度高。 4、说明分度间距与分度值；示值范围与测量范围；示值误差与修正值有何区别答：其区别如下： ⑴分度间距（刻度间距）是指计量器具的刻度标尺或度盘上两面三刀相邻刻线中心之间的距离，般为；而分度值(刻度值)是指计量器具的刻度尺或度盘上相邻两刻线所代表的量值之差。 ⑵示值范围是指计量器具所显示或指示的最小值到最大值的范围；而测量范围是指在允许的误差限内，计量器具所能测出的最小值到最大值的范围。 ⑶示值误差是指计量器具上的示值与被测量真值的代数差；而修正值是指
实验一 半导体材料的缺陷显示及观察资料讲解
实验一半导体材料的缺陷显示及观察
实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除谢谢2
机械工程测试技术基础课后习题答案汇总
机械工程测试技术基础第三版熊诗波 绪论 0-1 叙述我国法定计量单位的基本内容。 解答：教材P4~5，二、法定计量单位。 0-2 如何保证量值的准确和一致？ 解答：（参考教材P4~6，二、法定计量单位~五、量值的传递和计量器具检定） 1、对计量单位做出严格的定义； 2、有保存、复现和传递单位的一整套制度和设备； 3、必须保存有基准计量器具，包括国家基准、副基准、工作基准等。 3、必须按检定规程对计量器具实施检定或校准，将国家级准所复现的计量单位量值经过各级计算标准传递到工作计量器具。 0-3 何谓测量误差？通常测量误差是如何分类表示的？ 解答：（教材P8~10，八、测量误差） 0-4 请将下列诸测量结果中的绝对误差改写为相对误差。 ①1.0182544V±7.8μV ②(25.04894±0.00003)g ③(5.482±0.026)g/cm2 解答： ① ② ③ 0-5 何谓测量不确定度？国际计量局于1980年提出的建议《实验不确定度的规定建议书INC-1(1980)》的要点是什么？ 解答： (1)测量不确定度是表征被测量值的真值在所处量值范围的一个估计，亦即由于测量误差的存在而对被测量值不能肯定的程度。 (2)要点：见教材P11。 0-6为什么选用电表时，不但要考虑它的准确度，而且要考虑它的量程？为什么是用电表时应尽可能地在电表量程上限的三分之二以上使用？用量程为150V的0.5级电压表和量程为30V的1.5级电压表分别测量25V电压，请问哪一个测量准确度高？ 解答： (1)因为多数的电工仪表、热工仪表和部分无线电测量仪器是按引用误差分级的（例如，精度等级为0.2级的电表，其引用误差为0.2%），而 引用误差=绝对误差/引用值 其中的引用值一般是仪表的满度值(或量程)，所以用电表测量的结果的绝对误差大小与量程有关。量程越大，引起的绝对误差越大，所以在选用电表时，不但要考虑它的准确度，而且要考虑它的量程。
互换性测量技术基础第3章课后习题答案
1．设某配合的孔径为027.0015+φ，轴径为016 .0034.015--φ，试分别计算其极限尺寸、极限偏差、尺寸公差、极限间隙(或过盈)、平均间隙(或过盈)和配合公差，并画出尺寸公差带图与配合公差带图。 解：(1)极限尺寸：孔：D max =φ15.027 D min =φ15 轴: d max =φ14.984 d min =φ14.966 (2)极限偏差：孔：ES=+0.027 EI=0 轴：es= -0.016 ei= -0.034 (3)尺寸公差：孔：T D =|ES-EI|=|（+0.027）-0|=0.027 轴：T d = |es-ei|=|（-0.016）－（-0.034）|=0.018 (4)极限间隙：X max = ES －ei=（+0.027）－（-0.034）=+0.061 X min = EI －es=0－（-0.016）=+0.016 平均间隙 ()0385.021min max +=+=X X X av (5)配合公差：T f = T D + T d =0.027+0.018=0.045 (6)尺寸公差带和配合公差带图，如图所示。 2．设某配合的孔径为005.0034.045+-φ，轴径为0025.045-φ，试分别计算其极限尺寸、极限偏差、 尺寸公差、极限间隙(或过盈)及配合公差，画出其尺寸公差带图与配合公差带图，并说明其配合类别。 解：(1)极限尺寸：孔：D max =φ45.005 D min =φ44.966 轴: d max =φ45 d min =φ44.975 (2)极限偏差：孔：ES=+0.005 EI=-0.034 轴：es= 0 ei= -0.025 (3)尺寸公差：孔：T D =|ES-EI|=|（+0.005）-（-0.034）|=0.039 轴：T d = |es-ei|=|0－（-0.025）|=0.025 (4)极限间隙：X max = ES －ei=（+0.005）－（-0.025）=+0.030 Y min = EI －es=-0.034－0=-0.034 (5)配合公差：T f = T D + T d =0.039+0.025=0.064 (6)尺寸公差带和配合公差带图如图所示，它们属于过度配合如图所示。 3．若已知某孔轴配合的基本尺寸为φ30mm ，最大间隙X max =+23μm ，最大过盈Y max =-10μm ，孔的尺寸公差T D =20μm ，轴的上偏差es=0，试画出其尺寸公差带图与配合公差带图。 解：已知Y max =EI-es=-10μm
