熔体快淬法制备非晶、纳米晶

熔体快淬法制备非晶、纳米晶
熔体快淬法制备非晶、纳米晶

熔体快淬法制备非晶、纳米晶

一、实验目的

1. 实践粗晶材料如何制备成非晶、纳米晶材料;

2. 了解不同快淬速度对材料的组织的影响;

3. 了解材料从粗晶变成非晶或纳米晶对其性能的影响。

二、实验原理

熔体快淬就是在真空状态下,将熔融的金属或合金在一定的压力下,注射到高速旋转的水冷铜辊上,使其在极大的过泠度下凝固,获得具有超细结构的非平衡组织,由于这种方法具有极高的冷速,可使金属及合金的晶粒尺寸达到纳米级或得到非晶组织。使制备的金属或合金具有与一般非平衡冷却完全不同的力学和物理性能。

金属或合金的晶粒尺寸随过冷度的增加而减小。熔体快淬的冷速极高,可以使多种金属及合金形成纳米晶或非晶态。而且,由于冷却铜辊的转速及液态金属及合金的喷射压力是可调的,所以冷却速度可以严格控制,从而达到控制金属或合金的晶粒度的目的。

应用熔体快淬制备纳米晶、非晶态金属及合金的工艺易于控制,而且可以实现批量生产,易于产业化。目前,熔体快淬已经在稀土永磁材料、贮氢合金、Ni2MnGa磁性形状记忆合金、耐高温非晶钛基及钛锆基钎焊料、高强度非晶态结构材料等领域得到广泛的应用。

熔体快淬方法的典型工艺如下所示,母合金冶炼→浇注成锭→铸锭在带喷嘴的试管中再熔化→熔化喷射→高速旋转的冷却辊→固化→薄带和辊分离→收集带子→晶化退火(可省略)→破碎制粉→SPS烧结。

熔体快淬分为单辊快淬法和双辊快淬法。本实验室用的是单辊快淬法,其原理如图1 所示。铸锭在试管内被感应线圈加热熔化,然后通入氩气,使试管内外产生0.3~0.7个大气压的压力差,使熔化合金从漏嘴喷出,到达快速旋转的辊面,迅速凝固,形成连续薄带,再借助离心力抛离辊面。如此完成一次喷铸过程需要数秒到数十秒的时间。图2为快淬的薄带。如果淬速更高,得到的薄带将更碎且细小,其晶粒为纳米级(如图3)。实验中,水冷铜辊的转速、液态金属的压力、液态金属的温度、石英管喷口的尺寸、形状以及喷口与铜辊的距离都是快淬工艺的关键因素。

图1 单辊快淬法制备NdFeB薄带图2 NdFeB薄带

图3 26m/s辊速快淬NdFeB薄带的TEM

快淬工艺的制定包括:

1 熔液温度

熔液温度升高,要得到同样厚度的快冷条带,冷却辊就必须吸收更多的热量,但是当冷却辊的结构一定时它的吸热能力也就是一定的,熔液温度是受到工艺操作的限制的,实际操作中要求熔融合金具有较好的流动性,也就是要求有一定的过热度,一般要求高于熔点100℃左右,熔液温度过低会因为流动性降低而改变熔潭形状使带变薄。总的看,首先要考虑的是熔液的温度要能够保证喷制工艺的顺利进行,不至于因为温度的稍微下降而破坏正常的喷制过程。

2 冷却速度及冷却辊

作为冷却体的旋转辊是获得高冷却速度的主要条件。其冷却速度表如表1:

要求制造冷却辊的材料具有高的热传导系数、有尽可能高的硬度、与合金熔液有好的润湿性、容易加工和保持辊面较高的表面光洁度等性能。常用材料有纯铜、铜合金和钢。随着喷制次数的增加或一次喷制量的加大,冷却辊的温度不断升高,为了保证工艺参数的稳定,必须控制冷却辊的温度,这就需要采取对冷却辊强迫冷却的措施,实际应用中大多采用水内冷的冷却方式。冷却辊表面在喷制带的过程中会不断被站污、损伤,造成成品条带上无规则的或周期性的孔洞等缺陷,影响带的质量,甚至成为废品。因此经常清理、修整使冷却辊表面光滑是非常必要的。

3 坩埚和喷嘴

试验研究和小量制备样品时采用坩埚和喷嘴—体的结构,常用熔融石英管制成。石英透明因而便于直接观察合金熔化情况,它有良好的耐急冷急热性能,与大多数合金无作用或无明显作用,尺寸小的加工制作较为灵活方便。

4 试管的管嘴形状

要得到一定几何尺寸的快冷条带,一个基本条件是喷嘴有合理的形状、精确的尺寸和至少要保证在一次喷制过程中不变形。合金细丝和小于3mm的窄带应采用圆孔形喷嘴喷制,

3mm以上的带一般使用矩形狭缝喷嘴。本实验采用圆孔形。喷嘴应该表面平整光滑,尺寸精确。喷嘴直径不能过小,否则会因为不易控制熔液流的连续稳定,造成熔潭的不稳定,从而使得到的快冷条带在几何形状和尺寸出现缺陷。如果直径过大,则往往由于熔液的重力而发生“自流”现象,导致喷制失败。

本次实验对铜锌合金进行快淬工艺制定,并进行实际操作,通过两组快淬速度的对比(6 m/s和40 m/s)系统地观察不同淬速下其晶粒的大小(纳米晶或非晶)。

三、实验设备

1、熔体快淬炉

2、石英管

3、铜锌合金

4、真空泵(机械泵、罗茨泵、扩散泵)

四、实验描述

1、将铜锌合金放入底部开口的石英管中,孔的大小要与所熔化的合金相匹配,若孔隙太小,则熔融金属在喷出的过程中容易堵住;若空隙过大,由于重力的作用会形成液滴,自动下落,导致成品的组织结构发生变化。

