光电探测实验报告

光电探测实验报告
光电探测实验报告

光电探测技术

实验报告

班级:10050341

学号:05

姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验

一、实验目的

1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型;

2.了解光敏电阻的基本特性;

3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。

二、实验原理

伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。

光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。

大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为

I kα

Φ

式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。

光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。

这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。

光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤

1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流

按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。

2、伏安特性

光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源

的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并做出V/I曲线。

图1光敏电阻的测量电路

四、实验数据

实验数据记录如下:

光电流:

暗电流:0.5uA

实验数据处理:

拟合曲线如下:

五、实验结论

通过本次实验了解了一些常用的光敏电阻的类型、内部结构及其基本特性,也熟练掌握了光敏电阻的特性测试的方法。随着偏置电压的增加,光敏电阻的伏安特性曲线呈线性增长。

实验二光源光功率测试实验

一、实验目的

1.了解光功率计的原理;

2.掌握光功率计的使用方法;

3.了解不同光源的功率值。

二、实验原理

采用美国相干公司的光功率计测量,其工作原理为:光功率计是测量光纤上传送的信号强度的设备,用于测量绝对光功率或通过一段光纤的光功率相对损耗。在光纤系统中,测量光功率是最基本的。光功率计的原理非常像电子学中的万用表,只不过万用表测量的是电子,而光功率计测量的是光。通过测量发射端机或光网络的绝对功率,一台光功率计就能够评价光端设备的性能。用光功率计与稳定光源组合使用,组成光损失测试器,则能够测量连接损耗、检验连续性,并帮助评估光纤链路传输质量。

三、实验步骤

分别测量了红光激光器、绿光激光器和白光光源:

1.打开光功率计,预热一段时间;

2.将波长设置为红光激光器的波长;

3.打开对应激光器,在光功率计上测得其光功率值;

4.依次将波长设置为绿光激光器和白光光源的波长,重复第3步。

5.记录测得数据值。

四、实验数据

实验数据记录如下:

五、实验结论

通过此次光源光功率测试实验,初步了解了光功率计的工作原理及光功率的测量方法,学会了光功率计的使用。通过实验对光的功率有了一个直观的认识,而且提高了我们的动手能力。

实验三光电位置敏感器件---PSD传感器

一、实验目的

1.了解光电位置敏感器件的内部结构;

2.了解PSD传感器的工作原理;

3.学会使用PSD传感器测量微小位移。

二、实验原理

PSD测试系统的基本组成:本测试系统主要有PSD基座、半导体激光器、反射屏、PSD及处理电路单元组成,其结构框图如图2所示。

图2 PSD测试系统结构框图

半导体激光器能输出频率单一,能量集中,功率稳定性好的光信号,具有体积小、亮度高、重量轻、方向性好、寿命长、抗冲击性能好等优点。所以采用半导体激光器作为光电测试系统的光源。

由于PSD器件对光点位置的变化非常敏感而对光斑的形状无严格要求,即输出信号与光的聚焦无关,只与光的能量中心有关,所以让反射屏连接在一个

带有螺旋测微仪的平台上,通过旋转螺旋测微仪来改变反射体离激光器的距离从而改变光线照在聚光 透镜上的位置最终达到改变光点离PSD 中心的距离。其光路图如图 3。

图 3 PSD 测试系统的光路图

由PSD 的工作原理及其探测位置线性度的讨论可知,从PSD 电极输出的电信号并不直接是位置信号,必须对这些电信号进一步处理才能得到光斑的入射位置。当允许将PSD 封装起来使用而且入射光比较强时,可以忽略背景光电流和暗电流,即采用恒定连续光源,光电流为直流信号,处理电路框图如图4所示(即PSD 处理电路单元),前置处理部分将从PSD 两电极输出的微弱电流转换成电压并放大,运算处理部分按照位置公式将两路电压信号相加、相减和相除,最终输出位置信号。

图 4PSD 处理电路单元

三、实验步骤

1、通过基座上端圆形观察孔观察PSD 器件及在基座上的安装位置,连接好PSD 器件与处理电路,开启仪器电源,输出端Vo 接电压表,此时因无光源照射,PSD 前聚焦透镜也无因光照射而形成的光点照射在PSD 器件上,Vo

输出的为环境光的

噪声电压,试用一块遮光片将观察圆孔盖上,观察光噪声对输出电压的变化。

2、将激光器插头插入“激光电源”插口,激光器安装在基座圆孔中并固定。注意激光束照射到反射面上时的情况,光束应与反射面垂直。旋转激光器角度,调节激光光点,(必要时也可调节PSD前的透镜)使光点尽可能集中在器件上。

3、仔细调节位移平台,用电压表观察输出电压VO的变化,当输出为零时,再分别测两路信号电压输出端VO1、VO2的电压值,此时两个信号电压应是基本一致的。

4、从原点开始,位移平台分别向前和向后位移10mm,因为PSD器件对光点位置的变化非常敏感,故每次螺旋测微仪旋转10格(1/10mm),并将位移值(mm)与输出电压值(V0)记录列表,做出V/X曲线,求出灵敏度S,S=△V/△X。根据曲线分析其线性。