半导体测试原理
IC 测试原理解析 第一章数字集成电路测试的基本原理 器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能的自动测试设备是由计算机控制的。因此，测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识。测试工程师必须清楚了解测试设备与器件之间的接口，懂得怎样模拟器件将来的电操作环境，这样器件被测试的条件类似于将来应用的环境。 首先有一点必须明确的是，测试成本是一个很重要的因素，关键目的之一就是帮助降低器件的生产成本。甚至在优化的条件下，测试成本有时能占到器件总体成本的40% 左右。良品率和测试时间必须达到一个平衡，以取得最好的成本效率。 第一节不同测试目标的考虑 依照器件开发和制造阶段的不同，采用的工艺技术的不同，测试项目种类的不同以及待测器件的不同，测试技术可以分为很多种类。 器件开发阶段的测试包括: 特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数; 产品测试：确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率 可靠性测试：保证器件能在规定的年限之内能正确工作; 来料检查：保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求，并能正确工作。 制造阶段的测试包括: 圆片测试：在圆片测试中，要让测试仪管脚与器件尽可能地靠近，保证电缆，测试仪和器件之间的阻抗匹配，以便于时序调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑。 封装测试：器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素。 特征分析测试，包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻、金属多点接触电阻、扩散层电阻、接触电阻以及FET 寄生漏电等参数测试。 通常的工艺种类包括: TTL ECL CMOS NMOS
机械工程测试技术基础第三章习题 及答案
第三章 一、选择题 1.电涡流传感器是利用 材料的电涡流效应工作的。 A.金属导电 B.半导体 C ．非金属 D ．PVF2 2.为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用 。 A.电压放大器 B.电荷放大器 C ．前置放大器 3.调频式电涡流传感器的解调电路是 。 A.整流电路 B.相敏检波电路 C.鉴频器 4.下列传感器中 是基于压阻效应的。 A..金属应变片 B.半导体应变片 C.压敏电阻 5.石英晶体沿机械轴受到正应力时，则会在垂直于——的表面上产生电荷量。 A.机械轴 B.电轴 C.光轴 6.金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由 来决定的。 A.贴片位置的温度变化 B.电阻丝几何尺寸的变化 C.电阻丝材料的电阻率变化 7.电容式传感器中，灵敏度最高的是 。 A.面积变化型 B ．介质变化型 C ．极距变化型 8.极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是因为 。 A.电容量微小影响灵敏度 B.灵敏度与极距的平方成反比，间距变化大则产生非线性误差 C.非接触测量 9.高频反射式涡流传感器是基于 效应来实现信号的感受和变换的。 A.涡电流 B.纵向 C.横同 10.压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，这称为 效应。 A.压电 B.压阻 C.压磁 D.逆压电 二、填空题 1.可用于实现非接触式测量的传感器有 和 等。 2.电阻应变片的灵敏度表达式为E l dl R dR S λγ++==21//，对于金属应变片来说：S ＝ ， 而对于半导体应变片来说S ＝ 。 3.具有 的材料称为压电材料，常用的压电材料有 和 。 4.光电元件中常用的有 、 和 。 5.压电传感器在使用 放大器时，其输出电压几乎不受电缆长度变化的影响。 6.电阻应变片的电阻相对变化率是与 成正比的。 7.压电传感器在使用电压前置放大器时，连接电缆长度的改变，测量系统的 也 将发生变化。 8.电容式传感器有 型 型和 型3种类型，其中 型的灵敏度最高。 9. 霍尔元件是利用半导体元件的 特性工作的。 10. 按光纤的作用不同，光纤传感器可分为 和 两种类型。