2、密闭熔体快淬炉,依次开启机械泵、罗茨泵、扩散泵,进行抽真空处理。注意在此过程中各个阀门的开启顺序。

3、向炉中冲入高纯氩气,并保持喷嘴部分与炉腔内有一定的压强差。本次实验中,喷嘴部分的压强要比炉中高约0.7个大气压,其目的是利用压强差使熔融金属从空隙中喷出。

4、利用电磁感应原理加热石英管中的金属,属于二次熔化的过程,要注意对加热温度的控制,温度低使液态金属的流动性差;温度过高会导致挥发,并容易产生偏析。

5、当加热到适当温度时,选定好喷铸速度后,开始喷铸。

6、喷铸完成后,打开炉盖,取出薄带。

7、选定另一个转速,重复上述操作。

四、实验体会

本次实验通过快淬处理制备非晶、纳米晶材料,通过对快淬速度的控制,制备出不同的铜锌合金薄带。纳米晶或非晶态具有与普通合金不同的微观组织,也具有普通合金不同的物理、化学性质。下图为本次实验所制得的两种薄带的样品形貌,在低转速下,薄带比高转速下要宽大,其微观组织也有所不同。

图1 6m/s(低转速)样品形貌图2 40m/s(高转速)样品形貌

非晶纳米晶软磁材料都有哪些

如果金属或合金的凝固速度非常快(例如用每秒高达一百万度的冷却速率将铁-硼合金熔体凝固),原子来不及整齐排列便被冻结住了,其排列方式类似于液体,是混乱的,这就是非晶合金。非晶纳米晶软磁材料都有哪些?您可以咨询安徽华晶机械有限公司,下面小编为您简单介绍,希望给您带来一定程度上的帮助。 非晶软磁合金材料的种类: 1、铁基非晶合金铁基非晶合金:主要元素是铁、硅、硼、碳、磷等。它们的特点是磁性强(饱和磁感应强度可达1.4-1.7T )、磁导率、激磁电流和铁损等软磁性能优于硅钢片,价格便宜,最适合替代硅钢片,特别是铁损低(为取向硅钢片的1/3-1/5),代替硅钢做配电 变压器可降低铁损60-70%。铁基非晶合金的带材厚度为0.03毫米左右,广泛应用于中低频变压器的铁心(一般在10千赫兹以下) ,

例如配电变压器、中频变压器、大功率电感、电抗器等。 2、铁镍基非晶合金铁镍基非晶合金:主要由铁、镍、硅、硼、磷等组成,它们的磁性比较弱(饱和磁感应强度大约为1T以下),价格较贵,但磁导率比较高,可以代替硅钢片或者坡莫合金,用作高要求的中低频变压器铁心,例如漏电开关互感器。 3、钴基非晶合金钴基非晶合金:由钴和硅、硼等组成,有时为了获得某些特殊的性能还添加其它元素,由于含钴,它们价格很贵,磁性较弱(饱和磁感应强度一般在1T以下),但磁导率极高,一般用在要求严格的军工电源中的变压器、电感等,替代坡莫合金和铁氧体。 4、纳米(超微晶)软磁合金材料由于非晶合金中原子的排列是混乱无序的这种特殊结构,使得非晶合金具有一些独特的性质。

安徽华晶机械有限公司位于安庆长江大桥经济开发区。是人民解放军第4812工厂全资子公司。公司经营以机械制造为主,拥有各类专业生产、检验试验设备94台(套),涉及铸造、橡胶制品、压力容器、制造等多个行业,主要从事非晶软磁设备、空压机及气源设备、橡胶件(含特种橡胶件)、餐余垃圾处理设备、铸件、机械加工等产品的研制、生产、经营和服务。 自成立以来,公司上下高度重视技术创新和产品结构升级工作,建立了以市场为导向,努力满足用户需求的产品研发体系。公司坚持以跨越发展的思想为指导,秉承敬业、高效、求实、创新的优良传统,继续依托军工技术和“中”牌品质,为广大新老客户提供更优良的产品和服务。

非晶和纳米晶合金的比较

铁基非晶合金在工频和中频领域,正在和硅钢竞争。铁基非晶合金和硅钢相比,有以下优缺点。 1)铁基非晶合金的饱和磁通密度Bs比硅钢低 但是,在同样的Bm下,铁基非晶合金的损耗比0.23mm厚的3%硅钢小。一般人认为损耗小的原因是铁基非晶合金带材厚度薄,电阻率高。这只是一个方面,更主要的原因是铁基非晶合金是非晶态,原子排列是随机的,不存在原子定向排列产生的磁晶各向异性,也不存在产生局部变形和成分偏移的晶粒边界。因此,妨碍畴壁运动和磁矩转动的能量壁垒非常小,具有前所未有的软磁性,所以磁导率高,矫顽力小,损耗低。 2)铁基非晶合金磁芯填充系数为0.84~0.86 3)铁基非晶合金磁芯的工作磁通密度 1.35T~1.40T,硅钢为1.6T~1.7T。铁基非晶合金工频变压器的重量是硅钢工频变压器的重量的130%左右。但是,即使重量重,对同样容量的工频变压器,磁芯采用铁基非晶合金的损耗,比采用硅钢的要低70%~80%。 4)考虑损耗,总的评估价为89% 假定工频变压器的负载损耗(铜损)都一样,负载率也都是50%。那么,要使硅钢工频变压器的铁损和铁基非晶合金工频变压器的一样,则硅钢变压器的重量是铁基非晶合金变压器的1?8倍。因此,国内一般人所认同的抛开变压器的损耗水平,笼统地谈论铁基非晶合金工频变压器的重量、成本和价格,是硅钢工频变压器的130%~150%,并不符合市场要求的性能价格比原则。国外提 出两种比较的方法,一种是在同样损耗的条件下,求出两种工频变压器所用的铜铁材料重量和价格,进行比较。另一种方法是对铁基非晶合金工频变压器的损耗降低瓦数,折合成货币进行补偿。每瓦空载损耗折合成5~11美元,相当于人民币42~92元。每瓦负载损耗折合成0.7~1.0美元,相当于人民币6~8.3元。例如一个50Hz,5kVA单相变压器用硅钢磁芯,报价为1700元/台;空载损耗28W,按60元人民币/W计,为1680元;负载损耗110W,按8元人民币/W计,为880元;则,总的评估价为4260元/台。用铁基非晶合金磁芯,报价为2500元/台;空载损耗6W,折合成人民币360元;负载损耗110W,折合成人民币880元,总的评估价为3740元/台。如果不考虑损耗,单计算报价,5kVA铁基非晶合金工 频变压器为硅钢工频变压器的147%。如果考虑损耗,总的评估价为89%。 5)铁基非晶合金抗电源波形畸变能力比硅钢强 现在测试工频电源变压器磁芯材料损耗,是在畸变小于2%的正弦波电压下进行的。而实际的工频电网畸变为5%。在这种情况下,铁基非晶合金损耗增加到106%,硅钢损耗增加到123%。如果在高次谐波大,畸变为75%的条件下(例如工频整流变压器),铁基非晶合金损耗增加到160%,硅钢损耗增加到300%以上。说明铁基非晶合金抗电源波形畸变能力比硅钢强。 6)铁基非晶合金的磁致伸缩系数大 是硅钢的3~5倍。因此,铁基非晶合金工频变压器的噪声为硅钢工频变压器噪声的120%,要大3~5dB。

磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析_许小亮

磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析* 许小亮1,2,王 烨1,2,赵亚丽1,2,牟威圩1,2,施朝淑1,2 (1.中国科学院中国科学技术大学结构分析重点实验室,安徽合肥230026; 2.中国科学技术大学物理系,安徽合肥230026) 摘 要: 通过直流溅射沉积法在玻璃衬底上制备了不同生长条件下的纳米金薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行表面形貌分析。XRD图显示Au膜具有(111)面择优取向;AFM 图显示,在不同的生长阶段Au膜具有不同的表面微结构。总结了不同的工艺条件对薄膜晶粒生长的影响,这项研究对实现金属薄膜的可控性生长有重要意义。 关键词: 晶粒生长;纳米金;表面形貌;磁控溅射 中图分类号: O782.9文献标识码:A 文章编号:1001-9731(2006)08-1216-04 1 引 言 纳米金颗粒薄膜的非线性光学研究在国际上引起高度重视,这是因为入射光可在金属颗粒间产生的很强的近场表面等离子激元(SP)共振增强效应[1,2],具备102~106倍的局域增强效果[3,4]。但既往研究中的金薄膜是处于高度无序状态的准连续颗粒薄膜,而没有开展对有序微晶体系薄膜的研究。这是因为技术上还没有做到对薄膜取向度和晶粒尺寸的可控性生长[5]。根据已有的SP理论,组成薄膜的颗粒大小及其结晶度对SP有很大的影响,因此实现纳米金颗粒薄膜的可控性生长对于推动SP的研究是十分重要的。 从一般理论模拟的结果[6~14]来看,薄膜的生长可分为3个阶段:晶粒的成核与核生长过程、正常晶粒生长过程和反常晶粒生长过程[6]。这3个阶段之间并没有严格的界限,只是在特定阶段时某种过程占主导地位。各晶粒相互接触,晶界形成后,晶粒开始柱状生长,横向直径由早期在衬底表面上发生的成核过程决定[7,8]。随着薄膜厚度的增加,柱状晶粒的平均直径不断增加,这就是薄膜的正常晶粒生长过程[9]。当晶粒半径可以和薄膜厚度相比拟时,正常晶粒生长将会停滞,这被称为厚度效应[10]。整体上所有晶粒的平均尺寸将继续增长,主要是反常晶粒的生长[11,12],速率更快,这是吸收了周边的正常晶粒所致,这种生长状态将持续到正常晶粒全部被吸收。薄膜晶粒的优势取向生长是由晶粒间自由表面能和接触面能的差异造成的[13]。晶粒的正常生长过程对晶粒的优势取向生长及薄膜的织相结构并没有影响;而在反常生长阶段,具有优势取向的晶粒边界迁移能力更强,会以相对更快的速度生长,并吸收周围的晶粒,生长成为大晶粒,形成薄膜的最优取向和织相结构[14]。 2 实 验 本实验采用直流磁控溅射仪制备Au膜,用洁净的载玻片作为衬底,靶材为纯度5N的金靶,本底真空控制在10-3~10-2Pa,起辉电压0.26kV,电流25mA。溅射过程中,功率控制在6.5~10W,所生长的薄膜厚度分别为3、6、12和24nm。本实验的目的是总结不同的工艺条件对薄膜生长的影响,而影响纳米金属颗粒的可控性生长的主要因素有:溅射气体压强,衬底温度,薄膜厚度以及溅射功率和溅射电流等,我们将实验样品分组,进行组合式分析。具体的实验参数见表1。 表1 纳米金薄膜的不同生长条件 Table1Different grow th conditions of the nano-Au film s 样品号 厚度 (nm) A r气压 (Pa) 温度 ( ) 功率 (W) 13,6,12,24 3.02008.7 212 0.5, 1.0, 3.0, 6.0 200 6.5 312 3.0 RT,150,200, 250,300 10.0 利用XRD和AFM对各种样品进行了结构和表面形貌分析。 3 实验结果及分析 对3组样品分别作了X射线衍射谱研究(图1~ 3)。谱中的4个峰分别对应于Au薄膜的(111)、(200)、(220)、(311)面。研究指出:具有面心立方结构(f.c.c.)的金属薄膜,其晶粒的自由表面和底部的表面自由能在(111)面上达到最小值[13],这表明金膜本身的性质决定它有(111)的优势取向。结合本实验的XRD测试结果,薄膜厚度为24nm(3.0Pa,200 ,8.7 W)时,各特征峰的相对强度比为I(111) I(200) I(220) *基金项目:国家自然科学基金资助项目(50472008);安徽省人才开发基金资助项目(2003Z021);安徽省高新技术基金资助项目(04022001) 收到初稿日期:2005-11-09收到修改稿日期:2006-04-12通讯作者:许小亮 作者简介:许小亮 (1960-),男,江苏南京人,教授,博士,主要从事纳米光电功能材料的研究。