四、实验数据

向前移位时的测量数据:

向后移位时的测量数据:

曲线拟合:

灵敏度: =??=

X

V

S 10.048958 =??=

X

V

S 20.043364 五、实验结论

通过本次试验了解了光电位置敏感器件的内部结构及PSD 传感器的工作原理。并且实验中学会了使用PSD 传感器测量微小位移。通过整理实验数据,得到了PSD 传感器的灵敏度。

实验四 CCD 摄像法测径实验

一、实验目的

1. 通过实验了解CCD 实验仪器的安装及操作;

2. 了解CCD 实验仪的测量原理及相应的算法;

3. 熟练掌握使用CCD 实验仪器测量圆孔直径。 二、实验原理

测量原理:测量系统在图像获取环节首先通过CCD 摄像机摄取物体图像,接着经图像采集卡进行数据采集和处理后由图像采集程序将其转化为位图文件存放到硬盘中。随后在测量程序中打开此文件,用户根据测量目的剪取感兴趣的图像区域,然后再经过图像处理和分析得到测量结果。

整个测量过程依据几何成像原理,即根据透镜成像原理建立物面与像面上对应点之间的几何对应关系。如图5所示,待测物休通过物镜成像在CCD 光敏元上,在经过摄像机输出、采样、量化可得到与物体尺寸成一定比例的数字图像。量化后可得确立这种比例关系即可实现实际尺寸的测量。然而由于实际的镜头与理论卜的理想透镜有较大差别,其物像关系也不是和理想透镜成像公式描述的那么简单,所以在本测量系统中采用了实验标定的方法,即通过对标准件的测量实验确立物像间的尺寸比例关系。

实际标定时,我们使用标准量块作为试件,首先利用区域分割从图像中分离目标物体,然后提取并细化其边缘,通过测量程序拟和边缘及计算其长宽所占的像素跨距N 。在已知其长宽的实际尺寸W 的条件下,系统放大比例系数可通过公式K=W/N 计算获得,它表示了一个像素对应的目标空间的实际尺

寸。在测量程序输出像素个数计算结果的基础上乘以相应的K 值即可获得实际尺寸的测量结果。为了避免随机误差的干扰,我们采取了多次标定取平均值的方法。

图5. 几何成像图

圆形尺寸测量算法:我们知道最能全面描述图像统计性质的就是它的统计分布规律。根据理论定义的形状描述是非常有实际意义的,离散图像f (x, y)的矩定义为:

(1)

如果是二值图像,则矩可按下式计算:

p q

pq j

i m i j =∑∑(2)

用目标的距可以求出它的A 心坐标:

(3)

本系统中对圆的测量就是利用了圆心与重心重合的特点,首先对物体图像采用统计排序滤波器进行滤波,然后选取阀值将图像转化为二值图像,利用公式(2) (3)计算其重心即圆心坐标。再对滤波后的图像进行边缘检测确定其边缘点,通过这些边缘点与圆心计算出半径的平均值和均方差。然后根招 3σ

原则剔除伪边缘点,再重复计算圆心和半径一次从而得到测量结果。

三、实验步骤

(一)在被测物前安装好摄像头,连接CCD稳压电源,视频线正确连接图像卡与摄像头。

(二)检查无误后进入测量程序,启动图像采集后,屏幕窗口即显示被测物的图像,适当地调节CCD的镜头前后位置,使目标图像最为清晰。需要注意的是,如果不能正常显示图像时,检查设置的视频标准是否正确,设置如下:(1)打开BtWDMCap

(2)选择工具栏的Option/video Capture Filter

(3)在视频标准中选择PAL—N

(三)尺寸标定:先取一标准直径圆形目标(D0=10mm),根据测试程序测定其屏幕图像的直径D1(单位用象素表示),则测量常数K=D1/D0。软件操作具体如下:

<1>调整CCD摄像机与物体之间的距离,使得物体显示最清晰,记下物距;

<2>使用捕捉(capture)采集图片,即点击按钮,并指定地方保存图片;

<3>进行中值滤波,点击按钮;

<4>选择阀值点进行对图像二值化,点击按钮,然后拖动滑块。

<5>进行二值化处理,点击按钮;

<6>二值化后进行直径测量,点击按钮,把鼠标拖到二值化后的圆形图上,右边条形块中的Distance显示的数据就是图像像素长度(即像素跨距),然后进行计算物体实际长度。