实验一半导体材料的缺陷显示及观察
实验一半导体材料的缺陷显示及观察 实验目的 1．掌握半导体的缺陷显示技术、金相观察技术； 2．了解缺陷显示原理，位错的各晶面上的腐蚀图象的几何特性； 3．了解层错和位错的测试方法。 一、实验原理 半导体晶体在其生长过程或器件制作过程中都会产生许多晶体结构缺陷，缺陷的存在直接影响着晶体的物理性质及电学性能，晶体缺陷的研究在半导体技术上有着重要的意义。 半导体晶体的缺陷可以分为宏观缺陷和微观缺陷，微观缺陷又分点缺陷、线缺陷和面缺陷。位错是半导体中的主要缺陷，属于线缺陷；层错是面缺陷。 在晶体中，由于部分原子滑移的结果造成晶格排列的“错乱”，因而产生位错。所谓“位错线”，就是晶体中的滑移区与未滑移区的交界线，但并不是几何学上定义的线，而近乎是有一定宽度的“管道”。位错线只能终止在晶体表面或晶粒间界上，不能终止在晶粒内部。位错的存在意味着晶体的晶格受到破坏，晶体中原子的排列在位错处已失去原有的周期性，其平均能量比其它区域的原子能量大，原子不再是稳定的，所以在位错线附近不仅是高应力区，同时也是杂质的富集区。因而，位错区就较晶格完整区对化学腐蚀剂的作用灵敏些，也就是说位错区的腐蚀速度大于非位错区的腐蚀速度，这样我们就可以通过腐蚀坑的图象来显示位错。 位错的显示一般都是利用校验过的化学显示腐蚀剂来完成。腐蚀剂按其用途来分，可分为化学抛光剂与缺陷显示剂，缺陷显示剂就其腐蚀出图样的特点又可分为择优的和非择优的。 位错腐蚀坑的形状与腐蚀表面的晶向有关，与腐蚀剂的成分，腐蚀条件有关，与样品的性质也有关，影响腐蚀的因素相当繁杂，需要实践和熟悉的过程，以硅为例，表1列出硅中位错在各种界面上的腐蚀图象。 二、位错蚀坑的形状 当腐蚀条件为铬酸腐蚀剂时，<100>晶面上呈正方形蚀坑，<110>晶面上呈菱形或矩形蚀坑，<111>晶面上呈正三角形蚀坑。（见图1）。
电子半导体行业封装测试技术分析报告
广州创亚企业管理顾问有限公司 电子半导体行业封装测试技术分析报告
半导体封装测试 是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。 包含对芯片的支撑与机械保护，电信号的互连与引出，电源的分配和热管理。 半导体封装的作用 包括贴膜、打磨、去膜再贴膜、切割、晶圆测试、芯片粘贴、烘焙、键合、检测、压膜、半导体封测主要流程 电镀、引脚切割、成型、成品测试等。 在于如何将芯片I/O接口电极连接到整个系统PCB板上，键合是关键环节即用导线将芯片封装的核心 上的焊接点连接到封装外壳的焊接点上，外壳上的焊接点与PCB内导线相连，继而与其 他零件建立电气连接。
测试工艺贯穿半导体设计、制造、封装与测试三大过程，是提高芯片制造水平的关键工序之一。 广义的半导体测试包括前段及中后段的工艺检测。其中，前段的工艺检测偏重于从微观角度在线监测晶圆制造的微观结构是否符合工艺要求（例如几何尺寸与表面形貌的检测、成分结构分析和电学特性检测等），主要设备是高精度晶圆光学检测机（AOI）等。中后段的性能测试主要偏重于从芯片功能性的角度检测芯片 的性能表现是否符合设计要求。 半导体产业链中测试设备的应用
涉及中后道的性能测试，主要设备是测试机、分选机及探针台。测试机、分选机、探针台除了在晶圆制造、芯片封装及测试环节使用，在芯片设计的设计验证环节也有一定的应用。 其中测试机是检测芯片功能和性能的专用设备，测试机对芯片施加输入信号，采集被检测芯片 的输出信号与预期值进行比较，判断芯片在不同工作条件下功能和性能的有效性。 分选机把芯片传送到指定测试位置，然后通过电缆接受测试机的控制，根据测试结果将完成测 试的芯片分类放置。 探针台主要用途是为晶圆上的芯片的电参数测试提供一个测试平台，探针台配合测量仪器可完 成集成电路的电压、电流、电阻以及电容电压特性曲线等参数检测。
半导体测试项目可行性研究报告
半导体测试项目可行性研究报告 （立项+批地+贷款） 编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间：二〇一九年十二月 咨询师：高建
目录