关于磁控溅射发展历程的综述

磁控溅射 1852年,格洛夫(grove)发现阴极溅射现象,自此以后溅射技术就开始建立起来了!磁控溅射沉积技术制取薄膜是上世纪三四十年代发展起来的,由于当时的溅射技术刚刚起步,其溅射的沉积率很低,而且溅射的压强基本上在1pa以上,因此溅射镀膜技术一度在产业话的竞争中处于劣势。1963年,美国贝尔实验室和西屋电气公司采用长度为10米的连续溅射镀膜装置。1974年,j.chapin发现了平衡磁控溅射。这些新兴发展起来的技术使得高速、低温溅射成为现实,磁控溅射更加快速地发展起来了,如今它已经成为在工业上进行广泛的沉积覆层的重要技术,磁控技术在许多应用领域包括制造硬的、抗磨损的、低摩擦的、抗腐蚀的、装潢的以及光电学薄膜等方面具有重要的影响。 磁控溅射的发展历程: 溅射沉积是在真空环境下,利用等离子体中的荷能离子轰击靶材表面,使靶材上的原子或离子被轰击出来,被轰击出的粒子沉积在基体表面生长成薄膜。 溅射沉积技术的发展历程中有几个具有重要意义的技术创新应用,现在归结如下: (1)二级溅射: 二级溅射是所有溅射沉积技术的基础,它结构简单、便于控制、工艺重复性好主要应用于沉积原理的研究,由于该方法要求工作气压高(>1pa)、基体温升高和沉积速率低等缺点限制了它在生产中的应用。 (2)传统磁控溅射(也叫平衡磁控溅射): 平衡磁控溅射技术克服了二级溅射沉积速率低的缺点,使溅射镀膜技术在工业应用上具有了与蒸发镀膜相抗衡的能力。但是平衡磁控溅射镀膜同样也有缺点,它的缺点在于其对二次电子的控制过于严密,使等离子体被限制在阴极靶附近,不利于大面积镀膜。 (3)非平衡磁控溅射: B.Window在1985年开发出了“非平衡磁控溅射技术”,它克服了平衡磁控溅射技术的缺陷,适用于大面积镀膜。并且在上世纪90年代前期,在非平衡磁控溅射的基础上发展出了闭合非平衡系统(CFUBMS),采用多个靶以及非平衡结构构成的闭合磁场可以对电子进行有效地约束,使整个真空室的等离子体密度得以提高。这样可以使磁控溅射技术更适合工业生产。 (4)脉冲磁控溅射: 由于在通过直流反应溅射来制得高密、无缺陷的绝缘膜(尤其是氧化物薄膜)时,经常存在不少的问题。其结果会严重的影响膜的结构和性能。但是通过脉冲磁控溅射可以与制得金属薄膜同样的效率来制得高质量的绝缘体薄膜。近年来,随着脉冲中频电源的研发成功,使镀膜工艺技术又上了一个新的台阶;利用中频电源,采用中频对靶或者孪生靶,进行中频磁控溅射,有效地解决了靶中毒严重的现象,特别是在溅射绝缘材料的靶时,克服了溅射过程中,阳极消失的现象。 (5)磁控溅射技术新型应用: 磁控溅射技术的新型应用是指在以上基础上,再根据应用的需要,对磁控溅射系统进行改进而衍生出的多种多样的设备和装置。这些改进主要是在系统内磁力线的分布上以及磁控溅射靶的设置和分布上。

非晶纳米晶软磁材料应用市场概况

非晶/纳米晶软磁材料应用市场概况 非晶态软磁合金材料为20世纪70年代问世的一种新型材料,因具有铁芯损耗小、电阻率高、频率特性好、磁感应强度高、抗腐蚀性强等优点,引起了人们的极大重视,被誉为21世纪新型绿色节能材料。其技术特点为:采用超急冷凝固技术使合金钢液到薄带材料一次成型;采用纳米技术,制成介于巨观和微观之间的纳米态(10-20nm)软磁物质。非晶、纳米晶合金的优异软磁特性都来自于其特殊的组织结构,非晶合金中没有晶粒和晶界,易于磁化;纳米晶合金的晶粒尺寸小于磁交换作用长度,导致平均磁晶各向异性很小,并且通过调整成分,可以使其磁致伸缩趋近于零。【表1】列出了非晶/纳米晶软磁材料的典型性能及主要应用领域。 表1 非晶/纳米晶软磁材料的典型性能及主要应用领域

近年来,随着信息处理和电力电子技术的快速发展,各种电器设备趋向高频化、小型化、节能化。 在电力领域,非晶、纳米晶合金均得到大量应用。其中铁基非晶合金的最大应用是配电变压器铁芯。由于非晶合金的工频铁损仅为硅钢的1/5~1/3,利用非晶合金取代硅钢可使配电变压器的空载损耗降低60﹪~70﹪。因此,非晶配电变压器作为换代产品有很好的应用前景。纳米晶合金的最大应用是电力互感器铁芯。电力互感器是专门测量输变电线路上电流和电能的特种变压器。近年来高精度等级(如级、级、级)的互感器需求量迅速增加。传统的冷轧硅钢片铁芯往往达不到精度要求,虽然高磁导率玻莫合金可以满足精度要求,但价格高。而采用纳米晶铁芯不但可以达到精度要求、而且价格低于玻莫合金。 在电力电子领域,随着高频逆变技术的成熟,传统大功率线性电源开始大量被高频开关电源所取代,而且为了提高效率,减小体积,开关电源的工作频率越来越高,这就对其中的软磁材料提出了更高的要求。硅钢高频损耗太大,已不能满足使用要求。铁氧体虽然高频损耗较低,但在大功率条件下仍然存在很多问题,一是饱