(四)保持CCD镜头与位移平台距离不变,更换另一未知直径的圆形目标,利用测试程序测得其在屏幕上的直径,除以系数K,即得该目标的直径。

四、实验数据

可求得大圆直径R=(380.76585/298.71387)*10=12.75mm

五、实验结论

通过本次实验了解了CCD实验仪器的内部结构及其简单的安装与操作方法,同时也了解了CCD实验仪器的测量原理及相应的算法。

电气检测技术试验报告

本科生实验报告 实验课程电气测试技术学院名称核技术与自动化工程学院专业名称电气工程及其自动化学生姓名刘恒学生学号50504 指导教师王洪辉实验地点逸夫楼6C801 实验成绩 二O—四年十二月 填写说明 1、适用于本科生所有的实验报告(印制实验报告册除外); 2、专业填写为专业全称,有专业方向的用小括号标明; 3、格式要求: ①用 A4 纸双面打印(封面双面打印)或在 A4 大小纸上用蓝黑色水笔书写。 ②打印排版:正文用宋体小四号,倍行距,页边距采取默认形式(上下,左右,页 眉1.5cm,页脚1.75cm)。字符间距为默认值(缩放100%间距:标准);页码用小五号字底 端居中。 ③具体要求: 题目(二号黑体居中); 摘要(“摘要”二字用小二号黑体居中,隔行书写摘要的文字部分,小 4 号宋体);关 键词(隔行顶格书写“关键词”三字,提炼 3-5 个关键词,用分号隔开,小 4 号黑体); 正文部分采用三级标题; 第1章XX (小二号黑体居中,段前行) XXXXX小三号黑体XXXXX(段前、段后行) 1.1.1 小四号黑体(段前、段后行) 参考文献(黑体小二号居中,段前行),参考文献用五号宋体,参照《参考文献著录规则

( GB/T 7714-2005)》。

实验一 金属箔式应变片性能 一单臂电桥 (910 型 998B 型) 1.1实验目的 (1) 了解金属箔式应变片,单臂单桥的工作原理和工作情况。 (2) 观察了解箔式应变片的结构及粘贴方式; (3) 测试应变梁变形的应变输出; (4) 熟悉传感器常用参数的计算方法。 实验原理 本实验说明箔式应变片及单臂单桥的工作原理和工作情况。应变片是最常用的测力 传感元 件。当用应变片测试时,应变片要牢固地粘贴在测试体表面,当测件受力发生形 变,应变片的敏感栅随同变形,其电阻也随之发生相应的变化,通过测量电路,转换成 电信号输出显示。 电桥电路是最常用的非电量电测电路中的一种, 当电桥平衡时,桥路对臂电阻乘积 R1、R2 R3 R4中,电阻的相对变化率分别为 2迟;用四个应变片组成二个差对工作,且 R R1=R2=R3=R4=R, R 仆 R 。 由此可知,单臂、半桥、全桥电路的灵敏度依次增大。 所需单元及部件:直流稳压电源、差动放大器、双平衡梁、测微头、一片应变片、 F/V 表、主、副电源。 旋转初始位置:直流稳压电源打到 2V 档,F/V 表打到2V 档,差动放大增益最大。 实验步骤 了解所需单元、部件在试验仪上的所在位置,观察梁上的应变片, 应变片为棕色衬 底箔式结 构小方薄片。上下二片梁的外表面各贴二片受力应变片和一片补偿应变片, 测 微头在双平行梁前面的支座上,可以上、下、前、后、左、右调节。 将差动放大器调零:用连线将差动放大器的正(+)、负(-)、地短接。将差动放大 器的输 出端与F/V 表的输入插口 Vi 相连;开启主、副电源;调节差动放大器的增益到 最大位置,然后调整差动放大器的调零旋钮使 F/V 表显示为零,关闭主、副电源。 相等,电桥输出为零,在桥臂四个电阻 R1/R1、差动状态工作,则有

硅光电池特性测试实验报告

硅光电池特性测试实验报告 系别:电子信息工程系 班级:光电08305班 组长:祝李 组员:贺义贵、何江武、占志武 实验时间:2010年4月2日 指导老师:王凌波 2010.4.6

目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结

一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1:硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2:简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合

照度实验报告

照度实验报告 一、背景 作业场所的合理采光与照明,对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作 场所设计中的重要项目,无论是天然采光还是人工照明,其主要目的都是给人们的生活和生 产提供必需的视觉条件。 适当的照度设计应遵循工效学的原则,使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉,有利 于辨认物体的高低,深浅,前后远近及相对位置,有利于眼睛的辨色能力,有利于大视野, 降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉,从而提 高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时,会降低工作效率。此外,利用照明 设计对人的情绪的影响,根据场所功能的需求,可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在 绿色照明理念的指导下,人工照明应考虑节能和环保的要求。 二、实验目的 正确熟悉和使用照度计,采集光环境数据,并通过分析数据来判断光环境的照度是否合 理,假如不合理则提出合理的改善措施。 三、实验场所 上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室(室外) 四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性,并提出改善措施 五、分析 1、主观分析 (1)、主观评价调查数据 (2)、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中,s(n)为第n个项目的评分 p(m)为第m个状态的分值,其中,p(1)=0,p(2)=10,p(3)=50,p(4)=100, v (n,m)为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以: s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中,w(n)为第n个评价项目权值,设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量 等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论,本实验的光环境质量等级为3,含义是: 问题较大 2、客观分析(照度数据采集及分析)(1)、照度采集现场 在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间,光照十分充足, 因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。 图书馆二楼自习室现场