专家答疑： 一、可研报告定义： 可行性研究报告，简称可研报告，是在制订生产、基建、科研计划的前期，通过全面的调查研究，分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。 可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件，如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等，从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较，并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测，从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见，为项目决策提供依据的一种综合性分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。 一般来说，可行性研究是以市场供需为立足点，以资源投入为限度，以科学方法为手段，以一系列评价指标为结果，它通常处理两方面的问题：一是确定项目在技术上能否实施，二是如何才能取得最佳效益。 二、可行性研究报告的用途 项目可行性研究报告是项目实施主体为了实施某项经济活动需要委托专业研究机构编撰的重要文件，其主要体现在如下几个方面作用： 1. 用于向投资主管部门备案、行政审批的可行性研究报告 根据《国务院关于投资体制改革的决定》国发（2004）20号的规定，我国对不使用政府投资的项目实行核准和备案两种批复方式，其中核准项目向政府部门提交项目申请报告，备案项目一般提交项目可行性研究报告。 同时，根据《国务院对确需保留的行政审批项目设定行政许可的决定》，对某些项目仍旧保留行政审批权，投资主体仍需向审批部门提交项目可行性研究报告。 2. 用于向金融机构贷款的可行性研究报告 我国的商业银行、国家开发银行和进出口银行等以及其他境内外的各类金融机构在接受项目建设贷款时，会对贷款项目进行全面、细致的分析平谷，银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下，才会同意贷款。项目投资方需要出具详细的可行性研究报告，银行等金融机构只有在确认项目具有偿还贷款能力、不承担过大的风险情况下，才会同意贷款。 3. 用于企业融资、对外招商合作的可行性研究报告 此类研究报告通常要求市场分析准确、投资方案合理、并提供竞争分析、营销计划、管理方案、技术研发等实际运作方案。 4. 用于申请进口设备免税的可行性研究报告 主要用于进口设备免税用的可行性研究报告，申请办理中外合资企业、内资企业项目确认书的项目需要提供项目可行性研究报告。 5. 用于境外投资项目核准的可行性研究报告 企业在实施走出去战略，对国外矿产资源和其他产业投资时，需要编写可行性研究报告报给国家发展和改革委或省发改委，需要申请中国进出口银行境外投资重点项目信贷支持时，也需要可行性研
半导体芯片测试成本降低方案
-32- /2012.06/ 是三元催化器堵塞或气门、活塞顶面有积 炭。建议驾驶员进行喷油器、进气道、三元催化器免拆清洗。 经过清洗，用VAS5052测试，前氧传感器显示值和以前一样，怠速时后氧传感器显示值在0.12-0.7V之间变化，说明后氧传感器已经恢复正常。清除故障码，OBD警告灯熄灭。 四、结束语 通过以上分析我们得出造成该车故障的主要原因是三元催化器堵塞，气门、活塞顶 面积炭，进行“二清”（即免拆清洗燃油系统、燃烧室与三元催化器，手工清洗节气门与进气道）后，清除故障码，此车行车过程中OBD警告灯点亮，同时出现发动机加速无力的故障便解决了。通过排除此故障，我们得出今后再遇到行车时排气质量恶化或发动机缺火损坏三元催化器，导致OBD警告灯点亮或闪亮的情况，应利用OBD系统故障码和数据流进行诊断，对症修理，以提高维修效率并为顾客降低维修成本。 参考文献 [1]王永军.轿车车载诊断(OBD)系统核心技术研究[D].吉林大学,2007. [2]陈鲁训,陈萍.第二代随车电脑诊断系统OBD II[J].汽车技术,1996(9):47-50. [3]袁双宏.汽车OBD技术浅析[J].科技信息,2009(35).[4]徐建平.美国第二代及欧洲汽车微机故障诊断系统[J].汽车电器,2003(6):45-48. [5]郭庆庆.上海大众帕萨特领驭OBD警告灯报警[J].汽车维修与保养,2012(2). 半导体芯片测试成本降低方案寰鼎集成电路（上海）有限公司 李 华 【摘要】随着电子产品日新月异的发展，在产品品质提高同时，产品价格的下降也越来越被消费者重视。为了降低电子产品的价格，首先需要降低核心芯片的生产成本。测试费用是生产成本的重要组成，其中测试平台的成本直接影响测试费用。本文着重叙述如何用低成本测试平台（v50）实现高成本测试平台（J750）的功能，进而实现测试成本的降低。 