水热法制备CdSe纳米晶(1)

水热法制备CdSe 纳米晶 李 莉 (淮南师范学院化学生物系,安徽淮南 232001) 摘 要:用合成的Na 2SeS O 3和Cd (NO 3)2?4H 2O 在水溶液中180℃下反应12h,合成了直径为100n m 的CdSe 纳米球,利用X 射线粉末衍射(XRD )和扫描电子显微镜(SE M )对其结构进行了表征,并探讨了其生长机理. 关键词:水热法;CdSe;纳米晶 中图分类号:O742+.6 文献标识码:A 文章编号:1673-162X (2006)02-0039-02 硒化镉CdSe 作为直接带隙的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体,具有很好的光电导性能,是一种极好的室温核辐射探测材料.由于CdSe 具有漏电流小,不易潮解等许多独特的性质,用它可制作室温下核辐射探测器和一些基底材料.同时,从禁带宽度的角度来看,CdSe 具有较大的禁带宽度(Eg =117e V ),也是较好的太 阳能电池材料.另外,CdSe 晶体还是一种非线性光学材料,可见CdSe 具有较为广阔的应用前景[1].如广泛 应用于各种发光装置、激光与红外探测器件、红外窗口与非线性光学材料、光化学催化剂和光敏传感器等领域.随着粒子尺寸的减小,由于量子尺寸效应,Ⅱ—Ⅵ族半导体纳米材料呈现出一系列与体相材料截然不同的特异性质,如光吸收和荧光发射显著增强并发生蓝移,光学三阶非线性响应速度显著提高等,可望成为制造新一代固态电子、光电子器件的材料.未来的研究趋势是如何控制和合理设计纳米结构组件及由 纳米组分构成的体相材料.因此也引起了众多科学家浓厚的研究兴趣.刘舒曼[2]等以巯基乙酸为稳定剂, 在水溶液中合成了稳定的CdSe 纳米颗粒;Chen M inghai [3]等人用Cd 盐与Na 2Se O 3反应,用N 2H 4?H 2O 作 溶剂成功制的CdSe 纳米棒;Yu Shuhong [4] 等人在乙二胺溶剂中用Se 粉和CdC 2O 4反应,制得了CdSe 纳米晶并研究了它的形貌控制.本文用一种较为简便的方法在水溶液中制得了CdSe 纳米晶.1 实验部分 1.1 药 品 Se 粉,亚硫酸钠Na 2S O 3,硝酸镉Cd (NO 3)2?4H 2O ,乙二胺四乙酸二钠E DT A,氨水NH 3?H 2O,所有试剂均为A.R 级. 1.2 实 验 (1)制备Na 2SeS O 3溶液[5].根据Na 2S O 3+Se =Na 2SeS O 3,称取1 2.6g Na 2S O 3溶于三颈圆底烧瓶中,回流加热约100℃左右,磁子搅拌,待沸腾后加入 3.95g Se 粉,回流搅拌加热约1h,待Se 粉完全反应完,得Na 2SeS O 3浅黄色澄清透明溶液.冷却,定容100mL,置于棕色瓶中,避光保存.(2)CdSe 纳米球的制备.称取1.542g Cd (NO 3)2?4H 2O ,加入蒸馏水搅拌至完全溶解,加入约1.86g EDT A,溶液出现浑浊,滴加氨水至溶液变澄清,并调节溶液pH 为9~11.加入10mL 新制好的Na 2SeS O 3,搅拌0.5h 后,转入不锈钢反应釜,放入烘箱中(180℃),12h 后取出反应釜,冷却至室温后,将样品取出,离心分离,用蒸馏水和乙醇反复洗涤,再放入真空干燥箱内干燥(60℃),5~6h 后得黑色样品.(3)仪器.R igaku D /max r A 型 X -射线粉末衍射仪XRD (Cu 靶,扫描速率为0.06°?s -1,扫描角度为10°~80° ).扫描电子显微镜X -650(scanning electr on m icr oanalyzer,SE M ). 2 结果与讨论 2.1 CdSe 纳米晶的生成和表征 整个反应过程可用下面方程式表示: Cd 2++SeS O 2-3+2OH -→CdSe +S O 2-4+H 2O. E DT A 与Cd 2+配位,避免生成大量的CdSe O 3沉淀.氨水调节溶液的pH 值,在碱性条件下,Se 2-容易被 收稿日期:2006-04-06 修回日期:2006-04-21 作者简介:李 莉(1978—),女,安徽淮南人,淮南师范学院化学生物系助教,在读研究生. 合肥学院学报(自然科学版) Journal of Hefei University (Natural Sciences ) 2006年6月 第16卷第2期 Jun .2006Vol .16No .2

磁控溅射金属薄膜的制备

磁控溅射薄膜金属的制备 黎明 烟台大学环境与材料工程学院山东烟台111 E-mail:1111111@https://www.360docs.net/doc/4711254194.html, 摘要: 金属与金属氧化物在气敏、光催化与太阳能电池等方面有着极为重要的应用,通过磁控溅射法制备的金属氧化物薄膜,具有纯度高、致密性好、可控性强、与基底附着性好等优点,因此磁控溅射技术被广泛应用于工业化生产制备大面积、高质量的薄膜。我们通过磁控溅射法制备了氧化铜纳米线阵列薄膜,并研究了其气敏性质;除此之外,我们还通过磁控溅射法制备了TiO2/WO3复合薄膜,研究了两者之间的电荷传输性质 关键词:磁控溅射;气敏性质;光电性质 Magnetron sputtering metal film preparation LiMing Environmental and Materials Engineering, Yantai UniversityShandong Yantai111 E-mail:1111111@https://www.360docs.net/doc/4711254194.html, Abstract:GAasMetal and metal oxide have important applications in gas-sensing, photocatalyst and photovoltaics, etc. The metal oxide film prepared by magnetron sputtering technique possesses good qualities, such as high purity, good compactness, controllability and excellent adhesion. Therefore magnetron sputtering technique is widely used to prepare large area and high quality films in industrial production. In our work, CuOnanowires (NWs) array films were synthesized by magnetron sputtering. Their gas-sensing properties were also investigated. Except this, WO3/ TiO2nanocomposite films were synthesized by magnetron sputtering and their dynamic charge transport properties were investigated by the transient photovoltage technique. KeyWords :Gmagnetron Sputtering, Photo-electric Properties, Gas-sensing Properties 1绪论 磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜生产中最主要的技术之一,相应的溅射技术与也取得了进一步的发展!非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布,提高了膜层质量;中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象,消除靶中毒和打弧问题,提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率;改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率;高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域。