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验—实验总结 姓名:赵儒桐 学号:S1******* 指导教师:王彩霞 专业:信息与通信工程 学院:电子信息工程 2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也是增加的。测得实验数据如表2-1: 表2-1 光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 图2.1 光敏电阻光照特性实验曲线 表2-2 光敏电阻伏安特性实验数据

通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的,得到数据如表2-2。 得到的伏安特性如下: 图2.2 光敏电阻伏安特性曲线 由光敏电阻的光谱特性可知光敏电阻对不同波长的光,接收的光灵敏度是不一样的,测量对应各种颜色的光透过狭缝时的电流值,得到数据如下表: 得到的光谱特性曲线如图:

检测技术实验报告

《检测技术实验》 实验报告 实验名称:第一次实验(一、三、五) 院(系):自动化专业:自动化 姓名:XXXXXX学号: XXXXXXXX 实验室:实验组别: 同组人员:实验时间:年月日评定成绩:审阅教师:

实验一金属箔式应变片――单臂电桥性能实验 一、实验目的:了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。 二、实验仪器:应变传感器实验模块、托盘、砝码、数显电压表、±15V、±4V电源、万 用表、导线等。 三、实验原理:电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应 变效应,描述电阻应变效应的关系式为:ΔR/R=Kε,式中ΔR/R为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,ε=Δl/l为电阻丝长度相对变化。金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感组件,如图1-1所示,四个金属箔应变片分别贴在弹性体的上下两侧,弹性体受到压力发生形变,上面的应变片随弹性体形变被拉伸,对应为模块面板上的R1、R3,下面的应变片随弹性体形变被压缩,对应为模块面板上的R2、R4。 图2-1 应变式传感器安装示意图 图2-2 应变传感器实验模板、接线示意图图2-3 单臂电桥工作原理

通过这些应变片转换被测部位受力状态变化、电桥的作用完成电阻到电压的比例变化,如图1-2所示R5、R6、R7为固定电阻,与应变片一起构成一个单臂电桥,其输出电压 E为电桥电源电压,式1-1表明单臂电桥输出为非线性,非线性误差为 四、实验内容与步骤 1、图1-1应变传感器上的各应变片已分别接到应变传感器模块左上方的R1、R 2、R 3、 R4上,可用万用表测量判别,R1=R2=R3=R4=350Ω。 2、从主控台接入±15V电源,检查无误后,合上主控台电源开关,将差动放大器的输入 端Ui短接,输出端Uo2接数显电压表(选择2V档),调节电位器Rw4,使电压表显示为0V。Rw4的位置确定后不能改动。关闭主控台电源。 3、将应变式传感器的其中一个应变电阻(如R1)接入电桥与R5、R6、R7构成一个单 臂直流电桥,见图1-2,接好电桥调零电位器Rw1,直流电源±4V(从主控台接入),电桥输出接到差动放大器的输入端Ui,检查接线无误后,合上主控台电源开关,调节Rw1,使电压表显示为零。 4、在应变传感器托盘上放置一只砝码,调节Rw3,改变差动放大器的增益,使数显电 压表显示2mV,读取数显表数值,保持Rw3不变,依次增加砝码和读取相应的数显表值,直到200g砝码加完,计下实验结果,填入下表1-1,关闭电源。 五、实验数据处理: 利用matlab拟合出的曲线如下:

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

光电计数器实验报告

光电计数器实验报告 学生姓名李志 学号081244115 专业名称光信息科学与技术 指导教师易煦农 时间日期2011-10-19 摘要 21世纪是信息时代,是获取信息,处理信息,运用信息的时代。传感与检测技术的重要性在于它是获得信息并对信息进行必要处理 的基础技术,是获取信 息和处理加工信息的手段,无法获取信息则无法运用信息。 光电式传感器是将光信号转化为电信号的一种传感器。它的理论基础是光电效应。这类效应大致可分为三类。第一类是外光电效应,即在光照射下,能使电子逸出物体表面。利用这种效应所做成的器件有真空光电管、光电倍增管等。第二类是内光电效应,即在光线照射下,能使物质的电阻率改变。这类器件包括各类半导体光敏电阻。第三类是光生伏特效应,即在光线作用下,物体内产生电动势的现象,此电动势称为光生电动势。这类器件包括光电池、光电晶体管等。光电效应都是利用光电元件受光照后,电特性发生变化。敏感的光波长是在可见光附近,包括红外波长和紫外波长。数字式电子计数器有直观和计数精确的优点,目前已在各种行业中普遍使用。数字式电子计