【关键词】电子产品；芯片；测试平台（V50，J750）；成本降低 1.引言 随着半导体测试技术的不断发展以及对测试成本降低需求的不断提升，各种低成本测试平台出现并逐渐取代高成本的测试平台的功能。本文通过VQ1710B高精度声卡芯片的测试程序开发过程，详细叙述了如何用低成本测试平台（V50）实现高成本测试平台（J750）的功能，进而实现测试成本的降 低。 2.VQ1710B芯片介绍 2.1 封装管角图（见图1）2.2 主要功能 支持44.1K/48K/96K/192KHz DAC独立采样率 内置高品质耳麦扩音器支持高品质差分输入CD音频信号 ADC路径中的HPF可切断直流电 支持EAPD(External Amplifier Power Down) 3.J750和V50测试平台介绍3.1 J750测试平台 J750是一款高性能SoC测试平台，可以很好的满足各种Soc的测试要求。但是设备的成本较高，根据配置不同，价格一般在300K-500K美金。其主要特性如下： 512 OR 1024 I/O Channels configura-tion. 100MHz full formatted(unmultiplex-ed)drive and receive Independent per pin levels and timing 图1?VQ1710B芯片封装管角图 图2?J750?外观图图3?V50?外观图? 图4?整体测试方案示意图图5?8channel.v?功能项测试结构图
常规材料测试技术模板
常规材料测试技术 一、适用客户: 半导体, 建筑业, 轻金属业, 新材料, 包装业, 模具业, 科研机构, 高校, 电镀, 化工, 能源, 生物制药, 光电子, 显示器。 主要实验室 二、金相实验室 ?LeicaDM/RM光学显微镜 主要特性: 用于金相显微分析, 可直观检测金属材料的微观组织, 如原材料缺陷、偏析、初生碳化物、脱碳层、氮化层及焊接、冷加工、铸造、锻造、热处理等等不同状态下的组织组成, 从而判断材质优劣。须进行样品制备工作, 最大放大倍数约1400倍。 ?Leica体视显微镜 主要特性: 1、用于观察材料的表面低倍形貌, 初步判断材质缺陷; 2、观察断口的宏观断裂形貌, 初步判断裂纹起源。 ?热振光模拟显微镜 ?图象分析仪 ?莱卡DM/RM显微镜附CCD数码照相装置 三、电子显微镜实验室
?扫描电子显微镜(附电子探针)(JEOLJSM5200, JOELJSM820, JEOLJSM6335) 主要特性: 1、用于断裂分析、断口的高倍显微形貌分析, 如解理断裂、疲劳断裂( 疲劳辉纹) 、晶间断裂( 氢脆、应力腐蚀、蠕变、高温回火脆性、起源于晶界的脆性物、析出物等) 、侵蚀形貌、侵蚀产物分析及焊缝分析。 2、附带能谱, 用于微区成分分析及较小样品的成分分析、晶体学分析, 测量点阵参数/合金相、夹杂物分析、浓度梯度测定等。 3、用于金属、半导体、电子陶瓷、电容器的失效分析及材质检验、放大倍率: 10X—300,000X; 样品尺寸: 0.1mm—10cm; 分辩率:1—50nm。 ?透射电子显微镜( 菲利蒲CM-20,CM-200) 主要特性: 1、需进行试样制备为金属薄膜, 试样厚度须<200nm。用于薄膜表面科学分析, 带能谱, 可进行化学成分分析。 2、有三种衍射花样: 斑点花样、菊池线花样、会聚束花样。斑点花样用于确定第二相、孪晶、有序化、调幅结构、取向关系、成象衍射条件。菊池线花样用于衬度分析、结构分析、相变分析以及晶体精确取向、布拉格位移矢量、电子波长测定。会聚束花样用于测定晶体试样厚度、强度分布、取向、点群?XRD-Siemens500—X射线衍射仪
机械工程测试技术基础 第三版 课后答案全集
机械工程测试技术基础习题解答 第一章 信号的分类与描述 1-1 求周期方波（见图1-4）的傅里叶级数（复指数函数形式），划出|c n |–ω和φn –ω图，并与表1-1对比。 解答：在一个周期的表达式为 00 (0)2() (0) 2 T A t x t T A t ? --≤
1-2 求正弦信号0()sin x t x ωt =的绝对均值x μ和均方根值rms x 。 解答：0 000 2200000 224211()d sin d sin d cos T T T T x x x x x μx t t x ωt t ωt t ωt T T T T ωT ωπ ====-==??? 1-3 求指数函数()(0,0)at x t Ae a t -=>≥的频谱。 解答： 1-4 求符号函数(见图1-25a)和单位阶跃函数(见图1-25b)的频谱。 单边指数衰减信号频谱图 f |X (f )| A / φ (f ) f π/2 -π /2 |c n | φ n π /2 -π /2 ω ω ω0 ω 3ω 5ω 3ω0 5ω0 2A/π 2A/3π 2A/5π 幅频 图 相频图 周期方波复指数函数形式 频谱图 2A/5 π 2A/3π 2A/π -ω0 -3ω0 -5ω0 -ω0 -3 0 -50