磁控溅射镀膜技术的发展

第46卷第2期2009年3月 真空VACUUM Vol.46,No.2Mar.2009 收稿日期:2008-09-03 作者简介:余东海(1978-),男,广东省广州市人,博士生 联系人:王成勇,教授。 *基金项目:国家自然科学基金(50775045);东莞市科技计划项目(20071109)。 磁控溅射镀膜技术的发展 余东海,王成勇,成晓玲,宋月贤 (广东工业大学机电学院,广东 广州 510006) 摘 要:磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜生产中最主要的技术之一,相应的溅 射技术与也取得了进一步的发展。 非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布,提高了膜层质量;中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象,消除靶中毒和打弧问题,提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率;改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率;高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域。 关键词:镀膜技术;磁控溅射;磁控溅射靶中图分类号:TB43 文献标识码:A 文章编号:1002-0322(2009)02-0019-07 Recent development of magnetron sputtering processes YU Dong-hai,WANG Cheng-yong,CHENG Xiao-ling,SONG Yue-xian (Guangdong Universily of Technology,Guangzhou 510006,China ) Abstract:Magnetron sputtering processes have been widely appleed to thin film deposition nowadays in various industrial fields due to its outstanding advantages,and the technology itself is progressing further.The unbalanced magnetron sputtering process can improve the plasma distribution in deposition chamber to make film quality better.The medium -frequency and pulsed magnetron sputtering proceses can efficiently avoid the hysteresis during reactive sputtering to eliminate target poisoning and arcing,thus improving the stability and depositing rate in preparing thin compound films.Higher utilization of target can be obtained by improved target design,and the high -speed sputtering and self -sputtering provide a new field of applications in magnetron sputtering coating processes. Key words:coating technology;magnetron sputtering;magnetron sputtering target 溅射镀膜的原理[1]是稀薄气体在异常辉光 放电产生的等离子体在电场的作用下,对阴极靶材表面进行轰击,把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方向射向基体表面,在基体表面形成镀层。 溅射镀膜最初出现的是简单的直流二极溅射,它的优点是装置简单,但是直流二极溅射沉积速率低;为了保持自持放电,不能在低气压(<0.1Pa )下进行;不能溅射绝缘材料等缺点限制了其应用。在直流二极溅射装置中增加一个热阴极和辅助阳极,就构成直流三极溅射。增加的热阴极和辅助阳极产生的热电子增强了溅射气体原子的电离,这样使溅射即使在低气压下 也能进行;另外,还可降低溅射电压,使溅射在低 气压,低电压状态下进行;同时放电电流也增大,并可独立控制,不受电压影响。在热阴极的前面增加一个电极(栅网状),构成四极溅射装置,可使放电趋于稳定。但是这些装置难以获得浓度较高的等离子体区,沉积速度较低,因而未获得广泛的工业应用。 磁控溅射是由二极溅射基础上发展而来,在靶材表面建立与电场正交磁场,解决了二极溅射沉积速率低,等离子体离化率低等问题,成为目前镀膜工业主要方法之一。磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点:可制备成靶的材料广,几乎所有金属,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积

非晶纳米晶软磁材料

非晶/纳米晶软磁材料 一.应用领域 非晶态软磁合金材料为20世纪70年代问世的一种新型材料,因具有铁芯损 耗小、电阻率高、频率特性好、磁感应强度高、抗腐蚀性强等优点,引起了人们 的极大重视,被誉为21世纪新型绿色节能材料。其技术特点为:采用超急冷凝 固技术使合金钢液到薄带材料一次成型;采用纳米技术,制成介于巨观和微观之 间的纳米态(10-20nm)软磁物质。非晶、纳米晶合金的优异软磁特性都来自于其 特殊的组织结构,非晶合金中没有晶粒和晶界,易于磁化;纳米晶合金的晶粒尺 寸小于磁交换作用长度,导致平均磁晶各向异性很小,并且通过调整成分,可以 使其磁致伸缩趋近于零。【表1】列出了非晶/纳米晶软磁材料的典型性能及主要 应用领域。 材料铁基非晶铁镍基非晶钴基非晶铁基纳米晶饱和磁感(T) 1.56 0.77 0.6-0.8 1.25 矫顽力(A/m) <4 <2 <2 <2 Br/Bs -- -- >0.96 0.94 最大磁导率45×104>200,000 >200,000 >200,000 铁损(W/kg) P50Hz,1.3T <0.2 P20KHz,0.5T<90 P20KHz,0.5T<30 P20KHz,0.5T<30 磁致伸缩系数27×10-615×10-6<1×10-6<2×10-6居礼温度(℃) 415 360 >300 560 电阻率(mW-cm) 130 130 130 80 应用领域 配电变压器 中频变压器 功率因子校正器 磁屏蔽 防盗标签 磁放大器 高频变压器 扼流圈 脉冲变压器 饱和电抗器 磁放大器 高频变压器 扼流圈 脉冲变压器 饱和电抗器 互感器

成分对于铁基非晶纳米晶合金微观结构和 软磁性能的影响综述--研究生课程论文

研究生课程论文 (2016 -2017 学年第一学期) 论文标题:成分对于铁基非晶纳米晶合金微观结构和软磁性能的影响综述 提交日期:2016 年12 月19日研究生签名:

成分对于铁基非晶纳米晶合金微观结构和软磁性能 的影响综述 1.引言 铁基非晶态合金是一种具有特殊结构和优越性能的新型材料,通过快速凝固在原子层次控制了液态金属的排列,使原子排列保持液态金属的长程无序状态.由于原子排列不规则、长程无序、没有晶粒晶界的存在,因而使得该类材料具有极佳的机械性能、磁性能和耐腐蚀性等优点,通过非晶合金演变纳米晶的可控性,可以进一步得到性能更加优异的纳米晶和非晶/纳米晶复合结构材料,兼具有高饱和磁感应强度、高磁导率和低高频损耗等性能特点[1],是硅钢、铁氧体和坡莫合金等传统软磁材料的替代产品。 要形成非晶合金GFA (玻璃形成能力) 非常重要,井上明久在大量实验结果的基础上总结了非晶合金获得较高GFA需要的3个条件:(1)合金成分含有3种及3种以上元素;(2)不同元素原子半径有较大差异;(3)各元素之间的混合热为负值[2]. Fe基非晶纳米晶合金优异的磁特性由它们的磁致伸缩系数(<20ppm)和磁各向同性都很低。根据随机各向异性模型(RAM)[3],如果晶粒尺寸减小到低于最小交换长度(D <

和纳米尺度区域。在微观尺度区域,粒度和H c之间的反比关系(Hc-D-1)表示传统的原则,即大晶粒尺寸利于软磁性能的提高,但是大的晶粒和磁畴尺寸会增加铁损。在纳米尺度区域,新的非晶微晶合金落在常规的硅钢和铁基非晶合金之间。矫顽力和晶粒尺寸(Hc-D 6)关系显示,在纳米级别,晶粒尺寸的变化,即使是少量仍可能对最终的软磁特性产生显著影响[3,20]。 目前研究的Fe 基纳米晶软磁合金带材主要有Fe-Si-B 系、Fe-Zr-B 系和Fe-B 系。具体讲主要有三种牌号,分别是牌号为Finemet 的Fe-M-Si-Cu-B(M=Nb、Cr、V、W、Mo 等)合金,牌号为Nanoperm的Fe-M-B(M=Zr、Hf、Nb、Ta等)合金[5-6]和牌号为Hitperm的(Fe,Co)-M-B(M=Zr、Hf、Nb 等)合金[4-5]。三种牌号的合金都是采用对非晶合金前驱体进行晶化处理得到纳米晶合金的方法制备而成[1]。通过晶化退火处理不但可以有效地消除合金的内应力,还可以获得纳米晶结构的合金材料,因其具有超细化的显微组织从而表现出极佳的软磁性能[6]。 不同成分对铁基非晶纳米晶软磁性能有很大影响,本文目的是阐明对微观结构和软磁性能有充分研究的元素,如硅,硼,铜,铌,锆,氮掺杂,磷,镍,钴,氢化和锗对铁基非晶纳米晶合金特性的影响。表1总结了各成分的影响结果。 表1.Fe非晶/纳米晶合金添加元素的影响 2.合金元素的影响 2.1 Si和B Fe基合金的GFA比非铁合金系如Mg,Zr,Pd基合金低得多。事实上,通过铜模铸造在Zr和Pd基合金中可获得厚度大于1mm的块状金属玻璃,而在Fe基合金中形成的带材厚度只有几微米。添加B和Si可促进合金凝固过程中非晶态结构的形成,并且B对GFA的提高效应是Si的5倍[8]。此外,应当注意,尽管B可以增强GFA,但它也可以减少一次和二次结晶峰之间的安全间隙,如图2所示。这种物

磁控溅射法制备薄膜材料综述

磁控溅射法制备薄膜材料综述 材料化学张召举 摘要薄膜材料的厚度是从纳米级到微米级,具有尺寸效应,在国防、通讯、航空、航天、电子工业等领域有着广泛应用,其有多种制造方法,目前使用较多的是溅射法,其中磁控溅射的应用较为广泛。本文主要介绍了磁控溅射法的原理、特点,以及制备过程中基片温度、溅射功率、溅射气压和溅射时间等工艺条件对所制备薄膜性能的影响。 关键字磁控溅射;原理;工艺条件;影响 正文 薄膜是指尺度在某个一维方向远远小于其他二维方向,厚度可从纳米级到微米级的材料,由于薄膜的尺度效应,它表现出与块体材料不同的物理性质,有广泛应用。薄膜的制备大致可分为物理方法和化学方法两大类。物理方法主要包括各种不同加热方式的蒸发,溅射法等,化学方法则包括各种化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶法(sol-gel)等。 溅射沉积法由于速率快、均一性好、与基片附着力强、比较容易控制化学剂量比及膜厚等优点,成为制备薄膜的重要手段。溅射法根据激发溅射离子和沉积薄膜方式的不同又分直流溅射、离子溅射、射频溅射和磁控溅射,目前多用后两种。本文主要介绍磁控溅射制备薄膜材料的原理及影响因素。 磁控溅射是70年代迅速发展起来的新型溅射技术,目前已在工业生产中实际应用。这是由于磁控溅射的镀膜速率与二极溅射相比提高了一个数量级。具有高速、低温、低损伤等优点。高速是指沉积速率快;低温和低损伤是指基片的温升低、对膜层的损伤小。1974年Chapin发明了适用于工业应用的平面磁控溅射靶,对进人生产领域起了推动作用。 磁控溅射基本原理 磁控溅射是20世纪70年代迅速发展起来的一种高速溅射技术。对许多材料,利用磁控溅射的方式溅射速率达到了电子术蒸发的水平,而且在溅射金属时还可避免二次电子轰击而使基板保持冷态,这对使用怕受温度影响的材料作为薄膜沉