数器有多种计数触发方式,它是由实际使用条件和环境决定的。有采用机械方式的接触式触发的,有采用电子传感器的非接触式触发的,光电式传感器是其中之一,它是一种非接触式电子传感器。采用光电传感器制作的光电式电子计数器。这种计数器在工厂的生产流水线上作产品统计,有着其他计数器不可取代的优点。 【关键词】光电效应光电传感器光电计数器 ABSTRACT The 21st century is the age of information, it is the access to information, treatment information, use of the information age. Sensing and detection technology is important because it is the access to information and the information necessary to deal with the underlying technology, is access to information and means of processing information, unable to get information you won't be able to use information. Photoelectric sensor is a light signal into an electric signal of the sensor. It is the theoretical basis of the photoelectric effect. These effects can be broadly divided into three categories. The first type is outside of the photoelectric effect, namely, in daylight, can make the tungsten surface. Use this effect caused by device with vacuum photocell, photomultiplier tubes, etc. The second category is the photoelectric effect, i.e., in the light, can make the electrical resistivity of the material change. Such devices include various types of photosensitive semiconductor. The third category is photo voltaic effect, in the light, the objects within the EMF EMF, this is called light-induced electromotive force. This class of

光电实验报告

长春理工大学 光电信息综合实验一实验总结 姓名:__________ 学号:S1******* 指导教师:__________ 专业:信息与通信工程 学院:电子信息工程 2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,弓I起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当光敏电阻的工作电压(Vcc)为+5V时,通过实验我们看出来改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也是增加的。测得实验数据如表2-1 : 表光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据 型号:G5528 电压 (U) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度 (Lx) 50 电流 (mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 .42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流 (mA 0 0.09 0 .19 0.: 28 0.3 8 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流 (mA 0 0.12 0 .24 0.: 37 0.4 9 0.62 0.74 0 |.87 0. 98 1.1 2 1.19 表2-2光敏电阻伏安特性实验数据 光敏电阻光照 特 光照度 (Lx) 20 40 60 80 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 寺性实验数据 100 120 140 160 180 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24

化工产品分析检测技术实验报告_图文.

前言 仪器分析是一种科学实验的手段,利用它可以获取所需要的信息,仪器分析实验的目的是通过实验教学,包括严格的基本操作训练,实验方案设计,实验数据处理,谱图解析,实验结果的表述及问题分析,掌握仪器的原理、结构、各主要部件的功能及操作技能,了解各种仪器分析技术在科学研究领域的应用,培养理论联系实际、利用掌握的知识解决问题的能力,培养良好的科学作风和独立从事科学实践能力。 在这门课程的学习中,我们了解了原子吸收光谱法、紫外可见分光光度法、红外光谱法、气相色谱法、高效液相色谱法、离子色谱法等仪器分析的方法。其中,我们重点学习了离子色谱法和原子吸收光谱法,并进行了实验操作,下面介绍一下原子吸收光谱法和离子色谱法测浓度。 二、原子吸收光谱法 1.原子吸收光谱法概述: 光谱仪器的产生原子吸收光谱作为一种实用的分析方法是从1955年开始的。这一年澳大利亚的瓦尔什(A.Walsh发表了他的著名论文“原子吸收光谱在化学分析中的应用”奠定了原子吸收光谱法的基础。50年代末和60年代初, Hilger, Varian Techtron及Perkin-Elmer公司先后推出了原子吸收光谱商品仪器,发展了瓦尔西的设计思想。到了60年代中期,原子吸收光谱开始进入迅速发展的时期。电热原子吸收光谱仪器的产生1959年,苏联里沃夫发表了电热原子化技术的第一篇论文。电热原子吸收光谱法的绝对灵敏度可达到10-10g,使原子吸收光谱法向前发展了一步。原子吸收分析仪器的发展随着原子吸收技术的发展,推动了原子吸收仪器的不断更新和发展,而其它科学技术进步,为原子吸收仪器的不断更新和发展提供了技术和物质基础。近年来,使用连续光源和中阶梯光栅,结合使用光导摄象管、二极管阵列多元素分析检测器,设计出了微机控制的原子吸收分光光度计,为解决多元素同时测定开辟了新的前景。微机控制的原子吸收光谱系统简化了仪器结构,提高了仪器的自动化程度,改善了测定准确度,使原子吸收光谱法的面貌发生了重大的变化。

光电检测实验报告(2)硅光电池

光电检测实验报告 实验名称:硅光电池特性测试实验实验者: 实验班级: 实验时间: 指导老师:宋老师

一:实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池负载特性测试实验 5、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试: (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-11所示的电路连接电路图 (5)记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。 图2-11 硅光电池短路电流特性测试 2、硅光电池开路电压特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4

与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-12所示的电路连接电路图 (5)记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。 图2-12 硅光电池开路电压特性测试 3、硅光电池伏安特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)电压表档位调节至2V档,电流表档位调至200uA档,将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

光电阴极实验报告..