半导体测试分选编带机的简单系统工程分析与评价
半导体测试分选编带机的可行性简单分析与评价 王晓东 中国电子科技集团第二研究所 2009.01.08
1.引言 半导体产业是整个电子信息产业的核心和基础。随着各类电子产品领域消费需求的快速增长，半导体器件需求量逐年扩大，国内半导体生产企业也在升级换代扩产，尤其是核心的集成电路制造商。 集成电路对设备生产、原材料以及生产环境的要求十分苛刻。制造的工序有800多道，耗时20天以上，只要一道工序出现问题或者一粒尘埃落在产品上，都会导致产品报废，造成巨大的经济损失。这也直接导致集成电路产业几乎成为全世界上最昂贵的“吞金”产业。一般来说，投资一条8英寸的集成电路生产线需要10亿美元，而建设一条12英寸的集成电路生产线所需的资金更是高达15亿―20亿美元，因此集成电路的生产实际上也是对一个国家整体工业水平和经济实力的考验。在中国，每1元人民币的集成电路产值可以带动10元电子产品产值，并创造100元国内生产总值，因此集成电路产业的振兴对一个国家的经济发展有着重要的战略意义。 而我国的装备制造业整体都比较弱势，半导体设备业经过40多年的发展具备了一定的基础，但与集成电路芯片制造业相比，无论从规模、研发水平、投资强度以及人才聚集等是滞后和弱小的产业。仅在近年来得到投资和发展，成为电子专用设备行业8个门类中增长最快的领域之一。近两年我国半导体设备的增长率在50%以上。 随着半导体设备市场的快速发展，我国从事半导体设备开发和生产的企业正在迅速增加，已从2002年的40个发展为2006年的60个（包括兼做单位），其中主要单位20家左右，自主研制的集成电路专用设备达到上百个品种。大部分企业从事前工序和后工序设备研制，另外材料制备设备、净化设备、半导体专用工模具、检测设备、试验设备，半导体设备零部件也各有一些单位在研究和生产。这些设备应用领域为：集成电路、分立器件、新型显示器件（LED、LCD、PDP、VFD）、电力电子器件、混合集成电路（HIC）、压电晶体器件（石英晶体谐振器、振荡器、滤波器、声表器件）、太阳能电池、敏感器件、微机械、光纤通信器件等。 国产半导体设备的服务方向虽仍以一些院校和研究所中的科研型集成电路生产线以及半导体分立器件、LED、太阳能电池、SAW、电力电子等其他应用半导体设备的领域为主，但部分材料制备设备（6英寸单晶炉、研磨机、抛光机）、后
第二章半导体测试基础
导体测试基础(1)——术语 括一下内容： 测试目的 测试术语 测试工程学基本原则 基本测试系统组成 PMU（精密测量单元）及引脚测试卡 样片及测试程序 术语 半导体测试的专业术语很多，这里只例举部分基础的： 被实施测试的半导体器件通常叫做DUT（Device Under Test，我们常简称“被测器件”），或者叫UUT（Unit Unde 我们来看看关于器件引脚的常识，数字电路期间的引脚分为“信号”、“电源”和“地”三部分。 脚，包括输入、输出、三态和双向四类， 输入：在外部信号和器件内部逻辑之间起缓冲作用的信号输入通道；输入管脚感应其上的电压并将它转化为内部逻辑输出：在芯片内部逻辑和外部环境之间起缓冲作用的信号输出通道；输出管脚提供正确的逻辑“0”或“1”的电压，并流）。 三态：输出的一类，它有关闭的能力（达到高电阻值的状态）。 双向：拥有输入、输出功能并能达到高阻态的管脚。 脚，“电源”和“地”统称为电源脚，因为它们组成供电回路，有着与信号引脚不同的电路结构。 VCC：TTL器件的供电输入引脚。 VDD：CMOS器件的供电输入引脚。 VSS：为VCC或VDD提供电流回路的引脚。 GND：地，连接到测试系统的参考电位节点或VSS，为信号引脚或其他电路节点提供参考0电位；对于单一供电的器程序 体测试程序的目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测器件达到或超越它的那些被具体定义在器件规格书里的程序通常分为几个部分，如DC测试、功能测试、AC测试等。DC测试验证电压及电流参数；功能测试验证芯片内AC测试用以保证芯片能在特定的时间约束内完成逻辑操作。 控制测试系统的硬件进行测试，对每个测试项给出pass或fail的结果。Pass指器件达到或者超越了其设计规格；Fail 不能用于最终应用。测试程序还会将器件按照它们在测试中表现出的性能进行相应的分类，这个过程叫做“Binning 个微处理器，如果可以在150MHz下正确执行指令，会被归为最好的一类，称之为“Bin 1”；而它的某个兄弟，只能比不上它，但是也不是一无是处应该扔掉，还有可以应用的领域，则也许会被归为“Bin 2”，卖给只要求100M 还要有控制外围测试设备比如Handler 和Probe 的能力；还要搜集和提供摘要性质（或格式）的测试结果或数据，给测试或生产工程师，用于良率(Yield)分析和控制。