磁控溅射镀膜技术的发展_余东海

第46卷第2期2009年3月 真 空 VACUUM Vol.46,No.2Mar.2009 收稿日期:2008-09-03 作者简介:余东海(1978-),男,广东省广州市人,博士生 联系人:王成勇,教授。 *基金项目:国家自然科学基金(50775045);东莞市科技计划项目(20071109)。 磁控溅射镀膜技术的发展 余东海,王成勇,成晓玲,宋月贤 (广东工业大学机电学院,广东 广州 510006) 摘 要:磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛,成为工业镀膜生产中最主要的技术之一,相应的溅 射技术与也取得了进一步的发展。 非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布,提高了膜层质量;中频和脉冲磁控溅射可有效避免反应溅射时的迟滞现象,消除靶中毒和打弧问题,提高制备化合物薄膜的稳定性和沉积速率;改进的磁控溅射靶的设计可获得较高的靶材利用率;高速溅射和自溅射为溅射镀膜技术开辟了新的应用领域。 关键词:镀膜技术;磁控溅射;磁控溅射靶中图分类号:TB43 文献标识码:A 文章编号:1002-0322(2009)02-0019-07 Recent development of magnetron sputtering processes YU Dong-hai,WANG Cheng-yong,CHENG Xiao-ling,SONG Yue-xian (Guangdong Universily of Technology,Guangzhou 510006,China ) Abstract:Magnetron sputtering processes have been widely appleed to thin film deposition nowadays in various industrial fields due to its outstanding advantages,and the technology itself is progressing further.The unbalanced magnetron sputtering process can improve the plasma distribution in deposition chamber to make film quality better.The medium -frequency and pulsed magnetron sputtering proceses can efficiently avoid the hysteresis during reactive sputtering to eliminate target poisoning and arcing,thus improving the stability and depositing rate in preparing thin compound films.Higher utilization of target can be obtained by improved target design,and the high -speed sputtering and self -sputtering provide a new field of applications in magnetron sputtering coating processes. Key words:coating technology;magnetron sputtering;magnetron sputtering target 溅射镀膜的原理[1]是稀薄气体在异常辉光 放电产生的等离子体在电场的作用下,对阴极靶材表面进行轰击,把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来,被溅射出来的粒子带有一定的动能,沿一定的方向射向基体表面,在基体表面形成镀层。 溅射镀膜最初出现的是简单的直流二极溅射,它的优点是装置简单,但是直流二极溅射沉积速率低;为了保持自持放电,不能在低气压(<0.1Pa )下进行;不能溅射绝缘材料等缺点限制了其应用。在直流二极溅射装置中增加一个热阴极和辅助阳极,就构成直流三极溅射。增加的热阴极和辅助阳极产生的热电子增强了溅射气体原子的电离,这样使溅射即使在低气压下 也能进行;另外,还可降低溅射电压,使溅射在低 气压,低电压状态下进行;同时放电电流也增大,并可独立控制,不受电压影响。在热阴极的前面增加一个电极(栅网状),构成四极溅射装置,可使放电趋于稳定。但是这些装置难以获得浓度较高的等离子体区,沉积速度较低,因而未获得广泛的工业应用。 磁控溅射是由二极溅射基础上发展而来,在靶材表面建立与电场正交磁场,解决了二极溅射沉积速率低,等离子体离化率低等问题,成为目前镀膜工业主要方法之一。磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点:可制备成靶的材料广,几乎所有金属,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积 DOI:10.13385/https://www.360docs.net/doc/4711254194.html,ki.vacuum.2009.02.026

电化学方法制备纳米材料

电化学方法制备纳米材料 Mcc 引言:诺贝尔奖获得者Feyneman在六十年代曾经预言:如果我们对物体微小规模上的排列加以某种控制的话,我们就能使物体得到大量的异乎寻常的特性,就会看到材料的性能产生丰富的变化。他所说的材料就是现在的纳米材料。 纳米材料和纳米科技被广泛认为是二十一世纪最重要的新型材料和科技领域之一。1992年,《Nanostructured Materials》正式出版,标志着纳米材料学成为一门独立的科学。自1991年Iijima首次制备了碳纳米管以来,一维纳米材料由于具有许多独特的性质和广阔的应用前景而引起了人们的广泛关注。由于纳米材料的形貌和尺寸对其性能有着重要的影响,因此,纳米材料形貌和尺寸的控制合成是非常重要的。作为高级纳米结构材料和纳米器件的基本构成单元,纳米颗粒的合成与组装是纳米科技的重要组成部分和基础。而电化学方法制备纳米材料的研究,经历了早期的纳米薄膜、纳米微晶的制备,直至现在的电化学制备纳米金属线、金属氧化物等过程,为纳米材料的研究做出了极大的贡献。 摘要:纳米是指特征维度尺寸介于1-100 nm范围内的粒子微小粒子,又称作超微粒子。当粒子尺寸小至纳米级时,其本身将具有表面与界面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应,这些效应使得纳米材料具有很多奇特的性能。本文简单综述了纳米材料的合成与制备中常用的几种方法以及简单的一些应用,着重综述了

纳米材料的电化学制备方法并对其影响因素和发展情景做以简单探究。 关键词:纳米材料电化学制备特征应用 Electrochemical preparation of nano materials Mcc Introduction:Nobel Prize winner in the s Feyneman prophecy: if we tiny scale of objects arranged to some control of words, we can make the object have a lot of unusual characteristics, you will see the properties of materials have a wealth of change. What he said is the material of the nanometer material now. Nano materials and nanotechnology is widely thought to be the 21 st century the most important new materials and one of the areas of science and technology. In 1992, the Nanostructured Materials "the official publication, marked the nanometer material science into an independent scientific < https://www.360docs.net/doc/4711254194.html,/gongxue/ >. Since 1991, the first time the Iijima preparation since carbon nanotubes, a one-dimensional nanomaterials due to the nature of the has many special and broad application prospects and caused the people's attention. Because the morphology of nanometer material and size of its performance has the important influence, therefore, the size

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