光电阴极实验报告 院系:电子工程与光电技术学院 专业:真空电子技术 班级: 09046201 姓名:李子龙(0904620114) 唐少拓(0904620119) 张伦(0904620124) 完成时间: 2013.1.10 指导老师:张俊举

实验一 光电阴极光谱响应测试 1. 实验目的 通过本实验,了解光电阴极工作原理,掌握相关实验器件的使用方式,学会测试光电阴极的光谱响应 实验原理 光电阴极的光谱响应,或者光谱响应特性,是阴极的光谱灵敏度随入射光谱的分布。具体来说,若照射到阴极面上的单色入射光的辐射功率为()λW ,阴极产生的光电流为()λI ,则阴极的光谱灵敏度为 将阴极对应入射光谱中每一单色光的光谱灵敏度连成一条曲线,便得到了光谱响应曲线。 本实验采用图2所示的实验装置,实验基本框图如图1。用单色仪对光源辐射进行分光,用光电阴极测量单色光,得到输出电流()λI ,根据表标定的光功率用公式) () ()(λλλW I S = 计算后得到光电阴极的光谱响应度,最后画出光谱响应曲线。 图1 光电阴极光谱响应度测试装置 2. 实验仪器简介 1. 由光源(氙灯、氘灯和溴钨灯) 2. 电源 3. 光栅单色仪 4. 光电流计 5. 工控机等组成

实验器件及其相关: a)光源 在进行光谱响应测试时,首先要选取合适的辐射源。本测试辐射源选用GY-9型氢氘灯(GY-10高压球形氙灯)和GY-1型溴钨灯,以获得相应范围的单色光,通过组合使用,能够在200~1600nm范围内有合适的光功率。实物如图3.1所示: 图2 测试所需光源及其电源外形图 氘灯/氙灯用来产生近紫外光谱,溴钨灯则产生可见及近红外范围内的光谱,测试时,根据测试要求选用其中的一种或几种。 b)光栅单色仪 光栅单色仪的作用是将复色光色散,从而得到光谱范围内的单色光,其突出的优点是波段范围宽广,在全波段色散均匀,单色光的波长可以达到非常精确的程度。本测试实验所采用的是北京赛凡光电公司的71SW301型光栅单色仪。实物如图3所示:

现代检测技术实验报告

实验一金属箔式应变片单臂电桥性能实验 一、实验目的 了解金属箔式应变片的应变效应,掌握单臂电桥工作原理和性能。 二、实验内容 将应变式传感器的其中一个应变片接入电桥作为一个桥臂,构成直流电桥,利用应变式传感器实现重量的测量。 三、实验所用仪表及设备 应变式传感器实验模板、应变式传感器、砝码(每只约20g)、数显表、±15V电源数、±4V电源、数字万用表。 四、实验步骤 1、根据图1-1,应变式传感器已装于应变传感器模板上。传感器中各应变片已接入模板左上方的R1、R 2、R 3、R4标志端。加热丝也接于模板上,可用万用表进行测量判别,R1=R2=R3=R4=350Ω,加热丝阻值约为50Ω左右。 图1-1 应变片传感器安装示意图 2、实验模板差动放大器调零,方法为: (1)接入模板电源±15V,检查无误后,合上主控台电源开关,将实验模板增益调节电位器Rw3顺时针调节到大致中间位置;(2)将差放的正、负输入端与地短接,V o1输出端与数显电压表输入端Vi相连,调节实验模板上调零电位器RW4,使数显表显示为零(数显表的切换开关打到2V档),完毕后关闭主控台电源。 3、参考图1-2接入传感器,将应变式传感器的其中一个应变片R1接入电桥作为一个桥臂,它与R5、R6、R7接成直流电桥(R5、R6、R7在模块内已连接好),检查接线无误后,合上主控台电源开关,用数字万用表测量主控台到应变式传感器模块上的±5V、±15V电压值是否稳定?若电压波动值大于10mV,应反复拔插相应的电源连接线,直至电压稳定,不再波动为止,然后粗调节Rw1,再细调RW4使数显表显示为零。 4、在传感器托盘上放置1只砝码,读取数显表显示值,依次增加砝码并读取相应的数显表数值,记下实验结果填入表1-1。

光电检测实验报告

光电检测试验报告 专业:应用物理学 姓名:叶长军 学号:10801030125 指导教师:王颖 实验时间:2011.4 重庆理工大学光电信息学院

实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳 状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时,光敏电阻电导率的改变量为: p n p e n e σμμ?=???+??? ,e 为 电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。当两端加上电压U 后,光电流为:ph A I U d σ=??? 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明 电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(做光照特性测试,由用户自备或选配) 实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为 暗电阻R 暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮,暗电阻 与亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5接线,分别在暗光及有光源照射下测出输出 电压暗和U 亮,电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R ,亮电流 与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线,电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用, 每次在一定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上电压 为 +2V ;+4V ;+6V ;+8V ;+10V ;+12V 时电阻R 两端的电压U R ,

传感器测速实验报告(第一组)