半导体测试与表征技术基础
半导体测试与表征技术基础 第一章概述（编写人陆晓东） 第一节半导体测试与表征技术概述 主要包括：发展历史、现状和在半导体产业中的作用 第二节半导体测试与表征技术分类及特点 主要包括：按测试与表征技术的物理效应分类、按芯片生产流程分类及测试对象分类（性能、材料、制备、成分）等。 第三节半导体测试与表征技术的发展趋势 主要包括：结合自动化和计算机技术的发展，重点论述在线测试、结果输出和数 据处理功能的变化；简要介绍最新出现的各类新型测试技术。 第二章半导体工艺质量测试技术 第一节杂质浓度分布测试技术（编写人：吕航） 主要介绍探针法，具体包括：PN结结深测量；探针法测量半导体扩散层的薄层 电阻（探针法测试电阻率的基本原理、四探针法的测试设备、样品制备及测试 过程注意事项、四探针测试的应用和实例）；要介绍扩展电阻测试系统，具体包 括：扩展电阻测试的基本原理、扩展电阻的测试原理、扩展电阻测试系统、扩 展电阻测试的样品、扩展电阻法样品的磨角、扩展电阻法样品的制备、扩展电 阻测试的影响因素、扩展电阻法测量过程中应注意的问题、扩展电阻法测量浅 结器件结深和杂质分布时应注意的问题、扩展电阻测试的应用和实例。 第二节少数载流子寿命测试技术（编写人：钟敏） 主要介绍直流光电导衰退法、高频光电导衰退法，具体包括：非平衡载流子的 产生、非平衡载流子寿命、少数载流子寿命测试的基本原理和技术、少数载流 子寿命的测试。以及其它少子寿命测试方法，如表面光电压法、少子脉冲漂移 法。 第三节表面电场和空间电荷区测量（编写人：吕航） 主要包括：表面电场和空间电荷区的测量，金属探针法测量PN结表面电场的 分布、激光探针法测试空间电荷区的宽度；容压法测量体内空间电荷区展宽。 第四节杂质补偿度的测量（编写人：钟敏） 包括：霍尔效应的基本理论、范德堡测试技术、霍尔效应的测试系统、霍尔效 应测试仪的结构、霍尔效应仪的灵敏度、霍尔效应的样品和测试、霍尔效应测 试的样品结构、霍尔效应测试的测准条件、霍尔效应测试步骤、霍尔效应测试 的应用和实例、硅的杂质补偿度测量、znO的载流子浓度、迁移率和补偿度测 量、硅超浅结中载流子浓度的深度分布测量 第五节氧化物、界面陷阱电荷及氧化物完整性测量（编写人：钟敏）包括：固定氧化物陷阱和可动电荷、界面陷阱电荷、氧化物完整性测试技术等。 第七节其它工艺参数测试技术介绍（编写人：吕航）
半导体材料测量原理与方法
半导体材料测量(measurement for semiconductor material) 用物理和化学分析法检测半导体材料的性能和评价其质量的方法。它对探索新材料、新器件和改进工艺控制质量起重要作用。在半导体半barl材料制备过程中，不仅需要测量半导体单晶中含有的微量杂质和缺陷以及表征其物理性能的特征参数，而且由于制备半导体薄层和多层结构的外延材料，使测量的内容和方法扩大到薄膜、表面和界面分析。半导体材料检测技术的进展大大促进了半导体科学技术的发展。半导体材料测量包括杂质检测、晶体缺陷观测、电学参数测试以及光学测试等方法。 杂质检测半导体晶体中含有的有害杂质，不仅使晶体的完整性受到破坏，而且也会严重影响半导体晶体的电学和光学性质。另一方面，有意掺入的某种杂质将会改变并改善半导体材料的性能，以满足器件制造的需要。因此检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。一般采用发射光谱和质谱法，但对于薄层和多层结构的外延材料，必须采用适合于薄层微区分析的特殊方法进行检测，这些方法有电子探针、离子探针和俄歇电子能谱。半导体晶体中杂质控制情况见表1。 表1半导体晶体中杂质检测法 晶体缺陷观测半导体的晶体结构往往具有各向异性的物理化学性质，因此，必须根据器件制造的要求，生长具有一定晶向的单晶体，而且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获得规定晶向的平整而洁净的抛光片作为外延材料或离子注入的衬底材料。另一方面，晶体生长或晶片加工中也会产生缺陷或损伤层，它会延伸到外延层中直接影响器件的性能，为此必须对晶体的结构及其完整性作出正确的评价。半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法见表2。 表2半导体晶体结构和缺陷的主要测量方法