传感器测速实验报告 院系: 班级: 、 小组: 组员: 日期:2013年4月20日

实验二十霍尔转速传感器测速实验 一、实验目的 了解霍尔转速传感器的应用。 二、基本原理 利用霍尔效应表达式:U H=K H IB,当被测圆盘上装有N只磁性体时,圆盘每转一周磁场就变化N次。每转一周霍尔电势就同频率相应变化,输出电势通过放大、整形和计数电路就可以测量被测旋转物的转速。 本实验采用3144E开关型霍尔传感器,当转盘上的磁钢转到传感器正下方时,传感器输出低电平,反之输出高电平 三、需用器件与单元 霍尔转速传感器、直流电源+5V,转动源2~24V、转动源电源、转速测量部分。 四、实验步骤 1、根据下图所示,将霍尔转速传感器装于转动源的传感器调节支架上,调节探头对准转盘内的磁钢。 图9-1 霍尔转速传感器安装示意图 2、将+15V直流电源加于霍尔转速器的电源输入端,红(+)、黑( ),不能接错。 3、将霍尔传感器的输出端插入数显单元F,用来测它的转速。 4、将转速调解中的转速电源引到转动源的电源插孔。 5、将数显表上的转速/频率表波段开关拨到转速档,此时数显表指示电机的转速。 6、调节电压使转速变化,观察数显表转速显示的变化,并记录此刻的转速值。

五、实验结果分析与处理 1、记录频率计输出频率数值如下表所示: 电压(V) 4 5 8 10 15 20 转速(转/分)0 544 930 1245 1810 2264 由以上数据可得:电压的值越大,电机的转速就越快。 六、思考题 1、利用霍尔元件测转速,在测量上是否有所限制? 答:有,测量速度不能过慢,因为磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误。 2、本实验装置上用了十二只磁钢,能否只用一只磁钢? 答:如果霍尔是单极的,可以只用一只磁钢,但可靠性和精度会差一些;如果霍尔 是双极的,那么必须要有一组分别为n/s极的磁钢去开启关断它,那么至少要两只磁钢。

一般检查实验报告

竭诚为您提供优质文档/双击可除 一般检查实验报告 篇一:检测技术实验报告 《检测技术实验》 实验名称:院(系):姓名:实验室:同组人员:评定成绩: 实验报告 第一次实验(一、三、五)自动化专业:自动化xxxxxx 学号:xxxxxxxx实验组别:实验时间:年月日审阅教师:实验一金属箔式应变片――单臂电桥性能实验 一、实验目的:了解金属箔式应变片的应变效应,单臂电桥工作原理和性能。 二、实验仪器:应变传感器实验模块、托盘、砝码、数显电压表、±15V、±4V电源、万 用表、导线等。 三、实验原理:电阻丝在外力作用下发生机械变形时,其电阻值发生变化,这就是电阻应 变效应,描述电阻应变效应的关系式为:ΔR/R=Kε,

式中ΔR/R为电阻丝电阻相对变化,K为应变灵敏系数,ε=Δl/l为电阻丝长度相对变化。金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感组件,如图1-1所示,四个金属箔应变片分别贴在弹性体的上下两侧,弹性体受到压力发生形变,上面的应变片随弹性体形变被拉伸,对应为模块面板上的R1、R3,下面的应变片随弹性体形变被压缩,对应为模块面板上的R2、R4。 图2-1应变式传感器安装示意图 图2-2应变传感器实验模板、接线示意图 图2-3单臂电桥工作原理 通过这些应变片转换被测部位受力状态变化、电桥的作用完成电阻到电压的比例变化,如图1-2所示R5、R6、R7为固定电阻,与应变片一起构成一个单臂电桥,其输出电压e为电桥电源电压,式1-1表明单臂电桥输出为非线性,非线性误差为 四、实验内容与步骤 1、图1-1应变传感器上的各应变片已分别接到应变传感器模块左上方的R1、R 2、R 3、 R4上,可用万用表测量判别,R1=R2=R3=R4=350Ω。 2、从主控台接入±15V电源,检查无误后,合上主控台电源开关,将差动放大器的输入 端ui短接,输出端uo2接数显电压表(选择2V档),

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

自动化传感器实验报告十三 光电转速传感器测速实验

广东技术师范学院实验报告 学院:自动化专业:自动化班级: 08自动化 成绩: 姓名:学号: 组 别: 组员: 实验地点:实验日期:指导教师签名: 实验十二项目名称:光电转速传感器测速实验 一、实验目的 了解光电转速传感器测量转速的原理及方法。 二、基本原理 光电式转速转速传感器有反射型和透射型两种,本实验装置是透射型的,传感器端部有发光管和光电管,发光管发出的光源通过转盘上开的孔透射后由光电二极管接受转换成电 信号,由于转盘上有相间的6个孔,转动时将获得与转速及孔数有关的脉冲,将电脉冲计数 处理即可得到转速值。 三、需用器件与单元 光电转速传感器、直流电源5V、转动源及2~24V直流电源、智能转速表。 四、实验步骤 1.光电转速传感器已经安装在传感器实验箱(二)上。 2.将+5V直流源加于光电转速传感器的电源端。 3.将光电转速传感器的输出接到面板上的智能转速表。 4.将面板上的0~30V稳压电源调节到5 V,接入传感器实验箱(二)上的转动电源处。 5.调节转动源的输入电压,使转盘的速度发生变化,观察转速表上转速的变化。 电压(V) 5 6 7 8 9 10 11 12 频率 (HZ) 45 60 78 95 113 130 150 169 6.调节转动源的输入电压,使转盘的转速发生变化,把界面切换到示波器状态,观察传感器输出波形的变化。 电压越大,波形越窄。 五、注意事项 1.转动源的正负输入端不能接反,否则可能击穿电机里面的晶体管。 2.转动源的输入电压不可超过24V,否则容易烧毁电机。 3.转动源的输入电压不可低于2V,否则由于电机转矩不够大,不能带动转盘,长时间