半导体测试设备管理系统的设计与实现
半导体测试设备管理系统的设计与实现 发表时间：2019-09-10T11:05:18.610Z 来源：《科学与技术》2019年第08期作者：蔡亲旺 [导读] 本文就针对半导体测试设备管理系统的设计与实现进行分析和探讨。 摘要：相对于企业来讲，特别是对于半导体制造企业来讲，其主要特点就是连续化以及高速化和自动化的生产活动，在这当中为了保证相关生产活动实现全面以及顺利和持续运行，就需要使得企业当中的相关生产设备正常运行。在这当中监理设备维修和管理模式，采用计算机和信息技术对相关设备数据进行采集和分析以及判断，在此基础上，建立适合企业应用的智能化设备管理系统有着很重要的作用。本文就针对半导体测试设备管理系统的设计与实现进行分析和探讨。 关键词：半导体测试设备管理系统；设计；实现 1系统设计目标 在对系统设计前，需要对设备管理系统的设计目标进行明确，这样才可以确保软件设计以及开发工作能够顺利实施。设备管理的主要目标就是对设备的综合应用率提升，是将企业作为经营目标作为依据，采用多样化的技术，对设备整个生命周期实现合理管理。 半导体测试设备管理系统，其主要就是对企业设备管理工作采用信息技术的方式体现在计算机当中，以此确保设备管理实现自动化和信息化。对于系统的使用人员来讲，半导体测试设备主要提供了数据存储和共享的一个平台，采用该平台，可以对半导体测试系统的相关基础信息数据存储到数据库当中，并且也可以采用该平台对相关信息进行查询。在系统开发角度，开发过程对于企业的发展非常重要，半导体测试设备管理系统为企业的设备管理提供了良好的发展模式，采用这种模式，不但可以对设备的工作效率提升，对设备的维护成本降低，还可以对设备的利用率提升，在一定意义上能够为企业创造良好的经济效益。 2系统架构设计 在半导体测试设备管理系统架构设计前，需要对其业务基础信息的关系了解，如图1所示。 例如，设备状态，其信息大部分都是源自设备资产台账，并且在状态报表以及故障、点检、设备的档案管理中都包含设备的状态信息，因此可以发现，系统当中的相关信息都是有一定的联系，在对系统的架构当中，需要对系统业务自身的独立性问题加强重视，只有确保业务模块逻辑合理实现，才可以对各个模块的耦合降低。 对于半导体测试设备管理系统架构主要应用的是三层模式，也就是系统业务在逻辑当中可以分为表现层和业务逻辑层和数据访问层。每一层之间都是独立存在，因此对模块的耦合降低，对系统的灵活性以及自身的可维护性可以有效提升。 表现层：表现层主要就是系统和用户之间实现交互层，采用该代码可以对用户所提交的数据或者请求进行获得，并且，可以对所处理的结果及时的反馈到用户当中。 业务逻辑层：业务逻辑层主要就是按照业务模块实施逻辑处理，并且对数据访问层进行调用，以此确保实现业务有效处理。 数据访问层：数据访问层主要就是所有和数据库进行交互的方法，对业务逻辑层所传入的参数进行接收，对数据库实现相应的增加或者删减，同时对数据操作结果及时的反馈到业务逻辑层。 3系统实现 3.1设备采购管理模块的实现 在企业设备信息管理当中，设备采购管理有着很丰富的数据，并且，采购管理过程也是非常的重要，对企业的日常运营是非常的困难。系统采购管理是根据企业标准化流程实施的，因此可以完全跟踪和记录所有链接。采购业务包括订购申请，后续收货登记和最终仓库业务。记录操作日志中的整个系统链接以确保整个过程。由于标准化和透明度目标系统管理的半导体测试设备需要从其他供应商处采购，采购最重要的功能是实现对整个企业的物料供应，这是为了确保生产活动顺利实施。 3.2设备档案维护模块的实现 对于设备档案信息管理，其作为目标系统管理当中的主要部门，对半导体设备信息实现有效记录。因为设备信息作为整个系统当中主要的数据信息，所以其所涉及到的字段属性也非常的多。在实现当中可以对设备数据格式实现有效的验证，在实际的验证当中其主要可以分为两种，第一是对客户端进行验证，采用客户端脚本来对其实现，其能够对验证响应速度有效提升，还可以对服务器的压力降低。所以，相对于一些安全性不是很高的属性验证也是采用这种方式实现。另外一种就是可以采用服务器业务代码来有效实现，相对于一些安全性较高的字段属性需要采用这种方式实现。 3.3设备报废模块的实现 在设备的日常管理当中，设备报废管理模块也是比较常见的一项功能性模块。设备在长时间运行之后，若是对其无法实施维修的状况下就可以对该设备实现设备报废操作，但是其一定要能够使得维修部门对相关无法维修证明出示才可以进行报废操作。对半导体测试设备管理系统报废功能的实现，首先需要操作人员能够提供相应的设备报废申请，在申请书当中对报废的原因及时的标注，设备管理相关人员就可以对现阶段的设备做好报废操作，对其相应的信息有效的移动到数据表当中，并且也是为其重新分配新的设备进行代替。对新分配的