传感器检测技术实验报告

《传感器与检测技术》 实验报告 姓名:学号: 院系:仪器科学与工程学院专业:测控技术与仪器实验室:机械楼5楼同组人员: 评定成绩:审阅教师:

传感器第一次实验 实验一 金属箔式应变片——单臂电桥性能实验 一、实验目的 了解金属箔式应变片的应变效应及单臂电桥工作原理和性能。 二、基本原理 电阻丝在外力作用下发生机械形变时,其电阻值发生变化,这就是电阻应变效应。 金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件,通过它反映被测部位受力状态的变化。电桥的作用是完成电阻到电压的比例变化,电桥的输出电压反映了相应的受力状态。单臂电桥输出电压 1/4o U EK ε=,其中K 为应变灵敏系数,/L L ε=?为电阻丝长度相对变化。 三、实验器材 主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。 四、实验步骤 1. 根据接线示意图安装接线。 2. 放大器输出调零。 3. 电桥调零。 4. 应变片单臂电桥实验。

由matlab 拟合结果得到,其相关系数为0.9998,拟合度很好,说明输出电压与应变计上的质量是线性关系,且实验结果比较准确。 系统灵敏度S = ΔU ΔW =0.0535V/Kg (即直线斜率),非线性误差= Δm yFS = 0.08 10.7 ×100%= 0.75% 五、思考题 单臂电桥工作时,作为桥臂电阻的应变片应选用:(1)正(受拉)应变片;(2)负(受压)应变片;(3)正、负应变片均可以。 答:(1)负(受压)应变片;因为应变片受压,所以应该选则(2)负(受压)应变片。 实验三 金属箔式应变片——全桥性能实验 一、实验目的 了解全桥测量电路的优点 二、基本原理 全桥测量电路中,将受力方向相同的两应变片接入电桥对边,相反的应变片接入电桥邻边。当应变片初始阻值R1=R2=R3=R4、其变化值1234R R R R ?=?=?=?时,其桥路输出电压 3o U EK ε=。其输出灵敏度比半桥又提高了一倍,非线性误差和温度误差都得到了改善。 三、实验器材 主机箱、应变传感器实验模板、托盘、砝码、万用表、导线等。 四、实验步骤 1.根据接线示意图安装接线。 050 100150200 x y

传感器设计实验―光电测转速

光电式传感器测转速实验报告 ——传感器与检测技术 班级:1321202 专业:测控技术与仪器学号:201320120209 姓名:林建宇

1.实验目的: 1)掌握利用光电传感器进行非接触式转速测量的方法; 2)掌握测量和显示电路的设计方法; 3)了解光电式传感器以及示波器的使用方法。 2.实验基本原理: 光电式转速传感器有反射型和透射型二种,本实验装置是透射型的(光电断续器也称光耦),传感器端部二内侧分别装有发光管和光电管,发光管发出的光源透过转盘上通孔后由光电管接收转换成电信号,由于转盘上有均匀间隔的6个孔,转动时将获得与转速有关的脉冲数,脉冲经处理由频率表显示f,即可得到转速n=10f。实验原理框图如下图所示。 光耦测转速实验原理框图 3.需用器件与单元: 主机箱中的直流稳压电源、示波器、电压表、频率\转速表;转动源、光电转速传感器—光电断续器(已装在转动源上)。 4.实验步骤: (1)、按图1所示接线,并且接上示波器,将直流稳压电源调到10V档。

图1、光电传感器测速实验接线示意图 (2)、检查接线无误后,合上主机箱电源开关,调节电机控制旋钮,F/V表以及示波器就会显示相应的频率f,计算转速为n=10f。实验完毕,关闭主、副电源。 5、实验结论与总结 组数 1 2 3 4 5 6 仪器频率108 133 166 186 232 373 示波器频率106.083 134.913 167.949 188.170 232.125 373.892 转速1080 1330 1660 1860 2320 3730 (注:转速单位为转/分钟) 平均误差?△=∑△i/6 (i=6) ?△≈0.855 σ≈1.070 总结:通过计算可知标准差较小,仪器准确率较高。由仪器和示波器所测的两种频率,其中示波器所显示的为标准值。根据上面实验观察到的波形,由于孔所占比例小,所以方波的高电平比低电平要宽。光电式传感器测转速方法简单,易于实现。

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